JP2003031127A - 平面型蛍光ランプの製造方法 - Google Patents
平面型蛍光ランプの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 排気装置への依存度が低く、排気時間の大幅
な短縮を図ることが可能であり、生産性を向上させるこ
とができる平面型蛍光ランプの製造方法を提供する。 【解決手段】 一方の主表面に蛍光体を塗布した一対の
ガラス基板を、前記蛍光体面を対向させた状態で間隙部
を介して配置するとともに、前記両ガラス基板の周縁部
を接合して前記間隙部を気密に封止し、前記間隙部にキ
セノンを含む混合希ガスを封入する平面蛍光ランプの製
造方法であり、前記間隙部を加熱しながら排気し、前記
間隙部にキセノン、アルゴンまたはネオンの少なくとも
一種からなる希ガスを封入して保持し、排気する工程を
複数回繰り返した後、前記間隙部にキセノンを含む混合
希ガスを封入する。
な短縮を図ることが可能であり、生産性を向上させるこ
とができる平面型蛍光ランプの製造方法を提供する。 【解決手段】 一方の主表面に蛍光体を塗布した一対の
ガラス基板を、前記蛍光体面を対向させた状態で間隙部
を介して配置するとともに、前記両ガラス基板の周縁部
を接合して前記間隙部を気密に封止し、前記間隙部にキ
セノンを含む混合希ガスを封入する平面蛍光ランプの製
造方法であり、前記間隙部を加熱しながら排気し、前記
間隙部にキセノン、アルゴンまたはネオンの少なくとも
一種からなる希ガスを封入して保持し、排気する工程を
複数回繰り返した後、前記間隙部にキセノンを含む混合
希ガスを封入する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
等のバックライトとして用いられ、希ガスの紫外線励起
を用いて蛍光体を発光させる、平面型蛍光ランプの製造
方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、液晶表示装置のバックライト
として種々の平面型蛍光ランプが提案されている。ま
た、本発明者等は、先の特許出願において、ＯＡ機器の
原稿読み取り光源として用いられる平面型蛍光ランプを
提案した。 【０００３】図１は、液晶表示装置のバックライトとし
て用いられている平面型蛍光ランプである。平面型蛍光
ランプ１は、トレ−状の成形ガラス３の開口側を覆うよ
うに板ガラス２を配置し、両ガラスの周縁部を封着材４
で接合し、間隙部を気密に封止した箱状の密閉容器であ
り、板ガラス２及び成形ガラス３の対向する主表面に夫
々蛍光体被膜を形成するとともに、一対の線状電極５、
５を対向配置した構造である。排気管６の先端部は封止
されている。 【０００４】また、図２は原稿読み取り光源として用い
られている平面型蛍光ランプである。平面型蛍光ランプ
１１は、トレー状の成形ガラス１３の開口側を覆うよう
に板ガラス１２を配置し、両ガラスの周縁部を封着材１
４で接合し、間隙部を気密に封止したチュ−ブ状の密閉
容器であり、板ガラス１２及び成形ガラス１３の対向す
る主表面に夫々蛍光体被膜を形成するとともに、一対の
帯状電極１５、１５を前記成形ガラス１３の外側両側面
に対向配置した構造である。排気管１６の先端部は封止
されている。 【０００５】前記平面型蛍光ランプは、例えば次のよう
な工程を経て製造される。先ず、二枚のガラス部材夫々
について一方の主表面に、印刷法、沈殿塗布法、電着法
等の手法により蛍光体被膜を形成し、この蛍光体の周囲
にフリット等の封着材を配設し、大気焼成してフリット
の酸化処理と部材上の有機物を焼結させる。 【０００６】次いで、一方の成形ガラス部材の端部に、
外部に貫通する排気管を配設し、これら二枚のガラス部
材を間隙部を介して対向配置し、フリットを窒素焼成し
て周囲を気密に封止する。 【０００７】大気焼成は、フリットの酸化処理及び有機
物の焼結が目的で、必要に応じて複数回行う場合もあ
る。最終の窒素焼成は、フリットによる間隙部の気密封
止が目的であるため、不必要な酸化高温状態に晒すこと
による蛍光体の劣化促進や、金属線電極の酸化防止を回
避するために窒素焼成としている。 【０００８】次いで、排気管から間隙部の排気処理を行
う。この際、排気処理を促進させるために、密閉容器全
体を加熱するとともに、数百Ｐａ（数Ｔｏｒｒに相当）
の微量の希ガス雰囲気中で洗浄処理を行うことも可能で
ある。その場合、加熱温度は高いほどガラス部材の吸着
