KR20090046672A

KR20090046672A - 히트 싱크 홀더를 갖는 엘이디 광 발생장치 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20090046672A
Application number: KR1020080041418A
Authority: KR
Inventors: 레이-후아 홍; 동-싱 우; 쳉-충 치앙; 샤앙-윤 샤오; 탕-린 수; 헹-아이 린
Original assignee: 리웅 펑 인더스트리얼 컴퍼니, 엘티디.
Priority date: 2007-11-05
Filing date: 2008-05-02
Publication date: 2009-05-11
Also published as: US20090114934A1; US8048692B2; KR100996760B1; TWI397193B; JP4751897B2; JP2009117788A; TW200921933A

Abstract

히트 싱크 홀더(heat sink holder)를 갖는 발광 다이오드(LED; light emitting diode) 광 발생장치 및 그 제조방법이 모두 개시된다. 히트 싱크 홀더를 갖는 상기 LED 광 발생장치는 히트 싱크 홀더 및 적어도 하나의 LED 칩을 포함한다. 상기 히트 싱크 홀더는 높은 열 전도 계수로 만들어지고, 중심부 및 상기 중심부를 둘러싼 반사부를 갖는 반사 거울을 포함한다. 상기 반사부의 상부 표면의 수직선은 상기 중심부의 상부 표면의 수직선에 대해 예각을 형성한다. 상기 LED 칩은 상기 중심부의 상부 표면 및 상기 광 방출 필름을 위한 파워를 공급하기 위해 상기 광 방출 필름과 연결되고 저항성 접촉되는 전극 장치와 하나로 연결된다. 히트 싱크 홀더를 갖는 상기 LED 광 발생장치는 방열 및 일 지속 시간을 향상시킨다.

Description

히트 싱크 홀더를 갖는 엘이디 광 발생장치 및 그 제조방법{LED LIGHT EMITTER WITH HEAT SINK HOLDER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 광 발생장치(light emitter)에 관한 것으로, 특히 발광 다이오드(LED; light emitting diode) 칩과 히트 싱크 홀더(heat sink holder)를 포함한 LED 광 발생장치뿐만 아니라 이들의 제조 방법에 관한 것이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 통상적인 엘이디(LED) 광 발생장치(1)는 일반적으로 방열을 위한 리세스(홈;recess, 111)를 갖는 히트 싱크(11), 광전자 방출(photoemission)에 의해 광을 방출하기 위한 상기 리세스(111) 내에 장치된 LED 칩(12), 상기 LED 칩(12)을 접착하기 위한 상기 리세스(111)의 하부와 상기 LED 칩(12) 사이의 (전도성 페이스트(conducting paste)를 이용하지만 페이스트의 열 전도 계수가 낮은) 연결부(13), 및 상기 LED 칩(12)을 격리시키기 위한 상기 리세스(111)를 채운 투명한 충전부(stuffing portion; 14)를 포함한다.

상기 LED 칩(12)과 연결된 전극(121)은, 상기 LED 칩(12)에 파워를 제공하기 위해, 외부 회로의 전기적 연결선(도시되지 않았음)과 전기적으로 연결된다. 상기 LED 칩(12)에 의해 방출된 광의 대부분은 대기까지 상기 충전부(14)를 통해 직접 나가고, 상기 LED 칩(12)에 의해 방출된 광의 일부는 상기 리세스(111)의 측면에 반사되어 상기 충전부(14)를 통해 나간다. 상기 LED 칩(12)에 의해 발생된 열은 상기 연결부(13) 및 상기 히트 싱크 홀더(11)를 통해 배출되고, 따라서 전자 및 정공(hole)의 재결합 및 상기 광 발생장치(1)의 수명을 단축시키는데 영향을 끼치는 상기 LED 칩(12) 내로의 열을 피할 수 있다.

상기 광 발생장치(1)는 다음과 같이 제조된다. LED 칩(12)이 가장 먼저 제공된다. 상기 LED 칩(12) 및 상기 연결부(13)는 상기 히트 싱크 홀더(11)의 상기 리세스(111)에 접착된다. 상기 충전부(14)는 상기 리세스(111) 내에 채워진다.

