KR20090035913A - 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수산기, 카르복시기 또는 에폭시기를 함유하는 엘라스토머 수지, 필름형성수지, 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지, 에폭시 수지, 경화촉진제, 및 충진제를 포함하는 반도체 조립용 접착필름 조성물에 관한 것으로서, 실란 커플링제를 경화제와 선반응시켜 알코올, 수분, 휘발성 반응부산물 등의 휘발성분을 제거함으로써 보이드 및 기포 발생을 최소화하는 고신뢰성 반도체용 접착필름을 제공할 수 있다.
반도체 조립용 접착필름, 고신뢰성, 보이드, 실란커플링제 선반응, 페놀형 경화제, 에폭시수지, 휘발성분, 내리플로우성, 다이쉐어강도,

Description

실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는 반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름{BONDING FILM COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR ASSEMBLY COMPRISING PHENOL TYPE CURE RESIN PRE-REACTED WITH SILANE COUPLING AGENT AND BONDING FILM THEREFROM USING THE SAME}
본 발명은 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는 반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실란 커플링제를 경화수지와 선반응시켜 알코올, 수분 등의 휘발성분을 미리 제거함으로써 보이드 및 기포 발생을 최소화한 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는 반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름에 관한 것이다.
종래 반도체 소자와 소자 혹은 지지 부재의 접합에 실버페이스트(paste)가 주로 사용되어 왔으나, 최근의 반도체 소자의 소형화, 대용량화 경향에 따라 이에 사용되는 지지부재 또한 소형화와 세밀화가 요구되고 있다. 근래에 많이 사용되었 던 실버페이스트는 돌출 또는 반도체 소자의 경사에서 기인하는 와이어 본딩(wire bonding)시의 이상발생, 기포 발생 및 두께의 제어가 어려운 점 등의 단점이 있었다. 따라서, 최근에는 실버페이스트를 대신하여 접착필름이 주로 사용되고 있는 추세이다.
반도체 조립에 사용되는 접착필름은 주로 다이싱 필름(dicing film)과 함께 사용되며 상기 다이싱 필름은 일련의 반도체 칩 제조공정에서의 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 사용되는 필름을 말한다. 다이싱 공정은 반도체 웨이퍼로부터 개개의 칩으로 절단하는 공정이고, 상기 다이싱 공정에 이어서 익스팬드후 다이를 PCB나 리드프레임에 부착하는 다이어태치 공정, 금선이나 알루미늄 선 등으로 와이어를 칩과 접속단자에 연결하는 와이어본딩 공정, 다이어태치 후 오븐에서 접착부재를 일정부분 경화시켜 고정시키는 오븐 경화공정 등이 수행된다.
상기 다이싱 필름은 통상 염화비닐이나 폴리올레핀 구조의 기재 필름 위에 자외선 경화형 혹은 일반 경화형의 점착제를 코팅하고 그 위에 PET재질의 커버필름을 접착하는 것으로써 구성된다. 한편, 일반적인 반도체 조립용 접착필름의 사용법은 반도체 웨이퍼에 접착필름을 부착하고 여기에 상기와 같은 구성을 갖는 다이싱 필름을 커버필름이 제거된 다이싱 필름에 겹쳐 바른 뒤 다이싱 공정에 따라 조각화하는 것이다.
최근에는 다이싱 다이본딩용 반도체 조립용 접착필름으로서 미리 PET 커버필름을 제거한 다이싱 필름과 필름상 접착필름을 서로 합지시켜 하나의 필름으로 만든 위 그 위에 반도체 웨이퍼를 부착하고 다이싱 공정에 따라 조각화 하는 경향이 있다. 하지만 이러한 경우 기존의 다이싱(Dicing)만을 목적으로 한 다이싱 필름(Dicing film)과는 달리 픽업 공정(pick-up)시 다이(Die)와 다이접착필름(die adhesive film)을 동시에 떨어뜨려야 한다는 어려움을 안고 있으며, 반도체 웨이퍼 후면에 다이 접착필름을 접착시키는 과정에서 기포가 발생 될 수 있다.
반도체패키지는 기판에 실장하는 단계인 리플로우공정을 거치게 되는데 접착필름층의 내리플로우성과 내온도사이클 특성이 떨어질 경우 반도체패키지 내부에서 칩을 부착하고 있는 접착필름 층에서의 박리가 발생하거나 칩의 크랙을 유발하게 된다.
또한, 반도체 조립용 접착필름이 고 신뢰도를 발휘하게 하기 위하여 접착필름 조성물에서 경화부의 함량을 증가시키는데 경화부의 함량이 증가할 경우 상온에서 오랜 시간을 방치 했을 때 필름상 접착필름층과 다이싱 필름의 점착제층 간의 상호작용으로 접착필름층과 점착제층간의 부착력이 높아져서 픽업 공정에서 픽업 성공률이 낮아지는 단점이 있다. 또한 경화부의 함량이 증가함에 따라 공정중의 수분과 반응할 수 있는 수산화기의 농도가 높아지게 되고, 이러한 휘발성분이 다이어태치공정이나 와이어본딩공정, 오븐경화공정 등에서 보이드 및 기포를 발생시키게 되어 신뢰성을 저하시키는 원인이 된다. 또한 필름의 인장강도가 감소하게 되어 반도체 웨이퍼에 맞는 크기로 자르는 프리 컷팅(Precutting)과정에서 접착필름이 변형되어 끊어지거나 버(Burr) 혹은 칩핑(Chipping)현상이 발생할 수 있다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 극복하기 위하여 안출된 것으로서,
본 발명의 목적은 각종 공정 중에 발생할 수 있는 알코올, 수분 등의 휘발성분을 제거함으로써 보이드 및 기포 발생을 최소화하여 접착필름의 고신뢰성을 부여하고 다이어태치(die attach) 공정이나 와이어본딩(wire bonding) 공정 및 오븐경화(oven cure) 공정에서 잔류한 휘발성분에 의해 발생되는 보이드 및 기포 발생을 최소화 할 수 있는 반도체 조립용 접착필름용 조성물 및 이에 의한 접착필름을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 양상은, 접착제 조성물에 실란 커플링제 선반응된 페놀형 경화수지를 적용하는 것에 관계한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 양상은, 수산기, 카르복시기 또는 에폭시기를 함유하는 엘라스토머 수지, 필름형성수지, 에폭시 수지, 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지, 경화촉진제 및 충진제를 포함하는 반도체 조립용 접착필름 조성물에 관계한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 양상은, 상기 조성물로 형성된 반도체 조립용 접착필름 및 상기 접착필름을 포함하는 다이싱 다이 본드 필름에 관계한다.
