KR20090091236A - 프로브 카드 분석 시스템 및 방법 - Google Patents
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Abstract
실제 웨이퍼 테스트 셀 조건들 하에서 웨이퍼 테스트 프로브 카드들(50)을 평가하기 위한 시스템 및 방법은 특정 웨이퍼 셀 컴포넌트들을 프로브 카드 검사 및 분석 프로세스에 통합한다. 개시된 실시예들은 헤드 플레이트(360), 테스트 헤드(330), 신호 전달 시스템(340)과 같은 기존의 및/또는 변형된 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들, 및 매니퓰레이터를 사용하여 프로브 카드 검사 및 분석 프로세스동안 웨이퍼 테스트 셀 역학(dynamics)을 에뮬레이션할 수 있다.
웨이퍼 테스트 프로브 카드, 웨이퍼 셀 컴포넌트, 헤드 플레이트, 테스트 헤드, 신호 전달 시스템
Description
본 발명은 반도체 테스트 방법들 및 장비 분야에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 반도체 집적 회로 컴포넌트들의 테스트에 사용되는 프로브 카드들의 검사 및 분석을 위한 방법들 및 장비에 관한 것이다.
이 출원은 2006년 12월 19일에 출원된 "PROBE CARD ANALYSIS SYSTEM AND METHOD"라는 명칭의 가출원 제60/870,832호, 및 2006년 12월 21일에 출원된 "PROBE CARD ANALYSIS SYSTEM AND METHOD" 라는 명칭의 가출원 제60/871,449호에 기초한 우선권을 주장하며, 이 가출원들 모두는 그 내용 전체가 그리고 모든 목적들을 위해 여기에 참조로 포함된다.
반도체 산업에 있어서, 많은 복제 컴포넌트들, 또는 다이(die)가 단일 실리콘 웨이퍼 상에 제조된다. 비용 집약적인 패키징 단계에 앞서 불량 다이를 제거하기 위해, 반도체 제조자들은 통상적으로 웨이퍼 테스트 또는 분류를 수행한다. 상기 다이의 성능 특성들은 각각의 개별 다이 및 외부 테스트 장비상에 존재하는 본딩 패드들 또는 범프들 사이에 전기적 접속을 설정함으로써 웨이퍼 테스트 셀 또는 테스트 스테이션에서 평가된다.
다양한 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들 및 구성들이 가능하며, 도 1은 하나의 웨이퍼 테스트 셀 구성을 예시한다. 테스트 셀(10)은 스프링들 또는 프로브 핀들로 알려진 유사한 도전성 엘리먼트들을 형성하는 미세한 와이어들의 어레이; 프로브 어레이가 구조상으로 결합되거나 장착될 수 있는 테스트 헤드 또는 인터페이스 유닛(30); 프로브 어레이(50) 및 테스터(80) 사이에 전기적 접촉을 설정하는 신호 전달 시스템(40); 테스트 헤드(30), 신호 전달 시스템(40) 및 프로브 어레이(50)를 지지하고 이동시키도록 동작하는 매니퓰레이터(20)(manipulator); 프로브 어레이(50)에 전기적으로 결합되고 상기 웨이퍼 또는 테스트 중인 디바이스(DUT) 상에서 개별 다이의 성능을 결정하기에 적합한 방식으로 전기적 신호들을 생성, 검출 및 측정할 수 있는 테스트 기계 또는 테스터(80); 상기 프로브 핀들이 웨이퍼 본딩 패드들과 정확하게 접촉하도록 상기 웨이퍼를 프로브 어레이(50)에 배열하는 프로버(70); 및 프로버(70) 및 다른 테스트 셀 컴포넌트들 간의 도킹(docking) 또는 접촉(mating)을 용이하게 하는 헤드 플레이트(60)를 포함할 수 있다.
실제로, 웨이퍼 테스트 셀(10)은 하나 이상의 프로버들을 제어하는 하나의 테스터를 사용할 수 있으며, 각각의 프로버는 하나의 웨이퍼의 하나 또는 다수의 DUT들과 한꺼번에 접촉한다. 웨이퍼는 프로버(70)에서 위쪽으로 향하는(face up) 본딩 패드들에 대해 수평으로 로딩되고 위치된다. 프로브 어레이(50)는 아래쪽으로 향하는(face down) 프로브 핀들에 대해 수평으로 위치될 수 있도록 테스트 헤드(30)에 로딩되거나 고정(secure)된다. 매니퓰레이터(20)는 위치 테스트 헤드(30), 신호 전달 시스템(40), 및 프로브 어레이(50)를 프로버(70)의 헤드 플레이트(60)에 위치시키도록 사용될 수 있다. 프로버는 DUT의 본딩 패드들과 프로브 어 레이 간의 위치 관계를 전개함으로써 정렬 기능을 제공한다. 예를 들어, 프로버는 두 개의 카메라들을 포함할 수 있는데, 하나는 프로브 어레이를 이미지화하도록(image) 동작가능하고, 하나는 DUT의 본딩 패드들을 이미지화하도록 동작가능하다. 수집된 이미지 데이터에 기초하여, 프로버는 상기 프로버 어레이를 대응하는 본딩 패드들에 정렬시킬 것이다. 제 1 웨이퍼가 정렬되면, 프로버들은 보통 하나의 단계 및 반복 서브시스템을 가지는데, 이는 이러한 프로세스가 각각의 DUT 또는 DUT들의 그룹에 대해 반복되도록 허용한다. 예시적인 프로버 시스템들 및 기능들은 그 전체가 여기에 참조로서 포함되는 미국 특허 제 6,096,567호 및 제6,111,421호에서 기술된다.