상기 광 발생장치(1)는 근본적으로 동시대의 요구에 직면할 수 있다. 이의 제조 과정은 장기간의 반도체 제조 및 패키징 때문에 현실이 될 수 있다. 그러나 사람들은 여전히 상기 광 발생장치(1)를 연구하고 향상시키기 위해 노력한다. 그러한 디자인들이 대만 특허 제095104637호 및 제095106043호에 개시된다. 상기 특허 제095104637호는 광 휘도(light luminance)를 향상시키기 위해, 기판 및 연결부 사이에 절연된 베이스를 개시하고 있다. 상기 특허 제095106043호는 LED 내에 패키징된 정적 방전 방지 성분 및 그를 제조하기 위한 방법을 개시한다.

그러나, 상기 통상적인 광 발생장치(1)는 연결부(13)에 의해 접착된 LED 칩(12)을 포함한다. 열 전도는 상이한 층들 및 인터페이스들의 상이한 열 전도 계수에 영향을 받고, 상기 광 발생장치(1)의 광 방출 및 수명에 영향을 끼친다. 반면 에, 상기 연결부(13)가 상기 LED 칩(12)에 부착된 동안, 상기 연결부(13)는 파일링(piling)과 프레싱(pressing) 때문에, 보이드(void)를 형성하기 쉽고, 따라서 열 전도의 인터페이스를 파괴하여, 상기 광 발생장치(1)의 방열에 심각하게 영향을 주고, 그 수명을 단축시킨다.

국제특허출원 WO2006112356A1 및 일본 특허 출원 JP2006339542A 모두는 방열을 위한 열 회로 보드(thermal circuit board) 상에 직접 결합된 다이(die)를 개시하고 있다. 그러나, 이 방법은 방열이 우수한 재료를 필요로 한다. 더욱이, 열 크기는 단지 열 저항의 감소를 막는 상기 다이의 컨택트 크기이다.

상기 결점을 극복한 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치 및 이를 제조하는 방법이 바람직하다.

본 발명의 주목적은 LED 칩의 방열 속도를 높이고 상기 LED 칩의 광 발생을 향상시켜, 그 수명을 늘린, 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 히트 싱크 홀더를 갖는 이러한 LED 광 발생장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따라 히트 싱크 홀더를 갖는 상기 LED 광 발생장치는, 히트 싱크 홀더 및 적어도 LED 칩을 포함한다. 상기 히트 싱크 홀더는 높은 열 전도 계수를 갖는 재료로 만들어지고, 중심부를 갖는 반사 거울(reflecting mirror) 및 상기 중심부를 둘러싼 반사부를 포함한다. 상기 반사부의 상부 표면의 수직선은 상기 중심부의 상부 표면의 수직선에 관하여 예각(acute angle)을 형성한다. 상기 LED 칩은 상기 중심부의 상부 표면과 하나로 연결되고, 상기 중심부의 상기 상부 표면과 하나로 연결된 기판, 광전자 방출에 의한 광 발생을 위한 상기 기판 상의 광 방출 필름, 및 상기 광 방출 필름을 위한 파워 제공을 위한 상기 광 방출 필름과 연결되며 저항성 접촉되는 전극 장치를 포함한다.

본 발명의 다른 태양에 따라, 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치를 제조하는 방법은 칩 준비 단계, 희생층 형성 단계, 히트 싱크 홀더 형성 단계 및 희생층 제거 단계를 포함한다. 상기 칩 준비 단계는 LED 칩의 광 방출 필름이 지지부에 맞닿는 방법으로 상기 지지층 상에 상기 LED 칩을 놓고 고정하는 것을 포함한다. 상기 LED 칩은 기판, 광전자 방출에 의해 광을 발생시키기 위한 상기 기판 상의 광 방출 필름, 및 상기 광 방출 필름을 위한 파워를 공급하기 위한 상기 광 방출 필름과 연결되고 저항성 접촉되는 전극 장치를 포함한다. 상기 희생층 형성 단계는 상기 LED 칩의 주변 근처 및 상기 지지부 상에 제거 가능한 희생층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 희생층의 두께는 상기 LED 칩의 상부로부터 상기 지지부까지 계속적으로 감소한다. 상기 히트 싱크 홀더 형성 단계는 상기 LED 칩의 상기 기판의 하부로부터 높은 열 전도 계수의 재료를 갖는 상기 희생층까지 히트 싱크 홀 더를 형성하는 것을 포함한다. 상기 히트 싱크 홀더는 상기 기판의 하부 표면에 실질적으로 평행한 상부 표면을 갖는다. 상기 희생층 제거 단계는 히트 싱크 홀더를 갖는 상기 LED 광 발생장치를 형성하기 위해 상기 희생층을 제거하는 것을 포함한다.

