KR20090077705A

KR20090077705A - 도전성 패턴 및 이의 형성방법

Info

Publication number: KR20090077705A
Application number: KR1020090001498A
Authority: KR
Inventors: 박정호; 이종택
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2008-01-11
Filing date: 2009-01-08
Publication date: 2009-07-15
Also published as: US20090181218A1; JP2009170910A

Abstract

본 발명은 도전성 패턴 및 상기 도전성 패턴의 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 상기 도전성 패턴의 형성방법은 1) 기판을 준비하는 단계, 2) 상기 기판상에 접착 개선제 및 용매를 포함하는 제1 조성물을 인쇄하여 제1 패턴을 형성하는 단계, 3) 상기 제1 패턴상에 전도성 입자 및 용매를 포함하는 제2 조성물을 인쇄하여 제2 패턴을 형성하는 단계, 및 4) 상기 제1 패턴 및 제2 패턴을 소성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 도전성 패턴의 형성방법은 패턴과 기판간의 부착성을 증진시킬 수 있고, 소수성 기판에서도 뱅크의 형성 없이 높은 해상도의 미세한 패턴을 형성할 수 있다.

Description

도전성 패턴 및 이의 형성방법{CONDUCTIVE PATTERN AND METHOD OF FORMING THEREOF}

본 발명은 도전성 패턴 및 상기 도전성 패턴의 형성방법에 관한 것이다.

본 출원은 2008년 1월 11일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2008-0003515호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.

최근 사용되고 있는 디스플레이용 투명 기판, 전자부품용 회로 기판에는 도전성 패턴의 형성이 필수적이다. 도전성 패턴은 주로 감광성 페이스트법 또는 포토 에칭(Photo etching)법에 의해 형성된다.

상기 감광성 페이스트법에서는 감광성 전극 페이스트를 스크린 인쇄기(screen printer)를 이용하여 도포한 후, 포토마스크(Photomask)를 이용하여 UV 노광을 한다. 이 때, UV 노광이 이루어진 부분은 광가교가 수행되어 알칼리 수용액과 같은 식각액에 의해 식각되지 않게 되고, UV 노광이 되지 않은 부분은 광가교가 수행되지 않아 식각액에 의해 식각되어, 최종적으로는 특정의 전극패턴이 형성된다. 그러나, 감광성 전극 페이스트를 이용한 전극 형성은 피치의 정밀도와 전극 폭 의 제어가 불리한 것이 단점이다.

상기 포토 에칭법에서는 전극을 전면 도포 혹은 증착/에칭 공정에 의해 주로 형성되고 있다. 그러나, 진공 증착에 의한 전극 형성법은 공정 시간이 길고 박막 형성 장치 및 재료의 가격이 높으며, 에칭(etching)시 환경오염을 야기시킬 수 있다는 문제점이 있다.

이에 따라, 최근 잉크젯 프린팅에 의해 기존 공정을 대체하려는 기술이 제안되고 있다. 잉크젯 기술에 의하면 필요한 장소에 재료를 토출하므로 재료의 불필요한 소비가 적으며, 마스크가 필요 없는 직접 분사 방식으로 공정을 단순화할 수 있다.

대한민국 특허 공개 번호 제2005-0040511호에서는 잉크와 기판과의 부착성을 증진시키기 위해 기판에 흡수성 고분자층을 인쇄하였다. 열처리를 통해 기판에 부착된 흡수성 고분자층을 제거하였으나, 이 경우 고분자층이 제거되면서 도전성 패턴 자체가 리프트 오프(lift off)될 우려가 있다.

한편, 일본 특개평 11-273557에는 잉크의 흐름을 방지하고 부착성을 증진시키기 위해, 기판의 표면을 거칠게 가공하여 정밀도가 높은 패턴을 얻을 수 있다고 기재되어 있다. 그러나, 이러한 방법의 경우 기판 전체를 거칠게 가공함으로써 높은 투명도가 필요한 디스플레이용 기판에 적용이 불가능하고, 박형 연성 기판의 경우 가공이 어려운 점이 있다.

