KR20090117457A

KR20090117457A - 소다라임유리 기판의 처리 방법 및 이를 이용한 표시기판의 제조 방법

Info

Publication number: KR20090117457A
Application number: KR1020080043508A
Authority: KR
Inventors: 황보상우; 신봉규; 임상욱; 석준형; 주진호
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2008-05-09
Filing date: 2008-05-09
Publication date: 2009-11-12
Also published as: US20090280587A1; KR101564922B1

Abstract

소다라임유리 기판의 처리 방법은 소다라임유리 기판을 알카리 세정액으로세정하고, 세정된 소다라임유리 기판을 플라즈마 공정으로 세정한다. 알카리 세정액은 알카리 물질이 1% 내지 25 % 농도로 함유된다. 알카리 물질은 수산화칼륨(KOH) 및 수산화나트륨(NaOH) 중 적어도 하나를 포함한다. 플라즈마 공정은 질소(N₂) 가스, 암모니아(NH₃ ₎ 가스 및 수소(H₂) 가스 중 하나를 이용한다. 소다라임유리 기판의 고착 이물에 의한 불량을 줄일 수 있다.

소다라임유리, 알카리 세정액, 알카리 물질, 플라즈마 공정

Description

소다라임유리 기판의 처리 방법 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법{METHOD OF TREATING SODA-LIME GLASS SUBSTRATE AND METHODE OF MANUFACTURING DISPLAY SUBSTRATE USING THE SAME}

본 발명은 소다라임유리 기판의 처리 방법 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액정 표시 장치에 사용되는 소다라임유리 기판의 처리 방법 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)는 두 개의 유기 기판 사이에 개재된 액정층에 전압을 인가하여 광의 투과율을 제어함으로써 화상을 표시한다. 일반적으로 상기 유리 기판은 보로실리케이트 유리 기판을 사용하고 있다. 상기 보로실리케이트 유리 기판은 열충격이나 급격한 온도 변화에 저항이 크며, 화학적 침시에도 강한 저항을 나타내지만, 높은 가격 때문에 액정표시장치의 재료비 중에서 큰 부분을 차지한다.

한편, 소다라임유리 기판은 저가인 반면, 실리카, 칼슘, 나트륨 등의 산화물의 혼합물로서 침식성 화합물에 대한 저항은 양호하나, 고온 공정에서 기판의 휨으로 인해 박막의 균일성에 문제가 심각하다. 또한, 상기 나트륨과 같은 알카리 이온 이 박막으로 용출되어 제품의 소자 특성 저하를 일으키거나 배선의 단선과 같이 제품의 신뢰성을 저하시키는 문제점을 있다. 이와 같은 문제점에 의해 상기 소다라임유리 기판은 상기 액정표시장치에 적용하는데는 어려움이 있다.

그러나, 최근 대형 액정표시장치의 수요가 급증함에 따라 가격 경쟁력을 향상시키기 위해 고가의 상기 보로실리케이트 유리 기판 대신 저가의 상기 소다라임유리 기판을 적용하는 기술이 요구되고 있다.

이에 본 발명은 이와 같은 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 제품의 신뢰성을 향상시키기 위한 소다라임유리 기판의 처리 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 소다라임유리 기판의 처리 방법을 이용한 표시 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 소다라임유리 기판의 처리 방법은 소다라임유리 기판을 알카리 세정액으로 세정하고, 상기 세정된 소다라임유리 기판을 플라즈마 공정으로 세정한다. 상기 알카리 세정액은 알카리 물질이 1% 내지 25 % 농도로 함유된다. 상기 알카리 물질은 수산화칼륨(KOH) 및 수산화나트륨(NaOH) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 플라즈마 공정은 질소(N₂) 가스, 암모니아(NH₃) 가스 및 수소(H₂) 가스 중 하나를 이용한다.

본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법은 소다라임유리 기판을 알카리 세정액으로 세정하여 상기 소다라임유리 기판의 표면을 세정한다. 세정된 상기 소다라임유리 기판 위에 베리어층을 형성한다. 상기 베리어층이 형성된 베이스 기판 위에 게이트 배선을 형성한다. 상기 게이트 배선이 형성된 베이스 기판 위에 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선을 형성한다. 상기 데이터 배선이 형성된 베이스 기판 위에 화소 전극을 형성한다.

