KR20090012251A - 열 물질 전사 기판 필름, 도너 요소, 및 이의 제조 및 사용방법 - Google Patents

열 물질 전사 기판 필름, 도너 요소, 및 이의 제조 및 사용방법 Download PDF

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토마스 알. 주니어 호펜드
스티븐 에이. 존슨
존 피. 배트졸드
리차드 제이. 톰슨
테렌스 디. 니빈
마이클 에이. 하세
세르게이 에이. 라만스키
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쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
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Abstract

기판 필름, 열 물질 전사 도너 요소, 및 이의 제작 및 사용 방법이 제공된다. 몇몇 실시예에서, 그러한 기판 필름 및 도너 요소는 적어도 2개의 다이애드를 포함하고, 각각의 다이애드는 흡수성 제1 층 및 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함한다. 또한, 본질적으로 비흡수성인 기판, 흡수성 제1 층, 및 비흡수성인 제2 층을 포함하는 도너 요소를 제조하는 방법이 제공되는데, 여기서 본질적으로 비흡수성인 기판의 조성은 본질적으로 비흡수성인 제2 층의 조성과 본질적으로 동일하다.
필름, 전사, 도너, 기판, 다이애드, 스택, 광열 변환

Description

열 물질 전사 기판 필름, 도너 요소, 및 이의 제조 및 사용 방법{THERMAL MASS TRANSFER SUBSTRATE FILMS, DONOR ELEMENTS, AND METHODS OF MAKING AND USING SAME}
열 전사 요소로부터 리셉터(receptor)로의 층의 열 전사는, 예를 들어 컬러 필터, 편광기, 인쇄 회로 보드, 액정 디스플레이 장치, 및 전기발광 디스플레이 장치를 포함한 다양한 제품의 제조를 위해 제안되었다. 이들 제품들 중 많은 제품에 대해, 해상도 및 에지 선예도(edge sharpness)가 제품 제조 시의 중요한 인자이다. 다른 인자는 주어진 열에너지의 양에 대한 열 전사 요소의 전사된 부분의 크기이다. 일례로서, 선 또는 기타 형상이 전사될 때, 형상의 직경 또는 선폭은 열 전사 요소를 패턴화하기 위해 사용되는 저항성 요소 또는 광선의 크기에 의존한다. 선폭 또는 직경은 에너지를 전달하는 열 전사 요소의 능력에 또한 의존한다. 저항성 요소 또는 광선의 에지 부근에서, 열 전사 요소에 제공되는 에너지는 감소될 수 있다. 더 양호한 열 전도, 더 적은 열 손실, 더 민감한 전사 코팅, 및/또는 더 양호한 광열 변환을 구비한 열 전사 요소가 전형적으로 더 큰 선폭 또는 직경을 생성한다. 따라서, 선폭 또는 직경은 열 전사 기능을 수행하는 데 있어서 열 전사 요소의 효율의 반영일 수 있다.
열 전사 특성이 개선될 수 있는 하나의 방식은 전사 층 재료의 제 형(formulation)의 개선에 의한 것이다. 예를 들어, 전사 층 내에서의 가소제의 포함은 전사 특성을 개선할 수 있다. 레이저 열 전사(laser induced thermal transfer) 동안에 전사 충실도(transfer fidelity)를 개선하기 위한 다른 방식은 도너 매체 상에 입사하는 레이저 출력 및/또는 플루언스(fluence)를 증가시키는 것을 포함한다. 그러나, 레이저 출력 또는 플루언스를 증가시키는 것은 아마도 도너 매체 내의 하나 이상의 층들의 과열에 의해 부분적으로 야기되는 이미지 형성 결함(imaging defect)으로 이어질 수 있다.
일 태양에서, 본 발명은 열 전사 도너 요소용 기판 필름을 제공한다. 소정 실시예에서, 기판 필름은 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 스택을 포함하는데, 여기서 각각의 다이애드는 흡수성 제1 층 및 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 본질적으로 동일한 광 흡수율(optical absorption rate)을 갖는다.
다른 태양에서, 본 발명은 열 전사 도너 요소를 제공한다. 소정 실시예에서, 열 전사 도너 요소는 본질적으로 비흡수성인 기판; 및 기판의 적어도 일부분 상의 광열 변환(light-to-heat conversion, LTHC) 층을 포함한다. 광열 변환 층은 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 제1 스택을 적어도 포함하는데, 여기서 층들의 제1 스택의 적어도 2개의 다이애드 각각은 흡수성 제1 층 및 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 본질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는다. 몇몇 실시예에서, 열 전사 도너 요소는 기판과 광열 변환 층 사이에 배치된 하층(underlayer)을 추가로 포함한다. 몇몇 실시예에서, 열 전사 도너 요소는 광열 변환 층의 적어도 일부분 상에 중간층을 추가로 포함한다. 몇몇 실시예에서, 열 전사 도너 요소는 광열 변환 층 또는 중간층의 적어도 일부분 상에 열 전사 층을 추가로 포함한다.
다른 태양에서, 본 발명은 열 전사 도너 요소용 기판 필름의 제조 방법을 제공한다. 본 방법은 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 스택을 형성하는 단계를 포함하는데, 각각의 다이애드는 흡수성 제1 층 및 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 본질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는다.
다른 태양에서, 본 발명은 열 전사 도너 요소의 제조 방법, 및 그러한 도너 요소를 사용한 선택적 열 물질 전사 방법을 제공한다. 소정 실시예에서, 상기 방법은 본질적으로 비흡수성인 기판을 제공하는 단계와, 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 스택을 기판의 적어도 일부분 상에 형성하는 단계를 포함하는데, 여기서 적어도 2개의 다이애드의 각각은 흡수성 제1 층 및 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 본질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는다.
소정의 다른 실시예에서, 본 발명은 본질적으로 비흡수성인 기판을 제공하는 단계와, 기판의 적어도 일부분 상에 흡수성 제1 층을 형성하는 단계와, 흡수성 제1 층의 적어도 일부분 상에 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 형성하는 단계를 포함하고, 여기서 본질적으로 비흡수성인 기판의 조성이 본질적으로 비흡수성인 제2 층의 조성과 본질적으로 동일한, 열 전사 도너 요소의 제조 방법을 제공한다. 상기 방법은 선택적으로 열 전사 층을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
정의
용어 "포함하는" 및 그 변형은 이들 용어가 발명의 상세한 설명 및 청구의 범위에서 나타날 경우 제한적 의미를 갖지 않는다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, "하나" 또는 단수형, "적어도 하나", 및 "하나 이상"은 서로 바꾸어서 사용될 수 있다.
또한 본 명세서에서, 종점에 의한 수치 범위의 설명은 상기 범위 내에 포함되는 모든 수를 포함한다 (예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4, 5 등을 포함함).
도 1은 동일한 두께(2.7 마이크로미터)를 갖는 표준 균일 LTHC 층 (실선) 및 단일 게르마늄 층(점선)에 있어서 LTHC 층의 깊이에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율(fraction)을 비교하는 그래프.
도 2는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층의 다중 다이애드를 포함하는 다층 단계형(graded) LTHC 층의 일 실시예의 도면.
도 3은 표준 균일 LTHC 층(실선) 대 게르마늄-MgF의 8개 다이애드를 갖는 도 2에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층(점선)에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율을 비교하는 그래프.
도 4는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층의 다중 다이애드를 포함하는 다층 단계형 LTHC 층의 다른 실시예의 도면.
도 5는 표준 균일 LTHC 층(실선) 대 게르마늄-MgF의 8개 다이애드를 갖는 도 4에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층(점선)에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율의 비교를 도시하는 도면.
도 6은 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층의 다중 다이애드를 포함하는 다층 단계형 LTHC 층의 다른 실시예의 도면.
도 7은 목표 선형 프로파일 LTHC 층(실선) 대 게르마늄-MgF의 8개 다이애드를 갖는 도 6에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층(점선)에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율을 비교하는 그래프.
도 8은 다이애드들의 2개의 밴드(band)를 포함하는 다층 단계형 LTHC 층의 일 실시예의 도면. 각각의 다이애드는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함한다.
도 9는 목표 선형 프로파일 LTHC 층(실선) 대 게르마늄-MgF의 8개 다이애드를 각각 포함하는 2개의 밴드를 갖는 도 8에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층(점선)에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율을 비교하는 그래프.
본 발명은 다양한 변형 및 대안적인 형태를 따를 수 있지만, 그의 구체예가 도면에 예로서 도시되어 있고 상세히 설명될 것이다. 그러나, 본 발명을 설명되는 특정 실시예로 한정시키고자 하는 것은 아님을 이해하여야 한다. 그와는 반대로, 본 발명의 사상 및 범주 내에 속하는 모든 변형, 등가물 및 대안을 포함하고자 한다.
레이저 열 전사(laser-induced thermal imaging, LITI)에 사용하기 위한 열 전사 도너 요소의 설계에 있어서의 하나의 목표는 도너 요소를 가능한 한 민감하게 되도록 조정함과 동시에 이미지 품질이 가능한 한 높게 되는 것을 보장하는 것이다. 바람직하게는, 도너 요소는 그대로 유지되며, 의도하지 않은 열 유도성의 인위적 결과(artifact)를 겪지 않는다. 소정 실시예에서, 전사되는 재료의 에지 및 상부 표면은 바람직하게는 가능한 한 매끄럽다. 이미지 형성 공정 동안의 비효율적인 에너지 관리의 경우에, 전사되는 재료는 전사되는 재료의 요구되는 매끄럽고 연속적인 선(예를 들어, 액정 디스플레이(LCD) 컬러 필터를 위한 색상 선) 대신에, 어두워진 영역을 포함한 결함을 겪을 수 있다. LTHC 층에 대한 전형적인 실시예에는, 전형적으로 용액 코팅(즉, 예를 들어 액체 코팅 용액, 분산액, 또는 현탁액을 사용하는 습식 코팅 공정)된 광을 흡수하는 재료(예컨대, 카본 블랙)가 균일하게 로딩된 결합제(예컨대, 중합체 또는 유기 중합체-실리카 나노복합물과 같은 복합물)의 단일 층을 LTHC 층이 포함하는 실시예; 및/또는 전형적으로 증착(예컨대, 진공 증발 또는 스퍼터링)된 단계형 금속/금속-산화물 복합물(박막)을 LTHC 층이 포함하는 실시예가 포함된다.
열 유도성 인위적 결과가 발생할 가능성은 LTHC 층 내에서 달성되는 온도 프로파일에 의존하는 것으로 보인다. 온도 프로파일은 (전사 층을 포함한) 도너 요소 및 리셉터 기판을 전형적으로 포함하는 이미지 형성 구성에서의 열의 발생 및 확산에 의해 결정된다. 온도 프로파일은 또한 LTHC 층에서의 단위 체적당 흡수되 는 출력에 의존한다. LTHC 층 내로의 깊이의 함수로서 균일하게 로딩된 LTHC 층에서의 광의 흡수(손실)는 (섬유를 따른 거리의 함수로서) 균일하게 기복이 있는 코어-클래딩 계면(core-cladding interface)을 갖는 광섬유로부터의 광의 추출과의 유사성의 측면에서 고려될 수 있다. 카본 블랙 로딩된 LTHC 층에 대해서, LTHC 층의 일 지점에서의 에너지 흡수율은 카본 블랙의 로딩에 비례한다고 여겨진다.
