KR20080113803A - 반도체 메모리 장치의 테스트 회로 및 테스트 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 복수개의 메모리 블록들을 구비하는 반도체 메모리 장치의 테스트 방법에 있어서:순차적으로 인가되는 테스트 어드레스들에 응답하여, 복수개의 워드라인들을 순차적으로 인에이블 시켜 스트레스를 가함에 의해 테스트 동작을 수행하되,상기 워드라인들은, 상기 복수개의 메모리 블록들 각각에서 하나씩 순차적으로 선택되어 인에이블됨을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 워드라인들은 소속된 메모리 블록을 달리하도록 선택되어 인에이블 됨을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 복수개의 메모리 블록들 내의 비트라인들은, 일정 레벨의 제1전압 또는 상기 제1전압과는 다른 레벨을 가지는 제2전압으로 바이어스 됨을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 비트라인들 중 서로 인접되는 비트라인들끼리는 서로 다른 레벨의 전압으로 바이어스 됨을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 4에 있어서,상기 제1전압은 전원전압(VDD)레벨이며, 상기 제2전압은 접지레벨임을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 테스트 어드레스는 상기 복수개의 메모리 블록들 중 어느 하나의 메모리 블록을 선택하기 위한 블록어드레스와, 선택된 메모리 블록내의 복수의 워드라인들 중 어느 하나의 워드라인을 선택하기 위한 라인 어드레스를 구비함을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 워드라인들의 선택은,상기 라인어드레스를 동일하게 고정하고 상기 블록어드레스를 순차적으로 변화시켜 인가함에 의해, 모든 메모리 블록내의 상기 라인어드레스에 대응되는 워드라인들을 순차적으로 선택하는 제1단계와;상기 라인 어드레스를 한 비트 변화시킨 상태에서 상기 제1단계의 동작을 수행하는 제2단계와;모든 워드라인이 선택될 때까지 상기 제2단계를 반복적으로 수행하는 제3단계를 구비함에 의해 수행됨을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 워드라인들이 인에이블 된 시점에서 프리차아지 되는 시점까지, 상기 워드라인들에 대응되는 비트라인들을 통한 데이터 액세스 동작은 수행되지 않음을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 복수개의 메모리 블록들을 구비하는 반도체 메모리 장치의 테스트 방법에 있어서:테스트 모드가 개시됨에 따라, 상기 복수개의 메모리 블록들 내의 모든 비트라인들을 제1전압 또는 상기 제1전압과는 다른 레벨을 가지는 제2전압으로 바이어스 시키는 단계와;순차적으로 인가되는 테스트 어드레스들에 응답하여 상기 복수개의 메모리 블록들 각각에서 하나씩의 워드라인을 순차적으로 선택하여 스트레스를 가함에 의해 번인 테스트를 수행하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 9에 있어서,상기 비트라인들 중 서로 인접되는 비트라인들은 서로 다른 레벨의 전압으로 바이어스 됨을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 9에 있어서,상기 테스트 어드레스는 상기 복수개의 메모리 블록들 중 어느 하나의 메모리 블록을 선택하기 위한 블록어드레스와, 선택된 메모리 블록내의 복수의 워드라인들 중 어느 하나의 워드라인을 선택하기 위한 라인 어드레스를 구비함을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 11에 있어서,상기 워드라인들의 선택은,상기 라인어드레스를 동일하게 고정하고 상기 블록어드레스를 순차적으로 변 화시켜 인가함에 의해, 모든 메모리 블록내의 상기 라인어드레스에 대응되는 워드라인들을 순차적으로 선택하는 제1단계와;상기 라인 어드레스를 한 비트 변화시킨 상태에서 상기 제1단계의 동작을 수행하는 제2단계와;모든 워드라인이 선택될 때까지 상기 제2단계를 반복적으로 수행하는 제3단계를 구비함에 의해 수행됨을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 복수개의 메모리 블록들을 구비하는 반도체 메모리 장치의 테스트 회로에 있어서:테스트 모드신호에 응답하여 테스트에 필요한 커맨드들을 발생하는 커맨드 발생부와;상기 테스트 모드 신호에 응답하여, 상기 복수개의 메모리 블록들 각각에서 하나씩 순차적으로 테스트 대상 워드라인들을 선택하기 위한 테스트 어드레스를 발생하는 테스트 어드레스 발생부를 구비함을 특징으로 하는 테스트 회로.