전도성 잉크를 이용한 잉크젯 방식의 배선형성 기술은 기판의 상태에 따라 그 배선의 형태가 결정되게 된다. 특히, 최근 들어 소형화되고 고집적화되는 전자 기기에서 사용되는 배선 패턴의 경우 수 ~ 수십 ㎛의 선폭을 요구하게 된다. 기존의 잉크젯 공정에서는 기판에 흡수성 고분자층을 코팅하여 잉크의 부착성과 선폭을 개선하거나, 기판에 물리적 또는 화학적으로 거칠게 가공하여 부착성과 선폭을 개선하기도 하였다. 그러나, 고분자층 코팅의 경우 소성과정에서 도전성 패턴 자체가 리프트 오프(lift off)될 우려가 있으며, 기판을 거칠게 가공하는 경우 기판의 투명도를 저하시키고 박형 연성 기판의 경우 가공이 어려운 문제가 있다. 또한, 이러한 가공을 거치게 되면 잉크젯 공정 이외에 추가로 공정이 첨가되게 되어 비용이 증가하게 되는 문제가 있다.

이러한 공정을 개선하기 위해 잉크에 접착 개선제(adhesion promoter)를 첨가하는 방법도 연구되고 있다. 그러나, 잉크에 접착 개선제를 첨가할 경우, 잉크자체의 점도가 상승하고 분사특성이 떨어지는 문제가 발생하게 된다.

상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여, 본 발명은 도전성 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 소수성 기판상에서도 패턴의 부착성을 증진시키면서 도전성 패턴의 해상도를 높여 미세한 패턴을 형성할 수 있는 도전성 패턴의 형성방법 및 이에 의해 제조된 도전성 패턴을 제공하고자 한다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여,

1) 기판을 준비하는 단계,

2) 상기 기판상에 접착 개선제 및 용매를 포함하는 제1 조성물을 인쇄하여 제1 패턴을 형성하는 단계,

3) 상기 제1 패턴상에 전도성 입자 및 용매를 포함하는 제2 조성물을 인쇄하여 제2 패턴을 형성하는 단계, 및

4) 상기 제1 패턴 및 제2 패턴을 소성하는 단계

를 포함하는 도전성 패턴의 형성방법을 제공한다.

또한, 본 발명은

a) 기판,

b) 상기 기판 상에 인쇄되고, 접착 개선제를 포함하는 제1 패턴, 및

c) 상기 제1 패턴상에 인쇄되고, 전도성 입자를 포함하는 제2 패턴

을 포함하는 도전성 패턴을 제공한다.

본 발명에 따른 도전성 패턴의 형성방법은 잉크젯 공정에 의한 도전성 패턴 형성시, 기판과 패턴간의 부착성을 증진시킬 수 있고, 수 ~ 수십 ㎛의 높은 정밀도를 갖는 도전성 패턴을 제조하여 도전성 패턴의 품질을 향상시킬 수 있으며, 다양한 기판에 적용시킬 수 있다. 또한, 기존의 사진 식각 공정에 비해 공정을 단순화할 수 있고, 공정 비용을 절감할 수 있다.

본 발명에서는 기판과 패턴간의 부착성을 증진시키고 도전성 패턴의 정밀도를 높이기 위해, 두 가지의 다른 조성물을 사용하는 방법을 이용한다. 각각의 조성물은 기판과 패턴간의 부착성을 극대화하고 잔류 입자량을 줄인 제1 조성물과 전도성을 극대화한 제2 조성물로 구분할 수 있다. 기판상에 상기 제1 조성물을 인쇄하여 부착하고, 그 위에 제2 조성물을 인쇄함으로써 부착성이 우수하면서 미세한 선폭의 선형 도전성 패턴을 형성할 수 있도록 한다.

