KR20090024702A - 이온 소스를 갖는 유용한 증기 전달 시스템과, 이러한 시스템에 사용하기 위한 증발기 - Google Patents
이온 소스를 갖는 유용한 증기 전달 시스템과, 이러한 시스템에 사용하기 위한 증발기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090024702A KR20090024702A KR1020087030369A KR20087030369A KR20090024702A KR 20090024702 A KR20090024702 A KR 20090024702A KR 1020087030369 A KR1020087030369 A KR 1020087030369A KR 20087030369 A KR20087030369 A KR 20087030369A KR 20090024702 A KR20090024702 A KR 20090024702A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- flow
- vapor
- steam
- interface device
- valve
- Prior art date
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 131
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 59
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 23
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 claims description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 15
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 abstract description 8
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 abstract description 8
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 55
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical class 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYDMICQAKLQHLA-UHFFFAOYSA-N 1-phenylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 IYDMICQAKLQHLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009422 external insulation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- HUXBLNZMXTVZSD-UHFFFAOYSA-N silicon(4+) tetraphosphite Chemical compound P([O-])([O-])[O-].[Si+4].P([O-])([O-])[O-].P([O-])([O-])[O-].P([O-])([O-])[O-].[Si+4].[Si+4] HUXBLNZMXTVZSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M sodium;6-[(3,4,5-trimethoxybenzoyl)amino]hexanoate Chemical compound [Na+].COC1=CC(C(=O)NCCCCCC([O-])=O)=CC(OC)=C1OC SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000925 very toxic Toxicity 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
Abstract
증기 전달 시스템 및 방법은 고체 공급 물질, 특히 반도체 제조를 위해 클러스터 분자를 포함하는 물질로부터 증기의 가열 및 흐름을 제어한다. 상기 시스템 및 방법은 증기를 이용 지점, 특히 이온 주입을 위한 이온 소스로 안전하고 효과적으로 안내한다. 클러스터 물질로부터 이온을 이용하는 이온 빔 주입이 도시된다. 증기 전달 시스템은 이온 소스의 반응식 가스 세척과, 제어 시스템 및 프로토콜, 넓은 동적 범위의 흐름-제어 시스템 및 효과적이고 안전한 증발기 선택을 포함한다. 보란, 데카보란, 카보란, 탄소 클러스터 및 다른 큰 분자는 이온 주입을 위해 증발된다. 새로운 증발기, 이온 소스, 및 반응식 세척 시스템과 협력하는 그러한 시스템이 도시된다.
Description
본 발명은 고진공 챔버 내에서 증기의 생성 및 증기-수용 디바이스로의 전달에 관한 것이다. 본 발명은 또한 반도체 디바이스 및 반도체 물질의 제조에서 이온 주입을 위한 이온 빔을 제공하는 고전압 이온 소스로의 이온화가능한 증기를 전달하는 것에 관한 것이다. 본 발명은 특히 해당 종의 다수의 원자를 함유하는 분자 이온을 형성하는 물질을 증발시키고 이온화시키는 시스템 및 방법에 관한 것이다.
산업계에서, 고진공 시스템 내에서 증기 형태의 매우 유독한 불안정한 물질을 디바이스 또는 기판 물질로 전달하는 것이 빈번하게 요구된다. 부품을 세척하거나 교체하기 위한 그러한 디바이스를 주기적으로 서비스하고, 증기 소스를 재충전하거나 대체하고 유지보수(maintenance) 서비스를 수행하는 것이 필요하다. 재충전 또는 서비스의 각 경우는 안전성을 보장하기 위해 진공 밀봉의 맞물림 해제(disengagement) 및 재-맞물림과, 재-인증 테스트의 수행을 요구한다.
많은 엄격한 요건을 갖는, 그러한 증기 전달의 특히 중요한 예는 반도체 디바이스의 생산을 위해 도핑 물질의 취급이다. 이 경우에, 실온에서 낮은 증기 압력 을 갖는 높은 유독성 고체 물질로부터 정확하게 제어된 흐름으로 증기 스트림을 생성하는 것이 필요하다. 이것은 승화를 발생시키기 위해 고체의 조심스러운 가열과, 분해, 흐름 경로에서의 불필요한 응축, 및 다른 물질과 접촉하는 경우 증기의 반응의 위험으로 인해 증기의 조심스러운 취급을 요구한다. 개인의 안전성을 보장하기 위한 준비가 또한 요구된다. 그러한 증기 전달을 위한 개선된 시스템이 필요하다.
특히, 이온 소스에서 이온화된 증기가 가속화되고 질량-분석되고 목표 기판으로 전달되는 이온 빔을 생성하는 이온 빔 주입 시스템에 대한 개선된 증기 전달이 필요하다. 특히, 그러한 이온화 시스템을 통해, 가동 시간(uptime), 즉 요구된 서비스 사이의 시간을 연장시키면서 모든 요건을 충족시키는 것이 바람직하다. 이를 행하는 유리한 방식은, 높은 반응제를 이용하여 시스템의 구성요소의 원 위치에서의(in situ) 세척을 제공함으로써 이루어지지만, 이것은 추가의 안전성 사항을 도입한다.
동일한 설비가 상이한 증발 온도를 갖는 다수의 상이한 소스 물질에 대해 이용되도록 하는 안전하고 신뢰성있는 증기 전달 시스템이 또한 필요하다.
판매자로부터 얻어진 공급 물질의 전달로부터, 공급 물질로 충전된 증발기의 증기 수용 시스템과의 연결까지 효율적이고 안전하게 진행하는 방식이 추가로 필요하다. 바람직하게, 이것이 개인에 대한 친밀도를 보장하기 위해 표준화 방식으로 이루어진다.
이전의 모든 필요성을 갖는 상황 중에는, 붕소 주입물을 생성하기 위해 이온 빔 주입을 수행하는데 적합한 흐름으로 데카보렌 및 옥타데카보렌 증기 흐름, 및 카보렌의 증기를 이온 소스에 제공하는 경우이다.
상기 필요성은 또한 더 일반적으로 반도체 제작을 위해 큰 분자의 증기 흐름을 제공하는 것에서 나타난다. 예로는 증기 흐름을 포함하는데, 증기 흐름은, 예를 들어 비소 및 인과 같은 n-형 도핑을 위한 큰 분자의 증기 흐름과; 탄소가 주입된 도핑 종, 또는 게터(또는 트랩) 불순물, 또는 기판의 비결정질화(amorphize) 결정 래티스(lattice)의 확산을 금지하는 공동-주입 공정을 위한 큰 분자의 흐름과,; 결정 구조의 소위 "응력 엔지니어링(stress engineering)"을 위한(예를 들어 PMOS 트랜지스터를 위한 결정 압축, 또는 NMOS 트랜지스터를 위한 결정 장력을 적용하기 위한) 탄소의 큰 분자 또는 다른 분자의 흐름과; 반도체 제조에서 어닐링 단계 동안 열 버짓(budget) 및 불필요한 확산의 감소를 포함하는 다른 목적을 위한 큰 분자의 흐름을 포함한다.
이러한 필요성은 이온 빔 주입을 이용하는 구현, 및 적용가능한 경우, 또한 원자 층 증착을 위한 또는 다른 유형의 층 또는 증착물을 생성하기 위한 붕소, 다른 종의 큰 분자 증착에 적용된다. 이를 위한 기술은, 예를 들어 PLAD(플라즈마 도핑), PPLAD(펄싱된 플라즈마 도핑) 및 PI3(플라즈마 침전 이온 주입)를 포함하는 플라즈마 침전; 원자 층 증착(ALD); 또는 화학 증기 증착(CVD)을 이용할 수 있다.
방금 설명된 필요성 및 이제 설명될 본 발명의 양상은, 컴퓨터 칩, 컴퓨터 메모리, 플랫 패널 디스플레이, 광전지 디바이스, 및 다른 제품의 제조시 CMOS 및 NMOS 트랜지스터 및 메모리 IC를 포함하는 반도체 기판에서 얕은 깊이에서 고밀도 반도체 디바이스의 제조에 특히 적용된다.
증기 또는 프로세스 가스를 증기 또는 가스 소모 디바이스로의 생성 및 전달을 수반하는 산업계에서의 다른 절차도 또한 본 명세서에 제시된 특징으로부터 이익을 얻을 수 있다.
본 발명의 하나의 양상에 따라, 흐름 인터페이스 디바이스는 적어도 하나의 증기 통로를 한정하는 열 전도성 밸브 블록의 형태로 제공되며, 상기 통로는 적어도 제 1 및 제 2 증기 전달 인터페이스와 연관되고, 하나의 인터페이스는 고체의 공급 물질의 증발기로부터 증기를 수용하도록 위치된 증기 입구를 포함하고, 통로의 입구 부분과 연결되고, 다른 인터페이스는 증기를 통로의 출구 부분으로부터 증기-수용 디바이스로 전달하기 위한 증기 출구를 포함하고, 밸브 블록은 적어도 하나의 증기 밸브를 갖고, 통로를 가열하여 증기를 증발기로부터 증기-수용 디바이스로 전달하도록 구성된다.
이러한 양상의 구현은 하나 이상의 다음의 특징을 가질 수 있다:
증기 밸브는 이온 소스의 형태로 증기 수용 디바이스로의 증기의 흐름을 조절하기 위한 흐름 제어 밸브이다.
증기 밸브 시스템은 증기 입구를 통해 들어가는 증기의 이온 소스로의 증기 흐름, 및 이온 소스로의 다른 흐름을 가능하게 한다.
가능하게 된 흐름은 밸브 블록에 의해 한정된 다른 증기 입구로부터 증기의 흐름이다.
가능하게 된 흐름은 반응식 세척 가스의 이온 소스로의 흐름이다.
밸브 블록에 제공된 밸브는, 증기 입구를 통해 들어가는 증기의 이온 소스로의 증기 흐름을 가능하게 하고 밸브 블록에 의해 한정된 다른 증기 입구로부터 증기의 이온 소스로의 흐름을 가능하게 하는 제 1 밸브 시스템과, 밸브 블록에 의해 한정된 증기 입구로부터 증기의 흐름을 가능하게 하거나, 대안적으로 모든 증기 흐름을 차단하고 반응식 세척 가스의 이온 소스로의 흐름을 허용하는 선택기 밸브 시스템을 포함한다.
적어도 2개의 증기 입구는 밸브 블록에 의해 한정되고, 각 증발기로부터 증기를 수용하도록 위치되며, 2개의 증기 입구는 각 입구 통로 부분과 연관되고, 입구 통로 부분을 통과하는 흐름은 제 1 밸브 시스템에 의해 가능하게 되고, 입구 통로 부분은 제 1 밸브 시스템에 뒤이어 공통 통로 부분에 병합되고, 제 2 밸브 시스템은 공통 통로 부분을 통해 증기-수용 디바이스로의 흐름, 또는 대안적으로 증기-수용 디바이스로의 반응식 세척 가스의 흐름을 선택적으로 가능하게 하도록 배열된다.
추가 밸브는 증기-수용 디바이스로의 증기의 흐름을 조절하기 위해 공통 통로 부분과 연관된 흐름 제어 밸브를 포함한다.
밸브 시스템의 밸브는 상기 흐름들 중 한번에 하나만을 허용하기 위해 선택기로서 작용하는 스풀(spool) 밸브를 포함한다.
밸브 블록은 밸브 블록의 온도를 증기를 수용하는 증발기의 온도보다 더 높게 유지하도록 제어된 히터와 연관된다.
밸브 블록은 증발기를 수용하고 지지하도록 구성된 장착 영역을 한정한다.
단열은 증발기의 온도보다 더 높게 밸브 블록 온도를 유지하는 것을 가능하게 하기 위해 각 개별적인 열 제어 영역을 한정하도록 증발기로부터 밸브 블록을 격리한다.
커넥터는, 증발기를 가열 제어 시스템에 전기적으로 연결하기 위해, 밸브 블록에 대해 증발기의 장착 운동이 커넥터로 하여금 증발기의 매칭 커넥터와 짝을 이루도록(mate) 구성되고 배열된다.
밸브 블록은 증발기의 지지 돌출부(projection)를 수용하기 위한 지지 표면을 갖는 용기(receptacle)를 한정하여, 증발기 가열 및 진공 전달 동안 증발기를 지지한다.
지지 돌출부는 측면 증기 흐름 통로를 한정하는 측면 돌출부이고, 상기 돌출부는 주변(peripheral) 측면 표면 및 단부 표면을 갖고, 주변 및 단부 단열 부분이 제공되어, 증발기의 돌출부로부터 밸브 블록의 단열을 가능하게 한다.
밸브 블록의 용기는 돌출부의 선형 슬라이딩 운동에 의해 증발기의 지지 돌출부를 수용하도록 구성되고, 흐름 인터페이스 디바이스는, 밸브 블록에 대해 증발기의 장착 운동을 통해, 증발기를 제어 및 가열 시스템에 전기적으로 연결하기 위한 증발기의 매칭 전기 커넥터와 슬라이딩가능한 짝을 이루도록 구성되는 전기 커넥터를 장착한다.
전기 커넥터는 증발기의 밸브를 선택적으로 작동시키기 위해 제어가능한 압축된 공기를 증발기에 공급하기 위한 공압식(pneumatic) 커넥터를 포함한다.
증기 밸브는 흐름 제어 밸브이고, 인터페이스 디바이스는, 증발기로부터 감지된 온도 신호를 수신하기 위해, 그리고 흐름 제어 밸브가 이온 소스로의 증기 흐름을 조절하도록 하는 범위에서, 증발기가 증기-수용 디바이스에 의해 요구된 압력보다 더 큰 압력의 고체 공급 물질의 증기를 생성하도록 충분히 가열하기 위해 전기 가열 전류를 증발기에 인가하기 위해 전원 및 가열 시스템과 연관된다.
흐름 인터페이스 디바이스는 증발기와 결합되고, 증발기는 이온가능한 증기를 생성할 수 있는 고체 공급 물질을 포함한다.
이온 소스의 형태인 증기-수용 디바이스는 반도체 제조시 사용하기 위한 이온을 생성하도록 구성된다.
흐름 인터페이스 디바이스는, 증기-수용 디바이스가 이온 주입을 위한 이온 빔을 생성하도록 증기를 이온화할 수 있는 고 전압 이온 소스를 포함하는 이온 빔 주입기와 결합된다.
증발기에 의해 증발된 고체 공급 물질은 클러스터 이온의 생성을 위해 증기를 생성할 수 있는 클러스터 혼합물을 포함한다.
고체 공급 물질은 클러스터 붕소 화합물을 포함한다.
상기 혼합물은 보란 또는 카보란을 포함한다.
클러스터 혼합물은 B10H14, B18H22, C2B10H12, 또는 C4B18H22를 포함한다.
클러스터 화합물은 클러스터 카본 혼합물을 포함한다.
클러스터 화합물은 C14H14, C16H10, C16H12, C16H20, C18H14, 또는 C18H38를 포함한다.
클러스터 혼합물은 N-형 도핑을 위한 혼합물을 포함한다.
혼합물은 비소, 인, 또는 안티몬 클러스터 혼합물을 포함한다.
혼합물은, AnHx + 또는 AnRHx +의 형태의 이온을 형성할 수 있는 비소 또는 인 혼합물을 포함하며, 여기서 n 및 x는 정수이고, n은 4보다 큰 정수이고, x는 0 이상인 정수이고, A는 As 또는 P이고, R은 인 또는 비소를 함유하지 않는 분자이며, 이것은 주입 공정에 해롭지 않다.
