KR20090004527A - 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 509
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 402
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 189
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 134
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 56
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 152
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 51
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 503
- 239000010408 film Substances 0.000 description 156
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 45
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 45
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 45
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 23
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 19
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYVIOMJSKUGJLV-UHFFFAOYSA-N [Ir+2] Chemical compound [Ir+2] VYVIOMJSKUGJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- -1 aromatic amine compound Chemical class 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-phenylanilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMFUWUVTKIEZJL-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n,2-tris(4-methylphenyl)-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C(C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 XMFUWUVTKIEZJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=CC2=C1 OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=C21 JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIOSHTLNZVXJOF-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(3-oxobutanoylamino)benzenesulfonic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=C(NC(=O)CC(C)=O)C(S(O)(=O)=O)=C1 DIOSHTLNZVXJOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC=CC=C3C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C(=CC=CC=4)C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNHPNCZSKTUPMB-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(4-phenylphenyl)anthracene Chemical compound C=12C=CC=CC2=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C2=CC(C(C)(C)C)=CC=C2C=1C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 MNHPNCZSKTUPMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C=C21 WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 3-N,6-N,9-triphenyl-3-N,6-N-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazole-3,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC(=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 description 1
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWSKWYAKBATHET-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyltetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC2=CC=CC=C2C=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 DWSKWYAKBATHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC=CC=C2C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(3,5-diphenylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=C(C=C(C=3)C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(4-methylnaphthalen-1-yl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C)C2=CC=CC=C12 YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 9-(2-phenylphenyl)-10-[10-(2-phenylphenyl)anthracen-9-yl]anthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMEREKGOHXKHMI-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C(C)=C1 FMEREKGOHXKHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAPHUPWIHDYTKU-UHFFFAOYSA-N 9-ethyl-3-[2-[4-[4-[2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical group C1=CC=C2C3=CC(C=CC4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)C=CC=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYGJKGEGNTQBK-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-(10-phenylanthracen-9-yl)anthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 NBYGJKGEGNTQBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDJHPPZKZZWAKF-UHFFFAOYSA-N DMBD Natural products CC(=C)C(C)=C SDJHPPZKZZWAKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001649081 Dina Species 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 Chemical compound [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N [azido(phenoxy)phosphoryl]oxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(N=[N+]=[N-])OC1=CC=CC=C1 SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229950005499 carbon tetrachloride Drugs 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N ctk3i0272 Chemical group C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(=C1C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C(C=4C(=C(C=5C=CC=CC=5)C(C=5C=CC=CC=5)=C(C=5C=CC=CC=5)C=4C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=3)=C3C=CC=CC3=2)C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXQLCOXANMQO-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-n-phenyl-4-(10-phenylanthracen-9-yl)aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 AGBXQLCOXANMQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZYZZKOUCVXTOJ-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-(9,9-dimethylfluoren-2-yl)anilino)phenyl]phenyl]-9,9-dimethyl-n-phenylfluoren-2-amine Chemical group C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 VZYZZKOUCVXTOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-1-yl-9-phenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(N(C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O thiamine pyrophosphate Chemical compound CC1=C(CCOP(O)(=O)OP(O)(O)=O)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
복수의 증착 재료를 사용하여, 원하는 다른 증착 재료를 포함한 층을 용이하게 형성하고, 그 다른 증착 재료를 포함한 층을 포함한 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 제1 기판 위에, 층마다 각각 다른 증착 재료를 포함한 복수의 층을 적층 하고, 제1 전극을 가지는 제2 기판을 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하고, 제1 기판 위의 증착 재료를 포함한 복수의 층을 가열함으로써, 제2 기판에 설치된 제1 전극 위에, 다른 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 다른 증착 재료를 포함한 층 위에 제2 전극을 형성해서 발광 장치를 제조한다.
발광, 증착, 전극, 재료, 기판, 가열
Description
본 발명은 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 화합물은 무기 화합물에 비해, 다양한 구조를 취할 수 있고, 적절한 분자 설계에 의해 여러 가지 기능을 가지는 재료를 합성할 수 있는 가능성이 있다. 이러한 이점 때문에, 최근, 기능성 유기재료를 사용한 포토일렉트로닉스나 일렉트로닉스가 주목을 받고 있다.
예를 들면 유기 화합물을 기능성 유기재료로 사용한 일렉트로닉스 디바이스의 예로서, 태양전지나 발광소자, 유기 트랜지스터 등을 들 수 있다. 이것들은 유기 화합물의 전기물성 및 광물성을 이용한 디바이스이며, 특히 발광소자는 놀라운 발전을 보여주고 있다.
발광소자의 발광 기구는, 한 쌍의 전극 간에 ＥＬ층을 끼워서 전압을 인가함으로써, 음극으로부터 주입된 전자 및 양극으로부터 주입된 정공이 ＥＬ층의 발광중심에서 재결합해서 분자여기자를 형성하고, 그 분자여기자가 기저상태로 완화될 때에 에너지를 방출해서 발광한다고 알려져 있다. 여기 상태에는 단일항 여기와 삼 중항 여기가 알려져 있고, 발광은 어느 여기 상태를 통해서도 가능하다고 여겨지고 있다.
발광소자를 구성하는 ＥＬ층은 적어도 발광층을 가진다. 또한 ＥＬ층은, 발광층 이외에, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층 등을 가지는 적층 구조로 할 수도 있다.
발광층은 발광 재료만으로 형성할 수도 있지만, 발광 파장이나 발광 효율 등의 원하는 특성을 얻기 위해서, 호스트 재료 및 불순물 재료를 조합한 구성으로 하는 것이 알려져 있다. 예를 들면 본 출원인은, 호스트 재료 및 불순물 재료를 포함한 발광소자를 특허문헌 1에 개시하고 있다.
또한 ＥＬ층을 형성하는 ＥＬ재료는 저분자계(모노머계) 재료와 고분자계(폴리머계) 재료로 대별된다. 일반적으로, 저분자계 재료는, 증착 장치를 사용해서 성막되는 경우가 많다. 종래의 증착 장치는 기판 홀더에 기판을 설치하고, ＥＬ재료, 즉 증착 재료를 봉입한 도가니(또는 증착 보트)와, 승화하는 ＥＬ재료의 상승을 방지하는 셔터와, 도가니 내의 ＥＬ재료를 가열하는 히터를 구비한다. 그리고 상기 히터에 의해 가열된 ＥＬ재료가 승화하고, 기판에 성막된다. 예를 들면 본 출원인은, 기판에 대하여 증착원을 상대적으로 이동시킬 수 있는 증착 장치를 특허문헌 2에 개시하고 있다.
[특허문헌 1] 일본국 공개특허공보 특개 2004-288439호
[특허문헌 2] 일본국 공개특허공보 특개 2004-043965호
종래의 증착 장치를 사용하여, 호스트 재료 및 불순물 재료를 포함한 유기 화합물층을 형성할 경우, 복수의 도가니에 각각 호스트 재료, 불순물 재료를 봉입하고, 공증착을 행하는 방법이 알려져 있다. 발광층을 형성할 경우, 불순물 재료는 호스트 재료에 대하여 극소량 첨가되는 것이다. 그 때문에 호스트 재료의 증착 레이트에 대하여 불순물 재료의 증착 레이트가 극히 작아지도록 제어할 필요가 있고, 증착 레이트의 정밀한 제어가 필요하게 된다.
그러나 도가니를 사용해서 증착을 행할 경우, 도가니 내의 온도분포가 불균일해지기 쉬워, 일정한 증착 레이트를 유지하는 것은 곤란하다. 특히, 호스트 재료 및 불순물 재료와 같은 이종재료를 공증착할 경우, 증착 레이트를 각각 정밀하게 제어하는 것은 상당히 곤란하다.
상기 문제를 감안해서, 본 발명은 복수의 증착 재료를 사용하여, 원하는 다른 증착 재료를 포함한 층을 용이하게 형성할 수 있는 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 복수의 재료가 포함되는 층을, 정밀도 좋게 형성할 수 있는 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 상기 방법을 사용해서 성막한 다른 증착 재료를 포함한 층을 포함한 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1 기판 위에, 층마다 각각 다른 증착 재료를 포함한 복수의 층을 적층한다. 제1 전극을 가지는 제2 기판을 제1 기판과 대향하는 위치에 배치한다. 제1 기판 위의 증착 재료를 포함한 복수의 층을 가열함으로써, 제2 기판에 설치된 제1 전극 위에, 다른 증착 재료를 포함한 층을 형성한다. 다른 증착 재료를 포함한 층 위에 제2 전극을 형성해서 발광 장치를 제조한다.
상기 구성에 있어서, 증착 재료를 포함한 복수의 층은, 제1 기판측에 증착 온도가 낮은 증착 재료를 포함하도록 적층 되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 증착 재료를 포함한 복수의 층을 효율적으로 승화시킬 수 있고, 증착할 수 있다. 이때, 본 명세서에 있어서 「증착 온도」란, 재료가 승화하는 온도를 나타낸다.
또한 증착 재료를 포함한 복수의 층은, 제1 증착 재료를 포함한 층, 제2 증착 재료를 포함한 층, 제1 증착 재료를 포함한 층, 제2 증착 재료를 포함한 층과 같이 2개의 증착 재료를 포함한 층을 교대로 적층해도 좋다. 또한 각 층의 막 두께를 제어함으로써, 피성막 기판에 성막된 층 중의 각 증착 재료의 혼합비를 제어할 수 있다.
또한 상기 구성에 있어서, 증착 재료를 포함한 복수의 층은, 여러 가지 방법을 사용해서 형성할 수 있지만, 증착 재료를 포함한 복수의 층 중 적어도 일층은, 습식법으로 형성되는 것이 바람직하다. 습식법은 재료 이용 효율이 높기 때문에, 습식법을 사용함으로써, 발광 장치를 제조하는 비용을 절감할 수 있다.
본 명세서에 개시하는 발명의 하나는, 제1 기판 위에, 층마다 각각 다른 증 착 재료를 포함한 복수의 층을 적층 하고, 제1 전극을 가지는 제2 기판을 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하고, 제1 기판 위의 증착 재료를 포함한 복수의 층을 가열함으로써, 제2 기판에 설치된 제1 전극 위에, 다른 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 다른 증착 재료를 포함한 층 위에 제2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이다.
또한 본 명세서에서 개시하는 발명의 하나는, 제1 기판 위에, 층마다 각각 다른 증착 재료를 포함한 복수의 층을 적층 하고, 제2 기판을 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하고, 제1 기판 위의 증착 재료를 포함한 복수의 층을 가열함으로써, 제2 기판 위에, 다른 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 다른 증착 재료를 포함한 층 위에, 발광층을 형성하고, 발광층 위에, 제2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이다.
또한 본 명세서에서 개시하는 발명의 하나는, 제1 기판 위에, 층마다 각각 다른 증착 재료를 포함한 복수의 층을 적층 하고, 제1 전극 위에 발광층이 형성되어 있는 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하고, 제1 기판 위의 증착 재료를 포함한 복수의 층을 가열함으로써, 제2 기판에 설치된 발광층 위에, 다른 증착 재료를 포함한 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이다.
또한 본 명세서에서 개시하는 발명의 하나는, 제1 기판 위에, 제1 증착 재료를 포함한 제1층을 형성하고, 제1층 위에, 제2 증착 재료를 포함한 제2층을 형성하고, 제1 전극을 가지는 제2 기판을 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하고, 제1 기 판 위의 제1층 및 제2층을 가열함으로써, 제2 기판에 설치된 제1 전극 위에, 제1 증착 재료와 제2 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 제1 증착 재료와 제2 증착 재료를 포함한 층 위에, 제2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이다.
또한 본 명세서에서 개시하는 발명의 하나는, 제1 기판 위에, 제1 증착 재료를 포함한 제1층을 형성하고, 제1층 위에, 제2 증착 재료를 포함한 제2층을 형성하고, 제2층 위에, 제1 증착 재료를 포함한 제3층을 형성하고, 제1 전극을 가지는 제2 기판을 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하고, 제1 기판 위의 제1층, 제2층 및 제3층을 가열함으로써, 제2 기판에 설치된 제1 전극 위에, 제1 증착 재료와 제2 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 제1 증착 재료와 제2 증착 재료를 포함한 층 위에, 제2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이다.
또한 본 명세서에서 개시하는 발명의 하나는, 제1 전극 위에, 제1 증착 재료를 포함한 층과 제2 증착 재료를 포함한 층을 교대로 적층하고, 제1 전극을 가지는 제2 기판을 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하고, 제1 기판 위의 제1 증착 재료를 포함한 층과 제2 증착 재료를 포함한 층을 가열함으로써, 제2 기판에 설치된 제1 전극 위에, 제1 증착 재료와 제2 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 제1 증착 재료와 제2 증착 재료를 포함한 층 위에, 제2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이다.
또한 본 명세서에서 개시하는 발명의 하나는, 제1 기판 위에, 제1 증착 재료를 포함한 제1층을 형성하고, 제1층 위에, 제2 증착 재료를 포함한 제2층을 형성하 고, 제2층 위에, 제3 증착 재료를 포함한 제3층을 형성하고, 제1 전극을 가지는 제2 기판을 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하고, 제1 기판 위의 제1층, 제2층 및 제3층을 가열함으로써, 제2 기판에 설치된 제1 전극 위에, 제1 증착 재료와 제2 증착 재료와 제3 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 제1 증착 재료와 제2 증착 재료와 제3 증착 재료를 포함한 층 위에 제2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법이다.
상기 구성에 있어서, 제1 증착 재료의 증착 온도는, 제2 증착 재료의 증착 온도보다도 낮은 것이 바람직하다. 이때, 본 명세서에 있어서 「증착 온도」란, 재료가 승화하는 온도를 나타낸다.
또한 상기 구성에 있어서, 제1 증착 재료는 유기물이며, 제2 증착 재료는 무기물인 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 유기물과 무기물을 포함한 층을 재료 효율 높게 성막할 수 있다.
이때, 본 명세서에서는, 제1 기판 위에 형성된 증착원이 되는 증착 재료를 포함한 복수의 층의 표면과 제2 기판의 표면과의 간격을 거리 d라고 한다. 또한 제2 기판 위에 어떠한 층(예를 들면 전극으로서 기능하는 도전층이나 분리벽으로서 기능하는 절연층 등)이 형성되어 있을 경우, 거리 d는, 제1 기판 위에 형성된 층의 표면과, 제2 기판 위에 형성된 층의 표면과의 거리로 정의한다. 다만, 제2 기판 또는 제2 기판 위에 형성된 층의 표면에 요철을 가지는 경우에는, 거리 d는, 제1 기판 위에 형성된 층의 표면과, 제2 기판 또는 제2 기판 위에 형성된 층의 최표면과의 사이의 가장 짧은 거리로 정의한다.
본 발명에 의해, 증착 온도가 다른 복수의 재료가 포함되는 층을, 용이하게 형성할 수 있다. 또한 복잡한 제어를 필요로 하지 않고, 정밀도 좋게 원하는 다른 복수의 재료를 포함한 층을 얻을 수 있다. 또한 얻어진 다른 복수의 재료를 포함한 층을 가지는 발광 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시의 형태에 대해서, 도면을 사용해서 이하에 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 주지 및 그 범위에서 일탈하지 않고, 그 형태 및 상세한 내용을 다양하게 변경할 수 있다는 것은, 당업자라면 용이하게 이해한다. 따라서, 본 발명이 이하에 나타내는 실시의 형태의 기재 내용에 한정해서 해석되는 것은 아니다. 이때, 이하에 설명하는 본 발명의 구성에 있어서, 같은 것을 가리키는 부호는 다른 도면간에서 공통되어서 사용할 경우가 있다.
