KR20090045087A - 금속 패턴 형성용 전사 필름 및 금속 패턴 형성 방법 - Google Patents

금속 패턴 형성용 전사 필름 및 금속 패턴 형성 방법 Download PDF

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KR20090045087A
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Abstract

본 발명은 지지 필름 상에 레지스트층, 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 유리 페이스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지고, 상기 유리 페이스트층이, 유리 분말과 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분이 5 질량％ 이하인 결착 수지를 함유하는 금속 패턴 형성용 전사 필름, 및 이들 층을 형성하여 행하는 금속 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 금속 패턴 형성용 전사 필름 및 금속 패턴 형성 방법에 따르면, 저항이 낮은 전극을 제조할 수 있고, 또한 현상 공정으로 FPD 부재의 투명성을 유지하여 금속박의 유리 페이스트층으로부터의 박리를 저지할 수 있고, 또한 에칭 공정에 있어서, 레지스트층의 금속박으로부터의 이탈을 방지할 수 있다.
금속 패턴 형성용 전사 필름, 레지스트층, 유리 페이스트층, 유리 분말, 친수성기, 에칭 공정

Description

금속 패턴 형성용 전사 필름 및 금속 패턴 형성 방법 {Transfer Film for Forming Metal Pattern and Method for Forming Metal Pattern}
본 발명은 금속 패턴 형성용 전사 필름 및 금속 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기 저항이 낮은 전극의 형성에 적합한 금속 패턴 형성용 전사 필름 및 금속 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
최근, 회로 기판이나 디스플레이 패널에 있어서의 패턴 가공에 대하여, 고밀도화 및 고정밀화의 요구가 높아지고 있다. 이러한 요구가 높아지고 있는 디스플레이 패널 중에서도, 특히 플라즈마 디스플레이 패널(이하 「PDP」라고도 함)이나 필드에미션 디스플레이(이하 「FED」라고도 함) 등의 평판 디스플레이(이하 「FPD」라고도 함)가 주목받고 있다.
도 1은 교류형의 PDP의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 도 1에 있어서, 101 및 102는 서로 대향하도록 배치된 유리 기판, 103은 격벽이고, 유리 기판 (101), 유리 기판 (102), 격벽 (103)에 의해 셀이 구획 형성되어 있다. 104는 유리 기판 (101)에 고정된 투명 전극이고, 105는 투명 전극 (104)의 저항을 내리는 목적으로 상기 투명 전극 (104) 상에 형성된 버스 전극이고, 106은 유리 기판 (102)에 고정된 어드레스 전극이다. 107은 셀 내에 유지된 형광 물질이고, 108은 투명 전극 (104) 및 버스 전극 (105)를 피복하도록 유리 기판 (101)의 내면에 형성된 유전체층이고, 109는 어드레스 전극 (106)을 피복하도록 유리 기판 (102)의 내면에 형성된 유전체층이고, 110은 예를 들면 산화마그네슘으로 이루어지는 보호막이다. 또한, 컬러 PDP에 있어서는 콘트라스트가 높은 화상을 얻기 위해서, 유리 기판과 유전체층과의 사이에 컬러 필터(적색·녹색·청색)나 블랙 매트릭스 등을 설치하거나, 발광 휘도를 높이기 위해서 전면 격벽을 설치하거나 하는 경우가 있다.
이러한 FPD에 사용되는 전극은 저항이 낮은 것이 바람직하다.
전극의 제조 방법으로서는, 일반적으로 도전성 분체를 함유하는 도전성 페이스트에 의해 전극을 형성하는 방법이 이용된다. 그러나, 이 방법에 의하면, 도전성 페이스트 중에 포함되는 결합제나 계면활성제 등이 전극 중에 불순물로서 잔류하는 것을 피할 수 없기 때문에, 이들 불순물에 의해 전극의 저항이 높아지고, 저항이 낮은 전극을 제조하는 것은 곤란하였다.
따라서, 저항이 낮은 전극을 제조하는 방법으로서, 금속박을 이용하여 전극을 형성하는 방법이 개발되었다 (일본 특허 공개 (소)57-40810호 공보 참조). 금속박은 순수한 금속으로부터 형성되기 때문에, 전극의 저항을 낮게 하는 것이 가능하다.
그러나, 금속박은 유리 기판에 대한 접착성이 낮다. 따라서, 금속박을 유리 기판에 접착시키기 위해서, 금속박과 유리 기판과의 사이에 유리 페이스트를 개재 시킴으로써, 금속박을 유리 기판에 접착시키는 방법이 개발되었다 (일본 특허 공개 (평)8-293259호 공보 참조).
구체적으로는 유리 기판 상에 유리 페이스트층을 설치하고, 그 위에 금속박, 레지스트층을 적층하여 적층체를 형성한다. 이 적층체를 노광 처리하여, 레지스트층에 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 또한 현상 처리하여, 레지스트층에 레지스트 패턴을 현재화시킨다. 이것을 에칭 처리하여, 레지스트 패턴에 대응하는 금속박의 패턴을 형성한다. 그 후, 이것을 소성하여, 레지스트층을 제거함으로써 전극이 제조된다.
그러나, 유리 페이스트를 이용하면, 상기 현상 공정에 있어서, 유리 페이스트층이 팽윤해버려 유리 페이스트층의 평활성이 상실되고, FPD 부재의 투명성이 손상된다는 문제가 있었다. 또한, 이 유리 페이스트층의 팽윤에 의해, 유리 페이스트층이 기판으로부터 이탈 분리해버린다는 문제도 있었다.
또한 금속박을 이용하면, 에칭에 의해 금속층을 용해 제거해야만 하기 때문에, 도전성 페이스트를 이용한 경우보다도 강한 조건으로 에칭 처리할 필요가 있다. 이러한 조건으로 에칭 처리를 행하면, 그의 처리 중에 레지스트층이 금속박으로부터 박리되기 쉬워진다는 문제가 있었다.
<특허 문헌 1> 일본 특허 공개 (소)57-40810호 공보
<특허 문헌 2> 일본 특허 공개 (평)8-293259호 공보
본 발명은 금속박 등을 전극 재료에 이용하여 FPD 부재를 제조하는 경우에 생기는 상기 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 즉 본 발명의 목적은 현상 공정에 있어서, FPD 부재의 투명성을 유지하고, 금속박의 유리 페이스트층으로부터의 박리를 방지할 수 있는 재료 및 방법을 제공하는 것이다. 또한 본 발명의 목적은 에칭 공정에 있어서, 레지스트층의 금속박으로부터의 이탈 분리를 방지할 수 있는 재료 및 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 해결하는 본 발명은
지지 필름 상에 (A) 레지스트층, (B) 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 (C) 유리 페이스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지고,
상기 (C) 유리 페이스트층은, (a) 유리 분말과 (b) 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분이 5 질량％ 이하인 결착 수지를 함유하는 (C') 유리 페이스트를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성용 전사 필름이고,
또한, 지지 필름 상에 (B) 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 (C) 유리 페이스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지고,
상기 (C) 유리 페이스트층은, (a) 유리 분말과 (b) 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분이 5 질량％ 이하인 결착 수지를 함유하는 (C') 유리 페이스트를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성용 전사 필름이다.
