KR20090040390A - 컨쥬게이션 중합체, 이의 제조 방법 및 용도 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디히드로페난트렌 구조 단위를 함유하는 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머, 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머의 제조 방법, 전자부품, 특히, 중합체성 유기 발광 다이오드에서의 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머의 용도, 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머의 제조를 위한 단량체, 및 상기 유형의 중합체 및 덴드리머를 포함하는 부품 및 발광 다이오드에 관한 것이다.

Description

컨쥬게이션 중합체, 이의 제조 방법 및 용도 {CONJUGATED POLYMERS, PROCESS FOR THEIR PREPARATION AND THEIR USE}
본 발명은 디히드로페난트렌 구조 단위를 함유하는 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머, 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머의 제조 방법, 전자부품, 특히, 중합체성 유기 발광 다이오드에서의 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머의 용도, 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머의 제조를 위한 단량체, 및 상기 유형의 중합체 및 덴드리머를 포함하는 부품 및 발광 다이오드에 관한 것이다.
컨쥬게이션 중합체는 PLED (중합체성 발광 다이오드) 에서 매우 유망한 물질로서 최근 집중적으로 연구되고 있다. SMOLED (소분자 유기 발광 다이오드) 에 비해 그의 간단한 가공으로 해당하는 발광 다이오드를 덜 비싸게 제조할 수 있을 것이라 기대된다.
PLED 가 통상적으로 발광층만으로 이루어지기 때문에, OLED 의 기능 (전하 주입, 전하 수송, 재결합) 을 모두 가질수 있는 중합체가 요구된다. 그러므로, 중합하는 동안 해당하는 기능을 갖는 매우 다양한 단량체가 사용된다.
PLED 에 비해, SMOLED 는 다양한 기능을 만족하는 다수의 층으로 구성된다. 또한 여기에 에미터를 포함하는 발광층이 존재한다.
PLED 에서 특정 공단량체는 통상적으로 세 개의 발광색을 모두 발생시키기 위해 해당하는 중합체로 공중합된다 (예를 들어, WO 00/46321, WO 03/020790 및 WO 02/077060). 따라서, 청색-발광 기재 중합체 ("백본") 로부터 출발하여, 통상적으로 두 개의 다른 원색으로 적색 및 녹색을 발생시킬 수 있다.
OLED 의 가장 중요한 특징은 효율, 색, 수명 및 가공성이다. 이러한 특성은 백본과 에미터의 조합에 의해 결정적으로 결정된다.
전하-캐리어 수송, 특히, 전자 수송에 의해 영향을 받는 수명은 백본 안정성에 따라 다르다.
선행 기술에 따르면, 플루오렌, 인데노플루오렌, 스피로비플루오렌, 페난트렌 및 디히드로페난트렌을 기재로 한 컨쥬게이션 중합체는 특히, 청색-발광 유기 발광 다이오드를 생성할 수 있게 하기 위해 최근에 합성되었다. 방출층이 주입층에 적용된 2 층 구조가 본원에서 매우 통상적으로 받아들여 진다.
디히드로페난트렌을 함유하는 중합체는 예를 들어, WO 05/14689 A2 및 EP 1 074 600 A2 에 기재된다.
그러나, 상기 기재된 시스템은 하기의 파라미터 또는 특성에 관해 부족하다.
■ 청색-발광 중합체의 수명은 대량 생산에 사용하기에 매우 불충분하다.
■ 선행 기술에 따라 제조된 중합체의 효율은 매우 낮다.
■ 작동 전압은 가능한 적용에 대해 매우 높다.
■ 작동하는 동안, 물질은 방출 특성의 변화를 빈번하게 경험한다.
■ 물질은 OLED 제조 과정에서 종종 어렵게 가공될 수 있고, 예를 들어, 용 액으로 가공되는 경우 (예를 들어, 잉크-젯 프린트)에는 점도의 증가를 유발한다.
놀랍게도, 본 발명에 따른 디히드로페난트렌 단위를 함유하는 중합체는 현저히 개선된 색 안정성 및 현저히 개선된 전자 안정성을 나타내고, 결과적으로 작동 전압을 적게 증가시킨다는 것이 이제 발견되었다. 이는 PLED 에서 중합체의 수명을 현저히 증가시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 하기 화학식 (1) 의 하나 이상의 단위를 함유하는 것을 특징으로 하는 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머에 관한 것이다:
Figure 112009015798115-PCT00001
(1)
(식 중,
R1-4 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 H, F 또는 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬, 알케닐 또는 알키닐기를 나타내고, 식 중, 더욱이 하나 이상의 비-인접 C 원자는 O, S, CO-O 또는 O-CO-O 에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 H 원자는 불소, 또는 또한 모노- 또는 폴리치환될 수 있는 아릴, 아랄킬, 아랄케닐, 아랄키닐 또는 헤테로아릴기에 의해 대체될 수 있고, 여기서 두 개 이상의 라디칼 R1-4 는 디히드로페난트렌 구조와 축합 또는 스피로-결합 고리계를 또한 형성할 수 있는, 지방족 또는 방향족, 모노- 또는 폴리시클릭 고리계를 또한 서로 형성할 수 있고,
여기서, 상기 라디칼 R1-4 중 두 개 이상은 H 와 다르고,
R5,6 은 중합체 또는 덴드리머에서의 결합, 또는 중합 반응에 적절한 반응기를 나타냄).
본 발명에 따른 중합체에서 인접 단위에 대한 화학식 (1) 의 단위의 결합은 중합체 주쇄 또는 또한 중합체 측쇄를 따라 발생할 수 있다.
라디칼 R1-4 중 바람직하게는 세 개, 특히 바람직하게는 4 개 모두가 H 와 다르다.
특히 바람직한 라디칼 R1-4 는 탄소수 1 내지 40, 바람직하게는 1 내지 25, 특히 바람직하게는 1 내지 18 의 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬, 알케닐 또는 알키닐, 탄소수 5 내지 40, 바람직하게는 5 내지 25 의 임의로 치환된 아릴, 또는 탄소수 5 내지 40, 바람직하게는 5 내지 25 의 임의로 치환된 알킬아릴, 아릴알킬이다.
더욱이, 두 개 이상의 라디칼 R1-4, 특히 바람직하게는 라디칼 R1 및 R2 및/또는 라디칼 R3 및 R4 가 지방족 또는 방향족, 모노- 또는 폴리시클릭 고리계를 형성하는 화학식 (1) 의 단위인 것이 바람직하다. 상기 유형의 바람직한 고리계는 하기에 언급될 아릴 및 헤테로아릴기이다. 고리계는 또한 화학식 (1) 의 디히드로페난트렌 구조와 축합되거나 스피로-결합될 수 있다. 상기 유형의 바람직한 화합물은 예를 들어, 두 개의 라디칼 R1 및 R2 또는 두 개의 라디칼 R3 및 R4 가 그의 9-위치를 통해 화학식 (1) 의 디히드로페난트렌 구조의 9-위치 또는 10-위치에 스피로-결합된, 임의로 치환된 플루오렌기를 형성한 것이다.