이와 같은 본 발명의 반도체 조립용 접착필름용 조성물은 실란커플링제를 페놀형 경화수지와 선 반응시킨 수지를 적용함으로써 다이어태치 공정이나 와이어본딩공정 및 오븐경화공정에서의 보이드 및 기포발생이 없고 접착필름의 고신뢰성을 부여할 수 있는 반도체 조립용 접착필름을 제공할 수 있다.
본 발명을 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
본 발명의 반도체 조립용 접착필름 조성물은 수산기, 카르복시기 또는 에폭시기를 함유하는 엘라스토머 수지, 필름형성수지, 에폭시 수지, 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지, 경화촉진제 및 충진제를 포함한다.
본 발명의 반도체 조립용 접착필름 조성물은 상기 수산기, 카르복시기 또는 에폭시기를 함유하는 엘라스토머 수지 5 내지 60 중량% ;
상기 필름형성 수지 5 내지 60 중량% ;
에폭시 수지 5 내지 40 중량% ;
실란 커플링제 선반응된 페놀형 경화수지 제 3 내지 25 중량%; 및
경화촉진제 0.01 내지 10 중량% ; 및
충진제 3 내지 60 중량%를 포함한다.
상기 조성물이 페놀형 경화수지를 추가로 포함하고, 상기 페놀형 경화수지 및 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지의 합이 3 내지 30중량%일 수 있다.
이하, 본 발명의 조성물을 구성하는 각 성분에 관하여 더욱 상세하게 설명한다.
엘라스토머 수지
본 발명의 조성물은 필름상으로서의 취급이 용이하도록 필름의 강도를 부여하고 적절한 접착력을 갖는 필름 형성에 필요한 고무 성분으로서 수산기, 카르복시기, 또는 에폭시기를 함유하는 엘라스토머 수지를 포함한다. 상기 엘라스토머 수지는 중량 평균 분자량이 50,000 내지 5,000,000의 범위인 것이 바람직하고 100,000 ~ 800,000인 것이 보다 바람직하다. 이러한 엘라스토머 수지로는 예를 들면, 아크릴로니트릴(Acrylonitrile)계, 부타디엔(Butadiene)계, 스티렌(Styrene)계, 아크릴(Acryl)계, 이소프렌(Isoprene)계, 에틸렌(Ethylene)계, 프로필렌(Propylene)계, 폴리우레탄계 및 실리콘(silicone)계 엘라스토머로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 것을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 엘라스토머 수지의 함량은 반도체 조립용 접착필름 조성물 전체에 대하여 5 내지 60 중량%인 것이 바람직하다.
필름형성 수지
본 발명의 조성물은 필름상으로서의 취급이 용이하도록 필름의 강도를 부여하고 적절한 접착력을 가지도록 접착필름 형성에 도움을 주는 필름형성 수지를 포함한다.
상기 필름형성 수지의 유리전이온도가 -30℃ 내지 200℃범위인 것을 사용할 수 있고, 바람직하게는 0℃ 내지 200℃범위의 높은 유리전이온도(Tg)를 가지는 것이 좋다.
상기 필름형성 수지는 수산기, 에폭시기, 페녹시기 또는 알킬기를 함유하는 페놀계 및 페녹시계 수지로서, 중량 평균 분자량이 200 내지 500,000의 범위인 것이 바람직하다.
상기 높은 유리전이온도(Tg)를 갖는 필름형성 수지로서는 예를 들면, 히드로퀴논, 2-브로모히드로퀴논, 레졸시놀, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 4,4'-디히드록시비페닐, 비스(4-히드록시페닐)에테르, 페놀기, 크레졸기, 크레졸 노볼락기, 프로렌기의 골격을 포함하는 것으로서, 알킬기, 아릴기, 메틸올기, 알릴기, 환상 지방족기, 할로겐, 니트로기, 그리고 이들의 비스페놀 골격의 중심 탄소 원자에 직쇄형 알킬기, 분지형 알킬기, 알릴기, 치환 알릴기, 환상 지방족기, 알콕시카르보닐기를 도입한 페놀계 또는 페녹시계를 예시할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 이들로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 필름형성 수지의 함량은 반도체 조립용 접착필름 조성물 전체에 대하여 5 내지 60 중량%인 것이 바람직하다.
실란 커플링제 선반응된 페놀형 경화수지
본 발명의 조성물은 실란커플링제가 선반응된 페놀형 경화수지(이하, 선반응된 페놀형 경화수지)를 포함한다. 상기 선반응된 페놀형 경화수지는 실란커플링제와 페놀형 경화수지의 몰비를 1 : 5 내지 1 : 100으로 하여 제조될 수 있다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 상기 선반응된 페놀형 경화수지가 실란커플링제와 페놀형 경화수지가 미리 반응하여 제조된 것이다.