(실시의 형태 1)
본 발명에 따른 발광 장치의 제조 방법을, 도 1을 사용하여 설명한다.
도 1에 있어서, 제1 기판(100) 위에, 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)이 적층 되어 있다. 이들 복수의 층은, 본 발명에 따른 증착원이다. 본 발명에 따른 증착원은, 증착 재료를 포함한 복수의 층이 적층 되어 있기 때문에, 공증착법과는 달리, 복수의 증착 재료를 포함하고 있어도 증착원은 단수가 된다.
제1 기판(100)은 증착원이 되는 증착 재료를 포함한 복수의 층을 성막하는 기판이며, 증착 재료를 포함한 복수의 층의 지지 기판이 된다. 제1 기판(100)으로 서는, 예를 들면 석영, 세라믹, 또는 사파이어 등의 산화물기판이나, 금, 백금, 구리, 은, 텅스텐, 탄탈, 티타늄, 또는 알루미늄 등의 금속재료 및 이것들의 합금재료로 이루어지는 도전성 기판을 사용할 수 있다. 또한 산화물기판 위에, 전술한 금속재료나 합금재료를 성막한 기판 등을 사용할 수 있다. 그 외, 실리콘, 게르마늄 등의 반도체재료를 성막한 도전성 기판을 사용할 수 있다. 또한 투광성을 가지는 기판(유리 기판, 석영 기판, 무기재료를 포함한 플라스틱 기판 등) 위에 아모포스 실리콘 막, 미결정 실리콘 막을 형성한 것을 사용해도 된다. 이때, 제1 기판을 가열하는 수단으로서, 램프광이나 레이저광을 사용했을 경우에는, 그들 빛을 흡수하는 재료를 사용해서 제1 기판을 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면 제1 기판을 가열하는 수단으로서 할로겐 램프를 사용했을 경우에는, 할로겐 램프로부터의 빛을 흡수하는 티타늄을 제1 기판으로 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 증착원은, 제1 기판 위에, 증착 재료를 포함한 복수의 층이 적층 되어 있다. 도 1에서는, 증착원으로서, 증착 재료를 포함한 층이 2층 적층 되어 있는 구성에 대해서 나타내고 있다. 이때, 증착 재료를 포함한 층은, 2층에 한정되지 않고, 3층 이상 적층 해도 좋다. 또한 제1 증착 재료를 포함한 층, 제2 증착 재료를 포함한 층, 제1 증착 재료를 포함한 층과 같이, 교대로 적층해도 좋다. 교대로 적층함으로써, 제1 증착 재료와 제2 증착 재료를 보다 균일하게 혼합할 수 있다. 즉, 교대로 혼합함으로써 각 증착 재료가 보다 균일하게 적층된 층을 얻을 수 있다. 이들 증착 재료를 포함한 층의 막 두께 등을 제어함으로써, 피성막 기판에 성막된 층에 있어서의 각 재료의 혼합비를 제어할 수 있다.
이때, 증착 재료를 포함한 복수의 층은, 제1 기판측에 증착 온도가 낮은 증착 재료를 포함하도록 적층 되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 증착 재료를 포함한 복수의 층을 효율적으로 승화시킬 수 있고, 증착할 수 있다. 이때, 본 명세서에 있어서 「증착 온도」이란, 재료가 승화하는 온도를 나타낸다.
예를 들면, 도 1에서는, 제1 증착 재료를 포함한 층(111) 위에 제2 증착 재료를 포함한 층(112)이 형성되어 있는 경우를 나타내고 있다. 제1 증착 재료와 제2 증착 재료는, 다른 증착 재료다. 제1 기판측에 설치된 제1 증착 재료는, 제2 증착 재료보다도 증착 온도가 낮은 것이 바람직하다.
증착 재료를 포함한 복수의 층은 여러 가지 방법에 의해 형성된다. 예를 들면, 건식법인 진공증착법, 스퍼터링법 등을 사용할 수 있다. 또한 습식법인 스핀 코트법, 잉크젯법, 딥 코트법, 캐스트법, 다이 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 바 코트법, 그라비아 코트법, 또는 인쇄법 등을 사용할 수 있다. 이들 습식법을 사용해서 증착원을 형성하기 위해서는, 원하는 증착 재료를 용매에 용해 혹은 분산시켜, 용액 혹은 분산액을 조정하면 좋다. 용매는 증착 재료를 용해 혹은 분산시킬 수 있고, 또한 증착 재료와 반응하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 클로로포름, 테트라클로로메탄, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 또는 클로로벤젠 등의 할로겐계 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, n-프로필메틸케톤, 또는 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 벤젠, 톨루엔, 또는 크실렌 등의 방향족계 용매, 아세트산 에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 n-부틸, 프로피온산 에 틸, γ-부티로락톤, 또는 탄산 디에틸 등의 에스테르계 용매, 테트라히드로푸란, 또는 디옥산 등의 에테르계 용매, 디메틸포름아미드, 또는 디메틸아세트아미드 등의 아미드계 용매, 디메틸 술폭시드, 헥산, 또는 물 등을 사용할 수 있다.
또한 습식법에 의해, 증착 재료를 포함한 층을 적층할 경우에는, 이미 형성된 층이 용해되기 어려운 용매를 사용하여, 층을 적층 하면 좋다. 습식법을 사용함으로써, 재료의 이용 효율을 높일 수 있고, 발광 장치를 제조하는 비용을 절감할 수 있다.
이때, 증착 재료로서는, 유기물, 무기물에 상관없이, 여러 가지 재료를 사용할 수 있다. 예를 들면 유기물로서는, 발광 장치에 사용되는 발광 재료, 캐리어 수송 재료 등을 들 수 있다. 또한 무기물로서는, 발광 장치의 캐리어 수송층이나 캐리어 주입층, 전극 등에 사용되는 금속산화물, 금속질화물, 할로겐화금속, 금속단체 등을 들 수 있다.
또한 본 발명의 제조 방법은, 같은 용매에는 용해되지 않는 또는 분산되지 않는 복수의 증착 재료를 포함한 층을 형성할 경우에 특히 효과적이다. 즉, 복수의 증착 재료가 같은 용매에 혼합되지 않는 또는 분산되지 않는 경우, 습식법을 사용해서 혼합층을 직접 형성하는 것은 곤란하다. 그러나 본 발명의 제조 방법을 사용함으로써, 그러한 복수의 증착 재료를 포함한 층을 용이하게 형성할 수 있다.
다음에 제1 기판(100)을 성막실 내에 반입한다. 다음에 제1 기판(100)의 증착 재료를 포함한 복수의 층이 설치된 기판면에 대향하는 제2 기판(102)을 배치한다. 제2 기판(102)은, 증착 처리에 의해 원하는 층이 성막되는 피성막 기판이다. 그리고 성막실 내의 제1 기판(100)과 제2 기판(102)을 가까운 거리, 구체적으로는 제1 기판(100)에 설치된 증착 재료를 포함한 복수의 층의 표면과 제2 기판(102)과의 거리 d를, 0mm 이상 50mm 이하, 바람직하게는 0mm 이상 10mm 이하가 되도록 가깝게 해서 대향시킨다(도 1a 참조). 더 바람직하게는, 0mm 이상 1mm 이하가 되도록 가깝게 해서 대향시킨다. 이렇게 제1 기판(100)과 제2 기판(102)을 아주 가까운 거리로 배치함으로써, 성막에 있어서의 재료의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.
이때, 거리 d는 제1 기판(100) 위에 형성된 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)의 표면과, 제2 기판(102)의 표면과의 거리로 정의한다. 또한, 제2 기판(102) 위에 어떠한 층(예를 들면 전극으로서 기능하는 도전층이나 분리벽으로서 기능하는 절연층 등)이 형성되어 있을 경우, 거리 d는, 제1 기판 위의 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)의 표면과, 제2 기판(102) 위에 형성된 층의 표면과의 거리로 정의한다. 다만, 제2 기판 또는 제2 기판 위에 형성된 층의 표면에 요철을 가지는 경우에는, 거리 d는, 제1 기판(1000 위의 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)의 표면과, 제2 기판(102) 또는 제2 기판(102) 위에 형성된 층의 최표면과의 사이의 가장 짧은 거리로 정의한다.
여기에서는 재료의 이용 효율을 향상시키기 위해서, 제1 기판(100)과 제2 기판(102)의 기판 간의 거리는 좁은 편이 바람직하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 재료의 이용 효율을 고려하지 않는다면, 제1 기판(100)과 제2 기판(102)의 거리 d는 50mm보다 커도 좋다.
또한 제2 기판(102) 위에 어떠한 층이 형성되어 있지 않고 평탄한 경우에는, 제1 기판(100) 위의 증착 재료를 포함하는 복수의 층(104)의 표면과 제2 기판 위의 피성막면은 접하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 거리 d는 0mm보다 큰 것이 바람직하다.
성막실 내는, 진공 배기해 두는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 진공도가 5×10-3Pa 이하, 바람직하게는 10-4Pa 내지 10-6Pa 정도인 범위까지 진공 배기한다. 성막실에 연결해서 설치되는 진공 배기 수단은, 대기압으로부터 1Pa 정도를 오일 프리의 드라이 펌프로 진공 배기하고, 그 이상의 압력은 자기부상형 터보 분자펌프 또는 복합 분자펌프에 의해 진공 배기한다. 성막실에는 수분을 제거하기 위해서 크라이오 펌프를 병설해도 좋다. 이렇게 함으로써, 배기 수단으로부터 주로 기름 등의 유기물에 의한 오염을 방지하고 있다. 내벽면은, 전해연마에 의해 경면처리하고, 표면적을 줄여서 가스 방출을 방지한다.
또한 성막실 내에는, 가열 수단이 설치된다. 제1 기판(100)은 가열 수단의 근방에 배치된다. 도 1에서는 가열 수단으로서 히터(110)를 설치하는 예를 게시한다. 이때, 가열 수단은 특별히 한정되지 않고, 단시간에 균일한 가열을 행할 수 있으면 되고, 예를 들면 램프도 좋고, 저항가열방식을 이용해도 좋다. 또한 제1 기판(100)으로서 도전성 기판을 적용하고, 상기 도전성 기판에 전류를 흐르게 함으로써 가열을 행할 수도 있다. 이 경우, 제1 기판(100)은 지지 기판이며, 또한 가열 수단으로서의 기능도 가진다.
다음에 제1 기판(100)에 설치된 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)을 가열 해서 증발시켜, 대향해서 배치된 제2 기판(102)의 피성막면(도 1에서는 아래쪽 면)에 다른 증착 재료를 포함한 층(121)을 성막한다(도 1b 참조).
이와 같이 하여, 제2 기판(102)의 한쪽의 면, 구체적으로는 제1 기판(100)에 대향하는 기판면에 다른 증착 재료를 포함한 층(121)을 형성할 수 있다. 이때 성막되는 다른 증착 재료를 포함한 층(121)의 막 두께는, 증착원이 되는 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)의 막 두께에 의존한다. 이때, 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)을 형성하는 재료에 따라서는, 다른 증착 재료를 포함한 층(121)과 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)의 막 두께를, 대략 같게 할 수도 있다. 즉, 증착원에 의해, 증착 처리에 의해 형성하는 층의 막 두께를 제어할 수도 있다.
또한 가열처리의 조건에 의해, 피성막 기판에 성막된 층 중의 각 재료의 농도 분포를 제어할 수 있다. 예를 들면 온도 상승 속도를 작게 하여, 천천히 가열했을 경우에는, 성막된 층 중의 각 재료의 농도는, 균일해지지 않고, 농도 기울기를 가진다. 또한 플래시 램프 등을 사용해서 온도 상승 속도를 크게 하여, 급속 가열을 행했을 경우에는, 성막된 층 중의 각 재료의 농도는 거의 균일해진다. 이렇게, 적절히 요구하는 특성에 따라, 피성막 기판에 성막된 층 중의 각 재료의 농도 분포를 제어할 수 있다. 또한 본 실시의 형태에서 나타내는 성막 방법을 반복하는 것에 의해, 성막된 층 중의 각 재료의 농도를 보다 균일하게 할 수 있다. 구체적으로는, 제1 피성막 기판에 성막된 층을 증착원으로 사용해서 제2 피성막 기판에 증착하면 좋다. 이 처리를 반복하는 것에 의해, 보다 균일한 농도 분포를 가지는 혼합층을 형성할 수 있다.
본 실시의 형태에서는, 증착원이 되는 증착 재료를 포함한 복수의 층을 기판 위에 건식법 또는 습식법을 사용해서 성막한 것을 사용하고 있다. 특히, 습식법을 사용해서 증착원을 형성하는 것이 바람직하다. 습식법을 사용해서 증착원을 형성했을 경우, 증착원을 대면적화하는 것이 용이해진다. 즉, 피성막 기판과 같은 정도의 면적을 가지는 증착원을 형성하는 것을 용이하게 할 수 있다. 이렇게 함으로써 종래의 도가니나 증착 보트를 사용하던 경우보다도 증착원 전체를 단시간에 균일하게 가열할 수 있다. 따라서, 피성막 기판인 제2 기판에 정밀도 좋게 다른 증착 재료를 포함한 층을 성막할 수 있다. 또한, 증착원을 형성하는 제1 기판과, 피성막 기판인 제2 기판과의 거리 d를 좁힘으로써, 증착 재료가 제2 기판 이외(예를 들면 성막실 내벽 등)로 비산하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 증착 재료를 손실하는 일 없이, 피성막 기판에 다른 증착 재료를 포함한 층을 성막할 수 있다.
증착 재료를 포함한 복수의 층은, 증착 온도가 다른 복수의 증착 재료를 포함한 층이 적층 되어 있다. 또한 제1 기판(100)측에 증착 온도가 낮은 증착 재료를 포함하도록 적층 되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 증착 재료를 포함한 복수의 층을 효율적으로 승화시킬 수 있고, 증착할 수 있다. 예를 들면 제1 기판(100) 위에 형성된 복수의 증착 재료의 증착 온도가 비슷할 경우, 제1 기판(100)측에 설치된 증착 온도가 낮은 증착 재료의 증착 온도로 가열함으로써 증착 재료를 포함한 복수의 층을 증착할 수 있다.
증착 재료를 포함한 복수의 층의 가열은, 성막실 내에 설치된 가열 수단을 이용해서 행한다. 예를 들면 도 1에 나타낸 바와 같이, 히터(110)를 설치할 경우, 가열 전(증착 전)에는 제1 기판(100)으로부터 히터(110)를 떨어뜨려 두고, 가열시에 제1 기판(100)에 히터(110)를 접근시키는 구성으로 해도 된다. 또한 히터(110)에 연동하는 스위치를 설치하여, 온 오프함으로써 가열 및 단열을 제어해도 좋다. 가열 수단으로서 램프를 사용하는 경우에는, 램프의 점등 및 소등에 의해, 가열 및 단열을 제어할 수 있다. 또한 가열 수단과 제1 기판(100)의 사이에 개폐식 셔터를 설치해서 가열 및 단열을 제어해도 좋다.
또한 가열 수단으로서 램프를 사용할 경우, 성막실의 내벽의 일부를 투광성 부재로 하고, 성막실의 외측에 램프를 배치해도 좋다. 성막실의 외측에 램프를 배치하면, 램프의 라이트 벌브의 교환 등의 메인티넌스를 간편하게 할 수 있다.