혼합물은 인산염, 유기 인산염 및 인화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 인 혼합물을 포함한다.
혼합물은 P7H7이다.
혼합물은 트리메틸스티바인(trimethylstibine)을 포함하는 안티몬 혼합물을 포함한다.
혼합물은 Sb(CH3)C3을 포함한다.
흐름 인터페이스 디바이스 및 증발기는 이온 빔 주입기와 결합하여 제공되며, 상기 이온 빔 주입기에서 증발-수용 디바이스는 이온 주입을 위해 고체 공급 물질로부터 생성된 증기를 이온화할 수 있는 고전압 이온 소스를 포함한다.
증기-수용 디바이스는 고전압 이온 소스의 형태이고, 흐름-인터페이스 디바이스는 전기 절연체 상에 지지하기 위해 장착된다.
절연체는, 증기가 전달되는 이온 소스를 또한 지지하는 절연체 부싱(bushing)이다.
흐름 인터페이스 디바이스는 이온 빔 주입기와 결합하는데, 이온 빔 주입기에서 증기-수용 디바이스는 이온 주입을 위해 이온 빔을 생성하기 위해 증기를 이온화할 수 있는 고전압 이온 소스를 포함한다.
흐름 인터페이스 디바이스는 증발기를 밸브 블록으로부터 분리하기 전에 밸브 블록의 밸브 입구 통로로부터 증기를 제거하기 위한 가스 정화 시스템을 포함한다.
밸브 블록은 프로세스 가스를 위한 전달 통로를 한정한다.
흐름 인터페이스 디바이스는, 반응식 세척 가스가 다른 시간에 향하게 되는 통로를 통해 프로세스 가스가 선택적으로 향하게 되도록 구성된다.
밸브 블록은 증기-수용 디바이스로의 적어도 2개의 흐름 경로를 한정하는 전달 신장 부분(extension)을 포함하며, 상기 흐름 경로들 중 적어도 하나는 고체 공급 물질로부터 증기를 운반하도록 구성되고, 다른 것은 프로세스 가스 또는 반응식 세척 가스를 전달하도록 구성된다.
흐름 제어 밸브는 쓰로틀(throttle) 유형 밸브이다.
밸브 시스템은 한번에 증기 흐름들 중 하나만을 허용한다.
밸브 시스템은 스풀 밸브를 포함한다.
동일한 공급 물질을 포함하는 증발기와 사용하기 위해 흐름 인터페이스 디바이스는, 적어도 2개의 증발기로부터 흐름을 동시에 허용하는 밸브 시스템을 포함한다. 몇몇 경우에, 밸브 시스템은, 밸브 시스템이 한번에 증기 흐름들 중 하나만을 허용하는 제 2 작동 모드에 대해 구성된다.
본 발명의 다른 양상에 따라, 이온 소스를 위한 흐름 인터페이스 디바이스는 이온 빔 주입기를 위한 이온 소스로서 사용하기 위해 구성되며, 인터페이스 디바이스는 적어도 하나의 증기 통로를 한정하는 열 전도성 밸브 블록의 형태이고, 상기 통로는 적어도 제 1 및 제 2 증기 전달 인터페이스와 연관되고, 하나의 인터페이스는 증발기로부터 증기를 수용하도록 위치되고 통로의 입구 부분과 왕래하는 증기 입구를 포함하고, 다른 인터페이스는 통로의 출구 부분으로부터 이온 소스로의 증기의 전달을 위한 증기 출구를 포함하고, 밸브 블록은 통로를 가열하고 증발기로부터 이온 소스로 증기를 전달하도록 구성되고, 흐름 제어 밸브는 이온 소스로의 증기의 흐름을 조절하기 위해 통로와 연관되고, 밸브 시스템은 입구를 통해 들어가는 증기의 이온 소스로의 증기 흐름을 가능하게 하고, 다른 경우 이온 소스로의 흐름을 가능하게 한다.
이러한 양상의 구현은 하나 이상의 다음의 특징을 이용할 수 있다.
흐름 인터페이스 디바이스는, 흐름 제어 밸브에 의해 제어가능한 범위에서, 증발기가 이온 소스에 의해 요구된 압력보다 더 큰 압력의 고체 공급 물질의 증기를 생성하도록 충분히 가열하도록 하기 위한 전원 및 제어 시스템과 연관된다.
흐름 제어 밸브는 나비 형태(butter-fly) 형태 밸브이다.
가능하게 된 다른 흐름은 밸브 블록에 의해 한정된 다른 증기 입구로부터의 증기 흐름이다.
가능하게 된 다른 흐름은 반응식 세척 가스의 이온 소스로의 흐름이다.
흐름 인터페이스 디바이스는 흐름을 가능하게 하는 밸브 블록에서의 적어도 2개의 밸브 시스템과, 증기 입구를 통해 들어가는 증기의 이온 소스로의 증기 흐름을 가능하게 하고, 밸브 블록에 의해 한정된 다른 증기 입구로부터 증기의 이온 소스로의 다른 흐름을 가능하게 하는 제 1 밸브 시스템과, 밸브 블록에 의해 한정된 증기 입구로부터 증기의 흐름을 가능하게 하거나, 대안적으로, 모든 증기 흐름을 차단하고 반응식 세척 가스의 이온 소스로의 흐름을 가능하게 하는 선택기 밸브 시스템을 포함한다.
흐름 인터페이스는 제 1 밸브 시스템에 의해 제어된, 반응식 증발기로부터 증기를 수용하도록 위치한 적어도 2개의 증기 입구와 연관된 증기 입구 통로를 갖고, 이에 후속하여, 입구 통로 부분은 공통 통로에 병합되고, 제 2 밸브 시스템은 공통 통로 부분을 통해 이온 소스로의 흐름을, 또는 대안적으로 이온 소스로의 반응식 세척 가스의 흐름을 선택적으로 제어하고, 흐름 제어 밸브는 이온 소스로의 증기의 흐름을 조절하기 위해 공통 통로와 연관된다.
흐름 선택 밸브는 스풀 밸브를 포함한다.
밸브 블록은 밸브 블록의 온도를, 증기를 수용하는 증발기의 온도보다 더 높게 유지하도록 제어된 히터와 연관된다.
본 발명의 다른 양상은, 클러스터 분자를 포함하는 이온가능한 증기를 형성할 수 있는 고체 공급 물질을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달, 및 이용을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은, 클러스터 분자를 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은, C14H14, C16H10, C16H12, C16H20, C18H14, 또는 C18H38을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은 N-형 도핑을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은, 비소, 인 또는 안티몬 클러스터 혼합물을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은, AnHx +, 또는 AnRHx +의 형태의 이온을 형성할 수 있는 비소 또는 인 혼합물을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용을 포함하며, 여기서 n 및 x는 정수이고, n은 4보다 큰 정수이고, x는 0이상의 정수이고, A는 As 또는 P이고, R은 인 또는 비소를 포함하지 않는 분자이고, 이것은 이온 주입 공정에 해롭지 않다.
본 발명의 다른 양상은, 인산염, 유기 인산염, 및 인화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 인 혼합물을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은 P7H7을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은, 트리메틸스티바인을 포함하는 안티몬 혼합물을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은, Sb(CH3)C3를 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은, 클러스터 이온을 생성하기 위해 임의의 이전 설명의 시스템을 이용하는 것을 포함하는 반도체 디바이스 또는 물질을 처리하고, 이러한 처리에서, 특히 이온 주입, 특히 이온 빔 주입을 포함하는 처리에서 이온을 이용하는 방법을 포함한다.
본 발명의 다른 양상에 따라, 증기를 생성하는 방법은 임의의 이전 개시의 디바이스 또는 조합을 이용한다.
본 발명의 다른 양상은, 증발기의 서브그룹을 포함하는 증기 전달 시스템의 장착 스테이션에서 증발기의 그룹으로부터 흐름 경로를 따라 증기를 생성하기 위한 시스템을 포함하며, 상기 서브그룹들 중 하나는 동일한 고체 공급 물질을 포함하는 적어도 2개의 증발기를 포함하고, 다른 그룹은 상이한 고체 공급 물질을 포함하는 적어도 하나의 증발기를 포함하고, 그룹의 적어도 하나의 증발기는 클러스터 분자를 포함하는 물질을 포함하고, 상기 시스템은, 동일한 고체 공급 물질을 포함하는 증발기의 서브그룹이 경로를 따라 증기를 동시에 제공하도록 하고, 다른 서브그룹으로부터 증기의 경로를 통해 동시적인 흐름을 방지하는 제어 시스템을 포함한다.
하나의 구현에서, 시스템은 전자-기계 제어 시스템이다.
하나의 구현에서, 시스템은 흐름 경로를 따라 일렬로 있는 2개의 가변 컨덕턴스 흐름 디바이스를 포함하는 증기 흐름 제어부를 포함하고, 하류(down-stream) 디바이스는 쓰로틀 밸브를 포함하고, 상류(up-stream) 디바이스는 쓰로틀 밸브에 도달하는 증기의 압력을 조정할 수 있게 한다.
본 발명의 다른 양상은 증기 전달 시스템의 장착 스테이션에서 증발기의 그룹으로부터 흐름 경로를 따라 증기를 생성하기 위한 시스템이며, 상기 증기 전달 시스템은 클러스터 분자의 동일한 고체 공급 물질을 포함하는 적어도 2개의 증발기를 포함하며, 제어 시스템은 2개의 증발기가 동시에 작동하도록 구성된다.
하나의 구현에서, 시스템은 또한 단일 증발기와 함께 유용하고, 시스템은 흐름 경로를 따라 일렬로 있는 2개의 가변 컨덕턴스 흐름 디바이스를 포함하는 흐름 제어부를 포함하고, 하류 디바이스는 쓰로틀 밸브를 포함하고, 상류 제어부는 쓰로틀 밸브에 도달하는 증기의 압력을 조정할 수 있게 한다.
본 발명의 다른 양상은 방금 설명한 임의의 시스템으로부터 수용된 이온화된 증기를 포함하는 주입용 이온을 생성하는 방법이다.
하나의 구현에서, 생성된 이온은 이온 주입을 위한 빔 형태로 형성된다.
이전 특징의 하나 이상의 구현에 대한 세부사항은 첨부 도면 및 아래의 설명에 설명된다. 본 발명의 다른 특징, 목적 및 장점은 상세한 설명 및 도면과, 청구범위로부터 명백해질 것이다.
도 1은, 외부 증발기, 고진공 챔버 내의 증기-수용 디바이스와, 이들 구성요소 사이에 흐름 인터페이스 시스템을 포함하는 증기 전달 장치를 개략적으로 도시한 도면.
도 1a 내지 도 1c는 도 1의 고진공 챔버에서 밀봉 형상(feature)의 구현을 도시한 도면.
도 1d는 도 1의 시스템에 유용한 증발기를 개략적으로 도시한 측면도.
도 1e는 다른 증발기의 측면도로서, 증발기를 수용하고 지지하도록 위치한 증기-수용 지지 부재(도 1과 유사한 흐름 인터페이스 디바이스일 수 있음)의 일부분을 도시한 측면도.
도 1f는 증발기를 지지하도록 내부 설치(interfitted)될 때 도 1e의 구성요소를 도시한 도면.
도 1g는 제거가능한 단열체 자킷이 점선으로 도시된, 도 1e 및 도 1f의 증발기의 구현을 도시한 측면도.
도 1h는 증발기의 중심을 통과하는 수직 단면을 도시한 도면.
도 1i는 상기 증발기의 바닥 부분의 측면도.
도 1j는 상기 증발기의 바닥 부분의 평면도.
도 1k는 도 1h에서 라인 1K-1K를 따라 취한, 증발기의 수평 단면도.
도 1l은 증발기 유닛에서 열 전달 경로를 도시하는 개략적인 부분 전개도.
도 1m은 도 1l의 일부분을 확대한 도면.
도 2는, 도 1과 유사한 흐름 인터페이스 시스템을 갖고, 공통 증기 전달 경로를 통해 증기를 공급하는 2개의 증발기를 위한 장착 스테이션을 제공하는 장치를 개략적으로 도시한 평면도.
도 3은, 도 2와 유사한 흐름 인터페이스 시스템을 갖고, 2개의 증발기 각각으로부터 원하는 증기 흐름이 선택적으로 유지될 수 있는 흐름 제어 및 증발기 가 열 시스템을 병합하는 장치를 개략적으로 도시한 평면도.
도 4는, 도 2와 유사한 흐름 인터페이스 시스템을 갖고, 반응식 가스 소스와, 흐름의 공동-왕래를 방지하는 흐름-중단 디바이스를 병합하는 장치를 개략적으로 도시한 평면도.
도 5는, 고진공 챔버 내의 이온 소스와 일체화되고, 외부 반응식 세척 가스 생성기와, 흐름의 공동-왕래를 방지하는 흐름-중단 디바이스를 갖고, 도 1과 유사한 흐름 인터페이스 시스템을 갖는 장치를 개략적으로 도시한 측면도.
도 6은 도 3의 흐름 제어 및 이중 증발기 특성과 결합된, 도 5의 특징을 갖는 이온 소스 시스템을 갖는 장치를 개략적으로 도시한 평면도.
도 6a는 도 6의 특징을 구현하고 정화 가스 장치를 포함하는 밸브 및 통로를 개략적으로 도시한 도면.
도 7은 도 6과 매우 유사하지만, 도 1e 내지 도 1h에 도시된 유형의 설치된 2개의 증발기와, 한번에 하나의 증기 통로만의 선택할 수 있게 하는 스풀-형 밸브를 도시한 도면.
도 7a는 도 7의 흐름 전달 시스템의 구현을 도시한 평면도.
도 7b는 도 7의 흐름 전달 시스템의 구현을 도시한 수평 단면도.
도 7c는 시스템에 설치된 2개의 증발기에 접속하기 위해 수용된 시스템의 커버의 개구부를 도시하는 수용된 시스템을 도시한 사시도.
도 8, 도 8a 및 도 8b는 이온 소스 고진공 하우징 및 이온 소스와의 관계를 도시하며, 하우징 내의 증기 전달 시스템의 구현을 도시한 평면도.
도 9, 도 9a 및 도 10은 시스템에 설치된 2개의 증발기에 접속하기 위해 커버의 개구부를 도시하는, 도 8의 시스템의 사시도.
도 11은 커버가 제거된 도 8의 시스템의 사시도.
도 12 및 도 13은 흐름 전달 시스템에 유용한 증발기를 반대 방향으로 도시한 사시도.
도 13a 내지 도 13f는 증발기의 공압식 밸브 및 수동 오버라이드(over-ride) 디바이스 및 고정 나사의 상이한 위치를 도시한 일련의 도면.
도 14는 도 1g 및 도 1h의 증발기의 외부를 도시한 사시도.
도 14a는 연결 형상을 축 방향으로 부분적으로 도시한 수직 측면도.
도 14b는 도 14a에 도시된 전기 연결 핀 세트의 상세면.
도 14c는 도 14a에 직교하여 취해진, 도 14 및 도 14a의 증발기를 도시한 횡측면도.
도 14d는 증발기의 평면도.
도 14e는 커버를 증발기의 상부에 조립하고, 상부를 증발기의 하부에 조립하도록 이용된 기계 나사의 사시도.
도 15는 도 14h와 유사한 도 1g의 증발기를 도시하지만, 증발기가 장착되는 흐름 인터페이스 디바이스의 일부분을 더 작은 축척으로 도시한 단면도.