도 2를 참고하면, 본 발명의 제1 실시예와 상응하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치(2)는, 히트 싱크 홀더(3) 및 상기 히트 싱크 홀더 상에 배치된 LED 칩(4)을 포함한다. 일실시예에서, 단지 하나의 LED 칩(4)이 제공되고, 상기 LED 칩(4)은 예컨대, 수평형 전도성 LED 칩이다.

상기 히트 싱크 홀더(3)는 높은 열 전도 계수를 갖는 재료로 만들어지고, 구리, 금, 은, 니켈, 주석, 티타늄, 플래티넘, 팔라듐, 텅스텐, 몰리브덴 등 또는 이들로부터 선택된 원소를 갖는 합금으로 형성된 베이스(31)를 갖는다. 반사 거울(32)은 높은 반사 계수 재료로 만들어지고 상기 베이스(31) 상에 제공된다. 상기 반사 거울(32)은 중심부(33) 및 상기 중심부(33)를 둘러싼 반사부(34)를 포함한다. 상기 LED 칩(4)은 완전히 상기 중심부(33) 상에 형성된다. 상기 반사부(34)의 상부 표면의 수직선은 상기 중심부(33)의 상부 표면의 수직선에 대해 예각을 형성한다. 상기 반사부(34)의 상기 상부 표면은 완만한 곡선의 표면이고, 상기 히트 싱크 홀더(3)의 하부에 반대로 실질적으로 돌출됨으로써, 광이 집중 방출을 위해 반사된다.

상기 LED 칩(4)은 상기 히트 싱크 홀더(3)와 하나로 연결된다. 상기 LED 칩(4)은 상기 중심부(33)의 상기 상부 표면과 연결된 기판(41), 광전자 방출에 의해 광을 방출하기 위한 광 방출 필름(42), 및 상기 광 방출 필름(42)을 위한 파워를 공급하기 위한 상기 광 방출 필름(42)과 연결되고 저항성 접촉되는 전극 장치(43)를 갖는다. 상기 광 방출 필름(42)은 상이한 n형 또는 p형을 형성하도록 각각 도핑(doping)된 제1 코팅층(421) 및 제2 코팅층(422), 상기 제1 코팅층(421) 및 상기 제2 코팅층(422) 사이의 활성층(423), 및 투명 전도층(424)을 포함한다. 상기 활성층(423)은 상기 제1 코팅층(421) 및 상기 제2 코팅층(422)에 관하여 캐리어 장벽(carrier barrier)으로서의 역할을 한다. 상기 투명 전도층(424)은 투명한 전도성 금속 산화물로 이루어진다. 예컨대, 상기 투명 전도층(424)은 인듐 및 주석 산화물로 이루어지고, 상기 제2 코팅층(422) 상에 형성된다. 상기 전극 장치(43)는 상기 제1 코팅층(421) 상의 제1 전극(431) 및 상기 투명 전도층(424) 상의 제2 전극(432)을 포함한다. 상기 제1 전극(431) 및 상기 제2 전극(432)은 상기 광 방출 필름(42)에 파워를 공급하기 위해 전기적 연결선(도시되지 않았음)들로 각각 전기적으로 연결됨으로써, 상기 LED 칩(4)은 광을 방출하는 것이 가능하다.

상기 제1 전극(431) 및 상기 제2 전극(432)이 상기 전기적 연결선들을 통해 상기 LED 칩(1)에 파워를 공급하는 경우, 상기 광 방출 필름(42)을 통해 전류가 흐른다. 상기 광 방출 필름(42)은 전자/정공 재결합으로 인해 광을 발생시킨다. 위쪽으로 움직이는 대부분의 광은 외부를 향해 곧장 방출한다. 상기 반사부(34)의 상기 상부 표면이 완만한 곡선의 표면이기 때문에, 양(+)의 방향으로 움직이지 않는 다 른 광이 상기 히트 싱크 홀더(3)의 상기 반사 거울(32)에 반사되는 동안, 집중적으로 반사되고, 이어 외부를 향해 양의 방향으로 방출한다. 따라서, 상기 광 발생장치(2)는 높은 발광 능률을 갖는다. 상기 LED 칩(4)은 방출 광에 동반한 내부 열을 발생시킨다. 상기 LED 칩(4)의 상기 내부 열은 상기 LED 칩(4)으로부터 밖으로 나가기 위해 상기 히트 싱크 홀더(3)를 곧장 통과한다. 종래 기술과 비교하여, 본 발명의 상기 LED 광 발생장치(2)는 도 1에서 상기 LED 칩(12)을 부착하는데 이용된 연결부(13)를 통과한 광을 막는다. 결과적으로, 본 발명은 더 빨리 그리고 더 효과적으로 방열을 할 수 있고, 안정되고 효과적으로 상기 LED 칩(4)의 작동을 보장하며, 따라서 상기 LED 광 발생장치의 발광 능률을 향상시켜, 그 일 지속시간(work duration)을 늘린다.

