KR20090037075A - 기판 처리 장치 및 그 세정 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 그 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090037075A
KR20090037075A KR1020070102488A KR20070102488A KR20090037075A KR 20090037075 A KR20090037075 A KR 20090037075A KR 1020070102488 A KR1020070102488 A KR 1020070102488A KR 20070102488 A KR20070102488 A KR 20070102488A KR 20090037075 A KR20090037075 A KR 20090037075A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
nozzle
substrate
cleaning nozzle
processing
Prior art date
Application number
KR1020070102488A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100895862B1 (ko
Inventor
오래택
유재혁
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070102488A priority Critical patent/KR100895862B1/ko
Publication of KR20090037075A publication Critical patent/KR20090037075A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100895862B1 publication Critical patent/KR100895862B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

기판 처리 장치는 처리 용기 내에 배치되어 처리 용기의 내벽을 세정하는 세정 노즐을 구비한다. 세정 노즐은 회전력을 이용하여 세정액을 처리 용기의 내벽에 분사한다. 이에 따라, 기판 처리 장치는 처리 용기의 세정 시간을 단축시키고, 세정 효율과 생산성 및 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 그 세정 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF CLEANING FOR THE SAME}
본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 처리액을 이용하여 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 그 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 포토, 식각, 연마 등과 같은 다양한 공정들이 요구된다.
일반적으로, 반도체 공정은 소정의 용기 안에서 이루어지며, 웨이퍼는 용기 안에 배치되어 처리액 또는 처리 가스에 의해 처리된다. 이러한 반도체 공정은 공정 특성상 파티클이 발생하며, 이러한 파티클은 용기 내벽에 부착되기 쉽다. 특히, 웨이퍼의 처리액으로 사용되는 약액은 공기와 반응하여 염을 형성할 수도 있으며, 이러한 염은 용기 내벽에 부착된다.
이러한 이물질이 용기 내벽에 계속 잔존할 경우, 이후 반도체 공정 과정에서 용기 내부에 부유되어 웨이퍼에 안착될 수도 있으며, 이로 인해, 웨이퍼의 불량을 초래한다.
이를 방지하기 위해, 주기적으로 용기 내벽을 세정하는 세정 작업이 요구된다. 그러나, 용기를 세정하기 위해서는 일체의 반도체 공정을 중지한 후 용기를 해체해야한다. 또한, 용기의 세정 작업은 모두 작업자에 의한 수작업으로 이루어진다. 이로 인해, 용기의 세정 시간이 증가하고, 생산성이 저하된다.
본 발명의 목적은 기판의 세정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 처리 장치의 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리장치는, 지지부재, 처리 용기 및 세정 노즐로 이루어진다.
지지부재는 기판이 안착되고, 일 방향으로 회전된다. 처리 용기는 내부에 상기 지지부재를 수용하여 상기 기판의 처리 공정이 이루어지는 공간을 제공한다. 세정 노즐은 상기 지지부재의 상부에서 상기 지지부재와 마주하고, 측면에 상기 처리 용기를 세정하기 위한 세정액을 분사하는 다수의 제1 분사홀이 형성되며, 일 방향으로 회전하여 상기 세정액을 처리 용기 내벽에 제공한다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리장치의 세정방법은 다음과 같다. 먼저, 처리 용기 내부에 수용된 지지부재의 상부에 세정 노즐을 배치한다. 이어, 상기 세정 노즐이 회전하면서 상기 처리 용기의 측벽에 세정액을 분사하여 상기 처리 용기를 세정한다.
상술한 본 발명에 따르면, 기판 처리장치는 세정 노즐의 회전력을 이용하여 처리 용기의 내벽을 세정한다. 이에 따라, 기판 처리장치는 처리 용기를 분해할 필요 없이 처리 용기를 세정할 수 있으므로, 세정 시간을 단축시키고, 세정 효율과 생산성 및 제품의 수율을 향상시킨다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(500)는 기판 지지부재(100), 처리 용기(200), 배기 부재(300), 및 세정 부재(400)를 포함한다.