다른 웨이퍼 테스트 셀 구성들에서, 위에서 설명된 다양한 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들은 서로에게 통합될 수 있다. 도 1은 어둡게 표기된 바와 같이 서로에게 통합될 수 있는 컴포넌트들 혹은 컴포넌트 기능들의 일부를 도시한다. 예를 들어, 테스터, 테스트 헤드, 신호 전달 시스템, 및 프로브 어레이 기능은 단일 헤드 컴플렉스(90)로 통합될 수 있다. 실제로, 헤드 컴플렉스(90)는 헤드 플레이트(80)에 결합되고, 차례로 상기 헤드 플레이트(80)는 프로버(70) 상에 장착될 수 있다. 다른 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들 및 구성들이 테스트 웨이퍼들을 위해 사용될 수 있지만, Verigy 사에 의해 설계되고 제조된 V5400 시스템이 한 개의 이러한 통합된 웨이퍼 테스트 셀 시스템의 일 예이다. 일반적으로, 웨이퍼 테스트 셀들은 (1) 프로버, (2) 프로브 어레이, 및 (3) 테스터 전자장치들을 통합하는 것으로서 보여질 수 있다.
또한 웨이퍼 테스트 셀에서 사용되는 장비의 검사 및 테스트가 관련된다. 특히, 프로브 어레이(50)의 검사 및 분석이 관심 대상이다. 웨이퍼 테스트 프로브 카드 검사 및 분석은 기존에는 몇몇 종류의 독립형 웨이퍼 테스트 프로브 카드 분석 시스템들 중 하나에 의해 수행되었다. 프로브 카드 검사 및 분석 시스템들의 예들은 Issaquah Washington의 Applied Precision LLC에 의해 설계되고 제조된 프로브 WoRx® 300/200 및 PrecisionPoint VX 프로브 카드 분석 시스템들로 구현된다.
도 2는 일 예시적인 웨이퍼 테스트 프로브 카드 검사 및 분석 시스템의 블록을 예시한다. 일반화된 프로브 카드 검사 및 분석 시스템(100)은 프로브 어레이 분석기 모듈(110), 마더보드(120), 및 테스트될 프로브 어레이(50)를 포함한다. 마더보드(120)는 전용 프로브 어레이(50)를 범용 프로브 어레이 분석기 모듈(110)에 채택하거나 도킹시키는 특수화된 시스템 컴포넌트이다. 마더보드(120)는 프로브 카드 검사 및 분석 시스템(100)의 측정 전자회로와 프로브 어레이(50) 사이에 전기적 접촉을 제공한다. 마더보드의 설계는 (1) 종래의 독립형 프로브 카드 검사 및 분석 시스템의 전기적 및 기계적 특성 및 (2) 테스트 중인 특정 프로브 카드의 기계적 및 전기적 특성들에 의해 제약받는다. 실제로, 마더보드(120)는 도 1에서 예시되고 위에서 설명된, 웨이퍼 테스트 셀(10)의 테스트 헤드(30) 및/또는 신호 전달 시스템(40)과 유사하게 기능한다.
프로브 어레이 분석기 모듈(110)은 투명한(transparent) 혹은 원형의(bare) 기준(fiducial) 마크들일 수도 있고 아닐 수도 있는 평면의 도전성 표면과 같은 전이단(transposable stage) 또는 기준 플레이트; 정밀 액추에이터들과 같은 기계적 위치지정 컴포넌트들; 광학 렌즈 및 광원들과 같은 이미징 컴포넌트들; CCD 또는 CMOS, 전기적 프로브 어레이 테스트 컴포넌트들, 및 컴퓨터와 같은 이미징 센서를 포함한다. 프로브 어레이 분석 모듈(110) 컴퓨터는 예컨대 드라이버들, 프레임 그래버(grabber)들, 및 이미지 포착, 분석 및 패턴 매칭 소프트웨어와 같은 당해분야에 공지된 하드웨어 및 소프트웨어 컴포넌트들을 통해 동작할 수 있다. 일반적으로 말해서, 컴퓨터는 프로브 카드 검사 및 분석 시스템(100)이 전체 동작을 제어한다. 컴퓨터는 도 1에서 예시되고 위에서 설명된 웨이퍼 테스트 셀(10)의 테스터(80)와 부분적으로 유사하게 기능하는 것으로서 보여질 수 있다.
종래의 프로브 카드 검사 및 분석 시스템들은 3차원 공간에서 프로브 바늘 위치들을 결정하고 프로그램 가능한 범위의 로딩된 그리고 로딩되지 않은 상태들 하에서 바늘의 움직임을 분석한다. 당해분야에 알려진 몇몇 기술들, 예컨대 기존의 리드 스크류 또는 광학적 비교 계측법이 프로브 핀 위치들을 결정하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 프로브 핀 위치들은, 그 전체 내용이 여기에 참조로서 포함된 미국 특허 제4,918,374호, 제5,508,629호, 및 제5,831,443호에 개시된 바와 같이, 한 스테이지 상에서의 도전성 및/또는 비도전성인 트랜지션에 대해 상기 핀들을 스캐닝함으로써 결정될 수 있다. 프로브 핀 위치들은 또한 그 전체 내용이 여기에 참조로서 포함된 미국 특허 제5,657,394호에서 기술된 바와 같이 정밀 모션 스테이지 및 비디오 카메라의 조합에 의해 결정될 수 있다. 대안적으로, 프로브 핀 위치들은 그 전체 내용이 여기에 참조로서 포함된 미국 특허 제6,710,798호에서 개시되고 청구된 바와 같이, 디지털 이미징 디바이스 및 다수의 기준 마크들을 가지는 기준 플 레이트를 사용함으로써 결정될 수 있다.
프로브 카드 검사 및 분석 시스템은 또한 예를 들어, 프로브 카드 평면성(planarity), 프로브 어레이 평면성, 프로브 카드 정렬, 프로브 카드 핀 정렬, 전기적 평면성, 광학적 평면성, 무-로드(no-load) 평면성, 로딩된-평면성, 프로브 카드/고정물 편향, 누설, 와이어체커(wirechecker), 프로브 힘, 및 접촉 저항을 포함하는 다른 프로브 카드 특성들을 평가하도록 동작가능할 수 있다. 프로브 카드 검사 및 분석 시스템들은 또한 기능을 결정하기에 적합한 전기 신호 생성 및 검출 능력들이 구비될 수 있거나 혹은 프로브 카드 회로 설계들에 통합될 수 있는 특정 전자 컴포넌들의 성능을 특징으로 할 수 있다. 이러한 컴포넌트들은 전압원들, 전압계들, 전류원들, 전류계들, 복합 전자장치들, 릴레이들, 전자 버퍼들, MUX 스위치들, 전자 메모리 디바이스들, 통신 회로들 등을 포함한다. 몇몇 프로브 카드 검사 및 분석 시스템들은 프로브 카드 재동작 기능 또한 포함할 수 있다.