또한 제1 기판(100)으로서 도전성 기판을 사용하여, 상기 도전성 기판에 전류를 흘려보내서 가열을 행할 수도 있다. 예를 들면 도 2a에 나타낸 바와 같이, 도전성 기판인 제1 기판(100)과 전기적으로 접속하는 전원(150) 및 스위치(152)를 설치한다. 그리고 도 2b에 나타낸 바와 같이, 스위치(152)를 온 함으로써, 제1 기판(100)에 전류를 흘려보내서 가열을 행할 수 있다. 증착 재료를 포함한 복수의 층은, 제1 기판(100)에 전류를 흐르게 하는 것에 의해 가열되어서 증발하고, 제2 기판(102)에 다른 증착 재료를 포함한 층(121)을 형성할 수 있다. 이때, 이 경우에는 제1 기판(100)은 가열 수단의 일부로서의 기능도 가진다.
이때, 도 1a 및 도 1b에서는 제1 기판(100)과 제2 기판(102)이 같은 크기인 예를 게시하지만, 특별히 한정되지 않고, 한쪽의 기판이 다른 쪽의 기판보다 큰 면적을 갖고 있어도 된다.
또한 피성막 기판에 선택적으로 성막을 행할 경우에는, 제1 기판(100)과 제2 기판(102)의 사이에, 개구부를 가지는 마스크를 배치하면 좋다.
본 발명에 따른 발광 장치에 적용하는 성막 방법은, 증착 온도가 다른 증착 재료를 포함한 층을 복수 층 적층한 것을 증착원으로 사용하고 있다. 증착원에 함유되는 증착 재료를 균일하게 증발시킬 수 있고, 증착원과 같은 증착 재료를 대략 같은 중량비로 함유하는 다른 증착 재료를 포함한 층을 피성막 기판에 성막할 수 있다. 즉, 증착 재료를 포함한 복수의 층의 막 두께의 제어 등에 의해, 피성막 기판에 성막하는 다른 증착 재료를 포함한 층에 있어서의 중량비를 제어할 수 있다. 이렇게, 본 발명에 따른 성막 방법은, 증착 온도가 다른 복수의 증착 재료를 사용해서 성막할 경우, 공증착과 같이 각각 증착 레이트를 제어할 필요가 없다. 그 때문에 증착 레이트 등의 복잡한 제어를 행하지 않고, 원하는 다른 증착 재료를 포함한 층을 용이하게 정밀도 좋게 성막할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 발광 장치에 적용하는 성막 방법은, 지지 기판에 형성한 증착원의 막 두께에 의해, 증착 처리에 의해 피성막 기판에 성막되는 다른 증착 재료를 포함한 층의 막 두께를 제어할 수 있다. 즉, 지지 기판에 형성한 증착원을 그대로 증착하면 되기 때문에, 막 두께 모니터를 필요로 하지 않는다. 따라서, 막 두께 모니터를 이용한 증착 속도의 조절을 사용자가 행할 필요가 없고, 성막 공정을 전자동화할 수 있다. 따라서 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 성막 방법은, 원하는 증착 재료를 손실하지 않고, 피성막 기판에 성막할 수 있다. 따라서, 증착 재료의 이용 효율이 향상되고, 비용 절감 을 꾀할 수 있다. 또한 성막실 내벽에 증착 재료가 부착되는 것도 방지할 수 있고, 성막 장치의 메인티넌스를 간편하게 할 수 있다.
따라서, 본 발명을 적용함으로써 원하는 다른 증착 재료를 포함한 층의 성막이 용이해져, 해당 다른 증착 재료를 포함한 층을 사용한 발광 장치 등의 제조에 있어서의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
이때, 본 실시의 형태는, 본 명세서에서 나타내는 다른 실시의 형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시의 형태 2)
본 실시의 형태에서는, 본 발명을 적용하여, 발광 장치를 제조하는 방법에 관하여 설명한다.
예를 들면 도 3a, 3b에 나타내는 발광소자를 제조할 수 있다. 도 3a에 나타내는 발광소자는, 기판(300) 위에 제1 전극층(302), 발광층(304)으로서 기능하는 ＥＬ층, 제2 전극층(306)이 순차적으로 적층 되어 설치되어 있다. 제1 전극층(302) 및 제2 전극층(306)의 어느 한쪽은 양극으로서 기능하고, 다른 쪽은 음극으로서 기능한다. 양극으로부터 주입되는 정공 및 음극으로부터 주입되는 전자가 발광층(304)에서 재결합하여, 발광을 얻을 수 있다. 본 실시의 형태에 있어서, 발광층(304)은 호스트 재료에 발광 재료인 극소량의 불순물 재료가 분산된 혼합층으로 형성된다. 또한 제1 전극층(302)을 양극으로 하고, 제2 전극층(306)을 음극으로 한다.
또한 도 3b에 나타내는 발광소자에는, 상기의 도 3a에 나타내는 구성에 더해 서, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층이 설치된다. 정공수송층은, 양극과 발광층의 사이에 설치된다. 또한 정공주입층은 양극과 발광층과의 사이, 또는 양극과 정공수송층과의 사이에 설치된다. 한편, 전자수송층은, 음극과 발광층과의 사이에 설치된다. 전자주입층은 음극과 발광층과의 사이, 또는 음극과 전자수송층과의 사이에 설치된다. 이때, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 모두 설치할 필요는 없고, 적절히 요구하는 기능 등에 따라 선택해서 설치하면 된다. 도 3b에서는 기판(300) 위에, 양극으로서 기능하는 제1 전극층(302), 정공주입층(322), 정공수송층(324), 발광층(304), 전자수송층(326), 전자주입층(328), 및 제2 전극층(306)이 순차적으로 적층 되어 설치되는 것으로 한다.
기판(300)은 절연 표면을 가지는 기판 또는 절연 기판을 적용한다. 구체적으로는, 알루미노 실리케이트 유리, 알루미노 보로실리케이트 유리, 바륨 보로실리케이트 유리와 같은 전자공업용에 사용되는 각종 유리 기판, 석영 기판, 세라믹 기판 또는 사파이어 기판 등을 사용할 수 있다.
제1 전극층(302) 또는 제2 전극층(306)에는, 여러 가지 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 및 이것들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 예를 들면 산화인듐-산화주석(ＩＴＯ:Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ), 규소 혹은 산화규소를 함유한 산화인듐-산화주석, 산화인듐-산화아연(ＩＺＯ:Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ), 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐(ＩＷＺＯ) 등을 들 수 있다. 이들 도전성 금속산화물막은, 보통 스퍼터에 의해 성막되지만, 졸-겔법 등을 응용해서 제조해도 상관없다. 예를 들면 산화인듐-산화아연(ＩＺＯ)은, 산화인듐에 대하여 1∼20wt%의 산화아연을 가한 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 형성할 수 있다. 또한 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐(ＩＷＺＯ)은, 산화인듐에 대하여 산화텅스텐을 0.5∼5wt%、산화아연을 0.1∼1wt% 함유한 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 형성할 수 있다. 이밖에, 금(Ａｕ), 백금(Ｐｔ), 니켈(Ｎｉ), 텅스텐(Ｗ), 크롬(Ｃｒ), 몰리브덴(Ｍｏ), 철(Ｆｅ), 코발트(Ｃｏ), 구리(Ｃｕ), 팔라듐(Ｐｄ), 또는 금속재료의 질화물(예를 들면 질화티타늄) 등을 들 수 있다. 또한 알루미늄(Ａｌ), 은(Ａｇ), 알루미늄을 포함한 합금(ＡｌＳｉ) 등을 사용할 수 있다. 또한 일함수가 작은 재료인, 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Ｌｉ)이나 세슘(Ｃｓ) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Ｍｇ), 칼슘(Ｃａ), 스트론튬(Ｓｒ) 등의 알칼리 토금속, 및 이것들을 포함한 합금(알루미늄, 마그네슘과 은과의 합금, 알루미늄과 리튬의 합금), 유로퓸(Ｅｕ), 이테르븀(Ｙｂ) 등의 희토류 금속 및 이것들을 포함한 합금 등을 사용할 수도 있다. 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 이것들을 포함한 합금의 막은, 진공증착법을 사용해서 형성할 수 있다. 또한 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함한 합금은 스퍼터링법에 의해 형성하는 것도 가능하다. 또한 은 페이스트 등을 잉크젯법 등에 의해 성막하는 것도 가능하다. 또한 제1 전극층(302) 및 제2 전극층(306)은, 단층 막에 한정되지 않고, 적층막으로 형성할 수도 있다.
이때, 발광층(304)에서 발광하는 빛을 외부로 추출하기 위해서, 제1 전극층(302) 또는 제2 전극층(306)의 어느 한쪽 또는 양쪽은, 발광을 통과시키도록 형성한다. 예를 들면, 인듐 주석 산화물 등의 투광성을 가지는 도전 재료를 사용해서 형성하거나, 은, 알루미늄 등을 수ｎｍ 내지 수십ｎｍ의 두께가 되도록 형성한다. 또한 막 두께를 얇게 한 은, 알루미늄 등의 금속박막과, ＩＴＯ막 등의 투광성을 가지는 도전 재료를 사용한 박막과의 적층 구조로 할 수도 있다. 이때, 제1 전극층(302) 또는 제2 전극층(306)은, 여러 가지 방법을 사용해서 형성하면 된다.
발광층(304), 정공주입층(322), 정공수송층(324), 전자수송층(326) 또는 전자주입층(328)은, 상기 실시의 형태 1에 나타낸 성막 방법을 적용해서 형성할 수 있다. 또한 전극층을 상기 실시의 형태 1에 나타낸 성막 방법을 적용해서 형성할 수도 있다.
예를 들면 도 3a에 나타내는 발광소자를 형성할 경우, 지지 기판 위에 발광층을 형성하는 증착원이 되는 증착 재료를 포함한 복수의 층을 형성하고, 그 지지 기판을 피성막 기판에 대향시켜서 배치한다. 지지 기판 위에 형성된 증착 재료를 포함한 복수의 층을 가열해서 증발시켜, 피성막 기판 위에 발광층(304)을 형성한다. 그리고 발광층(304) 위에 제2 전극층(306)을 형성한다. 피성막 기판은, 여기에서는 기판(300)이다. 이때, 피성막 기판 위에는, 미리 제1 전극층(302)을 형성해 둔다. 발광층을 형성하는 증착원이 되는 증착 재료를 포함한 복수의 층은, 발광 재료를 분산시키는 물질(호스트 재료)을 포함한 층과 발광 재료(불순물 재료)를 포함한 층이 적층된 구성으로 되어 있다. 이러한 구성의 증착원을 사용해서 발광층을 형성함으로써, 발광층(304)은 발광 재료를 분산시키는 물질(호스트 재료)과 발광 재료(불순물 재료)를 포함하고, 발광 재료를 분산시키는 물질(호스트 재료)에 발광 재료(불순물 재료)가 분산된 구성이 된다.
발광층으로서, 발광성이 높은 물질(불순물 재료)을 다른 물질(호스트 재료) 에 분산시킨 구성을 사용함으로써, 발광층의 결정화를 억제할 수 있다. 또한 발광성이 높은 물질의 농도가 높은 것에 의한 농도 소광을 억제할 수 있다. 이때, 발광층으로서, 2종류 이상의 호스트 재료와 불순물 재료를 사용해도 되고, 2종류 이상의 불순물 재료와 호스트 재료를 사용해도 된다. 또한 2종류 이상의 호스트 재료 및 2종류 이상의 불순물 재료를 사용해도 된다.
발광층에 사용하는 호스트 재료로서는, 예를 들면 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭:ＮＰＢ), 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄(ＩＩＩ)(약칭:Ａｌｑ), 4,4'-비스[N-(9,9-디메틸플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]비페닐(약칭:ＤＦＬＤＰＢｉ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)(4-페닐페놀라토)알루미늄(ＩＩＩ)(약칭:ＢＡｌｑ) 등의 기타, 4,4'-디(9-카르바졸일)비페닐(약칭:ＣＢＰ), 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭:t-ＢｕＤＮＡ), 9-[4-(9-카르바졸일)페닐]-10-페닐안트라센(약칭:ＣｚＰＡ) 등을 들 수 있다.
또한 불순물 재료로서는, 예를 들면 인광성 화합물이나 형광성 화합물을 사용할 수 있다. 인광성 화합물로서는, 구체적으로는,(아세틸아세토나토)비스(2,3,5-트리페닐피라지나토)이리듐(ＩＩＩ)(약칭:[Ｉｒ(ｔｐｐｒ)2(ａｃａｃ)]), 비스[2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(ＩＩＩ)피콜리나토(약칭:ＦＩｒｐｉｃ), 트리스(2-페닐피리디나토-N,C2')이리듐(ＩＩＩ)(약칭:Ｉｒ(ｐｐｙ)3), 비스(2-페닐피리디나토-N,C2')이리듐(ＩＩＩ)아세틸아세토나토(약칭:Ｉｒ(ｐｐｙ)2(ａ ｃａｃ)), 비스(2-페닐벤조티아졸라토-N,C2')이리듐(ＩＩＩ)아세틸아세토나토(약칭:Ｉｒ(ｂｔ)2(ａｃａｃ)), 트리스(2-페닐퀴놀리나토-N,C2')이리듐(ＩＩＩ)(약칭:Ｉｒ(ｐｑ)3), 비스(2-페닐퀴놀리나토-N,C2')이리듐(ＩＩＩ)아세틸아세토나토(약칭:Ｉｒ(ｐｑ)2(ａｃａｃ)), 비스[2-(2'-벤조[4,5-α]티에닐)피리디나토-N,C3']이리듐(ＩＩＩ)아세틸아세토나토(약칭:Ｉｒ(ｂｔｐ)2(ａｃａｃ)), 비스(1-페닐이소퀴놀리나토-N,C2')이리듐(ＩＩＩ)아세틸아세토나토(약칭:Ｉｒ(ｐｉｑ)2(ａｃａｃ)), (아세틸아세토나토)비스[2,3-비스(4-플루오르페닐)퀴녹살리나토]이리듐(ＩＩＩ)(약칭:Ｉｒ(Ｆｄｐｑ)2(ａｃａｃ)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타 에틸-21H,23H-포르피린 백금(ＩＩ)(약칭:ＰｔＯＥＰ) 등을 들 수 있다. 또한 형광성 화합물로서는, 구체적으로는 페릴렌, 2,5,8,11-테트라(tert-부틸)페릴렌(약칭:ＴＢＰ), 4,4'-비스[2-(N-에틸카르바졸-3-일)비닐]비페닐(약칭:ＢＣｚＶＢｉ), 5,12-디페닐테트라센, N,N'-디메틸 퀴나크리돈(약칭:ＤＭＱｄ), N,N'-디페닐 퀴나크리돈(약칭:ＤＭＱｄ), 4-디시아노메틸렌-2-이소프로필-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딘-9-일)에테닐]-4H-피란(약칭:ＤＣＪＴＩ), 루브렌, 쿠마린 6, 쿠마린 30 등을 들 수 있다. 그 외, 9-(4-{N-[4-(카르바졸-9-일)페닐]-N-페닐아미노}페닐)-10-페닐안트라센(약칭:ＹＧＡＰＡ) 등을 사용할 수도 있다.