구체적으로, 본 발명에 따른 도전성 패턴의 형성방법은 1) 기판을 준비하는 단계, 2) 상기 기판상에 접착 개선제 및 용매를 포함하는 제1 조성물을 인쇄하여 제1 패턴을 형성하는 단계, 3) 상기 제1 패턴상에 전도성 입자 및 용매를 포함하는 제2 조성물을 인쇄하여 제2 패턴을 형성하는 단계, 및 4) 상기 제1 패턴 및 제2 패턴을 소성하는 단계를 포함한다.

본 발명에 따른 도전성 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 1) 단계의 기판은 특별히 제한되는 것은 아니고, 디스플레이용 기판, 전자부품용 기판 등에 적용할 수 있는 유리 기판, 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있다.

상기 1) 단계에서는 기판을 세척하는 공정, 기판에 전처리를 수행하는 공정 등이 포함될 수 있다. 상기 기판의 세척 방법, 전처리 방법 등은 기판 또는 인쇄 조성물의 종류에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 보다 구체적으로는 상기 기판의 세척은 플라즈마 클리닝으로 수행될 수 있고, 상기 기판의 전처리는 소수성 기판 처리 공정이 수행될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.

특히, 미세한 선폭을 갖는 도전성 패턴을 형성하기 위하여, 상기 1) 단계의 기판에 소수성 기판 처리를 할 수 있다. 상기 소수성 기판 처리는 당기술분야에 공지된 방법으로 수행될 수 있고, 보다 구체적으로는 플라즈마 처리, SAM 코팅, 계면활성제 코팅 등의 방법을 이용할 수 있다.

상기와 같이 기판에 소수성 기판 처리를 하는 경우, 종래의 전도성 입자를 포함하는 조성물은 소수성 기판에서 단선이 발생하거나 조성물의 액적이 부분적으로 뭉치는 현상이 발생하여 최종적으로 형성되는 도전성 패턴의 형상이 고르지 못하고, 소성 후 도전성 패턴이 기판에서 떨어져나가는 현상이 발생하여 전도성의 심각한 저하를 나타내는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명은 특정의 조성을 갖는 제1 조성물 및 제2 조성물을 차례로 기판에 인쇄하여, 기판과 패턴간의 부착성을 향상시킬 수 있고, 높은 정밀도를 갖는 도전성 패턴을 형성할 수 있다.

본 발명에 따른 도전성 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 2) 단계의 제1 조성물은 접착 개선제 0.1 ~ 35 wt%, 및 용매 65 ~ 99.9 wt%를 포함할 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 접착 개선제란 패턴과 기판의 접착성을 개선시킬 수 있는 성분을 의미한다. 상기 접착 개선제는 기판의 종류나 패턴의 조성에 따라 선택할 수 있다. 상기 접착 개선제는 용매에 용해된 상태에서 기판과의 접촉각이 30도 이하, 바람직하게는 20도 이하인 것이 적절하다. 또한, 상기 접착 개선제는 소성 시 용융점이 300℃이하, 바람직하게는 200℃이하인 것이 바람직하다.

상기 제1 조성물은 접착 개선제를 포함하고 있으므로, 기판과 패턴간의 부착성을 증진시킬 수 있다. 또한, 조성물 내에 기재의 표면 특징에 적합한 첨가제를 첨가하여 기재를 특화시킬 수도 있다. 다만, 본 발명에 따른 접착 개선제는 수분흡수성과 관계가 없으며, 오히려 비용 등을 고려할 때 수분흡수성을 갖지 않는 것이 더 바람직하다.

상기 접착 개선제의 구체적인 예로는 글래스 프릿(glass frit), 실리카 비드(silica beads), 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌글리콜, 셀룰로오스계 중합체, 이들의 혼합물 등을 들 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 특히, 기재의 표면이 유리(glass)일 경우 글래스 프릿(glass frit)이나 실리카 비드(silica beads)와 같이 기재의 표면과 유사한 첨가제를 첨가하여 제1 조성물을 특화 시킬 수 있다. 상기 접착 개선제로는 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있다.