매우 특히 바람직한 탄소 및 탄화수소 라디칼은 C1-C40 알킬, C2-C40 알케닐, C2-C40 알키닐, C3-C40 알릴, C4-C40 알킬디에닐, C4-C40 폴리에닐, C6-C40 아릴, C6-C40 알킬아릴, C6-C40 아릴알킬, C6-C40 헤테로아릴, C3-C40 시클로알킬 및 C3-C40 시클로알케닐이다. C1-C22 알킬, C2-C22 알케닐, C2-C22 알키닐, C3-C22 알릴, C4-C22 알킬디에닐, C6-C12 아릴, C6-C20 아릴알킬 및 C6-C20 헤테로아릴이 특히 바람직하다.
바람직한 알킬기는 예를 들어, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 시클로프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, 시클로부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 2-에틸헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, 1,1,5-트리메틸헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 도데카닐, 트리플루오로메틸, 퍼플루오로-n-부틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 퍼플루오로옥틸 및 퍼플루오로헥실이다.
바람직한 알케닐기는 예를 들어, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐 및 시클로옥테닐이다.
바람직한 알키닐기는 예를 들어, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 및 옥티닐이다.
아릴기는 모노시클릭 또는 폴리시클릭일 수 있다, 즉, 아릴기는 하나의 고리 (예를 들어, 페닐), 또는 또한 축합 (예를 들어, 나프틸) 또는 공유 결합 (예를 들어, 비페닐) 될 수 있는 두 개 이상의 고리를 가지거나, 축합 및 결합된 고리의 조합을 함유할 수 있다. 완전 컨쥬게이션 아릴 기가 바람직하다.
바람직한 아릴기는 예를 들어, 페닐, 비페닐, 트리페닐, 1,1':3',1"-테르페닐-2'-일, 나프틸, 안트라센, 비나프틸, 페난트렌, 피렌, 디히드로피렌, 크리센, 페릴렌, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 플루오렌, 인덴, 인데노플루오렌 및 스피로비플루오렌이다.
바람직한 헤테로아릴기는 예를 들어, 피롤, 피라졸, 이미다졸, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 테트라졸, 퓨란, 티오펜, 셀레노펜, 옥사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸 및 1,3,4-티아디아졸과 같은 5-원 고리, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진 및 1,2,3,5-테트라진과 같은 6-원 고리, 또는 인돌, 이소인돌, 인돌리진, 인다졸, 벤즈이미다졸, 벤조티아졸, 퓨린, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라지니미다졸, 퀴녹살리니미다졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 벤조티아졸, 벤조퓨란, 이소벤조퓨란, 디벤조퓨란, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 프테리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 벤조이소퀴놀린, 아크리딘, 페노티아진, 페녹사진, 벤조피리다진, 펜조피리미딘, 퀴녹살린, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트리딘, 페난트롤린, 티에노[2,3b]티오펜, 티에노[3,2b]티오펜, 디티에노티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 벤조티아디아조티오펜과 같은 축합기, 또는 이러한 기들의 조합이다. 헤테로아릴기는 또한 알킬, 알콕시, 티오알킬, 불소, 플루오로알킬 또는 기타 아릴 또는 헤테로아릴기에 의해 치환될 수 있다.
기 R1-4 는 바람직하게는 실릴, 설포, 설포닐, 포르밀, 케토, 아민, 이민, 니트릴, 메르캅토, 니트로, 할로겐, 포스핀 옥사이드, C1-12 알킬, C1-12 플루오로알킬, C6-12 아릴 또는 이러한 기들의 조합으로부터 선택되는, 하나 이상의 치환기 L 을 임의로 갖는다.
바람직한 치환기 L 은 예를 들어, 알킬과 같은 용해도-증진기, 불소, 니트로 또는 니트릴과 같은 전자-흡인기, 또는 중합체에서 유리 전이 온도 (Tg) 를 증가시키기 위한 치환기, 특히, 예를 들어, t-부틸 또는 임의로 치환된 아릴기와 같은 벌키기이다.
더욱 바람직한 치환기 L 은 예를 들어, F, Cl, Br, I, -CN, -NO2, -NCO, -NCS, -OCN, -SCN, -C(=O)NR2, -C(=O)X, -C(=O)R, -NR2, -P(O)R2, 임의로 치환된 실릴, 탄소수 4 내지 40, 바람직하게는 6 내지 20 의 아릴, 및 탄소수 1 내지 22 의 직쇄 또는 분지형 알킬 또는 플루오로알킬이고, 식 중, 상기 하나 이상의 H 원자는 임의로 F 또는 Cl 에 의해 대체될 수 있다. X 는 할로겐을 나타낸다. R 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 H, 탄소수 1 내지 22 의 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬, 알케닐, 알키닐 또는 알콕시 쇄를 나타내고, 식 중, 더욱이 하나 이상의 비-인접 C 원자는 O, S, CO-O 또는 O-CO-O 에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 H 원자는 불소, 또는 탄소수 5 내지 40 의 임의로 치환된 아릴 또는 아릴옥시기에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 C 원자는 O, S 또는 N 에 의해 대체될 수 있다.
용어 "알킬", "아릴", "헤테로아릴" 등은 또한 다가기, 예를 들어, 알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌 등을 포함한다.
"할로겐" 은 F, Cl, Br 또는 I 를 나타낸다.
본 발명의 목적을 위해, "컨쥬게이션 중합체" 는 해당하는 헤테로원자에 의해 또한 대체될 수 있는, 주로 sp2-혼성 (또는 임의로 또한 sp-혼성) 탄소 원자를 주쇄에 함유하는 중합체이다. 그것은 가장 간단한 경우에서는 주쇄에서 이중 결합 및 단일 결합의 존재를 대체하는 것을 의미하나, 또한 예를 들어, 본 발명의 목적을 위한 컨쥬게이션 중합체로 고려되는 메타-결합 페닐렌과 같은 단위를 함유하는 중합체도 의미한다. "주로" 는 용어 "컨쥬게이션 중합체" 의 가치를 하락시키지 않는 컨쥬게이션 방해를 유발하는 자연적으로 (랜덤하게) 발생한 결함을 의미한다. 더욱이, 용어 "컨쥬게이션" 은 주쇄가 예를 들어, 아릴아민 단위, 아릴포스핀 단위, 아릴포스핀 옥사이드 단위 및/또는 특정 헤테로사이클 (즉, N, O, P 또는 S 원자를 통해 컨쥬게이션) 및/또는 유기금속 착물 (즉, 금속 원자를 통해 컨쥬게이션) 을 함유하는 경우, 또한 본 출원 문서에서 사용된다. 유사한 경우가 컨쥬게이션 덴드리머에도 적용된다.
본원에서 용어 "덴드리머" 는 트리-형 (tree-like) 구조를 제공하는, 다작용성 중심 (핵) 에서 통상의 구조로 결합된 분지형 단량체로 구성되는 고분지형 화합물을 의미한다. 본원에서 핵 및 또한 단량체는 모두 순수한 유기 단위 및 또한 유기 금속 화합물 또는 배위 화합물로 이루어진 임의의 바람직한 분지형 구조를 채택할 수 있다. 본원에서 "덴드리머" 는 통상적으로 예를 들어 [M. Fischer 및 F.Vogtle 의 (Angew. Chem., Int. Ed. 1999, 38, 885)] 에 기재된 것과 같이 이해될 것으로 의도된다.