또한 도 3b에 나타내는 각종 기능층이 적층된 발광소자를 형성하는 경우에 는, 지지 기판 위에 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 그 지지 기판을 피성막 기판에 대향해서 배치하고, 지지 기판 위에 형성된 증착 재료를 포함한 층을 가열해서 증발시켜, 피성막 기판 위에 기능층을 형성하는 순서를 반복하면 된다. 예를 들면 지지 기판 위에 정공주입층을 형성하는 증착원이 되는 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 그 지지 기판을 피성막 기판에 대향해서 배치한 후, 지지 기판 위에 형성된 증착 재료를 포함한 층을 가열해서 증발시켜, 피성막 기판 위에 정공주입층(322)을 형성한다. 피성막 기판은 여기에서는 기판(300)이며, 미리 제1 전극층(302)이 설치된다. 이어서, 지지 기판 위에 정공수송층을 형성하는 증착원이 되는 증착 재료를 포함한 층을 형성하고, 그 지지 기판을 피성막 기판에 대향해서 배치한 후, 지지 기판 위에 형성된 증착 재료를 포함한 층을 가열해서 증발시켜, 피성막 기판 위의 정공주입층(322) 위에 정공수송층(324)을 형성한다. 그 후, 마찬가지로 발광층(304), 전자수송층(326), 전자주입층(328)을 순차적으로 적층 해서 형성한 후, 제2 전극층(306)을 형성한다.
정공주입층(322), 정공수송층(324), 전자수송층(326) 또는 전자주입층(328)은, 여러 가지 ＥＬ재료를 사용해서 형성하면 좋다. 각 층을 형성하는 재료는 1종류로 해도 되고, 복수 종류의 복합재료로 해도 된다. 복합재료를 사용해서 형성하는 경우에는, 상기 실시의 형태 1에 나타낸 바와 같이, 증착 재료를 포함한 복수의 층을 적층 해서 증착원을 형성하면 좋다. 1종류의 재료를 사용해서 형성할 경우에도, 상기 실시의 형태 1에 나타낸 성막 방법을 적용할 수 있다. 구체적으로는, 원하는 재료를 용매에 용해 또는 분산시킨 것을 습식으로 도포하여, 증착원이 되는 증착 재료를 포함한 층을 형성하면 된다. 또한 정공주입층(322), 정공수송층(324), 전자수송층(326) 또는 전자주입층(328)은, 각각 단층 구조로 해도 되고, 적층 구조로 해도 된다. 예를 들면 정공수송층(324)을, 제1 정공수송층 및 제2 정공수송층으로 이루어진 적층 구조로 해도 된다. 또한 전극층에 대해서도 실시의 형태에서 나타낸 성막 방법을 적용할 수 있다.
예를 들면 실시의 형태 1에 나타낸 증착원을 사용하여, 정공주입층을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 정공수송성이 높은 물질을 포함한 층과 전자수용성을 나타내는 물질을 포함한 층을 적층한 것을 증착원으로 사용함으로써, 정공수송성이 높은 물질과 전자수용성을 나타내는 물질을 포함한 층을 형성하여, 정공주입층으로 사용할 수 있다.
정공수송성이 높은 물질과 전자수용성을 나타내는 물질을 포함한 층은, 캐리어 밀도가 높고, 정공주입성이 우수하다. 또한 정공수송성이 높은 물질과 전자수용성을 나타내는 물질을 포함한 층을, 양극으로서 기능하는 전극에 접하는 정공주입층으로 사용함으로써, 양극으로서 기능하는 전극재료의 일함수의 대소에 상관없이, 여러 가지 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 및 이것들의 혼합물 등을 사용할 수 있다.
정공주입층에 사용하는 전자수용성을 나타내는 물질로서는, 7,7,8,8-테트라시아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노디메탄(약칭:F4-ＴＣＮＱ), 클로르아닐 등을 들 수 있다. 또한 전이금속산화물을 들 수 있다. 또 주기율표에 있어서의 4족 내지 8 족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화바나듐, 산화니오브, 산화탄탈, 산화크롬, 산화몰리브덴, 산화텅스텐, 산화망간, 산화레늄은 전자수용성이 높기 때문에 바람직하다. 그 중에서도 특히, 산화몰리브덴은 대기중에서도 안정적이며, 흡습성이 낮고, 취급하기 쉽기 때문에 바람직하다.
정공주입층에 사용하는 정공수송성이 높은 물질로서는, 방향족 아민 화합물, 카르바졸 유도체, 방향족 탄화수소, 고분자화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등) 등, 여러 가지 화합물을 사용할 수 있다. 이때, 정공주입층에 사용하는 정공수송성이 높은 물질로서는, 10-6cm2/Vs 이상의 정공이동도를 가지는 물질인 것이 바람직하다. 단, 전자보다도 정공의 수송성이 높은 물질이면, 이것들 이외의 것을 사용해도 된다. 이하에서는, 정공주입층에 사용할 수 있는 정공의 수송성이 높은 물질을 구체적으로 열거한다.
예를 들면 정공주입층에 사용할 수 있는 방향족 아민 화합물로서는, N,N'-비스(4-메틸페닐)(p-톨릴)-N,N'-디페닐-p-페닐렌디아민(약칭:ＤＴＤＰＰＡ), 4,4'-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭:ＤＰＡＢ), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)비페닐(약칭:ＤＮＴＰＤ), 1,3,5-트리스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭:ＤＰＡ3Ｂ) 등을 들 수 있다.
정공주입층에 사용할 수 있는 카르바졸 유도체로서는, 구체적으로는, 3-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭:ＰＣｚＰＣＡ1), 3,6- 비스[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭:ＰＣｚＰＣＡ2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카르바졸-3-일)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭:ＰＣｚＰＣＮ1) 등을 들 수 있다.
또한 정공주입층에 사용할 수 있는 카르바졸 유도체로서는, 4,4'-디(N-카르바졸일)비페닐(약칭:ＣＢＰ), 1,3,5-트리스[4-(N-카르바졸일)페닐]벤젠(약칭:ＴＣＰＢ), 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭:ＣｚＰＡ), 1,4-비스[4-(N-카르바졸일)페닐]-2,3,5,6-테트라페닐벤젠 등을 사용할 수 있다.
또한 정공주입층에 사용할 수 있는 방향족 탄화수소로서는, 예를 들면 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭:t-ＢｕＤＮＡ), 2-tert-부틸-9,10-디(1-나프틸)안트라센, 9,10-비스(3,5-디페닐페닐)안트라센(약칭:ＤＰＰＡ), 2-tert-부틸-9,10-비스(4-페닐페닐)안트라센(약칭:t-ＢｕＤＢＡ), 9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭:ＤＮＡ), 9,10-디페닐안트라센(약칭:ＤＰＡｎｔｈ), 2-tert-부틸안트라센(약칭:t-ＢｕＡｎｔｈ), 9,10-비스(4-메틸-1-나프틸)안트라센(약칭:ＤＭＮＡ), 9,10-비스[2-(1-나프틸)페닐]-2-tert-부틸-안트라센, 9,10-비스[2-(1-나프틸)페닐]안트라센, 2,3,6,7-테트라메틸-9,10-디(1-나프틸)안트라센, 2,3,6,7-테트라메틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센, 9,9'-비안트릴, 10,10'-디페닐-9,9'-비안트릴, 10,10'-비스(2-페닐페닐)-9,9'-비안트릴, 10,10'-비스[(2,3,4,5,6-펜타페닐)페닐]-9,9'-비안트릴, 안트라센, 테트라센, 루브렌, 페릴렌, 2,5,8,11-테트라(tert-부틸)페릴렌 등을 들 수 있다. 또한 이 밖에, 펜타센, 코로넨 등도 사용할 수 있다. 이 렇게, 1×10-6cm2/Vs 이상의 정공이동도를 가지고, 탄소수 14∼42인 방향족 탄화수소를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
이때, 정공주입층에 사용할 수 있는 방향족 탄화수소는, 비닐 골격을 갖고 있어도 된다. 비닐기를 가지고 있는 방향족 탄화수소로서는, 예를 들면 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐(약칭:ＤＰＶＢｉ), 9,10-비스[4-(2,2-디페닐비닐)페닐]안트라센(약칭:ＤＰＶＰＡ) 등을 들 수 있다.
이들 정공수송성이 높은 물질을 포함한 층과, 전자수용성을 나타내는 물질을 포함한 층을 적층한 증착원을 사용함으로써 정공주입층을 형성할 수 있다. 전자수용성을 나타내는 물질로서 금속산화물을 사용했을 경우에는, 제1 기판 위에 정공수송성이 높은 물질을 포함한 층을 형성한 후, 금속산화물을 포함한 층을 형성하는 것이 바람직하다. 금속산화물은, 정공수송성이 높은 물질보다도 증착 온도가 높은 경우가 많기 때문이다. 이러한 구성의 증착원으로 함으로써, 정공수송성이 높은 물질과 금속산화물을 효율적으로 승화시킬 수 있다. 또한 증착해서 형성한 막에 있어서 국소적인 농도의 기울기를 억제할 수 있다. 또한 정공수송성이 높은 물질과 금속산화물을 모두 용해시키는 또는 분산시키는 용매는 종류가 적고, 혼합 용액을 형성하기 어렵다. 따라서, 습식법을 사용해서 혼합층을 직접 형성하는 것은 곤란하다. 그러나 본 발명의 제조 방법을 사용함으로써, 정공수송성이 높은 물질과 금속산화물을 포함한 혼합층을 용이하게 형성할 수 있다.
또한 정공수송성이 높은 물질과 전자수용성을 나타내는 물질을 포함한 층은, 정공주입성뿐만 아니라, 정공수송성도 뛰어나기 때문에, 전술한 정공주입층을 정공수송층으로 사용해도 된다.
이때, ＥＬ층(308)은, 층의 적층 구조에 관해서는 특별히 한정되지 않고, 전자수송성이 높은 물질 또는 정공수송성이 높은 물질, 전자주입성이 높은 물질, 정공주입성이 높은 물질, 바이폴라성(전자 및 정공의 수송성이 높은 물질) 물질 등을 포함한 층과, 발광층을 적절히 조합하여 구성하면 좋다.
발광은 제1 전극층(302) 또는 제2 전극층(306)의 어느 한쪽 또는 모두를 통해 외부로 추출된다. 따라서, 제1 전극층(302) 또는 제2 전극층(306)의 어느 한쪽 또는 모두는, 투광성을 가지는 전극이다. 제1 전극층(302)만이 투광성을 가지는 전극일 경우, 빛은 제1 전극층(302)을 통해서 기판(300)측에서 추출된다. 또한 제2 전극층(306)만이 투광성을 가지는 전극일 경우, 빛은 제2 전극층(306)을 통해서 기판(300)과 반대측에서 추출된다. 제1 전극층(302) 및 제2 전극층(306)이 모두 투광성을 가지는 전극일 경우, 빛은 제1 전극층(302) 및 제2 전극층(306)을 통해서, 기판(300)측 및 기판(300)측과 반대측의 양쪽에서 추출된다.
이때, 도 3에서는, 양극으로서 기능하는 제1 전극층(302)을 기판(300)측에 설치한 구성에 대해서 나타냈지만, 음극으로서 기능하는 제2 전극층(306)을 기판(300)측에 형성해도 된다. 도 4에서는, 기판(300) 위에, 음극으로서 기능하는 제2 전극층(306), ＥＬ층(308), 양극으로서 기능하는 제1 전극층(302)이 순차적으로 적층 된 구성으로 되어 있다. ＥＬ층(308)은, 도 3에 나타내는 구성과는 역순으로 적층 되어 있다.
또한 ＥＬ층의 형성 방법으로서는, 실시의 형태 1에 나타낸 성막 방법을 사용하면 되고, 다른 성막 방법과 조합해도 좋다. 또한 각 전극 또는 각 층마다 다른 성막 방법을 사용해서 형성해도 상관없다. 건식법으로서는, 진공증착법, 스퍼터링법 등을 들 수 있다. 또한 습식법으로서는, 잉크젯법 또는 스핀 코트법 등을 들 수 있다.
이상으로, 발광소자를 제조할 수 있다. 본 실시의 형태에 관련되는 발광소자는, 본 발명을 적용함으로써 발광층을 비롯한 각종 기능층을 용이하게 형성할 수 있다. 그리고 이러한 발광소자를 적용하여, 발광 장치를 제조할 수 있다. 예를 들면 본 발명을 적용해서 제조한 패시브 매트릭스형 발광 장치의 예를 도 5, 도 6, 및 도 7을 사용하여 설명한다.
패시브 매트릭스형(단순 매트릭스형이라고도 한다) 발광 장치는, 스트라이프형(띠 형상)으로 병렬된 복수의 양극과, 스트라이프형으로 병렬된 복수의 음극이 서로 직교하도록 설치되어 있고, 그 교차부에 발광층이 끼워진 구조로 되어 있다. 따라서, 선택된(전압이 인가된) 양극과 선택된 음극과의 교점에 해당하는 화소가 점등하게 된다.
도 5a는 밀봉 전에 있어서의 화소부의 평면도를 나타내는 도면이고, 도 5a 중의 쇄선 A-A'로 절단한 단면도가 도 5b이며, 쇄선 B-B'로 절단한 단면도가 도 5c다.
제1 기판(1501) 위에는, 하지절연층으로서 절연층(1504)을 형성한다. 이때, 하지절연층이 필요하지 않으면 특별히 형성하지 않아도 좋다. 절연층(1504) 위에 는, 스트라이프형으로 복수의 제1 전극층(1513)이 동일한 간격으로 배치되어 있다. 또한 제1 전극층(1513) 위에는, 각 화소에 대응하는 개구부를 가지는 분리벽(1514)이 설치되고, 개구부를 가지는 분리벽(1514)은 절연재료(감광성 또는 비감광성 유기재료(폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 레지스트 또는 벤조시클로부텐), 또는 ＳＯＧ막(예를 들면 알킬기를 포함한 ＳｉＯｘ막))으로 구성되어 있다. 이때, 각 화소에 대응하는 개구부가 발광 영역(1521)이 된다.
개구부를 가지는 분리벽(1514) 위에, 제1 전극층(1513)과 교차하는 서로 평행한 복수의 역테이퍼형 분리벽(1522)이 설치된다. 역테이퍼형 분리벽(1522)은 포토리소그래픽법에 따라, 미노광 부분이 패턴으로 남는 포지티브형 감광성 수지를 사용하고, 패턴의 하부가 보다 많이 에칭되도록 노광량 또는 현상 시간을 조절함으로써 형성한다.
또한 평행한 복수의 역테이퍼형 분리벽(1522)을 형성한 직후에 있어서의 사시도를 도 6에 나타낸다. 이때, 도 5와 동일한 부분에는 동일한 부호를 사용하고 있다.
개구부를 가지는 분리벽(1514) 및 역테이퍼형 분리벽(1522)을 합한 높이는, 발광층을 포함한 ＥＬ층 및 제2 전극층이 되는 도전층의 막 두께보다 커지도록 설치한다. 도 6에 나타내는 구성을 가지는 제1 기판에 대하여 발광층을 포함한 ＥＬ층과, 도전층을 적층 형성하면, 도 5에 나타낸 바와 같이, 복수 개 영역으로 분리된, 발광층을 포함한 ＥＬ층(1515R), ＥＬ층(1515G), ＥＬ층(1515B)과, 제2 전극층(1516)이 형성된다. 이때, 복수로 분리된 영역은, 각각 전기적으로 독립되어 있 다. 제2 전극층(1516)은, 제1 전극층(1513)과 교차하는 방향으로 신장하는 서로 평행한 스트라이프형 전극이다. 이때, 역테이퍼형 분리벽(1522) 위에도 발광층을 포함한 ＥＬ층 및 도전층이 형성되지만, 발광층을 포함한 ＥＬ층(1515R, 1515G, 1515B) 및 제2 전극층(1516)과는 분단되어 있다. 이때, 본 실시의 형태에 있어서, ＥＬ층이란 적어도 발광층을 포함한 층이며, 상기 발광층 이외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 또는 전자주입층 등을 포함해도 된다.