본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 비-단계형 LTHC 층과 본질적으로 동일한 양의 에너지를 흡수하지만, 단위 체적당 흡수되는 균일한 출력을 갖는 단계형 LTHC 층을 설계할 수 있다. 단계형 LTHC 층에 대한 단위 체적당 최대 출력(및 이에 따라 최대 온도)은 비-단계형 LTHC 층에 대한 것보다 현저하게 더 작을 수 있어서, 열 유도성 인위적 결과의 발생 가능성을 낮춘다. 그러나, 코팅 내에 흡수성 재료를 갖는 용액 코팅된 LTHC 층의 임의의 단계화는 제조 설정 시에 달성하기 어려울 수 있다. 예를 들어, 단계형의 용액 코팅된 LTHC 층을 제조하기 위한 하나의 방법은 흡수성 재료(예컨대, 카본 블랙)의 상이한 로딩을 갖는 2개 이상의 층들을 서로 상부에 연속적으로 코팅하여 다층 LTHC 층을 형성하는 것이다. 예를 들어, 미국 특허 제6,228,555호, 제6,468,715호, 및 제6,689,538호 (모두 호펜드 주니어(Hoffend Jr.) 등에게 허여됨) 참조한다. 그러나, 그러한 방법은 흡수성 재료의 상이한 로딩을 각각 갖는 다수의 상이한 코팅 용액들을 제조하고, 저장하고, 코팅할 필요성을 겪을 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 개시되는 실시예들 중 적어도 일부가 전술한 문제를 다룬다.
본 명세서에서 개시되는 소정 실시예는 적층된 다이애드들 및/또는 적층된 다이애드들의 적층된 밴드들을 포함하는 다층 LTHC 층을 제공한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "다이애드" 및 "이중층(bilayer)"은 서로 바꾸어서 사용되며, 하나의 상부에 다른 하나가 적층된 2개의 층을 말하는데, 다이애드의 총 두께는 다이애드를 형성하는 2개의 층의 조합된 두께이다. 개시되는 소정 실시예에서, 하나 이상의 다이애드가 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함한다.
흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 각각 포함하는 다이애드들을 적층시키는 것은 단일 흡수성 층 조성을 사용하여 다양한 다층 단계형 LTHC 층을 형성할 수 있게 한다. 예를 들어, 흡수성 층이 레이저 광을 흡수하는 재료로 균일하게 로딩된 결합제를 포함할 때, 흡수성 층의 조성은 예를 들어 결합제의 조성, 흡수성 재료의 조성, 및 결합제 내의 흡수성 재료의 로딩 수준을 말한다. 따라서, 단일 흡수성 층 조성의 사용은 본 명세서에서 전술된 단계형 다층 LTHC 층을 제조하는 데 있어서 직면하는 문제들 중 일부를 다룰 수 있다.
본 명세서에서 개시되는 바와 같이, 다양한 다층 단계형 LTHC 층이 예를 들어 다이애드들의 스택 내의 각각의 다이애드의 흡수성 층의 두께를 변경함으로써 및/또는 본질적으로 비흡수성인 층의 두께를 변경함으로써 단일 흡수성 층 조성을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층의 두께는, 다이애드들의 스택 내의 각각의 다이애드의 두께를 본질적으로 동일하게 유지하면서, 각각의 다이애드 내에서 각각 변경될 수 있다. 다른 예에 있어서, 각각의 다이애드 내의 흡수성 층의 두께가 변경될 수 있는 반면에, 각각의 다이애드 내의 각각의 본질적으로 비흡수성인 층의 두께는 본질적으로 동일하게 유지될 수 있어서, 각각의 다이애드가 상이한 두께를 갖게 된다. 다른 예에 있어서, 각각의 다이애드 내의 흡수성 층의 두께가 본질적으로 동일하게 유지될 수 있는 반면에, 각각의 다이애드 내의 각각의 본질적으로 비흡수성인 층의 두께는 변할 수 있어서, 각각의 다이애드가 상이한 두께를 갖게 된다. 또 다른 예에 있어서, 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층의 두께 둘 모두는 각각의 다이애드 내에서 변경될 수 있어서, 각각의 다이애드가 상이한 두께를 갖게 된다. 그러한 다층 단계형 LTHC 층들은 바람직하게는 예를 들어 다이애드마다의 흡수되는 일정한 출력 및 일정한 총 에너지 밀도; 다이애드마다의 일정한 흡수 재료 분율 및 일정한 다이애드 두께; 다이애드마다의 흡수되는 일정한 출력 및 흡수 재료 분율; 및/또는 본 명세서에서 추가로 설명되는 바와 같이 이러한 특징들 중 하나 이상을 갖는 다이애드들의 다중 밴드들을 포함한 하나 이상의 특징을 제공할 수 있다.
흡수성 층은 일반적으로 광, 특히 레이저 열 전사에 유용한 파장의 레이저 광을 흡수하는 재료를 포함하는 층을 말한다. 몇몇 실시예에서, 흡수성 층은 흡수성 재료 및 본질적으로 비흡수성인 재료 둘 모두를 포함하지만, 다른 실시예에서, 흡수성 층은 흡수성 재료만을 포함한다. 예를 들어, 흡수성 재료(예컨대, 카본 블랙과 같은 염료 및/또는 안료, 및/또는 기타 광 흡수 입자)가 결합제(예컨대, 중합체 또는 복합물) 내에 용해되거나, 분산되거나, 현탁될 수 있다. 다른 예에 있어서, 흡수성 층은 결합제가 없이 흡수성 재료(예컨대, 금속 및/또는 금속 산화물, 예를 들어 게르마늄, 란탄 헥사보라이드, 인듐-주석 산화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 (아)산화물, 산화은, 및 이들의 조합)를 포함할 수 있다. 흡수성 재료는 전형적으로 적어도 0.25 마이크로미터-1, 더 바람직하게는 적어도 1 마이크로미터1, 가장 바람직하게는 적어도 10 마이크로미터-1의 흡수율을 갖는다. 흑체 흡수제(예를 들어, 카본 블랙)를 갖는 결합제를 포함하는 전형적인 흡수성 재료는 최대 2 마이크로미터-1의 흡수율을 갖는다. 내부에 염료, 안료, 및/또는 광 흡수성 재료를 갖는 결합제를 포함하는 다른 흡수성 재료는 최대 3 마이크로미터-1, 4 마이크로미터-1, 또는 심지어 그 이상까지의 흡수율을 가질 수 있다. 전형적인 금속, 금속 산화물, 및/또는 반도체 재료는 상당히 더 높은 흡수율을 가질 수 있다. 예를 들어, 예시적인 이미지 형성 방사선 파장에서, 게르마늄은 10 마이크로미터-1의 흡수율을 갖는다.
예시적인 흡수성 재료는 예를 들어, 미국 특허 제6,582,876호(월크(Wolk) 등) 및 제6,586,153호(월크 등); 문헌[Matsuoka, Infrared Absorbing Materials, Plenum Press, New York (1990)]; 문헌[Matsuoka, Absorption Spectra of Dyes for Diode Lasers, Bunshin Publishing Co., Tokyo (1990)]; 문헌[Brackmann, Lambdachrome Laser Dyes, Lambda Physik GmbH, Goettingen (1997)]; 문헌[Herbst et al., Industrial Organic Pigments: Production, Properties, Applications, VCH Publishers, Inc., New York (1993)]; 문헌[Hunger, Industrial Dyes: Chemistry, Properties, Applications, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim (2003)]; 및 예를 들어 에폴린(Epolin)(미국 뉴욕주 뉴어크) 및/또는 에 이치.더블유. 샌즈 코포레이션(H.W. Sands Corp.)(미국 플로리다주 주피터)로부터 입수가능한 것에 설명되어 있다.
LTHC 층 내의 방사선 흡수제로서 사용하기에 적합한 염료는 결합제 재료 내에 용해되거나 결합제 재료 내에 적어도 부분적으로 분산된 미립자 형태로 존재할 수 있다. 분산된 미립자 방사선 흡수제가 사용될 때, 입자 크기는 적어도 몇몇 경우에, 10 마이크로미터 이하일 수 있고, 1 마이크로미터 이하일 수도 있다. 적합한 염료는 스펙트럼의 IR 영역에서 흡수하는 그러한 염료를 포함한다. 그러한 염료의 예는 문헌[Matsuoka, Infrared Absorbing Materials, Plenum Press, New York (1990)]; 문헌[Matsuoka, Absorption Spectra of Dyes for Diode Lasers, Bunshin Publishing Co., Tokyo (1990)]; 미국 특허 제4,772,582호(데보어(DeBoer)); 제4,833,124호(럼(Lum)); 제4,912,083호(챕만(Chapman) 등); 제4,942,141호(데보어 등); 제4,948,776호(에반스(Evans) 등); 제4,948,778호(데보어); 제4,950,639호(데보어 등); 제4,950,640호(에반스 등); 제4,952,552호(챕만 등); 제5,023,229호(에반스 등); 제5,024,990호(챕만 등); 제5,156,938호(챕만 등); 제5,286,604호(시몬스 3세(Simmons, III)); 제5,340,699호(헤일리(Haley) 등); 제5,351,617호(윌리엄스(Williams) 등); 제5,360,694호(씨엔(Thien) 등); 및 제5,401,607호(타키프(Takiff) 등); 유럽 특허 제321,923호(데보어) 및 제568,993호(야마오카(Yamaoka) 등); 및 문헌[Beilo, K. A. et al., J. Chem. Soc., Chem. Com., 1993, 452-454 (1993)]에서 볼 수 있다. 글렌데일 프로텍티브 테크롤러지스, 인크.(Glendale Protective Technologies, Inc.)로부터 상표명 사이아소브(CYASORB) IR-99, IR-126 및 IR-165IR로 입수가능한 IR 흡수제가 사용될 수도 있다. 특정 염료는 특정 결합제 및/또는 코팅 용매 내에서의 용해도 및 그와의 상용성과, 흡수 파장 범위와 같은 인자에 기초하여 선택될 수 있다.
흡수성 층과 대조적으로, 본질적으로 비흡수성인 층은 일반적으로 흡수성 재료가 첨가되지 않은 본질적으로 비흡수성인 재료의 층을 말한다. 본질적으로 비흡수성인 재료는 예를 들어 흡수성 층 내의 결합제(예컨대, 중합체 또는 복합물)로서 사용될 수 있는 재료를 포함한다. 본질적으로 비흡수성인 재료는 전형적으로 최대 0.01 마이크로미터-1, 더 바람직하게는 최대 0.001 마이크로미터-1, 가장 바람직하게는 최대 0.0001 마이크로미터-1의 흡수율을 갖는다.
층들 사이의 어느 정도의 혼합이 다이애드 및 다이애드들의 스택의 형성 및 처리 동안에 발생할 수 있다는 것이 인식되고 예상된다. 이와 같이, 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함하는 다이애드는 흡수성 층과 본질적으로 비흡수성인 층 사이의 계면에서 명확한 경계를 갖는 다이애드 뿐만 아니라, 흡수성 층과 본질적으로 비흡수성인 층 사이의 계면에서 혼합이 발생한 다이애드도 포함하기 위한 것이다. 유사하게, 다이애드들의 스택은 각각의 다이애드 사이의 계면에서 명확한 경계를 갖는 다이애드들의 스택 뿐만 아니라, 하나 이상의 다이애드들 사이의 경계에서 혼합이 발생한 다이애드들의 스택도 포함하기 위한 것이다.
일 태양에서, 본 발명은 열 전사 도너 요소용 기판 필름을 제공한다. 소정 실시예에서, 기판 필름은 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 스택을 포함하 는데, 여기서 각각의 다이애드는 흡수성 제1 층 및 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 실질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "광 흡수율"은 단위 두께당 흡수되는 광 출력의 분율을 말한다. 본질적으로 동일한 광 흡수율은 바람직하게는 10％ 이하만큼, 더 바람직하게는 1％ 이하만큼, 가장 바람직하게는 0.1％ 이하만큼 상이한데, 이때 (상이하다면) 그 차이는 최대 광 흡수율을 갖는 다이애드의 광 흡수율의 백분율로서 표현된다. 몇몇 실시예에서, 적어도 2개의 다이애드들은 교번하는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 갖는 스택을 형성한다.