도 15a는 도 15와 같은 증기 수용 디바이스에서 증발기의 돌출 부재의 지지된 단열 연결부를 포함하는 부분을 도시한 분해도.
도 15b는 조립된 부분을 도시한 도면.
도 15c 및 도 15d는 도 15a에 도시된 것으로서, 돌출 부재 및 원주 절연 부재의 단부를 각각 도시한 도면.
도 16은 도 5, 도 7 및 도 8에 따라 시스템으로 아래에 언급되는 Horsky에 따른 전자 충돌 이온화로 생성되는 것으로서, 증발기에서 0-C2B10H12 고체 공급 물질을 이용하는 이온의 빔 전류 대 질량을 도시한 그래프.
도 16 및 도 16a는, 도 14d의 라인 16-16 및 16a-16a을 따라 취한, 도 14의 증발기의 도식적인 직교의 횡단면도로서, 증발기를 흐름 인터페이스 디바이스에 고정하는 수평 나사와의 개방-허용 바의 관계를 도시한 횡단면도.
도 17 내지 도 17d는 고객에게 전달하기 전에 재충전할 수 있게 하기 위해 도 1g 및 도 1h의 증발기를 분해하는 단계를 도시한 일련의 사시도.
도 18은, 도 5, 도 7 및 도 8에 따라 시스템으로 아래에 언급되는 Horsky에 따른 전자 충돌 이온화로 생성되는 것으로서, 증발기에서 0-C2B10H12 고체 공급 물질을 이용하는 이온의 빔 전류 대 질량을 도시한 그래프.
도 1을 참조하면, 증기 전달 시스템의 흐름 인터페이스 디바이스(10)는 고진공 챔버(20)에 연결되고, 고진공 챔버의 외부에 위치한 부분(8)과, 고진공 챔버 안으로 돌출하는 신장부(9)를 포함한다. 인터페이스 디바이스(10)의 부분(8)은 장착 스테이션(12)을 제공하고, 장착 스테이션에서 외부 증발기(14)는 가스-밀폐 인터페이스(I)에 제거가능하게 장착된다.
증발기(14)는, 증발될 고체 공급 물질의 전하를 갖는 하부 부분과, 제거가능한 상부 부재를 갖는 캐니스터(canister) 유형이다. 상부 부재는 19에 도식적으로 도시된 증발기 히터와 연관된다. 인터페이스 시스템은 공급 물질로부터 증기를 생성하는 증발기 히터에 대한 전력(P14)을 제어하는 히터 제어 회로(33)를 포함한다. 증기 흐름 경로(16)는 인터페이스(I)를 경유하여 증발기로부터 인접한 정지 밸브(15)를 통해, 그런 후에 부분(8) 및 신장부(9)를 통해 인터페이스 디바이스(10)에서 연장한다. 신장부(9)는 진공-밀폐 밀봉부(21)에서 진공 챔버(20)의 하우징에 밀봉된다.
밀봉된 분리가능한 연결은 고진공 챔버 내에서 신장부(9)와 증기-수용 디바이스(22) 사이에 형성된다. 이러한 연결점은 인터페이스(Ⅱ)로 언급된다.
이러한 배열에서, 외부 증발기(14) 및 증기-수용 디바이스(22) 모두의 준비된 제거 및 서비스는 고진공 챔버(20)의 하우징과의 흐름 인터페이스 디바이스(10)의 연결에서 밀봉부(21)의 교란 없이 가능하게 이루어진다. 증기-수용 디바이스(22) 상에서 서비스를 수행하기 위해 인터페이스(Ⅱ)에서 반복된 흐름 연결 해제 및 재연결에도 불구하고, 인터페이스(Ⅱ)는 그 위치로 인해 작업자에게 잠재적인 누출 위험을 제공하지 않는다. 누출이 발생하는 어느 정도까지, 누출은 고진공 챔버(20) 내에 한정되고, 진공 펌프 및 연관된 유출 처리 시스템(25)에 의해 제거된다.
상기 시스템의 바람직한 구현에서, 인터페이스(Ⅱ)에서, 증기-수용 디바이스 의 설치 이동에 의해 고진공 챔버 내에서 연결이 이루어진다. 도 1의 예에서, 증기-수용 디바이스(22)는, 디바이스(22)가 착탈식 연결부(23)에서 진공 챔버(20)의 표면 상에 밀봉될 때까지 경로(A)를 따라 이동함으로써 설치된다. 이러한 이동으로 설치될 때, 증기-수용 디바이스(22)는 진공 챔버(20) 내에서 인터페이스(Ⅱ)에서의 신장부(9)와 맞물리고 이러한 신장부와 함께 밀봉하도록 구성된다. 예를 들어, 차단-부속품(close-fitting) 표면에 매칭함으로써 라이비린스(labyrinth) 진공 밀봉을 효과적으로 형성하도록 구성될 수 있다. 유사하게, 증기 수용 디바이스(22)는, 진공 챔버(20)의 하우징을 갖는 흐름 인터페이스 디바이스(10)의 밀봉부(21)를 교란시키지 않고도, 인터페이스(Ⅱ)에서 밀봉을 파손하는 방식으로 경로(A)를 따라 반대 이동에 의해 진공 챔버로부터 제거가능하도록 구성된다.
도 1a 내지 도 1c는 고진공 챔버(20') 내에서 인터페이스(Ⅱ)에서 그러한 밀봉을 형성하는 메커니즘을 도시한다. 고진공 챔버(20')의 하우징은, 하우징에 진공-밀폐 방식으로 결합되고 아래로 향하는 개구부를 갖는 인터페이스 플랜지(20F)를 포함한다.
흐름 인터페이스 디바이스(10')는 증기 흐름 통로를 한정하는 열 전도성 블록의 형태이다. 흐름 인터페이스 디바이스는 진공 밀폐 방식으로 하우징 플랜지(20F) 상에 블록을 장착하도록 구성된 칼라(collar)(6)를 포함한다. 블록(10')에 결합되고 밀봉된 넥(neck) 부재(7)는 증기 통로의 신장을 한정한다. 넥 부재(7)는 챔버 플랜지(20F)를 통해 칼라(6)로부터 고진공 챔버(20') 안으로 돌출한다.
예를 들어, 테프론(Teflon)으로 된 스프랑-장전된 커넥터 밀봉 부재(5)는 넥 부재(7)에서 통로의 원통형 부분 내부에 가까이 끼워진 관형 스템(5A)을 갖는다. 스템(5A)은 증기 수용 디바이스(22')의 설치 경로안으로 위로 연장하고; 수평의 위쪽으로 향하는 밀봉 표면을 한정하는 상부 헤드(5B)에서 종료한다. 헤드(5B)는 디바이스(22')의 대응하는 캠 표면(22C')에 의해 맞물리도록 배치된 코너 캠 표면(5C)을 갖는다.
도 1a에서, 캠 표면(5C 및 22C')은, 증기 수용 디바이스(22')가 설치를 위해 경로(A)를 따라 우측으로 이동하기 때문에 여전히 분리된 것으로 도시된다. 도 1b에서, 디바이스(22')는 캠 표면이 맞물리는 지점으로 나아간다. 도 1c에서, 고진공 챔버(20')의 대응하는 플랜지 표면 상에 놓여진 디바이스(22')의 장착 플랜지를 통해 설치가 완료되어, 진공 밀폐 밀봉부(23)를 형성한다. 스프링-편향된 테프론 부재(5)는 아래쪽으로 눌러지고, 그 플랫 상부 표면은 디바이스(22')의 대응하는 아래로 향하는 플랫 표면과 맞물린다. 사실상 이들 짝을 이루는 표면은 라이비린스 밀봉을 형성한다. 다른 라이비린스 밀봉은 커넥터(5)의 스템(5A) 및 넥 부재(7)에서의 통로의 밀접하게 끼워진 원통형 표면에 의해 형성된다. 흐름-수용 디바이스(22')가 밀봉된 상태로, 넥 부재(7)의 통로와 증기 수용 디바이스(22')는 증기의 전달을 가능하게 하도록 정렬된다.
증기-수용 디바이스(22')의 제거를 위해, 움직임은 반전된다.
다른 도킹 구성이 이용될 수 있음을 당업자는 이해할 수 있을 것이고, 일례는 축 방향으로 정렬된 맞물림 표면, 예를 들어 원뿔형 또는 피라미드형 커넥터의 표면을 들 수 있다. 다른 경우에, 진공-수용 디바이스가 설치된 후에, 역전가능 한(reversible) 엑추에이터 메커니즘은 진공 하우징 내의 부분 사이에 밀봉된 연결을 완료하도록 작동될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 바람직한 구현에서, 흐름 인터페이스 디바이스(10)는 증발될 상이한 물질을 포함하는 증발기를 수용하도록 구성된다. 각 증발기는 온도 센서를 갖고 있고, 상기 온도 센서에 의해 증발기의 온도(T14)는 감지되어 인터페이스 시스템의 증발기 히터 제어 회로(33)로 송신된다. 유닛의 상부의 온도를 감지하는 것이 도시되지만, 대신에 하부 근처의 온도를 감지하도록 위치될 수 있고, 유리하게, 또는 양쪽 위치가 모니터링될 수 있다. 각 증발기는 특정 소스 물질에 전용되고, 식별자 디바이스(30)를 갖고 있다. 흐름 인터페이스 디바이스(10)는 상보적 인식 디바이스(32)를 갖는다. 인식 디바이스(32)는 제어 신호(C14)를 증발기 히터 제어 회로(33)에 제공하고, 이에 응답하여, 제어 회로(33)는 전력을 특정 증발기의 히터에 인가하기 위한 상한을 포함하는 각 공급 물질을 가열하기 위한 안전 온도 범위를 확립한다. 예로서, 바람직한 구현에서, 흐름 인터페이스 디바이스(10)는 각각 데카보렌 및 옥타데카보렌을 포함하도록 지정된 증발기(14' 및 14")를 수용하도록 구성된다. 증발기는 명백하게 상이한 식별 디바이스(30)를 갖는다. 증발기가 인터페이스 디바이스(10)에 장착될 때, 인식 디바이스(32)는 증발기(14' 또는 14")를 인식하고, 각 제어 신호(C14' 또는 C14")를 제공한다. 적합한 구현에서, 데카보렌 증발기에 의해 트리거링된 인식 신호(C14')는 히터 제어 회로(33)가 데카보렌을 증발시키기 위해 적절한 가열 영역 내에서 동작하도록 하고, 약 35℃보다 높은 증발기 의 가열을 방지하는 한편, 옥타데카보렌 증발기에 의해 트리거링된 인식 신호(C14")는 히터 제어 회로(33)가 옥타데카보렌을 증발시키기 위해 적절한 가열 범위 내에 동작하도록 하고, 예를 들어 약 135℃보다 높은 증발기의 가열을 방지한다. 다른 물질에 지정되는 다른 증발기는, 인터페이스 제어 유닛이 다른 온도 범위 또는 다른 적절한 동작 상태를 가능하게 하도록 인식가능한 다른 식별자를 갖는다.
바람직한 구현에서, 흐름 인터페이스 디바이스(10)는 예를 들어 기계 가공된 알루미늄 블록-형성 부분으로 형성된 열 전도성 바디를 포함한다. 밸브가 설치될 때, 열 전도성 블록은 효과적으로 밸브를 위한 밸브 바디의 역할을 한다. 가열된 바디를 통하는 진공-밀폐 증기 경로는 인터페이스 Ⅰ로부터 인터페이스 Ⅱ로 연장한다. 바디는 회로(13)에 의해 제어된, 도식적으로 11로 도시된 히터와 열 접촉을 한다. 회로(13)는 증발기(14)로부터의 온도 입력(T14)을 갖고, 흐름 인터페이스 디바이스(10)의 전도성 바디로부터의 온도 입력(T10)을 갖는다. 회로(13)는, 전도성 바디를 제어된 온도로, 예를 들어 각 증발기(14)의 온도보다 높은 온도로, 하지만 안전 온도 미만, 예를 들어 증발되는 각 물질의 분리 온도보다 낮은 온도로 유지하도록 제어 히터(11)에 적응된다.
시스템의 히터는 예를 들어 종래의 전기 카트리지 또는 밴드 히터와 같은 다양한 형태를 가질 수 있고, 하나 이상의 히터 지역에 배열될 수 있다. 예를 들어, 유리하게, 증발기를 T1로 가열하기 위한 가열 지역(1)과, 인터페이스 바디(10)를 가열하기 위한 가열 지역(2)과, 증기-수용 디바이스(22)를 위한 가열 지역(3)이 있을 수 있다. 가열 지역은 각 히터 요소 및 온도 센서로 구성되는데, 이들은 하나의 배열에서, 증발기로부터 증기 수용 디바이스에서의 인터페이스 Ⅱ로의 경로를 따라 온도가 T1로부터 T2로 증가하는데, 즉 이들 모든 온도가 증발될 물질에 대한 안정 한계보다 낮은 온도(T4)에 한정되는 T1<T2<T3가 된다.
도 1d를 참조하여, 바람직한 구현에서, 증발기는 하부 섹션 또는 부재로서 단열 캐니스터 바디(14A) 및 착탈식 상부 섹션 또는 밀폐 부재(14B)를 포함하는 캐니스터이다. 바디(14A)는 상부 개구부와, 점진적으로 승화될 고체 공급 물질의 충전을 유지하기 위해 예를 들어 1리터의 볼륨을 갖는다. 착탈식 상부 부재(14B)는 밸브(V1)를 병합한다. 상부 및 하부 부재, 및 바람직하게 밸브는 예를 들어 알루미늄과 같은 열 전도성 물질로 구성된다. 밸브는 상부 부재의 바디(14B) 내에 위치하고, 이에 의해 밸브는 바디의 온도에 실질적으로 유지된다.
유리하게, 증발기 유닛의 상부 부재만이 전기적으로 가열된다. 캐니스터 바디 내의 고체 물질은 착탈식 상부 및 하부 섹션 사이의 조인트를 통한 그리고 히터로부터 전도에 의해 가열되는 하부 섹션의 측면 및 하부 벽을 통한 열 전달에 의해 대부분 가열된다. 이러한 방식으로, 상부 부재를 통해 증기 통로의 온도(T1)가 승화되는 고체 소스 물질의 온도를 초과하는 것을 보장한다.
전술한 바와 같이, 가변 온도에서 증발될 물질의 전하가 유닛의 하부에 위치되는 반면, 증발기-캐니스터 유닛의 착탈식 상부 차단 섹션에서의 히터의 배치는 당업자가 양호하게 실시하는 것으로 나타나지 않는다. 착탈식 상부 및 하부 섹션 사이의 인터페이스의 열 저항, 및 연관된 열량 및 응답의 느림 뿐 아니라 외부로의 열 손실을 갖는 열 전달을 위한 거리는 바람직하지 않은 것으로 나타난다. 그러나, 상당한 장점은 이러한 배열을 통해 얻어질 수 있고, 고유한 단점인 것으로 보이는 것은 적합한 구현에서 피할 수 있는 것으로 또는 중요하지 않은 것으로 밝혀졌다.
따라서, 시스템은, 밸브(V1)를 통해 생성 지점으로부터 흐름 인터페이스 디바이스(10)쪽으로 그리고 이를 통해 이동하는 동안 증가하는 온도의 물질 충돌(encounter) 통로로부터 증기가 생성된다는 것을 보장한다. 유사하게, 증기 이용 지점보다 앞에 있는 증기-수용 디바이스(22)의 부분은 흐름 인터페이스 디바이스(10)의 온도보다 증분적으로 높은 온도에서 유지되도록 적응된 다른 가열 지역을 한정할 수 있다.