여기에서는, 발광층을 포함한 ＥＬ층(1515R, 1515G, 1515B)을 선택적으로 형성하고, 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 풀 컬러 표시 가능한 발광 장치를 형성하는 예를 게시하고 있다. 발광층을 포함한 ＥＬ층(1515R, 1515G, 1515B)은 각각 서로 평행한 스트라이프 패턴으로 형성되어 있다. 이들 ＥＬ층을 형성하기 위해서는, 상기 실시의 형태 1에 나타내는 성막 방법을 적용하면 좋다. 예를 들면 적색의 발광이 얻어지는 발광층의 증착원을 형성한 제1 지지 기판, 녹색의 발광이 얻어지는 발광층의 증착원을 형성한 제2 지지 기판, 청색의 발광이 얻어지는 발광층의 증착원을 형성한 제3 지지 기판을 각각 준비한다. 또한 피성막 기판으로서 제1 전극층(1513)이 설치된 기판을 준비한다. 그리고, 제1 지지 기판, 제2 지지 기판, 또는 제3 지지 기판을, 피성막 기판과 적절히 대향해서 배치하고, 상기 지지 기판에 형성된 증착원을 가열해서 증발시켜, 피성막 기판에 발광층을 포함한 ＥＬ층을 형성한다. 이때, 원하는 장소에 선택적으로 ＥＬ층을 형성하기 위해서, 적절히 마스크 등을 사용한다.
또한 전체 면에 같은 발광 색을 발광하는 발광층을 포함한 ＥＬ층을 형성하 고, 단색의 발광소자를 설치해도 되고, 단색 표시 가능한 발광 장치, 또는 에어리어 컬러 표시 가능한 발광 장치로 해도 된다. 또한 백색발광이 얻어지는 발광 장치로서, 컬러필터와 조합함으로써 풀 컬러 표시 가능한 발광 장치로 해도 된다.
또한 필요하다면, 밀봉캔이나 밀봉을 위한 유리 기판 등의 밀봉재를 사용해서 밀봉한다. 여기에서는, 제2 기판으로서 유리 기판을 사용하고, 씰재 등의 접착재를 사용해서 제1 기판과 제2 기판을 접착시켜, 씰재 등의 접착재로 둘러싸인 공간을 밀폐된 것으로 하고 있다. 밀폐된 공간에는, 충전재나, 건조된 불활성 가스를 충전한다. 또한 발광 장치의 신뢰성을 향상시키기 위해서, 제1 기판과 밀봉재의 사이에 건조재 등을 봉입해도 좋다. 건조재에 의해 미량의 수분이 제거되고, 충분히 건조된다. 또한 건조재로서는, 산화칼슘이나 산화바륨 등과 같은 알칼리 토금속의 산화물과 같은 화학 흡착에 의해 수분을 흡수하는 물질을 사용할 수 있다. 이때, 다른 건조재로서, 제올라이트나 실리카겔 등의 물리 흡착에 의해 수분을 흡착하는 물질을 사용해도 된다.
단, 발광소자를 덮어서 접하는 밀봉재가 설치되고, 충분히 외기와 차단되어 있는 경우에는, 건조재는 특별히 설치하지 않아도 좋다.
이어서, ＦＰＣ 등을 설치한 발광 모듈의 평면도를 도 7에 나타낸다.
이때, 본 명세서중에 있어서의 발광 장치란, 화상표시 디바이스, 발광 디바이스, 혹은 광원(조명 장치를 포함한다)을 가리킨다. 또한 발광 장치에 코넥터, 예를 들면 ＦＰＣ(Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ) 혹은 ＴＡＢ(Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ) 테이프 혹은 ＴＣＰ(Ｔａｐｅ Ｃａｒ ｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ)가 부착된 모듈, ＴＡＢ 테이프나 ＴＣＰ의 앞에 프린트 배선판이 설치된 모듈, 또는 발광소자가 형성된 기판에 ＣＯＧ(Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ) 방식에 의해 ＩＣ(집적회로)가 직접 설치된 모듈도 모두 발광 장치에 포함하는 것으로 한다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 화상표시를 구성하는 화소부는, 주사선군과 데이터선군이 서로 직교하도록 교차하고 있다.
도 5에 있어서의 제1 전극층(1513)이 도 7의 주사선(1603)에 해당하고, 제2 전극층(1516)이 데이터선(1602)에 해당하고, 역테이퍼형 분리벽(1522)이 분리벽(1604)에 해당한다. 데이터선(1602)과 주사선(1603)의 사이에는 발광층을 포함한 ＥＬ층이 끼워져 있고, 영역(1605)으로 표시되는 교차부가 화소 1개분이 된다.
이때, 주사선(1603)은 배선단에서 접속 배선(1608)과 전기적으로 접속되고, 접속 배선(1608)이 입력 단자(1607)를 통해 ＦＰＣ(1609b)에 접속된다. 또한 데이터선(1602)은 입력 단자(1606)를 통해 ＦＰＣ(1609a)에 접속된다.
또한 필요하다면, 사출면에 편광판, 또는 원편광판(타원편광판을 포함한다), 위상차판(λ/4판, λ/2판), 컬러필터 등의 광학 필름을 적절히 형성해도 된다. 또한 편광판 또는 원편광판에 반사 방지막을 형성해도 된다. 예를 들면 표면의 요철에 의해 반사광을 확산하여, 반사를 저감할 수 있는 안티글레어 처리를 실시할 수 있다.
이상으로 패시브 매트릭스형 발광 장치를 제조할 수 있다. 본 발명을 적용함으로써 발광소자를 구성하는 다른 증착 재료를 포함한 층을 용이하게 형성할 수 있 고, 그 발광소자를 가지는 발광 장치의 제조도 간편해진다. 또한 호스트 재료에 불순물 재료가 분산된 발광층을 형성할 경우, 공증착을 적용할 경우와 비교해서 복잡한 제어를 필요로 하지 않는다. 또한, 불순물 재료의 첨가량 등도 제어하기 쉽기 때문에, 용이하게 정밀도 좋게 성막할 수 있고, 원하는 발광 색도 얻기 쉬워진다. 또한 증착 재료의 이용 효율도 향상시킬 수 있기 때문에, 비용 절감을 꾀할 수도 있다.
또한 도 7에서는, 구동회로를 기판 위에 설치하지 않는 예를 게시했지만, 본 발명은 특별히 한정되지 않고, 기판에 구동회로를 가지는 ＩＣ칩을 설치해도 좋다.
ＩＣ칩을 설치할 경우, 화소부의 주변(외측)의 영역에, 화소부에 각 신호를 전송하는 구동회로가 형성된 데이터선측 ＩＣ, 주사선측 ＩＣ를 ＣＯＧ방식에 의해 각각 설치한다. ＣＯＧ방식 이외의 설치 기술로서 ＴＣＰ나 와이어 본딩 방식을 사용해서 설치해도 좋다. ＴＣＰ는 ＴＡＢ 테이프에 ＩＣ를 설치한 것이며, ＴＡＢ 테이프를 소자 형성 기판 위의 배선에 접속해서 ＩＣ를 설치한다. 데이터선측 ＩＣ, 및 주사선측 ＩＣ는, 실리콘 기판을 사용한 것이어도 좋고, 유리 기판, 석영 기판 혹은 플라스틱 기판 위에 ＴＦＴ로 구동회로를 형성한 것이어도 좋다. 또한 한 쪽에 하나의 ＩＣ를 설치한 예를 설명하고 있지만, 한 쪽에 복수 개로 분할해서 설치해도 상관없다.
다음에 본 발명을 적용해서 제조한 액티브 매트릭스형 발광 장치의 예에 대해서, 도 8을 사용하여 설명한다. 이때, 도 8a는 발광 장치를 나타내는 평면도이며, 도 8b는 도 8a를 쇄선 A-A'로 절단한 단면도다. 본 실시의 형태에 관련되는 액 티브 매트릭스형 발광 장치는, 소자 기판(1710) 위에 설치된 화소부(1702)와, 구동회로부(소스측 구동회로)(1701)와, 구동회로부(게이트측 구동회로)(1703)를 가진다. 화소부(1702), 구동회로부(1701), 및 구동회로부(1703)는, 씰재(1705)에 의해, 소자 기판(1710)과 밀봉 기판(1704)의 사이에 밀봉되어 있다.
또한 소자 기판(1710) 위에는, 구동회로부(1701), 및 구동회로부(1703)에 외부로부터의 신호(예를 들면 비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호, 또는 리셋 신호 등)나 전위를 전달하는 외부 입력 단자를 접속하기 위한 인회 배선(1708)이 설치된다. 여기에서는, 외부 입력 단자로서 ＦＰＣ(플랙시블 프린트 서킷)(1709)를 설치하는 예를 게시하고 있다. 또한, 여기에서는 ＦＰＣ밖에 도시하지 않았지만, 이 ＦＰＣ에는 프린트배선기판(ＰＷＢ)이 장착되어 있어도 된다. 본 명세서에 있어서의 발광 장치에는, 발광 장치 본체뿐만 아니라, 거기에 ＦＰＣ 혹은 ＰＷＢ가 부착된 상태도 포함한 것으로 한다.
다음에 단면구조에 대해서 도 8b를 사용하여 설명한다. 소자 기판(1710) 위에는 구동회로부 및 화소부가 형성되어 있지만, 여기에서는, 소스측 구동회로인 구동회로부(1701)와, 화소부(1702)가 나타나 있다.
구동회로부(1701)는 n채널형 ＴＦＴ(1723)와 p채널형 ＴＦＴ(1724)를 조합한 ＣＭＯＳ회로가 형성되는 예를 게시하고 있다. 이때, 구동회로부를 형성하는 회로는, 여러 가지 ＣＭＯＳ회로, ＰＭＯＳ회로 혹은 ＮＭＯＳ회로로 형성해도 좋다. 또한 본 실시의 형태에서는, 기판 위에 구동회로를 형성한 드라이버 일체형을 나타내지만, 반드시 그 필요는 없고, 기판 위가 아닌 외부에 구동회로를 형성할 수도 있다.
또한 화소부(1702)는 스위칭용 ＴＦＴ(1711)와, 전류 제어용 ＴＦＴ(1712)와 그 전류 제어용 ＴＦＴ(1712)의 배선(소스 전극 또는 드레인 전극)에 전기적으로 접속된 제1 전극층(1713)을 포함한 복수의 화소에 의해 형성된다. 이때, 제1 전극층(1713)의 단부를 덮어서 절연물(1714)이 형성되어 있다. 여기에서는, 포지티브형 감광성 아크릴수지를 사용함으로써 형성한다.
또한 상층에 적층 형성되는 막의 피복성을 양호하게 하기 위해서, 절연물(1714)의 상단부 또는 하단부에 곡률을 가지는 곡면이 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들면 절연물(1714)의 재료로서 포지티브형 감광성 아크릴수지를 사용한 경우, 절연물(1714)의 상단부에 곡률반경(0.2μm∼3μm)을 가지는 곡면을 갖게 하는 것이 바람직하다. 또한 절연물(1714)로서, 감광성의 빛에 의해 에칭제에 불용해성이 되는 네거티브형, 또는 빛에 의해 에칭제에 용해성이 되는 포지티브형을 모두 사용할 수 있고, 유기 화합물에 한정되지 않고 무기 화합물, 예를 들면 산화 실리콘, 산질화 실리콘 등을 모두 사용할 수 있다.
제1 전극층(1713) 위에는, 발광층을 포함한 ＥＬ층(1700) 및 제2 전극층(1716)이 적층 형성되어 있다. 제1 전극층(1713)은 상기 제1 전극층(302)에 해당하고, 제2 전극층(1716)은 제2 전극층(306)에 해당한다. 이때, 제1 전극층(1713)을 ＩＴＯ막으로 하고, 제1 전극층(1713)과 접속하는 전류 제어용 ＴＦＴ(1712)의 배선으로서 질화 티타늄 막과 알루미늄을 주성분으로 하는 막과의 적층막, 또는 질화 티타늄 막, 알루미늄을 주성분으로 하는 막, 질화 티타늄 막과의 적층막을 적용하 면, 배선으로서의 저항도 낮고, ＩＴＯ막과의 양호한 오믹 콘택이 얻어진다. 또한, 여기에서는 도시하지 않았지만, 제2 전극층(1716)은 외부 입력 단자인 ＦＰＣ(1709)에 전기적으로 접속되어 있다.
ＥＬ층(1700)에는, 적어도 발광층이 설치되어 있고, 발광층 이외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층을 적절히 설치하는 구성으로 한다. 제1 전극층(1713), ＥＬ층(1700) 및 제2 전극층(1716)과의 적층 구조로, 발광소자(1715)가 형성되어 있다.
또한 도 8b에 나타내는 단면도에서는 발광소자(1715)를 1개만 도시하고 있지만, 화소부(1702)에 있어서, 복수의 발광소자가 매트릭스 모양으로 배치되어 있는 것으로 한다. 화소부(1702)에는, 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광소자를 각각 선택적으로 형성하고, 풀 컬러 표시 가능한 발광 장치를 형성할 수 있다. 또한 전체 면에 같은 발광 색을 발광하는 발광층을 포함한 ＥＬ층을 형성하여, 단색의 발광소자를 형성해도 되고, 단색 표시 가능한 발광 장치, 또는 에어리어 컬러 표시 가능한 발광 장치로 해도 된다. 또한 백색발광이 얻어지는 발광 장치로 하고, 컬러필터와 조합함으로써 풀 컬러 표시 가능한 발광 장치로 해도 된다.
또한 씰재(1705)로 밀봉 기판(1704)을 소자 기판(1710)과 접착하는 것에 의해, 소자 기판(1710), 밀봉 기판(1704), 및 씰재(1705)로 둘러싸인 공간(1707)에 발광소자(1715)가 구비된 구조로 되어 있다. 이때, 공간(1707)에는, 불활성 기체(질소나 아르곤 등)가 충전되는 경우 외에도, 씰재(1705)로 충전되는 구성도 포함하는 것으로 한다.
이때, 씰재(1705)에는 에폭시계 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 이들 재료는 가능한 한 수분이나 산소를 투과하지 않는 재료인 것이 바람직하다. 또한 밀봉 기판(1704)에 사용하는 재료로서 유리 기판이나 석영 기판 외에도, ＦＲＰ(Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ-Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ), ＰＶＦ(폴리비닐 플로라이드), 폴리에스테르 또는 아크릴 등으로 이루어진 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
이상과 같이 해서, 본 발명을 적용해서 발광 장치를 얻을 수 있다. 액티브 매트릭스형 발광 장치는, ＴＦＴ를 제조하기 위해서, 1매당 제조 비용이 상승하기 쉽지만, 본 발명을 적용함으로써 발광소자를 형성할 때의 재료의 손실을 대폭 줄일 수 있다. 따라서, 비용 절감을 꾀할 수 있다. 또한 본 발명을 적용함으로써 호스트 재료에 분산된 발광 재료(불순물 재료)로 이루어지는 발광층도 용이하게 형성할 수 있고, 더욱이 함유하는 발광 재료의 양도 제어하기 쉬워진다.
이때, 본 실시의 형태는, 본 명세서에 나타내는 다른 실시의 형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시의 형태 3)
본 실시의 형태에서는, 본 발명에 따른 발광 장치의 제조를 가능하게 하는 성막 장치의 예에 관하여 설명한다. 본 실시의 형태에 관련되는 성막 장치의 단면의 모식도를 도 9, 도 10에 나타낸다.