상기 제1 조성물은 추가로 전도성 입자를 포함할 수 있으나, 그 함량은 0.1 ~ 10 wt%인 것이 바람직하다. 상기 제1 조성물이 전도성 입자를 포함하는 경우, 제1 조성물은 전도성 입자 0.1 ~ 10 wt%, 접착 개선제 0.1 ~ 35 wt% 및 용매 55 ~ 99.8 wt%를 포함하는 것이 바람직하다. 전도성 입자가 10 wt%를 초과하는 경우 점도상승에 의하여 인쇄가 어렵다. 그러나, 제1 조성물이 전도성 입자를 0.1wt% 이상 10wt% 이하로 포함하는 경우, 점도 상승을 초래하지 않으면서도, 소성시 제1 조성물 내의 전도성 입자들이 제2 패턴내의 전도성 입자들과 연결됨으로써 전도성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 제1 패턴과 제2 패턴의 부착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 조성물이 상기 범위 내의 전도성 입자를 포함하는 경우, 제1 조성물이 인쇄되고 건조되어 형성된 제1 패턴의 표면에는 돌기가 형성되어 요철을 갖게 된다. 따라서, 제1 패턴과 제2 패턴 사이의 부착성을 더욱 향상시킬 수 있다.

상기 전도성 입자의 구체적인 예로는 Ag, Cu, Au, Cr, Al, W, Zn, Ni, Fe, Pt, Pb, 이들의 합금, 이들의 혼합물 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.

상기 전도성 입자의 입경은 500nm 이하, 바람직하게는 200nm 이하, 더욱 바람직하게는 100nm 이하일 수 있다. 상기 전도성 입자의 입경은 0.1nm 이상인 것이 바람직하고, 5nm 이상인 것이 더욱 바람직하다.

상기 용매의 구체적인 예로는 물, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 테트라히드로퓨란, 1,4-디옥산, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌글리콜 디에틸 에테르, 프로필렌글리콜 메틸 에테르, 프로필렌글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌글리콜 디에틸 에테르, 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,1-트리클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에텐, 헥산, 헵탄, 옥탄, 시클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 프로판올, 부탄올, t-부탄올, 시클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 2-메톡시부틸 아세테 이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 에틸 셀로솔브아세테이트, 메틸 셀로솔브아세테이트, 부틸 아세테이트, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, γ-부틸락톤, N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아미드, 테트라메틸술폰, 에틸렌글리콜 아세테이트, 에틸 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트, 폴리에틸렌글리콜, 시클로헥사논, 이들의 혼합물 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.

상기 제1 조성물의 바람직한 점도는 0.5~40cps이다.

상기 제1 조성물은 당기술분야에 알려져 있는 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 첨가제로는 분산제, 계면활성제 등이 있으나, 이들로만 한정되는 것은 아니다.

기판상에 상기 제1 조성물을 인쇄하는 방법은 잉크젯법을 이용할 수 있다.

본 발명에 따른 도전성 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 2) 단계 이후에 기판상에 형성된 제1 패턴을 건조하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 건조는 25 ~ 150℃의 온도에서 10분 이상으로 수행될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.

상기 제1 조성물이 전도성 입자를 전술한 범위내로 포함하는 경우, 상기 2) 단계 및 필요한 경우 제1 패턴의 건조 단계에 의하여, 기판과 패턴간 부착력이 우수한 제1 조성물로부터 기판상에 전도성 입자를 포함하는 돌기가 형성된다. 일반적으로 표면이 매끈할 때보다 표면이 거친 경우에 동일 면적 내에서 조성물의 접촉면이 증가하게 되고, 그에 따라 조성물의 부착성이 증진되는 효과를 얻을 수 있다. 즉, 상기와 같은 전도성 입자를 포함하는 돌기는 소수성 기판 표면에서 제2 조성물의 인쇄시, 일종의 잉크의 가이드 라인 역할을 하게 되어, 미세한 도전성 패턴을 쉽게 형성할 수 있게 한다.