[실란커플링제]
상기 선반응된 페놀형 경화수지에 사용되는 실란커플링제는 조성물 배합시 실리카와 같은 무기물질의 표면과 수지들간의 접착력을 증진시키기 위한 접착증진제의 기능을 한다. 상기 실란 커플링제로서는 통상적으로 에폭시 함유 실란 또는 머캡토 함유 실란인 것을 사용할 수 있으며, 에폭시가 함유된 것으로 2-(3,4 에폭시 사이클로 헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란이 있고, 아민기가 함유된 것으로 N-2(아미노에틸)3-아미토프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란이 있으며, 머켑토가 함유된 것으로 3-머켑토프로필메틸디메톡시실란, 3-머켑토프로필트리에톡시실란, 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란을 예시할 수 있다.
[페놀형 경화수지]
상기 선반응된 페놀형 경화수지의 제조에 사용되는 페놀형 경화수지로는 통상 사용되고 있는 페놀형 경화수지를 특별한 제한없이 사용할 수 있고, 바람직하게는 페놀성 수산기를 1 분자 중에 2개 이상 가지는 화합물로서 흡습시의 내전해부식성이 우수한 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S계 경화제 수지 및 페놀 노볼락 수지, 비스페놀 A계 노볼락 수지 또는 크레졸 노볼락, 자일록계, 비페닐계 등의 페놀계 수지 를 사용하는 것이 좋다.
이러한 페놀형 에폭시 수지 경화제로서 현재 시판되고 있는 제품의 예를 들면, 단순 페놀계의 경화제로는 메이와화성주식회사의 H-1, H-4, HF-1M, HF-3M, HF-4M, HF-45 등이 있고 파라 자일렌계열의 메이와화성주식회사의 MEH-78004S, MEH-7800SS, MEH-7800S, MEH-7800M, MEH-7800H, MEH-7800HH, MEH-78003H, 코오롱 유화주식회사의 KPH-F3065, 비페닐 계열의 메이와화성주식회사의 MEH-7851SS, MEH-7851S, MEH7851M, MEH-7851H, MEH-78513H, MEH-78514H, 코오롱유화주식회사의 KPH-F4500, 트리페닐메틸계의 메이와화성주식회사의 MEH-7500, MEH-75003S, MEH-7500SS, MEH-7500S, MEH-7500H 등을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
바람직하게는 상기 페놀형 경화수지가 하기 화학식1로 표시되는 것이 좋다.
Figure 112007072055741-PAT00001
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 수소원자이고,
a, b는 각각 0 내지 4, n은 0 내지 7의 정수이다.
상기 화학식 1로 표시되는 페놀형 경화수지는 수산기를 1 분자 중에 2개 이상 가지는 화합물로서 흡습시의 내전해 부식성이 우수하고, 내열성이 우수하고, 흡습량이 적어서 내리플로우성에 우수한 효과가 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 페놀형 경화수지의 수산기 당량은 바람직한 것은 100 내지 600g/eq, 보다 바람직한 것은 170 내지 300g/eq 이다. 수산기 당량이 100g/eq 미만이면 흡수율이 높고, 내리플로우성이 악화되는 경향이 있고, 600g/eq 를 넘으면 유리전이온도가 저하되고 내열성이 악화되는 경향이 있다.
본 발명의 조성물에 사용되는 선반응된 페놀형 경화수지는 상기에 언급한 실란 커플링제를 페놀형 경화수지와 미리 선반응시켜서 알코올, 수분 등의 휘발성분을 제거하여 수득할 수 있다.
실란커플링제(a)와 페놀형 경화수지(b)와의 합성비는 몰비로 a/b = 1/5 내지 1/100 인 것이 바람직하다. 몰비가 1/5 이내일 경우 커플링제끼리의 겔화가 쉽게 발생할수 있고 1/100을 벗어나면 필요한 커플링제를 모두 선반응시킬수 없게되는 문제가 있다.
상기 실란커플링제 선반응된 경화수지를 사용함으로써 보이드 및 기포 발생을 최소화 할 수 있다. 상기 실란커플링제 선반응된 경화수지의 중량 평균 분자량이 500~6000 정도인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지 함량은 반도체 조립용 접착필름 조성물 전체에 대하여 3 내지 25 중량%인 것이 바람직하고 3 내지 15 중량%인 것이 보다 바람직하다. 상기 실란커플링제 선반응된 경화수지 함량이 3중량% 보다 적으면 충분한 접착력이 발휘되지 않으며 25중량%보다 많으면 접착력이 저하되는 경향이 있다.
페놀형 경화수지
상기 조성물이 페놀형 경화수지를 추가로 포함할 수 있다. 상기 페놀형 경화수지는 앞에서 상술된 선반응된 페놀형 경화수지와 달리 실란커플링제와 미리 반응되지 않은 것이다. 상기 페놀형 경화수지는 앞에서 상술된 선반응된 페놀형 경화수지의 제조에 사용된 페놀형 경화수지와 동일한 수지를 사용할 수 있다.
상기 조성물이 페놀형 경화수지를 추가로 포함하는 경우에는 상기 페놀형 경화수지와 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지의 총함량이 조성물 전체에 대하여 3 내지 30중량%인 것이 바람직하다. 3중량% 미만이면 유동성, 내열성이 떨 어지는 경향이 있고, 30중량% 초과하면 내습성, 내리플로우성이 떨어지는 문제가 있다.