그의 바람직한 양태로서, 상기 (b) 결착 수지가 알킬(메트)아크릴레이트만으로 이루어지는 수지이고,
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름은 상기 (C') 유리 페이스트가 추가로 (c) 용제를 함유하고,
상기 (B) 금속층이 Ag, Au, Al 및 Cu로 이루어지는 군에서 선택되는 1개 이상으로부터 형성되고,
상기 (B) 금속층이 금속박에 의해 형성되고,
상기 (B) 금속층이 진공 제막법으로 형성되고,
상기 금속 패턴이 평판 디스플레이 부재인 것들이다.
또한 본 발명은
유리 기판 상에 (C) (a) 유리 분말과 (b) 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분이 10 질량％ 이하인 결착 수지를 함유하는 (C') 유리 페이스트를 이용하여 형성된 유리 페이스트층, (B) 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 (A) 레지스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지는 적층체를 형성하는 적층 공정,
상기 적층체를 노광 처리하여, 상기 (A) 레지스트층에 레지스트 패턴의 잠상을 형성하는 노광 공정,
상기 노광 공정을 거친 상기 적층체를 현상 처리하여, 상기 (A) 레지스트층에 레지스트 패턴을 현재화시키는 현상 공정,
상기 현상 공정을 거친 상기 적층체를 에칭 처리하여, 레지스트 패턴에 대응하는 금속층의 패턴을 형성하는 에칭 공정, 및
상기 패턴 형성 공정을 거친 상기 적층체를 소성하는 소성 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법이다.
그의 바람직한 양태로서, 상기 금속 패턴 형성 방법은
상기 에칭 공정을 상기 적층체를 에칭액에 침지함으로써 행하고,
상기 현상 공정 및 에칭 공정을, 상기 적층체를 에칭액에 침지함으로써 행하고,
상기 노광 잠상 형성 공정 후 상기 현상 공정 전에 또는 상기 현상 공정 후 상기 에칭 공정 전에, 상기 적층체를 가열하여, 상기 레지스트층을 경화시키는 가열 경화 공정을 포함하고,
상기 현상 공정 후 상기 에칭 공정 전에, 상기 적층체를 노광하여, 상기 레지스트층을 경화시키는 노광 경화 공정을 포함한다.
또한, 상기 금속 패턴 형성 방법의 바람직한 양태로서, 상기 금속 패턴은 평판 디스플레이 부재이다.
본 발명의 금속 패턴 형성용 전사 필름 및 금속 패턴 형성 방법에 따르면, 저항이 낮은 전극을 제조할 수 있고, 또한 현상 공정에 있어서, 유리 페이스트의 팽윤을 방지함으로써 FPD 부재 등의 금속 패턴의 투명성을 유지하여, 금속박의 유리 페이스트층으로부터의 박리를 저지할 수 있고, 또한 에칭 공정에 있어서, 레지스트층의 금속박으로부터의 이탈 분리를 방지할 수 있다.
<금속 패턴 형성용 전사 필름>
본 발명의 금속 패턴 형성용 전사 필름은 지지 필름 상에 (A) 레지스트층, (B) 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 (C) 유리 페이스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지고, 또는 지지 필름 상에 (B) 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 (C) 유리 페이스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어진다.
(A) 레지스트층
본 발명에 있어서의 레지스트층을 형성하는 재료로서는 특별히 제한은 없고, 공지된 포토레지스트를 사용할 수 있다. 네가티브형이거나, 포지티브형일 수도 있다. 물론, 포지티브형보다도 경화에 필요한 노광량이 작은 점에서 네가티브형 쪽이 바람직하다.
본 발명에 있어서의 레지스트층은, 예를 들면 감광성 단량체, 광중합 개시제 및 결착제를 함유한다.
상기 감광성 단량체는 노광에 의해 중합하여 현상액에 대한 용해성이 변화하는 물질이고, 예를 들면 노광에 의해 중합하여, 노광 부분이 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이 되는 물질이다. 감광성 단량체로서, 이러한 노광에 의해 알칼리 불용성 등이 되는 물질을 이용하면, 노광부와 미노광부와의 콘트라스트를 부여하기 쉬워지기 때문에, 패턴의 고정밀화가 가능해지고, 패턴 형상을 조절하기 쉬워진다는 이점이 있다. 이러한 노광에 의해 알칼리 불용성 등이 되는 물질로서는, 예를 들면 에틸렌성 불포화기 함유 화합물, 바람직하게는 다관능 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
상기 에틸렌성 불포화기 함유 화합물의 구체예로서는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리 프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양쪽 말단 히드록시폴리부타디엔, 양쪽 말단 히드록시폴리이소프렌, 양쪽 말단 히드록시폴리카프로락톤 등의 양쪽 말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류;
글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지 (메트)아크릴레이트, 실리콘 수지 (메트)아크릴레이트, 스피란 수지 (메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 등이 특히 바람직하게 이용된다.
상기 다관능성 (메트)아크릴레이트의 분자량으로서는 100 내지 2,000인 것이 바람직하다.
본 발명의 레지스트층에 있어서의 감광성 단량체의 함유 비율로서는 결착 수지 100 질량부에 대하여, 통상적으로 5 내지 100 질량부이고, 바람직하게는 10 내지 70 질량부이다.
상기 광중합 개시제의 구체예로서는 벤질, 벤조인, 벤조페논, 캄포퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시 -2-페닐아세토페논, 2-메틸-〔4'-(메틸티오)페닐〕-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부티로니트릴, 4-아지드벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 메르캅탄디술피드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드 등의 유기황 화합물; 벤조일퍼옥시드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸하이드로퍼옥시드, 쿠멘하이드로퍼옥시드, 파라메탄하이드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-〔2-(2-푸라닐)에틸레닐〕-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐)4,5,4',5'-테트라페닐 1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 레지스트층에 있어서의 광중합 개시제의 함유 비율로서는 감광성 단량체 100 질량부에 대하여, 통상적으로 5 내지 100 질량부이고, 바람직하게는 10 내지 50 질량부이다.