이제 도 2의 평면도를 참조하여, 흐름 인터페이스 시스템은 몇몇 특징이 도시되지 않은 도 1의 시스템의 모든 특징을 갖고, 또한 다수의 증발기 장착 스테이션을 한정한다. 2개의 스테이션(12A 및 12B)이 도시된다.
개별적인 흐름 경로 세그먼트(16A 및 16B)는 장착 스테이션(12A 및 12B)으로부터 각각 디바이스(10A)의 열 전도성 바디의 부분(8)의 길이를 통해 부분적으로 연장한다. 부분(16A 및 16B)은 접합(X)에서 병합한다. 공통 증기 흐름 경로 세그먼트(16C)는 부분(8A)의 나머지를 통해, 그리고 증기가 증기-수용 디바이스(22)로 전달되는 인터페이스 Ⅱ로의 인터페이스 디바이스(10A)의 연장부(9)를 통해 연장한다. 디바이스(10)에서의 정지 밸브(15A 및 15B)는 개별적인 흐름 경로(16A 및 16B)와 연관된다. 링크(17)로 표시된 바와 같이, 밸브(15A 및 15B)는 연동된다. 이것은 도시된 경우에서, 각 밸브가 다른 밸브가 개방될 수 있기 전에 차단되어야 하는 것을 보장하는 방식으로 이루어진다. 이것은 경로(16A 및 16B)로부터의 동시적인 흐름을 방지한다.
이에 따라 흐름 인터페이스 디바이스(10A)는 고진공 챔버(20)와의 인터페이스 디바이스(10A)의 밀봉된 연결부(221)의 교란 없이 2개의 증발기의 제거 및 서비스를 위한 준비된 접근을 제공하고, 이는 흐름 인터페이스 디바이스는 하나의 증발기가 서비스되거나 채워지도록 하는 한편, 동일한 소스 물질을 포함하는 다른 증발기는 증기를 생성하고, 2개의 상이한 종의 증발기가 선택적인 이용을 위해 설치되도록 한다. 인터페이스 Ⅰ에서, 시스템의 나머지로부터 증발기-캐니스터의 단열을 제공함으로써, 비활성 유닛은 냉각되도록 하여, 유닛에 남아있는 물질의 어떠한 전하도 실질적으로 저하되지 않는다.
도 3을 참조하여, 흐름 인터페이스 시스템은 일부가 도시되지 않은 도 2의 시스템의 모든 특징을 갖는다. 또한, 공통 경로(16C)에서, 도 3의 흐름 인터페이스 디바이스(10B)는 압력 모니터(26)를 수반하는 흐름 제어 디바이스 또는 쓰로틀 밸브(24)를 포함한다. 이들은 인터페이스 시스템의 흐름 및 히터 제어 디바이스(28)에 연결된다. 제어 디바이스(28)는 각 증발기(14A 및 14B)를 위한 온도 감지 라인(T14A 및 T14B) 및 히터 전력 라인(P14B 및 P14B)에 연결된다. 장착 스테이션에서의 인식 디바이스(32A 및 32B)는 특정 소스 물질에 지정된 증발기(14A 및 14B) 상에서 신원 확인 디바이스(30A 및 30B)와 상호 작용한다. 인식 디바이스는 증발기의 유형 의 신원을 흐름 및 히터 제어 시스템(28)에 전달하여, 흐름 및 히터 제어 시스템이 적절한 동작 한계, 및 각 증발기 히터(19)로의 적절한 전력의 인가를 선택하도록 한다.
공통 경로(C)에서의 흐름 제어 디바이스(24)는 통로의 증기 전도도를 변경하는 버터플라이 밸브와 같은 쓰로틀 밸브를 포함할 수 있다. 제어 시스템은, 전체 내용이 본 명세서에 참고용으로 병합되는, 2005년 7월 7일에 공개된 "Controlling the Flow of Vapors Sublimated from Solids"라는 명칭의 특허 출원 WO 2005/060602에 기재된 프로토콜에 따라 동작하도록 구성될 수 있다.
특히, 원하는 흐름을 전달하기 위한 그러한 쓰로틀 밸브의 동작은 쓰로틀 밸브의 곧바로 상류의 영역에서 증기의 원하는 압력이 있는 것에 의존한다. 주어진 증발기 온도에서, 생성된 증기의 양, 이에 따라 그 압력은 증발 온도로 가열될 위치에 남아있는 공급 물질의 충전량에 의존된다는 것이 주지된다. 물질의 본래 충전의 점진적인 소모를 보상하기 위해, 제어 시스템은 전달된 압력을 감지하고, 이에 따라 증발 챔버의 온도를 증가시킨다. 증발기 시스템이 큰 지연 없이 증가된 온도를 달성할 수 있는 것이 유리하다. 이것은 동작 동안 중요하고, 특히 동작 압력 및 가열 시스템이 전체 시스템의 원하는 성능을 달성하도록 조정되는 시동시간 동안 중요하다.
공통 경로 세그먼트(16C)에 위치한 단일 흐름 제어 디바이스(24)는 각 장착 스테이션에서 2개 이상의 증발기로부터 흐름을 선택적으로 제어할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이 링크된 밸브(15A 및 15B)의 선택된 위치를 포함하는 연동에 의 해, 시스템은 한번에 2개 이상의 증발기로부터 가열하고 증기를 전달하는 것으로부터 방지될 수 있다. 선택된 증발기, 디바이스(10B) 및 디바이스(22)는 적절한 온도, 예를 들어 이들 모든 온도가 선택된 증발기에서 특정 한 물질에 대한 안전 한계보다 낮은 온도(T4)에 한정되는 T1<T2<T3로 가열되도록 구성된다. 따라서, 선택된 증발기에서 물질에 적절한 미리 결정된 안전 범위에서 가열이 적용되고, 상기 물질에 관련된 다른 상태가 적절히 제어된다는 것이 보장된다.
도 4를 참조하면, 일부가 도시되지 않은 도 2 또는 도 3의 시스템의 모든 특징을 갖는 시스템이 도시되고, 흐름 인터페이스 디바이스(10C)의 바디의 부분(8C)에서 통로(42)와 통하는 반응식 세척 가스 소스(40)를 구비한다. 흐름 인터페이스 디바이스의 연장부(9A)는 고진공 챔버(20A)의 벽에 밀봉되고, 인터페이스 Ⅱ-A로의 고진공 챔버(20A) 안으로 돌출한다. 상기 연장부는 증기 수용 디바이스(22A)로의 2개의 분리된 흐름 경로, 즉 공통 증기 경로로부터의 증기의 흐름을 위한 경로(16C), 및 평행하지만 반응식 세척 가스의 흐름을 위한 분리된 경로(42)를 한정한다. 증기 수용 디바이스(22A)의 대응하는 통로(22V 및 22G)와의 밀봉된 연결부는 인터페이스 Ⅱ-A에서 제거가능하게 형성된다; 각각은 전술한 방식으로 라이비린스에 의해 형성될 수 있다. 어느 한 밀봉으로부터의 누출은 고진공 챔버(20A)의 주변 벽에 의해 포함될 수 있다.
도 1a 내지 도 1c에 따라 구현되는 경우, 예를 들어, 경로(A)를 따라 증기-수용 디바이스(22A)의 설치 및 제거 이동은 연장부(9A)를 통하는 증기 및 반응식 가스 통로 모두의 밀봉된 표면을 분리할 수 있다. 매칭 부분의 밀접하게 끼워진 표면은 전술한 바와 같이 라이비린스 진공 밀봉을 효과적으로 형성할 수 있다.
반응식 세척 가스 소스(40)는 반응식 가스의 용기, 또는 가스 또는 고체 공급 물질로부터 반응식 가스를 생성하는 수단일 수 있다.
도 4의 인터페이스 디바이스(10C)는 증기 수용 디바이스(22A)로의 증기 및 반응식 가스의 동시적인 흐름을 방지하는 밸브 연동부(50)를 포함한다. 바람직한 구현에서, 이것은 왕복 스풀 밸브를 통해 달성되며, 이것은 각 경로가 다른 경로가 개방되기 전에 완전히 차단되는 것을 보장한다. 반응식 가스 소스(40)가, 공급 가스가 분리되기 위한 공급 가스 공급 라인을 갖는 반응식 가스 생성기인 도시되지 않은 대안적인 구성에서, 연동부는 공급 라인을 디스에이블할 수 있는 방식으로 반응식 가스 라인보다 오히려 가스 생성기로의 공급 라인으로 형성될 수 있다. 이 경우에, 증기-수용 디바이스와의 반응식 가스 연결은 개별적으로 형성될 수 있다.
도 5를 참조하여, 증기-수용 디바이스가 증기의 제어된 흐름이 이온화되도록 도입되는 이온화 챔버(90)를 갖는 고전압 이온 소스(22B)를 포함하는 도 1의 일반적인 방식의 적응이 도시된다. 이온은 추출 전극의 정전기 인력에 의해 추출 애퍼처(92)를 통해 그리고 이온 빔(96)을 형성하기 위해 최종 에너지 조립체(94)를 통해 이온화 챔버(90)로부터 끌려온다. 빔은 도시되지 않은 이온 주입기 단부 스테이션으로 빔 라인을 따라 향하게 된다. 도 5의 고진공 챔버는 예를 들어 강화 에폭시로 된 고전압 절연체(62)를 갖는 이온 소스 진공 하우징(70)을 포함한다. 절연체(62)는 이온 소스(22B) 및 증기 공급 시스템(10D 및 14)에 장착되는 고전압 단부 로부터 주 진공 하우징 부재(71)를 전기적으로 절연한다. 진공-밀폐 장착 링(72)은 절연체(62)의 고전압 측 상에 제공된다. 진공-밀폐 장착 링은 이온 소스(22B)의 장착 플랜지(76)로 제거가능하게 수용하고 밀봉하기 위한 단부 플랜지(74)를 제공한다. 이온 소스 구조는 장착 플랜지로부터 진공 챔버로 축(A)을 따라 축 방향으로 연장한다. 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 흐름 인터페이스 디바이스(10D)의 연장부(9B)는 2-통로 구조이고, 21A에서 장착 링(72)에 밀봉된다. 연장부는 인터페이스 Ⅱ-B로의 고진공 챔버 안으로 돌출한다. 도 1a 내지 도 1c 및 도 4에 따라 연장부(9b)의 각 통로에 대한 인터페이스를 구성함으로써, 예를 들어, 이러한 인터페이스는, 예를 들어 전술한 방식으로 라이비린스 진공 밀봉을 효과적으로 형성하는 밀접-설치 표면에 의해 각 통로를 위한 밀봉을 효과적으로 형성하는 연결부를 통해 제거가능한 이온 소tm를 수용하도록 위치할 수 있다.
반응식 세척 가스 생성기(40A)의 특정 형태로 반응식 가스 소스는 물질, 예를 들어 분리될 수 있는 가스 플루오르 혼합물을 위한 공급 라인(41)을 갖는다. 세척 가스 생성기는, 예를 들어 플루오르 또는 플루오르 이온과 같은 반응식 세척 가스가 생성되는 분리 상태를 제공하도록 구성된다. 그 출력은 인터페이스 디바이스(10D)에서 공급 통로(42)에 도입된다. 도 4에서와 같이, 반응식 가스 통로(42) 및 증기 흐름 경로(16)는 스풀 밸브와 같은 연동 디바이스(50)를 통과하고, 이러한 연동 디바이스는 한번에 하나의 통로만을 통과하는 흐름을 선택적으로 허용하여, 동시적인 흐름을 방지한다. 유리하게, 도 3에 제공된 바와 같이, 쓰로틀 밸브(24) 및 압력 모니터(26) 및 연관된 제어는 흐름 인터페이스 디바이스(10D)에 제공된다. 반응식 세척 가스 생성기는 고체 또는 가스 공급 물질로부터 반응식 가스 세척을 생성할 수 있는 플라즈마 챔버 또는 다른 장치를 포함할 수 있다.
도 5의 시스템은, 그 내용이 본 명세서에 완전히 설명된 것처럼 참고용으로 병합되는, "Method and Apparatus for Extending Equipment Uptime Ion Implantion"의 명칭의 공개 공보 WO 2005/05994에 도시된 각 이온 주입기 시스템에 쉽게 병합될 수 있다.
도 6을 참조하여, 도 5와 유사한 이온 소스(22B) 및 증기 전달 시스템(14-1, 14-2, 및 10E)은 일부가 도시되지 않은 도 1 내지 도 5의 시스템의 모든 특징을 가질 수 있다. 도 6에서, 2개의 장착 스테이션은 이온화가능한 증기를 생성하기 위한 고체 증발기(14-1 및 14-2)에 대해 한정된다. 시스템은 지금까지 설명된 모든 연동 및 안전 특징, 및 증발기의 가열 및 인터페이스 디바이스(10E)를 통하는 흐름을 제어하도록 구성된 제어 시스템을 가질 수 있다. 1가 도핑 종의 가스와 같은 이온가능한 가스(100)의 소스는 또한 인터페이스 시스템과 연관된 도관(102)을 갖게 제공된다. 연동부(50)의 하류에 있는 지점에서 반응식 가스 통로(42A)와 연결을 이룬다. 반응식 세척 가스에 대한 가스 통로(42A)의 하류 부분 및 연장부(9A)의 관련된 반응식 가스 통로는 이에 따라 대안적으로 다른 도펀트 종을 제공하기 위해 실온에서 가스화되는 이온화가능한 물질을 도입하기 위해 유용하다. 도시되지 않은 연동은, 이온가능한 증기 또는 세척 가스의 흐름이 발생할 때 이온화가능한 소스 가스의 흐름을 방지하도록 제공될 수 있다.
도 6a의 개략도는, 도 6의 흐름 특성이 전도성 블록(120)에 병합되는 것을 나타낸다. 또한 블록이 가열되는 동안 아르곤으로, 블록을 정화시킬 수 있는 정화 가스 통로는 블록에 병합된다. 이것은 시스템을 서비스하기 전에, 또는 다른 종의 증기를 도입한 후에 유독 또는 반응식 증기의 흔적을 제거할 수 있다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 특히 이 시스템은 증발기 보틀(bottle)로부터 이온 주입기의 이온 소스(22B)로 붕소-함유 증기(Bx), 예를 들어 데카보렌 및 옥타데카보렌을 제공하는데 적합하다.
도 6a의 증기 시스템은 유독 가스 박스에 사용된 기술과 유사하게 정화 성능을 갖는다. 고체 증발기 캐니스터 상의 밸브(V1 또는 V2)는 원격으로 동작되도록 구성된다. 상기 밸브는 이에 따라 증발기를 절연하도록 원격으로 폐쇄될 수 있다. 연동된 증발기 선택기 밸브(V3 및 V4)(예를 들어 스풀 밸브 유닛의 형태로 실현됨)는 또한 증발기로부터 증기 전달 경로를 절연하도록 동작된다. 가스 공동은 이에 따라 보틀 차단 밸브와 증발기 선택기 밸브 사이에 생성된다. 이 가스 공동은 예를 들어 Bx 증기와 같은 잔여 증기를 포함할 것이다. 밸브(V5 또는 V6)의 적절한 작동에 의한 제거를 위해 증발기 분리 이전에, 공동은 Bx 증기의 임의의 흔적을 제거하기 위해 공통 라인(16C)을 통해 아르곤으로 사이클-정화되며, 그렇지 않을 경우 Bx 증기는 주변으로 빠져나갈 것이다.