지난 수십 년 동안, 특히 동적인 그리고 플래시 메모리 검사를 위해, 웨이퍼 테스트의 평행성(parallelism)을 증가시키려는 경향이 있었다. 이는 디바이스가 긴 테스트 시간 동안 더 효율적으로 처리되고 이에 의해 비용을 감소시키도록 한다. 현재 경향은 웨이퍼가 최소 개수의 터치들로 테스트되도록 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들을 설계하고 제조하는 것인데, 즉, 프로브 어레이는 상기 웨이퍼 상에 각각의 DUT의 테스트를 용이하게 하기 위해 단일 웨이퍼에 한번 접촉하게 된다.
웨이퍼 테스트 상의 평행성이 증가할수록, 이전에 설명된 웨이퍼 테스트 헤드 컴포넌트들의 복잡도, 크기 및 무게 역시 증가한다. 예를 들어, 평행성이 증가 함에 따라 프로브 어레이에서의 프로브 핀들의 개수 역시 증가한다. DUT의 패드들 또는 범프들에 상기 핀들을 접촉시키기 위해 증가된 핀들의 개수는 더 높은 힘의 인가를 필요로 한다. 더 높은 힘의 사용은 교대로 더 구조상으로 고정된 컴포넌트들의 구현을 요구하며, 컴포넌트들은 증가된 크기들 및/또는 무게들을 가진다. 이들 컴포넌트들은 특정 테스트 셀에 대해 고유한 테스트 헤드, 프로브 카드, 및 프로버 간의 상호작용들을 생성한다. 종래의 프로브 카드 검사 및 분석 시스템은 웨이퍼 테스트 셀의 이들 고유한 특성들을 모사(mimic)하거나 그렇지 않으면 시뮬레이션하기 위해 자신의 능력에 있어서 구조상으로 제한된다. 그 결과, 종래의 프로브 카드 검사 및 분석 시스템으로부터 획득된 결과들은 점점 더 복잡한 프로빙 프로세스에서의 문제점들을 고장검사(troubleshoot)하기 위해 사용되는 경우 더더욱 제한될 수 있다. 당해 기술분야에 필요한 것은 웨이퍼 테스트 셀의 실제 조건들과 더 밀접하게 상관되는 조건들 하에서의 프로브 어레이들의 검사 및 분석 장치 및 방법들이다.
본 발명은 웨이퍼 테스트 셀 조건들 하에서의 프로브 카드들의 검사 및 분석을 위한 장치 및 방법들을 제공한다. 본 발명의 특정 실시예들은 실제 웨이퍼 테스트 셀에서 사용되는 동일한 컴포넌트들의 물리적 속성들과 동일하거나 거의 유사한 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들을 채택한다. 이들 컴포넌트들은 웨이퍼 테스트 프로브 카드 검사 및 분석을 수행하도록 동작가능한 시스템으로 통합된다. 특정 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들을 프로브 카드 검사 및 분석 프로세스들로 통합시킴으로써, 프로브 카드 성능 특성들의 평가는 실제 테스트 셀 조건들을 더 정확하게 반영할 수 있다.
도 1은 종래의 웨이퍼 테스트 셀을 예시하는 기능 블록도이다.
도 2는 종래의 프로브 카드 검사 및 분석 시스템을 예시하는 기능 블록도이다.
도 3은 종래의 웨이퍼 테스트 셀의 다양한 컴포넌트들 및/또는 특성들을 포함하는 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템을 예시하는 기능 블록도이다.
도 4A 및 도 4B는 웨이퍼 테스트 프로세스 및 프로브 어레이 검사 및 분석 프로세스가 특정 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들을 공유하는 시스템 구성을 예시하는 기능 블록도이다.
본 발명의 실시예들이 이제 도면들을 참고하여 상세하게 기술될 것이며, 상기 실시예들은 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 예시적인 예들로서 제공된다. 명백하게, 아래의 도면들 및 예들은 본 발명의 범위를 단일 실시예로 한정되는 것을 의미하지는 않지만, 다른 예들이 상기 설명된 또는 예시된 엘리먼트들 중 몇몇 또는 이들 모두의 상호교환에 의해 가능하다. 이들 실시예들의 특정 엘리먼트들이 알려진 컴포넌트들은 알려진 컴포넌트들을 사용하여 부분적으로 또는 완전히 구현될 수 있으며, 본 발명의 이해를 위해 필요한 이러한 알려진 컴포넌트들의 상기 부분들만이 설명될 것이며, 이러한 알려진 컴포넌트들의 다른 부분들의 상세한 설명 들은 본 발명을 모호하게 하지 않기 위해 생략될 것이다. 본 명세서에서, 단일(singular) 컴포넌트를 나타내는 실시예는 제한적인 것으로 고려되지 않아야 하며, 오히려, 본 발명은, 여기에서 명시적으로 언급되지 않는 한, 다수의 동일한 컴포넌트를 포함하는 다른 실시예들을 포함하며 그 역도 성립하는 것으로 의도된다. 더욱이, 명세서 또는 청구항들 내의 임의의 용어는 이에 따라 명시적으로 설명되지 않는 한 일반적이지 않거나 특별한 의미에 관한 것으로 의도되지 않는다. 또한, 본 발명은 예시에 의해 여기에서 참조된 컴포넌트들에 대한 현재 혹은 추후 알려지는 등가물들을 포함한다.