에폭시 수지
본 발명의 조성물은 경화 접착제로서의 에폭시 수지를 포함한다. 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량은 100 내지 1500g/eq 인 것이 바람직하고, 150 내지 800g/eq인 것이 보다 바람직하고, 150 내지 400g/eq인 것이 가장 바람직하다. 에폭시 당량이 100g/eq 미만이면 경화물의 접착성이 저하되는 경향이 있고, 1500g/eq를 넘는다면 유리전이온도가 저하되고, 내열성이 나쁜 경향이 있다. 에폭시수지는 경화 및 접착 작용을 나타내는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 필름의 형상을 고려하면 고상 혹은 고상에 근접한 에폭시로서, 하나 이상의 관능기를 가지고 있는 에폭시 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지로는 비스페놀계, 오르쏘 크레졸 노볼락(ortho-Cresol novolac)계, 다관능 에폭시, 아민계 에폭시, 복소환 함유 에폭시, 치환형 에폭시, 나프톨계 에폭시를 예시할 수 있으며, 현재 시판되고 있는 제품으로서는 비스페놀계로서는 대일본 잉크화학의 에피클론 830-S, 에피클론 EXA-830CRP, 에피클론 EXA 850-S, 에피클론 EXA-850CRP, 에피클론 EXA-835LV, 유카 쉘에폭시 주식회사의 에피코트 807, 에피코트 815, 에피코트 825, 에피코트 827, 에피코트 828, 에피코트 834, 체피코트 1001, 에피코트 1004, 에피코트 1007, 에피코트 1009, 다우케미컬사의 DER-330, DER-301, DER-361, 국도화학의 YD-128, YDF-170등이 있고, 오르쏘 크 레졸 노볼락(ortho-Cresol novolac)계로서는 국도화학의 YDCN-500-1P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500-80P, YDCN-500-90P, 일본화약주식회사의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027 등이 있고, 다관능 에폭시 수지로서는 유카쉘 에폭시 주식회사 Epon 1031S, 시바스페샬리티케미칼주식회사의 아랄디이토 0163, 나가섭씨온도화성 주식회사의 데타콜 EX-611, 데타콜 EX-614, 데타콜 EX-614B, 데타콜 EX-622, 데타콜 EX-512, 데타콜 EX-521, 데타콜 EX-421, 데타콜 EX-411, 데타콜 EX-321 등이 있으며, 아민계 에폭시 수지로서는 유카쉘에폭시 주식회사 에피코트 604, 독도화학주식회사의 YH-434, 미쓰비시가스화학 주식회사의 TETRAD-X, TETRAD-C, 스미토모화학주식회사의 ELM-120 등이 있고, 복소환 함유 에폭시수지로는 시바스페샬리티케미칼주식회사의 PT-810, 치환형 에폭시로는 UCC사의 ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206, 나프톨계 에폭시로는 대일본 잉크화학의 에피클론 HP-4032, 에피클론 HP-4032D, 에피클론 HP-4700, 에피클론 4701등을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 에폭시 수지의 함량은 반도체 조립용 접착필름 조성물 전체에 대하여 5 내지 40 중량%인 것이 바람직하다.
상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지와 상기 에폭시 수지, 또는 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지, 상기 페놀형 경화수지 및 상기 에폭시 수지의 배합량은 에폭시 당량과 수산기 당량의 비율로 0.6 내지 1.4일 수 있다. 즉, 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지를 단독으로 사용하거나, 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지와 상기 페놀형 경화수지를 동시에 사용하는 경우에 상기 에폭시 수지와의 배합량은 에폭시 수지의 에폭시 당량과 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지 및 상기 페놀형 경화수지의 수산기 당량의 비율로 0.6 내지 1.4인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 당량비율이 0.8 내지 1.2가 되는 것이 좋다. 배합비가 0.6 내지 1.4를 벗어나면 접착 필름으로서의 접착성과 경화성이 떨어지는 경향이 있다.
경화촉진제
본 발명의 조성물은 반도체 공정 동안에 에폭시 수지가 완전히 경화될 수 있도록 경화시간을 단축시키는 촉매로서 경화촉진제를 포함한다.
본 발명의 조성물에서 사용할 수 있는 경화촉진제는 포스핀계 또는 보론계 경화촉진제와 이미다졸계 경화촉진제를 사용할 수 있다.
본 발명의 구현예들에서 사용할 수 있는 포스핀계 경화촉진제는 트리페닐포스핀(Triphenylphosphine), 트리-o-토일포스핀(Tri-o-tolylphosphine), 트리-m-토일포스핀(Tri-m-tolylphosphine), 트리-p-토일포스핀(Tri-p-tolylphosphine), 트리-2,4-자일포스핀(Tri-2,4-xylylphosphine), 트리-2, 5-자일포스핀(Tri-2, 5-xylylphosphine), 트리-3, 5-자일포스핀(Tri-3, 5-xylylphosphine), 트리벤질포스핀(Tribenzylphosphine), 트리스(p-메톡시페닐)포스핀(Tris(p-methoxyphenyl)phosphine), 트리스(p-tert-부톡시페닐)포스핀(Tris(p-tert- butoxyphenyl)phosphine), 디페닐시클로헥실포스핀(Diphenylcyclohexylphosphine), 트리시클로포스핀(Tricyclohexylphosphine), 트리부틸포스핀(Tributylphosphine), 트리-tett-부틸포스핀(Tri-tert-butylphosphine), 트리-n-옥틸포스핀(Tri-n-octylphosphine), 디페닐포스피노스타이렌(Diphenylphosphinostyrene), 디페닐포스피노어스클로라이드(Diphenylphosphinouschloride), 트리-n-옥틸포스핀옥사이드(Tri-n-octylphosphine oxide), 디페닐포스피닐히드로퀴논(Diphenylphosphinyl hydroquinone), 테트라부틸포스포늄히드록시드(Tetrabutylphosphonium hydroxide), 테트라부틸포스피니움아세테이트(Tetrabutylphosphonium acetate), 벤질트리페닐포스피늄헥사플루오로안티모네이트(Benzyltriphenylphosphonium hexafluoroantimonate), 테트라페닐포스피늄테트라페닐보레이트(Tetraphenylphosphonium tetraphenylborate), 테트라페닐포스포늄테트라-p-토일보레이트(Tetraphenylphosphonium tetra-p-tolylborate), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트(Benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate), 테트라페닐포스포늄테트라플루오로보레이트(Tetraphenylphosphonium tetrafluoroborate), p-토일트리페닐포스포늄테트라-p-토일보레이트(p-Tolyltriphenylphosphonium tetra-p-tolylborate), 트리페닐포스핀트리페닐보레인(Triphenylphosphine triphenylborane), 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄(1,2-Bis(diphenylphosphino)ethane), 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판(1,3-Bis(diphenylphosphino)propane), 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄(1,4-Bis(diphenylphosphino)butane), 