구체적으로, 상기 기판 지지부재(100)는 공정 진행 중 웨이퍼를 지지하며, 공정이 진행되는 동안 웨이퍼를 회전시킨다. 기판 지지부재(100)는 원형의 상면을 갖는 플레이트(110), 상기 지지판(110)을 지지하는 지지축(130), 및 상기 지지축(130)과 연결된 구동기(150)를 포함한다.
상기 지지판(110)은 상기 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼는 상기 지지판(110)의 상면과 평행하게 마주하게 배치된다. 본 발명의 일례로, 상기 지지판(110)의 중앙부에는 상기 웨이퍼의 배면에 초순수나 약액과 같은 처리액을 제공하여 상기 웨이퍼를 처리하는 백 노즐(170)이 구비된다.
상기 지지판(110)의 하면에는 상기 지지축(130)이 고정결합되고, 상기 지지축(130)은 상기 구동기(150)에 의해 회전된다. 상기 지지축(130)의 회전력은 상기 지지판(110)에 전달되고, 이에 따라, 상기 지지판(110) 상에 안착된 웨이퍼가 상기 지지판(110)과 함께 회전된다.
상기 지지판(110)은 상기 처리 용기(200) 안에 구비되고, 상기 웨이퍼의 처리 공정은 상기 처리 용기(200) 안에서 이루어진다. 상기 처리 용기(200)는 상부가 개구되고, 상기 처리액의 회수를 위해 다층 구조로 이루어진다.
구체적으로, 상기 처리 용기(200)는 원기둥 형상을 갖는 다수의 회수통(210, 230, 250)을 구비한다. 이 실시예에 있어서, 상기 처리 용기(200)는 세 개의 회수통(210, 230, 250)으로 이루어지나, 상기 회수통(210, 230, 250)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.
상기 다수의 회수통(210, 230, 250)은 제1, 제2 및 제3 회수통(210, 230, 250)으로 이루어진다. 제1 회수통(210)은 환형의 링 형상을 갖는 바닥면, 상기 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽, 및 상기 측벽 상단부로부터 연장된 상면을 구비한다. 상기 제1 회수통(210)의 상면은 중앙부가 개구되고, 지면에 대해 임의의 각도로 기울어진다.
상기 제2 회수통(230)은 상기 제1 회수통(210)의 내부에 구비되고, 상기 제1 회수통(210)으로부터 이격되어 위치하며, 원기둥 형상을 갖는다. 상기 제3 회수통(250)은 상기 제2 회수통(230)의 내부에 구비되고, 원기둥 형상을 갖는다. 상기 제3 회수통(250)의 측벽은 상기 제2 회수통(230)의 측벽으로부터 이격되어 위치하고, 상기 제3 회수통(250)의 바닥면은 상기 제2 회수통(230) 바닥면의 일측 상부에 위치한다.
상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)의 상면들은 중앙부가 개구되고, 상기 제1 회수통(210)으로부터 상기 제3 회수통(250)으로 갈수록 순차적으로 하부에 위치하며, 서로 이격되어 위치한다. 상기 웨이퍼의 처리에 사용된 처리액과 오염 가스는 상기 웨이퍼를 처리하는 과정에서 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)이 서로 이격되어 형성된 회수 공간들(271, 273, 275)을 통해 회수된다.
상기 처리 용기(200)는 상기 기판 지지부재(100)의 수직 위치가 고정된 상태에서 상하 방향으로 이동하여 상기 처리 용기(200)와 상기 지지판(110)의 상대적인 수직 위치를 변경한다. 이에 따라, 상기 처리 용기(200)는 각 회수 공간(271, 273, 275) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)은 각각 서로 다른 배출관(310, 320, 330)에 연결되고, 각 배출관(310, 330, 350)은 상기 회수 공간(271, 273, 275)에 유입된 처리액과 오염 가스를 외부로 배출한다.
한편, 상기 처리 용기(200)의 외측에는 상기 세정 부재(400)가 구비된다. 상기 세정 부재(400)는 제1 및 제2 지지대(410, 430), 세정 노즐(450) 및 연결부(470)를 포함하고, 상기 처리 용기(200)의 내벽을 세정한다.