이러한 소다라임유리 기판의 처리 방법 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 의하면, 소다라임유기 기판을 알카리 세정액으로 세정함으로써 상기 소다라임유리 기판의 고착 이물에 의한 불량을 줄일 수 있다.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되 어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 표시 패널은 제1 표시 기판(100), 제2 표시 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

상기 제1 표시 기판(100)은 소다라임유리(Soda-Lime Glass : SLG) 기판(101)(이하, 'SLG 기판' 이라 함)을 포함한다. 상기 SLG 기판(101)은 알카리 유 리 기판이다.

상기 SLG 기판(101) 위에는 베리어(barrier)층(110), 게이트 배선(GL), 게이트 전극(GE), 스토리지 배선(STL), 게이트 절연층(120), 채널층(130), 데이터 배선(DL), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 보호 절연층(150) 및 화소 전극(PE)이 형성된다.

상기 베리어층(110)은 상기 SLG 기판(101)과 상기 SLG 기판(101) 위에 배치되는 도전 패턴, 예를 들면, 게이트 배선(GL), 게이트 전극(GE) 및 스토리지 배선(STL)과의 접착력을 강화시키기 위해 형성된다. 상기 SLG 기판(101)은 방출되는 알카리 이온과 공정 중에 유입되는 수분 및 유기물 등과 반응하여 상기 SLG 기판(101)의 표면에 고착 이물을 형성하게 된다. 상기 고착 이물에 의해 상기 SLG 기판(101) 위에 형성된 상기 도전 패턴이 떨어지거나 단선되는 불량이 발생될 수 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위해 상기 SLG 기판(101) 위에는 상기 베리어층(110)이 형성된다. 상기 베리어층(110)은 투명한 물질로 약 50Å 내지 2000Å 의 두께로 형성될 수 있다. 상기 투명한 물질로서는 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등을 들 수 있다. 상기 질화 실리콘(SiNx)은 200℃ 내지 300℃ 로 저온 증착된 것이 바람직하다.

상기 게이트 배선(GL)은 제1 방향으로 연장되고, 복수개 배치된다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 배선(GL)의 일부분에 정의되거나, 상기 게이트 배선(GL)으로부터 돌출되어 정의될 수 있다. 상기 스토리지 배선(STL)은 상기 게이트 배선(GL)과 인접한 영역에 평행하게 형성되거나, 상기 데이터 배선(DL)과 인접한 영역에 상기 데이터 배선(DL)과 평행하게 형성될 수 있다. 상기 스토리지 배선(STL)은 화소 영역(P)에 형성된 상기 화소 전극(PE)과 중첩되어 스토리지 커패시터를 정의한다.

상기 게이트 절연층(120)은 상기 도전 패턴, 예를 들면, 상기 게이트 배선(GL), 상기 게이트 전극(GE), 상기 스토리지 배선(STL)을 덮도록 형성된다.

상기 채널층(130)은 상기 게이트 전극(GE)이 형성된 영역의 상기 게이트 절연층(120) 위에 배치되고, 불순물이 도핑된 반도체층(131) 및 상기 반도체층(131)과 상기 소스 및 드레인 전극(SE, DE) 사이에 배치되어 접촉 저항을 줄이는 저항성 접촉층(132)을 포함한다.

상기 데이터 배선(DL)은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고, 복수개 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 배선(DL)의 일부분에 정의되거나 상기 게이트 전극(GE)과 중첩되거나, 상기 데이터 배선(DL)으로부터 상기 게이트 전극(GE)이 형성된 영역 측으로 돌출되어 상기 게이트 전극(GE)과 중첩된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 전극(SE)으로부터 이격되어 상기 게이트 전극(GE)과 중첩된다. 상기 게이트 전극(GE), 상기 채널층(130), 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극(DE)에 의해 상기 게이트 배선(GL) 및 상기 데이터 배선(DL)과 연결된 스위칭 소자(TR)가 정의될 수 있다.

상기 보호 절연층(150)은 상기 스위칭 소자가 형성된 상기 SLG 기판(101)을 덮도록 형성된다. 상기 보호 절연층(150)은 패시베이션층 및 후막의 유기층으로 이루어진 이중막 구조이거나, 상기 패시배이션층으로 이루어진 단일막 구조일 수 있 다.