본 발명은 반도체 테스트 장비(이하에서 반도체 테스트 셀 또는 웨이퍼 테스트 셀로서 지칭됨)에서 사용되는 프로브 어레이들의 검사 및 분석을 위한 시스템들 및 방법들을 제공한다. 특정 실시예들에서, 시스템들 및 방법들은 실제 웨이퍼 테스트 셀 조건들 하에서의 프로브 어레이들의 검사 및 분석과 관련된다. 상기 프로브 어레이와 상호작용하기 위한 마더보드 상의 종래의 프로브 카드 분석 시스템들 및 이들의 신뢰성에 대조적으로, 본 발명은 종래의 프로브 카드 검사 및 분석 기능을 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트와 직접 인터페이스 시킬 수 있다. 본 발명의 특정 양상들에 따른 시스템들 및 방법들은 웨이퍼 테스트 셀 프로버의 구조와 동일하거나 구조상 유사한 프로브 어레이 검사 기능을 채택한다. 프로브 어레이 분석 기능은 또한 프로버의 구조와 유사하거나 동일한 구조에서 채택될 수 있으며, 다른 웨이퍼 테스트 셀 또는 테스트 셀-유사 컴포넌트들에서 추가로 사용될 수 있다. 프로빙 프로세스 동안 결합하여 프로브 어레이 성능을 실행하는 웨이퍼 테스트 셀 컴포 넌트들 - 예를 들어, 신호 전달 시스템, 테스트 헤드 또는 인터페이스 유닛, 및/또는 헤드 컴플렉스 - 의 직접적인 사용은 종래의 프로브 카드 검사 및 분석 시스템의 사용에 대해 개선된 프로브 어레이 분석들을 획득할 수 있다. 이들 개선된 분석들은 실제 웨이퍼 테스트 셀의 복잡한 조건들을 더 정확하게 반영할 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들은 요구되거나 원하는 경우 프로브 어레이 검사 및 분석의 목적으로 관련된 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들의 적어도 몇몇 특징들을 사용한다. 특히, 특정 실시예들에서, 관련된 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들의 물리적 특징들 또는 구조적 양상들만이 검사 및 분석 장비에서 유지된다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 본 발명은 관련된 웨이퍼 테스트 셀에서 사용되는 신호 전달 시스템(40), 테스트 헤드(30), 테스터(80) 및/또는 헤드 컴플렉스(90)의 기능을 채택하는 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트 또는 컴포넌트들의 외부 구조, 도킹 하드웨어, 및/또는 무게 및 밸런스 특성들만을 사용할 있다. 관련된 웨이퍼 테스트 컴포넌트들의 특정 기능은 삭제될 수 있거나 또는 프로브 어레이 검사 및 분석 특정의 기계적, 전기적, 및 소프트웨어 컴포넌트들로 교체될 수 있다. 예를 들어, 주문형(application specific) 인쇄 회로 기판과 같은 프로브 어레이 검사 및 분석 전자회로(electronics)들은 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트의 웨이퍼 테스트 전자 장치의 풋프린트 및 접속을 매칭시키도록 설계될 수 있다. 따라서 본 발명의 특정 실시예들을 사용하는 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템들에서의 사용을 위한 관련된 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들의 적응(adaptation)은 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트 전자회로의 단순한 교체에 의해 간소화될 수 있다.
도 3을 참조하면, 특정 실시예들에서, 웨이퍼 테스트 프로브 어레이 분석 시스템(200)은 헤드 플레이트(260), 신호 전달 시스템(240), 테스트 헤드 또는 인터페이스 유닛(230), 매니퓰레이터(220), 헤드 컴플렉스(290) 및 프로브 어레이 분석기 모듈(210)의 조합들을 포함할 수 있다. 매니퓰레이터(220)는 테스트 헤드 유닛(230), 신호 전달 시스템(240), 및 프로브 어레이(50), 또는 헤드 컴플렉스(290)를 지지하고 전치시키고(transpose), 도킹하도록 사용될 수 있다. 추가로, 매니퓰레이터(220)는 통상적으로 테스트 헤드들 또는 인터페이스 유닛들의 다양한 제조자들 및 모델들에 의해 종래의 웨이퍼 테스트 기능들을 수행하도록 구성된다. 유사하게, 테스트 헤드(240)는 버티칼, 코브라, 캔틸레버, 멤브레인, 및 마이크로스프링 프로브 어레이들을 포함하지만 이에 제한되지는 않는 다양한 제조자들, 모델들 및 타입들의 신호 전달 시스템들을 도킹시키거나 장착하도록 동작가능하다. 프로브 어레이(50), 신호 전달 시스템(240), 테스트 헤드(230)가 동작가능하게 결합될 때, 매니퓰레이터(220)는 상기 컴포넌트들을 전치시켜서 헤드 플레이트(260)에 도킹시킬 수 있다. 매니퓰레이터(220)는 또한 헤드 컴플렉스(290)를 전치시켜서 헤드 플레이트(260)에 도킹시키도록 구성될 수도 있다. 헤드 플레이트(260)는 프로브 어레이 분석기 모듈(210)에 장착되거나, 부착되거나, 혹은 결합될 수 있다. 상기 컴포넌트들이 정렬되어 헤드 플레이트(260)와 도킹된 후, 관련 웨이퍼 테스트 셀 또는 테스트 셀-유사 컴포넌트들은 프로브 어레이 분석 모듈(210)상에 어셈블리될 수 있고, 프로브 어레이 검사 및 분석이 일어날 수 있다.
특정 실시예들에 있어서, 선택된 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들은 종래의 웨 이퍼 테스트 셀 기능뿐만 아니라 프로브 어레이 검사 및 분석 기능들의 성능을 용이하게 하도록 수정되거나 혹은 개선될 수 있다. 예를 들어, 도 1의 종래의 매니퓰레이터(20), 테스트 헤드(30), 신호 인터페이스(40), 프로버(70) 및/또는 테스터(80)의 기능은 수정된 컴포넌트들이 원하는 프로브 어레이 검사 및 분석 기능들을 수행할 수 있도록 본 발명의 양상들에 따라 수정되거나 개선될 수 있다. 프로브 어레이 검사 및 분석 프로세스는 실제 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들에 의해 전체적으로 혹은 부분적으로 수행될 수 있다.