상기 결착 수지로서는 다양한 수지를 사용할 수 있지만, 알칼리 가용성 수지를 30 내지 100 질량％의 비율로 함유하는 결착 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 여기에 「알칼리 가용성」이란, 알칼리성의 현상액에 의해서 용해되고, 목적으로 하는 현상 처리가 수행되는 정도에 용해성을 갖는 성질을 말한다. 알칼리 가용성 수지를 이용하면, 예를 들면 카르복실기 함유 단량체의 함유량을 변량함으로써, 알칼리 현상액에 대한 용해 속도나 패턴 형상을 조절할 수 있다는 이점이 있다.
이러한 알칼리 가용성 수지의 구체예로서는, 예를 들면 (메트)아크릴계 수 지, 히드록시스티렌 수지, 노볼락 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.
이와 같은 알칼리 가용성 수지 중, 특히 바람직한 것으로서는 하기의 단량체 (가)와 단량체 (다)와의 공중합체, 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체 등의 아크릴 수지를 들 수 있다.
단량체 (가): 카르복실기 함유 단량체류
아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트 등.
단량체 (나): OH기 함유 단량체류
(메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필,
(메트)아크릴산 3-히드록시프로필 등의 수산기 함유 단량체류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등.
단량체 (다): 그 밖의 공중합 가능한 단량체류
(메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 n-라우릴, (메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산시클로헥실, (메트)아크릴산디시클로펜타닐 등의 단량체 (가) 이외의 (메트)아크릴산에스테르류; 메틸-α-(히드록시메틸)아크릴레이트, 에틸-α-(히드록시메틸)아크릴레이트, n-부틸-α-(히드록시메틸)아크릴레이트 등의 α-히드록시메틸기를 갖는 아크릴레이트; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 단량체류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔류; 폴리스티렌, 폴리(메트)아크 릴산메틸, 폴리(메트)아크릴산에틸, 폴리(메트)아크릴산벤질 등의 중합체쇄의 한쪽 말단에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 거대 단량체류 등.
상기 단량체 (가)와 단량체 (다)와의 공중합체나, 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는 단량체 (가)에 유래하는 공중합 성분의 존재에 의해, 알칼리 가용성을 갖는 것이 된다. 그 중에서도 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는 (A) 무기 분체의 분산 안정성이나 후술하는 알칼리 현상액에의 용해성의 관점에서 특히 바람직하다.
이 공중합체에 있어서의 단량체 (가)에 유래하는 공중합 성분의 함유율은, 바람직하게는 5 내지 60 질량％, 특히 바람직하게는 10 내지 40 질량％이고, 단량체 (나)에 유래하는 공중합 성분의 함유율은, 바람직하게는 1 내지 50 질량％, 특히 바람직하게는 5 내지 30 질량％이다.
본 발명의 조성물에 이용되는 알칼리 가용성 수지로서 특히 바람직한 조성으로서는 메타크릴산/메타크릴산벤질/메타크릴산시클로헥실 공중합체, 메타크릴산/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산 n-부틸 공중합체, 및 메타크릴산/숙신산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산 n-부틸 공중합체 등을 들 수 있다.
상기 알칼리 가용성 수지의 분자량으로서는, Mw가 5,000 내지 5,000,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 300,000이다.
본 발명의 레지스트층은 가열 또는 노광에 의해 경화할 수 있는 것이 바람직하다. 레지스트층을 경화시킬 수 있으면, 에칭 전에 레지스트층을 경화시킴으로써 레지스트층과 금속층과의 접착이 견고하게 되어, 강한 조건으로 에칭 처리를 행하여도, 레지스트층이 금속층으로부터 이탈 분리되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서의 레지스트층에는, 임의 성분으로서 안료, 증점제, 가소제, 분산제, 현상 촉진제, 접착 보조제, 헐레이션(halation) 방지제, 레벨링제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 증감제, 연쇄 이동제 등의 각종 첨가제가 함유될 수도 있다.
본 발명의 레지스트층의 두께는 통상적으로 0.1 내지 40 ㎛이고, 바람직하게는 0.5 내지 20 ㎛이다.
(B) 금속층
본 발명에 있어서의 금속층이란 실질적으로 금속 이외의 성분을 포함하지 않는 층을 말한다.
본 발명에 있어서의 금속층은 두께가 1 내지 20 ㎛이다. 금속층의 두께가 1 ㎛보다 작으면, 전극의 저항치를 작게 하는 것이 곤란해진다. 금속층의 두께가 20 ㎛보다 크면, 에칭시에 금속층을 용해 제거하는 데 장시간이 걸려, 그 사이에 레지스트층이 금속층으로부터 박리되는 등의 문제가 발생하기 쉬워진다.
금속층을 구성하는 금속의 종류로서는 전극을 형성할 수 있는 한 특별히 제한은 없지만, Ag, Au, Al 및 Cu로 이루어지는 군에서 선택되는 1개 이상인 것이 바람직하다. 이들 원소를 기재로 하는 합금일 수도 있다.
금속층으로서는 상기 두께의 금속층이 형성되어 있는 한 그의 형성 방법에 특별히 제한은 없고, 다양한 방법에 의해 형성된 금속층을 사용할 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 있어서의 금속층은 알루미늄박 등의 금속박을 이용하여 형성된 것일 수도 있다. 이 경우, 금속박은 수매 적층되어 있을 수도 있다. 또한 금속박은 진공 증착법 및 스퍼터법 등의 진공 제막법에 의해 형성된 것일 수도 있다.
금속박을 이용하여 금속층을 형성하는 경우, 이용하는 금속박의 두께는 통상적으로 1 내지 20 ㎛이고, 바람직하게는 3 내지 15 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 5 내지 12 ㎛이다.
(C) 유리 페이스트층
유리 페이스트층은 본 발명의 필름에 의해 전극이 제조될 때에, 금속층과 유리 기판과의 사이에 개재하여, 금속층을 유리 기판에 접착시키는 기능을 갖는다.
본 발명에 있어서의 유리 페이스트층은 (a) 유리 분말과 (b) 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분이 5 질량％ 이하인 결착 수지를 함유하는 (C') 유리 페이스트를 이용하여 형성된다. 또한, (C') 유리 페이스트는 추가로 (c) 용제를 함유할 수 있다.