도 9a에 있어서, 성막실(801)은, 진공 챔버이며, 제1 게이트 밸브(802), 및 제2 게이트 밸브(803)에 의해 다른 처리실과 연결되어 있다. 또한 성막실(801) 내 에는, 제1 기판 지지 수단(804)인 기판 지지 기구와, 제2 기판 지지 수단(805)인 피성막 기판 지지 기구와, 열원(806)으로서 상하 이동 가능한 히터를 적어도 가지고 있다.
우선, 다른 성막실에서, 지지 기판인 제1 기판(807) 위에 재료층(808)을 형성한다. 본 실시의 형태에 있어서, 제1 기판(807)은 도 1에 나타낸 제1 기판(100)에 해당하고, 재료층(808)은 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)에 해당한다. 여기에서는, 제1 기판(807)으로서, 구리를 주재료로 한 사각평판형 기판을 사용한다. 또한 재료층(808)으로서는, 증착 가능하고, 증착 온도가 다른 복수의 재료가 적층 된 층을 사용한다. 또한, 제1 기판(807)으로서는, 피성막 기판과 면적이 같은, 혹은 그것보다 큰 면적을 가지고 있으면 특별히 형상은 한정되지 않는다. 또한 재료층(808)의 형성 방법은 건식법이나 습식법을 사용할 수 있고, 특히 습식법인 것이 바람직하다. 예를 들면 스핀 코트법, 인쇄법, 또는 잉크젯법 등을 사용할 수 있다.
다른 성막실로부터 제1 기판(807)을 성막실(801)에 반송하고, 기판 지지 기구에 세트한다. 또한 제1 기판(807)에 있어서의 재료층(808)이 형성되어 있는 면과, 피성막 기판인 제2 기판(809)의 피성막면이 대향하도록, 제1 기판(807)을 기판 지지 기구에 고정한다.
제2 기판 지지 수단(805)을 이동시켜서, 제1 기판(807)과 제2 기판(809)의 기판 간격이 거리 d가 되도록 접근시킨다. 이 때 거리 d는 제1 기판(807) 위에 형성된 재료층(808)의 표면과, 제2 기판(809)의 표면과의 거리로 정의한다. 또한 제2 기판(809) 위에 어떠한 층(예를 들면 전극으로서 기능하는 도전층이나 분리벽으로 서 기능하는 절연층 등)이 형성되어 있을 경우, 거리 d는, 제1 기판(807) 상의 재료층(808)의 표면과, 제2 기판(809) 위에 형성된 층의 표면과의 거리로 정의한다. 다만, 제2 기판(809) 또는 제2 기판(809) 위에 형성된 층의 표면에 요철을 가지는 경우에는, 거리 d는, 제1 기판(807) 상의 재료층(808)의 표면과, 제2 기판(809) 또는 제2 기판(809) 위에 형성된 층의 최표면과의 사이의 가장 짧은 거리로 정의한다. 여기에서는, 거리 d를 2mm로 한다. 또한 제2 기판(809)이 석영 기판과 같이 단단하고, 거의 변형(휘어짐, 휨 등)되지 않는 재료이면, 거리 d는 0mm을 하한으로 해서 접근시킬 수 있다. 또한 도 9에서는 기판 간격의 제어는, 기판 지지 기구를 고정하고, 피성막 기판 지지 기구를 이동시키는 예를 게시하고 있지만, 기판 지지 기구를 이동시키고, 피성막 기판 지지 기구를 고정하는 구성으로 해도 된다. 또한 기판 지지 기구와 피성막 기판 지지 기구를 모두 이동시켜도 좋다. 이 때 도 9a에서는 제2 기판 지지 수단(805)을 이동시켜서, 제1 기판과 제2 기판을 접근시켜서 거리 d로 한 단계의 단면을 나타내고 있다.
또한 기판 지지 기구 및 피성막 기판 지지 기구는, 상하 방향뿐만 아니라, 수평 방향으로도 이동시키는 기구로 해도 되고, 정밀한 얼라인먼트를 행하는 구성으로 해도 된다. 또한 정밀한 얼라인먼트나 거리 d의 측정을 행하기 위해서, 성막실(801)에 ＣＣＤ 등의 얼라인먼트 기구를 형성해도 된다. 또한 성막실(801) 내를 측정하는 온도센서나, 습도센서 등을 형성해도 된다.
기판 간격을 거리 d로 유지한 상태에서, 열원(806)을 지지 기판에 접근시킨다. 이때, 균일한 가열이 이루어지도록, 열원(806)과 지지 기판은 넓은 면적으로 접하는 것이 바람직하다. 도 9a에서는 지지 기판의 아래쪽에서 상하 이동 가능한 히터를 사용하고 있다.
열원(806)을 지지 기판에 근접시키면, 직접적인 열전도에 의해 단시간에 지지 기판 위의 재료층(808)을 가열해서 증발시켜, 대향해서 배치된 제2 기판(809)의 피성막면(즉, 하평면)에 증착 재료가 성막된다. 도 9a에 나타내는 성막 장치에 있어서, 미리 제1 기판(807)에 재료층(808)이 균일한 막 두께로 얻어져 있다면, 막 두께 모니터를 설치하지 않더라도, 제2 기판에 막 두께 균일성이 높은 성막을 행할 수 있다. 또한 종래의 증착 장치는, 기판을 회전시켰었지만, 도 9a에 나타내는 성막 장치는, 피성막 기판을 정지시켜서 성막하기 때문에, 깨지기 쉬운 대면적의 유리 기판에의 성막에 적합하다. 또한 도 9a에 나타내는 성막 장치는, 성막 중, 지지 기판도 정지해서 성막한다.
또한 대기시의 열원(히터)의 복사에 의한 지지 기판 위의 재료층(808)에의 열의 영향을 완화하기 위해서, 대기시(증착 처리 전)에는 열원(806)과 제1 기판(807)(지지 기판)과의 거리를 멀게 유지해도 좋다.
또한 도 9a에 나타내는 성막 장치는, 종래의 증착 장치에 비해 대폭 챔버 내의 용적을 작게 할 수 있다. 또한, 챔버 내의 용적을 작게 하기 위해서, 열원(806)과 제1 기판(807)(지지 기판)의 사이에, 단열화를 위한 개폐식 셔터를 설치해도 된다.
또한 열원(806)은 히터에 한정되지 않고, 단시간에 균일한 가열을 행할 수 있는 가열 수단이면 된다. 예를 들면 도 9b에 나타낸 바와 같이, 램프(810)를 설치 해도 된다. 이때, 도 9b에 있어서, 도 9a와 공통인 부분에는 동일한 부호를 사용하여 설명한다. 도 9b에 나타내는 예에서는, 램프(810)는 제1 기판의 아래쪽에 고정해서 설치되어 있고, 램프(810)가 점등한 직후에 제2 기판(809)의 하평면에 성막이 이루어진다. 이때, 도 9b에서는 램프(810)를 점등하기 전의, 제1 기판(807)과 제2 기판(809)을 기판 거리 d까지 접근시킨 단계의 단면을 나타내고 있다.
램프(810)로서는, 플래시 램프(크세논 플래시 램프, 크립톤 플래시 램프 등), 크세논 램프, 메탈 할라이드 램프와 같은 방전등, 할로겐 램프, 텅스텐 램프와 같은 발열등을 사용할 수 있다. 플래시 램프는 단시간(0.1밀리 초 내지 10밀리 초)에 상당히 강도가 높은 빛을 반복하여, 대면적에 조사할 수 있으므로, 제1 기판의 면적에 관계없이, 효율적으로 균일하게 가열할 수 있다. 또한 발광하는 시간의 간격을 변화시킴으로써 제1 기판(807)의 가열의 제어가 가능하다. 또한 플래시 램프는 수명이 길고, 발광 대기시의 소비 전력이 낮기 때문에, 러닝 코스트를 낮게 억제할 수 있다. 또한 플래시 램프를 사용함으로써, 급가열이 용이해지고, 히터를 사용했을 경우의 상하 기구나 셔터 등을 간략화할 수 있다. 따라서, 더욱 성막 장치의 소형화를 꾀할 수 있다.
또한 도 9b에서는 램프(810)를 성막실(801) 내에 설치하는 예를 게시하고 있지만, 성막실의 내벽의 일부를 투광성 부재로 해서, 성막실의 외측에 램프(810)를 배치해도 좋다. 성막실(801)의 외측에 램프(810)를 배치하면, 램프(810)의 라이트 벌브의 교환 등의 메인티넌스를 간편하게 할 수 있다.
또한 도 9c는, 제2 기판(809)의 온도를 조절하는 기구를 구비한 성막 장치의 예를 게시한다. 도 9c에 있어서, 도 9a, 9b와 공통인 부분에는 동일한 부호를 사용하여 설명한다. 도 9c에서는, 제2 기판 지지 수단(805)에 열 매체를 흐르게 하는 튜브(811)가 설치된다. 튜브(811)에, 열 매체로서 냉매를 흐르게 하는 것에 의해, 제2 기판 지지 수단(805)은, 콜드 플레이트로 할 수 있다. 이 때 튜브(811)는 제2 기판 지지 수단(805)의 상하 이동에 추종할 수 있는 구조로 되어 있다. 또한, 여기에서는 냉매 가스나, 액체의 냉매를 흐르게 하는 튜브를 사용한 예를 게시했지만, 냉각하는 수단으로서, 펠티에 소자 등을 제2 기판 지지 수단(805)에 형성해도 된다. 또한 냉각하는 수단이 아닌, 가열하는 수단을 형성해도 된다. 예를 들면 가열하기 위한 열 매체를 튜브(811)에 흐르게 해도 좋다.
증발 재료가 다른 재료층을 적층할 경우에, 도 9c의 성막 장치는 유용하다. 예를 들면 제2 기판에 이미 제1 재료층이 설치되어 있는 경우, 그 위에 제1 재료층보다도 증착 온도가 높은 제2 재료층을 적층할 수 있다. 도 9a에 있어서는, 제2 기판과 제1 기판이 근접하기 때문에, 제2 기판에 미리 성막되어 있는 제1 재료층이, 증발해버릴 우려가 있다. 따라서, 도 9c의 성막 장치로 하면, 냉각 기구에 의해 제2 기판에 미리 성막되어 있는 제1 재료층의 증발을 억제하면서, 제2 재료층을 적층할 수 있다.
또한 냉각 기구뿐만 아니라, 제2 기판 지지 수단(805)에 히터 등의 가열 수단을 형성해도 된다. 제2 기판의 온도를 조절하는 기구(가열 또는 냉각)를 설치함으로써, 기판의 휘어짐 등을 억제할 수 있다.
이때, 도 9a 내지 9c에는, 피성막 기판의 성막면이 아래쪽이 되는 페이스 다 운 방식의 성막 장치의 예를 게시했지만, 도 10에 나타낸 바와 같이, 페이스 업 방식의 성막 장치를 적용할 수도 있다.
도 10a에 있어서, 성막실(901)은, 진공 챔버이며, 제1 게이트 밸브(902), 및 제2 게이트 밸브(903)에 의해 다른 처리실과 연결되어 있다. 또한 성막실(901) 내에는, 제1 기판 지지 수단(905)인 피성막 기판 지지 기구와, 제2 기판 지지 수단(904)인 기판 지지 기구와, 열원(906)으로서 상하 이동 가능한 히터를 적어도 가지고 있다.
성막의 순서는, 우선, 다른 성막실에서, 지지 기판인 제2 기판(907) 위에 재료층(908)을 형성한다. 본 실시의 형태에 있어서, 제2 기판(907)은 도 1에 나타낸 제1 기판(100)에 해당한다. 제2 기판(907)으로서는, 피성막 기판과 면적이 같거나, 그것보다 큰 면적을 가지고 있으면 특별히 형상은 한정되지 않는다. 또한 재료층(908)은 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)에 해당하고, 증착 가능하며, 증착 온도가 다른 복수의 재료를 함유한다. 재료층(908)의 형성 방법은 건식법이나 습식법을 사용할 수 있고, 특히 습식법인 것이 바람직하다. 예를 들면 스핀 코트법, 인쇄법, 또는 잉크젯법 등을 사용할 수 있다.
다른 성막실로부터 제2 기판(907)을 성막실(901)에 반송하고, 기판 지지 기구에 세트한다. 또한 제2 기판(907)에 있어서의 재료층(908)이 형성되어 있는 면과, 제1 기판(909)의 피성막면이, 대향하도록 기판 지지 기구에 제2 기판을 고정한다. 또한 도 10a에 나타낸 바와 같이, 이 구성은, 기판의 성막면이 위쪽이 되기 때문에 페이스 업 방식의 예를 게시하고 있다. 페이스 업 방식의 경우, 휘기 쉬운 대 면적의 유리 기판을 평평한 대에 얹어 놓거나, 복수의 핀으로 지지함으로써 기판의 휨을 없애고, 기판 전체 면에 있어서 균일한 막 두께를 얻을 수 있는 성막 장치로 할 수 있다.
제1 기판 지지 수단(905)을 이동시켜서, 제2 기판(907)과 제1 기판(909)을 근접시켜서 거리 d로 한다. 이때, 거리 d는 제2 기판(907)에 형성된 재료층(908)의 표면과, 제1 기판(909)의 표면과의 거리로 정의한다. 또한 제1 기판(909) 위에 어떠한 층(예를 들면 전극으로서 기능하는 도전층이나 분리벽으로서 기능하는 절연층 등)이 형성되어 있을 경우, 거리 d는, 제2 기판(907)의 재료층(908)의 표면과, 제1 기판(909) 위에 형성된 층의 표면과의 거리로 정의한다. 다만, 제1 기판(909) 또는 제1 기판(909)에 형성된 층의 표면에 요철을 가지는 경우에는, 거리 d는, 제2 기판(907)상의 재료층(908)의 표면과, 제1 기판(909) 또는 제1 기판(909) 위에 형성된 층의 최표면과의 사이의 가장 짧은 거리로 정의한다. 여기에서는, 거리 d를 5mm로 한다. 또한 기판 지지 기구를 고정하고, 피성막 기판 지지 기구를 이동시키는 예를 게시했지만, 기판 지지 기구를 이동시키고, 피성막 기판 지지 기구를 고정하는 구성으로 해도 된다. 또한 기판 지지 기구와 피성막 기판 지지 기구를 모두 이동시켜서 거리 d를 조절해도 좋다.
도 10a에 나타낸 바와 같이, 기판 거리 d를 유지한 상태에서, 열원(906)을 가깝게 해서 지지 기판에 근접시킨다. 이 때 균일한 가열이 이루어지도록, 열원(906)과 지지 기판은 넓은 면적으로 접하는 것이 바람직하다. 도 10a에서는 지지 기판의 위쪽에서 상하 이동 가능한 히터를 사용하고 있다.
열원(906)을 가깝게 해서 지지 기판에 근접시키면, 직접적인 열전도에 의해 단시간에 지지 기판 위의 재료층(908)을 가열해서 증발시켜, 대향해서 배치된 제1 기판(909)의 피성막면(즉, 상평면)에 증착 재료가 성막된다. 이렇게 함으로써 종래의 대용량의 챔버인 증착 장치에 비해 챔버 용량이 대폭 작은 소형의 성막 장치를 실현할 수 있다.