도 4A 및 도 4B에 예시된 바와 같이, 프로브 어레이 분석기 모듈(310)은 웨이퍼 테스트 셀 근처에 위치될 수 있다. 매니퓰레이터(320)는 프로브 어레이 분석기 모듈(310) 상에 위치된 헤드 플레이트(360)에 도킹하기 위해 테스트 헤드(330), 신호 전달 시스템(340), 및 프로브 어레이(50)를 전치시키고 지지하도록 사용될 수 있다. 특정 실시예들에서, 프로브 어레이 검사 및 분석 프로세스는 오직 프로브 어레이 분석기 모듈(310)에 의해, 테스터(380)에 의해, 혹은 상기 두 컴포넌트들의 조합에 의해서만 제어되거나 수행될 수 있다. 프로버(70) 및 예컨대 헤드 컴플렉스(90)로서 위에서 설명된 헤드 컴플렉스는 실질적으로 위에서 설명된 바와 같이 이 실시예에서 채용될 수 있다. 특정 실시예들에서, 상기 시스템 구성은 프로브 어레이 검사 및 분석 프로세스에서 사용하기 위한 중복(duplicate) 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들들을 생성할 필요성을 회피한다.
본 발명의 특정 실시예들에서, 전체 프로브 어레이 검사 및 분석 프로세스가 기존의 웨이퍼 테스트 셀의 컴포넌트에 대한 개선들 또는 부가들로서 제공된다. 예 를 들어, 위에서 설명되고 도 1에 예시된 프로버(70)는 종래의 프로브 카드 검사 및 분석 시스템들 및 방법들에 관해 위에서 참조된 특허들 및 출원물들에서 개시된 바와 같은 프로브 어레이 검사 및/또는 분석 하드웨어를 포함하도록 개선될 수 있다. 더 구체적으로, 프로버(70)는 프로브 어레이들을 검사하기 위한 리드 스크류 또는 광학 비교 계측 기술들을 채택할 수 있다. 또다른 예에서, 테스터(80)(도 1 참조)는 프로브 카드 검사 및 분석 시스템의 컴퓨터에 의해 이전에 수행된 분석 기능을 수행하도록 변형될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들은 표준 웨이퍼 테스트 셀 프로브 카드 조종(handling) 및 로딩 기능들의 사용을 가능하게 한다. 프로브 카드 조종 및 로딩 컴포넌트들은 당해 기술분야에서 일반적으로 인지되고 이해된다.
본 발명의 특정한 다른 실시예들은 다음 컴포넌트들: 프로브 어레이, 신호 전달 시스템, 테스트 헤드, 테스터, 프로브 어레이 분석기 모듈 및 프로버 중 몇몇 또는 이들 모두 간의 신호 접속 경로, 예를 들어 고주파수 신호 접속 경로를 제공한다.
본 발명의 특정 양상들에 따른 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템이 테스터, 테스트 헤드, 및/또는 테스트 컴플렉스 특정 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템들을 포함할 것임이 이해될 것이다. 예를 들어, 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템은 상기 시스템이 웨이퍼 테스트 셀 컴포넌트들과 기능하도록 구체적으로 설계된 상기 프로브 어레이들만을 검사하고 분석할 수 있도록 확장(augment)할 수 있다. 확장은 특정 어플리케이션 테스트 셀 컴포넌트들의 사용, 집적, 또는 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템으로의 통합을 포함할 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들의 프로브 어레이 분석 기능은 프로브 Worx 및 PrecisionPoint 프로브 카드 분석 시스템들의 기능, 및 프로브 카드 평면성, 프로브 어레이 평면성, 프로브 카드 정렬, 프로브 카드 핀 정렬, 전기적 평면성, 광학적 평면성, 무-로드 평면성, 로딩된 평면성, 프로브 카드/고정물 편향, 누설, 와이어체커, 프로브 힘, 접촉 저항, 저항, 커패시턴스, 커패시터의 분석을 포함하지만 이에 제한되지 않는 이전에 설명된 프로브 카드 분석 기능 모두를 포함할 수 있다. 프로브 카드 분석 시스템들은 또한 프로브 카드 재동작 기능을 포함할 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들은 측정시 높은 정확도를 보여준다. 추가적으로, 특정 실시예들은 획득된 검사 데이터의 부가적인 어플리케이션들을 제공한다. 예를 들어, 프로브 어레이를 웨이퍼에 배열하는 경우, 종래의 프로버는 상기 웨이퍼에 대한 프로브 어레이의 평면성, 및 선택 프로브 핀들 및 본딩 패드들의 XY 위치를 결정할 수 있다. 종래의 프로버는 상기 프로브 핀들을 DUT의 본딩 패드들에 배열하기 위해 필요한 정도로만 이들 분석들을 수행함이 이해될 것이다.
반면, 본 발명의 특정 양상들 및 본 발명의 다른 실시예들에 따라 확장된 프로브 카드 검사 및 분석 시스템들은 종래의 시스템들에 비해 상당히 더 높은 정확도 및 속도로 프로브 배열 및 프로브 핀 검사를 수행할 수 있다. 본 발명의 특정 실시예들로부터 획득된 추가적인 이점은 사용자 또는 오퍼레이터에게 사용가능한 더 넓은 범위의 테스트 및 특정 성능이다. 추가적으로, 웨이퍼로의 상기 프로브 어레이의 정렬에 관한 정보뿐만 아니라 프로브 어레이의 성능 특정들의 결정을 포함 하여 획득된 데이터에 대해 더 넓은 범위의 어플리케이션들이 제공될 수 있다.
부가적으로, 웨이퍼 프로빙 프로세스의 결과로서, 여기에 참조로서 통합된 미국 특허 출원 제11/479,822호에서 설명된 바와 같이 웨이퍼 프로브 마크들, 또는 스크럽 마크들이 프로빙된 웨이퍼 또는 테스트 웨이퍼의 표면상에 만들어질 수 있다. 웨이퍼 프로브 마크들의 검사 및 분석은 프로브 카드의 성능 및 특성들뿐만 아니라 전체 반도체 테스트 프로세스의 성능 및 특성들에 관련된 중요한 데이터를 획득할 수 있다. 본 발명의 특정 실시예는 또한 웨이퍼 또는 테스트 웨이퍼를 스크럽하고 웨이퍼 프로브 마크들을 검사하고 분석하기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들어, 프로브 어레이 분석기 모듈(210 또는 310), 또는 변형된 프로버(50)는 웨이퍼 프로브 마크 분석기 또는 웨이퍼 프로버에 존재하는 스테이지와 실질적으로 동일한 전치가능한 스테이지 상으로 웨이퍼 및 테스트 웨이퍼를 로딩하도록 구성될 수 있다. 이후 상기 웨이퍼가 스크럽되고 결과적인 스크럽 마크들이 검사되고 분석될 수 있다. 검사 및 분석은 특정 프로브 마크들의 위치, 배향(orientation), 및 크기, 뿐만 아니라 본딩 패드에 대한 특정 프로브 마크 및 본딩 패드 대 본댕 패드 특성들을 포함할 수 있다.