화학식 (1) 의 단위는 중합체의 주쇄 또는 측쇄로 본 발명에 따라서 혼힙될 수 있다. 측쇄로 혼입되는 경우, 화학식 (1) 의 단위에 대해 중합체 주쇄와 컨쥬게이션 또는 중합체 주쇄와 비-컨쥬게이션될 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 화학식 (1) 의 단위는 중합체 주쇄와 컨쥬게이션된다. 이것은 한편으로는 상기 기재된 것과 같이 중합체의 컨쥬게이션이 유지되는 방식으로, 상기 단위를 중합체의 주쇄로 혼입하여 달성될 수 있다. 다른한편으로는 또한 중합체의 주쇄와의 컨쥬게이션이 존재하는 방식으로, 상기 단위는 중합체의 측쇄로 결합될 수 있다. 이것은 예를 들어, 주쇄에 대한 결합이 오직 sp2-혼성 (또는 임의로 또한 sp-혼성) 탄소 원자를 통해서만 발생하는 경우, 해당하는 헤테로원자로 또한 대체될 수 있다. 그러나, 결합이 예를 들어, 간단한 (티오)에테르 결합, 에스테르, 아미드 또는 알킬렌 쇄와 같은 단위를 통해 발생하는 경우, 화학식 (1) 의 구조 단위는 주쇄와 비-컨쥬게이션되는 것으로 정의된다.
주쇄에 대한 화학식 (1) 의 단위의 결합은 하나 이상의 추가 단위를 통해 또는 직접적으로 발생할 수 있다. 결합을 위한 바람직한 단위는 임의로 치환된, 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기, 특히 임의로 치환된 C=C 이중 결합, C≡C 삼중 결합, 또는 방향족 단위, 추가로 디- 및 트리아릴아미노 단위, 아릴렌비닐렌 단위 또는 아릴렌에티닐렌 단위이고, 이는 화학식 (1) 과 동일하거나 상이하다. 주쇄와 컨쥬게이션으로 결합되는 것이 바람직하다.
화학식 (1) 의 라디칼 R1-4 는 바람직하게는 상기 언급된 군으로부터 선택된다.
하기의 하위-화학식으로부터 선택된 구조 단위가 특히 바람직하다:
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Figure 112009015798115-PCT00004
(식 중, R1, R2, R5 및 R6 는 화학식 (1) 에 나타난 의미를 갖고, "알킬" 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 탄소수 1 내지 20 의 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬 라디칼을 나타내고, "아릴" 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 탄소수 5 내지 20 의 임의로 치환된 아릴 라디칼 또는 탄소수 3 내지 20 의 헤테로아릴 라디칼을 나타내고, L 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 상기 나타난 치환기를 나타냄).
화학식 (1) 의 구조 단위는 고수율로 쉽게 수득될 수 있다.
본 발명에 따른 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머는 바람직하게는 1 몰% 이상, 특히 바람직하게는 10 내지 100 몰%, 특히 10 내지 99 몰% 의 화학식 (1) 의 하나 이상의 단위를 함유한다.
화학식 (1) 의 단위 외에 추가 구조 성분을 또한 함유하고, 따라서 공중합체로 고려되어야만 하는 본 발명에 따른 중합체가 특히 바람직하다. 추가 구조 단위가 본 발명에 따른 공중합체의 합성을 위해 필요하지만, 그들은 그 자체가 본 발명의 주제는 아니므로 참조로서 기재되어야만 한다. 특히, WO 02/077060, WO 2005/014689 및 이러한 명세서에 인용된 참조에서 비교적 넓은 범위의 목록은 또한 본원에서는 참조로 인용되어야만 한다. 이러한 추가 구조 단위는 예를 들어, 하기 기재될 분류로부터 발생될 수 있다:
군 1 : 중합체 백본을 나타내는 구조 단위.
군 2 : 중합체의 정공 주입 및/또는 수송 특성을 증강시키는 구조 단위.
군 3 : 중합체의 전자-주입 및/또는 수송 특성을 현저히 증강시키는 구조 단위.
군 4 : 군 2 및 군 3 의 각각의 단위의 조합을 갖는 구조 단위.
군 5 : 수득된 중합체의 형태 및/또는 방출색에 영향을 미치는 구조 단위.
군 6 : 방출특징을 전계형광 대신 전계인광을 수득할 수 있는 범위로 개질시키는 구조 단위.
군 7 : 단일항 상태에서 삼중항 상태로의 이동을 개선시키는 구조 단위.
상기-언급된 기에 대해 적절하고 바람직한 단위는 하기에 기재될 것이다.
군 1 - 중합체 백본을 나타내는 구조 단위:
화학식 (1) 의 단위 외에, 군 1 의 바람직한 단위는 특히, 탄소수 6 내지 40 의 방향족 또는 카르보시클릭 구조를 함유하는 것이다. 적절하고 바람직한 단위는 그 중에서도 특히, EP 0842208, WO 99/54385, WO 00/22027, WO 00/22026 및 WO 00/46321 에 개시된 플루오렌 유도체, 인데노플루오렌, 더욱이 예를 들어, EP 0707020, EP 0894107 및 WO 03/020790 에 개시된 스피로비플루오렌 유도체, 또는 WO 2005/014689 에 개시된 디히드로페난트렌 유도체이다. 또한 예를 들어 WO 02/077060 에 기재된 이러한 단량체 단위의 두 개 이상의 조합이 사용될 수 있다. 화학식 (1) 의 단위 외에, 중합체 백본에 대해 바람직한 단위는 특히, 스피로비플루오렌 및 인데노플루오렌이다.
군 1 의 특히 바람직한 단위는 하기 화학식의 이가 단위이고, 식 중, 점선은 인접 단위에 대한 결합을 나타낸다:
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Figure 112009015798115-PCT00006
식 중, 각각의 라디칼은 하기의 의미를 갖는다:
YY 는 Si 또는 Ge 이고,
VV 는 O, S 또는 Se 이고,
여기서, 상기 다양한 화학식은 또한 하나 이상의 치환기 R11 에 의해 자유로운 위치에 추가로 치환될 수 있고, 상기 R11 은 하기를 나타낸다:
R11 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 H, 탄소수 1 내지 22 의 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 쇄이고, 식 중, 더욱이 하나 이상의 비-인접 C 원자는 O, S, CO-O 또는 O-CO-O 에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 H 원자는 불소, 탄소수 5 내지 40 의 아릴 또는 아릴옥시에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 C 원자는 O, S 또는 N 에 의해 대체될 수 있고, 또한 하나 이상의 비-방향족 라디칼 R12, 또는 F, CN, N(R12)2 또는 B(R12)2 에 의해 치환될 수 있고;
R12 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게, H, 탄소수 1 내지 22 의 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬 쇄이고, 식 중, 더욱이 하나 이상의 비-인접 C 원자는 O, S, CO-O 또는 O-CO-O 에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 H 원자는 불소, 또는 탄소수 5 내지 40 의 임의로 치환된 아릴기에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 C 원자는 O, S 또는 N 에 의해 대체될 수 있다.