1,5-비스(디페닐포스피노)펜탄(1,5- Bis(diphenylphosphino)pentane)등이 있고 보론계 경화촉매로는 페닐보로닉산(Phenyl boronic acid), 4-메틸페닐보로닉산(4-Methylphenyl boronic acid), 4-메톡시페닐보로닉산(4-Methoxyphenyl boronic acid), 4-트리프루오로메톡시페닐보로닉산(4-Trifluoromethoxyphenyl boronic acid), 4-tert-부톡시페닐보로닉산(4-tert-Butoxyphenyl boronic acid), 3-플루오로-4-메톡시페닐보로닉산(3-Fluoro-4-methoxyphenyl boronic acid), 피리딘-트리페닐보렌(Pyridine-triphenylborane), 2-에틸-4-메틸이미다졸륨테트라페닐보레이트(2-Ethyl-4-methyl imidazolium tetraphenylborate), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]언데센-7-테트라페닐보레이트(1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undecene-7-tetraphenylborate), 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]노넨-5-테트라페닐보레이트(1,5-Diazabicyclo[4.3.0]nonene-5-tetraphenylborate), 리튬트리페닐(n-부틸)보레이트(Lithiumtriphenyl (n-butyl) borate)등이 있고 이미다졸계 경화촉진제 로는 2-메틸이미다졸(2-methylimidazole), 2-언데실이미다졸(2-undecylimidazole), 2-헵타데실이미다졸(2-heptadecylimidazole), 2-에틸-4-메틸이미다졸(2-ethyl-4-methylimidazole), 2-페닐이미다졸(2-phenylimidazole), 2-페닐-4-메틸이미다졸(2-phenyl-4-methylimidazole), 1-벤질-2-페닐이미다졸(1-benzyl-2-phenylimidazole), 1,2-디메틸이미다졸(1,2-dimethylimidazole), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(1-cyanoethyl-2-methylimidazole), 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸(1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole), 1-시아노에틸-2-언데실이미다졸(1-cyanoethyl-2-undecylimidazole), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(1-cyanoethyl-2- phenylimidazole), 1-시아노에틸-2-언데실이미다졸륨트리멜리테이트(1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium-trimellitate), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium-trimellitate), 2,4-디아미노-6[2'-메틸이미다조일-(1')-에틸-s-트리아진(2,4-diamino-6-[2'-methylimidazoly-(1')]-ethyl-s-triazine), 2,4-디아미노-6-[2'-언데실이미다조일-(1')]-에틸-s-트리아진(2,4-diamino-6-[2'-undecylimidazoly-(1')]-ethyl-s-triazine), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다조일-(1')]-에틸-s-트리아진(2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazoly-(1')]-ethyl-s-triazine), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸리-(1')]-에틸-s-트리아진 이소시아누릭산 유도체 디하이드레이트(2,4-diamino-6-[2'-methylimidazoly-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct dihydrate), 2-페닐이미다졸이소시아누릭산유도체(2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct), 2-메틸이미다졸 이소시아누릭산유도체 디하이드레이트(2-methylimidazole isocyanuric acid adduct dihydrate), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole), 2,3-디히드로-1H-피롤로[1,2-a]벤지미다졸(2,3-dihyro-1H-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole), 4,4'-메틸렌비스(2-에틸-5-메틸이미다졸(4,4'-methylene bis(2-ethyl-5-methylimidazole), 2-메틸이미다졸린(2-methylimidazoline), 2-페닐이미다졸린(2-phenylimidazoline), 2,4-디아미노-6-비닐-1,3,5-트리아진(2,4-diamino-6-vinyl-1,3,5-triazine), 2,4-디아미노-6-비닐-1,3,5-트리아진이소시아누릭 산 유도체(2,4-diamino-6-vinyl-1,3,5-triazine isocyanuric acid adduct), 2,4-디아미노-6-메타아트릴로일록시에틸-1,3,5-트리아진이소시아누릭 산 유도체(2,4-diamino-6-methacryloyloxylethyl-1,3,5-triazine isocyanuric acid adduct), 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸(1-(2-cyanoethyl)-2-ethyl-4-methylimidazole), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(1-cyanoethyl-2-methylimidazole), 1-(2-시아노에틸)2-페닐-4,5-디(시아노에톡시메틸)이미다졸(1-(2-cyanoethyl)2-phenyl-4,5-di-(cyanoethoxymethyl)imidazole), 1-아세틸-2-페닐히드라진(1-acetyl-2-phenylhydrazine), 2-에틸-4-메틸이미다졸린(2-ethyl-4-methyl imidazoline), 2-벤질-4-메틸디이미다졸린(2-benzyl-4-methyl dimidazoline), 2-에틸이미자롤린(2-ethyl imidazoline), 2-페닐이미다졸(2-pheny imidazole), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole), 멜라민(melamine), 디시안디아마이드(dicyandiamide)등을 들 수 있고 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
본 발명의 경화촉진제로 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 것 중 하나 이상을 사용할 수 있다.
Figure 112007072055741-PAT00002
상기 식에서, R1 내지 R8는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 또는 알킬기이다.
Figure 112007072055741-PAT00003
상기 화학식 2 또는 화학식 3의 경화촉진제는 경화반응이 개시되는 온도가 아민경화제나 이미다졸계 경화촉진제에 비해 높고 균일한 경화율을 얻기에 용이하고, 상온에서의 반응성이 낮아 저장성을 확보하는데 유리하다. 상기 화학식 1과 같은 페놀 수지는 아민경화제나 이미다졸계 경화촉진제를 사용할 경우 상온에서의 보관기간이 길어지면 부분적으로 경화반응이 진행되어 불균일한 경화물성으로 인해 반도체 조립공정에서 기공(void)이나 부착력저하가 발생하기 쉽다.