본 발명에 따른 도전성 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 3) 단계의 제2 조성물은 전도성 입자 10 ~ 90 wt% 및 용매 10 ~ 90 wt%를 포함할 수 있다.

상기 제2 조성물에 포함되는 전도성 입자 및 용매의 구체적인 예는 전술한 상기 제1 조성물에 포함되는 전도성 입자 및 용매로서 예시한 것들을 사용할 수 있다.

상기 제2 조성물은 종래 도전성 패턴 형성시 사용되던 조성물에서 분산성을 저해하고 점도 상승의 원인이 되는 접착 개선제를 배제하여, 안정된 분산을 유지할 수 있고, 조성물의 조성을 단순화할 수 있으며, 조성물 점도를 자유롭게 조절할 수 있다. 또한, 조성물의 분산성 및 전도도를 높일 수 있고, 기판상에 인쇄된 제1 패턴상에 인쇄하므로 기판의 표면 특성에 의한 영향을 배제할 수 있다.

상기 제2 조성물의 바람직한 점도는 0.5~40cps이다.

상기 제2 조성물 내에는 필요에 따라 분산제, 계면활성제 등의 첨가제를 추가할 수도 있다.

본 발명에 따른 도전성 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 제1 패턴의 건조 단계를 생략하는 경우, 복수의 잉크젯 헤드를 이용하여 상기 2) 단계 및 3) 단계를 동시에 진행할 수도 있다. 이러한 경우에는 필요에 따라 기판을 가열하여, 기판상에 제1 패턴의 부착성을 증진시킬 수 있다.

상기 제1 조성물 및 제2 조성물의 인쇄시, 각 조성물의 인쇄량은 원하는 패턴의 형상이나 목적하는 용도에 따라 달라질 수 있다. 예컨대 전도성 배선의 형성시, 제1 조성물의 양은 제2 조성물의 양을 초과하지 않는 것이 바람직하다.

상기 3) 단계 이후에 상기 제2 패턴을 건조하는 단계를 추가로 포함할 수도 있다.

본 발명에 따른 도전성 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 4) 단계는 기판상에 형성된 제1 패턴 및 제2 패턴을 소성하는 단계이다. 상기 소성은 200℃ 이상의 온도에서 10분 이상으로 수행될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.

또한, 본 발명에 따른 도전성 패턴은 a) 기판, b) 상기 기판상에 인쇄되고, 접착 개선제를 포함하는 제1 패턴, 및 c) 상기 제1 패턴상에 인쇄되고, 전도성 입자를 포함하는 제2 패턴을 포함한다.

본 발명에 따른 도전성 패턴은 기판과의 부착성이 우수하고, 수 ~ 수십 ㎛의 높은 정밀도를 갖는다.

제1 패턴 및 제2 패턴의 두께 또는 폭은 원하는 패턴의 형상이나 목적하는 용도에 따라 달라질 수 있다. 예컨대 전도성 배선의 형성시, 제1 패턴의 두께는 제2 패턴의 두께를 초과하지 않는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 도전성 패턴은 디스플레이 장치, 전자부품용 회로 등에 적용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의 해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.

<실시예>

기판상에 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(propylene glycol propyl ether, PGPE), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol, EG), 및 글리세롤(glycerol)로 구성되는 용매 70 wt%와 Ag NP(Ag nano particle) 5 wt%, 접착 개선제로 PEG600 25 wt%를 사용한 제1 조성물을 인쇄하였다. 제1 조성물을 건조한 후 형성된 패턴 위에 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(propylene glycol propyl ether, PGPE), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol, EG), 및 글리세롤(glycerol)로 구성되는 용매 50 wt%와 Ag NP(Ag nano particle) 50 wt%로 이루어진 제2 조성물을 인쇄하였다. 560℃에서 4시간 소성 후, 3M 테이프를 통해 부착성 테스트를 진행한 결과, 도전성 패턴의 손상이 없이 부착성이 우수함을 확인하였다.