구체적으로, 상기 제1 지지대(410)는 상기 처리 용기(200)의 외측에 배치되고, 지면에 대해 수직 방향으로 연장되어 로드 형상을 갖는다. 상기 제2 지지대(430)는 상기 제1 지지대(410)의 상단부와 결합하고, 상기 지면에 대해 수평하게 배치된다.
상기 세정 노즐(450)은 상기 처리 용기(200)의 세정 공정시 상기 지지 판(110)과 마주하게 배치되고, 상기 처리 용기(200)의 내벽에 세정액, 예컨대, 초순수를 분사하여 상기 처리 용기(200)를 세정한다. 또한, 상기 세정 노즐(450)은 상기 세정액에 의한 세정이 완료되면, 건조 가스, 예컨대, 질소 가스를 분사하여 상기 처리 용기(200)의 내벽을 건조시킨다. 상기 세정 노즐(450)의 구성에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 2 내지 도 4에서 하기로 한다.
상기 연결부(470)는 상기 제1 지지대(410)와 수평하게 배치되고, 상기 세정 노즐(450)과 상기 제2 지지대(430)를 연결한다. 상기 제1 및 제2 지지대(410, 430)와 상기 연결부(470)의 내부에는 상기 세정액과 상기 건조 가스를 상기 세정 노즐(450)에 제공하기 위한 공급관(미도시)이 형성된다. 상기 세정액과 상기 건조 가스는 상기 제1 지지대(410)와 상기 제2 지지대(430) 및 상기 연결부(470)를 순차적으로 통과하여 상기 세정 노즐(450)에 유입된다.
본 발명의 일례로, 상기 제1 지지대(410)는 수직 방향으로 이동하여 상기 세정 노즐(450)의 수직 방향의 위치를 조절하고, 상기 제2 지지대(430)는 상기 제1 지지대(410)에 고정된 상태에서 수평 이동하여 상기 세정 노즐(450)의 수평 위치를 조절한다.
이하, 도면을 참조하여 상기 세정 노즐(450)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.
도 2는 도 1에 도시된 세정 노즐을 구체적으로 나타낸 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 세정 노즐의 하면을 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 1의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 세정 노즐(450)은 원판 형상으로 형성되고, 상기 세정액(CL) 및 상기 건조 가스(DG)의 압력에 의해 중심축을 기준으로 회전하여 상기 세정액(CL)과 건조 가스(DG)를 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)(도 1 참조)의 내벽에 분사한다.
구체적으로, 상기 세정 노즐(450)의 상면(451)은 상기 연결부(470)의 일 단부에 결합되고, 상기 상면(451)으로부터 연장되어 바닥면(455)과 연결된 측면에는 상기 처리 용기(200)의 내벽을 세정하기 위한 다수의 제1 분사홀(453a)이 형성된다. 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)는 상기 제1 분사홀들(453a)을 통해 상기 처리 용기(200)의 내벽에 분사된다.
한편, 상기 세정 노즐(450)은 바닥면(455)에 상기 백 노즐(170)(도 1 참조)을 세정하기 위한 제2 분사홀(455)이 형성될 수도 있다. 상기 처리 용기(200) 세정 공정 시, 상기 세정 노즐(450)의 바닥면(455)은 상기 백 노즐(170)과 마주하게 배치되고, 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)는 상기 제2 분사홀(455a)을 통해 상기 백 노즐(170)에 분사된다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제1 분사홀들(453a)은 상기 세정 노즐(450)의 내부에서 상기 제2 분사홀(455a)을 중심으로 나선상으로 형성되고, 상기 제2 분사홀(455a)과 연결된다. 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)는 상기 연결부(470)로부터 상기 제2 분사홀(455a)을 통해 상기 제1 분사홀들(453a)에 제공되며, 상기 제1 분사홀들(453a)과 상기 제2 분사홀(455a)로부터 동시에 분사된다.
특히, 상기 제1 분사홀들(453a)은 나선 구조로 이루어지므로, 상기 세정 노 즐(450)은 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)의 분사압에 의해 일 방향으로 회전한다. 따라서, 상기 제1 분사홀들(453a)로부터 분사되는 세정액(CL)과 건조 가스(DG)가 상기 세정 노즐(450)의 회전력에 의해 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)의 내측벽에 제공된다.