그러나 상기 화학식 1과 같은 페놀수지에 화학식 2 나 화학식 3의 경화촉진제를 사용할 경우 상온에서 경화반응이 진행되는 것을 억제할 수 있기 때문에 불균일한 경화물성으로 인한 반도체 조립공정에서의 불량 발생을 줄일 수 있다.
또한 상기 경화촉진제를 이용하여 반도체 조립용 접착필름 조성물을 제조할 경우 아민경화제나 이미다졸계 경화촉진제에 비해 낮은 전기전도도를 가지게 되어 PCT 신뢰성에서 우수한 결과를 얻을 수 있다.
상기 경화촉진제 함량은 반도체 조립용 접착필름 조성물 전체에 대하여 0.01 내지 10 중량%인 것이 바람직하고 0.03 내지 5 중량%인 것이 보다 바람직하다. 경화촉진제의 함량이 0.01 중량% 미만이면 에폭시수지의 가교가 불충분하게 되고 내열성이 저하되는 경향이 있고 10 중량%를 넘는다면 보존안정성이 저하되는 경향이 있다.
충진제
본 발명의 조성물은 틱소트로픽성을 발현하여 용융점도를 조절하기 위하여 충진제를 포함한다. 상기 충진제는 필요에 따라 무기 또는 유기 충진제를 사용할 수 있으며, 무기 충진제로는 금속성분인 금가루, 은가루, 동분, 니켈을 사용할 수 있고, 비금속성분인 알루미나, 수산화 일미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 실리카, 질화 붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철, 세라믹 등을 사용할 수 있고, 유기 충진제로서는 카본, 고무계 필러, 폴리머계 등을 사용할 수 있다. 상기 충진제의 형상과 크기는 특별히 제한되지 않으나, 통상적으로 무기 필러 중에서는 구형 실리카와 무정형 실리카가 주로 사용되고 그 크기는 평균입경 5㎚ 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 10㎚ 내지 3㎛인 것이 보다 바람직하다.
충진제의 사용량은 접착필름 조성물 전체에 대해 3 내지 60 중량%인 것이 바 람직하고, 5 내지 30 중량%인 것이 보다 바람직하다. 충진제의 배합량이 3 중량% 미만인 것은 충진제 첨가에 의한 보강효과가 작고 60 중량%를 넘으면 피착제에 대한 접착성이 저하되는 경향이 있다.
실란커플링제
상기 조성물이 커플링제를 추가로 포함할 수 있고, 상기 실란커플링제는 상기에서 상술한 선반응된 페놀형 경화수지에 사용되는 실란커플링제와 동일한 것을 사용할 수 있으므로 이에 대한 설명은 생략한다.
상기 실란커플링제의 사용량은 접착필름 조성물 전체에 대해 0.01 내지 10 중량%인 것이 바람직하고, 0.30 내지 5 중량%인 것이 보다 바람직하다.
유기용매
본 발명의 조성물은 반도체조립용 접착필름 조성물의 점도를 낮게 하여 필름 제조를 용이하게 하는 것으로서 유기용매를 포함할 수 있다. 상기 유기용매로는 특별히 제한은 없지만, 필름 제작시의 휘발성을 고려할 때 톨루엔, 자일렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸키톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 시클로헥사논 등을 1종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기용매는 필름 형성 후에는 잔류 용매의 함유량을 1% 이하로 하는데, 잔류용매의 함유량이 많으면, 반도체 조립공정에서 휘발성분에 의해서 PCB기판에 다이를 부착하는 공정에서 보이드 발생 등의 문제점이 발생한다.
상기 유기용매는 반도체 조립용 접착필름용 조성물 전체에서 나머지 성분들의 함량을 제외한 잔량으로서 바람직하게는 5 내지 85 중량%를 포함할 수 있다.
본 발명의 조성물을 사용하여 반도체 조립용 접착필름을 형성하는 데에는 특별한 장치나, 설비가 필요치 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래 알려져 있는 통상의 제조방법을 제한없이 사용하여 제조할 수 있다.
예를 들면, 본 발명에 사용되는 엘라스토머 수지와 필름형성 수지, 에폭시 수지, 경화수지, 경화촉진제, 실란커플링제, 실란커플링제 선반응된 경화수지, 충진제 등을 상기 용제에 용해시킨 후 비즈밀을 이용하여 충분히 혼련시킨 후, 이형처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름상에 도포하고 가열 건조하여 적당한 도막 두께를 가지는 접착필름을 얻을 수 있다. 상기 접착필름의 두께는 5 내지 200㎛인 것이 바람직하고, 10 내지 100㎛인 것이 보다 바람직하다. 5㎛ 미만인 것은 충분한 접착력을 얻기 어렵고 200㎛을 넘는 것은 경제성이 떨어진다.
본 발명은 반도체 조립용 접착필름을 포함하는 다이싱 다이 본딩 필름을 포함한다. 본 발명은 기재 필름상에 점착제층과 접착필름층이 순차로 적층된 다이싱 다이 본딩 필름(Dicing Die Bonding Film)에 있어서, 본 발명의 접착필름층이 다이싱 다이 본드 필름의 접착필름을 제공한다.