(a) 유리 분말
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 유리 입자로서는 연화점이 400 내지 600 ℃의 범위 내에 있는 유리 분말이 바람직하고, 450 내지 580 ℃의 범위 내에 있는 유리 분말이 특히 바람직하다. 연화점이 400 ℃ 미만 또는 600 ℃를 초과하는 유리 분말로도 양호한 패턴 형상의 형성은 가능하지만, 유리 분말의 연화점이 400 ℃ 미만인 경우에는, 소성 공정으로 결착 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않는 단계에서 유리 분말이 용융하여 버리기 때문에, 형성되는 유리 소결체 내에 유기 물질의 일부가 잔류하여, 이 결과, 얻어지는 유리 소결체가 착색하여 버리거나, 휘발물이 패널에 악영향을 미치는 경우가 있다. 한편, 유리 분말의 연화점이 600 ℃를 초과하는 경우에는 600 ℃보다 고온에서 소성할 필요가 있기 때문에, 유리 기판에 왜곡 등이 발생하기 쉬워진다.
바람직한 유리 분말의 구체예로서는 I. 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄(B2O3-SiO2-Al2O3계)의 혼합물, II. 산화붕소, 산화규소, 산화아연(B2O3-SiO2-ZnO계)의 혼합물, III. 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄, 산화아연(B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO계)의 혼합물 등을 예시할 수 있다.
유리 입자의 평균 입경 (D50)은 통상적으로 0.1 내지 5 ㎛이다.
(b) 결착 수지
본 발명에 있어서의 유리 페이스트층에 포함되는 결착 수지는 그의 구성성분 전체에 대한 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분의 비율이 5 질량％ 이하이고, 특히 바람직하게는 0 질량％이다. 상기 결착 수지가 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분을 5 질량％보다도 많이 가지면, 현상 중에 결착 수지가 다량의 물을 흡수하기 때문에, 유리 페이스트층이 팽윤하여 유리 페이스트층의 평활성이 상실되고, 금속 패턴인 FPD 부재의 투명성이 손상될 가능성이 높아진다. 또한, 이 유리 페이스트층의 팽윤에 의해, 유리 페이스트층이 기판으로부터 이탈 분리될가능성이 높아진다.
여기서 말하는 「친수성기」는 「강친수성의 기」 및 「그다지 친수성이 강 하지 않은 기」를 포함하고, 「친수성이 작은 기」는 포함하지 않는다. 여기서 「강친수성의 기」란 -SO3H, -S03M(M은 알칼리 금속 또는 -NH4이고, 이하 동일), -OSO3H, -OSO3M, -COOM, 및 -NR3X(R은 알킬기이고, X는 할로겐임) 등을 말한다. 「그다지 친수성이 강하지 않은 기」란 -COOH, -NH2, -CN, -OH, -NHCONH2, 및 -(OCH2CH2)n 등을 말한다. 「친수성이 작은 기」란 -CH2OCH3, -OCH3, -COOCH3, 및 -CS 등을 말한다.
구체적으로는 친수성기를 갖는 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트 등의 카르복실기 함유 단량체류, 및 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 3-히드록시프로필 등의 수산기 함유 단량체류, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴산, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴산 등의 폴리알킬렌글리콜 함유 단량체류, 및 o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등을 들 수 있다.
또한, 친수성기를 갖는 단량체에 해당하지 않는 단량체로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 n-라우릴 등의 아크릴(메트)아크릴레이트,
(메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴레이트페녹시에틸 등의 페닐기 함유 (메트)아크릴레이트,
시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 및 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트 등의 지환식(메트)아크릴레이트,
글리시딜(메트)아크릴레이트,
스티렌 및 α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 단량체류, 및 부타디엔 및 이소프렌 등의 공액 디엔류 등을 들 수 있다.
본 발명의 유리 페이스트에 있어서의 상기 결착 수지로서는 알킬(메트)아크릴레이트만으로 이루어지는 수지가 가장 바람직하다.
본 발명의 유리 페이스트에 있어서의 상기 결착 수지의 함유 비율로서는 유리 분말 100 질량부에 대하여, 통상적으로 5 내지 300 질량부이고, 바람직하게는 10 내지 100 질량부이고, 더욱 바람직하게는 20 내지 75 질량부이다.
(c) 용제
용제는 유리 페이스트층에 적당한 유동성 또는 가소성, 양호한 막 형성성을 부여하기 위해서 첨가된다. 이용되는 용제로서는 유리 분말과의 친화성 및 결착 수지의 용해성이 양호하고, 유리 페이스트층에 적절한 점성을 부여할 수 있음과 동시에, 건조됨으로써 증발 제거할 수 있는 것이 바람직하다.
용제의 구체예로서는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계에스테르류, 테르피네올, 부틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨 등을 들 수 있다.
상술한 바와 같이 레지스트층을 가열 경화시키는 경우, 그의 가열 중에 유리 페이스트층에 포함되는 용제가 휘발하고, 금속층 표면에 거품상의 돌기물, 이른바 블리스터가 발생하는 경우가 있다. 따라서, 이러한 용제의 휘발을 방지하기 위해서, 가열 온도보다도 10 내지 120 ℃ 높은 비점을 갖는 용제, 바람직하게는 20 내지 100 ℃ 높은 비점을 갖는 용제, 더욱 바람직하게는 30 내지 70 ℃ 높은 비점을 갖는 용제가 바람직하다. 예를 들면, 용제로서 비점 150 ℃ 이상의 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등을 사용하는 경우, 가열 온도를 120 ℃라고 하면, 레지스트층의 가열 경화시에 용제의 휘발을 방지할 수 있고, 또한 레지스트층의 가열 경화를 확실한 것으로 할 수 있다.
상기한 바와 같이 하여 제조되는 본 발명의 유리 페이스트는 도포에 알맞은 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그의 점도는 통상적으로 1,000 내지 30,000 cP로 되고, 바람직하게는 3,000 내지 10,000 cP로 된다.
본 발명의 유리 페이스트에 있어서의 용제의 함유 비율로서는 유리 분말 100 질량부에 대하여, 통상적으로 5 내지 50 질량부이고, 바람직하게는 10 내지 40 질량부이다.
본 발명의 유리 페이스트층은 상기 유리 페이스트를 금속층 상에 도포함으로 써 형성된다.
본 발명의 유리 페이스트층의 두께는 통상적으로 1 내지 50 ㎛이고, 바람직하게는 5 내지 40 ㎛이다.
본 발명에 있어서의 유리 페이스트층에는, 임의 성분으로서 분산제, 가소제 등의 각종 첨가제가 함유될 수도 있다.
본 발명의 금속 패턴 형성용 전사 필름은 지지 필름 상에 (A) 레지스트층을 적층하고, 이 (A) 레지스트층 상에 (B) 금속층을 적층하고, 이 (B) 금속층 상에 (C) 유리 페이스트층을 적층함으로써 형성되거나, 또는 지지 필름 상에 (B) 금속층을 적층하고, 이 (B) 금속층 상에 (C) 유리 페이스트층을 적층함으로써 형성된다.