도 7에 개략적으로 도시되고 도 7a 및 도 7b에 구현된 시스템은 도 6에 도시된 것과 동일할 수 있고, 추가 특징을 갖는다.
캐니스터와의 모든 연결은 인터페이스 Ⅰ에서 형성된다. 이것은 증발기 히터 에 전력 공급하기 위한 전기 전력 연결부, 각 증발기 캐니스터 내에 공압식 밸브를 제어하기 위해 증발기 상태 및 압축 공기의 온도 및 다른 파라미터를 신호 발신(signaling)하기 위한 신호 커넥터를 포함한다.
도 6a와 같이, 도 7, 도 7a 및 도 7b에서, 연동된 밸브(V3 및 V4)는 2개의 증발기{도 7에서의 증발기(14'), 도 7a 및 도 7b에서의 증발기(14")}로부터 증기 통로를 위해 제공된다. 도 6의 스풀 밸브(50)와 유사한 스풀 밸브의 부분인 밸브 요소(V3 및 V4)에 의해 구현되는 연동이 도시된다. 도 6a의 정화 가스 특징이 포함된다.
증발기로부터 흐름을 가능하게 하기 위해, 증기의 위험한 조합의 혼합을 방지하는데 필요한 엄격한 제어는 전자-기계 제어 시스템에서 제어 논리 회로(logic)에 의해 구현된 미리-확립된 프로토콜에 종속될 수 있다. 유사하게, 기계 연동 메커니즘은 교대 동작 모드를 위해 준비할 수 있다. 몇몇 경우에, 증발기 사이에, 또는 선택된 증발기 사이의 왕래를 완전히 방지하는 제어가 확립된다. 이러한 제어는 다른 한 편으로 몇몇 증발기의 동시적인 흐름을 위한 허용을 구현할 수 있다. 이것이 적절하고 유용한 경우는 증발기가 동일한 공급 물질을 포함하는 경우이다. 예를 들어, 동시적인 흐름은, 하나의 증발기에서의 충전이 거의 소모될 때 동시적인 흐름이 이용될 수 있고, 경제적인 이유로 인해 전체 충전을 이용하는 것이 바람직하지만, 또한 대체 증발기의 이용을 개시하는 것이 바람직하다. 그러한 전략은 많은 증기 공급을 보장하지만, 거의 소비된 증발기의 가열 한계를 압박하지 않는 장점을 갖는다. 도 7c를 참조하면, 흐름 인터페이스 디바이스는 4개(또는 그 이상)의 증발 기를 위한 장착 스테이션을 한정하고, 각 증발기는 각 정지 밸브에 연결되고, 모든 증발기는 공통 통로에 의해 흐름 제어 시스템에 왕래한다. 연동 제어 논리 회로에 대한 예: 예 1: 증발기(1 및 2)는 동시에 서비스 상태에 있도록 허용되거나, 증발기(3 및 4)는 동시에 서비스 상태에 있도록 허용된다. 예 2: 증발기(1 또는 2 또는 3 또는 4)는 동시에 서비스 상태에 있을 수 있다.
도 7c에 도시된 구현에서, 쓰로틀 밸브, 예를 들어 버터플라이 밸브와 같은 2개의 가변 임피던스 흐름 제어 디바이스(24A 및 24B)는 더 높은 상류 증기 압력을 가능하게 하도록 동작하고, 단일 유닛보다 더 넓은 동적 범위를 효과적으로 달성하여, 높은 및 낮은 증기 흐름 모두가 달성될 수 있게 된다.
도 8 내지 도 11은 전술한 흐름 인터페이스 디바이스의 모든 특징을 결합하는 구현을 도시한다. 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 밸브 블록(130)을 포함하는 열 전도성 바디의 형태인 흐름 인터페이스 디바이스는 도 8 및 도 9에 도시된, 이온 소스(22B)의 설치-및-제거 경로(A) 아래에 장착된다. 밸브 블록(130)은 가열된 캐니스터 형태의 증발기(132 및 134)를 위한 2개의 장착 스테이션을 한정하고, 이것은 상부 섹션에 병합된 장착 형상에 의해 흐름 인터페이스 디바이스로부터 매달려진다. 밸브 블록(130)은 이들 장착 스테이션으로부터 개별적인 흐름 통로 세그먼트를 갖고, 이것은 도 8 및 도 8b에서, 고진공 챔버(71A)로 이어지는 공통 통로 세그먼트에 병합한다.
도 8 및 도 11에 도시된 바와 같이, 그리고 도 1a 내지 도 1c에 도시된 특징과 유사하게, 인터페이스 디바이스(130)는 칼라(6A)에 의해, 진공 하우징 장착 링(72A)의 부분을 형성하는 장착 플랜지(72F)로부터 매달려진다. 따라서, 시스템은 고전압 절연체(62A)의 고전압 측면 상에 매달려진다. 그 흐름 통로는 도 1a 내지 도 1c에 도시된 바와 같이 진공 하우징 내에 캐밍(cammed) 커넥터를 통해 이온 소스 구조에 연결된다. 플라즈마 챔버(40A')의 형태인 반응식 세척 가스 소스는 그 아래의 밸브 블록(130)으로부터 매달려진다. 반응식 플루오르를 생성하기 위해 공급 가스를 분리하도록 구성된다. 하나의 바람직한 형태에서, 이러한 전체 조립체의 무게는 이온 소스 장착 링(72A)에 의해 지지되며, 이 이온 소스 장착 링은 다시 절연체(62A)에 의해 지지된다.
이전 도면에 대해 설명된 히터 및 밸브의 안전 및 흐름 가열 및 제어 기능을 수행하는 카트리지 히터 및 밸브는 밸브 블록(130)에 병합된다. 시트 금속 봉입부(enclosure)(140)는 이러한 전달 조립체를 둘러싸고, 접근을 위해 개방될 수 있는 증발기 커버(142)를 포함하는 커버를 갖는다. 이러한 밀봉은 고전압 절연체를 포함하는 다리에 의해 바닥으로부터 지지된다. 따라서, 전체 증기 전달 시스템은 이온 소스의 고전압 전위로 유지되도록 적응된다.
절연체에 연결된 장착 링의 한 측면 또는 다른 측면에서 또한 여전히 이온 소스의 설치 및 제거의 경로로부터 설명된 작용을 여전히 제공하는 다수의 다른 물리적 배열이 가능하다는 것이 이해될 것이다.
도 11을 참조하여, 증발기 유닛(132 및 134)이 도시된다. 각각은 도 1d에서와 같이 히터를 갖고, 데카보렌 또는 옥타데카보렌과 같은 고체 공급 물질을 포함하고 이 물질을 이온화될 증기를 생성하는 온도로 가열하도록 구성된다. 도 1d의 유닛에서와 같이, 증발기 유닛은 일반적으로 약 1리터와 같은 고체-수용 부피를 갖는 낮은 캐니스터 바디(14A)와, 착탈식 상부 차단 부재(14B)를 포함한다. 적합한 장착 스테이션에서 상부 밀봉 부재로부터 수직으로 매달리도록 구성된다. 이 목적을 위해, 상부 밀봉 부재는 도 1에서 흐름 인터페이스 디바이스(10), 또는 밸브 블록 구현에 의해 한정된 장착 스테이션의 대응하는 표면과 매칭하고 이를 통해 밀봉하기 위해 수직 장착 표면을 한정한다. 도 1d 및 도 11의 캐니스터의 상부 부재(14B)는 캐니스터로부터 장착 스테이션으로 증기 흐름을 허용하는 밸브(V1)를 또한 병합한다. 상부 부재(14B)는 예를 들어 알루미늄과 같은 열 전도성 물질로 형성된다.
이러한 증발기의 히터(19)는 바람직하게 상부 부재(14B)에 형성된 용기에 끼워진 카트리지 히터 요소 세트를 포함한다. 중요하게, 착탈식 상부 부재에 위치한 이러한 히터는 고체를 적절히 증발시키는데 충분한 열을 제공하는 것으로 밝혀졌다. 그 위치에 의해, 고체 물질이 가열되는 온도보다 더 높은 온도로 상부 차단 부재의 밸브를 유지시키는 작용을 한다. 유리하게, 이를 위해, 밸브(V1)의 바디는 열 전도성 알루미늄으로 구성되고, 밸브를 통과하는 증기 통로를 실질적으로 더 높은 온도로 유지하기 위해 알루미늄 상부 부재를 통해 히터와의 전도성 열 전달 관계로 배치된다.
바람직한 구현에서, 증발기에 대한 하나의 제어된 가열 지역만이 있다. 조합에서 이들 특징으로, 증발기-캐니스터의 상부 섹션에 위치한 히터가 충전이 소모될 때 하부 섹션에서 원격 충전의 효율적인 증발을 생성할 수 있음이 밝혀졌다. 그 구 성은 충분히 낮은 열량을 가져, 설정된 온도와의 허용가능하게 빠른 평형 상태가 발생할 수 있게 되는 것으로 밝혀졌다. 이것은 적절한 동작과, 조작자가 전체 시스템의 동작을 개시 또는 조정하기 위해 파라미터를 조정할 때 온도 설정에서의 충분히 빠른 변화를 허용한다.
특히, 유닛은 예를 들어 버터플라이 밸브로 구현된 압력-기반의 쓰로틀 밸브 증기 흐름 제어부(24)로 유용한 것으로 밝혀졌고, 여기서 증발 온도는 공급 물질의 충전이 쓰로틀 밸브의 상류에서의 압력을 유지하도록 소모됨에 따라 점차 증가해야 한다, 도 3, 도 6 및 도 7 및 관련 설명을 참조하라.
더욱이, 더 중요하게, 이러한 열 전달 배열로 얻어질 수 있는 증발기 유닛의 하부로부터 상부로의 양의 온도 경사도는 증기 밸브(V1)(수직으로부터 수평 흐름으로의 전이에 위치함) 및 증기 전달 통로(입구 통로 및 수평 전달 통로의 위쪽)에서의 해로운 증착물의 축적 및 증기의 응축을 방지한다. 이러한 특징은 히터에 전략상 히터에 가까이 위치하고, 온도는 의존가능하게 원격 증발 공동의 하부에서 물질의 충전의 온도보다 더 높다.
더 구체적으로, 상승하는 통로는 수평 밸브 시트에서 종료한다. 수평 증기 통로는 밸브로부터 연장한다. 상부 부분(14B)은 공압식 벨로우 밸브(도 1d에서 V1, 도 6a에서 V1 또는 V2)와, 도 1d에서 "기계적 오버라이드 메커니즘"으로 언급된 "개방 허용가능한" 메커니즘의 부분을 수용한다.
적합한 유형의 카트리지 히터는 증발기의 상부 섹션(14B) 및 밸브 블록 흐름 인터페이스 디바이스(10)에서 이용된다.
적합한 RTD(저항성 열 검출기)는 증발기-캐니스터 유닛의 하부 및 시스템에서의 어느 곳에라도 위치된다. 하부 센서로부터 신호를 위한 전도성 리드는 상부 섹션(14B)과의 인터페이스에서 커넥터로 연장한다. 이러한 커넥터는 유닛의 전체 장착 디바이스를 하부 섹션의 것과 정렬 상태로 되게 함으로써 상부 섹션의 짝을 이루는 커넥터와 측면으로 정렬되고, 하부 섹션과 맞물리도록 정렬된 상부 섹션의 아래로의 이동은 커넥터와 맞물리게 한다.
일례에서, 원격 열 제어 유닛에 의해 제어된 RTD 온도 센서에 대한 조절된 온도 범위의 상부는 B10H14에 대해 40℃로, 그리고 B18H22에 대해 120℃로 설정될 수 있고, 예를 들어, 증발기-캐니스터 유닛의 상부에서 과열 한계 스위치는 B10H14 증발기-캐니스터에 대해 50℃로, 그리고 B18H22 증발기-캐니스터에 대해 140℃로 설정될 수 있다. 유사한 온도 설정은 다른 공급 물질로 이용되고, 특정한 값은 선택된 물질의 증발 특성에 의존한다.
전술한 바와 같이, 분리된 열 지역은 상당한 열 브레이크(thermal break)의 도입에 의해 달성된, 증발기 캐니스터와 증기-수용 디바이스 사이의 열 이주(heat migration)를 방지하도록 확립된다. 이것은 열이 증기-수용 디바이스로부터 증발기 유닛에 들어가지 못하게 하고, 증발기-캐니스터 유닛의 열 제어 시스템과 간섭하지 못하게 한다. 또한, 이러한 열 브레이크의 존재로 인해, 장착된 증발기-캐니스터 유닛은, 장착되는 증기-수용 디바이스가 고온이고 다른 부착된 증발기 유닛과의 온도에서 동작을 계속하더라도, 전력 공급 중단(de-energized)되고 외부 단열이 제거 된 후에 상대적으로 빠르게 냉각할 수 있다. 흐름 인터페이스 디바이스(밸브 블록)의 계속된 가열 상태에도 불구하고, 작업자는 제거 및 교체를 위해 전력 공급 중단된 증발기-캐니스터 유닛을 곧 다룰 수 있다. 대안적으로, 냉각된 유닛은, 그렇지 않은 경우 인터페이스 디바이스로부터의 열로 인해 발생할 공급 물질의 나머지 충전의 상당한 열 저하를 피하는 한편 적소에 남아있을 수 있다.
설명된 시스템은 데카보렌(B10H14) 및 옥타데카보렌(B18H22)과 같은 붕소 함유 혼합물을 포함하는 큰 분자의 공급 물질로부터 이온 빔의 안전한 생성에 적합한다.
설명된 바와 같이, 도 7의 시스템은 2개의 가스 전달 소스, 즉 반응식 세척 가스 소스로부터의 가스, 및 증기 전달 시스템으로부터의 증기를 갖는다. NF3/F 및 Bx를 이온 소스로 전달하는 차단 밸브(V7 및 V8)는 기계적으로 링크되어(예를 들어 스풀 밸브 유닛에 의해 실현됨), 이들 2개의 스트림은 교차-연결되지 않는다.
A. 응용
일반적으로, 약 20℃ 내지 150℃의 온도에서, 적어도 1sccm 범위에서의 흐름을 제공할 수 있는 임의의 물질은 증발기 유닛에서 그리고 전술한 원리에 따라 구성된 증기 전달 시스템과 함께 사용하기 위한 후보(candidate) 물질이다.
증발기 및 특히 전술한 증기 전달 시스템의 실시예는, 특히 비결정질도를 달성하는 붕소를 주입하기 위해, 이온 빔 주입을 수행하는데 적합한 흐름에서 데카보렌 및 옥타데카보렌 증기 및 카보렌의 증기의 흐름을 제공하기 위해 유효한 것으로 설명되었다.
원리는 더 일반적으로 반도체 제작에서의 다수의 응용에서 많은 설명의 큰 분자의 증기 흐름을 제공하도록 적용가능하다. 예는 증기 흐름을 포함하며, 이러한 증기 흐름은 예를 들어 비소 및 인의 n-형 도핑을 위한 큰 분자의 증기 흐름과; 탄소가 주입된 도핑 종 또는 게터(또는 트랩) 불순물 또는, 기판의 비결정화하는 결정 래티스의 확산을 금지하는 공동-주입 공정을 위한 탄소의 큰 분자의 흐름과; 결정 구조(예를 들어 PMOS 트랜지스터에 대한 결정 압축, 또는 NMOS 트랜지스터에 대한 결정 장력을 적용하기 위해)의 소위 "응력 엔지니어링"에 대한 탄소의 큰 분자의 흐름과; 반도제 제작시 어닐링 단계 동안 불필요한 확산 및 열 버짓의 감소를 포함하는 다른 목적을 위한 큰 분자의 흐름을 포함한다. 원리는 보란, 탄소 클러스터, 카보레인, 트리메틸스티바인, 즉 Sb(CH3)C3, 비소 및 인 물질, 및 다른 물질에 적용하기 위해 실험실에서 설명되었다.