ガスの排出が促進されるが、使用するガラス部材やフリ
ットの軟化温度以下であることが必要である。 【０００９】間隙部の真空度が所定の真空度に達した
後、所定量の希ガスや水銀を封入して排気管を封止す
る。水銀を含まない希ガス放電ランプの場合は、紫外線
を励起するキセノンを含む混合希ガスが用いられ、ネオ
ンやアルゴンまたはそれらの混合ガスをベ−スとし、さ
らにクリプトンを添加させる場合もある。 【００１０】一方、水銀の励起紫外線を利用する水銀ラ
ンプの場合は、前記希ガス放電ランプと同様にアルゴン
やネオンまたはそれらの混合ガスをベ−スとし、低温時
の始動性を改善させるために、キセノンやクリプトンを
微量添加させている。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】平面型蛍光ランプは、
空間内部に高電圧を印可することで、水銀や希ガス例え
ばキセノンを励起させて発生した紫外線で蛍光体を発光
させる構造であるため、平面型蛍光ランプに不適当なガ
ス（以下「不純ガス」という）が含まれると、蛍光体の
発光に大きく影響することになる。 【００１２】そのため、加熱排気工程で要求される到達
真空度は、１．３３×１０-4Ｐａ（１０-6Ｔｏｒｒに相
当）台と非常に高い。本発明者等が行った実験によれ
ば、Ｏ 2やＨ2Ｏの不純ガスが３０ｐｐｍ以上含まれる
と、最低動作電圧の増加や蛍光体の劣化に影響を及ばす
ことが確認されており、また初期段階において蛍光体内
部に不純ガスが吸着されている場合は、５０００時間後
には空間に４０ｐｐｍも放出されることが確認されてい
る。 【００１３】また、液晶表示装置のバックライトとして
用いられる平面型蛍光ランプにおいては、冷陰極電極材
料が汚染され、電子ビ−ムの照射や耐久性に支障をきた
すことも確認されている。 【００１４】しかし、上記従来技術において製造された
平面型蛍光ランプにあっては、密閉容器の端部に配置し
た一本の細径排気管で間隙部の排気を行う構造であるた
めに、排気速度が遅く排気効率が非常に悪い。空隙部
を、１．３３×１０-4Ｐａ（１０-6Ｔｏｒｒに相当）台
の到達真空度を達成させるためには、大掛かりな排気装
置が必要であるが、それを用いてもかなりの排気時間を
要する。 【００１５】また、排気管内に水銀ゲッタ−を配設して
排気する方法にあっては、排気管の封止後に空隙部内で
発生したガスが排気管内のゲッタ−に吸収されるのにか
なりの時間を要する。 【００１６】本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、排気装置への依存度が低く、
従来の製造方法と同量の不純ガス濃度を維持することが
できる平面型蛍光ランプの製造方法を提供することを目
的とする。 【００１７】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の平面型蛍光ランプの製造方法は、一
方の主表面に蛍光体を塗布した一対のガラス基板を、前
記蛍光体面を対向させた状態で間隙部を介して配置する
とともに、前記両ガラス基板の周縁部を接合して前記間
隙部を気密に封止し、前記間隙部にキセノンを含む混合
希ガスを封入する平面蛍光ランプの製造方法において、
前記間隙部を加熱しながら排気し、前記間隙部にキセノ
ン、アルゴンまたはネオンの少なくとも一種からなる希
ガスを封入して保持し、排気する工程を複数回繰り返し
た後、前記間隙部にキセノンを含む混合希ガスを封入す
ることを特徴とする。 【００１８】 【発明の実施の形態】本発明者等は、上記目的を達成す
べく鋭意研究を行った結果、間隙部を加熱しながら排気
し、前記間隙部にキセノン、アルゴンまたはネオンの少
なくとも一種からなる希ガスを封入して保持し、排気す
る工程を複数回繰り返した後、前記間隙部にキセノンを
含む混合希ガスを封入すると、排気時間の大幅な短縮が
可能であり、生産性を向上させることができ、且つ製造
上のコストダウンすることができることを見い出した。 【００１９】以下、本発明の実施の形態を、図面を参照
して説明する。 【００２０】図２は、本発明の実施の形態において製造
される平面蛍光ランプの構成を示す概略断面図である。 【００２１】図２において、平面型蛍光ランプ１１は、
一方を開口側とし、端部に外部へ貫通する溝を有する成
形ガラス部材１３と、前記貫通溝に配設した排気管１６
と、前記開口を覆う平板ガラス１２とで構成され、平板
ガラス１２と成形ガラス部材１３と排気管１６は、フリ