군 2 - 중합체의 정공-주입 및/또는 수송 특성을 증강시키는 구조 단위:
이들은 통상적으로 방향족 아민 또는 예를 들어, 치환 또는 비치환 트리아릴아민, 벤지딘, 테트라아릴렌-파라-페닐렌디아민, 페노티아진, 페녹사진, 디히드로페나진, 티안트렌, 디벤조-p-디옥신, 페녹사티인, 카르바졸, 아줄렌, 티오펜, 피롤, 퓨란과 같은 전자-풍부 헤테로사이클, 추가로 높은 HOMO (HOMO = highest occupied molecular orbital:최고준위 점유 분자 궤도) 를 갖는 O-, S- 또는 N-함유 헤테로사이클이다. 그러나, 예를 들어, WO 2005/017065 A1 에 기재된 트리아릴포스핀이 또한 적절하다.
군 2 에서 특히 바람직한 단위는 하기 화학식의 이가 단위이고, 식 중, 점선이 인접 단위에 대한 결합을 나타낸다:
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(식 중, R11 은 상기 나타낸 의미 중 하나를 갖고, 다양한 화학식은 또한 하나 이상의 치환기 R11 에 의해 자유로운 위치에 추가로 치환될 수 있고, 표시 및 부호는 하기의 의미를 갖는다:
n 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 0, 1 또는 2 이고,
p 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 0, 1 또는 2 이고, 바람직하게는 0 또는 1 이고,
o 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 1, 2 또는 3 이고, 바람직하게는 1 또는 2 이고,
Ar11, Ar13 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게, R11 에 의해 모노- 또는 폴리치환되거나 또한 비치환될 수 있는, 탄소수 2 내지 40 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고; 가능한 치환기 R11 이 여기서 임의의 자유로운 위치에 잠재적으로 있을 수 있고,
Ar12, Ar14 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게, Ar11, Ar13 또는 치환 또는 비치환 스틸베닐렌 또는 톨라닐렌 단위이고,
Ar15 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 R11 에 의해 모노- 또는 폴리치환되거나 비치환될 수 있고 두 개 이상의 축합 고리로 이루어진, Ar11 에 의해 기재된 계 또는 9 내지 40 개의 방향족 원자 (C 또는 헤테로원자) 를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 중 하나이고; 가능한 치환기 R11 은 여기서 잠재적으로 임의의 자유로운 위치에 있을 수 있음).
군 3 - 중합체의 전자-주입 및/또는 수송 특성을 현저히 증강시키는 구조 단위:
이들은 통상적으로 예를 들어, 치환 또는 비치환 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 안트라센, 옥사디아졸, 퀴놀린, 퀴녹살린, 페나진, 케톤, 포스핀 옥사이드, 설폭시드 또는 트리아진과 같은 전자-결핍 방향족 또는 헤테로사이클이나, 또한 트리아릴보란 및 낮은 LUMO (LUMO = lowest unoccupied molecular orbital: 최저준위 비점유 분자 궤도) 를 갖는 추가 O-, S- 또는 N-함유 헤테로사이클, 및 예를 들어, WO 05/040302 에 개시된 벤조페논 및 그의 유도체와 같은 화합물이다.
군 3 의 특히 바람직한 단위는 하기 화학식의 이가 단위이고, 식 중, 점선은 인접 단위에 대한 결합을 나타낸다:
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Figure 112009015798115-PCT00010
(여기서, 다양한 화학식은 상기 정의된 하나 이상의 치환기 R11 에 의해 자유로운 위치에 치환될 수 있음).
군 4 - 군 2 및 군 3 의 각각의 단위의 조합을 갖는 구조 단위:
또한 본 발명에 따른 중합체는 정공 이동도 및 전자 이동도를 증가시키는 구조가 서로 직접적으로 결합된 단위를 함유할 수 있다. 그러나, 이러한 단위의 일부는 방출색을 황색 또는 적색으로 이동시킨다. 따라서, 청색 또는 녹색 방출을 발생시키기 위한 본 발명에 따른 중합체에서 그의 사용은 덜 바람직하다.
군 4 의 상기 단위가 본 발명에 따른 중합체에 존재하는 경우, 그들은 바람직하게는 하기 화학식의 이가 단위로부터 선택되고, 식 중, 점선은 인접 단위에 대한 결합을 나타낸다:
Figure 112009015798115-PCT00011
Figure 112009015798115-PCT00012
Figure 112009015798115-PCT00013
Figure 112009015798115-PCT00014
(여기서, 다양한 화학식은 하나 이상의 치환기 R11 에 의해 자유로운 위치에 치환될 수 있고, 기호 R11, Ar11, p 및 o 는 상기 언급된 의미를 갖고, Y 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게, O, S, Se, N, P, Si 또는 Ge 임).
군 5 - 수득된 중합체의 형태 및/또는 방출색에 영향을 미치는 구조 단위:
상기 언급된 단위 외에, 이들은 상기-언급된 기가 아닌 즉, 전하-캐리어 이동도에 극히 적은 영향을 미치는 하나 이상의 추가 방향족 또는 또다른 컨쥬게이션 구조를 갖는 단위로, 이들은 유기금속 착물이 아니거나 단일항-삼중항 이동에 영향을 미치지 않는다. 상기 유형의 구조 성분은 수득된 중합체의 형태 뿐만 아니라 방출색에도 영향을 미칠수 있다. 단위에 따라 다르므로, 또한 그것은 에미터로 사용될 수 있다. 탄소수 6 내지 40 의 치환 또는 비치환 방향족 구조 또는 또한 톨란, 스틸벤 또는 비스스티릴아릴렌 유도체가 바람직하고, 그들 각각은 하나 이상의 라디칼 R11 에 의해 치환될 수 있다. 1,4-페닐렌, 1,4-나프틸렌, 1,4- 또는 9,10-안트릴렌, 1,6- 또는 2,7- 또는 4,9-피레닐렌, 3,9- 또는 3,10-페릴레닐렌, 4,4'-비페닐일렌, 4,4"-테르페닐일렌, 4,4'-비-1,1'-나프틸일렌, 4,4'-톨라닐렌, 4.4'-스틸베닐렌 또는 4,4"-비스스티릴아릴렌 유도체의 혼입이 특히 바람직하다.
하기 화학식의 치환 또는 비치환 구조가 매우 특히 바람직하다:
Figure 112009015798115-PCT00015
Figure 112009015798115-PCT00016
Figure 112009015798115-PCT00017
(여기서, 다양한 화학식은 상기 정의된 하나 이상의 치환기 R11 에 의해 자유로운 위치에 치환될 수 있음).