선택적으로, 기판 필름은 본 명세서에서 설명된 적층된 다이애드(즉, 광학 스택 또는 광학 층)에 더하여, 예를 들어 하나 이상의 스킨(skin) 층과 같은 하나 이상의 비-광학(non-optical) 층 또는 예를 들어 광학 층들의 패킷들 사이의 보호 경계 층과 같은 하나 이상의 내부 비-광학 층을 추가로 포함한다. 비-광학 층은 상기 기판 필름 구조를 제공하기 위해 또는 처리 동안 또는 처리 후에 기판 필름 구조를 상해 또는 손상으로부터 보호하기 위하여 사용될 수 있다. 몇몇 응용에 있어서, 희생 보호 스킨을 포함하는 것이 바람직할 수도 있는데, 여기서 스킨 층(들)과 광학 스택과 선택적인 중간층(들) 사이의 계면 부착은 스킨 층(들)이 사용 전에 광학 스택 및 선택적인 중간층(들)로부터 박리될 수 있도록 제어된다. 특히, 압출 또는 공압출 공정에서 제조된 스킨 층(들)은 LITI 도너(광학 스택 또는 선택적인 중간층(들))의 중요한 상부 표면의 미립자 오염을 감소시키거나 제거할 수 있으며, 도너 필름이 생산되는 환경의 청결 요건을 낮출 수 있다.
예를 들어 기판 필름의 내인열성(tear resistance), 천공 저항성(puncture resistance), 인성(toughness), 내후성(weatherability), 및 내용매성(solvent resistance)과 같은 특성을 부여하거나 개선하는 재료가 비-광학 층을 위해 선택될 수 있다. 전형적으로, 비-광학 층들 중 하나 이상은 광학 층에 의해 투과, 편광 또는 반사되는 광의 적어도 일부가 이들 층을 통해서도 진행하도록 위치된다 (즉, 이들 층은 광학 층을 통해 진행하거나 광학 층에 의해 반사되는 광의 경로 내에 위치된다). 비-광학 층은 전형적으로 관심대상의 파장 영역에 걸쳐 기판 필름의 반사 특성에 실질적으로 영향을 주지 않는다. 결정성 및 수축 특징과 같은 비-광학 층의 특성은, 심하게 만곡된 기판에 라미네이팅될 때 균열이 생성되거나 주름 잡히지 않는 본 발명의 필름을 제공하기 위해, 광학 층의 특성과 함께 고려될 필요가 있다.
비-광학층은 임의의 적절한 재료의 것일 수도 있으며, 광학 스택에서 사용되는 재료들 중 하나와 동일할 수 있다. 물론, 선택된 재료는 광학 스택의 광학적 특성에 유해한 광학적 특성을 갖지 않는 것이 중요하다. 비-광학 층은 광학 층 내에 사용되는 중합체들 중 임의의 중합체를 포함한, 폴리에스테르와 같은 다양한 중합체로부터 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 비-광학 층을 위해 선택된 재료는 광학 층에 대해 선택된 재료와 유사하거나 동일하다. 스킨 층을 위한 coPEN, coPET, 또는 다른 공중합체 재료의 사용은 기판 필름의 분할성(splittiness)(즉, 배향 방향으로의 중합체 분자 대부분의 변형 유도성 결정성(strain-induced crystallinity) 및 정렬로 인한 필름의 파단)을 감소시킬 수 있다. 비-광학 층의 coPEN은 전형적으로 광학 층을 배향시키기 위해 선택적으로 사용되는 조건 하에서 신장될 때 매우 적게 배향되고, 따라서 변형 유도성 결정성이 거의 없다.
스킨 층 및 다른 선택적인 비-광학 층은 광학 층보다 더 두껍거나, 더 얇거나, 동일한 두께일 수 있다. 스킨 층 및 선택적인 비-광학 층의 두께는 개별 광학 층들 중 적어도 하나의 두께의 대체로 적어도 4배, 전형적으로는 적어도 10배일 수 있으며, 적어도 100배일 수 있다. 비-광학 층의 두께는 특정 두께를 갖는 기판 필름을 제조하기 위해 변경될 수 있다.
추가의 코팅이 비-광학 층으로 또한 고려될 수 있다. 다른 층들은 예를 들어 정전기 방지 코팅 또는 필름; 난연제; UV 안정제; 내마모성 또는 하드코트(hardcoat) 재료; 광학 코팅; 김서림 방지 재료, 및 이들의 조합을 포함한다. 추가의 기능성 층 또는 코팅이 예를 들어 미국 특허 제6,352,761호(헤브링크(Hebrink) 등), 제6,368,699호(길버트(Gilbert) 등), 제6,569,515호(헤브링크 등), 제6,673,425호(헤브링크 등), 제6,783,349호(니빈(Neavin) 등), 및 제6,946,188호(헤브링크 등)에 설명되어 있다. 이러한 기능성 구성요소들은 하나 이상의 스킨 층 내로 포함될 수 있거나, 별도의 필름 또는 코팅으로서 도포될 수 있다.
다른 태양에서, 본 발명은 열 전사 도너 요소를 제공한다. 소정 실시예에서, 열 전사 도너 요소는 본질적으로 비흡수성인 기판; 및 기판의 적어도 일부분 상의 광열 변환 층을 포함한다. 광열 변환 층은 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 제1 스택을 적어도 포함하는데, 여기서 층들의 제1 스택의 적어도 2개의 다이애드 각각은 흡수성 제1 층 및 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 본질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는다. 몇몇 실시예에서, 층들의 제1 스택의 적어도 2개의 다이애드는 교번하는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 갖는 층들의 스택을 형성한다.
열 전사 도너 요소의 몇몇 실시예에서, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께는 본질적으로 동일하다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "본질적으로 동일한" 두께를 갖는 다이애드들은 바람직하게는 10％ 이하만큼, 더 바람직하게는 1％ 이하만큼, 가장 바람직하게는 0.1％ 이하만큼 상이한데, 이때 (상이하다면) 그 차이는 최대 두께를 갖는 다이애드의 두께의 백분율로서 표현된다.
열 전사 도너 요소의 일 실시예에서, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께는 본질적으로 동일하고, 각각의 다이애드에 대한 제1 층의 두께 및 제2 층의 두께는 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 흡수되는 총 출력이 본질적으로 동일하도록 선택된다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "흡수되는 총 출력"은 다이애드들의 전체 스택에 의해 흡수되는 입사한 가용 광 출력의 분율을 말한다. 따라서, 다이애드에 대해 흡수되는 총 출력은 그러한 다이애드에 의해 흡수되는 입사한 가용 광 출력의 분율이다. "본질적으로 동일한" 흡수되는 총 출력을 갖는 다이애드들에 대해 흡수되는 총 출력은 바람직하게는 10％ 이하만큼, 더 바람직하게는 1％ 이하만큼, 가장 바람직하게는 0.1％ 이하만큼 상이한데, 이때 (상이하다면) 그 차이는 흡수되는 최대 총 출력을 갖는 다이애드에 대해 흡수되는 총 출력의 백분율로서 표현된다.
열 전사 도너 요소의 다른 실시예에서, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께는 본질적으로 동일하고, 흡수성 재료의 분율은 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일하다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 다이애드의 "흡수성 재료의 분율"은 다이애드의 총 두께에 대한 다이애드 내의 흡수성 층의 두께의 비를 말한다. "본질적으로 동일한" 흡수성 재료 분율을 갖는 다이애드에 대한 흡수성 재료의 분율은 바람직하게는 10％ 이하만큼, 더 바람직하게는 1％ 이하만큼, 가장 바람직하게는 0.1％ 이하만큼 상이한데, 이때 (상이하다면) 그 차이는 흡수성 재료의 최대 분율을 갖는 다이애드의 흡수성 재료의 분율의 백분율로서 표현된다.
열 전사 도너 요소의 다른 실시예에서, 흡수성 재료의 분율은 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일하고, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드의 두께는 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일한 흡수되는 총 출력을 제공하도록 선택된다.
열 전사 도너 요소의 다른 실시예에서, 광열 변환 층은 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 제2 스택을 추가로 포함하는데, 여기서 흡수성 재료의 분율은 층들의 제2 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일하고, 흡수성 재료의 분율은 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일하다. 몇몇 그러한 실시예에서, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대한 총 두께는 본질적으로 동일하고, 층들의 제2 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께는 본질적으로 동일하며, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께는 층들의 제2 스 택 내의 각각의 다이애드의 총 두께와 상이하다.
선택적으로, 열 전사 도너 요소는 예를 들어 미국 특허 제6,284,425호(스타랄(Staral) 등)에 설명된 바와 같이 기판과 광열 변환 층 사이에 배치된 하층을 추가로 포함한다. 선택적인 하층은 예를 들어 이미지 형성 동안에 도너 기판에 대한 손상을 최소화하기 위해 도너 기판과 LTHC 층 사이에 코팅되거나 달리 배치될 수 있다. 하층은 도너 기판 요소에 대한 LTHC 층의 부착에 또한 영향을 줄 수 있다. 전형적으로, 하층은 높은 열 저항(즉, 기판보다 더 낮은 열 전도성)을 갖고, LTHC 층 내에서 발생되는 열로부터 기판을 보호하기 위한 단열체로서 작용한다. 대안적으로, 기판보다 더 높은 열 전도성을 갖는 하층이 LTHC 층으로부터 기판으로의 열 전달을 향상시키기 위해, 예를 들어 LTHC 층 과열에 의해 야기될 수 있는 이미지 결함의 발생을 감소시키기 위해 사용될 수 있다.
적합한 하층은 예를 들어 중합체 필름, 금속 층(예컨대, 증착된 금속 층), 무기 층(예컨대, 무기 산화물(예컨대, 실리카, 티타니아, 알루미늄 산화물 및 다른 금속 산화물)의 졸-겔 침착된 층 및 증착된 층), 유기/무기 복합 층, 및 이들의 조합을 포함한다. 하층 재료로서 적합한 유기 재료는 열경화성 및 열가소성 재료 둘 모두를 포함한다. 적합한 열경화성 재료는 가교결합된 폴리아크릴레이트 및/또는 가교결합성 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리에스테르, 에폭시, 폴리우레탄, 및 이들의 조합을 포함하지만 이들로 한정되지 않는, 열, 방사선 및/또는 화학적 처리에 의해 가교결합될 수 있는 수지를 포함한다. 열경화성 재료는 예를 들어 열가소성 전구체로서의 도너 기판 또는 LTHC 층 상으로 코팅되고, 이어서 가교 결합되어 가교결합된 하층을 형성할 수 있다.
적합한 열가소성 재료는 예를 들어 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 폴리설폰, 폴리에스테르, 폴리이미드, 및 이들의 조합을 포함한다. 이러한 열가소성 유기 재료들은 종래의 코팅 기술(예컨대, 용매 코팅 또는 분사 코팅)에 의해 도포될 수 있다. 하층은 이미지 형성 방사선의 하나 이상의 파장에 대해 투과성이거나, 흡수성이거나, 이들의 일부 조합일 수 있다.
하층 재료로서 적합한 무기 재료는 이미지 형성 광 파장에서 투과성, 흡수성, 또는 반사성인 그러한 재료를 포함하는, 예를 들어 금속, 금속 산화물, 금속 황화물, 무기 탄소 코팅, 및 이들의 조합을 포함한다. 이들 재료는 종래의 기술(예컨대, 진공 스퍼터링, 진공 증발, 및/또는 플라즈마 제트 침착)에 의해 코팅되거나 달리 도포될 수 있다.