ット等の封着材１４で接合されて、間隙部を気密に封止
している。 【００２２】封着材１４としては、例えば低融点ガラス
ＬＳ−１８１５（日本電気硝子（株）製）をタ−ピノ−
ル等の溶剤で液状にしたものを適用することができ、ガ
ラス部材１２、１３の接合部分に塗布し、３５０〜４５
０℃の大気焼成で酸化処理と有機物の焼結を行い、接合
時は３５０〜４５０℃の窒素焼成を行う。 【００２３】平板ガラス１２の間隙部側の主表面には、
印刷法で膜厚５μｍ〜２０μｍの蛍光体被膜が形成さ
れ、成形ガラス部材１３の間隙部側の主表面には、沈殿
塗布法で膜厚２０μｍ〜４０μｍの蛍光体被膜が形成さ
れている。 【００２４】排気管１６から間隙部の排気を行う際、間
隙部内の吸着ガスの放出を促進するため、密閉容器全体
を加熱しておく。加熱温度が高いほど、空隙部から吸着
ガスを放出するので好ましいが、使用するガラス部材１
２、１３や封着材１４の軟化温度以下に設定しておくこ
とが必要である。 【００２５】次いで、前記間隙部にキセノン、アルゴン
またはネオンの少なくとも一種からなる希ガスを１．３
３×１０3Ｐａ（１０Ｔｏｒｒに相当）以上に注入して
保持し、排気する工程を複数回繰り返す。 【００２６】この工程を繰り返し行うことにより、１．
３３×１０3Ｐａ（１０Ｔｏｒｒに相当）以上に注入さ
れた希ガスと残留空気とが混合され、到達真空度自体は
以前と同じであっても空隙部の残留空気の絶対量が希ガ
スとの混合に伴い希薄となる。また、この工程を繰り返
し行うことにより、残留空気が希薄していくことにな
る。これは、到達真空度自体が必ずしも高くなくても残
留空気を希薄とすることが可能で、不純ガス量を従来の
到達真空度１．３３×１０-4Ｐａ（１０-6Ｔｏｒｒに相
当）の製造方法と同じ程度まで希薄することが実現でき
る。 【００２７】前記工程を行った後に、前記間隙部にキセ
ノンを含む混合希ガスを封入し、排気管を封止して、間
隙部を気密に封止した密閉容器を得る。 【００２８】図３は、本発明の実施の形態に係る排気加
熱サイクルを示すものである。２０分間で３００℃まで
昇温させて１０分間保持し、その後４０℃まで降高させ
る条件下で、到達真空度１．３３×１０-1Ｐａ（１０-3
Ｔｏｒｒに相当）で間隙部の排気を実施し、３００℃到
達段階で６．６５×１０3 Ｐａ（５０Ｔｏｒｒに相当）
の希ガスを注入して３分間保持し、希ガスを排気する処
理を３回実施した後に、間隙部に所定量の混合希ガスを
封入し、排気管を封止して間隙部を密閉したときの状況
を示すものである。 【００２９】本発明の製造方法で排気する場合の残留空
気量を求めると、到達真空度１．３３×１０-1Ｐａ（１
０-3Ｔｏｒｒに相当）台の製造設備で、６．６５×１０
3 Ｐａ（５０Ｔｏｒｒに相当）の希ガスの封入排気の処
理を３回実施した場合の残留空気量は、次式１のとおり
である。 （２×１０-3／１×１０5）×Ｖ0×Ｎ×（２×１０-3／６．６５×１０3）×３ ＝１．８×１０2×Ｖ0Ｎ − ［式１］ ここで、１×１０5は大気圧Ｐａ、Ｖ0は空間容積、Ｎは
単位容積当りの分子数とする。 【００３０】従って、１．３３×１０-1Ｐａ（１０-3Ｔ
ｏｒｒに相当）台の低真空度の製造設備であっても、
６．６５×１０3 Ｐａ（５０Ｔｏｒｒに相当）の希ガス
を封入して排気する処理を３回繰り返し行うことによ
り、１．３３×１０-4Ｐａ（１０ -6Ｔｏｒｒに相当）台
の高真空度の製造設備と同等性能を達成することでき
る。 【００３１】また、高真空に至るまでの時間を大幅に短
縮できるため、生産性の大幅な向上を達成することが可
能である。 【００３２】ちなみに、従来技術の製造方法で排気する
場合の残留空気量を求めると、到達真空度４×１０-4Ｐ
ａ（３×１０-6Ｔｏｒｒに相当）に至る途中で、６．６
５×１０2Ｐａ（５Ｔｏｒｒに相当）注入のガス洗浄を
２回実施した場合の残留空気量は、次式２のとおりであ
る。 （３×１０-6／１×１０5）×Ｖ0×Ｎ×（８×１０-5／６．６５×１０2）×（ ３×１０-5／６．６５×１０2）＝１．６３×１０-7×V0Ｎ − ［式２］ 【００３３】（実施例）先の実施形態で作製した密閉容
器を３００℃に加熱処理して保持しながら、到達真空度
１．３３×１０-1Ｐａ（１０-3Ｔｏｒｒに相当）で間隙
部の排気を連続的に行った。３００℃に到達した段階
で、間隙部にアルゴン１００％の単組成の希ガス６．６
５×１０4 Ｐａ（５０Ｔｏｒｒに相当）を注入し、３分
間保持した。次いで、到達真空度１．３３×１０-1Ｐａ