군 6 - 방출 특징을 전계형광 대신 전계인광을 수득할 수 있는 상기 범위로개질시키는 구조 단위:
이들은 특히, 실온에서도 높은 효율로 삼중항 상태로부터 빛을 방출할 수 있는, 즉, 에너지 효율의 증가를 빈번하게 유발하는 전계형광 대신에 전계인광을 나타내는 단위이다. 상기 목적을 위해 36 초과의 원자 번호를 갖는 무거운 원자를 함유하는 화합물이 일차적으로 적절하다. 특히 적절한 화합물은 상기-언급된 조건을 만족하는 d- 또는 f-전이 금속을 함유하는 것이다. 8 내지 10 족의 원소 (Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt) 를 함유하는 해당하는 구조 단위가 매우 특히 바람직하다. 본 발명에 따른 중합체에 대해 적절한 구조 단위는 예를 들어, WO 02/068435, WO 02/081488, EP 1239526 및 WO 04/026886 에 기재된 다양한 착물이다. 해당하는 단량체는 WO 02/068435 및 WO 2005/042548 A1 에 기재된다.
군 6 의 바람직한 단위는 하기 화학식의 것이다:
Figure 112009015798115-PCT00018
Figure 112009015798115-PCT00019
Figure 112009015798115-PCT00020
(식 중, M 은 Rh 또는 Ir 을 나타내고, Y 는 상기-언급된 의미를 갖고, 다양한 화학식은 상기 정의된 하나 이상의 치환기 R11 에 의해 자유로운 위치에 치환될 수 있음).
군 7 - 단일항 상태에서 삼중항 상태로의 이동을 개선시키는 구조 단위:
이들은 특히, 단일항 상태에서 삼중항 상태로의 이동을 개선시키고, 군 6 의 구조 성분의 지지체에 사용되는, 이러한 구조 성분의 인광 특성을 개선시키는 단위이다. 예를 들어, WO 04/070772 및 WO 04/113468 에 기재된 특히, 카르바졸 및 가교된 카르바졸 이합체 단위가 상기 목적을 위해 적절하다. 또한 케톤, 포스핀 옥사이드, 설폭시드 및 예를 들어, WO 2005/040302 A1 에 기재된 유사한 화합물이 상기 목적을 위해 적절하다.
또한 군 1 내지 7 중 하나로부터 하나 이상의 구조 단위가 동시에 존재할 수 있다.
더욱이, 통상적으로 하나 이상의 리간드 및 하나 이상의 금속 중심으로부터 성립된 본 발명에 따른 중합체는 주쇄 또는 측쇄에 결합된 금속 착물을 또한 함유할 수 있다.
화학식 (1) 의 구조 단위 외에, 군 1 내지 7 로부터 선택된 하나 이상의 단위를 또한 동시에 추가로 함유하는 본 발명에 따른 중합체가 제시되는 것이 바람직하다.
화학식 (1) 의 단위 외에, 또한 군 1 의 단위, 특히 바람직하게는 이러한 단위를 1 몰% 이상 함유하는 본 발명에 따른 중합체가 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 중합체가 전하 수송 또는 전하 주입을 개선시키는 단위, 즉, 군 2 및/또는 3 의 단위를 함유하는 것이 바람직하고; 이러한 단위 1 내지 30 몰% 의 비율이 특히 바람직하고; 이러한 단위 2 내지 10 몰% 의 비율이 매우 특히 바람직하다.
더욱이, 본 발명에 따른 화합물이 군 1 에서의 단위, 군 2 및/또는 3 에서의 단위, 및 군 5 의 단위를 함유하는 것이 특히 바람직하다.
화학식 (1) 의 단위의 비율은 바람직하게는 10 몰% 이상, 특히 바람직하게는 30 몰% 이상, 특히 50 몰% 이상이다. 이는 바람직하게는 특히, 화학식 (1) 의 단위가 중합체 백본인 경우에 적용된다. 다른 작용기의 경우에서는 다른 비율, 예를 들어, 전계발광 중합체의 정공 유도체 또는 에미터의 경우에서는 약 5 내지 20 몰% 의 비율이 바람직할 수 있다. 다른 적용, 예를 들어, 유기 트랜지스터에 대해 바람직한 비율은 정공 또는 전자-유도 단위의 경우에서는 예를 들어, 100 몰% 이하로 달라질 수 있다.
본 발명에 따른 중합체는 바람직하게는 10 내지 10000, 특히 바람직하게는 20 내지 5000, 특히 50 내지 2000 의 반복 단위를 갖는다. 해당하는 덴드리머는 또한 더 적은 반복 단위를 가질 수 있다.
중합체 및 덴드리머의 절대 용해도는 특히, 다양한 반복 단위 상의 치환기, 화학식 (1) 의 단위 상의 치환기 R1-4 및 또한 다른 반복 단위 상의 치환기에 의해 보장된다.
본 발명에 따른 중합체는 화학식 (1) 의 단위를 포함하는 동종중합체 또는 공중합체 중 하나이다. 본 발명에 따른 중합체는 선형 또는 분지형 (가교결합형) 일 수 있다. 화학식 (1) 의 하나 이상의 구조, 또는 그의 바람직한 하위-화학식 이외에, 본 발명에 따른 공중합체가 상기 언급된 군 1 내지 4 의 하나 이상의 추가 구조를 잠재적으로 가질 수 있다.
본 발명에 따른 공중합체는 랜덤, 교대 또는 블록-형 구조를 가지거나 또한 교대 배열로 다수의 이러한 구조를 가질 수 있다. 블록-형 구조를 갖는 공중합체가 수득될 수 있는 방법, 및 상기 목적을 위해 특히 바람직한 추가 구조 성분이 예를 들어, WO 2005/014688 에 상세히 기재된다. 상기 명세서는 본 출원에서 참조로서 인용된다. 또한, 중합체가 또한 덴드리머성 구조를 가질 수 있다는 점에서 다시 강조되어야만 한다.
본 발명에 따른 중합체는 통상적으로 하나 이상의 유형의 단량체 (그 중 하나 이상은 화학식 (1) 에 의해 기재됨) 를 중합하여 제조된다. 적절한 중합 반응은 당업자에게 알려져 있고, 문헌에 기재된다. C-C 결합을 유발하는, 특히 적절하고 바람직한 중합 및 커플링 반응은 SUZUKI, YAMAMOTO, STILLE, HECK, NEGISHI, SONOGASHIRA 또는 HIYAMA 반응이다.
중합이 이러한 방법에 의해 수행될 수 있는 방법 및 중합체를 반응 중간체에서 분리해낸 다음 정제하는 방법은 당업자에게 알려져 있고, 예를 들어, WO 2003/048225 및 WO 2004/037887 의 문헌에 상세히 기재된다.
C-C 결합 반응은 바람직하게는 SUZUKI 커플링, YAMAMOTO 커플링 및 STILLE 커플링의 군으로부터 선택된다.
본 발명에 따른 덴드리머는 당업자에게 알려진 방법 또는 그와 유사한 방법에 의해 제조될 수 있다. 적절한 방법은 예를 들어, [Frechet, Jean M. J.; Hawker, Craig J., "Hyperbranched polyphenylene and hyperbranched polyesters: new soluble, three-dimensional, reactive polymers", Reactive & Functional Polymers (1995), 26(1-3), 127-36; Janssen, H. M.; Meijer, E. W., "The synthesis and characterization of dendritic molecules", Materials Science and Technology (1999), 20 (Synthesis of Polymers), 403-458; Tomalia, Donald A., "Dendrimer molecules", Scientific America (1995), 272(5), 62-6, WO 02/67343 A1 및 WO 2005/026144 A1] 과 같은 문헌에 기재된다.