하층은 여러 이점을 제공할 수 있다. 예를 들어, 하층은 LTHC 층과 도너 기판 사이의 열 전달을 관리 또는 제어하기 위해 사용될 수 있다. 하층은 LTHC 층 내에서 발생되는 열로부터 기판을 단열하기 위해 또는 기판을 향해 LTHC 층으로부터 멀리 열을 흡수하기 위해 사용될 수 있다. 도너 요소 내의 온도 관리 및 열 전달은 층을 추가함으로써 및/또는 열 전도성(예컨대, 열 전도성의 값 및 방향성 중 하나 또는 둘 모두), 흡수제 재료의 분포 및/또는 배향, 또는 층의 형태 또는 층 내의 입자의 형태(morphology)(예컨대, 금속 박막 층 또는 입자 내에서의 결정 성장 또는 결정립 형성의 배향)와 같은 층 특성을 제어함으로써 달성될 수 있다.
하층은 예를 들어 광개시제, 계면활성제, 안료, 가소제, 코팅 보조제, 및 이 들의 조합을 포함한 첨가제를 함유할 수 있다. 하층의 두께는 예를 들어 하층의 재료, LTHC 층의 재료 및 광학적 특성, 도너 기판의 재료, 이미지 형성 방사선의 파장, 이미지 형성 방사선에 대한 열 전사 요소의 노출 지속시간, 전체적인 도너 요소 구성, 및 이들의 조합과 같은 인자에 의존할 수 있다. 중합체 하층에 있어서, 하층의 두께는 전형적으로 적어도 0.05 마이크로미터, 바람직하게는 적어도 0.1 마이크로미터, 더 바람직하게는 적어도 0.5 마이크로미터, 가장 바람직하게는 적어도 0.8 마이크로미터이다. 중합체 하층에 있어서, 하층의 두께는 전형적으로 최대 10 마이크로미터, 바람직하게는 최대 4 마이크로미터, 더 바람직하게는 최대 3 마이크로미터, 가장 바람직하게는 최대 2 마이크로미터이다. 무기 하층(예컨대, 금속 또는 금속 화합물 하층)에 있어서, 하층의 두께는 전형적으로 적어도 0.005 마이크로미터, 바람직하게는 적어도 0.01 마이크로미터, 더 바람직하게는 적어도 0.02 마이크로미터이다. 무기 하층에 있어서, 하층의 두께는 전형적으로 최대 10 마이크로미터, 바람직하게는 최대 4 마이크로미터, 더 바람직하게는 최대 2 마이크로미터이다.
선택적으로, 열 전사 도너 요소는 예를 들어 미국 특허 제5,725,989호(장(Chang) 등) 및 미국 특허 공개 제2005/0287315호(크라일리히(Kreilich) 등)에 설명되어 있는 바와 같이 광열 변환 층의 적어도 일부분 상에서 중간층을 추가로 포함한다. 선택적인 중간층은 전사 층의 전사되는 부분의 손상 및 오염을 최소화하기 위해 사용될 수 있고, 또한 전사 층의 전사되는 부분에서의 왜곡을 감소시킬 수도 있다. 또한, 중간층은 열 전사 요소에 대한 전사 층의 부착에 영향을 주거 나, 다르게는 이미지 형성된 영역 및 이미지 형성되지 않은 영역에서의 전사 층의 해제를 제어할 수 있다. 바람직하게는, 중간층은 높은 열 저항을 가지며, 이미지 형성 조건 하에서 특히 전사되는 이미지가 비기능적이 되게 하는 정도로 왜곡되거나 화학적으로 분해되지 않는다. 바람직하게는, 중간층은 전사 공정 동안에 LTHC 층과 접촉하여 유지되고, 전사 층과 함께 실질적으로 전사되지는 않는다.
적합한 중간층은 예를 들어 중합체 필름, 금속 층(예컨대, 증착된 금속 층), 무기 층(예컨대, 무기 산화물(예컨대, 실리카, 티타니아, 및 다른 금속 산화물)의 졸-겔 침착된 층 및 증착된 층), 유기/무기 복합 층, 및 이들의 조합을 포함한다. 중간층 재료로서 적합한 유기 재료는 열경화성 및 열가소성 재료 둘 모두를 포함한다.
열경화성 중간층 내에 포함되기에 적합한 재료는, 결합제로서 사용될 수 있고 코팅 공정 후에 가교결합되어 원하는 내열성의 반사성 중간층을 형성할 수 있는 중합성 및/또는 가교결합성 단량체, 올리고머, 예비중합체(prepolymer) 및/또는 중합체를 포함하지만 이들로 한정되지 않는 열, 방사선, 및/또는 화학적 처리에 의해 가교결합될 수 있는 그러한 재료를 포함한다. 이러한 응용에 적합한 단량체, 올리고머, 예비중합체, 및/또는 중합체는 가교결합된 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리에스테르, 에폭시, 폴리우레탄, (메트)아크릴레이트 공중합체, 메타크릴레이트 공중합체 및 이들의 조합을 포함한, 중간층을 형성하기 위해 가교결합된 내열성 및/또는 내용매성 중합체 층을 형성할 수 있는 공지된 화학물질을 포함한다. 용이한 도포를 위해, 열경화성 재료는 보통 열가소성 전구체로서의 광열 변환 층 상으로 코팅되고, 이어서 가교결합되어 원하는 가교결합된 중간층을 형성한다. 적합한 열가소성 재료는 예를 들어 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 폴리설폰, 폴리에스테르, 폴리이미드, 및 이들의 조합을 포함한다. 이러한 열가소성 유기 재료들은 종래의 코팅 기술(예컨대, 용매 코팅 또는 분사 코팅)에 의해 도포될 수 있다. 전형적으로, 중간층에 사용하기에 적합한 열가소성 재료의 유리 전이 온도(Tg)는 25℃ 이상, 더 바람직하게는 50℃ 이상, 더 바람직하게는 100℃ 이상, 더 바람직하게는 150℃ 이상이다.
중간층은 이미지 형성 방사선 파장에서, 광학적으로 투과성이거나, 광학적으로 흡수성이거나, 광학적으로 반사성이거나, 이들의 일부 조합일 수 있다.
중간층 재료로서 적합한 무기 재료는 예를 들어 금속, 금속 산화물, 금속 황화물, 무기 탄소 코팅, 및 이들의 조합을 포함한다. 일 실시예에서, 무기 중간층은 이미지 형성 광 파장에서 고도로 투과성이다. 다른 실시예에서, 무기 중간층은 이미지 광 파장에서 고도로 반사성이다. 이들 재료는 종래의 기술(예컨대, 진공 스퍼터링, 진공 증발, 및/또는 플라즈마 제트 침착)을 통해 광열 변환 층에 도포될 수 있다.
중간층은 많은 이점을 제공할 수 있다. 중간층은 LTHC 층으로부터의 재료의 전사에 대한 장벽일 수 있다. 이는 또한 열적으로 불안정하고/하거나 온도에 민감한 재료가 전사될 수 있도록 전사 층 내에서 얻어지는 온도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 중간층은 중간층과 전사 층 사이의 계면에서의 온도를 LTHC 층 내에서 얻 어지는 온도에 대해 제어하기 위한 열 확산기로서 작용할 수 있고, 이는 전사되는 층의 품질(즉, 표면 조도(roughness), 에지 조도 등)을 개선할 수 있다. 중간층의 존재는 또한 전사되는 재료에서의 개선된 소성 기억 또는 감소된 왜곡을 생성할 수 있다. 중간층은 또한 열 전사 도너 요소의 잔여부에 대한 전사 층의 부착에 영향을 주어서, LITI 도너/리셉터 시스템 전사 특성을 최적화하도록 조정될 수 있는 추가의 변수를 제공할 수 있다. 이미지 형성이 도너 측으로부터의 조사(irradiation)에 의해 수행되는 경우에, 반사성 중간층이 중간층을 통해 투과되는 이미지 형성 방사선의 수준을 감쇠시키고, 그럼으로써 투과되는 방사선의 전사 층 또는 리셉터와의 상호 작용으로부터 생성될 수 있는 임의의 전사되는 이미지의 손상을 감소시킬 수 있고, 이는 리셉터가 이미지 형성 방사선에 대해 고도로 흡수성일 때 전사되는 이미지에 대해 발생할 수 있는 열적 손상을 감소시키는 데 특히 유익할 수 있다. 그러나, 몇몇 경우에, 중간층은 필요치 않거나 요구되지 않을 수 있고, 전사 층은 LTHC 상으로 직접 코팅될 수 있다. 중간층은 예를 들어 광개시제, 계면활성제, 안료, 가소제, 코팅 보조제, 및 이들의 조합을 포함한 첨가제를 함유할 수 있다. 중간층의 두께 및 광학적 특성(예컨대, 흡수, 반사, 투과)은 예를 들어 중간층의 재료, 두께, 이미지 형성 방사선 흡수 특성, LTHC 층의 재료, 전사 층의 재료, 이미지 형성 방사선의 파장, 이미지 형성 방사선에 대한 열 전사 요소의 노출 지속시간, 및 이들의 조합과 같은 인자에 의존할 수 있다. 중합체 중간층에 있어서, 중간층의 두께는 전형적으로 적어도 0.05 마이크로미터, 바람직하게는 적어도 0.1 마이크로미터, 더 바람직하게는 적어도 0.5 마이크로미터, 가장 바 람직하게는 적어도 0.8 마이크로미터이다. 중합체 중간층에 있어서, 중간층의 두께는 전형적으로 최대 10 마이크로미터, 바람직하게는 최대 4 마이크로미터, 더 바람직하게는 최대 3 마이크로미터, 가장 바람직하게는 최대 2 마이크로미터이다. 무기 중간층(예컨대, 금속 또는 금속 화합물 중간층)에 있어서, 중간층의 두께는 전형적으로 적어도 0.005 마이크로미터, 바람직하게는 적어도 0.01 마이크로미터, 더 바람직하게는 적어도 0.02 마이크로미터이다. 무기 중간층에 있어서, 중간층의 두께는 전형적으로 최대 10 마이크로미터, 바람직하게는 최대 3 마이크로미터, 더 바람직하게는 최대 1 마이크로미터이다.
몇몇 실시예에서, 열 전사 도너 요소는 예를 들어 미국 특허 제6,582,876호(워크 등) 및 제6,866,979호(장 등)에 개시되어 있는 바와 같이 광열 변환 층 또는 중간층의 적어도 일부분 상에서 열 전사 층을 추가로 포함한다.
전사 층은 대응하는 이미지 형성 응용(예컨대, 컬러 교정, 인쇄판, 및 컬러 필터)에 대해 적절하도록 제형될 수 있다. 전사 층 자체는 열가소성 및/또는 열경화성 재료를 포함할 수 있다. 많은 제품 응용에서(예를 들어, 인쇄판 및 컬러 필터 응용에서), 전사 층 재료는 바람직하게는 이미지 형성된 용품의 성능을 개선하기 위해 레이저 전사 후에 가교결합된다. 전사 층 내에 포함된 첨가제는 또한 최종 사용 응용(예컨대, 컬러 교정 및 컬러 필터 응용을 위한 착색제, 광-가교결합된 전사 층 및/또는 광-가교결합성 전사 층을 위한 광개시제)에 특유한 것일 것이며, 당업자에게 잘 알려져 있다.