원리는 이온 빔 주입 시스템에서의 구현, 및 예를 들어 PAD(플라즈마 도핑), PPLAD(펄싱된 플라즈마 도핑) 및 PI3(플라즈마 침전 이온 주입), 원자 층 증착(ALD) 또는 화학 증기 증착(CVD)를 포함하는 플라즈마 침전에 의해, 원자 층 증착 또는 다른 유형의 층 또는 증착물을 생성하기 위한 다른 종 및 붕소의 큰 분자 증착을 위한 시스템에 적용된다.
B. 일반적으로, 클러스터 이온 소스를 위한 공급 물질
원소(B, P, As, Sb, 및 In)와 같은 전기적 도펀트 종의 다수의 원자를 포함하고, C, Si, Ge 및 Sn의 IV족의 원소의 어느 한 측면 상에 주기율표에 놓이는 분 자 이온을 효과적으로 주입하고, 또한 예를 들어 비결정질화, 도펀트 확산 제어, 응력 엔지니어링, 또는 불순물 게터를 달성하기 위해 반도체 기판을 변형하는데 유용한 C, Si, 또는 Ge와 같은 원소의 다수의 원자를 포함하는 분자 이온을 효과적으로 주입하는 것에 유용하다. 그러한 분자 이온은 60nm 이하의 임계 치수를 갖는 집적 회로를 제조하는데 유용할 수 있다. 이후부터, 그러한 이온은 집합적으로 "클러스터" 이온이라 불릴 것이다.
단일 대전된 클러스터 이온의 화학 조성물은 일반적인 형태인 MmDnRxHy +를 갖고, 여기서 M은 기판의 물질 변형에 유용한 C, Si, 또는 Ge과 같은 원자이고; D는 전하 캐리어를 기판에 주입하기 위한 B, P, As, Sb, 또는 In(주기율표의 Ⅲ 또는 Ⅳ족으로부터)과 같은 도핑 원자이고; R은 라디칼, 라이간드(lagand), 또는 분자이고; H는 히드로겐 원자이다. 일반적으로, R 또는 H는 안정성 이온을 생성하거나 형성하는데 필요하고 특히 주입 공정에 필요하지 않은 완전한 화학적 구조의 부분으로서 간단히 존재한다. 일반적으로, H는 주입 고정에 크게 해롭지 않다. 이는 R에 대해서도 그러하다. 예를 들어, R이 Fe와 같은 금속 원자, 또는 Br과 같은 원자를 함유하는 것은 바람직하지 않다. 상기 화학식에서, m, n, x, 및 y는 모두 0 이상의 정수이고, m과 n의 합은 2 이상인데, 즉 m+n≥2이다. 이온 주입에서 특정한 관심이 있는 것은 높은 M 및/또는 D 원자 다양성을 갖는 클러스터 이온, 즉 m+n≥4를 갖는 클러스터 이온인데, 이는 낮은 에너지, 높은 선량 주입에 비해 개선된 효율을 갖기 때문이다.
물질 변형에 사용될 수 있는 클러스터 이온의 예는 C7Hy +, C14Hy +, C16Hy +, 및 C18Hy +와 같은 인접하는 벤젠 링으로부터 유도된 것이다. 도핑에 사용될 수 있는 클러스터 이온의 예는 다음과 같다:
- 보로하이드라이드 이온: B18Hy +, B10Hy +,
- 카보렌 이온: C2B10Hy + 및 C4B18Hy +,
- 인 하이드라이드 이온: P7Hy +, P5(SiH3)5 +, P7(SiCH3)3 +,
- 비소 하이드라이드 이온: As5(SiH3)5 +, As7(SiCH3)3 +.
당업자는, 위의 예에 기술된 것 이외의 다음과 같은 클러스터 이온을 사용하는 가능성을 인식할 것이다: 물질 변형을 위한 Si 및 Ge를 함유하는 이온, 도펀트 원자의 상이한 양 및 상이한 동위 원소를 갖는 이온, 및 상이한 이성체 구조를 갖는 이온. 이중 대전된 클러스터 이온은 또한 일반적으로 훨씬 더 적은 수율로 형성되며, 이 경우에 이러한 이중 대전된 클러스터 이온은 높은 선량, 낮은 에너지 주입에 유용하지 않다.
예를 들어, 클러스터 주입 방법 및 데카보렌에 대한 클러스터 이온 소스는 본 명세서에 참고용으로 병합된 Horsky 등의 미국 특허 6,452,338 및 미국 특허 6,686,595에 의해 설명된다. PMOS 디바이스를 제조할 때 B18Hx +의 이용은 본 명세서에 참고용으로 병합된, Horsky 등의 미국 특허 출원 번호 US 2004/0002202 A1으로서 공개된 계류중인 미국 특허 출원 10/251,491에 개시되어 있다.
C. 큰 카보렌 분자
이들 붕소-함유 물질 및 그 이온의 특성은 문헌, 예를 들어 N.I, Vasyukova에 설명되어 있다[모스코바, USSR 과학 아카데미, 헤테로 유기혼합물의 A.N. Neseyanov Institute. 1985년 6월, Seriya Khimicheskaya, Izvestiya Akademii Nauk SSSR, 제 6권, 1337-1340페이지로부터 번역됨. Plenum Pubishing Corporation, 1984년 3월 13일에 제출된 원문].
클러스터 분자 o-C2B10H12는 성공적으로 증발되고 이온화되었다, 도 18을 참조. 약 42℃에서 우수한 증기 흐름이 얻어질 수 있다. C4B18H22는 또한 유용한 물질이다.
D. 큰 분자의 탄소
일반적으로, 형태 CnHy의 화학식(여기서 n≥4 및 y≥0)을 갖는 임의의 탄화수소는 실리콘으로의 유효 탄소 선량 비율을 증가시키고, 모든 경우에 단량체 탄소 주입보다 더 이익이 있는, 가변적인 비결정질도를 제공한다. 플루오르아탄, C16H10은 전자 충돌 이온 소스에서의 사용에 잘 맞는, 100℃의 온도에서 증발한다. 그 증발 온도는 B18H22의 증발 온도와 유사하다. 0.5mA의 빔 전류는 매우 낮은 에너지에서(탄 소 원자당 약 1KeV), 탄소의 8mA의 등량이 웨이퍼 상에 주입되도록 한다. 이온 빔 전류(>1mA)는 쉽게 실현된다. 다른 탄소 클러스터 물질이 이용가능하다. 예를 들어, 다음의 탄화수소는 잠재적으로 사용될 수 있다:
2,6 디소프로필나프탈렌(C16H20)
N-옥타덴(C18H38)
P-테르페닐(C18H14)
바이벤질(C14H14)
1-페닐나프탈렌(C16H12)
E. N-형 도핑에 대한 큰 분자
As, P, 및 Sb는 N-형 도펀트, 즉 "도너(donor)"이다.
Sb에 대해, 트리메티스티바인은 예를 들어 Sb(CH3)C3와 같은 우수한 큰 분자 후보 공급 물질이다.
As 및 P에 대해, 이온은 AnHx+ 또는 AnRHx+의 형태이고, 여기서 n 및 x는 정수이고, n은 4보다 큰 정수이고, x는 0 이상의 정수이고, A는 As 또는 P 중 어느 하나이고, R은 주입 공정에 해롭지 않는, 인 또는 비소를 함유하지 않는 분자이다.
인-지지 혼합물의 화학적 특성
인산염, 또는 유기 인산염 및 인화물과 같은 혼합물은 클러스터 인 분자 및 N-형 도핑에 대한 후속 이온을 위한 잠재적인 소스인 것으로 보인다. 예는 (1) 인 산염, 예를 들어 헵타포스페인(P7H3), 및 시클로펜타포스페인(P5H5), (2) 유기 인산염, 예를 들어 테트라-테르트부틸헥사포스페인(tBu4P6), 펜타메틸헵타포스페인(Me5P7), (3) 인화물, 예를 들어 폴리포스파이드(Ba3P14, Sr3P14) 또는 모노포스파이드(Li3P7, Na3P7, K3P7, Rb3P7, Cs3P7).
순환 인산염은 헵타포스페인(P7H3)을 이용한 이온화 및 후속 주입에 적합한 도펀트 클러스터의 가장 효과적인 소스인 것으로 나타나며, 헵타포스페인은 이온 빔 주입을 위한 간단한 클러스터 소스를 제공하는 가장 큰 잠재력을 갖는 것으로 나타난다.
P
n
H
x
및 P
n
RH
x
혼합물에서 P를 As로 치환
인-함유 종 및 지지 합성 기술은, 외부 셀 전자 구성에서의 유사성 및 동일한 족의 원소가 나타내는 유사한 화학적 반응으로 인해, 유사한 비소 종을 형성하기 위해 인 원자를 비소로 직접 치환하는 것을 허용하도록 이론화되어 있다. 분자 예측 소프트웨어는 또한 인에 대한 비소의 치환에서 유사성을 나타낸다. As7H3에 대한 예측된 분자 구조는 P7H3과 거의 동일하며, 차이점은 인 및 비소의 개별적인 원자 반경에 한정된다. P7H3 및 As7H3에 대한 합성 경로는 유사하고 교환가능하다. 더욱이, Si 및 H가 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 디바이스에 해롭지 않기 때문에, 혼합물 As7(SiH3)3 및 As5(SiH3)5는 매우 매력있고, 안정한 혼합물인 것으로 예측된다.
더욱이, AnRHx의 형태의 물질은 나머지 분자 구조(R)와 독립적으로 인 또는 비소 함유 부분의 선택적인 제거를 허용하는 방식으로 구조화될 수 있다. 이러한 특성은, 복잡한 공급 물질이 덜 휘발성이어서, 순수한 성분보다 덜 방출되기 쉽다는 점에서 안전한 운송 레벨을 증가시키도록 이용될 수 있다. 잔여 물질은 운송 용기에 남아있을 수 있고, 정상적인 순환 동작에서 "재충전"될 수 있다. 더욱이, R 분자 부분은 목표 도펀트 함유 종 앞에 제거될 수 있고, 운송 동안 증가된 안전의 여지를 제공하도록 폐기되거나 재활용될 수 있다. 다수의 유기 금속 혼합물을 개발하는 합성 경로는 종래 기술에 잘 설명되고 알려져 있다.
해당 다른 As 및 P-지지 구성요소
(P/As)a6에서 6-부분으로 된(membered) 링 이외에, 5-부분으로 된 링은 R=Me, Et, Pr, Ph, CF3, SiH3, GeH3으로 얻어지고, 4-멤버링된 링은 R=CF3, Ph"로 발생한다(1984, Butterworth 및 Heinemann Ltd, Chemistry of the Elements, N.N. Greenwood, A. Earnshaw, 637-697 페이지). 따라서, 카르보닐기는 종래 기술에 잘 알려진 바와 같이, 실리콘 수소화물로 직접 교체될 수 있다. 더욱이, 실리콘 아인산염은 또한 Si12P5로 식별되었다. 이 물질은 Halos 및 S/D 익스텐션(extension)의 극초-??은 접합 구성, 및 또한 폴리 게이트 도핑에 매우 유용한 것으로 밝혀졌다. Si12P5의 질량은 약 491 amu이다. 따라서, 매우 얇은 주입은 이러한 혼합물로 수행될 수 있다. 더욱이, Si가 N-형 드레인 익스텐션 주입을 수행하기 전에 사전-비결 정질화에 일상적으로 사용되기 때문에, Si12P5 주입은 자가-비결정질화(self-amorphizing)된다. 이러한 주입에 의해 생성된 유독한 단부-범위(end-of-range) 결점은 없을 수 있는데, 이는 실리콘이 P 원자와 거의 동일한 범위를 가져, 손상을 매우 얕게 유지하기 때문이다. 그러한 결함은 매우 효과적으로 어닐링하여 제거할 수 있는데, 이는 이러한 결함이 없어졌을 때 표면으로 확산하는 경향이 있기 때문이다.
본 발명의 양상의 다수의 구현이 설명되었다. 그럼에도 불구하고, 다양한 변형이 본 발명의 사상 및 범주에서 벗어나지 않고도 이루어질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 다른 구현은 다음 청구 범위 내에 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 고진공 챔버 내에서 증기의 생성 및 증기-수용 디바이스로의 전달에 관한 것으로, 또한 반도체 디바이스 및 반도체 물질의 제조에서 이온 주입을 위한 이온 빔을 제공하는 고전압 이온 소스로의 이온화가능한 증기를 전달하는 것과, 특히 해당 종의 다수의 원자를 함유하는 분자 이온을 형성하는 물질을 증발시키고 이온화시키는 시스템 및 방법 등에 이용된다.