상기 화소 전극(PE)은 상기 화소 영역(P)에 대응하는 상기 보호 절연층(150) 위에 형성되고, 상기 콘택홀(C)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 접촉된다. 상기 화소 전극(PE)은 투명 도전 물질로 이루어진다. 상기 화소 전극(PE) 위에는 도시되지 않았으나, 상기 액정층(300)을 배열시키는 배향막이 형성될 수 있다.

상기 제2 표시 기판(200)은 상기 제1 표시 기판(100)과 대향하여 결합되고, 컬러 필터층(210) 및 공통 전극(CE)을 포함한다.

상기 컬러 필터층(210)은 상기 화소 전극(PE)이 형성된 영역에 대응하여 배치된다. 여기서는, 상기 컬러 필터층(210)이 상기 제2 표시 기판(200)에 배치된 것을 예로 하였으나, 상기 컬러 필터층(210)은 상기 제1 표시 기판(100)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 표시 기판(100)의 상기 보호 절연층(150)과 상기 화소 전극(PE) 사이에 배치될 수 있다.

상기 공통 전극(CE)은 상기 컬러 필터층(210) 위에 배치되어, 상기 화소 전극(PE), 상기 액정층(300) 및 상기 공통 전극(CE)으로 이루어진 액정 커패시터를 정의한다.

도 3a 내지 도 3f는 도 2의 표시 기판의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 1 및 도 3a를 참조하면, 알카리 세정액(10)을 이용해 초기 SLG 기판(101a)을 세정한다. 상기 알카리 세정액(10)은 알카리 물질을 함유한다. 상기 알카리 물질로서는 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH) 등을 들 수 있다. 상기 알 카리 물질은 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 알카리 세정액(10)은 알카리 성분에 의해 상기 초기 SLG 기판(101a)에 고착된 이물질을 제거할 수 있다. 상기 알카리 세정액(10)에 포함된 알카리 물질의 농도는 클수록 세정 효과가 우수하고, 세정 횟수가 많을수록 세정 효과가 우사하다. 상기 알카리 세정액(10)에 포함된 상기 알카리 물질의 농도는 약 1% 내지 25% 가 바람직하다.

도 1 및 도 3b를 참조하면, 상기 알카리 세정액에 의해 세정된 SLG 기판(101b)을 플라즈마 전처리(Pre-treatment) 공정을 수행한다. 상기 플라즈마 전처리 공정을 통해 상기 SLG 기판(101b)의 표면에 잔류하는 이물질을 제거하고, 원자재성의 고착이물의 활성도를 낮추어 이후 공정에서의 불량 발생을 억제할 수 있다.

상기 플라즈마 전처리 공정에 사용되는 가스(20)로는 질소(N₂), 암모니아(NH₃), 수소(H₂) 등을 들 수 있다. 바람직하게는 질소(N₂) 가스를 이용한다.

도 1 및 도 3c를 참조하면, 세정 공정 및 전처리 공정을 통해 상기 고착 이물이 제거된 SLG 기판(101) 위에 상기 베리어층(110)을 형성한다. 상기 베리어층(110)은 투명한 물질로 약 50Å 내지 2000Å 의 두께로 형성될 수 있다. 상기 투명한 물질로서는 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등을 들 수 있다. 상기 질화 실리콘(SiNx)은 200℃ 내지 300℃ 로 저온 증착된 것이 바람직하다.

상기 베리어층(110)이 형성된 SLG 기판(101) 위에 제1 금속층으로 상기 게이트 배선(GL), 게이트 전극(GE) 및 스토리지 배선(STL)을 포함하는 제1 도전 패턴을 형성한다. 상기 제1 금속층은 금속 물질로 이루어지고, 상기 금속 물질로서는 Cr, Cr alloy, Mo, MoN, MoNb, Mo alloy, Cu, Cu alloy, CuMo alloy, Al, Al alloy, Ag, Ag alloy 등을 들 수 있다.

상기 제1 도전 패턴이 형성된 SLG 기판(101) 위에 게이트 절연층(120)을 형성한다.