중간층이 열 전사 층 내의 온도 프로파일을 조절할 수 있기 때문에, 전형적 인 안료보다 열에 더 민감한 경향이 있는 재료는 본 발명의 공정을 사용하여 손상이 감소되면서 전사될 수 있다. 예를 들어, 의료 진단용 화학물질이 결합제 내에 포함되어, 의료 화학물질에 대한 더 낮은 손상 가능성 및/또는 시험 결과의 더 낮은 오손 가능성을 가지고 본 발명을 사용하여 의료 시험 카드로 전사될 수 있다. 화학물질 또는 효소 지시약은 종래의 열 도너 요소로부터 전사되는 동일한 재료에 비해 중간층을 갖는 본 발명을 사용하면 손상 경향이 덜 할 것이다.
열 전사 층은 염료(예컨대, 가시 염료, 자외 염료, 형광 염료, 방사선-편광 염료, IR 염료, 및 이들의 조합), 광 활성 재료, 안료(예컨대, 투명 안료, 유색 안료, 및/또는 흑체 흡수제), 자성 입자, 전기 전도성 또는 절연성 입자, 액정 재료, 친수성 또는 소수성 재료, 개시제, 증감제(sensitizer), 형광체, 중합체 결합제, 효소, 및 이들의 조합을 포함하지만 이들로 한정되지 않는 부류의 재료들을 포함할 수 있다.
컬러 교정 및 컬러 필터 요소와 같은 많은 응용에 대해, 열 전사 층은 착색제를 포함할 것이다. 바람직하게는, 열 전사 층은 적어도 하나의 유기 또는 무기 착색제(즉, 안료 또는 염료) 및 열가소성 결합제를 포함할 것이다. IR 흡수제, 분산제, 계면활성제, 안정제, 가소제, 가교결합제, 코팅 보조제, 및 이들의 조합과 같은 다른 첨가제가 또한 포함될 수 있다. 임의의 안료가 사용될 수 있지만, 컬러 필터 요소와 같은 응용에 대해, 바람직한 안료는 문헌[NPIRI Raw Materials Data Handbook, Volume 4 (Pigments)] 또는 문헌[Herbst, Industrial Organic Pigments, VCH (1993)]에서 우수한 색상 영구성 및 투명성을 갖는 것으로 열거되어 있는 것이 다. 비-수성 또는 수성 안료 분산액이 사용될 수 있다. 안료는 일반적으로 결합제와 함께 분산되어 용매 또는 용매들의 혼합물 내로 현탁된 안료를 포함하는 밀베이스(millbase)의 형태로 색상 제형 내로 도입된다. 안료 유형 및 색상은 미리 설정된 색상 목표 또는 업계에 의해 설정된 사양에 색 코팅이 부합되도록 선택될 수 있다. 분산 수지의 유형 및 안료 대 수지 비는 안료 유형, 안료 상의 표면 처리, 밀베이스를 생성하는 데 사용되는 분산 용매 및 분쇄 공정, 또는 이들의 조합에 의존할 것이다. 적합한 분산 수지는 비닐 클로라이드/비닐 아세테이트 공중합체, 폴리(비닐 아세테이트)/크로톤산 공중합체, 폴리우레탄, 스티렌 말레산 무수물 하프 에스테르 수지, (메트)아크릴레이트 중합체 및 공중합체, 폴리(비닐 아세탈), 무수물 및 아민으로 개질된 폴리(비닐 아세탈), 하이드록시 알킬 셀룰로오스 수지, 스티렌 아크릴 수지, 및 이들의 조합을 포함한다. 바람직한 색상 전사 코팅 조성물은 30 내지 80 중량％의 안료, 15 내지 60 중량％의 수지, 및 0 내지 20 중량％의 분산제 및 첨가제를 포함한다.
전사 층의 일례는 유기 전기발광(organic electroluminescent, OEL) 소자 또는 OEL 소자와 관련하여 사용되는 다른 소자와 같은 다층 소자의 적어도 일부를 리셉터 상에 형성하기 위해 사용되는 단일 또는 다성분 전사 유닛을 포함한다. 몇몇 경우에, 전사 층은 작동 소자를 형성하기 위해 필요한 모든 층들을 포함할 수 있다. 다른 경우에, 전사 층은 작동 소자를 형성하기 위해 필요한 모든 층들보다 더 적은 층들을 포함할 수 있는데, 다른 층들은 하나 이상의 다른 도너 요소로부터의 전사를 통해 또는 몇몇 다른 적합한 전사 또는 패터닝 방법을 통해 형성된다. 또 다른 경우에, 소자의 하나 이상의 층들이 리셉터 상에 제공될 수 있는데, 나머지 층 또는 층들은 하나 이상의 도너 요소의 전사 층 내에 포함된다. 대안적으로, 소자의 하나 이상의 추가 층들이 전사 층이 패터닝된 후에 리셉터 상으로 전사될 수 있다. 몇몇 경우에, 전사 층은 소자의 단일 층만을 형성하기 위해 사용된다.
일 실시예에서, 예시적인 전사 층은 다층 소자의 적어도 2개의 층을 형성할 수 있는 다성분 전사 유닛을 포함한다. 다층 소자의 이러한 2개의 층은 흔히 전사 층의 2개의 층에 대응한다. 이러한 예에서, 다성분 전사 유닛의 전사에 의해 형성되는 층들 중 하나는 능동 층(즉, 전도, 반전도, 전자 차단, 정공 차단, 광 생성(예컨대, 발광, 광 방출, 형광, 및/또는 인광), 전자 생성, 및/또는 정공 생성 층으로서 작용하는 층)일 수 있다. 다성분 전사 유닛의 전사에 의해 형성되는 제2 층은 다른 능동 층 또는 작동 층(즉, 소자 내에서 절연, 전도, 반전도, 전자 차단, 정공 차단, 광 생성, 전자 생성, 정공 생성, 광 흡수, 반사, 회절, 위상 지연, 산란, 분산, 및/또는 확산 층으로서 작용하는 층)일 수 있다. 제2 층은 또한 비-작동 층(즉, 소자의 작동 시에 기능을 수행하지는 않지만, 예를 들어 패터닝 동안에 리셉터 기판에 대한 전사 유닛의 전사 및/또는 부착을 용이하게 하기 위해 제공되는 층)일 수도 있다. 다성분 전사 유닛은 또한 추가의 능동 층, 작동 층, 및/또는 비-작동 층을 형성하기 위해 사용될 수 있다.
다른 태양에서, 본 발명은 열 전사 도너 요소용 기판 필름의 제조 방법을 제공한다. 본 방법은 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 스택을 형성하는 단계를 포함하는데, 각각의 다이애드는 흡수성 제1 층 및 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 실질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는다.
다른 태양에서, 본 발명은 열 전사 도너 요소의 제조 방법, 및 그러한 도너 요소를 사용한 선택적 열 물질 전사 방법을 제공한다. 소정 실시예에서, 상기 방법은 본질적으로 비흡수성인 기판을 제공하는 단계와, 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 스택을 기판의 적어도 일부분 상에 형성하는 단계를 포함하는데, 여기서 적어도 2개의 다이애드의 각각은 흡수성 제1 층 및 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 실질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는다.
적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 스택을 포함하는 LTHC 층을 형성하기 위해 매우 다양한 방법이 사용될 수 있다. 예시적인 방법은 (i) 가교결합성 결합제 내에 분산된 흡수제 재료를 갖는 층 및 흡수제 재료가 첨가되지 않은 가교결합성 결합제의 층을 순차적으로 코팅하고, 각각의 코팅 단계 후에 가교결합시키거나 모든 관련 층들을 코팅한 후에 복수의 층들을 함께 가교결합시키는 단계와; (ii) 흡수성 층들 및 본질적으로 비흡수성인 층들을 순차적으로 증착시키는 단계와; (iii) 가교결합성 결합제 내에 배치된 흡수제 재료를 포함하는 층들 및 본질적으로 비흡수성인 증착된 층들을 순차적으로 형성하는 단계 - 가교결합성 결합제는 그 특정 층을 코팅한 직후에 또는 다른 코팅 단계들이 수행된 후에 가교결합될 수 있음 - 와; (iv) 흡수제 재료가 첨가되지 않은 가교결합성 결합제를 포함하는 층들 및 흡수성의 증착된 층들을 순차적으로 형성하는 단계 - 가교결합성 결합제는 그 특정 층을 코팅한 직후에 또는 다른 코팅 단계들이 수행된 후에 가교결합될 수 있음 - 와; (v) 결합제 내에 배치된 흡수제 재료를 갖는 층들 및 흡수제 재료가 첨가되지 않은 결합제의 층들을 순차적으로 압출하는 단계와; (vi) 각각이 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함하는 다이애드들의 스택을 압출하는 단계와; (vii) 상기 단계들의 임의의 적합한 조합 또는 변형을 포함한다. 예를 들어, 당업계에 공지된 그러한 방법은 예컨대 미국 특허 제5,882,774호(존자(Jonza) 등), 제6,352,761호(헤브링크 등), 제6,368,699호(길버트 등), 제6,569,515호(헤브링크 등), 제6,673,425호(헤브링크 등), 제6,783,349호(니빈 등), 제6,946,188호(헤브링크 등), 및 미국 특허 공개 제2004/0214031 A1호(빔베르거-프리틀(Wimberger-Friedl) 등)에 설명되어 있는 바와 같은 다층 압출 방법을 포함한다. 예를 들어, 당업계에 공지된 추가의 그러한 방법은 예컨대 미국 특허 제5,440,446호(쇼(Shaw) 등), 제5,725,909호(쇼 등), 및 제6,231,939호(쇼 등)에 설명되는 있는 바와 같은 다층 코팅-침착 방법을 포함한다.
선택적으로, 층들은 예를 들어 미국 특허 제6,045,737호(하비(Harvey) 등)에 설명되어 있는 바와 같이 그의 형성 동안에 또는 그 후에 배향될 수 있다. 예를 들어, 폴리에스테르 필름을 배향시키는 것은 재료 형태(예컨대, 증가된 결정성)에 영향을 줄 수 있다. 부가적으로, 배향(예컨대, 텐터링(tentering))은 예를 들어 비등방성 열 전도성을 포함한 비등방성 특성을 생성할 수 있는데, 이는 열 전사 공정에서 전사되는 재료의 충실도에 영향을 줄 수 있다. 중합체의 융점(즉, 소정 폴리에스테르에 대해 대략 260℃) 아래의 온도에서의 배향은 또한 예를 들어 열 팽 창, 열 수축, 및 물리적 특성(예컨대, 모듈러스(modulus) 및 탄성)을 포함한 다양한 다른 특성에 영향을 줄 수 있다.
몇몇 실시예에서, 본 방법은 적어도 하나의 다이애드의 제1 층 및 제2 층을 압출하는 단계(예컨대, 제1 층 및 제2 층을 바람직하게는 동시에 공압출하는 단계)를 포함한다. 소정 실시예에서, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 층은 기판 상으로 동시에 압출된다. 소정 실시예에서, 각각의 층들은 기판과 함께 공압출(예컨대, 동시에 공압출)된다. 그러한 압출 방법은 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 다층 압출을 포함한다.
소정의 다른 실시예에서, 본 발명은 본질적으로 비흡수성인 기판을 제공하는 단계와, 기판의 적어도 일부분 상에 흡수성 제1 층을 형성하는 단계와, 흡수성 제1 층의 적어도 일부분 상에 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 형성하는 단계를 포함하고, 여기서 본질적으로 비흡수성인 기판의 조성이 본질적으로 비흡수성인 제2 층의 조성과 본질적으로 동일한, 열 전사 도너 요소의 제조 방법을 제공한다. 상기 방법은 선택적으로 열 전사 층을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 소정 실시예에서, 제1 및/또는 제2 층을 형성하는 단계는 제1 및/또는 제2 층을 압출하는 단계(예컨대, 제1 층 및 제2 층을 바람직하게는 동시에 공압출하는 단계)를 포함한다. 소정 실시예에서, 적어도 2개의 다이애드들의 각각의 층은 기판 상으로 동시에 압출된다.