Claims (78)
- 적어도 하나의 증기 통로를 한정하는 열 전도성 밸브 블록의 형태인 흐름 인터페이스 디바이스로서, 상기 통로는 적어도 제 1 및 제 2 증기 전달 인터페이스와 연관되고, 하나의 인터페이스는 고체 공급 물질의 증발기로부터 증기를 수용하도록 위치한 증기 입구를 포함하고, 상기 통로의 입구 부분과 왕래하고, 다른 인터페이스는 통로의 출구 부분으로부터 증기-수용 디바이스로 증기의 전달을 위한 증기 출구를 포함하고, 밸브 블록은 적어도 하나의 증기 밸브를 갖고, 통로를 가열하여 증기를 증발기로부터 증기-수용 디바이스로 전달하도록 구성되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항에 있어서, 상기 증기 밸브는 이온 소스로의 증기의 흐름을 조절하기 위한 흐름 제어 밸브인, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 증기 밸브는 상기 증기 입구를 통해 들어가고 증기의 이온 소스로의 증기 흐름과, 상기 이온 소스로의 다른 흐름을 가능하게 하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 3항에 있어서, 가능하게 된 다른 흐름은 밸브 블록에 의해 한정된 다른 증기 입구로부터의 증기 흐름인, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 가능하게 된 다른 흐름은 반응식 세척 가스의 흐름인 이온 소스로의 흐름인, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 밸브 블록에서의 적어도 2개의 밸브 시스템과, 상기 증기 입구를 통해 들어가는 증기의 이온 소스로의 증기 흐름을 가능하게 하고, 밸브 블록에 의해 한정된 다른 증기 입구로부터의 증기의 이온 소스로의 흐름을 가능하게 하는 제 1 밸브 시스템과, 밸브 블록에 의해 한정된 증기 입구로부터 증기의 흐름을 가능하게 하거나, 대안적으로 모든 증기 흐름을 차단하고, 반응식 세척 가스의 이온 소스로의 흐름을 허용하는 제 2 선택기 밸브 시스템을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 밸브 블록에 의해 한정된 적어도 2개의 증기 입구는 각 증발기로부터 증기를 수용하도록 위치하고, 2개의 증기 입구는 각 입구 통로 부분과 연관되고, 입구 통로 부분을 통하는 흐름은 제 1 밸브 시스템에 의해 가능하게 되고, 입구 통로 부분은 후속하는 제 1 밸브 시스템을 공통 통로 부분에 병합하고, 제 2 밸브 시스템은 공통 통로 부분을 통해 증기 수용 디바이스로의 흐름, 또는, 대안적으로 증기 수용 디바이스로의 반응식 세척 가스의 흐름을 선택적으로 가능하게 하도록 배열되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 7항에 있어서, 흐름 제어 밸브를 포함하는 추가 밸브는 증기 수용 디바이스로의 증기의 흐름을 조절하기 위해 공통 통로 부분과 연관되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 3항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 밸브 시스템은 한 번에 상기 흐름의 하나만을 허용하도록 선택기로서 작용하는 스풀 밸브를 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밸브 블록은 밸브 블록의 온도를 증기를 수용하는 증발기의 온도보다 더 높게 유지하도록 제어된 히터와 연관되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밸브 블록은 증발기를 수용하고 지지하도록 구성된 장착 영역을 한정하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 11항에 있어서, 증발기의 온도보다 더 높은 밸브 블록 온도의 유지를 가능하게 하도록 각각의 분리된 열 제어 영역을 한정하기 위해 증발기로부터 밸브 블록을 격리하는 단열을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 증발기를 가열 제어 시스템에 전기적 연결 하기 위해 증발기의 매칭 커넥터와 짝을 이루도록(mate) 밸브 블록에 대해 증발기의 장착 이동을 통해 구성된 커넥터를 구비하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 11항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 밸브 블록은 증발기의 지지 돌출부를 수용하여, 증발기 가열 및 증기 전달 동안 증발기를 지지하기 위한 지지 표면을 갖는 용기를 한정하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 14항에 있어서, 지지 돌출부는 측면 증기 흐름 통로를 한정하는 측면 돌출부이고, 상기 돌출부는 주변 측면 표면 및 단부 표면을 갖고, 주변 및 단부 단열 부분은 증발기의 돌출부로부터 밸브 블록의 단열을 가능하게 하도록 제공되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 14항 또는 제 15항에 있어서, 밸브 블록의 용기는 돌출부의 선형 슬라이딩 이동에 의해 증발기의 지지 돌출부를 수용하도록 구성되고, 흐름 인터페이스 디바이스는, 증발기를 제어 및 가열 시스템에 전기적으로 연결하기 위해 증발기의 매칭 전기 커넥터와 슬라이딩가능하게 짝을 이루도록, 밸브 블록에 관해 증발기의 장착 이동을 통해 구성되는 전기 커넥터를 장착하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 16항에 있어서, 전기 커넥터는 증발기의 밸브를 선택적으로 작동시키기 위해 제어가능한 압축된 공기를 증발기에 공급하기 위한 공압식 커넥터를 포함하 는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 증기 밸브는 흐름 제어 밸브이고, 인터페이스 디바이스는, 증발기로부터 감지된 온도 신호를 수신하고, 이온 소스로의 증기를 조절하기 위해 흐름 제어 밸브를 가능하게 하는 범위에서 증기-수용 디바이스에 의해 요구된 압력보다 더 큰 압력의 고체 공급 물질의 증기를 생성하도록 증발기가 충분히 가열하기 위해 전기 가열 전류를 증발기에 인가하기 위한 전원 및 가열 시스템과 연관되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 증발기와 결합되고, 상기 증발기는 이온화가능한 증기를 생성할 수 있는 고체 공급 물질을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 제조시 사용하기 위한 이온을 생성하도록 구성된 이온 소스의 형태로 증기-수용 디바이스와 결합되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 있어서, 증기-수용 디바이스가 이온 주입을 위해 이온 빔을 생성하도록 증기를 이온화할 수 있는 고전압 이온 소스를 포함하는 이온 빔 주입기와 결합되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 19항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서, 고체 공급 물질은 클러스터 이온의 생성을 위해 증기를 생성할 수 있는 클러스터 혼합물을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 22항에 있어서, 클러스터 혼합물은 클러스터 붕소 혼합물을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 23항에 있어서, 상기 혼합물은 보란 또는 카보렌을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 24항에 있어서, 상기 혼합물은 B10H14, B18H22, C2B10H12, 또는 C4B18H22을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 22항에 있어서, 상기 클러스터 혼합물은 클러스터 탄소 혼합물을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 26항에 있어서, 상기 클러스터 혼합물은 C14H14, C16H10, C16H12, C16H20, C18H14, 또는 C18H38을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 22항에 있어서, 상기 클러스터 혼합물은 N-형 도핑을 위한 혼합물을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 28항에 있어서, 상기 혼합물은 비소, 인 또는 안티몬 클러스터 혼합물을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 29항에 있어서, 상기 혼합물은 AnHx +, 또는 AnRHx + 형태의 이온을 형성할 수 있는 비소 또는 인 혼합물을 포함하고, n 및 x는 정수이고, n은 4보다 큰 정수이고, x는 0이상인 정수이고, A는 As 또는 P 중 어느 하나이고, R은 인 또는 비소를 포함하지 않고 주입 공정에 해롭지 않은 분자인, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 29항에 있어서, 상기 혼합물은 인산염, 유기 인산염 및 인화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 인 혼합물을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 29항에 있어서, 상기 혼합물은 P7H7인, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 29항에 있어서, 상기 혼합물은 트리메틸스티바인을 포함하는 안티몬 혼합물을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 33항에 있어서, 상기 혼합물은 Sb(CH3)C3을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 22항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 있어서, 증기-수용 디바이스가 이온 주입을 위해 고체 공급 물질로부터 생성된 증기를 이온화할 수 있는 고전압 이온 소스를 포함하는 이온 빔 주입기와 결합되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 따른 흐름 인터페이스 디바이스와 고전압 이온 소스의 형태인 증기-수용-디바이스의 결합으로서, 상기 흐름 인터페이스 디바이스는 전기 절연체 상의 지지를 위해 장착되는, 흐름 인터페이스 디바이스와 고전압 이온 소스의 형태인 증기-수용-디바이스의 결합.
- 제 36항에 있어서, 상기 절연체는 증기가 전달되는 이온 소스를 또한 지지하는 절연체 부싱인, 흐름 인터페이스 디바이스와 고전압 이온 소스의 형태인 증기-수용-디바이스의 결합.
- 증기-수용-디바이스가 이온 주입을 위해 이온 빔을 생성하기 위해 증기를 이온화시킬 수 있는 고전압 이온 소스를 포함하는 이온 빔 주입기와 결합하는 제 36 항 또는 제 37항에 따른 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 38항 중 어느 한 항에 있어서, 밸브 블록으로부터 증발기를 분리시키기 전에 밸브 블록의 증기 입구 통로로부터 증기를 제거하기 위한 가스 정화 시스템을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 39항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밸브 블록은 프로세스 가스를 위한 전달 통로를 한정하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 40항에 있어서, 상기 프로세스 가스는 반응식 세척 가스가 다른 때에 향하게 되는 통로를 통해 선택적으로 향하게 되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밸브 블록은 증기-수용 디바이스로의 적어도 2개의 흐름 경로를 한정하는 전달 연장부를 포함하고, 상기 흐름 경로들 중 적어도 하나는 고체 공급 물질로부터 증기를 운반하도록 구성되고, 다른 흐름 경로는 프로세스 가스 또는 반응식 세척 가스를 전달하도록 구성되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 2항 내지 제 43항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흐름 제어 밸브는 쓰로틀-플라이(throttle-fly) 유형의 밸브인, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 4항 내지 제 43항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밸브 시스템은 한 번에 증기 흐름의 하나만을 허용하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 44항에 있어서, 밸브 시스템은 스풀 밸브를 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 4항 내지 제 43항 중 어느 한 항에 있어서, 동일한 공급 물질을 포함하는 증발기와 함께 사용하기 위해, 적어도 2개의 증발기로부터의 흐름을 동시에 허용하는 밸브 시스템을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 46항에 있어서, 상기 밸브 시스템은, 밸브 시스템이 한 번에 증기 흐름의 하나만을 허용하는 제 2 동작 모드를 위해 구성되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 이온 빔 주입기를 위한 이온 소스로서 사용하기 위해 구성된 이온 소스를 위한 흐름 인터페이스 디바이스로서, 상기 인터페이스 디바이스는 적어도 하나의 증기 통로를 한정하는 열 전도성 밸브 블록의 형태이고, 상기 통로는 적어도 제 1 및 제 2 증기 전달 인터페이스와 연관되고, 하나의 인터페이스는 증발기로부터 증기를 수용하도록 위치되고 통로의 입구 부분과 왕래하는 증기 입구를 포함하고, 다른 인터페이스는 통로의 출구 부분으로부터 이온 소스로의 증기의 전달을 위한 증기 출 구를 포함하고, 상기 밸브 블록은 통로를 가열하고 증발기로부터 이온 소스로 증기를 전달하도록 구성되고, 흐름 제어 밸브는 이온 소스로의 증기의 흐름을 조절하기 위해 상기 통로와 연관되고, 밸브 시스템은 입구를 통해 들어가는 증기의 이온 소스로의 증기 흐름을 가능하게 하고 다른 것은 이온 소스로의 흐름을 가능하게 하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 48항에 있어서, 흐름 제어 밸브에 의해 제어가능한 압력 범위에서 이온 소스에 의해 요구된 압력보다 더 큰 압력의 고체 공급 물질의 증기를 생성하도록 증발기가 충분히 가열하도록 하기 위한 전원 및 제어 시스템과 연관되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 48항 또는 제 49항에 있어서, 상기 흐름 제어 밸브는 버터플라이(butter-fly)형 밸브인, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 48항 내지 제 51항 중 어느 한 항에 있어서, 가능하게 된 다른 흐름은 밸브 블록에 의해 한정된 다른 증기 입구로부터의 증기의 흐름인, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 48항 내지 제 51항 중 어느 한 항에 있어서, 가능하게 된 다른 흐름은 반응식 세척 가스의 이온 소스로의 흐름인, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 48항 내지 제 53항 중 어느 한 항에 있어서, 흐름을 가능하게 하는 밸브 블록에서의 적어도 2개의 밸브 시스템과, 상기 증기 입구를 통해 들어가는 증기의 이온 소스로의 증기 흐름을 가능하게 하고, 밸브 블록에 의해 한정된 다른 증기 입구로부터의 증기의 이온 소스로의 다른 흐름을 가능하게 하는 제 1 밸브 시스템과, 밸브 블록에 의해 한정된 증기 입구로부터 증기의 흐름을 가능하게 하거나, 대안적으로 모든 증기 흐름을 차단하고, 반응식 세척 가스의 이온 소스로의 흐름을 가능하게 하는 제 2 선택기 밸브 시스템을 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 53항에 있어서, 각 증발기로부터 증기를 수용하도록 위치한 적어도 2개의 증기 입구와 연관된 증기 입구 통로는 제 1 밸브 시스템에 의해 제어되며, 이에 후속하여 입구 통로 부분은 공통 통로에 병합되고, 제 2 밸브 시스템은 공통 통로 부분을 통해 이온 소스로의 흐름, 또는 대안적으로 이온 소스로의 반응식 세척 가스의 흐름을 선택적으로 제어하고, 상기 흐름 제어 밸브는 이온 소스로의 증기의 흐름을 조절하기 위해 공통 통로와 연관되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 54항에 있어서, 밸브는 스풀 밸브를 포함하는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 48항 내지 제 55항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밸브 블록은 밸브 블록 의 온도를 증기를 수용하는 증발기의 온도보다 더 높게 유지하도록 제어된 히터와 연관되는, 흐름 인터페이스 디바이스.
- 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항에 따른 디바이스 또는 결합을 이용하여 증기를 생성하는 방법.
- 클러스터 분자를 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용시 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 시스템을 이용하는 방법.
- 제 5항에 있어서, 고체 물질로부터 생성된 증기를 이온화할 수 있는 이온 소스를 이용하는, 방법.
- C14H14, C16H10, C16H12, C16H20, C18H14, 또는 C18H38을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용시 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 시스템을 이용하는 방법.
- N-형 도핑을 위한 혼합물을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용시 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 시스 템을 이용하는 방법.
- 비소, 인 또는 안티몬 클러스터 혼합물을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용시 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 시스템을 이용하는 방법.
- AnHx +, 또는 AnHx + (n 및 x는 정수이고, n은 4보다 큰 정수이고, x는 0이상인 정수이고, A는 As 또는 P 중 어느 하나이고, R은 인 또는 비소를 포함하지 않고 주입 공정에 해롭지 않은 분자인)형태의 이온을 형성할 수 있는 비소 또는 인 혼합물을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용시, 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 시스템을 이용하는 방법.
- 인산염, 유기 인산염 및 인화물을 구성하는 그룹으로부터 선택된 인 혼합물을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용시 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 시스템을 이용하는 방법.
- P7H7을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용시 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 시스템을 이용하는 방법.
- 트리메틸스티바인을 포함하는 안티몬 혼합물을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용시 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 시스템을 이용하는 방법.
- Sb(CH3)C3을 포함하는 고체 물질로부터 증기의 생성, 전달 및 이용시 제 1항 내지 제 56항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 시스템을 이용하는 방법.
- 클러스터 이온을 생성하기 위해 제 1항 내지 제 86항 중 어느 한 항의 흐름 인터페이스 디바이스 또는 증기 전달 시스템을 이용하는 단계와, 처리시 이온을 이용하는 단계를 포함하는 반도체 디바이스 또는 반도체 물질을 처리하는 방법.
- 제 68항에 있어서, 상기 처리 방법은 이온 주입을 포함하는, 반도체 디바이스 또는 반도체 물질을 처리하는 방법.
- 제 69항에 있어서, 상기 처리 방법은 이온 빔 주입을 포함하는, 반도체 디바이스 또는 반도체 물질을 처리하는 방법.
- 증발기의 서브그룹들을 포함하는 증기 전달 시스템의 장착 스테이션에서 증 발기의 한 그룹으로부터 흐름 경로를 따라 증기를 생성하는 시스템으로서, 상기 서브그룹들 중 하나는 동일한 고체 공급 물질을 포함하는 적어도 2개의 증발기를 포함하고,다른 그룹은 상이한 고체 공급 물질을 포함하는 적어도 하나의 증발기를 포함하고, 상기 그룹의 적어도 하나의 증발기는 클러스터 분자를 포함하는 물질을 포함하고, 상기 시스템은, 동일한 고체 공급 물질을 포함하는 증발기의 서브그룹이 경로를 따라 증기를 동시에 제공하도록 하고 다른 서브그룹으로부터 증기의 경로를 따라 동시적인 흐름을 방지하는 제어 시스템을 포함하는, 증기를 생성하는 시스템.
- 제 71항에 있어서, 상기 시스템은 전자-기계 제어 시스템인, 증기를 생성하는 시스템.
- 제 71항에 있어서, 흐름 경로를 따라 일렬로 2개의 가변 컨덕턴스 흐름 디바이스를 포함하는 증기 흐름 제어부를 포함하되, 하류 디바이스는 쓰로틀 밸브를 포함하고, 상류 디바이스는 쓰로틀 밸브에 도달하는 증기의 압력의 조정을 가능하게 하는, 증기를 생성하는 시스템.
- 클러스터 분자의 동일한 고체 공급 물질을 포함하는 적어도 2개의 증발기를 포함하는 증기 전달 시스템의 장착 스테이션에서 증발기의 한 그룹으로부터 흐름 경로를 따라 증기를 생성하는 시스템으로서, 제어 시스템은 2개의 증발기가 동시에 동작하도록 구성되는, 증기를 생성하는 시스템.
