JP2002117757A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電特性の良好な優れた表示品位を実現する
プラズマディスプレイパネルと、そのパネルを安定して
製造することを実現する製造方法を提供する。 【解決手段】 保護層成膜後に、大気開放を行うことな
く、真空中、あるいは酸素を含む雰囲気中において保護
層成膜時の基板温度以上の温度で保護層の加熱処理を少
なくとも１０分間以上行う。
プラズマディスプレイパネルと、そのパネルを安定して
製造することを実現する製造方法を提供する。 【解決手段】 保護層成膜後に、大気開放を行うことな
く、真空中、あるいは酸素を含む雰囲気中において保護
層成膜時の基板温度以上の温度で保護層の加熱処理を少
なくとも１０分間以上行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体層と保護層
が形成された基板を用いたプラズマディスプレイパネ
ル、およびその製造方法に関するものである。
が形成された基板を用いたプラズマディスプレイパネ
ル、およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は交流型（ＡＣ型）のプラズマディ
スプレイパネルの概略を示す断面図である。
スプレイパネルの概略を示す断面図である。
【０００３】図１に示すプラズマディスプレイパネル
は、前面ガラス基板１０上に表示電極１１を形成し、そ
の上の全面を誘電体層１２及び保護層１３にて被覆す
る。
は、前面ガラス基板１０上に表示電極１１を形成し、そ
の上の全面を誘電体層１２及び保護層１３にて被覆す
る。
【０００４】一方、背面ガラス基板２０上にアドレス電
極２１を形成し、その上の全面を誘電体層２２にて被覆
し、その上に隔壁２３を形成する。そして、隔壁２３に
挟まれた各空間内に、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍
光体を含む各色蛍光体ペーストを配設することによって
蛍光体層（２４〜２６）を形成する。
極２１を形成し、その上の全面を誘電体層２２にて被覆
し、その上に隔壁２３を形成する。そして、隔壁２３に
挟まれた各空間内に、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍
光体を含む各色蛍光体ペーストを配設することによって
蛍光体層（２４〜２６）を形成する。
【０００５】この２枚のガラス基板間の放電空間３０に
はＮｅ−Ｘｅの混合ガスを封入し、放電により発生する
波長の短い真空紫外光（１４７ｎｍ）によって蛍光体層
（２４〜２６）が励起され、Ｒ、Ｇ、Ｂの可視光を前面
ガラス基板側から発することによりカラー表示を行って
いる。
はＮｅ−Ｘｅの混合ガスを封入し、放電により発生する
波長の短い真空紫外光（１４７ｎｍ）によって蛍光体層
（２４〜２６）が励起され、Ｒ、Ｇ、Ｂの可視光を前面
ガラス基板側から発することによりカラー表示を行って
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記プラズマディスプ
レイパネルの放電電圧などで示される放電特性にはパネ
ル面内でばらつきが発生し、放電電圧が高くなり発光が
不安定な箇所が存在することがあった。これは、放電空
間３０と接している保護層１３の形成条件、膜質などに
より大きく左右されていると考えられるが、詳細は不明
である。
レイパネルの放電電圧などで示される放電特性にはパネ
ル面内でばらつきが発生し、放電電圧が高くなり発光が
不安定な箇所が存在することがあった。これは、放電空
間３０と接している保護層１３の形成条件、膜質などに
より大きく左右されていると考えられるが、詳細は不明
である。
【０００７】しかしながら、誘電体層および保護層を形
成した基板は、保護層を形成後に大気中に取り出し、前
面板と背面板の組み立てを行うまで大気曝露されている
ため、保護層への不純物ガス（特にＨ2Ｏ）の吸着およ
び反応が起こるため、パネル化した際に保護層から放電
空間へと不純物ガスが放出され、そのような不純物ガス
がパネルの放電特性に影響すると考えられる。
成した基板は、保護層を形成後に大気中に取り出し、前
面板と背面板の組み立てを行うまで大気曝露されている
ため、保護層への不純物ガス（特にＨ2Ｏ）の吸着およ
び反応が起こるため、パネル化した際に保護層から放電
空間へと不純物ガスが放出され、そのような不純物ガス