도 3은 히트 싱크 홀더를 갖는 상기 LED 광 발생장치(2)를 제조하는 방법을 도시하고, 이는 이하 더 명백하게 설명된다.

도 3을 참고하면, 제1 단계는 상기 임시 기판 상에 LED 칩이 배치된다 (단계 51). LED 칩(4)이 사전에 형성되고, 이는 에피층(epilayer) 성장을 위한 적어도 하나의 기판(41), 상기 기판(41) 상의 광 방출 필름(42) 및 상기 광 방출 필름(42)과 연결되고 저항성 접촉되는 전극 장치(43)를 포함한다. 특히, 제1 단계는 단일 LED 칩, 몇 개의 분리된 LED 칩, 또는 웨이퍼 생산에 의한 거대한 LED 칩에 적합하다. 단일 LED 칩, 몇 개의 분리된 LED 칩, 또는 거대한 LED 칩의 생산 방법은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있고, 본 명세서에 설명될 필요는 없다.

덧붙여 도 4를 참고하면, 상기 칩 준비 단계(52)는 광 방출 필름(42)이 지지부(61)에 맞닿는 방법으로 상기 지지부(61) 상에 상기 LED 칩(4)을 놓는 것을 포함한다. 예컨대, 상기 지지부(61)는 유리 기판이다.

도 3 및 도 5를 참고하면, 상기 희생층 형성 단계(53)는 고분자, 예컨대 민감한 광-저항 재료를, 제거 가능한 희생층(62)을 형성하기 위해 상기 LED 칩(4)의 주위 근처 및 상기 지지부(61) 상에 놓는 것을 포함한다. 상기 희생층 형성 단계 동안, 코팅 처리 회전의 속도를 제어함으로써, 상기 LED 칩(4)의 상부로부터 상기 지지부(61)까지 완만한 오목한 표면을 따라 상기 희생층(62)의 두께는 계속적으로 감소한다.

도 3 및 도 6을 참고하면, 상기 히트 싱크 홀더 형성 단계(54)는 상기 LED 칩(4)의 상기 기판(41)으로부터 물리적으로 코팅에 의해 높은 열 전도 계수 및 높은 광 반사 계수의 재료를 갖는 상기 희생층(62)까지, 반사 거울(32)을 형성하는 단계를 포함한다. 순차적으로, 높은 열 전도 계수 재료는 베이스(31)를 형성하기 위해 전기적으로 코팅에 의해 상기 반사 거울(32) 상에 위쪽으로 점진적으로 코팅된다. 상기 반사 거울(32) 및 상기 베이스(31)는 함께 상기 기판(41)의 하부 표면에 실질적으로 평행한 상부 표면을 갖는 히트 싱크 홀더(3)를 형성한다.

마지막 단계는 희생층 제거 단계(55)이고, 이는 히트 싱크 홀더를 갖는 상기 LED 광 발생장치(2)를 형성하기 위해 상기 희생층(62)을 식각하는 단계를 포함한다.

바람직하게, 상기 히트 싱크 홀더 형성 단계(54)에서, 상기 반사 거울(32) 은, 상대적으로 높은 굴절률의 필름 부분이 상대적으로 낮은 굴절률의 필름 부분과 중첩되는 방법으로 배치된 적어도 두 개의 필름부로 형성됨으로써, 광 반사를 더 향상시킨다. 상기 베이스(31)는 (파워를 갖거나 갖지 않는) 전기 코팅에 의해 또는 진공 코팅에 의해 형성될 수 있다.