중합체 및 덴드리머의 합성을 위해, 상응하는 단량체가 요구된다. 군 1 내지 7 의 단위의 합성이 당업자에게 알려져 있고, 예를 들어, WO 2005/014689 의 문헌에 기재된다. 상기 문헌 및 거기에 인용된 문헌은 본 출원에서 참조로서 인용된다.
본 발명에 따른 중합체 및 덴드리머 중의 화학식 (1) 의 구조 단위가 되는 단량체는 바람직하게는 하기 화학식 (1) 로부터 선택된다:
Figure 112009015798115-PCT00021
(식 중, R1-4 는 상기 나타낸 의미를 갖고, R5 및 R6 는 각각 서로 독립적으로 중합 반응에 적절한 반응기 Z 를 나타냄).
특히 바람직한 기 Z 는 특히 Cl, Br, I 와 같은 할로겐, O-토실레이트, O-트리플레이트, O-SO2R', B(OH)2, B(OR')2 또는 Sn(R')3, 더욱이, O-메실레이트, O-노나플레이트, SiMe2F, SiMeF2, CR'=C(R')2 또는 C≡CH 로부터 선택되고, 식 중, 상기 R' 는 임의로 치환된 알킬 또는 아릴을 나타내고, 두 개의 기 R' 는 방향족 또는 지방족, 모노- 또는 폴리시클릭 고리계를 형성할 수 있다. "아릴" 및 "알킬" 은 바람직하게는 상기 나타낸 의미 중 하나를 갖는다.
더욱이, 상기 R5 및 R6 이 각각 서로 독립적으로 Z 를 나타내는, 상기 나타난 하위 화학식 (1a)-(1g) 의 단량체가 바람직하다.
또한, 본 발명은 중합체 및 덴드리머 중의 화학식 (1) 의 단위가 되는 신규 단량체, 특히, 화학식 (1) 및 하위-화학식 (1a) 내지 (1g) 의 신규 단량체에 관한 것이다.
단량체는 당업자에게 알려지고 유기 화학의 표준 작업에 기재된 방법에 의해 제조될 수 있다. 특히 적절하고 바람직한 방법은 실시예에 기재된다.
본 발명에 따른 중합체는 선행 기술에 따른 중합체에 비해 하기의 장점을 갖는다:
(1) 본 발명에 따른 중합체는 선행 기술에 따른 중합체에 비해 더 높은 광안정성을 나타낸다. 전계발광으로 방출되는 복사선 또는 외부적으로 입사된 복사선에 의해 상기 중합체가 분해되지 않아야만 하기 때문에, 이러한 중합체를 사용하는데 있어서 이 특성은 매우 중요하다. 상기 특성은 선행기술에 따른 중합체에서 훨씬 불만족스럽다.
(2) 본 발명에 따른 중합체는 적용 시, 다른 동일하거나 유사한 조성물에 비해 상당하거나 더 높은 발광 효율을 갖는다. 따라서, 특히, 배터리에 의존하는 이동성 제품 (휴대폰, 무선 호출기, PDA 등을 위한 디스플레이) 에서 매우 중요한, 낮은 에너지 소비로 동일한 밝기가 달성될 수 있기 때문에 상기 특성은 매우 중요하다. 반대로 말하면, 동일한 에너지를 소비하여 더 우수한 밝기가 수득되고, 이는 예를 들어, 조명 제품에서 흥미로울 수 있다.
(3) 더욱이, 다시 직접 비교하면 본 발명에 따른 중합체가 상당하거나 더 긴 작동 수명을 갖는다는 것이 놀랍게도 발견되었다.
(4) 본 발명에 따른 중합체 및 그를 포함하는 용액 및 제형물은 개선된 가공성, 특히, 용액에서 낮은 점도를 갖는다.
(5) 본 발명에 따른 중합체는 특히, 암청색 색좌표의 경우에서 더 우수한 색 안정성을 나타낸다.
더욱이, 본 발명에 따른 중합체를 순수한 물질로서가 아니라, 대신에 임의의 바람직한 유형의 중합체성, 올리고머성, 덴드리머성 또는 저-분자량 물질과 함께 혼합물 (블렌드) 로서 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 이들은 예를 들어, 전기적 특성을 개선하거나 스스로 방출한다. 그러므로 본 발명은 또한 상기 유형의 블렌드에 관한 것이다.
더욱이, 본 발명은 하나 이상의 용매에 본 발명에 따른 블렌드 또는 중합체를 하나 이상 포함하는 제형물 및 용액에 관한 것이다. 중합체 용액의 제조 방법은 당업자들에게 알려져있고, 예를 들어, WO 02/072714, WO 03/019694 및 거기에 인용된 문헌에 기재된다.
이러한 용액은 예를 들어, 면적-코팅 (area-coating) 방법 (예를 들어, 스핀 코팅) 또는 프린팅 방법 (예를 들어, 잉크-젯 프린팅) 으로 얇은 중합체 층을 생성하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 중합체는 PLED 에 사용될 수 있다. PLED 의 제조 방법은 당업자에게 알려져 있고, WO 2004/070772 에 각각의 경우에 따라서 적용되어야만 하는 통상의 방법으로 상세히 기재된다.
상기 기재된 것과 같이, 본 발명에 따른 중합체는 상기 방법으로 제조된 디스플레이 또는 PLED 에서의 전계발광 물질로서 매우 특히 적절하다.
본 발명의 목적을 위해, 전계발광 물질은 PLED 에서 활성층으로 사용될 수 있는 물질을 의미하는 것으로 받아들여 진다. 활성층은 전기장을 적용하여 빛을 방출할 수 있는 층 (발광층) 및/또는 양 및/또는 음 전하의 주입 및/또는 수송을 개선시키는 층 (전하-주입 또는 전하-수송층) 을 의미한다.
그러므로, 본 발명은 또한 PLED 에서 본 발명에 따른 중합체 또는 블렌드의 특히, 전계발광 물질로서의 용도에 관한 것이다.
따라서, 또한 본 발명은 하나 이상의 활성층을 갖는 PLED 에 관한 것이고, 여기서 이러한 활성층 중 하나 이상은 본 발명에 따른 하나 이상의 중합체를 포함한다. 활성층은 예를 들어, 발광층 및/또는 수송층 및/또는 전하-주입층일 수 있다. 본 발명에 따른 중합체는 특히 바람직하게는 중간층을 갖는 PLED 에서 사용된다.
본 출원 문서 및 또한 하기의 실시예는 PLED 및 해당하는 디스플레이에 관한 본 발명에 따른 중합체 또는 블렌드의 용도에 관한 것이다. 설명의 이러한 제약에도 불구하고, 당업자는 다른 전자 장치, 예를 들어, 몇 개의 적용을 예를 들면 유기 전계 효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 레이져 다이오드 (O-LASER) 또는 유기 광전 (OPV) 소자 또는 장치에서 추가로 사용되기 위해, 본 발명에 따른 중합체를 반도체로서 추가의 진보성없이 사용할 수 있다.