がパネルの放電特性に影響すると考えられる。
【０００８】この問題を解決するための手段として、保
護層の表面改質を行う方法（特開２０００−０７６９８
９）が提出されている。同方法によれば、保護層の表面
改質により、後工程において不純物ガスが保護層へ吸着
や反応をしにくくすることが可能であるが、成膜時に保
護層に取り込まれる不純物や、成膜装置内のガスによる
吸着、すなわち保護層の大気曝露前に保護層へ含まれて
しまう不純物ガスを除去することができないという問題
点があった。
護層の表面改質を行う方法（特開２０００−０７６９８
９）が提出されている。同方法によれば、保護層の表面
改質により、後工程において不純物ガスが保護層へ吸着
や反応をしにくくすることが可能であるが、成膜時に保
護層に取り込まれる不純物や、成膜装置内のガスによる
吸着、すなわち保護層の大気曝露前に保護層へ含まれて
しまう不純物ガスを除去することができないという問題
点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、このような
問題を鑑み、放電特性の良好な優れた表示品位を実現す
るプラズマディスプレイパネルを製造できる製造方法を
提供することを目的とする。
問題を鑑み、放電特性の良好な優れた表示品位を実現す
るプラズマディスプレイパネルを製造できる製造方法を
提供することを目的とする。
【００１０】上記目的を達成するため、本発明のプラズ
マディスプレイパネルの製造方法は、誘電体層と保護層
が形成された基板の前記保護層を真空成膜装置で成膜後
に、大気開放を行うことなく、成膜時の基板温度以上の
温度で１０分間以上の加熱処理を行うことを特徴とす
る。
マディスプレイパネルの製造方法は、誘電体層と保護層
が形成された基板の前記保護層を真空成膜装置で成膜後
に、大気開放を行うことなく、成膜時の基板温度以上の
温度で１０分間以上の加熱処理を行うことを特徴とす
る。
【００１１】本発明によると、保護層を真空成膜装置で
成膜後に、大気開放を行うことなく、成膜時の基板温度
以上の温度で１０分間以上の加熱処理を行うことによ
り、保護層への不純物ガス（特にＨ2Ｏ）の吸着および
反応を抑制することができる。また、成膜時に保護層に
取り込まれる不純物や、成膜装置内のガスによる吸着、
すなわち保護層の大気曝露前に保護層へ含まれてしまう
不純物ガスは、成膜時の基板温度以上で加熱を行うため
除去することができる。したがって、パネル化した際の
保護層から放電空間への不純物ガスの放出を低減するこ
とが可能であり、パネルの放電特性の劣化を防ぐことが
できる。したがって、放電特性の安定な優れた表示品位
を実現するプラズマディスプレイパネルを製造できる。
成膜後に、大気開放を行うことなく、成膜時の基板温度
以上の温度で１０分間以上の加熱処理を行うことによ
り、保護層への不純物ガス（特にＨ2Ｏ）の吸着および
反応を抑制することができる。また、成膜時に保護層に
取り込まれる不純物や、成膜装置内のガスによる吸着、
すなわち保護層の大気曝露前に保護層へ含まれてしまう
不純物ガスは、成膜時の基板温度以上で加熱を行うため
除去することができる。したがって、パネル化した際の
保護層から放電空間への不純物ガスの放出を低減するこ
とが可能であり、パネルの放電特性の劣化を防ぐことが
できる。したがって、放電特性の安定な優れた表示品位
を実現するプラズマディスプレイパネルを製造できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法を具体的な各実施の形態に基づいて説明
する。しかしながら、かかる実施の形態例が本発明の技
術的範囲を限定するものではない。
ネルの製造方法を具体的な各実施の形態に基づいて説明
する。しかしながら、かかる実施の形態例が本発明の技
術的範囲を限定するものではない。
【００１３】（実施の形態１）図２はプラズマディスプ
レイパネルの製造に使用する基板を加熱処理する装置を
示す。前面ガラス基板４０には、表示電極４１、誘電体
層４２、保護層４３が形成されている。本実施の形態に
おいては、保護層４３には酸化マグネシウム膜（以下、
ＭｇＯ膜と略記する）を用い、ＥＢ蒸着によって基板温
度２５０℃にて成膜した。
レイパネルの製造に使用する基板を加熱処理する装置を
示す。前面ガラス基板４０には、表示電極４１、誘電体
層４２、保護層４３が形成されている。本実施の形態に
おいては、保護層４３には酸化マグネシウム膜（以下、