（１０-3Ｔｏｒｒに相当）で排気し、３分間保持する処
理を３回繰り返した後、ネオン６５％、アルゴン５％及
びキセノン３０％の混合組成からなる希ガスを３．９９
×１０4 Ｐａ（３００Ｔｏｒｒに相当）注入し、排気管
を封止して平面型蛍光ランプを得た。なお、これらの処
置を行うのに約３８分を要した。本条件で製造した平面
型蛍光ランプを、Ｎｏ．１とした。 【００３４】密封容器の成形ガラス部材の外側面に、一
対対の帯状電極を長手方向に対して対称に配し、電極表
面を絶縁被膜処理をした。本ランプの性能を表１に示
す。 【００３５】 【表１】 【００３６】（比較例１）実施例と同様の密閉容器を３
００℃に加熱処理して保持しながら、到達真空度１．３
３×１０-4Ｐａ（１×１０-6Ｔｏｒｒに相当）で間隙部
の排気を連続的に行った。次いで、間隙部にネオン６５
％、アルゴン５％及びキセノン３０％の混合組成からな
る希ガスを３．９９×１０4 Ｐａ（３００Ｔｏｒｒに相
当）注入し、排気管を封止して平面型蛍光ランプを得
た。なお、これらの処置を行うのに約６０分を要した。
本条件で製造した平面型蛍光ランプを、Ｎｏ．２とし
た。 【００３７】密封容器の成形ガラス部材の外側面に、一
対対の帯状電極を長手方向に対して対称に配し、電極表
面を絶縁被膜処理をした。本ランプの性能を表１に示
す。 【００３８】（比較例２）前記比較例１において、間隙
部を６．６５×１０2 Ｐａ（５Ｔｏｒｒに相当）の希ガ
ス雰囲気に晒すことにより、吸着ガスの放出が促進され
る所謂ガス洗浄を２回実施し、真空度１．３３×１０-4
Ｐａ（１×１０-6Ｔｏｒｒに相当）に到達するまでの時
間を短縮させる処置をしたところ、約５０分に短縮し
た。この条件で製造したランプを、Ｎｏ．３とした。 【００３９】密封容器の成形ガラス部材の外側面に、一
対対の帯状電極を長手方向に対して対称に配し、電極表
面を絶縁被膜処理をした。本ランプの性能を表１に示
す。 【００４０】 【発明の効果】以上詳細に説明したとおり、請求項１記
載の平面型蛍光ランプの製造方法によれば、間隙部を加
熱しながら排気し、前記間隙部にキセノン、アルゴンま
たはネオンの少なくとも一種からなる希ガスを封入して
保持し、排気する工程を複数回繰り返した後、前記間隙
部にキセノンを含む混合希ガスを封入するので、従来の
高真空設備に依存した製造方法に比べて、設備をコスト
ダウンすることができ、排気時間の大幅な短縮を図るこ
とが可能であり、生産性を向上させることができるもの
である。
等のバックライトとして用いられ、希ガスの紫外線励起
を用いて蛍光体を発光させる、平面型蛍光ランプの製造
方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、液晶表示装置のバックライト
として種々の平面型蛍光ランプが提案されている。ま
た、本発明者等は、先の特許出願において、ＯＡ機器の
原稿読み取り光源として用いられる平面型蛍光ランプを
提案した。 【０００３】図１は、液晶表示装置のバックライトとし
て用いられている平面型蛍光ランプである。平面型蛍光
ランプ１は、トレ−状の成形ガラス３の開口側を覆うよ
うに板ガラス２を配置し、両ガラスの周縁部を封着材４
で接合し、間隙部を気密に封止した箱状の密閉容器であ
り、板ガラス２及び成形ガラス３の対向する主表面に夫
々蛍光体被膜を形成するとともに、一対の線状電極５、
５を対向配置した構造である。排気管６の先端部は封止
されている。 【０００４】また、図２は原稿読み取り光源として用い
られている平面型蛍光ランプである。平面型蛍光ランプ
１１は、トレー状の成形ガラス１３の開口側を覆うよう
に板ガラス１２を配置し、両ガラスの周縁部を封着材１
４で接合し、間隙部を気密に封止したチュ−ブ状の密閉
容器であり、板ガラス１２及び成形ガラス１３の対向す
る主表面に夫々蛍光体被膜を形成するとともに、一対の
帯状電極１５、１５を前記成形ガラス１３の外側両側面
に対向配置した構造である。排気管１６の先端部は封止
されている。 【０００５】前記平面型蛍光ランプは、例えば次のよう
な工程を経て製造される。先ず、二枚のガラス部材夫々
について一方の主表面に、印刷法、沈殿塗布法、電着法
等の手法により蛍光体被膜を形成し、この蛍光体の周囲
にフリット等の封着材を配設し、大気焼成してフリット
の酸化処理と部材上の有機物を焼結させる。 【０００６】次いで、一方の成形ガラス部材の端部に、
外部に貫通する排気管を配設し、これら二枚のガラス部