도 7을 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 LED 광 발생장치(2')는 상기 LED 광 발생장치(2')의 LED 칩(4')을 제외하고는, 본 발명의 제1 실시예의 상기 LED 광 발생장치(2)와 유사하다. 상기 LED 칩(4')은 수직형 전도성 LED 칩이다. 그래서 전극 장치(43'), 및 투명 전도층(424') 및 제1 코팅층(421') 사이의 연결은 상기 제1 실시예의 상기 수평형 전도성 LED 칩(4)과 구별된다. 상기 수평형 전도성 LED 칩(4) 및 상기 수직형 전도성 LED 칩(4') 모두는 이 분야에 널리 알려져 있고, 본 발명의 극히 중대한 진의는 아니다. 그러므로 상기 LED 칩의 더 상세한 설명은 생략된다. 상기 제2 실시예에 따라 상기 LED 광 발생장치(2')를 제조하는 방법은, 칩 제조 단계를 제외하고는, 상기 제1 실시예에 따라 상기 LED 광 발생장치(2)를 제조하는 방법과 유사하다. 상기 제1 실시예에 따라 상기 LED 광 발생장치(2)를 제조하는 방법은 상기 칩 제조 단계에서 수평형 전도성 LED 칩(4)을 만드는 반면, 상기 제2 실시예에 따라 상기 광 발생장치(2')를 제조하는 방법은 상기 칩 제조 단계에서 수직형 전도성 LED 칩(4')을 만든다.

많은 변화 또는 변형이 본 발명의 진의를 벗어남이 없이 본 발명에 이루어질 수 있다. 예컨대, 복수의 LED 칩들(4, 4')은 상기 히트 싱크 홀더(3)의 상기 중심부(33) 상에 제공되고, 상기 LED 광 발생장치의 휘도를 향상시킨다. 또 다른 실시 예에서, 상기 LED 칩들(4, 4')은 상이한 파장이다. 상기 LED 광 발생장치는 혼합광, 특히 백색광을 방출할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 단색광을 방출하는 복수의 LED 칩(4, 4')은 하나의 LED 광 발생장치 상에 함께 제공되고, 상기 광 발생장치의 휘도를 향상시킨다. 또 다른 실시예에서, 혼합광을 방출하는 복수의 LED 칩(4, 4')은 하나의 LED 광 발생장치 상에 함께 제공된다. 그러한 변화들은 모두 본 발명의 범위에 속한다.

본 발명이 그 진의를 벗어남이 없이, 다른 형태로 구체화될 수 있다는 것은 이해될 것이다. 따라서, 본 발명의 예들 및 실시예들은 설명적으로 및 한정되지 않도록 모든 점에서 고려되고, 본 발명은 본 명세서에 주어진 상기 설명들에 한정되지 않는다.

도 1은 통상적인 LED 광 발생장치의 횡단면도,

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치의 횡단면도,

도 3은 도 2의 히트 싱크 홀더를 갖는 상기 LED 광 발생장치 제조 방법의 흐름도,

도 4는 칩 준비를 도시한, 도 3의 상기 방법에 따른 히트 싱크 홀더를 갖는 반제조된(semi-manufactured) LED 광 발생장치의 횡단면도,

도 5는 희생층 형성 단계를 도시한, 도 3의 상기 방법에 따른 히트 싱크 홀더를 갖는 반제조된 LED 광 발생장치의 횡단면도,

도 6은 히트 싱크 홀더 형성 단계를 도시한, 도 3의 상기 방법에 따른 히트 싱크 홀더를 갖는 반제조된 LED 광 발생장치의 횡단면도,

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치의 횡단면도이다.

Claims

높은 열 전도 계수를 갖는 재료로 만들어지고, 중심부 및 상기 중심부를 둘러싼 반사부를 갖는 반사 거울을 포함하고, 상기 반사부의 상부 표면의 수직선이 상기 중심부의 상부 표면의 수직선에 대해 예각을 형성한 히트 싱크 홀더; 및

상기 중심부의 상부 표면과 하나로 연결되고, 상기 중심부의 상부 표면과 연결된 히트 싱크 홀더, 광전자 방출에 의해 광을 방출하기 위한 상기 홀더 상의 광 방출 필름, 및 상기 광 방출 필름을 위한 파워를 공급하기 위해 상기 광 방출 필름과 연결되고 저항성 접촉되는 전극 장치를 포함한 적어도 하나의 LED 칩;을 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치.
제1 항에 있어서,