ＭｇＯ膜と略記する）を用い、ＥＢ蒸着によって基板温
度２５０℃にて成膜した。
【００１４】この前面ガラス基板４０は、保護層４３を
成膜後、成膜室に連結した真空チャンバ５０に移動させ
ることで、成膜後に大気開放することなく真空チャンバ
５０にセットされ、加熱処理後の前面ガラス基板４０を
使用してプラズマディスプレイパネルが製造される。こ
の工程に関しては後述する。真空チャンバ５０には、基
板加熱冷却機構を有する基板ホルダ５２、真空排気系５
１が具備されており、加熱処理を受ける基板４０は、基
板加熱冷却機構を有する基板ホルダ５２に設置する。
成膜後、成膜室に連結した真空チャンバ５０に移動させ
ることで、成膜後に大気開放することなく真空チャンバ
５０にセットされ、加熱処理後の前面ガラス基板４０を
使用してプラズマディスプレイパネルが製造される。こ
の工程に関しては後述する。真空チャンバ５０には、基
板加熱冷却機構を有する基板ホルダ５２、真空排気系５
１が具備されており、加熱処理を受ける基板４０は、基
板加熱冷却機構を有する基板ホルダ５２に設置する。
【００１５】真空排気系５１により真空チャンバ５０内
の圧力は１×１０-4Ｐａに調整した。基板４は基板ホル
ダ５２を成膜時の基板温度より高温の４００℃に加熱制
御し、２０分間保持して加熱処理を行った。
の圧力は１×１０-4Ｐａに調整した。基板４は基板ホル
ダ５２を成膜時の基板温度より高温の４００℃に加熱制
御し、２０分間保持して加熱処理を行った。
【００１６】プラズマディスプレイパネルの駆動時に
は、図４に示すように、プラズマディスプレイパネルに
各ドライバ及びパネル駆動回路９０を接続して、点灯さ
せようとするセルの走査電極９１とアドレス電極９３間
に印加してアドレス放電を行った後に、表示電極９１、
９２間にパルス電圧を印加して維持放電を行う。そし
て、当該セルで放電に伴って紫外線を発光し、蛍光体層
で可視光に変換する。このようにしてセルが点灯するこ
とによって、画像が表示される。
は、図４に示すように、プラズマディスプレイパネルに
各ドライバ及びパネル駆動回路９０を接続して、点灯さ
せようとするセルの走査電極９１とアドレス電極９３間
に印加してアドレス放電を行った後に、表示電極９１、
９２間にパルス電圧を印加して維持放電を行う。そし
て、当該セルで放電に伴って紫外線を発光し、蛍光体層
で可視光に変換する。このようにしてセルが点灯するこ
とによって、画像が表示される。
【００１７】本製造方法により、放電特性にパネル面内
でばらつきがなく、放電電圧が高くなり発光が不安定に
なる箇所のないパネルの製造を行うことができた。
でばらつきがなく、放電電圧が高くなり発光が不安定に
なる箇所のないパネルの製造を行うことができた。
【００１８】また、この実施の形態では、保護層を真空
チャンバ内の圧力を１×１０-4Ｐａに調整し４００℃で
２０分間の加熱処理を実施したが、加熱処理は真空中で
保護層成膜時の基板温度より高温で１０分間以上行えば
よく、本実施の形態に限定されるものではない。
チャンバ内の圧力を１×１０-4Ｐａに調整し４００℃で
２０分間の加熱処理を実施したが、加熱処理は真空中で
保護層成膜時の基板温度より高温で１０分間以上行えば
よく、本実施の形態に限定されるものではない。
【００１９】また、保護層としてＭｇＯを用いたが、Ｍ
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施の形態に限定されるものではない。
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施の形態に限定されるものではない。
【００２０】本実施の形態で示した加熱処理による保護
層の膜構造の変化などの詳細なプロセスは不明である
が、本実施の形態で示した加熱処理によって、成膜時に
保護層に取り込まれる不純物や、成膜装置内のガスによ
る吸着、すなわち保護層の大気曝露前に保護層へ含まれ
てしまう不純物ガスが除去されるとともに、成膜後の保
護層表面の原子が再配列されることに伴い、膜表面の活
性点が減少することよって、保護層表面付近は安定な膜
となり、パネル化に至るまでの後工程において不純物ガ
スが保護層へ吸着や反応をしにくくなっているのではな
いかと考えられる。
層の膜構造の変化などの詳細なプロセスは不明である
が、本実施の形態で示した加熱処理によって、成膜時に
保護層に取り込まれる不純物や、成膜装置内のガスによ
る吸着、すなわち保護層の大気曝露前に保護層へ含まれ