도 1 및 도 3d를 참조하면, 상기 게이트 절연층(130)이 형성된 SLG 기판(101) 위에 반도체층(131) 및 저항성 접촉층(132)으로 이루어진 채널층(130)을 형성한다. 예를 들면, 상기 반도체층(131)은 n+ 불순물 이온이 도핑된 a-Si n+ 도핑층이고, 상기 저항성 접촉층(132)은 a-Si 층이다.

상기 채널층(130)이 형성된 SLG 기판(101) 위에 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층을 이용하여 데이터 배선(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 제2 도전 패턴을 형성한다. 상기 제2 금속층은 금속 금질로 이루어지고, 상기 금속 물질로서는 Cr, Cr alloy, Mo, MoN, MoNb, Mo alloy, Cu, Cu alloy, CuMo alloy, Al, Al alloy, Ag, Ag alloy 등을 들 수 있다.

여기서는 상기 채널층(130)과 상기 제2 금속층을 하나의 마스크 공정으로 형성되어 상기 제2 도전 패턴 아래에 상기 채널층(130)이 형성된 것을 예시하였다. 그러나, 상기 채널층(130)과 상기 제2 금속층을 서로 다른 마스크 공정을 이용하여 상기 게이트 전극(GE) 위에만 상기 채널층(130)을 형성할 수 있다.

도 1 및 도 3e를 참조하면, 상기 제2 도전 패턴이 형성된 SLG 기판(101) 위에 보호 절연층(150)을 형성한다. 상기 보호 절연층(150)은 도시된 바와 같이 단일 막 구조이거나, 패시베이션층 및 후막의 유기막으로 이루어진 이중막 구조일 수 있다.

상기 보호 절연층(150)이 형성된 SLG 기판(101)은 식각 공정을 통해 상기 드레인 전극(DE)을 노출시키는 콘택홀(C)을 형성한다. 상기 콘택홀(C)이 형성된 SLG 기판(101) 위에 투명 도전층을 형성하고, 상기 투명 도전층을 패터닝하여 화소 전극(PE)을 포함하는 제3 도전 패턴을 형성한다. 상기 투명 도전층은 투명한 도전성 물질로 이루어지고, 예로서는 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO) 등을 들 수 있다.

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 표시 기판의 불량 개선 효과를 검사하여 보았다.

첫 번째로, 알카리 세정액에 따른 세정 효과를 검사하여 보았다.

알카리 세정액에 의해 세정되지 않은 SLG 기판이 적용된 표시 기판과, 알카리 세정액에 의해 세정된 SLG 기판이 적용된 표시 기판의 불량을 각각 검출하여 보았다.

도 4a는 세정 공정을 미적용한 표시 기판에 대한 불량 검출 사진이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 불량을 확대한 사진이다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 표시 기판(510)에는 다수의 불량(D1)들이 검출되었다. 검출된 불량(D1)을 확대해 본 바에 따르면, 배선이 깨져 단선이 발생하였다.

도 5a는 세정 공정을 적용한 표시 기판에 대한 불량 검출 사진이고, 도 5b는 도 5a에 도시된 불량을 확대한 사진이다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 상기 표시 기 판(520)에도 다수의 불량(D2)들이 검출되었다. 그러나, 상기 세정 공정을 미적용한 도 4a에 도시된 표시 기판(510)에 발생된 불량(D1)에 비해 도 5a에 도시된 표시 기판(520)에 발생한 불량(D2)이 현저하게 감소되었음을 확인할 수 있었다.

또한, 도 5b에 도시된 불량(D2)은 도 4b에 도시된 불량(D1)과 비교하여 사이즈가 작아졌다.

다음의 [표 1]은 알카리 세정액에 포함된 수산화칼륨(KOH) 의 농도 및 세정 횟수에 따른 표시 기판에 발생된 불량 개수를 나타내고 있다.

	KOH 1%, 세정 1회	KOH 5%, 세정 2회
불량 개수	42	7

상기 [표 1]에 나타난 바와 같이, 상기 알카리 물질, 수산화칼륨(KOH) 이 1% 함유된 알카리 세정액으로 1회 세정된 표시 기판에서는 불량이 약 42 개 검출되었다. 또한, 수산화칼륨(KOH)이 5% 함유된 알카리 세정액으로 2회 세정된 표시 기판에서는 불량이 약 7 개 검출되었다. 이와 같이, 알카리 세정액에 함유된 KOH 가 농도가 클수록 그리고 세정 횟수가 많을수록 불량률을 감소하는 것을 확인하였다.