상기 지지 필름은 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가소성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가소성을 가짐으로써, 롤 코터에 의해서 페이스트상 조성물을 도포할 수 있고, 무기 분체 함유 수지층을 롤형으로 권회한 상태로 보존하여, 공급할 수 있다. 지지 필름을 형성하는 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름의 두께로서는, 예를 들면 20 내지 100 ㎛로 할 수 있다. 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상술한 전사 공정에 있어서, 지지 필름의 박리 조작을 용이하게 행할 수 있다.
본 발명의 전사 필름은, 예를 들면 다음과 같이 하여 제조할 수 있다.
레지스트층에 함유되는 상기 성분을 혼련하여 페이스트상의 레지스트 조성물을 제조하고, 이것을 지지 필름상에 도포하여, 레지스트층을 형성한다. 레지스트 조성물을 도포하는 방법으로서는 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 다양한 방법을 들 수 있다. 도포한 후, 필요에 따라 레지스트 조성물을 건조한다.
지지 필름 또는 레지스트층 상에 금속층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 알루미늄박 등의 금속박을 지지 필름 또는 레지스트층 상에 적층하는 방법, 및 지지 필름 또는 레지스트층 상에 진공 증착법 및 스퍼터법 등에 의해 진공 제막하는 방법 등을 들 수 있다.
유리 페이스트층은 상기 유리 페이스트를 제조하여, 이것을 금속층 상에 도포함으로써 형성한다. 유리 페이스트를 도포하는 방법으로서는, 막 두께의 균일성이 우수한 막 두께가 큰 도막을 효율적으로 형성할 수 있는 것이 바람직하고, 구체적으로는 롤 코터에 의한 도포 방법, 닥터 블레이드에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 들 수 있다.
이 후, 필요에 따라 전사 필름을 건조시킨다. 건조 온도는 통상적으로 50 내지 150 ℃이고, 건조 시간은 통상적으로 0.5 내지 30분간이다. 건조 후에 있어서의 전사 필름 중의 잔류 용제의 양은 통상적으로 0.1 내지 2 질량％이고, 바람직하게는 0.1 내지 1 질량％이다.
본 발명의 금속 패턴 형성용 전사 필름에는 그의 유리 페이스트층 상에, 보호 필름을 설치할 수도 있다. 보호 필름으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 필름 및 폴리비닐알코올계 필름 등을 들 수 있다.
본 발명의 금속 패턴 형성용 전사 필름은 평판 디스플레이 부재 형성용 전사 필름으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
<금속 패턴 형성 방법>
본 발명의 금속 패턴 형성 방법은 유리 기판 상에 (C) (a) 유리 분말과 (b) 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분이 5 질량％ 이하인 결착 수지를 함유하는 (C') 유리 페이스트를 이용하여 형성된 유리 페이스트층, (B) 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 (A) 레지스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지는 적층체를 형성하는 적층 공정, 상기 적층체를 노광 처리하여, 상기 (A) 레지스트층에 레지스트 패턴의 잠상을 형성하는 노광 잠상 형성 공정, 상기 노광 잠상 형성 공정을 거친 상기 적층체를 현상 처리하여, 상기 (A) 레지스트층에 레지스트 패턴을 현재화시키는 현상 공정, 상기 현상 공정을 거친 상기 적층체를 에칭 처리하여, 레지스트 패턴에 대응하는 금속층의 패턴을 형성하는 에칭 공정, 및 상기 패턴 형성 공정을 거친 상기 적층체를 소성하는 소성 공정을 포함한다.
(i) 적층 공정
적층 공정은 (C) 유리 페이스트층 상에 (B) 금속층이 적층되고, 그 (B) 금속층 상에 (A) 레지스트층이 적층되어 이루어지는 적층체를 유리 기판 상에 형성하는 공정이다.
(A) 레지스트층, (B) 금속층 및 (C) 유리 페이스트층, 및 (C) 유리 페이스트층에 있어서의 (a) 유리 분말, (b) 결착 수지 및 (c) 용제에 대해서는, 상기 본 발 명의 금속 패턴 형성용 전사 필름에 있어서 진술한 바와 같다.
유리 기판으로서는 내열성을 갖는 유리로부터 형성된 것이 바람직하고, 예를 들면 센트럴 글래스(주) 제조 CP600V를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한 유리 기판의 표면에는 필요에 따라 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리, 플라즈마 처리, 및 이온 플레이팅법, 스퍼터링법, 기상 반응법 및 진공 증착법 등에 의한 박막 형성 처리와 같은 전처리를 실시할 수도 있다. 상기 약품 처리를 하는 경우, 처리액 농도는 통상적으로 0.1 내지 5 질량％이고, 건조 온도는 통상적으로 80 내지 140 ℃이고, 건조 시간은 통상적으로 10 내지 60분간이다.
상기 적층체의 형성 방법으로서는, 전극이 제조 가능한 한 특별히 제한은 없고, 예를 들면 (A) 레지스트층, (B) 금속층 및 (C) 유리 페이스트층을 구비한 본 발명의 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 그 (A) 레지스트층, (B) 금속층 및 (C) 유리 페이스트층을 유리 기판 상에 전사하는 방법을 들 수 있다. 여기서 전사 조건으로서는, 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 40 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤압이 0.1 내지 10 kg/㎠, 가열 롤러의 이동 속도가 0.1 내지 10 m/분으로 된다. 이러한 조작(전사 공정)은 라미네이터 장치에 의해 행할 수 있다. 한편, 기판은 예열되어 있을 수도 있고, 예열 온도로서는 예를 들면 40 내지 140 ℃로 할 수 있다.
또한 (A) 레지스트층, (B) 금속층 및 (C) 유리 페이스트층 중의 1층 또는 2층을 구비한 전사 필름을 이용하여, 이들을 순차적으로 유리 기판 상에 전사할 수도 있다. 예를 들면, (B) 금속층 및 (C) 유리 페이스트층만을 구비한 본 발명의 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 그 (B) 금속층 및 (C) 유리 페이스트층을 유리 기판상에 전사하고, 또한 (A) 레지스트층을 구비한 전사 필름을 이용하여, (B) 금속층 상에 (A) 레지스트층을 전사할 수도 있다.
또는, 상기 본 발명의 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조 방법의 경우와 동일하게, 유리 기판 상에 유리 페이스트를 도포하여 유리 페이스트층을 형성하고, 그 위에, 금속박 또는 진공 제막법 등에 의해 금속층을 형성하고, 그 위에 레지스트 조성물을 도포하여 레지스트층을 형성할 수도 있다.