본 발명의 특정 양상들의 부가 설명들
본 발명의 특정 실시예들은 반도체 테스트 셀로부터 파생된 하나 이상의 컴포넌트들에 동작가능하게 결합된 프로브 어레이 및 프로브 어레이 분석기 모듈을 포함하며, 이에 의해 상기 프로브 어레이 분석기는 반도체 테스트 셀의 정상 동작 조건들 하에서 프로브 어레이를 분석하기 위한 시스템들을 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 하나 이상의 컴포넌트들은 헤드 플레이트, 테스트 헤드 및 헤드 컴플렉스 중 적어도 하나를 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 상기 하나 이상의 컴포넌트들은 신호 전달 시스템을 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 헤드 플레이트는 반도체 테스트 셀에 채택된 웨이퍼 테스트 셀 헤드 플레이트에 따라 비례가 조정(proportion)된다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 테스트 헤드는 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 테스트 헤드에 대한 물리적 특성들에 있어서 실질적으로 유사하다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 테스트 헤드는 선택된 반도체 셀 전기 컴포넌트들 대신 프로브 어레이 검사 및 분석 전기 컴포넌트들을 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 신호 전달 시스템은 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 신호 전달 시스템의 구조에 따라 구성된다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 헤드 컴플렉스는 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 헤드 컴플렉스의 구조에 따라 구성된다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 테스트 컴플렉스는 선택된 반도체 테스트 셀 전기 컴포넌트들 대신 프로브 어레이 검사 및 분석 전기 컴포넌트들을 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇은 추가적으로 매니퓰레이터를 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 시스템은 반도체 테스트 셀에 대해 실질적으로 유사한 물리적 조건들 하에서의 프로브 어레이의 성능 특성들을 분석하도록 동작가능하다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 프로브 어레이 분석기 모듈은 웨이퍼 테스트 프로버를 추가적으로 포함 한다. 이들 실시예들 중 몇몇은 웨이퍼 프로빙 프로세스 분석기를 추가로 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 웨이퍼 프로빙 프로세스 분석기는 웨이퍼 프로브 마크들을 검사하고 분석하도록 동작가능하다.
본 발명의 특정 실시예들은 웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법들을 제공하며, 여기서 상기 방법들은 반도체 테스트 셀로부터 파생된 하나 이상의 컴포넌트들에 프로브 어레이를 장착하는 단계 - 상기 하나 이상의 컴포넌트들은 헤드 플레이트, 테스트 헤드 및 헤드 컴플렉스 중 적어도 하나를 포함함 -, 및 상기 검사에 기초하여 프로브 어레이의 성능 특성들을 결정하는 단계를 포함하며, 상기 하나 이상의 유도된 컴포넌트들은 프로브 어레이의 정상 동작 조건들 하에서 상기 검사를 용이하게 한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 헤드 플레이트는 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 헤드 플레이트에 따라 비례가 조정된다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 상기 테스트 헤드는 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 테스트 헤드에 대해 물리적 특성들에 있어서 실질적으로 유사하다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 테스트 헤드는 선택된 반도체 테스트 셀 전기 컴포넌트들 대신 프로브 어레이 검사 및 분석 전기 컴포넌트들을 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 상기 하나 이상의 컴포넌트들은 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 신호 전달 시스템의 구조에 따라 구성된 신호 전달 시스템을 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 헤드 컴플렉스는 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 헤드 컴플렉스의 구조에 따라 구성된다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 테스트 컴플렉스는 선택된 반도체 테스트 셀 전기 컴포넌트들 대신 프로브 어레이 검사 및 분석 전기 컴포넌트들을 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 상기 검사는 프로버를 사용하여 수행된다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 상기 헤드 플레이트는 프로브 어레이 분석기 모듈에 결합된다. 이들 실시예들 중 몇몇은 웨이퍼 프로브 마크의 생성 단계를 추가로 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇은 웨이퍼 프로브 마크들의 분석 단계를 추가로 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇은 웨이퍼 테스트의 수행 단계를 추가로 포함한다.
본 발명의 특정 실시예들은 반도체 테스트 셀로부터 파생된 하나 이상의 컴포넌트들에 동작가능하게 결합된 프로브 어레이 분석기를 포함하는 웨이퍼 테스트 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템을 제공하며, 여기서 상기 프로브 어레이 분석기는 반도체 테스트 셀의 정상 동작 조건들 하에서 프로브 어레이를 분석하기 위한 것이고, 상기 하나 이상의 컴포넌트들은 헤드 플레이트, 테스트 헤드 및 헤드 컴플렉스를 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇은 매니퓰레이터를 추가로 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 프로브 어레이 분석기는 웨이퍼 테스트 셀 프로빙을 수행하도록 동작가능하다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 상기 시스템은 반도체 테스트 셀의 동작 물리 조건들과 실질적으로 유사한 조건들 하에서 웨이퍼 테스트 프로브 어레이의 특정 성능 특성들을 분석하도록 동작가능하다. 이들 실시예들 중 몇몇은 웨이퍼 프로빙 프로세스 분석기를 추가적으로 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 웨이퍼 프로빙 프로세스 분석기는 웨이퍼 프로브 마크들을 검사하고 분석하도록 동작가능하다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 하나 이상의 컴포 넌트들이 웨이퍼 테스트들을 수행하도록 협조한다.