상기 점착제층은 통상적인 점착제 조성물을 사용할 수 있으나, 점착 특성을 갖는 고분자 바인더 100 중량부에 대하여 UV경화형 아크릴레이트를 20 중량부 내지 150 중량부를 포함하고, 및 광개시제를 상기 UV경화형 아크릴레이트 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부를 포함하는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 기재 필름은 방사선 투과성이 있는 것이 바람직하고 자외선 조사에 따라 반응하는 방사선 경화성 점착제를 적용할 경우에 광투과성이 좋은 기재를 선택할 수 있다. 이와 같은 기재로서 선택할 수 있는 폴리머의 예로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 프로필렌 에틸렌 공중합체, 에틸렌 아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌 아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌 초산비닐 공중합체 등의 폴리올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체, 폴리카보네이트. 폴리메틸 메타아크릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리우레탄 공중합체 등을 사용할 수 있다. 기재 필름의 두께는 인장강도, 신율, 방사선투과성 등을 고려하여 50 내지 200㎛이 적당하다.
이하에서 실시예를 들어 본 발명에 관하여 더욱 상세하게 설명할 것이나. 이들 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명의 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
[제조예 1]
둥근 사구 플라스크 반응관에 노볼락형 페놀수지 HF-1M (당량 106) 8.0몰을 넣고 120 ~140℃에서 완전히 녹인 후 130℃에서 안정화 된 후에 트리페닐포스핀 0.2몰을 넣은 후 30분 동안 충분히 교반 시킨 후 3-글리시독시프로필트리메톡시실 란 KBM-403 (분자량 236) 1.0몰을 플라스크내에 서서히 적하시키면서 넣은 후 반응온도 130∼150℃에서 4시간 반응시킨 후 상온으로 냉각하였다. 이렇게 하여 얻어진 제조물은 믹서를 이용하여 분쇄한 후 방습처리하여 보관하였다. 이때 냉각관을 설치하여 실란커플링제와 페놀수지가 반응하면서 발생되는 알코올과 수지에 잔류하고 있던 수분 등의 휘발성분은 진공펌프를 이용하여 분리해 내었다.
[실시예 1-6 및 비교예 1-4]
제조예 1에서 얻은 실란커플링제 선반응된 경화수지를 적용한 것은 실시예 1-6을 [표 1]에 나타내었고, 비교예 1-4를 [표3]에 나타내었고 실시예 및 비교예는 하기의 제조 방법으로 얻었다.
고속 교반봉을 포함하는 1L 원통형 플라스크에 하기의 성분을 첨가하고 20분간 4000rpm에서 고속으로 분산하여 조성물을 제조하였다. 그 다음 비즈밀(bead mill)을 이용하여 30분간 상기 조성물을 분작시켰다. 분작 작업은 2회 이상하고 50㎛ 캡슐 필터를 이용하여 여과한 뒤 표면을 이형처리한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(PET)에 어플리케이터로 20㎛ 두께로 코팅한 후, 90 내지 120 ℃에서 20분간 건조하여 접착필름을 얻었다.
Figure 112007072055741-PAT00004
Figure 112007072055741-PAT00005
[비고 - 표 1 및 2]
1. 엘라스토머 수지 : KLS- 1045 (수산가 13 mgKOH/g, 산가 63mgKOH/g, Tg 38℃, 평균분자량 690,000, 제조원: 후지쿠라 상사)
2. 필름형성 수지 : E4275 (제조원: JER, 평균 분자량 60,000)
3. 에폭시 수지 : YDCN-500-4P (제조원: 국도화학, 당량 205)
4. 페놀경화 수지 : HF-1M (제조원: 메이와화성주식회사, 당량 106)
5. 경화촉진제 : TPP (HOKKO)
6. 충진제: Aerosil-200, (제조원: Degussa)
7. 충진제: SO-25R (제조원: Admatech)
8.커플링제:3-글리시독시프로필메톡시실란(3-glycidoxypropylmethoxysilane)
(제조원: 신에츠 화학)
9. 제조에 사용된 유기용매는 시클로헥사논을 이용하였다.
실시예 및 비교예에서 제조된 접착 필름의 물성 평가
상기 실시예 1-6 및 비교예 1-4에 의해 제조된 반도체 조립용 접착 필름의 물성에 대해서 다음과 같이 평가하고 그 결과를 하기 [표3], [표4]에 나타내었다. 내리플로우 시험과 내온도사이클 시험을 실시한 후 시험품 중의 박리,크랙을 SAT를 이용하여 조사하였고, 그 시험품의 다이쉐어강도를 측정하여 표시하였다.
(1) 휘발가스 함량: 각각의 필름은 접착필름 1g을 1,4-다이옥산 50g에 용해시킨 후 6시간 방치한 후 0.45㎛ 캡슐필터로 필터링 후 검량물질로 에틸 카비톨을 투입비율 500:1로 넣은 다음 GC(Agilent 5890)를 이용하여 측정하였다.
측정조건은 DB-1(length 30m, ID 0.53mm, film thickness 0.88㎛) 칼럼을 이용하였고, 40℃ 3min 간 체류 후 1min 당 10℃의 승온 속도로 280℃ 까지 승온 후 10min간 체류시켰다. 유량속도는 10ml/min 으로 설정하였다. 그 결과를 [표3], [표4]에 나타내었다.
(2) 발포 시험: 다이어태치 공정 및 와이어본딩 공정을 모사하여 이산화막으로 코팅되어 있는 두께 530㎛ 웨이퍼를 사용하여 10㎜ X 10㎜ 크기로 자른 후 접착필름과 함께 60도 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 접착부분만 남기고 절단하였다. 20㎜ X 20㎜ 크기의 슬라이드글라스를 온도를 120℃ 및 150℃인 핫플레이트 위에 놓은 후 상기 칩을 슬라이드글라스위에 순간 노출시 휘발성분이 기화되면서 발생하는 발포 유무를 평가하였다. 필름 접착면적의 10% 이상 발포로 보이드 발생시 불량으로 판정하였다.