てしまう不純物ガスが除去されるとともに、成膜後の保
護層表面の原子が再配列されることに伴い、膜表面の活
性点が減少することよって、保護層表面付近は安定な膜
となり、パネル化に至るまでの後工程において不純物ガ
スが保護層へ吸着や反応をしにくくなっているのではな
いかと考えられる。
【００２１】（実施の形態２）図２はプラズマディスプ
レイパネルの製造に使用する基板を加熱処理する装置を
示す。前面ガラス基板４０には、表示電極４１、誘電体
層４２、保護層４３が形成されている。本実施の形態に
おいては、保護層４３には酸化マグネシウム膜（以下、
ＭｇＯ膜と略記する）を用い、ＥＢ蒸着によって基板温
度２５０℃にて成膜した。
レイパネルの製造に使用する基板を加熱処理する装置を
示す。前面ガラス基板４０には、表示電極４１、誘電体
層４２、保護層４３が形成されている。本実施の形態に
おいては、保護層４３には酸化マグネシウム膜（以下、
ＭｇＯ膜と略記する）を用い、ＥＢ蒸着によって基板温
度２５０℃にて成膜した。
【００２２】この前面ガラス基板４０は、保護層４３を
成膜後、成膜室に連結した真空チャンバ５０に移動させ
ることで、成膜後に大気開放することなく真空チャンバ
５０にセットされ、加熱処理後の前面ガラス基板４０を
使用してプラズマディスプレイパネルが製造される。真
空チャンバ５０には、基板加熱冷却機構を有する基板ホ
ルダ５２、真空排気系５１、酸素導入系５３、オゾナイ
ザ５４、バルブ５５が具備されており、加熱処理を受け
る基板４０は、基板加熱冷却機構を有する基板ホルダ５
２に設置する。
成膜後、成膜室に連結した真空チャンバ５０に移動させ
ることで、成膜後に大気開放することなく真空チャンバ
５０にセットされ、加熱処理後の前面ガラス基板４０を
使用してプラズマディスプレイパネルが製造される。真
空チャンバ５０には、基板加熱冷却機構を有する基板ホ
ルダ５２、真空排気系５１、酸素導入系５３、オゾナイ
ザ５４、バルブ５５が具備されており、加熱処理を受け
る基板４０は、基板加熱冷却機構を有する基板ホルダ５
２に設置する。
【００２３】真空排気系５１により真空チャンバ５０内
の残留ガスを排気した後、酸素導入系５３により酸素ガ
スを真空チャンバ５０へ導入し、真空排気系５１によっ
て真空チャンバ５０内の圧力を６００Ｐａに調整した。
基板４０は基板ホルダ５２を成膜時の基板温度より高温
の３５０℃に加熱制御し、１５分間保持して加熱処理を
行った。
の残留ガスを排気した後、酸素導入系５３により酸素ガ
スを真空チャンバ５０へ導入し、真空排気系５１によっ
て真空チャンバ５０内の圧力を６００Ｐａに調整した。
基板４０は基板ホルダ５２を成膜時の基板温度より高温
の３５０℃に加熱制御し、１５分間保持して加熱処理を
行った。
【００２４】プラズマディスプレイパネルの駆動時に
は、図４に示すように、プラズマディスプレイパネルに
各ドライバ及びパネル駆動回路９０を接続して、点灯さ
せようとするセルの走査電極９１とアドレス電極９３間
に印加してアドレス放電を行った後に、表示電極９１、
９２間にパルス電圧を印加して維持放電を行う。そし
て、当該セルで放電に伴って紫外線を発光し、蛍光体層
で可視光に変換する。このようにしてセルが点灯するこ
とによって、画像が表示される。
は、図４に示すように、プラズマディスプレイパネルに
各ドライバ及びパネル駆動回路９０を接続して、点灯さ
せようとするセルの走査電極９１とアドレス電極９３間
に印加してアドレス放電を行った後に、表示電極９１、
９２間にパルス電圧を印加して維持放電を行う。そし
て、当該セルで放電に伴って紫外線を発光し、蛍光体層
で可視光に変換する。このようにしてセルが点灯するこ
とによって、画像が表示される。
【００２５】本製造方法により、放電特性にパネル面内
でばらつきがなく、放電電圧が高くなり発光が不安定に
なる箇所のないパネルの製造を行うことができた。
でばらつきがなく、放電電圧が高くなり発光が不安定に
なる箇所のないパネルの製造を行うことができた。
【００２６】なお、本実施の形態では酸素を導入した
が、オゾナイザ５４を用いて酸素ではなくオゾンを導入
してもよい。
が、オゾナイザ５４を用いて酸素ではなくオゾンを導入
してもよい。
【００２７】また、この実施の形態では、酸素ガスを導
入しながら真空チャンバ内の圧力を６００Ｐａに調整
し、３５０℃で１５分間の保護層の加熱処理を実施した
が、加熱処理は酸素雰囲気中で保護層成膜時の基板温度
より高温で１０分間以上行えばよく、本実施の形態に限