또한 열원(906)은 히터에 한정되지 않고, 단시간에 균일한 가열을 행할 수 있는 가열 수단이면 된다. 예를 들면 도 10b에 나타낸 바와 같이, 램프(910)를 형성해도 된다. 이 때 도 10b에 있어서, 도 10a와 공통인 부분에는 동일한 부호를 사용하여 설명한다. 도 10b에 나타내는 예에서는, 램프(910)는 제2 기판의 위쪽에 고정해서 설치되어 있고, 램프(910)가 점등한 직후에 제1 기판(909)의 상편면에 성막이 이루어진다.
이 때 도 9a 내지 9c 및 도 10a, 10b에서는, 기판 가로 배치 방식의 성막 장치의 예를 게시했지만, 도 10c에 나타낸 바와 같이, 기판 세로 배치 방식의 성막 장치를 적용할 수도 있다.
도 10c에 있어서, 성막실(951)은 진공 챔버다. 또한 성막실(951) 내에는, 제1 기판 지지 수단(954)인 기판 지지 기구와, 제2 기판 지지 수단(955)인 피성막 기판 지지 기구와, 열원으로서 램프(960)를 적어도 가지고 있다.
성막실(951)은, 도시하지 않았지만, 피성막 기판이 세로 배치로 반송되는 제1 반송실과 연결되어 있다. 또한 도시하지 않았지만, 지지 기판이 세로 배치로 반송되는 제2 반송실과 연결되어 있다. 또한 본 명세서에서는, 기판면이 수평면에 대 하여 수직에 가까운 각도(70도 내지 110도의 범위)로 하는 것을 기판의 세로 배치라고 부른다. 대면적의 유리 기판 등은 휘기 쉽기 때문에, 세로 배치로 반송하는 것이 바람직하다.
또한 열원은 히터보다도 램프(960)를 사용해서 가열하는 편이 대면적의 유리 기판에 적합하다.
성막의 순서는, 우선, 다른 성막실에서, 지지 기판인 제1 기판(957)의 한쪽의 면에 재료층(958)을 형성한다. 이때, 제1 기판(957)은, 도 1에 나타낸 제1 기판(100)에 해당하고, 재료층(958)은 증착 재료를 포함한 복수의 층(104)에 해당한다.
다음에 다른 성막실로부터 제1 기판(957)을 성막실(951)에 반송하고, 기판 지지 기구에 세트한다. 또한 제1 기판(957)에 있어서의 재료층(958)이 형성되어 있는 면과, 제2 기판(959)의 피성막면이 대향하도록 기판 지지 기구에 제1 기판(957)을 고정한다.
다음에 기판 거리 d를 유지한 상태에서, 램프(960)로부터 빛을 조사해서 지지 기판을 급속하게 가열한다. 지지 기판을 급속하게 가열하면, 간접적인 열전도에 의해 단시간에 지지 기판 위의 재료층(958)을 가열해서 증발시켜, 대향해서 배치된 피성막 기판인 제2 기판(959)의 피성막면에 증착 재료가 성막된다. 이렇게 함으로써 종래의 대용량의 챔버인 증착 장치에 비해 챔버 용량이 대폭 작은 소형의 성막 장치를 실현할 수 있다.
또한 본 실시의 형태에 나타낸 성막 장치를 복수 설치하여, 멀티 챔버형 제 조 장치로 할 수 있다. 물론, 다른 성막 방법의 성막 장치와의 조합도 가능하다. 또한 본 실시의 형태에 나타낸 성막 장치를 직렬로 복수 배열하여, 인라인형 제조 장치로 할 수도 있다.
또한 본 실시의 형태에 나타낸 도 9a 내지 도 10c의 성막 장치에 있어서, 제1 기판(807), 제2 기판(907), 또는 제1 기판(957)인 지지 기판으로서 도전성 기판을 적용하고, 상기 지지 기판에 전류를 흘려서 가열을 행하고, 증착 처리를 행하는 것도 가능하다. 이 경우, 지지 기판 자체도 열원의 일부로서 기능한다.
이러한 성막 장치를 사용하여, 본 발명에 따른 발광 장치를 제조할 수 있다. 본 발명은 증착원을 습식법으로 용이하게 준비할 수 있다. 또한 증착원을 그대로 증착하면 되기 때문에, 막 두께 모니터를 필요로 하지 않을 수 있다. 따라서, 성막 공정을 전자동화할 수 있고, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다. 또한 성막실 내벽에 증착 재료가 부착되는 것도 방지할 수 있고, 성막 장치의 메인티넌스를 간편하게 할 수 있다.
이 때 본 실시의 형태는, 본 명세서에서 나타내는 다른 실시의 형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시의 형태 4)
본 실시의 형태에서는, 본 발명을 적용해서 제조한 발광 장치를 사용해서 완성한 여러 가지 전자기기에 대해서, 도 11을 사용하여 설명한다.
본 발명에 따른 발광 장치를 적용한 전자기기로서, 텔레비전, 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이(헤드 마운트 디스플레이), 네비게이션 시스 템, 음향재생장치(카 오디오, 오디오 컴포넌트 시스템 등), 노트형 PC, 게임 기기, 휴대 정보단말(모바일 컴퓨터, 휴대전화, 휴대형 게임기 또는 전자서적 등), 기록 매체를 구비한 화상재생장치(구체적으로는 디지털 비디오 디스크(ＤＶＤ) 등의 기록 매체를 재생하고, 그 화상을 표시할 수 있는 표시장치를 구비한 장치), 조명 기구 등을 들 수 있다. 이들 전자기기의 구체적인 예를 도 11에 나타낸다.
도 11a는 표시장치이며, 케이싱(8001), 지지대(8002), 표시부(8003), 스피커부(8004), 비디오 입력 단자(8005) 등을 포함한다. 본 발명을 사용해서 형성되는 발광 장치를 그 표시부(8003)에 사용함으로써 제조된다. 이때, 표시장치는, PC용, ＴＶ방송 수신용, 광고 표시용 등의 모든 정보표시용 장치가 포함된다. 본 발명을 적용함으로써 스루풋을 향상시킬 수 있기 때문에, 표시장치의 제조에 있어서의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 표시장치의 제조에 있어서의 재료의 손실을 줄일 수 있기 때문에, 제조 비용의 절감을 꾀할 수 있고, 저렴한 표시장치를 제공할 수 있다.
도 11b는 컴퓨터이며, 본체(8101), 케이싱(8102), 표시부(8103), 키보드(8104), 외부접속 포트(8105), 마우스(8106) 등을 포함한다. 본 발명의 성막 장치를 사용해서 형성된 발광소자를 가지는 발광 장치를 그 표시부(8103)에 사용함으로써 제조된다. 본 발명을 적용함으로써 스루풋을 향상시킬 수 있기 때문에, 표시장치의 제조에 있어서의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 표시장치의 제조에 있어서의 재료의 손실을 줄일 수 있기 때문에, 제조 비용의 절감을 꾀할 수 있고, 저렴한 컴퓨터를 제공할 수 있다.
도 11c는 비디오 카메라이며, 본체(8201), 표시부(8202), 케이싱(8203), 외부접속 포트(8204), 리모트 컨트롤 수신부(8205), 수상부(8206), 배터리(8207), 음성입력부(8208), 조작키(8209), 접안부(8210) 등을 포함한다. 본 발명의 성막 장치를 사용해서 형성된 발광소자를 가지는 발광 장치를 그 표시부(8202)에 사용함으로써 제조된다. 본 발명을 적용함으로써 스루풋을 향상시킬 수 있기 때문에, 표시장치의 제조에 있어서의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 표시장치의 제조에 있어서의 재료의 손실을 줄일 수 있기 때문에, 제조 비용의 절감을 꾀할 수 있고, 저렴한 비디오 카메라를 제공할 수 있다.
도 11d는 탁상 조명 기구이며, 조명부(8301), 조명갓(8302), 가변 암(8303), 지주(8304), 대(8305), 전원(8306)을 포함한다. 본 발명의 성막 장치를 사용해서 형성되는 발광 장치를 조명부(8301)에 사용함으로써 제조된다. 이 때 조명 기구에는 천정 고정형 조명 기구 또는 벽걸이형 조명 기구 등도 포함된다. 본 발명을 적용함으로써 스루풋을 향상시킬 수 있기 때문에, 표시장치의 제조에 있어서의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 표시장치의 제조에 있어서의 재료의 손실을 줄일 수 있기 때문에, 제조 비용의 절감을 꾀할 수 있고, 저렴한 탁상 조명 기구를 제공할 수 있다.
여기에서, 도 11e는 휴대전화이며, 본체(8401), 케이싱(8402), 표시부(8403), 음성입력부(8404), 음성출력부(8405), 조작키(8406), 외부접속 포트(8407), 안테나(8408) 등을 포함한다. 본 발명의 성막 장치를 사용해서 형성된 발광소자를 가지는 발광 장치를 그 표시부(8403)에 사용함으로써 제조된다. 본 발 명을 적용함으로써 스루풋을 향상시킬 수 있기 때문에, 표시장치의 제조에 있어서의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 표시장치의 제조에 있어서의 재료의 손실을 줄일 수 있기 때문에, 제조 비용의 절감을 꾀할 수 있고, 저렴한 휴대전화를 제공할 수 있다.
이상과 같이 해서, 본 발명에 따른 발광 장치를 적용해서 전자기기나 조명 기구를 얻을 수 있다. 본 발명에 따른 발광 장치의 적용 범위는 극히 넓고, 모든 분야의 전자기기에 적용할 수 있다.
이 때 본 실시의 형태는, 본 명세서에서 나타내는 다른 실시의 형태와 적절히 조합할 수 있다.
[실시예 1]
본 실시예에서는, 본 발명에 따른 발광 장치의 제조를 가능하게 하는 성막 장치의 일례에 대해서 도 12 및 도 13을 사용하여 설명한다. 이때, 도 12a는 성막 장치의 단면도, 도 12b는 성막 장치의 평면도다.
도 12에 있어서, 성막실(501)은 진공 챔버이며, 제1 게이트 밸브(502), 및 제2 게이트 밸브(503)에 의해 다른 처리실과 연결되어 있다. 또한 성막실(501) 내에는, 제1 기판 지지 수단인 기판 지지 기구(513)와, 제2 기판 지지 수단인 피성막 기판 지지 기구(505)와, 열원으로서 할로겐 램프(510)를 가지고 있다. 할로겐 램프는, 급속 가열이 가능하고, 또한 발광시키는 시간의 간격을 변화시킴으로써, 제1 기판의 가열의 제어가 가능하다. 또한 급속 가열이 가능하기 때문에, 히터를 사용했을 경우의 상하 기구나 셔터 등을 간략화할 수 있다. 따라서, 더욱 성막 장치의 소형화를 꾀할 수 있다.
우선, 다른 성막실에서, 지지 기판인 제1 기판(507) 위에 재료층(508)을 형성한다. 본 실시예에서는, 제1 기판(507)으로서, 티타늄 막을 성막한 유리 기판을 사용한다. 티타늄은 열원인 할로겐 램프의 발광 파장인 1100ｎｍ∼1200ｎｍ 부근의 빛을 효율적으로 흡수할 수 있으므로, 티타늄 막 위에 형성한 재료층(508)을 효율적으로 가열할 수 있다. 또한 재료층(508)으로서는, 증착 가능하고, 증착 온도가 다른 복수의 재료가 적층 된 층을 사용한다. 이 때 본 실시예에서는, 제1 기판으로서, 피성막 기판과 면적이 같은 기판을 사용한다. 또한 본 실시예에서는, 재료층(508)은, 습식법을 사용하여, 정공수송성이 높은 물질을 포함한 층 위에, 금속산화물을 포함한 층을 적층한다. 정공수송성이 높은 물질과 금속산화물은, 같은 용매에 용해해서 혼합 용액을 조정하는 것이 곤란하기 때문에, 습식법으로 혼합층을 직접 형성하는 것이 어렵다. 따라서, 정공수송성이 높은 물질을 포함한 층 위에 금속산화물을 포함한 층을 습식법에 의해 적층 하는 것은 용이하다. 그리고, 본 발명의 성막 방법을 사용함으로써, 혼합층을 용이하게 제조할 수 있다.
도 12a에 있어서 점선으로 나타낸 바와 같이, 다른 성막실로부터 제1 기판(507)을 성막실(501)에 반송하고, 기판 지지 기구에 세트한다. 반송할 때에는, 가동 수단(515)에 의해 리플렉터 셔터(504)를 열고, 거기에서 기판 지지 기구(513)에 세트한다. 또한 제1 기판(507)에 있어서의 재료층(508)이 형성되어 있는 면과, 피성막 기판인 제2 기판(509)의 피성막면이 대향하도록, 제1 기판(507)을 기판 지지 기구(513)에 고정한다.
이 때 성막실(501) 내는, 진공 배기해 두는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 진공도가 5×10-3Pa 이하, 바람직하게는 10-4Pa 내지 10-6Pa 정도인 범위까지 진공 배기한다. 성막실에 연결해서 설치되는 진공 배기 수단은, 대기압으로부터 1Pa 정도를 오일 프리의 드라이 펌프로 진공 배기하고, 그 이상의 압력은 자기부상형 터보 분자펌프 또는 복합 분자펌프에 의해 진공 배기한다. 이렇게 함으로써 배기 수단으로부터 주로 기름 등의 유기물에 의한 오염을 방지한다. 내벽면은, 전해 연마에 의해 경면 처리하고, 표면적을 줄여서 가스 방출을 방지한다.
제2 기판(509)은 고정 수단(517)에 의해, 피성막 기판 지지 기구(505)에 고정된다. 피성막 기판 지지 기구(505)의 내부에는 열 매체를 흐르게 하는 튜브(511)가 설치된다. 열 매체를 흐르게 하는 튜브(511)에 의해, 피성막 기판 지지 기구(505)는, 적절한 온도를 유지할 수 있다. 예를 들면 냉수를 흐르게 하는 것에 의해 피성막 기판을 냉각해도 좋고, 온수를 흐르게 하는 것에 의해, 피성막 기판을 가열해도 좋다.
다음에 도 13에 나타낸 바와 같이, 제1 기판(507)과 제2 기판(509)의 기판 간격이 거리 d가 되도록 접근시킨다. 이 때 거리 d는 제1 기판(507) 위에 형성된 재료층(508)의 표면과, 제2 기판(509)의 표면과의 거리로 정의한다. 또한 제2 기판(509) 위에 어떠한 층(예를 들면 전극으로서 기능하는 도전층이나 분리벽으로서 기능하는 절연층 등)이 형성되어 있을 경우, 거리 d는, 제1 기판(507) 위의 재료층(508)의 표면과, 제2 기판(509) 위에 형성된 층의 표면과의 거리로 정의한다. 다 만, 제2 기판(509) 또는 제2 기판(509) 위에 형성된 층의 표면에 요철을 가지는 경우에는, 거리 d는, 제1 기판(507) 위의 재료층(508)의 표면과, 제2 기판(509) 또는 제2 기판(509) 위에 형성된 층의 최표면과의 사이의 가장 짧은 거리로 정의한다. 본 실시예에서는, 거리 d를 1mm로 한다.
또한 본 실시예에서 나타내는 성막 장치에서는, 기판 간격의 제어는, 피성막 기판 지지 기능(505)이 상하 운동하는 것, 및 제1 기판 지지 기구(513)인 기판 리프트 핀이 제1 기판(507)을 들어올려서 상하 운동하는 것에 의해 행한다. 가동 수단(514)에 의해, 석영으로 형성된 기판 리프트 핀이 상하로 운동해서, 제1 기판(507)을 들어올린다.