한편, 알카리 물질, 수산화나트륨(NaOH)을 함유한 세정액에 대해서는 농도 증가에 따른 세정 효과 평가에서는 동일한 결과를 얻을 수 있었다.

두 번째로, 플라즈마 전처리 공정을 통한 불량 개선 효과를 검사하여 보았다.

도 6은 플라즈마 전처리 공정에 따른 불량 개수를 나타낸 그래프이다.

도 6을 참조하면, 샘플 1(S#1)은 플라즈마 전처리 공정을 하지 않은 SLG 기판이 적용된 표시 기판이고, 샘플 2(S#2)는 질소(N₂) 가스를 사용하여 30초 동안 플라즈마 전처리 공정을 진행한 SLG 기판이 적용된 표시 기판이고, 샘플 3(S#3)은 질소(N₂) 가스를 사용하여 60초 동안 플라즈마 전처리 공정을 진행한 SLG 기판이 적용된 표시 기판이다.

샘플 1(S#1)의 표시 기판은 약 30 내지 35 개 정도의 불량이 발생하였고, 샘플 2(S#2)의 표시 기판은 약 17 내지 21 개 정도의 불량이 발생하였고, 샘플 3(S#3)에서는 약 18 내지 23 개 정도의 불량이 발생하였다.

이와 같이, 플라즈마 전처리 공정을 진행한 경우가 불량률이 감소하는 것을 확인할 수 있었고, 상기 전처리 시간의 증가에 따른 불량률은 거의 변화가 없었다.

세 번째로, 베리어층의 형성 물질에 따른 불량 정도를 검사하여 보았다.

도 7a는 다양한 물질에 따른 표면 응력 분포를 나타낸 그래프이다.

도 7a를 참조하면, 샘플 1(S#11)은 산화 실리콘(SiOx)으로 이루어진 베리어층이 적용된 표시 기판이고, 샘플 2(S#22)는 저온(예컨대 250 ℃)에서 증착된 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 베리어층이 적용된 표시 기판이고, 샘플 3(S#33)은 고온에서 증착된 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 베리어층이 적용된 표시 기판이다.

상기 샘플 1, 2 및 3(S#11, S#22, S#33)에 사용된 SLG 기판의 초기 스트레스(Stress : Pa)를 "0" 으로 설정하였을 경우, 샘플 1(S#11)의 표시 기판이 상기 초기 스트레스 "0"에 가장 인접하였다. 샘플 2(S#22)의 표시 기판은 상기 초기 스트레스에 비해 낮은 압축(Compressive) 스트레스를 가졌다. 반면, 샘플 3(S#33)의 표시 기판은 상기 초기 스트레스에 비해 높은 장력(Tensile) 스트레스를 가졌다.

도 7b는 도 7a의 샘플 3에 따른 표시 기판의 불량 검출 사진이다. 도 7b를 참조하면, 상기 장력 스트레스를 가지는 샘플 3(S#33)의 표시 기판은 베리어층이 SLG 기판으로부터 떨어지는 불량(D3)이 다량 발생하였다.

이에 따라서, 상기 초기 스트레스와 가장 근접한 스트레스를 갖는 산화 실리콘(SiOx)의 경우 불량이 전혀 발생하지 않는 가장 우수한 효과를 보여주었다. 또한, 낮은 압축 스트레스를 갖는 저온 질화 실리콘(SiNx)은 상기 산화 실리콘(SiOx) 보다는 상대적으로 스트레스는 크지만 불량 발현 억제 효과는 우수한 것을 확인할 수 있었다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 알카리 세정액으로 SLG 기판을 세정함으로써 표면에 고착된 이물질의 세정 효과를 향상시킬 수 있다. 또한, 베리어층을 형성하기 전에 플라즈마 전처리 공정을 수행함으로써 고착 이물을 효율적으로 제거할 수 있고, 고착 이물의 비활성화시킬 수 있다. 상기 고착 이물의 세정 효과를 향상시킴으로써 상기 고착 이물에 의한 배선이 단선되거나 떨어지는 불량을 막을 수 있다. 또한, 상기 베리어층으로 산화 실리콘(SiOx)막 또는 압축 스트레스를 갖는 저온 공정의 질화 실리콘(SiNx)막을 사용함으로써 베리어층이 떨어지는 불량을 막을 수 있다.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.