전술된 방법은 모놀리식 도너(monolithic donor)(즉, 단일 층으로 보이는 도너)를 제조하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 모놀리식 도너는 동일한 열가소 성 수지에 각각 기초한, 일체형 LTHC 층 및 중간층을 갖는 지지 필름으로서 설명될 수 있다. 다른 예에 있어서, 모놀리식 도너는 도핑되거나 충전된 레이저 흡수 영역을 갖는 단일 모놀리식 열가소성 필름으로서 설명될 수 있다. 모놀리식 도너는 복수의 별개의 층들을 포함하는 당업계에 공지된 도너에 비해 매우 다양한 이점을 가질 수 있다. 예를 들어, 동일한 열가소성 물질의 3개의 열 융합된 층에 기초한 다층 도너의 구조적 완전성은 용액 코팅된 구성의 것보다 우수할 것으로 예상된다. 더욱이, 본 명세서에서 설명되는 방법에 의해 제조된 모놀리식 도너는 감소된 수준의 외래 화합물(예컨대, 분산제, 계면활성제, 습윤제, 용매, 및/또는 단량체)을 가질 수 있는데, 이는 종래의 방법에 의해 제조된 도너에 대해 통상적으로 직면하는 가스 방출을 감소 또는 제거할 수 있다. 부가적으로, 본 명세서에서 설명되는 방법에 의해 제조된 모놀리식 도너는 OLED 패터닝 공정에서 해로운 여기 상태의 켄칭 화학종(quenching specie)으로 알려진 아크릴레이트가 없이 제조될 수 있다. 더욱이, 그러한 방법의 효율은 2회의 용액 코팅 및 복수의 되감기, 검사, 및/또는 세척이 제거될 수 있기 때문에, 증가될 수 있다. 마지막으로, 상기 방법은 중요한 깨끗한 계면을 초청정 디스플레이 제조 환경 내에 노출될 때까지 숨기는, 보호 라이너(예컨대, 폴리프로필렌 라이너)의 적용과 상용성일 수 있다.
공압출 방법은 실질적으로 더 넓은 결합제 비히클(vehicle) 재료 선택사양을 허용한다. 예를 들어, 808 내지 1064 나노미터의 광의 상당량을 흡수하는 염료 또는 안료(예컨대, 카본 블랙 및/또는 구리 프탈로사이아닌)가 로딩된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 펠릿이 쉽게 얻어질 수 있다. 그러한 펠릿은 LTHC 층을 압출하 기 위해 이용될 수 있는 반면에, 동일한 등급의 폴리에스테르의 무안료 펠릿이 기부 층 및/또는 중간층을 압출하기 위해 사용될 수 있다. 실질적으로 더 넓은 선택사양으로부터 결합제 비히클 재료를 선택할 수 있는 능력은 예를 들어 개선된 열 안정성, 개선된 분자량 분포, 개선된 내용매성, 저분자량의 첨가제 및/또는 부산물(예컨대, 유동 제제, 분산제, 광개시제, 및/또는 미반응 단량체)의 감소 또는 제거, 유지되는 용매의 제거의 감소, 및 기부 필름에 대한 부착을 위해 필요한 프라이머(primer) 층 및/또는 타이(tie) 층의 제거를 포함한 매우 다양한 이점을 생성할 수 있다.
부가적으로, PET가 공압출을 위한 매력적인 선택사양이지만, 도너에 중요한 이점을 제공할 수 있는 많은 다른 압출 가능한 중합체가 또한 이용 가능하다. 추가의 중합체 선택은 예를 들어 아크릴, 우레탄, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 코폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리설폰, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 고무, 폴리스티렌, 실리콘, 플루오로중합체, 페놀계 물질, 및/또는 에폭시를 포함한다. 예를 들어 굴절률, Tg, 융점, 분자량 분포, 치수 안정성, 가요성, 강성, 및/또는 복굴절성을 포함한 다양한 인자에 기초하여 중합체 또는 중합체 블렌드를 선택할 수 있다.
공압출을 포함한 방법은 예를 들어 프라이머 층 및/또는 타이 층의 제거, 코팅기를 통한 복수 회 통과의 제거, 건조 단계의 제거, UV 경화 단계의 제거, 용액 코팅과 관련된 수율 손실의 제거, 및/또는 추가의 재료 취급 손실을 포함한 공정 효율의 잠재적인 개선을 생성할 수 있다. 게다가, 제품 파라미터는 공압출을 포함 한 방법에서 흔히 쉽게 조정될 수 있다. 예를 들어, 모놀리식 도너의 각각의 부분의 두께는 공압출 공정에서 상당히 변경될 수 있다. 길이 배향, 텐터링, 열 고정, 및/또는 결정화 구역과 같은 종래의 하류측 웨브 처리가 도너에 원하는 특징(예컨대, 비등방성 열 전도성)을 부여하기 위해 공압출과 관련하여 또한 사용될 수 있다. 더욱이, 섬광 램프, 캘린더링, 및/또는 화염 엠보싱과 같은 표면 개질 기술이 표면 조도, 형태, 및/또는 추가의 원하는 특징의 유리한 변경을 제공하기 위해 공압출과 관련하여 사용될 수 있다.
다른 태양에서, 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 열 전사 도너 요소를 사용한 선택적 열 물질 전사 방법을 제공한다. 예시적인 방법은 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 열 전사 도너 요소를 제공하는 단계와, 도너 요소의 열 전사 층을 리셉터 기판에 인접하게 위치시키는 단계와, 광열 변환 층에 의해 흡수되어 열로 변환될 수 있는 이미지 형성 방사선으로 도너 요소를 선택적으로 조사함으로써 도너 요소로부터 리셉터 기판으로 열 전사 층의 일부를 열 전사하는 단계를 포함한다. 열 전사 방법은 예를 들어 미국 특허 제7,014,978호(벨만(Bellman) 등)에 설명되어 있는 바와 같이 당업계에서 잘 알려져 있다.
예를 들어, 본 발명의 방법에서, 발광 중합체(LEP) 또는 다른 재료를 포함한 방사성 유기 재료는 도너 요소의 전사 층을 리셉터에 인접하게 위치시키고 도너 요소를 선택적으로 가열함으로써 도너 시트의 전사 층으로부터 리셉터 기판으로 선택적으로 전사될 수 있다. 예시적으로, 도너 요소는 도너에, 흔히 별도의 LTHC 층에 배치된 광열 변환 재료에 의해 흡수되어 열로 변환될 수 있는 이미지 형성 방사선 으로 도너 요소를 조사함으로써 선택적으로 가열될 수 있다. 이러한 경우에, 도너는 도너 기판을 통해, 리셉터를 통해, 또는 이들 모두를 통해 이미지 형성 방사선에 노출될 수 있다. 방사선은 예를 들어 레이저, 램프, 또는 다른 그러한 방사선 공급원으로부터의 가시광, 적외 방사선, 또는 자외 방사선을 포함한 하나 이상의 파장을 포함할 수 있다. 열 인쇄 헤드를 사용하거나 고온 스탬프(예컨대, 도너를 선택적으로 가열하기 위해 사용될 수 있는 릴리프(relief) 패턴을 갖는 가열식 실리콘 스탬프와 같은 패턴 형성된 고온 스탬프)를 사용하는 것과 같은 다른 선택적 가열 방법이 또한 사용될 수 있다. 열 전사 층으로부터의 재료는 이러한 방식으로 리셉터에 선택적으로 전사되어, 리셉터 상에 전사되는 재료의 패턴을 이미지식으로 형성할 수 있다. 많은 경우에, 도너를 패턴식으로 노출시키기 위해 예를 들어 램프 또는 레이저로부터의 광을 사용하는 열 전사가, 흔히 달성될 수 있는 정확도 및 정밀도 때문에 유리할 수 있다. 전사되는 패턴의 크기 및 형상(예컨대, 선, 원, 정사각형, 또는 다른 형상)은 예를 들어 광선의 크기, 광선의 노출 패턴, 지향된 빔이 도너 시트와 접촉하는 지속시간, 및/또는 도너 시트의 재료를 선택함으로써 제어될 수 있다. 전사되는 패턴은 마스크를 통해 도너 요소를 조사함으로써 또한 제어될 수 있다.
설명한 바와 같이, 열 인쇄 헤드 또는 다른 가열 요소(패턴 형성되거나 그렇지 않음)가 도너 요소를 직접 선택적으로 가열하기 위해 또한 사용될 수 있어서, 전사 층의 부분들을 패턴식으로 전사한다. 그러한 경우에, 도너 시트 내의 광열 변환 재료는 선택적이다. 열 인쇄 헤드 또는 다른 가열 요소는 재료의 더 낮은 해 상도의 패턴을 만들거나 배치가 정밀하게 제어될 필요가 없는 요소를 패터닝하는 데 특히 적합할 수 있다.
전사 층은 전사 층을 선택적으로 전사하지 않으면서 도너 시트로부터 또한 전사될 수 있다. 예를 들어, 전사 층은 전형적으로 열 또는 압력의 인가와 함께 전사 층이 리셉터 기판에 접촉된 후에 이형될 수 있는 임시 라이너로서 본질적으로 작용하는 도너 기판 상에 형성될 수 있다. 라미네이션 전사로 불리는 그러한 방법은 전체 전사 층 또는 그의 많은 부분을 리셉터로 전사하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 소정 실시예들이 다음과 같이 예시된다. 특정 예, 재료, 양, 및 절차는 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 범주 및 사상에 따라 넓게 해석되어야 한다는 것을 이해하여야 한다.
레이저 열 전사(LITI) 공정을 사용하여 재료를 패터닝하기 위해 사용되는 도너 시트를 위한 LTHC 층을 형성하는 데 사용하기 위한 다양한 광학 재료가 본 명세서에서 설명된다. 예를 들어, 유기 발광 소자(organic light-emitting device, OLED) 재료는 전형적으로 808 ㎚의 이미지 형성 파장을 사용하고 카본 블랙 또는 청색 안료 흡수제와 같은 흡수성 재료가 로딩된 중합체 매트릭스로 구성된 LTHC 층을 사용하여 패터닝될 수 있다. 이러한 소위 "분산형 미립자 흡수제"는 예를 들어 0.5 내지 2.0 마이크로미터-1의 범위, 바람직하게는 1.0 마이크로미터-1의 범위와 같이 보통의 중합체에 비해 크지만, 증기 코팅 방법을 사용하여 코팅될 수 있는 광 흡수성 무기 재료(예컨대, 808 ㎚에서 대략 10 마이크로미터-1의 흡광 도(absorbance)를 갖는 게르마늄)에 비해 작은 이미지 형성 파장에서 흡광도를 갖는다. OLED를 패터닝하는 데 사용하기 위한 전형적인 도너는 2.7 마이크로미터의 두께 및 1.0 마이크로미터-1의 흡수를 갖는 LTHC 층(이하, "표준 균일 LTHC 층")을 포함한다. 분산된 미립자 흡수제에 기초한 도너의 광학적 특성을 근사화한 일련의 고도로 흡수성인 얇은 층들을 사용하는 도너의 예가 본 명세서에서 설명된다.