定されるものではない。
入しながら真空チャンバ内の圧力を６００Ｐａに調整
し、３５０℃で１５分間の保護層の加熱処理を実施した
が、加熱処理は酸素雰囲気中で保護層成膜時の基板温度
より高温で１０分間以上行えばよく、本実施の形態に限
定されるものではない。
【００２８】また、保護層としてＭｇＯを用いたが、Ｍ
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施の形態に限定されるものではない。
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施の形態に限定されるものではない。
【００２９】本実施の形態で示した加熱処理によって、
成膜時に保護層に取り込まれる不純物や、成膜装置内の
ガスによる吸着、すなわち保護層の大気曝露前に保護層
へ含まれてしまう不純物ガスが除去されるとともに、酸
素分子やオゾン分子などが保護層表面近傍のＭｇの酸素
欠損部分と結合し、保護層表面近傍は安定な膜となり、
パネル化に至るまでの後工程において不純物ガスが保護
層へ吸着や反応をしにくくなっているのではないかと考
えられる。
成膜時に保護層に取り込まれる不純物や、成膜装置内の
ガスによる吸着、すなわち保護層の大気曝露前に保護層
へ含まれてしまう不純物ガスが除去されるとともに、酸
素分子やオゾン分子などが保護層表面近傍のＭｇの酸素
欠損部分と結合し、保護層表面近傍は安定な膜となり、
パネル化に至るまでの後工程において不純物ガスが保護
層へ吸着や反応をしにくくなっているのではないかと考
えられる。
【００３０】（実施の形態３）図３はプラズマディスプ
レイパネルの製造に使用する基板を加熱処理する装置を
示す。前面ガラス基板４０には、表示電極４１、誘電体
層４２、保護層４３が形成されている。本実施の形態に
おいては、保護層４３には酸化マグネシウム膜（以下、
ＭｇＯ膜と略記する）を用い、ＥＢ蒸着によって基板温
度２５０℃にて成膜した。
レイパネルの製造に使用する基板を加熱処理する装置を
示す。前面ガラス基板４０には、表示電極４１、誘電体
層４２、保護層４３が形成されている。本実施の形態に
おいては、保護層４３には酸化マグネシウム膜（以下、
ＭｇＯ膜と略記する）を用い、ＥＢ蒸着によって基板温
度２５０℃にて成膜した。
【００３１】この前面ガラス基板４０は、保護層４３を
成膜後、成膜室に連結した真空チャンバ５０に移動させ
ることで、成膜後に大気開放することなく真空チャンバ
５０にセットされ、加熱処理後の前面ガラス基板４０を
使用してプラズマディスプレイパネルが製造される。真
空チャンバ５０には、基板加熱冷却機構を有する基板ホ
ルダ５２、真空排気系５１、酸素導入系５３、バルブ５
５、紫外線照射ランプ５６が具備されており、加熱処理
を受ける基板４０は、基板加熱冷却機構を有する基板ホ
ルダ５２に設置する。
成膜後、成膜室に連結した真空チャンバ５０に移動させ
ることで、成膜後に大気開放することなく真空チャンバ
５０にセットされ、加熱処理後の前面ガラス基板４０を
使用してプラズマディスプレイパネルが製造される。真
空チャンバ５０には、基板加熱冷却機構を有する基板ホ
ルダ５２、真空排気系５１、酸素導入系５３、バルブ５
５、紫外線照射ランプ５６が具備されており、加熱処理
を受ける基板４０は、基板加熱冷却機構を有する基板ホ
ルダ５２に設置する。
【００３２】真空排気系５１により真空チャンバ５０内
の残留ガスを排気した後、酸素導入系５３により酸素ガ
スを真空チャンバ５０へ導入し、真空排気系５１によっ
て真空チャンバ５０内の圧力を６００Ｐａに調整した。
基板４０は基板ホルダ５２を成膜時の基板温度より高温
の３００℃に加熱制御し、紫外線照射ランプ５６を点灯
し１７２ｎｍ付近の波長を主とする紫外線を照射しなが
ら１０分間保持して加熱処理を行った。
の残留ガスを排気した後、酸素導入系５３により酸素ガ
スを真空チャンバ５０へ導入し、真空排気系５１によっ
て真空チャンバ５０内の圧力を６００Ｐａに調整した。
基板４０は基板ホルダ５２を成膜時の基板温度より高温
の３００℃に加熱制御し、紫外線照射ランプ５６を点灯
し１７２ｎｍ付近の波長を主とする紫外線を照射しなが
ら１０分間保持して加熱処理を行った。
【００３３】プラズマディスプレイパネルの駆動時に
は、図４に示すように、プラズマディスプレイパネルに
各ドライバ及びパネル駆動回路９０を接続して、点灯さ
せようとするセルの走査電極９１とアドレス電極９３間
に印加してアドレス放電を行った後に、表示電極９１、
９２間にパルス電圧を印加して維持放電を行う。そし
て、当該セルで放電に伴って紫外線を発光し、蛍光体層
で可視光に変換する。このようにしてセルが点灯するこ
とによって、画像が表示される。
は、図４に示すように、プラズマディスプレイパネルに
各ドライバ及びパネル駆動回路９０を接続して、点灯さ
せようとするセルの走査電極９１とアドレス電極９３間
に印加してアドレス放電を行った後に、表示電極９１、
９２間にパルス電圧を印加して維持放電を行う。そし
て、当該セルで放電に伴って紫外線を発光し、蛍光体層
で可視光に変換する。このようにしてセルが点灯するこ
とによって、画像が表示される。
【００３４】本製造方法により、放電特性にパネル面内
でばらつきがなく、放電電圧が高くなり発光が不安定に
なる箇所のないパネルの製造を行うことができた。
でばらつきがなく、放電電圧が高くなり発光が不安定に
なる箇所のないパネルの製造を行うことができた。
【００３５】また、この実施の形態では、酸素ガスを導
入しながら真空チャンバ内の圧力を２００Ｐａに調整
し、３００℃で１０分間の保護層の加熱処理を実施した
が、加熱処理は酸素雰囲気中で保護層成膜時の基板温度
より高温で１０分間以上行えばよく、本実施の形態に限
定されるものではない。
入しながら真空チャンバ内の圧力を２００Ｐａに調整
し、３００℃で１０分間の保護層の加熱処理を実施した
が、加熱処理は酸素雰囲気中で保護層成膜時の基板温度
より高温で１０分間以上行えばよく、本実施の形態に限
定されるものではない。
【００３６】また、本実施の形態では１７２ｎｍ付近の
波長を主とする紫外線照射ランプ（エキシマランプ）を
用いたが、本実施の形態の紫外線ランプに限定されるも
のではない。
波長を主とする紫外線照射ランプ（エキシマランプ）を
用いたが、本実施の形態の紫外線ランプに限定されるも
のではない。
【００３７】また、保護層としてＭｇＯを用いたが、Ｍ
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施の形態に限定されるものではない。
ｇＦや（ＭｇＯ＋ＭｇＦ）の混合層でもよく、アルカリ
土類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物あ
るいはこれらの混合物の膜などを使用することができ、
本実施の形態に限定されるものではない。
【００３８】本実施の形態で示した加熱処理によって、
成膜時に保護層に取り込まれる不純物や、成膜装置内の
ガスによる吸着、すなわち保護層の大気曝露前に保護層
へ含まれてしまう不純物ガスが除去されるとともに、酸
素分子やオゾン分子などが保護層表面近傍のＭｇの酸素
欠損部分と結合し、保護層表面近傍は安定な膜となり、
パネル化に至るまでの後工程において不純物ガスが保護
層へ吸着や反応をしにくくなっているのではないかと考
えられる。
成膜時に保護層に取り込まれる不純物や、成膜装置内の
ガスによる吸着、すなわち保護層の大気曝露前に保護層
へ含まれてしまう不純物ガスが除去されるとともに、酸
素分子やオゾン分子などが保護層表面近傍のＭｇの酸素
欠損部分と結合し、保護層表面近傍は安定な膜となり、
パネル化に至るまでの後工程において不純物ガスが保護
層へ吸着や反応をしにくくなっているのではないかと考
えられる。
【００３９】なお、（実施の形態１）では２０分、（実
施の形態２）では１５分、および（実施の形態３）では
１０分の加熱処理を実施したが、いずれも加熱処理時間
が１０分程度で十分な効果が得られた。また、各実施の
形態で示した以上の時間にわたって処理を実施しても効
果に差はほとんど見られなかった。
施の形態２）では１５分、および（実施の形態３）では
１０分の加熱処理を実施したが、いずれも加熱処理時間
が１０分程度で十分な効果が得られた。また、各実施の
形態で示した以上の時間にわたって処理を実施しても効
果に差はほとんど見られなかった。
【００４０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、保護層を
真空成膜装置で成膜後に大気開放を行うことなく加熱処
理を行うことで、成膜時に保護層に取り込まれる不純物
や、成膜装置内のガスによる吸着、すなわち保護層の大
気曝露前に保護層へ含まれてしまう不純物ガスが除去さ
れるとともに、保護層形成時の膜質のばらつき、パネル
化までの後工程の処理、処理前後での放置時間による影
響を受けにくい安定な膜質とするために、放電特性にパ