이 때 본 실시예에서는, 대기시의 열원(히터)의 복사에 의한 지지 기판 위의 재료층(508)에의 열의 영향을 완화하기 위해서, 대기시(증착 처리 전)에는 열원인 할로겐 램프(510)와 제1 기판(507)(지지 기판)과의 거리를 50mm로 하고 있다.
기판 간격을 거리 d로 유지한 상태에서, 할로겐 램프(510)에 의해 가열처리를 행한다. 우선, 예비 가열로서, 램프 히터의 출력을 15초간 60도로 유지한다. 예비 가열을 함으로써, 할로겐 램프의 출력이 안정된다. 그 후에 가열처리를 행한다. 가열처리는, 500도∼800도를 7∼15초간 정도 유지한다. 가열처리에 필요로 하는 시간은 증착 재료에 따라 다르기 때문에, 적절히 설치한다. 이 때 할로겐 램프(510)로부터의 빛이 산란해서 성막실 전체가 가열되지 않도록, 리플렉터(516) 및 리플렉터 셔터(504)가 설치된다.
할로겐 램프(510)로부터의 빛을 제1 기판(507) 위에 형성되어 있는 티타늄 막이 흡수하고, 가열됨으로써, 티타늄 막 상의 재료층(508)이 가열되어 증발하고, 대향해서 배치된 제2 기판(509)의 피성막면(즉, 하평면)에 증착 재료가 성막된다. 도 12 및 도 13에 나타내는 성막 장치에 있어서, 미리 제1 기판(507)에 재료층(508)이 균일한 막 두께로 얻어질 수 있으면, 막 두께 모니터를 설치하지 않더라도, 제2 기판에 막 두께 균일성이 높은 성막을 행할 수 있다. 또한 종래의 증착 장치는, 기판을 회전시켰었지만, 도 11 및 도 12에 나타내는 성막 장치는, 피성막 기판을 고정해서 성막하기 때문에, 깨지기 쉬운 대면적의 유리 기판에의 성막에 적합하다. 또한 도 12 및 도 13에 나타내는 성막 장치는, 성막 중, 지지 기판도 정지해서 성막한다.
본 실시예에 나타낸 성막 장치를 사용함으로써, 본 발명에 따른 발광 장치를 제조할 수 있다. 본 발명에서는, 증착원을 습식법으로 용이하게 준비할 수 있다. 또한 증착원을 그대로 증착하면 되기 때문에, 막 두께 모니터를 필요로 하지 않을 수 있다. 따라서, 성막 공정을 전자동화할 수 있고, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다. 또한 성막실 내벽에 증착 재료가 부착되는 것도 방지할 수 있고, 성막 장치의 메인티넌스를 간편하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 성막 공정의 단면을 나타내는 모식도.
도 2는 본 발명에 따른 성막 공정의 단면을 나타내는 모식도.
도 3은 발광소자의 예를 게시하는 도.
도 4는 발광소자의 예를 게시하는 도.
도 5는 패시브 매트릭스형 발광 장치의 평면도 및 단면도의 예.
도 6은 패시브 매트릭스형 발광 장치의 사시도의 일례.
도 7은 패시브 매트릭스형 발광 장치의 평면도의 일례.
도 8은 액티브 매트릭스형 발광 장치의 평면도 및 단면도의 일례.
도 9는 성막 장치의 예를 게시하는 도.
도 10은 성막 장치의 예를 게시하는 도.
도 11은 전자기기의 예를 게시하는 도.
도 12는 성막 장치의 예를 게시하는 도.
도 13은 성막 장치의 예를 게시하는 도.
[부호의 설명]
100 제1 기판 102 제2 기판
104 증착 재료를 포함한 복수의 층 110 히터
111 제1 증착 재료를 포함한 층 112 제2 증착 재료를 포함한 층
121 다른 증착 재료를 포함한 층 150 전원
152 스위치 300 기판
302 제1 전극층 304 발광층
306 제2 전극층 308 ＥＬ층
322 정공주입층 324 정공수송층
326 전자수송층 328 전자주입층
501 성막실 502 제1 게이트 밸브
503 제2 게이트 밸브 504 리플렉터 셔터
505 피성막 기판 지지 기구 507 제1 기판
508 재료층 509 제2 기판
510 할로겐 램프 511 튜브
513 기판 지지 기구 514 가동 수단
515 가동 수단 516 리플렉터
517 고정 수단 801 성막실
802 제1 게이트 밸브 803 제2 게이트 밸브
804 제1 기판 지지 수단 805 제2 기판 지지 수단
806 열원 807 제1 기판
808 재료층 809 제2 기판
810 램프 811 튜브
901 성막실 902 제1 게이트 밸브
903 제2 게이트 밸브 904 제2 기판 지지 수단
905 제1 기판 지지 수단 906 열원
907 제2 기판 908 재료층
909 제1 기판 910 램프
951 성막실 954 제1 기판 지지 수단
955 제2 기판 지지 수단 957 제1 기판
958 재료층 959 제2 기판
960 램프 1501 제1 기판
1504 절연층 1513 제1 전극층
1514 분리벽 1515R ＥＬ층
1515G ＥＬ층 1515B ＥＬ층
1516 제2 전극층 1521 발광 영역
1522 분리벽 1602 데이터선
1603 주사선 1604 분리벽
1605 영역 1606 입력 단자
1607 입력 단자 1608 접속 배선
1609a ＦＰＣ 1609b ＦＰＣ
1700 ＥＬ층 1701 구동회로부
1702 화소부 1703 구동회로부
1704 밀봉 기판 1705 씰재
1707 공간 1708 배선
1709 ＦＰＣ(플래시블 프린트 서킷) 1710 소자 기판
1711 스위칭용 ＴＦＴ 1712 전류 제어용 ＴＦＴ
1713 제1 전극층 1714 절연물
1715 발광소자 1716 제2 전극층
1723 n채널형 ＴＦＴ 1724 p채널형 ＴＦＴ
8001 케이싱 8002 지지대
8003 표시부 8004 스피커부
8005 비디오 입력 단자 8101 본체
8102 케이싱 8103 표시부
8104 키보드 8105 외부접속 포트
8106 마우스 8201 본체
8202 표시부 8203 케이싱
8204 외부접속 포트 8205 리모트 컨트롤 수신부
8206 수상부 8207 배터리
8208 음성입력부 8209 조작키
8210 접안부 8301 조명부
8302 조명갓 8303 가변 암
8304 지주 8305 대
8306 전원 8401 본체
8402 케이싱 8403 표시부
8404 음성입력부 8405 음성출력부
8406 조작키 8407 외부접속 포트
8408 안테나
Claims (25)
- 제1 기판 위에, 층마다 각각 다른 증착 재료를 포함한 복수의 층을 적층 하는 단계와,제1 전극을 가지는 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하는 단계와,상기 제1 기판 위의 복수의 층을 가열함으로써, 상기 제2 기판 위에, 다른 증착 재료를 포함한 층을 형성하는 단계와,상기 다른 증착 재료를 포함한 층 위에, 제2 전극을 형성하는 단계를 구비한, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 다른 증착 재료를 포함한 층 위에, 발광층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제2 기판 위에 설치되는 발광층 위에, 상기 다른 증착 재료를 포함한 층을 형성하는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 복수의 층은, 상기 제1 기판 측에 증착 온도가 낮은 증착 재료를 포함하도록 적층되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 복수의 층 중 적어도 일층은, 습식법으로 형성되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 발광 장치는 표시장치, 컴퓨터, 카메라, 조명 기구, 전화기로 이루어진 군에서 선택된 하나에 내장되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제1 기판 위에, 제1 증착 재료를 포함한 제1층을 형성하는 단계와,상기 제1층 위에, 제2 증착 재료를 포함한 제2층을 형성하는 단계와,제1 전극을 가지는 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하는 단계와,상기 제1 기판 위의 상기 제1층 및 상기 제2층을 가열함으로써, 상기 제1 전극 위에, 상기 제1 증착 재료와 상기 제2 증착 재료를 포함한 층을 형성하는 단계와,상기 제1 증착 재료와 상기 제2 증착 재료를 포함한 층 위에, 제2 전극을 형성하는 단계를 구비한, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제1층과 상기 제2층은 교대로 적층 되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제1 증착 재료의 증착 온도는 상기 제2 증착 재료의 증착 온도보다 낮은, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제1 증착 재료는 유기물을 포함하고, 상기 제2 증착 재료는 무기물을 포함하는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제1층은 습식법으로 형성되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제2층은 습식법으로 형성되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 발광 장치는 표시장치, 컴퓨터, 카메라, 조명 기구, 전화기로 이루어진 군에서 선택된 하나에 내장되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제1 기판 위에, 제1 증착 재료를 포함한 제1층을 형성하는 단계와,상기 제1층 위에, 제2 증착 재료를 포함한 제2층을 형성하는 단계와,상기 제2층 위에, 제1 증착 재료를 포함한 제3층을 형성하는 단계와,제1 전극을 가지는 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하는 단계와,상기 제1 기판 위의 상기 제1층, 상기 제2층, 및 상기 제3층을 가열함으로써, 상기 제1 전극 위에, 상기 제1 증착 재료와 상기 제2 증착 재료를 포함한 층을 형성하는 단계와,상기 제1 증착 재료와 상기 제2 증착 재료를 포함한 층 위에, 제2 전극을 형성하는 단계를 구비한, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 14항에 있어서,상기 제1 증착 재료의 증착 온도는 상기 제2 증착 재료의 증착 온도보다 낮은, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 14항에 있어서,상기 제1 증착 재료는 유기물을 포함하고, 상기 제2 증착 재료는 무기물을 포함하는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 14항에 있어서,상기 제1층은 습식법으로 형성되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 14항에 있어서,상기 제2층은 습식법으로 형성되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 14항에 있어서,상기 발광 장치는 표시장치, 컴퓨터, 카메라, 조명 기구, 전화기로 이루어진 군에서 선택된 하나에 내장되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제1 기판 위에, 제1 증착 재료를 포함한 제1층을 형성하는 단계와,상기 제1층 위에, 제2 증착 재료를 포함한 제2층을 형성하는 단계와,상기 제2층 위에, 제3 증착 재료를 포함한 제3층을 형성하는 단계와,제1 전극을 가지는 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향하는 위치에 배치하는 단계와,상기 제1 기판 위의 상기 제1층, 상기 제2층, 및 상기 제3층을 가열함으로써, 상기 제1 전극 위에, 상기 제1 증착 재료와 상기 제2 증착 재료와 상기 제3 증착 재료를 포함한 층을 형성하는 단계와,상기 제1 증착 재료와 상기 제2 증착 재료와 상기 제3 증착 재료를 포함한 층 위에, 제2 전극을 형성하는 단계를 구비한, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 20항에 있어서,상기 제1 증착 재료의 증착 온도는 상기 제2 증착 재료의 증착 온도보다 낮은, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 20항에 있어서,상기 제1 증착 재료는 유기물을 포함하고, 상기 제2 증착 재료는 무기물을 포함하는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 20항에 있어서,상기 제1층은 습식법으로 형성되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 20항에 있어서,상기 제2층은 습식법으로 형성되는, 발광 장치의 제조 방법.
- 제 20항에 있어서,상기 발광 장치는 표시장치, 컴퓨터, 카메라, 조명 기구, 전화기로 이루어진 군에서 선택된 하나에 내장되는, 발광 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2007-00179085 | 2007-07-06 | ||
| JP2007179085 | 2007-07-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090004527A true KR20090004527A (ko) | 2009-01-12 |
| KR101466232B1 KR101466232B1 (ko) | 2014-11-27 |
Family
ID=40213992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20080058244A KR101466232B1 (ko) | 2007-07-06 | 2008-06-20 | 발광 장치의 제조 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8551557B2 (ko) |
| JP (1) | JP5325471B2 (ko) |
| KR (1) | KR101466232B1 (ko) |
| CN (1) | CN101339978B (ko) |
| TW (1) | TWI469681B (ko) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7337494B2 (en) * | 2004-05-26 | 2008-03-04 | Shop Vac Corporation | Electrostatic cloth attachment for vacuum head |
| US8431432B2 (en) * | 2007-04-27 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light-emitting device |
| JP2009231277A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置 |
| JP5416987B2 (ja) | 2008-02-29 | 2014-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法及び発光装置の作製方法 |
| JP5238544B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法及び発光装置の作製方法 |
| US8409672B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device |
| KR101193185B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법 |
| WO2012133074A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 株式会社村田製作所 | 抵抗体および抵抗素子 |
| JP6211873B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-10-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| CN104532192B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-01-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蒸镀装置 |
| KR102184356B1 (ko) * | 2019-02-27 | 2020-11-30 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
| CN117244764B (zh) * | 2023-11-16 | 2024-02-09 | 江苏名南泰起新材料科技有限公司 | 一种具有除气泡功能的胶带烘干装置 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331356B1 (en) * | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
| US5688551A (en) * | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
| US5937272A (en) * | 1997-06-06 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate |
| JPH11251067A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| US6165543A (en) * | 1998-06-17 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Method of making organic EL device and organic EL transfer base plate |
| JP3175733B2 (ja) | 1998-06-17 | 2001-06-11 | 日本電気株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| EP1144197B1 (en) * | 1999-01-15 | 2003-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Thermal Transfer Method. |
| US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
| TW593622B (en) * | 2000-05-19 | 2004-06-21 | Eastman Kodak Co | Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device |
| US7318966B2 (en) * | 2000-11-24 | 2008-01-15 | Toray Industries, Inc. | Luminescent element material and luminescent element comprising the same |
| JP2003077651A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP4345278B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | パターニング方法、膜形成方法、パターニング装置、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子装置の製造方法 |
| JP4053302B2 (ja) * | 2002-02-01 | 2008-02-27 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造装置及び製造方法 |
| TWI262034B (en) * | 2002-02-05 | 2006-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device |
| US6703179B2 (en) | 2002-03-13 | 2004-03-09 | Eastman Kodak Company | Transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device |
| TWI336905B (en) * | 2002-05-17 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device |
| JP4634698B2 (ja) | 2002-05-17 | 2011-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蒸着装置 |
| US6939660B2 (en) | 2002-08-02 | 2005-09-06 | Eastman Kodak Company | Laser thermal transfer donor including a separate dopant layer |
| JP4401665B2 (ja) | 2003-03-20 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電界発光素子 |
| US20060099344A1 (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-11 | Eastman Kodak Company | Controlling the vaporization of organic material |
| JP2006309955A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Sony Corp | 有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子 |
| EP1891691B1 (en) * | 2005-06-03 | 2012-08-01 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Organic electroluminescent light source |
| WO2008069259A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device |
| US8431432B2 (en) * | 2007-04-27 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light-emitting device |
-
2008
- 2008-06-18 JP JP2008158600A patent/JP5325471B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-20 KR KR20080058244A patent/KR101466232B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-01 US US12/166,002 patent/US8551557B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-01 TW TW97124725A patent/TWI469681B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-07-04 CN CN200810128264XA patent/CN101339978B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200920174A (en) | 2009-05-01 |
| KR101466232B1 (ko) | 2014-11-27 |
| CN101339978A (zh) | 2009-01-07 |
| TWI469681B (zh) | 2015-01-11 |
| JP2009038011A (ja) | 2009-02-19 |
| US8551557B2 (en) | 2013-10-08 |
| JP5325471B2 (ja) | 2013-10-23 |
| US20090011677A1 (en) | 2009-01-08 |
| CN101339978B (zh) | 2012-07-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171018 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181018 Year of fee payment: 5 |