도 2는 도 1에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 3a 내지 도 3e는 도 2의 표시 기판의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 4a는 세정 공정을 미적용한 표시 기판에 대한 불량 검출 사진이다.

도 4b는 도 4a에 도시된 불량을 확대한 사진이다.

도 5a는 세정 공정을 적용한 표시 기판에 대한 불량 검출 사진이다.

도 5b는 도 5a에 도시된 불량을 확대한 사진이다.

도 7b는 도 7a의 샘플 3에 따른 표시 기판의 불량 검출 사진이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 제1 표시 기판 101 : SLG 기판

110 : 베리어층 120 : 게이트 절연층

130 : 채널층 150 : 보호 절연층

PE : 화소 전극 TR : 스위칭 소자

STL : 스토리지 배선 200 : 제2 표시 기판

210 : 컬러 필터층 CE : 공통 전극

Claims

소다라임유리 기판을 알카리 세정액으로 세정하는 단계; 및

상기 세정된 소다라임유리 기판을 플라즈마 공정으로 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소다라임유리 기판의 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 알카리 세정액은 알카리 물질이 1% 내지 25 % 농도로 함유된 것을 특징으로 하는 소다라임유리 기판의 처리 방법.
제2항에 있어서, 상기 알카리 물질은 수산화칼륨(KOH) 및 수산화나트륨(NaOH) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 소다라임유리 기판의 처리 방법.
제3항에 있어서, 상기 플라즈마 공정은 질소(N₂) 가스, 암모니아(NH₃) 가스 및 수소(H₂) 가스 중 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 소다라임유리 기판의 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 공정에 의해 세정된 상기 소다라임유리 기판 위에 베리어층을 형성하는 단계를 더 포함하는 소다라임유리 기판의 처리 방법.
제5항에 있어서, 상기 베리어층은 산화 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 소다라임유리 기판의 처리 방법.
제5항에 있어서, 상기 베리어층은 저온 공정으로 증착된 질화 실리콘인 것을 특징으로 하는 소다라임유리 기판의 처리 방법.
제7항에 있어서, 상기 저온 공정은 200℃ 내지 300℃ 인 것을 특징으로 하는 소다라임유리 기판의 처리 방법.
소다라임유리 기판을 알카리 세정액으로 세정하여 상기 소다라임유리 기판의 표면을 세정하는 단계;

세정된 상기 소다라임유리 기판 위에 베리어층을 형성하는 단계;

상기 베리어층이 형성된 베이스 기판 위에 게이트 배선을 형성하는 단계;

상기 게이트 배선이 형성된 베이스 기판 위에 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선을 형성하는 단계; 및

상기 데이터 배선이 형성된 베이스 기판 위에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 기판의 제조 방법.
제9항에 있어서, 상기 알카리 세정액은 알카리 물질이 1% 내지 25 % 농도로 함유된 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
제10항에 있어서, 상기 알카리 물질은 수산화칼륨(KOH) 및 수산화나트륨(NaOH) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
제9항에 있어서, 상기 베리어층을 형성하기 전에, 플라즈마 전처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
제12항에 있어서, 상기 플라즈마 전처리 공정은 질소(N₂) 가스, 암모니아(NH₃) 가스 및 수소(H₂) 가스 중 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
제9항에 있어서, 상기 베리어층은 산화 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
제9항에 있어서, 상기 베리어층은 저온 공정으로 증착된 질화 실리콘인 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
제15항에 있어서, 상기 저온 공정은 200℃ 내지 300℃ 인 것을 특징으로 하 는 표시 기판의 제조 방법.
제9항에 있어서, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선에 연결된 스위칭 소자를 형성하는 단계를 더 포함하며,

상기 스위칭 소자의 게이트 전극은 상기 게이트 배선으로부터 돌출되고, 상기 소스 전극은 상기 데이터 배선으로부터 돌출되며, 상기 드레인 전극은 상기 소스 전극과 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
제17항에 있어서, 상기 스위칭 소자가 형성된 소다라임유리 기판 위에 보호 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고,

상기 화소 전극은 상기 보호 절연층에 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉되는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.