ネル面内でばらつきがなく、放電電圧が高くなり発光が
不安定になる箇所のないパネルの製造を行うことができ
る。
真空成膜装置で成膜後に大気開放を行うことなく加熱処
理を行うことで、成膜時に保護層に取り込まれる不純物
や、成膜装置内のガスによる吸着、すなわち保護層の大
気曝露前に保護層へ含まれてしまう不純物ガスが除去さ
れるとともに、保護層形成時の膜質のばらつき、パネル
化までの後工程の処理、処理前後での放置時間による影
響を受けにくい安定な膜質とするために、放電特性にパ
ネル面内でばらつきがなく、放電電圧が高くなり発光が
不安定になる箇所のないパネルの製造を行うことができ
る。
【図１】従来のプラズマディスプレイパネルの概略断面
図（斜視図）
図（斜視図）
【図２】従来の本発明の製造工程において保護層の処理
を行う装置の概略断面図
を行う装置の概略断面図
【図３】本発明の製造工程において保護層の処理を行う
装置の概略断面図
装置の概略断面図
【図４】本実施の形態のプラズマディスプレイパネルに
駆動回路を接続したプラズマディスプレイパネル表示装
置を示す図
駆動回路を接続したプラズマディスプレイパネル表示装
置を示す図
１０ 前面ガラス基板 １１ 表示電極 １２ 誘電体層 １３ 保護層 ２０ 背面ガラス基板 ２１ アドレス電極 ２２ 誘電体層 ２３ 隔壁 ２４ 赤色蛍光体層 ２５ 緑色蛍光体層 ２６ 青色蛍光体層 ３０ 放電空間 ４０ 前面ガラス基板 ４１ 表示電極 ４２ 誘電体層 ４３ 保護層 ５０ 真空チャンバ ５１ 真空排気系 ５２ 基板ホルダ ５３ 酸素導入装置 ５４ オゾナイザ ５５ バルブ ９０ パネル駆動回路 ９１ 走査電極 ９２ 維持電極 ９３ アドレス電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大河 政文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C027 AA10 5C040 FA01 GE09 GE10 JA21 JA40 MA30
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電体層と保護層が形成された基板を用
いてプラズマディスプレイパネルを製造するに際し、前
記保護層を真空成膜装置で成膜後に大気開放を行うこと
なく、真空中において前記保護層成膜時の基板温度以上
の温度で前記保護層の加熱処理を行うことを特徴とする
プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】 誘電体層と保護層が形成された基板を用
いてプラズマディスプレイパネルを製造するに際し、前
記保護層を真空成膜装置で成膜後に大気開放を行うこと
なく、酸素、もしくはオゾンを含む雰囲気中で前記保護
層成膜時の基板温度以上の温度で前記保護層の加熱処理
を行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項３】 誘電体層と保護層が形成された基板を用
いてプラズマディスプレイパネルを製造するに際し、前
記保護層を真空成膜装置で成膜後に大気開放を行うこと
なく、酸素を含む雰囲気中で紫外線照射を行うととも
に、前記保護層成膜時の基板温度以上の温度で前記保護
層の加熱処理を行うことを特徴とするプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。 - 【請求項４】 保護層の加熱処理を少なくとも１０分間
以上行うことを特徴とする請求項１から３のいずれかに
記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項５】 保護層が、アルカリ土類金属の酸化物ま
たはアルカリ土類金属のフッ化物あるいはこれらの混合
物の膜であることを特徴とする請求項１から４のいずれ
かに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項６】 保護層が酸化マグネシウムからなる膜で
あることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 一対の平行に配されたプレートの間に、
電極および複数色の蛍光体層とが配設され、ガス媒体が
封入されたプラズマディスプレイパネルであって、請求
項１から６のいずれかの製造方法で製造したことを特徴
とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項８】 プラズマディスプレイパネルと前記プラ
ズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路とを備えた
プラズマディスプレイパネル表示装置であって、前記プ
ラズマディスプレイパネルが請求項７に記載のプラズマ
ディスプレイパネルであることを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネル表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000310399A JP2002117757A (ja) | 2000-10-11 | 2000-10-11 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000310399A JP2002117757A (ja) | 2000-10-11 | 2000-10-11 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002117757A true JP2002117757A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18790369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000310399A Pending JP2002117757A (ja) | 2000-10-11 | 2000-10-11 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002117757A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004269868A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置および蛍光体の製造方法 |
| JP2006260992A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム薄膜の改質方法 |
| JP2006318740A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Tsutae Shinoda | 保護膜安定化装置及びｐｄｐ製造装置 |
| CN100342477C (zh) * | 2003-12-29 | 2007-10-10 | 友达光电股份有限公司 | 无突出尖端的等离子体显示面板及其制造方法与设备 |
| JP2007317485A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Ulvac Japan Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置 |
| JP2007335215A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2011102145A1 (ja) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
-
2000
- 2000-10-11 JP JP2000310399A patent/JP2002117757A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004269868A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置および蛍光体の製造方法 |
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| JP2006318740A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Tsutae Shinoda | 保護膜安定化装置及びｐｄｐ製造装置 |
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| WO2011102145A1 (ja) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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