여기서, 상기 세정 노즐(450)의 회전 방향은 상기 제1 분사홀들(453a)의 나선 방향에 의해 결정된다. 예컨대, 상기 제1 분사홀들(453a)의 나선 방향이 시계 방향이면 상기 세정 노즐(450) 또한 시계 방향으로 회전하고, 상기 제1 분사홀들(453a)의 나선 방향이 반 시계 방향이면 상기 세정 노즐(450) 또한 반 시계 방향으로 회전한다.
이와 같이, 상기 세정 노즐(450)은 상기 처리 용기(200)의 측벽과 마주하는 측면(453)에 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)를 분사하는 상기 제1 분사홀들(453a)이 형성되고, 일 방향으로 회전하면서 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)를 분사한다. 이에 따라, 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)가 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)의 내측벽에 분사되어 상기 처리 용기(200)의 내벽이 세정된다. 따라서, 상기 기판 처리장치(500)는 상기 처리 용기(200)를 분해할 필요 없이 상기 처리 용기(200)의 내벽을 세정할 수 있으므로, 세정 시간을 단축하고, 생산성 및 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 세정 노즐(450)은 상기 처리 용기(200)와 함께 상기 백 노즐(170)을 세정할 수 있으므로, 세정 효율을 향상시키고, 세정 시간을 단축할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 상기 처리 용기(200)의 세정 과정을 구체적으로 설명한다.
도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 세정하는 공정 과정을 나타낸 도면이고, 도 7은 도 5에 도시된 세정 노즐로부터 세정액이 분사되는 과정을 나타낸 도면이다. 도 6은 상기 기판 처리 장치(500)를 상측에서 바라본 평면도로서, 상기 세정 노즐(450)로부터 상기 세정액(CL)이 분사되는 방향을 보다 명확히 나타내기 위해 상기 제2 지지대(430) 및 상기 연결부(470)를 생략하여 도시하였다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 먼저, 상기 지지판(110)의 상부에 상기 세정 노즐(450)을 배치한다. 이때, 상기 세정 노즐(450)의 바닥면(455)은 상기 백 노즐(170)과 마주하게 배치된다.
이어, 상기 제1 및 제2 지지대(410, 430)와 상기 연결부(470)를 통해 상기 세정액(CL)을 상기 세정 노즐(450)에 제공한다.
상기 세정 노즐(450)은 상기 세정액(CL)의 압력에 의해 일 방향으로 회전하면서 상기 세정액(CL)을 분사한다. 상기 세정 노즐(450)의 내부로 유입된 세정액(CL)은 상기 제1 분사홀들(453a) 및 상기 제2 분사홀(455a)을 통해 분사된다. 구체적으로, 상기 제1 분사홀들(453a)을 통해 분사된 세정액(CL)은 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250) 중 상기 세정 노즐(450)의 현 위치에 대응하는 회수통의 내벽에 제공되어 해당 회수통을 세정한다. 이와 동시에, 상기 제2 분사홀(455a)을 통해 분사된 세정액(CL)은 상기 백 노즐(170)에 분사되어 상기 백 노즐(170)을 세 정한다.
상기 기판 처리장치(500)는 상기 세정 노즐(450)의 수직 위치를 주기적으로 변경시키면서 상기 처리 용기(200)를 세정한다. 여기서, 상기 세정 노즐(450)의 수직 위치는 상기 제1 지지대(410) 또는 상기 처리 용기(200)의 수직 이동에 의해 변경된다.
한편, 상기 세정액(CL)을 이용한 세정이 완료되면, 상기 제1 및 제2 지지대(410, 430)와 상기 연결부(470)를 통해 상기 건조 가스(DG)를 상기 세정 노즐(450)에 제공한다.