材を間隙部を介して対向配置し、フリットを窒素焼成し
て周囲を気密に封止する。 【０００７】大気焼成は、フリットの酸化処理及び有機
物の焼結が目的で、必要に応じて複数回行う場合もあ
る。最終の窒素焼成は、フリットによる間隙部の気密封
止が目的であるため、不必要な酸化高温状態に晒すこと
による蛍光体の劣化促進や、金属線電極の酸化防止を回
避するために窒素焼成としている。 【０００８】次いで、排気管から間隙部の排気処理を行
う。この際、排気処理を促進させるために、密閉容器全
体を加熱するとともに、数百Ｐａ（数Ｔｏｒｒに相当）
の微量の希ガス雰囲気中で洗浄処理を行うことも可能で
ある。その場合、加熱温度は高いほどガラス部材の吸着
ガスの排出が促進されるが、使用するガラス部材やフリ
ットの軟化温度以下であることが必要である。 【０００９】間隙部の真空度が所定の真空度に達した
後、所定量の希ガスや水銀を封入して排気管を封止す
る。水銀を含まない希ガス放電ランプの場合は、紫外線
を励起するキセノンを含む混合希ガスが用いられ、ネオ
ンやアルゴンまたはそれらの混合ガスをベ−スとし、さ
らにクリプトンを添加させる場合もある。 【００１０】一方、水銀の励起紫外線を利用する水銀ラ
ンプの場合は、前記希ガス放電ランプと同様にアルゴン
やネオンまたはそれらの混合ガスをベ−スとし、低温時
の始動性を改善させるために、キセノンやクリプトンを
微量添加させている。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】平面型蛍光ランプは、
空間内部に高電圧を印可することで、水銀や希ガス例え
ばキセノンを励起させて発生した紫外線で蛍光体を発光
させる構造であるため、平面型蛍光ランプに不適当なガ
ス（以下「不純ガス」という）が含まれると、蛍光体の
発光に大きく影響することになる。 【００１２】そのため、加熱排気工程で要求される到達
真空度は、１．３３×１０-4Ｐａ（１０-6Ｔｏｒｒに相
当）台と非常に高い。本発明者等が行った実験によれ
ば、Ｏ 2やＨ2Ｏの不純ガスが３０ｐｐｍ以上含まれる
と、最低動作電圧の増加や蛍光体の劣化に影響を及ばす
ことが確認されており、また初期段階において蛍光体内
部に不純ガスが吸着されている場合は、５０００時間後
には空間に４０ｐｐｍも放出されることが確認されてい
る。 【００１３】また、液晶表示装置のバックライトとして
用いられる平面型蛍光ランプにおいては、冷陰極電極材
料が汚染され、電子ビ−ムの照射や耐久性に支障をきた
すことも確認されている。 【００１４】しかし、上記従来技術において製造された
平面型蛍光ランプにあっては、密閉容器の端部に配置し
た一本の細径排気管で間隙部の排気を行う構造であるた
めに、排気速度が遅く排気効率が非常に悪い。空隙部
を、１．３３×１０-4Ｐａ（１０-6Ｔｏｒｒに相当）台
の到達真空度を達成させるためには、大掛かりな排気装
置が必要であるが、それを用いてもかなりの排気時間を
要する。 【００１５】また、排気管内に水銀ゲッタ−を配設して
排気する方法にあっては、排気管の封止後に空隙部内で
発生したガスが排気管内のゲッタ−に吸収されるのにか
なりの時間を要する。 【００１６】本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、排気装置への依存度が低く、
従来の製造方法と同量の不純ガス濃度を維持することが
できる平面型蛍光ランプの製造方法を提供することを目
的とする。 【００１７】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の平面型蛍光ランプの製造方法は、一
方の主表面に蛍光体を塗布した一対のガラス基板を、前
記蛍光体面を対向させた状態で間隙部を介して配置する
とともに、前記両ガラス基板の周縁部を接合して前記間
隙部を気密に封止し、前記間隙部にキセノンを含む混合
希ガスを封入する平面蛍光ランプの製造方法において、
前記間隙部を加熱しながら排気し、前記間隙部にキセノ
ン、アルゴンまたはネオンの少なくとも一種からなる希
ガスを封入して保持し、排気する工程を複数回繰り返し
た後、前記間隙部にキセノンを含む混合希ガスを封入す
ることを特徴とする。 【００１８】 【発明の実施の形態】本発明者等は、上記目的を達成す
べく鋭意研究を行った結果、間隙部を加熱しながら排気
し、前記間隙部にキセノン、アルゴンまたはネオンの少
なくとも一種からなる希ガスを封入して保持し、排気す