LTHC 층 내의 깊이(x)에 대한 임의의 유한한 불균일 흡수 프로파일(aNU(x)) (아래 첨자 NU는 불균일을 의미함)을 갖는 LTHC 층의 광학 응답을 근사화하기 위해 일정한 흡수(a0)를 갖는 흡수성 재료 및 본질적으로 비흡수성인 재료로 구성된 2가지 재료의 다이애드들의 패킷을 갖는 LTHC 층을 사용하는 예가 본 명세서에서 설명된다. 불균일한 흡수 프로파일은 다이애드 두께 변동에 의해 근사화된다. 비교를 용이하게 하기 위해, 몇몇 물리량이 다음과 같이 설명된다.
광 흡수율은 2개의 지점들 사이의 거리에 대한 지점(x0)으로부터 지점(x1)까지의 광 출력의 감쇠율인 것으로 정의된다. 이러한 2개의 지점들 사이의 거리는 입사 표면에 대한 LTHC 층 내의 깊이(x)에서의 지점으로부터의 거리(x)이다.
LTHC 층 내의 깊이(x)에 대한 투과되는 출력의 분율(T)은 LTHC 층의 입사 표면에서의 광 출력의 값으로 정규화된 순간 광 출력(포인팅(Poynting) 벡터의 크기)이다. 흡수율이 깊이(x)만의 함수라고 가정하면, 투과되는 출력의 분율은 다음과 같이 쓸 수 있다:
Figure 112008082132783-PCT00001
.
지점(x)까지 흡수되는 총 출력 분율(F(x))은 단순하게는 투과되지 않은 출력이거나 다음과 같다:
.
깊이(x)에 대한 흡수되는 출력 밀도(g(x))의 프로파일은 지점(x)에서 흡수되는 순간 출력 밀도이고, 하기(포인팅 벡터의 발산(divergence)의 음의 값)에 의해 주어진다:
Figure 112008082132783-PCT00003
.
전형적인 균일 LTHC 층과 유사한 방식으로 광학적으로 거동하는 다층 단계형 LTHC 층들을 비교하기 위해, 제2 양(투과되는 출력의 분율(T)) 및 제3 양(흡수되는 총 출력 분율(F(x))의 그래프를 고려하는 것이 간편한데, 이때 광학적으로 유사한 LTHC 층들은 유사한 T(x) 및 F(x) 양을 갖는다.
도 1을 참조하면, 그래프는 동일한 두께(2.7 마이크로미터)를 갖는 표준 균일 LTHC 층(실선) 및 게르마늄의 단일 층(점선)에 있어서 LTHC 층의 깊이에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율을 비교한다. 투과되는 광의 분율이 표준 균일 LTHC 층에 대한 1 마이크로미터에 대하여 게르마늄에 대한 0.1 마이크로미터에서 그의 초기 값의 1/e배로 감소된다는 것을 알아야 한다.
MgF와 같은 비흡수성 재료 및 게르마늄의 다이애드를 사용하여 제조된 다층 단계형 LTHC 층은 본 명세서에서 이론적으로 표준 균일 LTHC 층에 대한 흡수 프로파일에 근사화하는 것으로 도시되어 있다. 이는 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같은 복수의 다이애드를 갖는 LTHC 층에 대한 실시예를 사용하여 달성될 수 있다. 이러한 설계의 경우에, 각각의 다이애드에 대해, 총 다이애드 두께(di)에 대한 흡수성 층의 두께(hi)의 비는 각각의 다이애드에 의해 흡수되는 총 출력이 표준 LTHC 층의 동등한 두께의 라미나(lamina)에 의해 흡수되는 출력과 동일하도록 설정된다. 이는 하기를 설정함으로써 달성된다:
Figure 112008082132783-PCT00004
,
여기서, aLTHC는 표준 균일 LTHC 층의 흡수율이고, aGe는 게르마늄의 흡수율이다. 도 2에서, 각각의 다이애드의 두께는 필요한 대로 변경될 수 있게 된다.
도 2를 참조하면, 다층 단계형 LTHC 층(20)은 다이애드(1, 2, 3, 4)를 포함한다. 다이애드(1, 2, 3, 4) 각각은 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함한다. 전형적으로, 층들의 스택은 교번하는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함한다. 예를 들어, 층(5, 7, 9, 11)은 흡수성 층일 수 있고, 층(6, 8, 10, 12)은 본질적으로 비흡수성인 층일 수 있다. 대안적으로, 층(5, 7, 9, 11)은 본질적으로 비흡수성인 층일 수 있고, 층(6, 8, 10, 12)은 흡수성 층일 수 있다. 도 2는 선택적인 기판(30), 선택적인 중간층 및/또는 전사 층(40), 및 선택적인 리셉터(50)를 추가로 도시한다.
다이애드(1, 2, 3, 4)의 두께는 각각 d1, d2, d3, dN에 의해 나타낼 수 있다. 층(5, 7, 9, 11)이 흡수성 층을 나타내고, 층(6, 8, 10, 12)이 본질적으로 비흡수성인 층을 나타낼 때, 각각의 다이애드에 대한 흡수 재료 분율(δ)은 다이애드의 두께로 나눈 흡수성 층의 두께(층(5, 7, 9, 11)에 대해 각각 h1, h2, h3, hN에 의해 나타냄)에 의해 나타낼 수 있다. 도 2에 도시된 실시예에 있어서, 각각의 다이애드에 대한 흡수 재료 분율(δ)은 본질적으로 동일하고, 전체 다이애드 두께(d1, d2, d3, dN)는 각각의 다이애드에 의해 흡수되는 총 출력이 본질적으로 동일하도록 조정된다. 이때, 총 다이애드 두께는 LTHC 층 내의 깊이의 함수로서 증가해야 하므로, 다이애드마다의 흡수되는 평균 출력 밀도는 LTHC 층 내의 깊이의 함수로서 감소하고, 따라서 LTHC 내의 피크 온도 상승은 LTHC 층 내의 깊이의 함수로서 제1 근사치로 감소할 것이다.
도 2에 도시된 바와 같은 구성은 균일한 평균적인 광학 및 열 특성을 갖는 재료를 구성하는 것이 필요할 때 유용할 수 있다. 또한, 이는 전사를 유도하는 것을 돕는 압력파를 생성하는 효과를 갖는 LTHC 층 내의 하나 이상의 기체 기포를 발생시키는 것을 돕기 위해 LTHC 층의 레이저 진입 영역 부근에서 증가된 온도 상승이 요구되는 경우에 유용할 수 있다. LTHC 층 내의 복수의 층들은 기체 기포가 형성되는 예상 영역 또는 영역들을 증가 또는 감소시키도록 조정될 수 있고, 복수의 본질적으로 비흡수성인 영역은 기포의 파열을 방지하는 것을 돕는 기포 스킨으로서 작용할 수 있다.
도 3은 표준 균일 LTHC 층(실선) 대 게르마늄-MgF의 8개의 다이애드를 갖는 도 2에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층(점선)에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율의 비교를 도시한다. 각각의 층 내의 게르마늄 대 MgF의 두께의 비는 1:9이다(게르마늄 층은 각각의 다이애드의 총 두께의 0.1이다). 도 3은 8개의 다이애드를 갖는 다층 구조물이 표준 균일 LTHC 층에 대한 흡수 및 투과되는 출력 대 LTHC 층 내의 깊이의 프로파일을 밀접하게 근사화하는 것을 도시한다. 바꾸어 말하면, 8개의 다이애드를 갖는 다층 구조물은 표준 균일 LTHC 층에 대한 흡수 프로파일을 근사화하는 방식으로 LTHC의 깊이를 가로지른 광 에너지의 흡수의 분산을 허용한다. 도 3은 각각의 다이애드의 두께가 동일할 것이 요구되는 도 2의 예의 하위 경우이다.
도 4는 흡수성 재료의 분율(δ)이 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일하고, 다이애드 두께(d)가 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일한 것을 제외하고는, 도 2와 유사한 다층 단계형 LTHC 층의 다른 예를 도시한다. 이는 단위 체적당 평균적인 일정한 흡수율을 갖는 복합 LTHC 층을 생성하는 효과를 갖는다. 이러한 구성은 예를 들어 알루미늄 (아)산화물 및 인듐-주석 산화물과 같은 진공 코팅된 재료의 복수의 다이애드에 대해 단위 체적당 흡수율을 감소시키기 위해 사용될 수 있는데, 이때 알루미늄 (아)산화물의 하나의 두꺼운 층은 너무 큰 흡수율을 갖고, 따라서 심각한 열 결함에 취약하다. 도 4에 도시된 것과 같은 구성은 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 LTHC 층 두께 및 LTHC 층 내의 단위 깊이당 평균 광 흡수를 제어하는 데 유용할 수 있다.
도 5는 표준 균일 LTHC 층(실선) 대 게르마늄-MgF의 8개 다이애드를 갖는 도 4에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층(점선)에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율의 비교를 도시한다.
도 6을 참조하면, N개의 다이애드의 스택이 각각의 다이애드의 두께(d)가 본질적으로 동일하도록 배열된 것을 제외하고는, 도 2 및 도 4와 유사한 다층 단계형 LTHC 층의 다른 예가 도시되어 있다. 흡수성 층(6, 8, 10, 12)은 변경할 수 있게 된 두께(각각, h1, h2, h3, hN)를 갖는다. 흡수성 층의 두께는 각각의 다이애드에 의해 흡수되는 총 출력이 본질적으로 동일하도록 선택된다. 각각의 본질적으로 비흡수성인 층(d-h1. . .N)에 대한 각각의 흡수성 층(h1. . .N)의 두께의 비가 일정하지 않다는 것을 알아야 한다. 각각의 다이애드에 의해 흡수되는 총 출력이 본질적으로 동일하고 각각의 다이애드가 본질적으로 동일한 전체 두께를 가지므로, 흡수되는 총 평균 출력 밀도는 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일하다. 제1 근사치까지, 각각의 다이애드의 평균 온도 상승은 동일할 것이고, LTHC 층의 온도 상승은 그의 두께를 가로질러 대략 균일할 것이다. 또한, LTHC 층의 피크 온도는 다이애드 두께를 조정함으로써 조정될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층은 열 유도성 인위적 결과의 발생 가능성의 최소화를 가능케 함으로써 유리할 수 있다. LTHC 층 내의 깊이의 함수로서의 피크 온도를 깊이에 대해 가능한 한 일정하게 함으로써, LTHC 층 내의 깊이에 대한 피크 온도는 최소화될 수 있다. 열 유도성 인위적 결과의 발생 가능 성이 LTHC 층 내의 피크 온도와 상호 관련되기 때문에, LTHC 층 내의 깊이의 함수로서의 피크 온도를 최소화하는 것은 이러한 결함이 발생할 가능성을 최소화할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층에 대한 다른 이점은 각각의 다이애드의 전체 두께의 조정이 LTHC 층의 전체 피크 온도 및 이에 따른 도너 재료에 의해 도달되는 전체 피크 온도의 조정을 가능케 하는 것이다. 이러한 제어 기법은 도너 재료에 대한 열 손상의 가능성을 감소시키기 위해 사용될 수 있다.
도 7은 목표 선형 프로파일 LTHC 층(실선) 대 게르마늄-MgF의 8개의 다이애드를 갖는 도 6에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층(점선)에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율의 비교를 도시한다. 도 7은 8개의 다이애드를 갖는 도 6에 도시된 바와 같은 실시예가 단일 다이애드 또는 단일 층을 사용하여 달성할 수 없는, 흡수 및 투과되는 출력의 선형 프로파일을 근사화할 수 있다는 것을 도시한다. 도 7에 도시된 예에 대한 투과율은 표준 균일 LTHC 층에 대한 것과 부합하도록 조정되었다.