상기 세정 노즐(450)은 상기 건조 가스(DG)의 압력에 의해 일 방향으로 회전하면서 상기 건조 가스(DG)를 분사하여 상기 백 노즐(170)과 상기 처리 용기(200)를 건조시킨다. 상기 세정 노즐(450)로부터 상기 건조 가스(DG)가 분사되는 과정은 상기 세정액(CL)의 분사 과정과 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
이와 같이, 상기 세정 노즐(450)은 회전력을 이용하여 상기 처리 용기(200)를 세정하고, 이와 동시에, 상기 백 노즐(170)을 세정한다. 또한, 상기 세정액(CL)에 의한 세정이 완료되면, 상기 세정 노즐(450)은 상기 건조 가스(DG)를 분사하여 상기 처리 용기(200) 및 상기 백 노즐(170)을 건조시킨다. 이에 따라, 상기 기판 처리장치(500)는 상기 처리 용기(200) 및 상기 백 노즐(170)의 세정을 자동화하고, 세정 효율을 향상시키며, 세정 시간을 단축시키고, 생산성 및 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 세정 노즐을 구체적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 세정 노즐의 하면을 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.
도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 세정하는 공정 과정을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 5에 도시된 세정 노즐로부터 세정액이 분사되는 과정을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 기판 지지부재 200 : 처리 용기
310, 330, 350 : 배기관 400 : 세정 부재
410 : 제1 지지대 430 : 제2 지지대
450 : 세정 노즐 453a : 제1 분사홀
455a : 제2 분사홀 470 : 연결부
500 : 기판 처리 장치

Claims (14)

  1. 기판이 안착되고, 일 방향으로 회전되는 지지부재;
    내부에 상기 지지부재를 수용하여 상기 기판의 처리 공정이 이루어지는 공간을 제공하는 처리 용기; 및
    상기 지지부재의 상부에서 상기 지지부재와 마주하고, 측면에 상기 처리 용기를 세정하기 위한 세정액을 분사하는 다수의 제1 분사홀이 형성되며, 일 방향으로 회전하여 상기 세정액을 처리 용기 내벽에 제공하는 세정 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 분사홀들은 상기 세정 노즐의 내부에서 나선상으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 세정 노즐은 상기 세정액의 압력에 의해 일 방향으로 회전하고, 상기 세정 노즐의 회전 방향은 상기 제1 분사홀들의 나선 방향에 따라 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 지지부재는,
    상기 기판과 마주하는 면에 구비되어 상기 기판의 배면에 상기 기판을 처리하는 처리액 또는 처리 가스를 제공하는 백 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하 는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 세정 노즐의 하면은 상기 세정액을 상기 백 노즐에 분사하여 상기 백 노즐을 세정하는 제2 분사홀이 형성되고, 상기 백 노즐과 마주하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 분사홀은 상기 세정 노즐의 내부에서 상기 제1 분사홀들과 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 분사홀은 상기 세정 노즐의 중앙부에 형성되고, 상기 제1 분사홀들은 상기 제2 분사홀을 중심으로 한 나선 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정 노즐은 상기 세정액과 동일한 경로를 통해 상기 처리 용기를 건조하기 위한 건조 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 처리 용기 내부에 수용된 지지부재의 상부에 세정 노즐을 배치하는 단계; 및
    상기 세정 노즐이 회전하면서 상기 처리 용기의 측벽에 세정액을 분사하여 상기 처리 용기를 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 세정 노즐은 상기 세정액의 압력에 의해 일 방향으로 회전하고,
    상기 세정액은 상기 세정 노즐의 측면으로부터 분사되어 상기 처리 용기의 내벽에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 세정액은 상기 세정 노즐의 측면으로부터 분사됨과 동시에, 상기 세정 노즐의 하면으로부터 상기 지지부재 측으로 분사되어 상기 지지부재에 구비된 백 노즐을 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.
  12. 제10항 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 용기의 세정 단계 이후에,
    상기 세정 노즐은 일 방향으로 회전하면서 건조 가스를 분사하여 상기 처리 용기를 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 세정 노즐은 상기 건조 가스의 압력에 의해 회전하고,
    상기 건조 가스는 상기 세정 노즐의 측면으로부터 분사되어 상기 처리 용기의 내벽에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 건조 가스는 상기 세정 노즐의 측면으로부터 분사됨과 동시에, 상기 세정 노즐의 하면으로부터 상기 지지부재 측으로 분사되어 상기 백 노즐을 건조시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.