(ii) 노광 잠상 형성 공정
레지스트층의 표면에 노광용 마스크를 통해 자외선 등의 방사선의 선택적 조사(노광)를 행하는 방법이나, 레이저광을 주사하는 방법 등으로, 레지스트층에 패턴의 잠상을 형성한다.
방사선 조사 장치로서는 포토리소그래피법으로 일반적으로 사용되고 있는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때에 사용되고 있는 노광 장치, 레이저 장치 등이 이용되지만, 특별히 한정되는 것은 아니다.
광원 출력은 통상적으로 1 내지 100 mW/㎠이고, 바람직하게는 0.1 내지 5 mW/㎠이다. 노광 시간은 통상적으로 0.05 내지 1분간이다. 노광량은 통상적으로 10 mJ/㎠이다.
상기 노광용 마스크의 노광 패턴으로서는, 재료에 따라 다르지만 일반적으로 10 내지 500 ㎛ 폭의 스트라이프이다.
(iii) 현상 공정
상기 적층체를 현상 처리하여, 레지스트층에 레지스트 패턴을 현재화시키는 현상 처리 조건에 대해서는 특별히 제한은 없고, 레지스트층의 종류에 따라, 현상액의 종류·조성·농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법(예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 퍼들법 등), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다.
본 발명의 제조 방법에 의한 현상 공정으로 사용되는 현상액으로서는 알칼리 현상액을 사용하는 것이 바람직하다.
알칼리 현상액의 유효 성분으로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등의 무기 알칼리성 화합물; 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등의 유기 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다.
알칼리 현상액은 상기 알칼리성 화합물의 1종 또는 2종 이상을 물 등에 용해시킴으로써 제조할 수 있다. 알칼리성 현상액에 있어서의 알칼리성 화합물의 농도는 통상적으로 0.001 내지 10 질량％이다. 알칼리 현상액에 의한 현상 처리가 이루어진 후에는 통상적으로 수세 처리가 실시된다. 현상 온도는 통상적으로 20 내지 50 ℃이다.
(iv) 에칭 공정
상기 현상 공정을 거친 상기 적층체를 에칭 처리하여, 금속층의 불필요 부분을 용해 제거함으로써, 레지스트 패턴에 대응하는 금속층의 패턴을 형성한다.
에칭 처리 조건에 대해서는 특별히 제한은 없고, 금속층의 종류 등에 따라, 에칭액의 종류·조성·농도, 처리 시간, 처리 온도, 처리 방법(예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 퍼들법), 처리 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다.
금속층을 이용한 금속 패턴 형성 방법에 있어서는, 에칭 공정에 있어서, 실질적으로 순수한 금속으로 이루어지는 금속층도 용해 제거할 필요가 있기 때문에, 에칭은 감광성 페이스트법 등의 금속층을 이용하지 않는 방법보다도 강한 조건으로 행할 필요가 있다. 본 발명에 있어서의 에칭 처리 방법으로서는 상기 적층체를 에칭액에 침지하는 침지법이 바람직하다. 이 침지법에 있어서 이용하는 에칭액의 종류로서는 상기 금속층을 형성하는 금속을 에칭 가능한 용액이면 특별히 한정은 되지 않지만, 예를 들면 산성 수용액, 알칼리 수용액을 사용할 수 있다. 산성 수용액으로서는 질산, 황산, 염산, 인산, 아세트산 및 이들의 혼합 수용액을 사용할 수 있다. 알칼리기성 수용액으로서는 상기 알칼리 현상액와 동일한 것을 사용할 수 있다. 그의 농도로서는, 예를 들면 0.01 내지 10 질량％로 할 수 있다. 또한, 그와 같은 에칭액에 침지하는 온도로서는, 예를 들면 20 내지 50 ℃로 할 수 있고, 침지하는 시간으로서는, 예를 들면 10 내지 60분간으로 할 수 있다.
에칭액으로서, 현상 공정으로 사용한 현상액과 동일한 용액을 사용할 수 있 도록 레지스트층의 종류를 선택해 놓으면, 현상 공정과 에칭 공정을 연속적으로 동일 공정으로 행하는 것이 가능해지고, 공정의 간략화에 의한 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다. 상술한 바와 같이 레지스트층에 첨가하는 결착 수지에 알칼리 가용성 수지를 이용하면, 현상액과 에칭액을 동일한 알칼리성 용액으로 함으로써, 현상 공정과 에칭 공정을 연속적으로 동일 공정으로 행할 수 있다. 이 경우, 상기 이유에 의해, 에칭액이면서, 또한 현상액인 용액에 적층체를 침지함으로써, 현상 공정 및 에칭 공정을 행하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 있어서는 상술한 대로 강한 조건으로 에칭을 행할 필요가 있어, 에칭 공정 중에 레지스트층이 금속층으로부터 박리되는 현상이 발생하는 경우가 있다. 이것을 방지하기 위해서, 레지스트층을 경화시키고, 레지스트층과 금속층과의 접착을 견고하게 하는 처리를 행하는 것이 유효하다. 레지스트층을 경화시키는 방법으로서는 적층체를 가열하여 레지스트층을 경화시키는 가열 경화, 및 적층체를 노광하여 레지스트층을 경화시키는 노광 경화 등을 들 수 있다. 즉, 본 발명에 있어서는 노광 잠상 형성 공정 후에 현상 공정 전, 또는 현상 공정 후에 에칭 공정 전에 가열 경화 공정을 행하거나, 또는 현상 공정의 후에 에칭 공정의 전에 노광 경화 공정을 행하는 것이 바람직하다.
가열 경화의 온도는 통상적으로 100 내지 300 ℃이고, 바람직하게는 120 내지 300 ℃이다. 경화 시간은 10 내지 120분간이다.
노광 경화의 조건으로서는 자외선 등의 방사선의 조사(노광)를 행하는 방법이 바람직하다. 방사선 조사 장치로서는 상기 노광 공정으로 사용되는 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.
레지스트층을 경화시키는 방법으로서는 레지스트층의 금속층으로부터의 박리 를 보다 효과적으로 방지할 수 있는 점에서, 노광 경화보다 가열 경화의 쪽이 바람직하다.
또한 상술한 대로, 레지스트층을 가열 경화시킬 때에, 유리 페이스트층에 포함되는 용제가 휘발하여, 금속층 표면에 거품상의 돌기물, 이른바 블리스터가 발생하는 경우가 있다. 이러한 용제의 휘발을 방지하기 위해서, 상술한 바와 같이, 가열 온도보다도 높은 비점을 갖는 용제를 사용하는 것이 고려된다.