- 청구항 13에 있어서,상기 커맨드 발생부는 일정주기의 테스트 클럭신호에 응답하여 액티브 또는 프리차아지 커맨드들을 발생하되, 상기 액티브 커맨드들은 상기 테스트 클럭신호의 라이징에지시점마다 발생되며, 상기 프리차아지 커맨드들은 대응되는 액티브 커맨드가 발생된 이후 일정스트레스 인가시간이 지난 후에 발생됨을 특징으로 하는 테스트회로.
- 청구항 13에 있어서,상기 테스트 어드레스는, 상기 복수개의 메모리 블록들 중 어느 하나의 메모리 블록을 선택하기 위한 블록어드레스와, 선택된 메모리 블록내의 복수의 워드라인들 중 어느 하나의 워드라인을 선택하기 위한 라인 어드레스를 구비함을 특징으로 하는 테스트 회로.
- 청구항 15에 있어서, 상기 테스트 어드레스 발생부는,상기 라인 어드레스의 한 비트 카운팅 주기 동안에 상기 블록어드레스의 모든 비트가 순차적으로 카운팅되도록 동작하며, 상기 라인어드레스의 카운팅 주기 동안에는 고정된 라인어드레스에 블록어드레스만 순차적으로 변화시킨 테스트 어드레스를 발생하는 테스트 어드레스 카운터를 구비함을 특징으로 하는 테스트 회로.
- 청구항 16에 있어서, 상기 테스트 어드레스 발생부는,상기 테스트 어드레스 카운터에서 발생되는 테스트어드레스의 일부비트 또는 전비트를 일정 클럭수만큼 시프트시켜 출력함에 의해 프리차아지 어드레스를 발생하는 클럭 시프터를 더 구비함을 특징으로 하는 테스트회로.
- 청구항 17에 있어서, 상기 테스트 어드레스 발생부는,상기 테스트 클럭신호를 분주하여 상기 클럭시프터 또는 상기 커맨드 발생부에 공급하기 위한 주파수 분배기를 더 구비함을 특징으로 하는 테스트회로.
- 청구항 13에 있어서, 상기 테스트 회로는,상기 테스트 모드 신호에 응답하여, 상기 복수개의 메모리 블록들 내의 모든 비트라인들에 일정 레벨의 제1전압 또는 상기 제1전압과는 다른 레벨을 가지는 제2전압을 공급하기 위한 제1전압 및 제2전압 발생부를 구비함을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 19에 있어서,상기 제1전압은 전원전압(VDD)레벨이며, 상기 제2전압은 접지레벨임을 특징으로 하는 테스트 회로.
- 청구항 20에 있어서,상기 비트라인들 중 서로 인접되는 비트라인들은 서로 다른 레벨의 전압으로 바이어스 됨을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 청구항 19에 있어서,상기 테스트 모드신호는 상기 반도체 메모리 장치의 비트라인 프리차아지 전압 공급회로 및 리드/라이트 동작을 위한 액세스 회로를 디세이블 시킴을 특징으로 하는 테스트 회로.
- 복수개의 메모리 블록들 중 어느 하나의 메모리 블록을 선택하기 위한 블록어드레스와, 선택된 메모리 블록내의 복수의 워드라인들 중 어느 하나의 워드라인을 선택하기 위한 라인 어드레스를 로우 어드레스로 구비하는 반도체 메모리 장치의 어드레스 발생회로에 있어서:테스트 모드에서는 상기 라인 어드레스의 한 비트 카운팅 주기 동안에 상기 블록어드레스의 모든 비트가 순차적으로 카운팅되도록 동작하며, 상기 라인어드레스의 카운팅 주기 동안에는 고정된 라인어드레스에 블록어드레스만 순차적으로 변화시킨 테스트 어드레스를 발생하는 테스트 어드레스 카운터와,노멀 모드에서는 상기 블록어드레스의 한비트 카운팅 주기동안에 상기 라인 어드레스의 모든 비트가 순차적으로 카운팅되도록 동작하며, 상기 블록어드레스의 카운팅 주기 동안에는 고정된 블록어드레스에 라인어드레스만 순차적으로 변화시킨 노멀 어드레스를 발생하는 노멀 어드레스 카운터를 구비함을 특징으로 하는 어드레스 발생회로.
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