본 발명의 특정 실시예들은 테스트 셀에서 채택된 프로브 어레이를 검사하고 분석하는 동안 웨이터 테스트 셀의 특성들을 에뮬레이션(emulate)하기 위한 방법을 제공하며, 상기 방법은 웨이퍼 테스트 셀과 프로브 어레이 분석기 모듈을 도킹시키는 단계, 프로브 어레이를 검사하는 단계 및 상기 검사에 기초하여 프로브 카드의 성능 특성들을 평가하는 단계를 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 웨이퍼 테스트 셀은 반도체 테스트 셀로부터 파생된 하나 이상의 컴포넌트들을 포함하며, 상기 하나 이상의 컴포넌트들은 헤드 플레이트, 테스트 헤드, 신호 전달 시스템 및 헤드 컴플렉스를 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 상기 하나 이상의 컴포넌트들의 구조들은 웨이퍼 테스트 셀에서의 대응 컴포넌트들의 구조들에 상관된다. 이들 실시예들 중 몇몇에 있어서, 상기 프로브 어레이 분석기 모듈은 프로버와 인터페이스된다. 이들 실시예들 중 몇몇은 웨이퍼 테스트 수행 단계를 추가적으로 포함한다. 이들 실시예들 중 몇몇은 웨이퍼 프로빙 프로세스 분석 단계를 추가적으로 포함한다. 이들 컴포넌트들 중 몇몇은 웨이퍼 상에 스크럽 마크들을 생성하는 단계를 추가적으로 포함한다.
본 발명의 양상들은 제한이 아닌 오직 예에 의해 특정 실시예들에 대해 예시되고 상세히 기술되었다. 본 개시물의 범위 및 참작내용으로부터 벗어남이 없이 다양한 수정들 및 변경이 예시적인 실시예들에 대해 이루어질 수 있음이 이해될 것이다.
Claims (40)
- 시스템으로서,프로브 어레이; 및반도체 테스트 셀로부터 파생된 하나 이상의 컴포넌트들에 동작가능하게 결합되는 프로브 어레이 분석기 모듈 - 상기 프로브 어레이 분석기는 상기 반도체 테스트 셀의 정상 동작 조건들 하에서 상기 프로브 어레이를 분석하기 위한 것임 - 을 포함하는,시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 컴포넌트들은 헤드 플레이트, 테스트 헤드 및 헤드 컴플렉스 중 적어도 하나를 포함하는,시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 하나 이상의 컴포넌트들은 신호 전달 시스템을 포함하는,시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 헤드 플레이트는 상기 반도체 테스트 셀에서 채택되는 웨이퍼 테스트 셀 헤드 플레이트에 따라 비례가 조정(proportion)되는,시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 테스트 헤드는 상기 반도체 테스트 셀에서 채택되는 웨이퍼 테스트 셀 테스트 헤드에 대한 물리적 특성들에 있어서 실질적으로 유사한,시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 테스트 헤드는 선택된 반도체 테스트 셀 전기 컴포넌트들 대신 프로브 어레이 검사 및 분석 전기 컴포넌트들을 포함하는,시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 신호 전달 시스템은 상기 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 신호 전달 시스템의 구조에 따라 구성되는,시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 헤드 컴플렉스는 상기 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 헤드 컴플렉스의 구조에 따라 구성되는,시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 테스트 컴플렉스는 선택된 반도체 테스트 셀 전기 컴포넌트들 대신 프로브 어레이 검사 및 분석 전기 컴포넌트들을 포함하는,시스템.
- 제 1 항에 있어서,매니퓰레이터(manipulator)를 추가로 포함하는,시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 시스템은 상기 반도체 테스트 셀과 실질적으로 유사한 물리적 조건들 하에서 상기 프로브 어레이의 성능 특성들을 분석하도록 동작가능한,시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 프로브 어레이 분석기 모듈은 웨이퍼 테스트 셀 프로버를 추가로 포함 하는,시스템.
- 제 1 항에 있어서,웨이퍼 프로빙 프로세스 분석기를 추가로 포함하는,시스템.
- 제 13 항에 있어서,상기 웨이퍼 프로빙 프로세스 분석기는 웨이퍼 프로브 마크들을 검사하고 분석하도록 동작가능한,시스템.
- 웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법으로서,반도체 테스트 셀로부터 파생된 하나 이상의 컴포넌트들에 프로브 어레이를 장착하는 단계 - 상기 하나 이상의 컴포넌트들은 헤드 플레이트, 테스트 헤드 및 헤드 컴플렉스 중 적어도 하나를 포함함 - ;상기 프로브 어레이를 검사하는 단계; 및상기 검사에 기초하여 상기 프로브 어레이의 성능 특성들을 결정하는 단계를 포함하고,상기 하나 이상의 유도된 컴포넌트들은 상기 프로브 어레이의 정상 동작 조 건들 하에서 상기 검사를 용이하게 하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 헤드 플레이트는 상기 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 헤드 플레이트에 따라 비례가 조정되는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 테스트 헤드는 상기 반도체 테스트 셀에서 채택되는 웨이퍼 테스트 셀 테스트 헤드에 대한 물리적 특성들에 있어서 실질적으로 유사한,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 테스트 헤드는 선택된 반도체 테스트 셀 전기 컴포넌트들 대신 프로브 어레이 검사 및 분석 전기 컴포넌트들을 포함하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 하나 이상의 컴포넌트들은 상기 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 셀 신호 전달 시스템의 구조에 따라 구성된 신호 전달 시스템을 포함하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 헤드 컴플렉스는 상기 반도체 테스트 셀에서 채택된 웨이퍼 테스트 헤드 컴플렉스의 구조에 따라 구성되는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 테스트 컴플렉스는 선택된 반도체 테스트 셀 전기 컴포넌트들 대신 프로브 어레이 검사 및 분석 전기 컴포넌트들을 포함하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 검사는 프로버를 사용하여 수행되는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 헤드 플레이트는 프로브 어레이 분석기 모듈에 결합되는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,웨이퍼 프로브 마크들을 생성하는 단계를 추가로 포함하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,웨이퍼 프로브 마크들을 분석하는 단계를 추가로 포함하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 제 15 항에 있어서,웨이퍼 테스트를 수행하는 단계를 추가로 포함하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이들을 검사하고 분석하기 위한 방법.
- 웨이퍼 테스트 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템으로서,반도체 테스트 셀로부터 파생된 하나 이상의 컴포넌트들에 동작가능하게 결합된 프로브 어레이 분석기를 포함하고, 상기 프로브 어레이 분석기는 상기 반도체 테스트 셀의 정상 동작 조건들 하에서 프로브 어레이를 분석하기 위한 것이며, 상기 하나 이상의 컴포넌트들은 헤드 플레이트, 테스트 헤드 및 헤드 컴플렉스를 포함하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템.