또한 본 발명은 해당하는 장치에서의 본 발명에 따른 중합체의 용도에 관한 것이다.
또한 당업자는 추가의 진보성없이도 컨쥬게이션 중합체 및 컨쥬게이션 덴드리머에 상기 제시된 설명을 적용하는 것이 쉽다. 따라서, 본 발명은 또한 상기 유형의 켠쥬게이션 덴드리머에 관한 것이다.
화학식 (1) 의 화합물은 당업자에게 알려지고, 예를 들어, WO 2005/014689 와 같은 문헌에 기재된 방법에 의해 제조될 수 있다. 더욱이, 적절하고 바람직한 합성 방법은 실시예에 제시된다. 더욱이, 본 발명은 본 발명에 따른 단량체 및 중합체에 대해 상기 및 하기에 기재된 합성 방법에 관한 것이다 화학식 (1) 의 단량체는 예를 들어, 2,7-디할로페난트렌-9,10-디퀴논과 유기마그네슘 할라이드를 그리나드 (Grignard) 방법으로 반응시키고, 수득된 2,7-디할로-9,10-이치환 9,10-디히드로페난트렌-9,10-디올을 바람직하게는 강산과 가열하고, 수득된 2,7-디할로-10,10-이치환 10-히드로페난트렌-9-온을 유기금속 아연 시약과 반응시켜 제조될 수 있다.
하기의 실시예는 본 발명을 제한하지 않고, 설명하는 것으로 의도된다. 특히, 특정 실시예에 근거하여 정의된 화합물의 실시예에 기재된 특징, 특성 및 장점은 달리 언급하지 않는 한, 상세히 나타나지 않으나 청구항의 보호 범위 내에 있는 다른 화합물에도 적용할 수 있다.
실시예 1 : 단량체의 합성
Figure 112009015798115-PCT00022
단량체 (1) 은 하기에 기재된 것과 같이 제조된다.
Figure 112009015798115-PCT00023
가열로 건조된 장치에 50 g 의 Mg 를 첫번째로 도입하고, 700 ml 의 건조 THF 에 용해된 358 ml 의 옥틸 브로마이드를 적가하였다. 반응물을 가열하지 않고 환류시키는 정도에서 상기 용액을 적가하였다. 첨가가 완료되었을 때 (약 40 분 후), 85 ℃ 로 예열된 오일 배스를 장치 밑에 놓고, Mg 가 완전히 용해될 때까지, 혼합물을 약 추가 1.5 시간 동안 환류시켰다. 오일 배스를 제거하고, 1.3 L 의 건조 THF 를 첨가하고, 혼합물을 RT 로 냉각시켜 깔대기를 수단으로 이동시킨 다음, 가열로 건조된 두 번째 장치의 적하 깔대기로 아르곤 하에 분사하였다.
두 번째 장치에서, 253 g 의 디브로모페난트렌퀴논을 1000 ml 의 THF 에 현탁시켰다. 현탁액을 약 0 ℃ 로 냉각시키고, 내부 온도가 25 ℃ 를 초과하지 않는 정도로 Grignard 용액을 적가한 다음, 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 320 ml 의 빙초산/H2O 1:1 을 빙냉 하에 20 분 동안 적가하였다; 상기 반응은 매우 발열성이었다. 혼합물을 추가로 여러 시간 동안 교반하였고, 그동안 두 개의 이상의 상이 형성되었다. 상기 상을 분리하고, 유기 상을 진공에서 0.5 l 로 감소시켰다. 그 다음 유기상을 1.5 l 의 에틸 아세테이트로 희석하고, 포화 NaCl 로 두 번 추출하고, Na2SO4 로 건조시켰다. 건조제를 플루트 여과기로 여과해냈다. 용매를 진공으로 날려버리고, 암적색의 고체를 산출하였다. 800 ml 의 헵탄으로부터 조 생성물을 재결정화시켰다. 수득된 생성물은 백색 고체였다.
Figure 112009015798115-PCT00024
850 ml 의 빙초산 및 450 ml 의 트리플루오로아세트산에 150 g 의 디옥틸디히드록시-DHP 를 현탁시키고, 혼합물을 끓을때까지 가열가고, 환류 하에 교반하였다. 약 60 ℃ 의 내부 온도에서, 반응 혼합물은 맑은 노랑색 용액이었다. 약 2.5 시간 동안 환류시킨 후, 노랑색 고체를 침전해냈다. 반응물을 서서히 실온으로 냉각시켰다. 침전물을 흡입으로 여과해내고, 아세트산에 이어서 물로 세정하였다. 실온에서 밤새 교반 하에 약 2 l 의 물 및 1 l 의 메탄올로 고체를 세정하였다. 미세 침전물을 흡입으로 여과해내고, 물에 이어서 메탄올로 세정하였다.
Figure 112009015798115-PCT00025
장치를 보호 기체의 스트림 하에 가열로 건조하고, 실온으로 냉각시켰다. 디클로로메탄 중의 40 ml 의 1 M 의 티탄 테트라클로라이드 용액을 63 ml 의 무수 디클로로메탄으로 희석하고, 이소프로판올/건조-얼음 배스에서 -30 내지 -40 ℃ 로 냉각시켰다. 헵탄 중의 40 ml 의 1 M 의 디메틸아연 용액을 서서히 첨가하였다. 첨가가 완료되었을 때, 혼합물을 추가로 15 분 동안 교반하였다. 10 g 의 DHP 케톤을 20 ml 의 무수 디클로로메탄에 용해하고, -30 ℃ 에서 반응 혼합물에 적가하였다. 반응 혼합물을 밤새 실온으로 데웠다. 반응 혼합물을 조심스럽게 얼음물에 첨가하였다. 상을 분리하였다. 유기상을 물로 두 번 진탕하여 세정하고, Na2SO4 로 건조시키고, 건조제를 여과해내고, 용매를 진공으로 날려버렸다. 조 생성물을 실리카-겔 컬럼으로 크로마토그래피했다. 용리액 : 헵탄:에틸 아세테이트 100:1.
실시예 2 : 중합체의 합성
하기 조성의 단량체를 함유하는 중합체 P1 내지 P3 를 WO 03/048225 에 기재된 SUZUKI 커플링으로 합성하였다.
중합체 P1 내지 P3 의 조성:
중합체 P1:
Figure 112009015798115-PCT00026
중합체 P2:
Figure 112009015798115-PCT00027
중합체 P3 :
Figure 112009015798115-PCT00028
Figure 112009015798115-PCT00029

Claims (18)

  1. 하기의 화학식 (1) 의 하나 이상의 단위를 함유하는 것을 특징으로 하는, 컨쥬게이션 중합체 및 덴드리머:
    Figure 112009015798115-PCT00030
    (식 중,
    R1-4 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 H, F 또는 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬, 알케닐 또는 알키닐기를 나타내고, 식 중, 더욱이 하나 이상의 비-인접 C 원자는 O, S, CO-O 또는 O-CO-O 에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 H 원자는 불소, 또는 또한 모노- 또는 폴리치환될 수 있는 아릴, 아랄킬, 아랄케닐, 아랄키닐 또는 헤테로아릴기에 의해 대체될 수 있고, 여기서 두 개 이상의 라디칼 R1-4 는 디히드로페난트렌 구조와 축합 또는 스피로-결합 고리계를 또한 형성할 수 있는, 지방족 또는 방향족, 모노- 또는 폴리시클릭 고리계를 또한 서로 형성할 수 있고,
    여기서, 라디칼 R1-4 중 두 개 이상은 H 와 다르고,
    R5,6 은 중합체 또는 덴드리머에서의 결합, 또는 중합 반응에 적절한 반응기 를 나타냄).