KR1020070102488A 2007-10-11 2007-10-11 기판 처리 장치 및 그 세정 방법 KR100895862B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070102488A KR100895862B1 (ko) 2007-10-11 2007-10-11 기판 처리 장치 및 그 세정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070102488A KR100895862B1 (ko) 2007-10-11 2007-10-11 기판 처리 장치 및 그 세정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090037075A true KR20090037075A (ko) 2009-04-15
KR100895862B1 KR100895862B1 (ko) 2009-05-06

Family

ID=40761886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070102488A KR100895862B1 (ko) 2007-10-11 2007-10-11 기판 처리 장치 및 그 세정 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100895862B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160135904A (ko) 2015-05-18 2016-11-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20180001683A (ko) 2016-06-27 2018-01-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 용기 세정 방법
US20200303218A1 (en) * 2019-03-21 2020-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate cleaning equipment, substrate treatment system including the same, and method of fabricating semiconductor device using the substrate cleaning equipment
KR20200112588A (ko) * 2019-03-21 2020-10-05 삼성전자주식회사 기판 세정 장비, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101964656B1 (ko) * 2012-05-08 2019-08-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN104425323B (zh) 2013-08-30 2018-01-19 细美事有限公司 处理基板的装置和清洁该装置的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06246418A (ja) * 1993-02-26 1994-09-06 Ube Ind Ltd 潤滑剤噴霧装置
KR19990024511U (ko) 1997-12-13 1999-07-05 윤홍구 냉온정수기의 냉수통 살균장치
KR20010048080A (ko) * 1999-11-25 2001-06-15 박종섭 캐치컵 세정기
KR20060065972A (ko) * 2004-12-11 2006-06-15 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 세정 장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160135904A (ko) 2015-05-18 2016-11-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20180001683A (ko) 2016-06-27 2018-01-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 용기 세정 방법
US20200303218A1 (en) * 2019-03-21 2020-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate cleaning equipment, substrate treatment system including the same, and method of fabricating semiconductor device using the substrate cleaning equipment
CN111715584A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 三星电子株式会社 衬底清洁设备和包括其的衬底处理系统
KR20200112588A (ko) * 2019-03-21 2020-10-05 삼성전자주식회사 기판 세정 장비, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
US11791173B2 (en) * 2019-03-21 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate cleaning equipment, substrate treatment system including the same, and method of fabricating semiconductor device using the substrate cleaning equipment
CN111715584B (zh) * 2019-03-21 2023-10-31 三星电子株式会社 衬底清洁设备和包括其的衬底处理系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR100895862B1 (ko) 2009-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100901495B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 세정 방법
KR100895862B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 세정 방법
KR20140013937A (ko) 액 처리 장치 및 세정 방법
TW201119761A (en) Method and apparatus for showerhead cleaning
JP2010171229A (ja) 基板処理装置の洗浄方法
KR100683275B1 (ko) 진동 유닛 및 이를 포함하는 메가소닉 세정 장치
JP2004507102A (ja) 半導体ウェハコンテナ洗浄装置
KR100897547B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2004535071A (ja) フラットメディアキャリアから汚染物質を除去する方法、フラットメディアキャリア洗浄装置、メディアキャリア洗浄装置、およびボックス洗浄システム
US20080029123A1 (en) Sonic and chemical wafer processor
KR102408137B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4553684B2 (ja) 洗浄装置
KR101909476B1 (ko) 브러시 유닛 및 이를 가지는 기판처리장치.
JP2008108775A (ja) 回転式基板処理装置
KR20100059549A (ko) 기판 지지부재, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR100328258B1 (ko) 웨이퍼 세정장치
TWM548887U (zh) 基板處理裝置和噴頭清洗裝置
KR101583042B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2002170805A (ja) ウエハー洗浄装置
KR102291949B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법
KR102347973B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI640369B (zh) 基板處理裝置、噴頭清洗裝置和噴頭清洗方法
KR200454514Y1 (ko) 기판세정모듈
JP3773626B2 (ja) 両面洗浄ユニット及びこれを用いたウエット処理装置
JPH11176786A (ja) 半導体基板洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130409

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140409

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170413

Year of fee payment: 9