る工程を複数回繰り返した後、前記間隙部にキセノンを
含む混合希ガスを封入すると、排気時間の大幅な短縮が
可能であり、生産性を向上させることができ、且つ製造
上のコストダウンすることができることを見い出した。 【００１９】以下、本発明の実施の形態を、図面を参照
して説明する。 【００２０】図２は、本発明の実施の形態において製造
される平面蛍光ランプの構成を示す概略断面図である。 【００２１】図２において、平面型蛍光ランプ１１は、
一方を開口側とし、端部に外部へ貫通する溝を有する成
形ガラス部材１３と、前記貫通溝に配設した排気管１６
と、前記開口を覆う平板ガラス１２とで構成され、平板
ガラス１２と成形ガラス部材１３と排気管１６は、フリ
ット等の封着材１４で接合されて、間隙部を気密に封止
している。 【００２２】封着材１４としては、例えば低融点ガラス
ＬＳ−１８１５（日本電気硝子（株）製）をタ−ピノ−
ル等の溶剤で液状にしたものを適用することができ、ガ
ラス部材１２、１３の接合部分に塗布し、３５０〜４５
０℃の大気焼成で酸化処理と有機物の焼結を行い、接合
時は３５０〜４５０℃の窒素焼成を行う。 【００２３】平板ガラス１２の間隙部側の主表面には、
印刷法で膜厚５μｍ〜２０μｍの蛍光体被膜が形成さ
れ、成形ガラス部材１３の間隙部側の主表面には、沈殿
塗布法で膜厚２０μｍ〜４０μｍの蛍光体被膜が形成さ
れている。 【００２４】排気管１６から間隙部の排気を行う際、間
隙部内の吸着ガスの放出を促進するため、密閉容器全体
を加熱しておく。加熱温度が高いほど、空隙部から吸着
ガスを放出するので好ましいが、使用するガラス部材１
２、１３や封着材１４の軟化温度以下に設定しておくこ
とが必要である。 【００２５】次いで、前記間隙部にキセノン、アルゴン
またはネオンの少なくとも一種からなる希ガスを１．３
３×１０3Ｐａ（１０Ｔｏｒｒに相当）以上に注入して
保持し、排気する工程を複数回繰り返す。 【００２６】この工程を繰り返し行うことにより、１．
３３×１０3Ｐａ（１０Ｔｏｒｒに相当）以上に注入さ
れた希ガスと残留空気とが混合され、到達真空度自体は
以前と同じであっても空隙部の残留空気の絶対量が希ガ
スとの混合に伴い希薄となる。また、この工程を繰り返
し行うことにより、残留空気が希薄していくことにな
る。これは、到達真空度自体が必ずしも高くなくても残
留空気を希薄とすることが可能で、不純ガス量を従来の
到達真空度１．３３×１０-4Ｐａ（１０-6Ｔｏｒｒに相
当）の製造方法と同じ程度まで希薄することが実現でき
る。 【００２７】前記工程を行った後に、前記間隙部にキセ
ノンを含む混合希ガスを封入し、排気管を封止して、間
隙部を気密に封止した密閉容器を得る。 【００２８】図３は、本発明の実施の形態に係る排気加
熱サイクルを示すものである。２０分間で３００℃まで
昇温させて１０分間保持し、その後４０℃まで降高させ
る条件下で、到達真空度１．３３×１０-1Ｐａ（１０-3
Ｔｏｒｒに相当）で間隙部の排気を実施し、３００℃到
達段階で６．６５×１０3 Ｐａ（５０Ｔｏｒｒに相当）
の希ガスを注入して３分間保持し、希ガスを排気する処
理を３回実施した後に、間隙部に所定量の混合希ガスを
封入し、排気管を封止して間隙部を密閉したときの状況
を示すものである。 【００２９】本発明の製造方法で排気する場合の残留空
気量を求めると、到達真空度１．３３×１０-1Ｐａ（１
０-3Ｔｏｒｒに相当）台の製造設備で、６．６５×１０
3 Ｐａ（５０Ｔｏｒｒに相当）の希ガスの封入排気の処
理を３回実施した場合の残留空気量は、次式１のとおり
である。 （２×１０-3／１×１０5）×Ｖ0×Ｎ×（２×１０-3／６．６５×１０3）×３ ＝１．８×１０2×Ｖ0Ｎ − ［式１］ ここで、１×１０5は大気圧Ｐａ、Ｖ0は空間容積、Ｎは
単位容積当りの分子数とする。 【００３０】従って、１．３３×１０-1Ｐａ（１０-3Ｔ
ｏｒｒに相当）台の低真空度の製造設備であっても、
６．６５×１０3 Ｐａ（５０Ｔｏｒｒに相当）の希ガス
を封入して排気する処理を３回繰り返し行うことによ
り、１．３３×１０-4Ｐａ（１０ -6Ｔｏｒｒに相当）台
の高真空度の製造設備と同等性能を達成することでき
る。 【００３１】また、高真空に至るまでの時間を大幅に短
縮できるため、生産性の大幅な向上を達成することが可
能である。 【００３２】ちなみに、従来技術の製造方法で排気する
場合の残留空気量を求めると、到達真空度４×１０-4Ｐ