- 제 27 항에 있어서,매니퓰레이터를 추가로 포함하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템.
- 제 27 항에 있어서,상기 프로브 어레이 분석기는 웨이퍼 테스트 셀 프로빙을 수행하도록 동작가능한,웨이퍼 테스트 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템.
- 제 27 항에 있어서,상기 시스템은 상기 반도체 테스트 셀의 상기 동작 물리적 조건들과 실질적으로 유사한 조건들 하에서 웨이퍼 테스트 프로브 어레이의 특정 성능 특성들을 분석하도록 동작가능한,웨이퍼 테스트 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템.
- 제 27 항에 있어서,웨이퍼 프로빙 프로세스 분석기를 추가로 포함하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템.
- 제 27 항에 있어서,상기 웨이퍼 프로빙 프로세스 분석기는 웨이퍼 프로브 마크들을 검사하고 분석하도록 동작가능한,웨이퍼 테스트 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템.
- 제 27 항에 있어서,상기 하나 이상의 컴포넌트들은 웨이퍼 테스트들을 수행하기 위해 협조하는,웨이퍼 테스트 프로브 어레이 검사 및 분석 시스템.
- 웨이퍼 테스트 셀에서 채택된 프로브 어레이를 검사하고 분석하면서 상기 테스트 셀의 특성들을 에뮬레이션(emulate)하기 위한 방법으로서,웨이퍼 테스트 셀과 프로브 어레이 분석기 모듈을 도킹시키는 단계;상기 프로브 어레이를 검사하는 단계; 및상기 검사에 기초하여 상기 프로브 카드의 성능 특성들을 평가하는 단계를 포함하는,에뮬레이션 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 웨이퍼 테스트 셀은 반도체 테스트 셀로부터 파생된 하나 이상의 컴포넌트들을 포함하고, 상기 하나 이상의 컴포넌트들은 헤드 플레이트, 테스트 헤드, 신호 전달 시스템 및 헤드 컴플렉스를 포함하는,에뮬레이션 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 하나 이상의 컴포넌트들의 구조는 웨이퍼 테스트 셀에서의 대응 컴포넌트들의 구조들에 상관되는,에뮬레이션 방법
- 제 34 항에 있어서,상기 프로브 어레이 분석기 모듈은 프로버와 인터페이스하는,에뮬레이션 방법.
- 제 34 항에 있어서,웨이퍼 테스트를 수행하는 단계를 추가로 포함하는,에뮬레이션 방법.
- 제 34 항에 있어서,웨이퍼 프로빙 프로세스를 분석하는 단계를 추가로 포함하는,에뮬레이션 방법.
- 제 34 항에 있어서,웨이퍼 상에 스크럽 마크들을 생성하는 단계를 추가로 포함하는,에뮬레이션 방법.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101489369B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2015-02-04 | (주)제이디 | 범프필름 및 프루브유닛 검사장치 |
| KR20200100984A (ko) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | 세메스 주식회사 | 프로브 스테이션 |
| KR20230077584A (ko) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 명지대학교 산학협력단 | 성능 평가 시스템 |
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|---|---|---|---|---|
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| CN102749570A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-10-24 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 探针台晶圆测试设备以及晶圆测试方法 |
| US9310298B2 (en) * | 2012-09-10 | 2016-04-12 | Bluelight Analytics, Inc. | Devices and methods for measuring light |
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| JP2018018725A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置、および、発光装置システム |
| JP6765053B2 (ja) * | 2016-07-28 | 2020-10-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置、および、発光装置システム |
| JP2018018720A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置、および、発光装置の点検方法 |
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Family Cites Families (15)
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|---|---|---|---|---|
| US4918374A (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-17 | Applied Precision, Inc. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit probe cards |
| US5060371A (en) * | 1988-10-05 | 1991-10-29 | Applied Precision, Inc. | Method of making probe cards |
| JP2963603B2 (ja) * | 1993-05-31 | 1999-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置のアライメント方法 |
| US5510723A (en) * | 1994-03-01 | 1996-04-23 | Micron Custom Manufacturing, Inc. Usa | Diced semiconductor device handler |
| US5561377A (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-01 | Cascade Microtech, Inc. | System for evaluating probing networks |
| US6127831A (en) | 1997-04-21 | 2000-10-03 | Motorola, Inc. | Method of testing a semiconductor device by automatically measuring probe tip parameters |
| US6777966B1 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-17 | International Test Solutions, Inc. | Cleaning system, device and method |
| JP3388462B2 (ja) * | 1999-09-13 | 2003-03-24 | 日本電気株式会社 | 半導体チップ解析用プローバ及び半導体チップ解析装置 |
| TW454290B (en) | 2000-06-23 | 2001-09-11 | Powerchip Semiconductor Corp | Wafer carrying device of probing test machine capable of in-line cleaning probe pins |
| JP4782953B2 (ja) * | 2001-08-06 | 2011-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカード特性測定装置、プローブ装置及びプローブ方法 |
| FR2833359B1 (fr) * | 2001-12-10 | 2004-04-23 | Inst Francais Du Petrole | Systeme d'acquisition de donnees sismiques utilisant des stations d'acquisition posees sur le fond marin |
| JP5089166B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2012-12-05 | ルドルフテクノロジーズ インコーポレイテッド | プローブカードアナライザにおける部品のたわみの影響を軽減する方法 |
| US6911814B2 (en) | 2003-07-01 | 2005-06-28 | Formfactor, Inc. | Apparatus and method for electromechanical testing and validation of probe cards |
| JP2005079253A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Tokyo Electron Ltd | 検査方法及び検査装置 |
| JP2006023229A (ja) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | プローブカードの品質評価方法及びその装置、プローブ検査方法 |
-
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101489369B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2015-02-04 | (주)제이디 | 범프필름 및 프루브유닛 검사장치 |
| KR20200100984A (ko) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | 세메스 주식회사 | 프로브 스테이션 |
| KR20230077584A (ko) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 명지대학교 산학협력단 | 성능 평가 시스템 |
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