상기 결과를 도 5 및 도 6에 나타내었다.

<비교예>

기판상에 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(propylene glycol propyl ether, PGPE), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol, EG), 및 글리세롤(glycerol)로 구성되는 용매 50 wt%와 Ag NP(Ag nano particle) 50 wt%로 이루어진 조성물을 인쇄하였다. 이를 통해 기판상에 도전성 패턴을 형성하였다. 상기 실시예와 동일하게 560℃에서 4시간 소성 후 부착성 테스트를 진행하였으나, 부착성이 낮아 도전성 패턴의 일부가 훼손됨을 확인하였다.

상기 결과를 도 5 및 도 6에 나타내었다.

도 1 및 도 2는 본 발명의 도전성 패턴 형성시, 기판상에 제1 조성물을 인쇄하여 제1 패턴을 형성하는 것을 개략적으로 나타낸 도이다.

도 3 및 도 4는 본 발명의 도전성 패턴 형성시, 제1 패턴상에 제2 조성물을 인쇄하여 제2 패턴을 형성하는 것을 개략적으로 나타낸 도이다.

도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예 및 비교예의 부착성 테스트 결과를 나타낸 도로서, 도 5의 점선을 경계로 우측면이 부착성 테스트를 실시한 면이고 좌측면은 테스트를 하지 않은 면이다.

Claims

1) 기판을 준비하는 단계,

4) 상기 제1 패턴 및 제2 패턴을 소성하는 단계

를 포함하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 기판은 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계는 소수성 기판 처리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계의 제1 조성물은 접착 개선제 0.1 ~ 35 wt% 및 용매 65 ~ 99.9 wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계의 상기 제1 조성물은 전도성 입자를 추가 로 포함하는 것인 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 5에 있어서, 상기 2) 단계의 상기 제1 조성물은 전도성 입자 0.1 ~ 10 wt%, 접착 개선제 0.1 ~ 35 wt% 및 용매 55 ~ 99.8 wt%를 포함하는 것인 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 5에 있어서, 상기 2) 단계 또는 제 4) 단계의 전도성 입자는 Ag, Cu, Au, Cr, Al, W, Zn, Ni, Fe, Pt, Pb, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계의 상기 접착 개선제는 용매에 용해된 상태에서 기판과의 접촉각이 30도 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계의 접착 개선제는 글래스 프릿(glass frit), 실리카 비드(silica beads), 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌글리콜, 및 셀룰로오스계 중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계 또는 3) 단계의 용매는 물, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 테트라히드로퓨란, 1,4-디옥산, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌글리콜 디에틸 에테르, 프로필렌글리콜 메틸 에테르, 프로필렌글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌글리콜 디에틸 에테르, 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,1-트리클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에텐, 헥산, 헵탄, 옥탄, 시클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 프로판올, 부탄올, t-부탄올, 시클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 2-메톡시부틸 아세테이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 에틸 셀로솔브아세테이트, 메틸 셀로솔브아세테이트, 부틸 아세테이트, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, γ-부틸락톤, N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아미드, 테트라메틸술폰, 에틸렌글리콜 아세테이트, 에틸 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트, 폴리에틸렌글리콜, 및 시클로헥사논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계 이후 상기 제1 패턴을 건조하는 단계를 추가로 포함하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 3) 단계의 제2 조성물은 전도성 입자 10 ~ 90 wt% 및 용매 10 ~ 90 wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성방법.

청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계의 제1 조성물의 인쇄 및 3) 단계의 제2 조 성물의 인쇄는 잉크젯법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성방법.

a) 기판,

b) 상기 기판상에 인쇄되고, 접착 개선제를 포함하는 제1 패턴, 및

을 포함하는 도전성 패턴.

청구항 14에 있어서, 상기 제1 패턴이 전도성 입자를 추가로 포함하는 것인 도전성 패턴.

청구항 14에 있어서, 상기 제1 패턴이 제2 패턴과의 계면에서 표면 요철을 갖는 것인 도전성 패턴.