(v) 소성 공정
에칭 공정을 거친 적층체를 소성 처리하여, 레지스트층 중의 유기 물질을 소실시키고, 패턴 형성된 금속층 상에 잔존하는 레지스트층을 제거한다. 이 공정에 의해, FPD 부재인 전극이 형성된다. 또한 이 소성에 의해, 유리 페이스트층과 유리 기판과는 일체화된다.
소성 처리의 온도로서는 레지스트층 중의 유기 물질이 소실되는 온도인 것이 필요하고, 통상적으로 400 내지 600 ℃이다. 또한, 소성 시간은 통상적으로 10 내지 90분간이다.
본 발명의 금속 패턴 형성 방법은 평판 디스플레이 부재 형성 방법으로서 바람직하게 행할 수 있다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만, 본 발명이 이들에 의해서 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하에 있어서 「부」는 「질량부」를 나타낸다. 또한, 실시예에 있어서의 각 평가 방법을 하기에 나타낸다.
[알칼리 가용성 수지의 분자량]
도소 가부시끼가이샤 제조 겔 투과 크로마토그래피(GPC)(상품명 HLC-802A)에 의해 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하였다.
[후베이킹 후의 블리스터의 발생]
후베이킹 후의 기판을 육안으로써 관찰하여, 블리스터의 발생이 확인되지 않는 경우를 ○, 확인된 경우를 ×라고 평가하였다.
[에칭 후의 유리 페이스트층의 박리]
에칭 공정 후의 기판에 공기를 내뿜어, 유리 페이스트층이 박리되지 않는 경우를 ○, 유리 페이스트층이 박리되는 경우를 ×라고 평가하였다.
[에칭 후의 Al박의 박리]
소성 후의 기판에 공기를 내뿜어, Al박이 박리되지 않는 경우를 ○, Al박이 박리되는 경우를 ×라고 평가하였다.
<실시예 1>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
알칼리 가용성 수지로서, 메타크릴산벤질/메타크릴산시클로헥실/메타크릴산=50/35/15(질량％) 공중합체(Mw=30,000) 100부, 감광성 단량체로서 폴리프로필렌글리콜아크릴레이트(n≒12, 도아 고세이 제조 「M270」) 33.3부 및 트리메틸올프로판 EO 변성 트리아크릴레이트(n≒2, 도아 고세이 제조 「M360」) 16.6부, 및 광중합개시제로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온(시바 스페셜 케미컬즈사 제조 「IRG.369」) 15부를 이용하여, 이들을 교반 탈포 장치로 혼련한 후, 3축 롤로 분산함으로써, 레지스트 조성물을 제조하였다. 이 레지스트 조성물을 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름(폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 블레이드 코터에 의해 도포하여, 두께 10 ㎛의 레지스트층을 형성하였다.
이 레지스트층 상에, 두께 12 ㎛의 알루미늄박을 적층하여, 두께 12 ㎛의 금속층을 형성하였다.
유리 분말로서, B2O3-ZnO계 프릿(연화점 485 ℃, 입경(D50) 2.5 um) 100 부, 결착 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000) 32부, 가소제로서 디옥틸아젤레이트를 2부, 및 용제로서 에틸-3-에톡시프로피오네이트 15부를 이용하여, 이들을 교반 탈포 장치로 혼련한 후, 3축 롤로 분산함으로써, 유리 페이스트를 제조하였다. 이 레지스트 조성물을 금속층 상에 블레이드 코터에 의해 도포하여, 두께 25 ㎛의 유리 페이스트층을 형성하였다.
이상과 같이 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
(i) 적층 공정
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 유리 기판 상에 가열 롤러로 열압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 100 ℃, 롤압을 2.5 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 유리 기판 상에 유리 페이스트층, 금속층, 및 레지스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지는 적층체를 형성하였다.
(ii) 노광 잠상 형성 공정
상기 적층체의 레지스트층에 대하여, 라인 폭 60 ㎛, 스페이스폭 60 ㎛의 스트라이프상 네가티브용 노광용 마스크를 통해, 초고압 수은등에 의해 i선(파장 365 nm의 자외선)을 조사하였다. 그 때의 노광량은 365 nm의 센서로 측정한 조도 환산으로 200 mJ/㎠로 하였다.
(iii) 현상 공정
상기 노광 잠상 형성 공정을 거친 적층체에 대하여, 액체 온도 30 ℃의 0.3 질량％ 탄산나트륨 수용액을 현상액으로서, 샤워법에 의해 현상 처리를 60초간 행하고, 계속해서 초순수를 이용하여 수세를 행하였다.
(iv) 가열 경화 공정
상기 현상 공정 후, 상기 적층체를 120 ℃에 60분간 가열하여, 상기 레지스트층을 경화시켰다. 이 후베이킹 후에, 블리스터의 발생을 평가하였다. 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
(v) 에칭 공정
상기 가열 경화 공정을 거친 적층체를 액체 온도 25℃, 4 질량％ 수산화나트륨 수용액의 에칭액 중에 20분간 침지하였다. 이 에칭 공정 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리를 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
(vi) 소성 공정
상기 에칭 공정을 거친 적층체를 소성로 내에서 570 ℃의 온도 분위기하로 20분간 소성하였다.
이상으로부터, 유리 기판 상에 패턴폭 60 ㎛, 두께 12 ㎛의 전극을 얻을 수 있었다.
<실시예 2>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 이용한 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000)의 양을 40부로 하고, 유리 페이스트층의 두께를 30 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
이상으로부터, 유리 기판 상에 패턴폭 60 ㎛, 두께 12 ㎛의 전극을 얻을 수 있었다.
<실시예 3>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 이용한 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000)의 양을 48부로 하고, 유리 페이스트층의 두께를 35 ㎛으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하 여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
이상으로부터, 유리 기판 상에 패턴폭 60 ㎛, 두께 12 ㎛의 전극을 얻을 수 있었다.
<실시예 4>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 이용한 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000)의 양을 56부로 하고, 유리 페이스트층의 두께를 36 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
이상으로부터, 유리 기판 상에 패턴폭 60 ㎛, 두께 12 ㎛의 전극을 얻을 수 있었다.
<실시예 5>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 이용한 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000)의 양을 72부로 하고, 유리 페이스트층의 두께를 30 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
이상으로부터, 유리 기판 상에 패턴폭 60 ㎛, 두께 12 ㎛의 전극을 얻을 수 있었다.
<실시예 6>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 알루미늄박의 두께를 6 ㎛로 하여, 결착 수지로서 이용한 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000)의 양을 40부로 하고, 유리 페이스트층의 두께를 30 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
이상으로부터, 유리 기판 상에 패턴폭 60 ㎛, 두께 12 ㎛의 전극을 얻을 수 있었다.