ａ（３×１０-6Ｔｏｒｒに相当）に至る途中で、６．６
５×１０2Ｐａ（５Ｔｏｒｒに相当）注入のガス洗浄を
２回実施した場合の残留空気量は、次式２のとおりであ
る。 （３×１０-6／１×１０5）×Ｖ0×Ｎ×（８×１０-5／６．６５×１０2）×（ ３×１０-5／６．６５×１０2）＝１．６３×１０-7×V0Ｎ − ［式２］ 【００３３】（実施例）先の実施形態で作製した密閉容
器を３００℃に加熱処理して保持しながら、到達真空度
１．３３×１０-1Ｐａ（１０-3Ｔｏｒｒに相当）で間隙
部の排気を連続的に行った。３００℃に到達した段階
で、間隙部にアルゴン１００％の単組成の希ガス６．６
５×１０4 Ｐａ（５０Ｔｏｒｒに相当）を注入し、３分
間保持した。次いで、到達真空度１．３３×１０-1Ｐａ
（１０-3Ｔｏｒｒに相当）で排気し、３分間保持する処
理を３回繰り返した後、ネオン６５％、アルゴン５％及
びキセノン３０％の混合組成からなる希ガスを３．９９
×１０4 Ｐａ（３００Ｔｏｒｒに相当）注入し、排気管
を封止して平面型蛍光ランプを得た。なお、これらの処
置を行うのに約３８分を要した。本条件で製造した平面
型蛍光ランプを、Ｎｏ．１とした。 【００３４】密封容器の成形ガラス部材の外側面に、一
対対の帯状電極を長手方向に対して対称に配し、電極表
面を絶縁被膜処理をした。本ランプの性能を表１に示
す。 【００３５】 【表１】 【００３６】（比較例１）実施例と同様の密閉容器を３
００℃に加熱処理して保持しながら、到達真空度１．３
３×１０-4Ｐａ（１×１０-6Ｔｏｒｒに相当）で間隙部
の排気を連続的に行った。次いで、間隙部にネオン６５
％、アルゴン５％及びキセノン３０％の混合組成からな
る希ガスを３．９９×１０4 Ｐａ（３００Ｔｏｒｒに相
当）注入し、排気管を封止して平面型蛍光ランプを得
た。なお、これらの処置を行うのに約６０分を要した。
本条件で製造した平面型蛍光ランプを、Ｎｏ．２とし
た。 【００３７】密封容器の成形ガラス部材の外側面に、一
対対の帯状電極を長手方向に対して対称に配し、電極表
面を絶縁被膜処理をした。本ランプの性能を表１に示
す。 【００３８】（比較例２）前記比較例１において、間隙
部を６．６５×１０2 Ｐａ（５Ｔｏｒｒに相当）の希ガ
ス雰囲気に晒すことにより、吸着ガスの放出が促進され
る所謂ガス洗浄を２回実施し、真空度１．３３×１０-4
Ｐａ（１×１０-6Ｔｏｒｒに相当）に到達するまでの時
間を短縮させる処置をしたところ、約５０分に短縮し
た。この条件で製造したランプを、Ｎｏ．３とした。 【００３９】密封容器の成形ガラス部材の外側面に、一
対対の帯状電極を長手方向に対して対称に配し、電極表
面を絶縁被膜処理をした。本ランプの性能を表１に示
す。 【００４０】 【発明の効果】以上詳細に説明したとおり、請求項１記
載の平面型蛍光ランプの製造方法によれば、間隙部を加
熱しながら排気し、前記間隙部にキセノン、アルゴンま
たはネオンの少なくとも一種からなる希ガスを封入して
保持し、排気する工程を複数回繰り返した後、前記間隙
部にキセノンを含む混合希ガスを封入するので、従来の
高真空設備に依存した製造方法に比べて、設備をコスト
ダウンすることができ、排気時間の大幅な短縮を図るこ
とが可能であり、生産性を向上させることができるもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示のバックライトに用いられている平面
型蛍光ランプの斜視図である。 【図２】ＯＡ機器の原稿読み取り光源に用いられている
平面型蛍光ランプの斜視図である。 【図３】本発明の製造方法による加熱排気サイクルであ
る。 【符号の説明】 １、１１ 平面型蛍光ランプ ２、１２ 平板ガラス ３、１３ 成形ガラス部材 ４、１４ 封着材 ５、１５ 電極 ６、１６ 排気管
型蛍光ランプの斜視図である。 【図２】ＯＡ機器の原稿読み取り光源に用いられている
平面型蛍光ランプの斜視図である。 【図３】本発明の製造方法による加熱排気サイクルであ
る。 【符号の説明】 １、１１ 平面型蛍光ランプ ２、１２ 平板ガラス ３、１３ 成形ガラス部材 ４、１４ 封着材 ５、１５ 電極 ６、１６ 排気管
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 一方の主表面に蛍光体を形成した一対の
ガラス基板を、前記蛍光体面を対向させた状態で間隙部
を介して配置するとともに、前記両ガラス基板の周縁部
を接合して前記間隙部を気密に封止し、前記間隙部にキ