  2. 제 1 항에 있어서, 화학식 (1) 의 단위가 중합체의 주쇄로 혼입되는 것을 특징으로 하는 중합체 및 덴드리머.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 라디칼 R1-4 가 C1-C40 알킬, C2-C40 알케닐, C2-C40 알키닐, C3-C40 알릴, C4-C40 알킬디에닐, C4-C40 폴리에닐, C6-C40 아릴, C6-C40 알킬아릴, C6-C40 아릴알킬, C6-C40 헤테로아릴, C4-C40 시클로알킬 및 C4-C40 시클로알케닐을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 중합체 및 덴드리머.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 (1) 의 단위가 하기의 하위 화학식으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 중합체 및 덴드리머:
    Figure 112009015798115-PCT00031
    Figure 112009015798115-PCT00032
    Figure 112009015798115-PCT00033
    (식 중, R1, R2, R5 및 R6 는 제 1 항에 나타낸 의미를 갖고,
    "알킬" 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 탄소수 1 내지 20 의 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬 라디칼을 나타내고,
    "아릴" 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 탄소수 5 내지 20 의 임의로 치환된 아릴 라디칼 또는 탄소수 3 내지 20 의 헤테로아릴 라디칼을 나타내고,
    L 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 F, Cl, Br, I, -CN, -NO2, -NCO, -NCS, -OCN, -SCN, -C(=O)NR2, -C(=O)X, -C(=O)R, -NR2, -P(O)R2, 임의로 치환된 실릴, 탄소수 4 내지 40 의 아릴, 및 탄소수 1 내지 22 의 직쇄 또는 분지형 알킬 또는 플루오로알킬을 포함하는 군으로부터 선택되는 하위-치환기를 나타내고, 식 중, 하나 이상의 H 원자는 F 또는 Cl 에 의해 임의로 대체될 수 있고,
    X 는 할로겐을 나타내고,
    R 은 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 H, 탄소수 1 내지 22 의 직쇄, 분지형 또는 시클릭 알킬, 알케닐, 알키닐 또는 알콕시 쇄를 나타내고, 식 중, 더욱이 하나 이상의 비-인접 C 원자는 O, S, CO-O 또는 O-CO-O 에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 H 원자는 불소, 또는 탄소수 5 내지 40 의 임의로 치환된 아릴 또는 아릴옥시기에 의해 대체될 수 있고, 더욱이 하나 이상의 C 원자는 O, S 또는 N 에 의해 대체될 수 있음).
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 플루오레닐렌, 스피로비플루오레닐렌, 테트라히드로피레닐렌, 스틸베닐렌, 비스스티릴아릴렌, 1,4-페닐렌, 1,4-나프틸렌, 1,4- 또는 9,10-안트릴렌, 1,6- 또는 2,7- 또는 4,9-피레닐렌, 3,9- 또는 3,10-페릴레닐렌, 2,7- 또는 3,6-페난트레닐렌, 4,4'-비페닐일렌, 4,4"-테르페닐일렌 또는 4,4'-비-1,1'-나프틸일렌의 군으로부터 선택되는 추가 구조 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 중합체 및 덴드리머.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 트리아릴아민, 트리아릴포스핀, 벤지딘, 테트라아릴렌-파라-페닐렌디아민, 페노티아진, 페녹사진, 디히드로페나진, 티안트렌, 디벤조-p-디옥신, 페녹사티인, 카르바졸, 아줄렌, 티오펜, 피롤 또는 퓨란의 군으로부터 선택되는 추가 구조 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 중합체 및 덴드리머.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 안트라센, 트리아릴보란, 옥사디아졸, 퀴놀린, 퀴녹살린, 페나진, 케톤, 포스핀 옥사이드, 설폭시드 또는 트리아진의 군으로부터 선택되는 추가 구조 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 중합체 및 덴드리머.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 (1) 의 구조 단위의 비율이 1 내지 100 몰% 인 것을 특징으로 하는 중합체 및 덴드리머.
  9. 하나 이상의 추가 중합체성, 올리고머성, 덴드리머성 또는 저분자량 물질과 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 중합체 및 덴드리머의 블렌드.
  10. 화학식 (1) 의 단량체 화합물:
    Figure 112009015798115-PCT00034
    (식 중, R1-4 는 제 1 항에 나타난 의미를 갖고, R5 및 R6 는 각각 서로 독립적으로 중합 반응에 적절한 반응기 Z 를 나타냄).
  11. 제 10 항에 있어서, Z 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하게 Cl, Br, I, O-토실레이트, O-트리플레이트, O-SO2R', B(OH)2, B(OR')2, Sn(R')3, O-메실레이트, O-노나플레이트, SiMe2F, SiMeF2, CR'=C(R')2 또는 C≡CH 를 나타내고, 식 중, 상기 R' 는 임의로 치환된 알킬 또는 아릴을 나타내고, 두 개의 기 R' 는 방향족 또는 지방족, 모노- 또는 폴리시클릭 고리계를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 단량체.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 제 4 항에 따른 하위-화학식 (1a) 내지 (1g) 로부터 선택되고, 식 중, 상기 R5 및 R6 가 제 10 항 또는 제 11 항에 나타난 의미를 갖는 것을 특징으로 하는 단량체.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 본 발명에 따른 하나 이상의 중합체, 덴드리머, 블렌드 또는 단량체를 하나 이상의 용매 중에 포함하는 용액 및 제형물.
  14. 전자 부품, 바람직하게는 유기 발광 다이오드 (OLED) 에서의 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 중합체, 덴드리머, 블렌드, 단량체, 용액 또는 제형물의 용도.
  15. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 중합체, 덴드리머, 블렌드, 단량체, 용액 또는 제형물을 포함하는 전자 부품.
  16. 제 15 항에 있어서, 전계-효과 트랜지스터 (FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 발광 다이오드 (OLED), 유기 레이져 다이오드 (O-laser) 또는 유기 광전 (OPV) 소자 및 장치인 것을 특징으로 하는 전자 부품.
  17. 제 16 항에 있어서, 하나 이상의 층을 포함하고, 여기서 상기 층 중 하나 이상은 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 중합체, 덴드리머 또는 블렌드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  18. 2,7-디할로페난트렌-9,10-디퀴논을 그리나드 (Grignard) 방법으로 유기마그네슘 할라이드와 반응시키고, 수득된 2,7-디할로-9,10-이치환 9,10-디히드로페난트렌-9,10-디올을 산과 가열하고, 수득된 2,7-디할로-10,10-이치환 10-히드로페난트렌-9-온을 유기금속 아연 시약과 반응시키는 것을 특징으로 하는, 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 단량체의 제조 방법.
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