<실시예 7>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 알루미늄박의 두께를 7 ㎛로 하여, 결착 수지로서 이용한 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000)의 양을 40부로 하고, 유리 페이스트층의 두께를 30 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
이상으로부터, 유리 기판 상에 패턴폭 60 ㎛, 두께 12 ㎛의 전극을 얻을 수 있었다.
<실시예 8>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 알루미늄박의 두께를 9 ㎛로 하여, 결착 수지로서 이용한 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000)의 양을 40부로 하고, 유리 페이스트층의 두께를 30 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
이상으로부터, 유리 기판 상에 패턴폭 60 ㎛, 두께 12 ㎛의 전극을 얻을 수 있었다.
<실시예 9>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000) 32부 대신에 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=35/60/5(질량％) 공중합체(Mw=85,000) 32부를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<실시예 10>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000) 32부 대신에 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=37/60/3(질량％) 공중합체(Mw=85,000) 32부를 이용하고, 유리 페이스트층의 두께를 26 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<실시예 11>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타 크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000) 32부 대신에 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=39/60/1(질량％) 공중합체(Mw=80,000) 32부를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<비교예 1>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000) 32부 대신에 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=30/60/10(질량％) 공중합체(Mw=80,000) 32부를 이용하고, 유리 페이스트층의 두께를 26 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al 박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<비교예 2>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000) 32부 대신에 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=30/60/10(질량％) 공중합체(Mw=80,000) 40부를 이용하고, 용제로서 에틸-3-에톡시프로피오네이트 대신에 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 이용하여, 유리 페이스트층의 두께를 23 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
후베이킹 후의 블리스터의 발생, 에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
<비교예 3>
(1) 금속 패턴 형성용 전사 필름의 제조
실시예 1의 유리 페이스트에 있어서, 결착 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000) 32부 대신에 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=30/60/10(질량％) 공 중합체(Mw=80,000) 40부를 이용하고, 용제로서 에틸-3-에톡시프로피오네이트 대신에 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 이용하여, 유리 페이스트층의 두께를 23 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 금속 패턴 형성용 전사 필름을 제조하였다.
(2) 전극의 형성
상기 금속 패턴 형성용 전사 필름을 이용하여, 가열 경화 공정(후베이킹)을 행하지 않는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 전극을 형성하였다.
에칭 후의 유리 페이스트층의 박리, 및 Al박의 박리의 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
한편, 표 1 중에 기록된 번호 등이 나타내는 물질을 이하에 나타내었다.
감광성 단량체 1: 폴리프로필렌글리콜아크릴레이트(n≒12)
감광성 단량체 2 : 트리메틸올프로판 EO 변성 트리아크릴레이트(n≒2)
결착 수지 1: 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=30/60/10(질량％) 공중합체(Mw=80,000)
결착 수지 2: 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실=40/60(질량％) 공중합체(Mw=100,000)
결착 수지 3: 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=35/60/5(질량％) 공중합체(Mw=85,000)
결착 수지 4: 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=37/60/3(질량％) 공중합체(Mw=85,000)
결착 수지 5: 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필=39/60/1(질량％) 공중합체(Mw=80,000)
DOAz: 디옥틸아젤레이트
EEP: 에틸-3-에톡시프로피오네이트
PGME: 프로필렌글리콜모노메틸에테르
Figure 112008075598859-PAT00001
도 1은 교류형 FPD(구체적으로는, PDP)의 단면 형상을 나타내는 모식도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
101 유리 기판
102 유리 기판
103 배면 격벽
104 투명 전극
105 버스 전극
106 어드레스 전극
107 형광 물질
108 유전체층
109 유전체층
110 보호층

Claims (14)

  1. 지지 필름 상에 (A) 레지스트층, (B) 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 (C) 유리 페이스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지고,
    상기 (C) 유리 페이스트층은, (a) 유리 분말과 (b) 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분이 5 질량％ 이하인 결착 수지를 함유하는 (C') 유리 페이스트를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성용 전사 필름.
  2. 지지 필름 상에 (B) 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 (C) 유리 페이스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지고,
    상기 (C) 유리 페이스트층은, (a) 유리 분말과 (b) 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분이 5 질량％ 이하인 결착 수지를 함유하는 (C') 유리 페이스트를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성용 전사 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 결착 수지가 알킬(메트)아크릴레이트만으로 이루어지는 수지인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성용 전사 필름.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (C') 유리 페이스트가 (c) 용제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성용 전사 필름.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 금속층이 Ag, Au, Al 및 Cu로 이루어지는 군에서 선택되는 1개 이상으로부터 형성된 금속 패턴 형성용 전사 필름.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 금속층이 금속박에 의해 형성된 금속 패턴 형성용 전사 필름.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 금속층이 진공 제막법으로 형성된 금속 패턴 형성용 전사 필름.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 패턴이 평판 디스플레이 부재인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성용 전사 필름.
  9. 유리 기판 상에 (C) (a) 유리 분말과 (b) 친수성기를 갖는 단량체 유래의 구성성분이 5 질량％ 이하인 결착 수지를 함유하는 (C') 유리 페이스트를 이용하여 형성된 유리 페이스트층, (B) 두께가 1 내지 20 ㎛인 금속층, 및 (A) 레지스트층이 이 순서대로 적층되어 이루어지는 적층체를 형성하는 적층 공정,
    상기 적층체를 노광 처리하여, 상기 (A) 레지스트층에 레지스트 패턴의 잠상을 형성하는 노광 잠상 형성 공정,
    상기 노광 잠상 형성 공정을 거친 상기 적층체를 현상 처리하여, 상기 (A) 레지스트층에 레지스트 패턴을 현재화시키는 현상 공정,
    상기 현상 공정을 거친 상기 적층체를 에칭 처리하여, 레지스트 패턴에 대응하는 금속층의 패턴을 형성하는 에칭 공정, 및
    상기 패턴 형성 공정을 거친 상기 적층체를 소성하는 소성 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 에칭 공정을, 상기 적층체를 에칭액에 침지함으로써 행하는 금속 패턴 형성 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 현상 공정 및 에칭 공정을, 상기 적층체를 에칭액에 침지함으로써 행하는 금속 패턴 형성 방법.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노광 잠상 형성 공정 후 상기 현상 공정 전에 또는 상기 현상 공정 후 상기 에칭 공정 전에, 상기 적층체를 가열하여 상기 레지스트층을 경화시키는 가열 경화 공정을 포함하는 금속 패턴 형성 방법.
  13. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 현상 공정 후 상기 에칭 공정 전에, 상기 적층체를 노광하여 상기 레지스트층을 경화시키는 노광 경화 공정을 포함하는 금속 패턴 형성 방법.
  14. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 패턴이 평판 디스플레이 부재인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.
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