セノンを含む混合希ガスを封入する平面蛍光ランプの製
造方法において、 前記間隙部を加熱しながら排気し、前記間隙部にキセノ
ン、アルゴンまたはネオンの少なくとも一種からなる希
ガスを封入して保持し、排気する工程を複数回繰り返し
た後、前記間隙部にキセノンを含む混合希ガスを封入す
ることを特徴とする平面型蛍光ランプの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001214755A JP2003031127A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 平面型蛍光ランプの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001214755A JP2003031127A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 平面型蛍光ランプの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031127A true JP2003031127A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19049518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001214755A Pending JP2003031127A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 平面型蛍光ランプの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003031127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100639876B1 (ko) | 2004-09-21 | 2006-10-30 | 미래산업 주식회사 | 평판형 형광램프의 가스 주입구 구조 및 평판형형광램프의 가스 주입구 성형 방법 |
| WO2008104430A2 (de) * | 2007-02-26 | 2008-09-04 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum herstellen einer entladungslampe, insbesondere einer flachlampe |
| US11087406B2 (en) | 2016-07-06 | 2021-08-10 | Omron Healthcare Co., Ltd. | Risk analysis system and risk analysis method |
-
2001
- 2001-07-16 JP JP2001214755A patent/JP2003031127A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100639876B1 (ko) | 2004-09-21 | 2006-10-30 | 미래산업 주식회사 | 평판형 형광램프의 가스 주입구 구조 및 평판형형광램프의 가스 주입구 성형 방법 |
| WO2008104430A2 (de) * | 2007-02-26 | 2008-09-04 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum herstellen einer entladungslampe, insbesondere einer flachlampe |
| WO2008104430A3 (de) * | 2007-02-26 | 2009-04-09 | Osram Gmbh | Verfahren zum herstellen einer entladungslampe, insbesondere einer flachlampe |
| US11087406B2 (en) | 2016-07-06 | 2021-08-10 | Omron Healthcare Co., Ltd. | Risk analysis system and risk analysis method |
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