도 8을 참조하면, 2개의 다이애드 밴드(25, 125)를 포함하는 다층 단계형 LTHC 층(20)의 다른 예가 도시되어 있다. 도시되지는 않았지만, 다층 단계형 LTHC 층은 추가의 다이애드 밴드를 선택적으로 포함할 수 있다. 더욱이, 각각의 밴드 내의 다이애드의 개수는 단지 예시적인 목적이고, 각각의 다이애드 밴드는 도 8에 도시된 것보다 더 많거나 더 적은 다이애드를 독립적으로 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 밴드(25)는 다이애드(1, 2, 3, 4, 5)를 포함한다. 다이애드(1, 2, 3, 4, 5) 각각은 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함한다. 전형적으로, 다이애드 밴드는 교번하는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함한다. 예를 들어, 층(6, 8, 10, 12, 14)은 흡수성 층일 수 있고, 층(7, 9, 11, 13, 15)은 본질적으로 비흡수성인 층일 수 있다. 대안적으로, 층(6, 8, 10, 12, 14)은 본질적으로 비흡수성인 층일 수 있고, 층(7, 9, 11, 13, 15)은 흡수성 층일 수 있다. 다이애드(1, 2, 3, 4, 5)의 두께는 d1에 의해 나타낼 수 있다. 층(6, 8, 10, 12, 14)이 흡수성 층을 나타내고, 층(7, 9, 11, 13, 15)이 본질적으로 비흡수성인 층을 나타낼 때, 각각의 다이애드에 대한 흡수 재료 분율(δ1)은 다이애드의 두께로 나눈 (h1에 의해 나타낸) 흡수성 층의 두께의 비에 의해 나타낼 수 있다.
도 8을 다시 참조하면, 밴드(125)는 유사하게 다이애드(101, 102, 103, 104, 105, 106)를 포함한다. 다이애드(101, 102, 103, 104, 105, 106) 각각은 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함한다. 전형적으로, 다이애드 밴드는 교번하는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 포함한다. 예를 들어, 층(107, 109, 111, 113, 115, 117)은 흡수성 층일 수 있고, 층(108, 110, 112, 114, 116, 118)은 본질적으로 비흡수성인 층일 수 있다. 대안적으로, 층(107, 109, 111, 113, 115, 117)은 본질적으로 비흡수성인 층일 수 있고, 층(108, 110, 112, 114, 116, 118)은 흡수성 층일 수 있다. 다이애드(101, 102, 103, 104, 105, 106)의 두께는 d2에 의해 나타낼 수 있다. 층(107, 109, 111, 113, 115, 117)이 흡수성 층을 나타내고, 층(108, 110, 112, 114, 116, 118)이 본질적으로 비흡수성인 층을 나타 낼 때, 각각의 다이애드에 대한 흡수 재료 분율(δ2)은 다이애드의 두께로 나눈 (h2에 의해 나타낸) 흡수성 층의 두께의 비에 의해 나타낼 수 있다.
도 8은 선택적인 기판(30), 선택적인 중간층 및/또는 전사 층(40), 및 선택적인 리셉터(50)를 추가로 도시한다.
도 8에 도시된 실시예에 있어서, 각각의 다이애드에 대한 흡수성 재료 분율(δ)은 본질적으로 동일하고, 밴드(25) 내의 각각의 다이애드는 본질적으로 동일한 두께(d1)를 갖고, 밴드(125) 내의 각각의 다이애드는 본질적으로 동일한 두께(d2)를 갖고, 일정한 출력이 밴드마다 흡수되고, 최소 피크 출력이 밴드마다 흡수된다. 도 8에 도시된 구성은, 두께 및 단일 다이애드 스택 내의 단위 깊이당 평균 광 흡수율을 제어하는 것이 가능한 도 6에 도시된 것과 유사한 구성을, 예를 들어 미국 특허 제6,228,555호, 제6,468,715호, 및 제6,689,538호(모두 호펜드 주니어 등에게 허여됨)에서 설명된 바와 같은 층상화된(예컨대, 이중층) LTHC 층과 조합한다. 도 8에 도시된 바와 같은 이중 또는 다중 밴드 LTHC 층은 재료의 복수의 얇은 층으로부터 형성될 수 있는데, 이는 그렇지 않으면 열 유도성 인위적인 결과로 이어질 것이다.
도 9는 목표 선형 프로파일 LTHC 층(실선) 대 게르마늄-MgF의 8개의 다이애드를 각각 포함하는 2개의 밴드를 갖는 도 8에 도시된 바와 같은 다층 단계형 LTHC 층(점선)에 대한 흡수 및 투과되는 출력의 분율의 비교를 도시한다. 도 9에서, 각각의 밴드는 도 4에 도시된 것과 유사한 구성을 사용함으로써 일정한 흡수율을 갖 도록 선택되었다. 2개의 밴드에 대한 흡수율의 조합은 선형 프로파일을 근사화하도록 선택되었다.
모든 특허, 특허 출원, 및 공보, 그리고 전자적으로 입수가능한 본 명세서에서 언급된 자료의 완전한 개시가 참고로 포함되었다. 전술한 상세한 설명 및 예는 단지 이해를 명확히 하기 위해 주어진 것이다. 그로부터 어떠한 불필요한 제한도 유추되어서는 안된다. 당업자에게 자명한 변화가 청구의 범위에 의해 한정되는 본 발명의 범주 내에 포함될 것이므로, 본 발명은 도시되고 설명된 정확한 상세 사항으로 제한되지 않는다.

Claims (31)

  1. 적어도 2개의 다이애드(dyad)를 포함하는 층들의 스택(stack)을 포함하며,
    각각의 다이애드는,
    흡수성 제1 층; 및
    본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고,
    적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 본질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는 열 전사 도너 요소용 기판 필름.
  2. 제1항에 있어서, 적어도 2개의 다이애드는 교번하는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 갖는 스택을 형성하는 기판 필름.
  3. 제1항에 있어서, 기판 필름의 적어도 하나의 표면 상에 스킨 층을 추가로 포함하는 기판 필름.
  4. 제1항에 있어서, 기판 필름의 양 표면 상에 스킨 층을 추가로 포함하는 기판 필름.
  5. 본질적으로 비흡수성인 기판; 및
    기판의 적어도 일부분 상의 광열 변환 층을 포함하고,
    광열 변환 층은 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 적어도 제1 스택을 포함하고,
    층들의 제1 스택의 적어도 2개의 다이애드 각각은,
    흡수성 제1 층; 및
    본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고,
    적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 본질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는 열 전사 도너 요소.
  6. 제5항에 있어서, 기판과 광열 변환 층 사이에 배치된 하층(underlayer)을 추가로 포함하는 열 전사 도너 요소.
  7. 제5항에 있어서, 광열 변환 층의 적어도 일부분 상에 열 전사 층을 추가로 포함하는 열 전사 도너 요소.
  8. 제5항에 있어서, 광열 변환 층의 적어도 일부분 상에 중간층(interlayer)을 추가로 포함하는 열 전사 도너 요소.
  9. 제8항에 있어서, 중간층의 적어도 일부분 상에 열 전사 층을 추가로 포함하는 열 전사 도너 요소.
  10. 제5항에 있어서, 층들의 제1 스택의 적어도 2개의 다이애드는 교번하는 흡수성 층 및 본질적으로 비흡수성인 층을 갖는 층들의 스택을 형성하는 열 전사 도너 요소.
  11. 제5항에 있어서, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께는 본질적으로 동일한 열 전사 도너 요소.
  12. 제11항에 있어서, 각각의 다이애드에 대한 제1 층의 두께 및 제2 층의 두께는 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 흡수되는 총 출력이 본질적으로 동일하도록 선택되는 열 전사 도너 요소.
  13. 제11항에 있어서, 흡수성 재료의 분율은 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일한 열 전사 도너 요소.
  14. 제5항에 있어서, 흡수성 재료의 분율은 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일하고, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드의 두께는 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일한 흡수되는 총 출력을 제공하도록 선택되는 열 전사 도너 요소.
  15. 제5항에 있어서, 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 제2 스택을 추가 로 포함하고, 흡수성 재료의 분율은 층들의 제2 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일하고, 추가로 흡수성 재료의 분율은 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드에 대해 본질적으로 동일한 열 전사 도너 요소.
  16. 제15항에 있어서, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께는 본질적으로 동일하고, 층들의 제2 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께는 본질적으로 동일하고, 층들의 제1 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께는 층들의 제2 스택 내의 각각의 다이애드의 총 두께와 상이한 열 전사 도너 요소.
  17. 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 스택을 형성하는 단계를 포함하고,
    각각의 다이애드는,
    흡수성 제1 층; 및
    본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고,
    적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 본질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는, 열 전사 도너 요소용 기판 필름의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 층들의 스택을 형성하는 단계는 적어도 2개의 다이애드 및 기부 층을 공압출하는 단계를 포함하는 방법.
  19. 본질적으로 비흡수성인 기판을 제공하는 단계; 및
    기판의 적어도 일부분 상에 적어도 2개의 다이애드를 포함하는 층들의 스택을 형성하는 단계를 포함하고,
    적어도 2개의 다이애드 각각은,
    흡수성 제1 층; 및
    본질적으로 비흡수성인 제2 층을 포함하고,
    적어도 2개의 다이애드들의 각각의 흡수성 제1 층은 본질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는, 열 전사 도너 요소의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서, 형성 단계는 적어도 하나의 다이애드의 제1 층 및 제2 층을 압출하는 단계를 포함하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 압출 단계는 적어도 하나의 다이애드의 제1 층 및 제2 층을 공압출하는 단계를 포함하는 방법.
  22. 제19항에 있어서, 형성 단계는 적어도 2개의 다이애드의 각각의 층을 기판 상으로 공압출하는 단계를 포함하는 방법.
  23. 제19항에 있어서, 광열 변환 층의 적어도 일부분 상에 열 전사 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  24. 본질적으로 비흡수성인 기판을 제공하는 단계;
    기판의 적어도 일부분 상에 흡수성 제1 층을 형성하는 단계; 및
    흡수성 제1 층의 적어도 일부분 상에 본질적으로 비흡수성인 제2 층을 형성하는 단계를 포함하고,
    본질적으로 비흡수성인 기판의 조성은 본질적으로 비흡수성인 제2 층의 조성과 본질적으로 동일한, 열 전사 도너 요소의 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서, 제1 층을 형성하는 단계는 제1 층을 압출하는 단계를 포함하는 방법.
  26. 제24항에 있어서, 제2 층을 형성하는 단계는 제2 층을 압출하는 단계를 포함하는 방법.
  27. 제24항에 있어서, 제1 층을 형성하는 단계 및 제2 층을 형성하는 단계는 제1 층 및 제2 층을 공압출하는 단계를 포함하는 방법.
  28. 제24항에 있어서, 제1 층을 형성하는 단계 및 제2 층을 형성하는 단계는 제1 층 및 제2 층을 기판 상으로 공압출하는 단계를 포함하는 방법.
  29. 제24항에 있어서, 제1 층을 형성하는 단계 및 제2 층을 형성하는 단계는 제1 층, 제2 층, 및 기판을 공압출하는 단계를 포함하는 방법.
  30. 제24항에 있어서, 제2 층의 적어도 일부분 상에 열 전사 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  31. 제7항에 따른 열 전사 도너 요소를 제공하는 단계;
    도너 요소의 열 전사 층을 리셉터 기판에 인접하게 위치시키는 단계; 및
    광열 변환 층에 의해 흡수되어 열로 변환될 수 있는 이미지 형성 방사선으로 도너 요소를 선택적으로 조사함으로써 도너 요소로부터 리셉터 기판으로 열 전사 층의 일부를 열 전사하는 단계
    를 포함하는 선택적 열 물질 전사 방법.
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