상기 히트 싱크 홀더는 베이스를 포함하고, 상기 반사 거울은 높은 반사 계수 재료로 만들어지고 상기 베이스 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치.
제2 항에 있어서,

상기 베이스는 구리, 금, 은, 니켈, 주석, 티타늄, 플래티넘, 팔라듐, 텅스 텐, 몰리브덴, 또는 이들로부터 선택된 원소들을 갖는 소정의 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치.
제1 항에 있어서,

상기 반사부의 상기 상부 표면은 완만한 곡선의 표면을 갖고, 상기 히트 싱크 홀더의 하부에 반대로 실질적으로 돌출된 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치.
제1 항에 있어서,

상기 광 방출 필름은 상이한 n형 또는 p형을 형성하도록 각각 도핑(doping)된 제1 코팅층 및 제2 코팅층; 및

상기 제1 코팅층 및 상기 제2 코팅층 사이에 위치하고, 상기 제1 코팅층 및 상기 제2 코팅층에 관하여 캐리어 장벽(carrier barrier)으로서의 역할을 하는 활성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치.
제5 항에 있어서,

상기 광 방출 필름은, 투명한 전도성 금속 산화물로 만들어지고, 상기 제1 코팅층 상에 형성된 투명층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치.
제5 항에 있어서,

상기 광 방출 필름은 투명한 전도성 금속 산화물로 만들어지고, 상기 제2 코팅층 상에 형성된 투명층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치.
LED 칩의 광 발생면이 지지부에 맞닿는 방법으로 상기 지지층 상에 상기 LED 칩을 놓고 고정하되, 상기 LED 칩은 히트 싱크 홀더, 광전자 방출에 의해 광을 발생시키기 위한 상기 히트 싱크 홀더 상의 광 방출 필름, 및 상기 광 방출 필름을 위한 파워를 공급하기 위해 상기 광 방출 필름과 연결되고 저항성 접촉되는 전극 장치를 포함하는, 칩 준비 단계;

상기 LED 칩의 주변 근처 및 상기 지지부 상에 제거 가능한 희생층을 형성하고, 상기 희생층의 두께는 상기 LED 칩의 상부로부터 상기 지지부까지 계속적으로 감소하는, 희생층 형성 단계;

상기 LED 칩의 하부로부터 높은 열 전도 계수의 재료를 갖는 상기 희생층까지 히트 싱크 홀더를 형성하고, 상기 히트 싱크 홀더는 상기 기판의 하부 표면에 실질적으로 평행한 상부 표면을 갖는, 히트 싱크 홀더 형성 단계; 및

히트 싱크 홀더를 갖는 상기 LED 광 발생장치를 형성하기 위해, 상기 희생층을 제거하는 희생층 제거 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치 제조 방법.
제8 항에 있어서,

LED 칩을 사전에 형성하기 위한 칩 제조 단계를 더 포함하되, 상기 LED 칩은 히트 싱크 홀더, 광전자 방출에 의해 광을 발생시키기 위한 상기 히트 싱크 홀더 상의 광 방출 필름, 및 상기 광 방출 필름을 위한 파워를 공급하기 위해 상기 광 방출 필름과 연결되고 저항성 접촉되는 전극 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치 제조 방법.
제8 항에 있어서,

상기 희생층의 두께는 상기 LED 칩의 상부로부터 상기 지지부까지 완만한 오목한 표면을 따라 계속적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치 제조 방법.
제8 항에 있어서,

상기 히트 싱크 홀더 형성 단계는, 상기 LED 칩의 상기 기판의 하부로부터 높은 광 반사 계수 및 높은 열 전달 계수의 재료를 갖는 상기 희생층까지 반사 거울을 형성하고, 높은 열 전달 계수를 갖는 상기 반사 거울 상에 위쪽 방향으로 점진적으로 코팅된 베이스를 순차적으로 형성하고, 상기 반사 거울 및 상기 베이스는 상기 히트 싱크 홀더를 함께 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치 제조 방법.
제11 항에 있어서,

상기 반사 거울은, 상대적으로 높은 굴절률의 필름부가 상대적으로 낮은 굴절률의 필름부와 중첩되는 방법으로 배열된, 적어도 두 개의 필름부로 형성되는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치 제조 방법.
제11 항에 있어서,

상기 베이스는 전기 코팅에 의해 점진적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 홀더를 갖는 LED 광 발생장치 제조 방법.