(3) 내리플로우 시험: 제조된 필름을 이산화막으로 코팅되어 있는 두께 100㎛ 웨이퍼에 마운팅한 후에 각각 8㎜ X 8㎜ 크기와 10㎜ X 10㎜ 크기로 자른 후 MCP 페키지에 2층으로 부착한 후에 제일모직 EMC(제품명 SG-8500BC)를 이용하여 175℃에서 60초간 몰딩한 후에 175℃에서 2hr동안 후경화하였다. 상기와 같이 제작된 시험편은 85℃/85RH% 조건 하에서 168시간 흡습 시킨 후 최고온도 260℃의 리플로우를 3회 실시한 후 시험편의 박리, 크랙을 SAT(Scanning Acoustic Tomograph)로 조사하여 결과를 [표3] 내지 [표4]에 표시하였다. 시험편이 박리가 15%이상과 크랙이 발생할 경우 불량으로 판정하였다
(4) 다이쉐어 강도(Die Shear Strength): 이산화막으로 코팅되어 있는 두께 530㎛ 웨이퍼를 사용하여 5㎜ X 5㎜ 크기로 자른 후 접착필름과 함께 60도 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 접착부분만 남기고 절단하였다. 10㎜ X 10㎜ 크기의 하부칩에 5㎜ X 5㎜ 크기인 상부칩을 올려 놓은 후 온도가 120℃인 핫플레이트 위에서 1kgf의 힘으로 1초 동안 눌러서 붙인 뒤에 175℃에서 2hr동안 경화하였다. 상기와 같이 제작된 시험편은 85℃/85RH% 조건 하에서 168시간 흡습 시킨 후 최고온도 260℃의 리플로우를 3회 실시한 후, 250도에서 100㎛/sec속도로 상부칩의 다이쉐어강도를 측정하여 [표3] 내지 [표4]에 나타내었다.
Figure 112007072055741-PAT00006
Figure 112007072055741-PAT00007
상기 [표3], [표4]를 통해서 나타난 바와 같이, 실란커플링제를 페놀형 경화수지에 선반응시킨 수지를 사용하여 제조한 접착필름의 경우(실시예 1-6)가 실란커플링제를 직투입 한 것 (비교예 1-3) 보다 발생되는 휘발가스함량이 낮으면서 내리플로우성이 우수한 것을 알 수 있다. 비교예4와 같이 커플링제선반응형수지를 적게 적용한 경우에는 휘발가스의 함량을 줄여 발포로 인한 박리발생을 줄일 수는 있으나 적용된 커플링제의 함량이 적어서 다이쉐어 값이 낮아지게 되어 고신뢰성을 확보할 수 없다는 것을 알 수 있다.
또한, 비교예와 같이 휘발가스 함량이 높은 것이 발포시험에서 발포가 많이 되고 내리플로우시험에서 발포로 인하여 박리발생이 심하게 되고, 다이쉐어 값도 낮아지게 되어 고신뢰성를 확보할 수 없는 것을 알 수 있다.

Claims (14)

  1. 수산기, 카르복시기 또는 에폭시기를 함유하는 엘라스토머 수지, 필름형성수지, 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지, 에폭시 수지, 경화촉진제 및 충진제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 수산기, 카르복시기 또는 에폭시기를 함유하는 엘라스토머 수지 5 내지 60 중량% ;
    필름형성 수지 5 내지 60 중량% ;
    실란 커플링제 선반응된 페놀형 경화수지 제 3 내지 25 중량% ;
    에폭시 수지 5 내지 40 중량% ;
    경화촉진제 0.01 내지 10 중량% ; 및
    충진제 3 내지 60 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 조성물이 페놀형 경화수지를 추가로 포함하고, 상기 페놀형 경화수지 및 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지의 합이 3 내지 30중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지는 실란커플 링제와 페놀형 경화수지의 몰비를 1 : 5 내지 1 : 100으로 하여 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 페놀형 경화수지가 하기 화학식1로 표시되는 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
    [화학식1]
    Figure 112007072055741-PAT00008
    상기 식에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 수소원자이고,
    a, b는 각각 0 내지 4, n은 0 내지 7의 정수이다.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 경화촉진제가 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 것 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
    [화학식 2]
    Figure 112007072055741-PAT00009
    상기 식에서, R1 내지 R8는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 또는 알킬기이다.
    [화학식 3]
    Figure 112007072055741-PAT00010
  7. 제 1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 비스페놀계 에폭시, 페놀 노볼락계 에폭시, o-크레졸 노볼락계 에폭시, 다관능 에폭시수지, 아민계 에폭시,복소환함유 에폭시, 치환형 에폭시, 나프톨계 에폭시로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
  8. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지와 상기 에폭시 수지, 또는 상기 실란커플링제 선반응된 페놀형 경화수지, 상기 페놀형 경화수지 및 상기 에폭시 수지의 배합량은 에폭시 당량과 수산기 당량의 비율로 0.6 내지 1.4인 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 필름형성 수지의 유리전이온도(Tg)가 -30~200℃ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 충진제는 무기 충진제로서 구형 또는 무정형이고, 그 크기는 5nm 내지 10㎛ 범위인 반도체 조립용 접착필름 조성물.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 조성물이 커플링제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름 조성물.
  12. 제 1항 내지 제 4항, 제 6항, 제 7항, 제 9항 및 제10항 중 어느 한 항에 따른 반도체 조립용 접착필름 조성물로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 접착필름.
  13. 제 12항에 따라 형성된 반도체 조립용 접착필름을 포함하는 다이싱 다이 본드 필름.
  14. 기재 필름상에 점착제층과 접착필름층이 순차로 적층된 다이싱 다이 본딩 필름(Dicing Die Bonding Film)에 있어서,
    상기 점착제층이 UV경화형 아크릴레이트를 점착 특성을 갖는 고분자 바인더 100 중량부에 대하여 20 중량부 내지 150 중량부를 포함하고, 및 광개시제를 상기 UV경화형 아크릴레이트 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부를 포함하고 ; 및
    상기 접착필름층이 제 12항에 따라 형성된 반도체 조립용 접착필름인 것을 특징으로 하는 다이싱 다이 본딩 필름.
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