- 제 74항에 있어서, 흐름 경로를 따라 일렬로 2개의 가변 컨덕턴스 흐름 디바이스를 포함하는 증기 흐름 제어부를 포함하고, 하류 디바이스는 쓰로틀 밸브를 포함하고, 상류 디바이스는 쓰로틀 밸브에 도달하는 증기의 압력의 조정을 가능하게 하는, 증기를 생성하는 시스템.
- 제 71항 내지 제 75항 중 어느 한 항의 시스템으로부터 수용된 증기를 이온화하는 단계를 포함하는 주입을 위한 이온을 생성하는 방법.
- 제 76항에 있어서, 생성된 이온은 이온 주입을 위해 빔으로 형성되는, 주입을 위한 이온을 생성하는 방법.
- 클러스터 분자를 포함하는 물질을 포함하는 증발기로부터의 흐름 경로를 따라 증기를 생성하는 시스템으로서, 흐름 경로를 따라 일렬로 2개의 가변 컨덕턴스 흐름 디바이스를 포함하는 증기 흐름 제어부를 포함하고, 하류 디바이스는 쓰로틀 밸브를 포함하고, 상류 디바이스는 쓰로틀 밸브에 도달하는 증기의 압력의 조정을 가능하게 하는, 증기를 생성하는 시스템.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US80455506P | 2006-06-12 | 2006-06-12 | |
| US60/804,555 | 2006-06-12 | ||
| US86063106P | 2006-11-22 | 2006-11-22 | |
| US60/860,631 | 2006-11-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090024702A true KR20090024702A (ko) | 2009-03-09 |
Family
ID=38832757
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087030415A KR20090024703A (ko) | 2006-06-12 | 2007-06-11 | 진공에서 증기를 디바이스에 전달하는 시스템 |
| KR1020087030369A KR20090024702A (ko) | 2006-06-12 | 2007-06-12 | 이온 소스를 갖는 유용한 증기 전달 시스템과, 이러한 시스템에 사용하기 위한 증발기 |
| KR1020087030555A KR20090029211A (ko) | 2006-06-12 | 2007-06-12 | 증발기 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087030415A KR20090024703A (ko) | 2006-06-12 | 2007-06-11 | 진공에서 증기를 디바이스에 전달하는 시스템 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087030555A KR20090029211A (ko) | 2006-06-12 | 2007-06-12 | 증발기 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8110815B2 (ko) |
| EP (3) | EP2026889A4 (ko) |
| JP (3) | JP2009540533A (ko) |
| KR (3) | KR20090024703A (ko) |
| CN (1) | CN101979706B (ko) |
| TW (3) | TW200823972A (ko) |
| WO (4) | WO2007146888A2 (ko) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7666771B2 (en) | 2005-12-09 | 2010-02-23 | Semequip, Inc. | System and method for the manufacture of semiconductor devices by the implantation of carbon clusters |
| US7795101B2 (en) * | 2006-04-03 | 2010-09-14 | United Microelectronics Corp. | Method of forming a MOS transistor |
| WO2007146888A2 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Semequip, Inc. | Vapor delivery to devices under vacuum |
| KR20090028814A (ko) * | 2006-07-06 | 2009-03-19 | 말린크로트, 인코포레이티드 | 전자식 핀치 밸브를 구비한 방사성 동위 원소 발생기로부터의 용출을 제어하기 위한 시스템 및 방법 |
| US8013312B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-09-06 | Semequip, Inc. | Vapor delivery system useful with ion sources and vaporizer for use in such system |
| US7919402B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-04-05 | Semequip, Inc. | Cluster ion implantation for defect engineering |
| KR20090127366A (ko) * | 2007-03-30 | 2009-12-10 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 반도체 디바이스용 극저 접합 형성 방법 |
| TWI474382B (zh) * | 2007-04-11 | 2015-02-21 | 山米奎普公司 | 用於缺陷工程的簇離子植入 |
| US7981483B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-07-19 | Tel Epion Inc. | Method to improve electrical leakage performance and to minimize electromigration in semiconductor devices |
| US8192805B2 (en) * | 2007-09-27 | 2012-06-05 | Tel Epion Inc. | Method to improve electrical leakage performance and to minimize electromigration in semiconductor devices |
| US20090200494A1 (en) * | 2008-02-11 | 2009-08-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for cold implantation of carbon-containing species |
| US8809800B2 (en) * | 2008-08-04 | 2014-08-19 | Varian Semicoductor Equipment Associates, Inc. | Ion source and a method for in-situ cleaning thereof |
| US7807961B2 (en) * | 2008-10-08 | 2010-10-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for ion implantation of molecular ions |
| US20110021011A1 (en) | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon materials for carbon implantation |
| US9627180B2 (en) | 2009-10-01 | 2017-04-18 | Praxair Technology, Inc. | Method for ion source component cleaning |
| US20110108058A1 (en) * | 2009-11-11 | 2011-05-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and apparatus for cleaning residue from an ion source component |
| KR101473547B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2014-12-16 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP5368393B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、基板処理装置及び塗布現像装置 |
| WO2012129459A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Linde Aktiengesellschaft | Self cleaning solutions for carbon implantation |
| KR101929070B1 (ko) * | 2011-03-24 | 2018-12-13 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 비소 및 인의 클러스터 이온 주입 방법 |
| CN108565198A (zh) | 2012-02-14 | 2018-09-21 | 恩特格里斯公司 | 用于改善注入束和源寿命性能的碳掺杂剂气体和协流 |
| JP6267698B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2018-01-24 | オムニプローブ、インコーポレイテッド | エネルギビーム機器のためのガス注入システム |
| US9539406B2 (en) * | 2013-09-10 | 2017-01-10 | General Electric Company | Interface device and method for supplying gas flow for subject breathing and apparatus for supplying anesthetic agent to the interface device |
| DE102014109539A1 (de) * | 2014-07-08 | 2016-01-14 | Basf Se | System und Verfahren zum Betreiben eines Flüssiggasverdampfers |
| CN105702546B (zh) * | 2014-11-24 | 2018-06-26 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 采用固态掺杂剂的离子源装置 |
| EP3322311B1 (en) * | 2015-07-14 | 2020-10-07 | Dynavap, LLC | Exothermal vaporizer |
| US9679745B2 (en) * | 2015-10-14 | 2017-06-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Controlling an ion beam in a wide beam current operation range |
| US10221201B2 (en) * | 2015-12-31 | 2019-03-05 | Praxair Technology, Inc. | Tin-containing dopant compositions, systems and methods for use in ION implantation systems |
| FI126863B (en) * | 2016-06-23 | 2017-06-30 | Beneq Oy | Apparatus for treating particulate matter |
| JP6801682B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2020-12-16 | 株式会社Sumco | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| US11062873B2 (en) * | 2018-05-11 | 2021-07-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Hydrogen bleed gas for an ion source housing |
| JP7138192B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-09-15 | リンデ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | シリンダ弁並びにシリンダ及びシリンダ弁内の汚染物質の形成を抑制する方法 |
| DE112021004491T5 (de) * | 2020-08-26 | 2023-07-06 | Sumco Corporation | Epitaktischer siliziumwafer und verfahren zu dessen herstellung sowie verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2733348A (en) | 1956-01-31 | Ion source units | ||
| US2044921A (en) * | 1935-07-17 | 1936-06-23 | Frederick O Swanland | Two-way hose check valve |
| BE565593A (ko) * | 1957-03-11 | |||
| US3509216A (en) | 1966-09-30 | 1970-04-28 | Olin Mathieson | Process for preparing meta- and para-carborane |
| US3527141A (en) | 1968-08-01 | 1970-09-08 | Jerry A Peoples | Valving system for reciprocating engine |
| JPS6269364U (ko) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | ||
| US5188705A (en) * | 1991-04-15 | 1993-02-23 | Fei Company | Method of semiconductor device manufacture |
| JP3274895B2 (ja) | 1992-12-02 | 2002-04-15 | ミリポア・コーポレイション | スロットルバルブ |
| US5399200A (en) * | 1994-03-10 | 1995-03-21 | Stauffer; Craig M. | Module in an integrated delivery system for chemical vapors from liquid sources |
| JPH07262961A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Nec Yamagata Ltd | イオン注入装置 |
| US6107634A (en) * | 1998-04-30 | 2000-08-22 | Eaton Corporation | Decaborane vaporizer |
| FR2783178B1 (fr) * | 1998-09-16 | 2000-12-22 | Omicron Technologies | Dispositif de vaporisation de liquide a regulation de debit de vapeur |
| US20030101938A1 (en) * | 1998-10-27 | 2003-06-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for the deposition of high dielectric constant films |
| JP2000323051A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-24 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源装置 |
| US6288403B1 (en) * | 1999-10-11 | 2001-09-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Decaborane ionizer |
| WO2001029282A2 (en) | 1999-10-20 | 2001-04-26 | Cvd Systems, Inc. | Fluid processing system |
| US7838842B2 (en) * | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | Dual mode ion source for ion implantation |
| US7838850B2 (en) * | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | External cathode ion source |
| WO2001043157A1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-14 | Semequip, Inc. | Ion implantation ion source, system and method |
| US6452338B1 (en) | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
| US7064491B2 (en) * | 2000-11-30 | 2006-06-20 | Semequip, Inc. | Ion implantation system and control method |
| US20020144655A1 (en) | 2001-04-05 | 2002-10-10 | Chiang Tony P. | Gas valve system for a reactor |
| KR100864048B1 (ko) * | 2002-06-26 | 2008-10-17 | 세미이큅, 인코포레이티드 | 이온 소스 |
| US20040002202A1 (en) | 2002-06-26 | 2004-01-01 | Horsky Thomas Neil | Method of manufacturing CMOS devices by the implantation of N- and P-type cluster ions |
| US6686595B2 (en) * | 2002-06-26 | 2004-02-03 | Semequip Inc. | Electron impact ion source |
| US20080223409A1 (en) * | 2003-12-12 | 2008-09-18 | Horsky Thomas N | Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation |
| US20080073559A1 (en) * | 2003-12-12 | 2008-03-27 | Horsky Thomas N | Controlling the flow of vapors sublimated from solids |
| CN1894763B (zh) * | 2003-12-12 | 2010-12-08 | 山米奎普公司 | 用于在离子植入中延长设备正常运行时间的方法及装置 |
| US7791047B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-09-07 | Semequip, Inc. | Method and apparatus for extracting ions from an ion source for use in ion implantation |
| GB0423986D0 (en) * | 2004-10-29 | 2004-12-01 | Unilever Plc | Method of preparing a laundry product |
| EP1698715A1 (de) | 2005-03-03 | 2006-09-06 | Applied Films GmbH & Co. KG | Anlage zum Beschichten eines Substrats und Einschubelement |
| US20070278417A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-12-06 | Horsky Thomas N | Ion implantation ion source, system and method |
| CA2531579A1 (en) | 2005-12-23 | 2007-06-23 | Bce Inc. | Methods and computer-readable media for testing a network connection at a computing device |
| WO2007146888A2 (en) | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Semequip, Inc. | Vapor delivery to devices under vacuum |
| US8013312B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-09-06 | Semequip, Inc. | Vapor delivery system useful with ion sources and vaporizer for use in such system |
| US8192805B2 (en) * | 2007-09-27 | 2012-06-05 | Tel Epion Inc. | Method to improve electrical leakage performance and to minimize electromigration in semiconductor devices |
-
2007
- 2007-06-11 WO PCT/US2007/070900 patent/WO2007146888A2/en active Application Filing
- 2007-06-11 US US12/299,702 patent/US8110815B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-11 JP JP2009515591A patent/JP2009540533A/ja not_active Ceased
- 2007-06-11 KR KR1020087030415A patent/KR20090024703A/ko active IP Right Grant
- 2007-06-11 EP EP07812100A patent/EP2026889A4/en not_active Withdrawn
- 2007-06-12 WO PCT/US2007/071016 patent/WO2007149738A2/en active Application Filing
- 2007-06-12 EP EP07845176A patent/EP2027592A4/en not_active Withdrawn
- 2007-06-12 CN CN2010101905972A patent/CN101979706B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-12 US US12/300,918 patent/US20090206281A1/en not_active Abandoned
- 2007-06-12 TW TW096121253A patent/TW200823972A/zh unknown
- 2007-06-12 EP EP07812115A patent/EP2027395A4/en not_active Withdrawn
- 2007-06-12 WO PCT/US2007/071010 patent/WO2007146942A2/en active Application Filing
- 2007-06-12 JP JP2009515606A patent/JP5421100B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-12 KR KR1020087030369A patent/KR20090024702A/ko active IP Right Grant
- 2007-06-12 WO PCT/US2007/070941 patent/WO2007146904A2/en active Application Filing
- 2007-06-12 KR KR1020087030555A patent/KR20090029211A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-06-12 JP JP2009515608A patent/JP2009540536A/ja not_active Ceased
- 2007-06-12 TW TW096121254A patent/TWI352610B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-06-12 TW TW096121252A patent/TWI415171B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009540533A (ja) | 2009-11-19 |
| CN101979706A (zh) | 2011-02-23 |
| WO2007146888A2 (en) | 2007-12-21 |
| KR20090024703A (ko) | 2009-03-09 |
| EP2026889A2 (en) | 2009-02-25 |
| WO2007146904A2 (en) | 2007-12-21 |
| EP2027592A4 (en) | 2011-09-07 |
| WO2007146942A3 (en) | 2008-10-16 |
| EP2026889A4 (en) | 2011-09-07 |
| TWI352610B (en) | 2011-11-21 |
| WO2007149738A2 (en) | 2007-12-27 |
| TW200823972A (en) | 2008-06-01 |
| TW200815077A (en) | 2008-04-01 |
| WO2007146888A3 (en) | 2008-07-31 |
| JP2009540536A (ja) | 2009-11-19 |
| EP2027395A2 (en) | 2009-02-25 |
| US20090206281A1 (en) | 2009-08-20 |
| WO2007146904A3 (en) | 2008-06-12 |
| US20090179157A1 (en) | 2009-07-16 |
| EP2027395A4 (en) | 2011-09-07 |
| JP2009540535A (ja) | 2009-11-19 |
| CN101979706B (zh) | 2013-11-06 |
| EP2027592A2 (en) | 2009-02-25 |
| KR20090029211A (ko) | 2009-03-20 |
| WO2007146942A2 (en) | 2007-12-21 |
| US8110815B2 (en) | 2012-02-07 |
| TWI415171B (zh) | 2013-11-11 |
| WO2007149738A3 (en) | 2008-06-19 |
| JP5421100B2 (ja) | 2014-02-19 |
| TW200832518A (en) | 2008-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20090024702A (ko) | 이온 소스를 갖는 유용한 증기 전달 시스템과, 이러한 시스템에 사용하기 위한 증발기 | |
| US8013312B2 (en) | Vapor delivery system useful with ion sources and vaporizer for use in such system | |
| US7112804B2 (en) | Ion implantation ion source, system and method | |
| US20030085663A1 (en) | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer | |
| TWI685885B (zh) | 利用增強源技術的磷或砷離子佈植 | |
| US20070278417A1 (en) | Ion implantation ion source, system and method | |
| CN102844842B (zh) | 硅硼烷注入方法 | |
| KR20120106947A (ko) | 이온 주입 시스템 및 방법 | |
| US8003954B2 (en) | Gas delivery system for an ion source | |
| JP5462805B2 (ja) | イオン源ガス反応器 | |
| CN101466962B (zh) | 可与离子源一起使用的蒸气传送系统及用于此系统的气化器 | |
| JP2004538605A (ja) | 蒸気流が改善されたデカボラン蒸発装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |