KR20090114492A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 웨이퍼 레벨에서 각 칩의 본딩패드 인접부분에 형성된 TSV와;상기 TSV에 매립된 전도성 금속과;상기 전도성 금속이 노출되도록 상기 웨이퍼 후면으로부터 가공된 노출홈;으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 청구항 1에 있어서, 칩과 칩간의 적층이 이루어지도록 상기 전도성 금속과 접촉되는 전도성 연결수단이 상기 노출홈에 삽입 부착된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 청구항 2에 있어서, 상기 전도성 연결수단은 플립 칩 또는 솔더볼인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 웨이퍼 레벨에서 각 칩의 본딩패드 인접부분에 수직홀을 형성하는 단계와;상기 수직홀의 표면에 절연막을 형성하는 단계와;상기 절연막이 형성된 수직홀내에 전도성 금속을 매립하여 TSV를 형성하는 단계와;상기 웨이퍼의 후면을 백그라인딩하되, 상기 TSV에 매립된 전도성 금속이 노출되기 바로 직전까지 백그라인딩을 실시하는 단계와;별도의 홈 가공으로 노출홈을 형성하여, 이 노출홈을 통해 상기 TSV의 전도성 금속을 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 청구항 4에 있어서, 칩과 칩간의 적층을 위해, 상기 각 칩의 노출홈에 TSV의 전도성 금속과 접촉되는 전도성 연결수단을 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 청구항 4에 있어서, 상기 노출홈은 레이저 가공 또는 스폿 가공에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
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KR101128895B1 (ko) * | 2010-06-14 | 2012-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 오버레이 버니어 및 그 제조 방법 |
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2008
- 2008-04-30 KR KR1020080040152A patent/KR100983471B1/ko active IP Right Grant
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