KR20080107523A

KR20080107523A - Pushing unit, test handler having the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Info

Publication number: KR20080107523A
Application number: KR1020070055385A
Authority: KR
Inventors: 이응룡; 박무균; 구완춘
Original assignee: 미래산업 주식회사
Priority date: 2007-06-07
Filing date: 2007-06-07
Publication date: 2008-12-11
Also published as: KR100925119B1

Abstract

A pushing unit and test handler having the same is provided to allow loading many semiconductor devices since a multi-carry set and a support bar supporting the multi-carry set. A pushing unit(740) and test handler includes a match plate(750) and a plurality of supporting plates(760) connected to the match plate, and a contact socket set(772), combined in a plurality of supporting plates, composed of a plurality of unit contact sockets(770). The support plate and the match plate are jointed with a pin and an elastic member is installed between the support plate and the match plate.

Description

Pushing unit, test handler having the same, and method for manufacturing a semiconductor device using the same {Pushing Unit, Test Handler having the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same}

도 1은 종래의 테스트 핸들러를 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a conventional test handler.

도 2는 종래의 테스트 트레이의 평면도이다.2 is a plan view of a conventional test tray.

도 3은 본 발명자가 고안한 신규 테스트 트레이의 사시도이다.3 is a perspective view of a novel test tray devised by the inventors.

도 4는 본 발명자가 고안한 신규 멀티 캐리어 세트의 사시도이다. 4 is a perspective view of a novel multi-carrier set devised by the inventors.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 푸싱 유닛의 정면도이고, 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 푸싱 유닛의 측면도이다.5A is a front view of a pushing unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a side view of a pushing unit according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 푸싱 유닛을 구성하는 지지판과 콘택소켓의 후면 사시도이다.6 is a rear perspective view of the support plate and the contact socket constituting the pushing unit according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 푸싱 유닛을 구성하는 지지판과 콘택소켓의 정면 사시도이다. 7 is a front perspective view of the support plate and the contact socket constituting the pushing unit according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부에 대한 설명> <Description of main parts of drawing>

100: 외곽 프레임 120: 지지바100: outer frame 120: support bar

140: 보강바 200: 멀티 캐리어 세트140: reinforcing bar 200: multi-carrier set

210: 단위 캐리어 220: 탄성부재210: unit carrier 220: elastic member

740: 푸싱 유닛 750: 매치플레이트740: Pushing Unit 750: Match Plate

760: 지지판 770: 콘택 소켓 세트760: support plate 770: contact socket set

본 발명은 테스트 핸들러에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 테스트 트레이에 고정된 반도체 소자를 테스트 장치 쪽으로 밀어 테스트 장치에 반도체 소자가 접속할 수 있도록 하는 푸싱 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a test handler, and more particularly, to a pushing unit that allows a semiconductor device to be connected to a test device by pushing a semiconductor device fixed to a test tray toward a test device.

일반적으로, 메모리 또는 비 메모리 반도체 소자는 생산 후 여러 가지 테스트 과정을 거친 후 출하되게 되는데, 이와 같이 반도체 소자를 테스트하는데 사용되는 장치가 테스트 핸들러이다.In general, a memory or non-memory semiconductor device is shipped after various test procedures after production, such a device used to test the semiconductor device is a test handler.

테스트 핸들러는 상온 상태에서 반도체 소자의 성능 테스트뿐만 아니라, 고온 또는 저온의 극한 상태에서도 반도체 소자가 정상적인 기능을 수행할 수 있는가를 테스트하게 된다. The test handler not only tests the performance of the semiconductor device at room temperature but also tests whether the semiconductor device can perform normal functions even in extreme conditions of high or low temperatures.

따라서, 상기 테스트 핸들러는 반도체 소자를 고온 또는 저온의 극한 상태로 조성하기 위한 제1챔버, 상기 제1챔버와 연결되며 반도체 소자의 성능 테스트가 수행되는 테스트 챔버, 및 상기 테스트 챔버와 연결되며 반도체 소자를 상온 상태로 복귀시키는 제2챔버를 포함하여 이루어진다. Accordingly, the test handler is connected to the first chamber, the test chamber connected to the first chamber and performing a performance test of the semiconductor device, and the test chamber connected to the first chamber to form the semiconductor device in an extreme state of high temperature or low temperature. It comprises a second chamber for returning to a room temperature state.

또한, 테스트 핸들러는 여러 개의 반도체 소자를 동시에 테스트 할 수 있도록 테스트 트레이라고 불리는 용기에 여러 개의 반도체 소자를 수용하고, 상기 테 스트 트레이가 상기 제1챔버, 테스트 챔버, 및 제2챔버로 이동하면서 반도체 소자에 대한 테스트 공정이 수행되게 된다. In addition, the test handler accommodates the semiconductor devices in a container called a test tray to test several semiconductor devices at the same time, and the test tray moves to the first chamber, the test chamber, and the second chamber. The test process for the device is performed.

이하에서는, 도면을 참조로 종래의 테스트 핸들러 및 테스트 트레이에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a conventional test handler and a test tray will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 테스트 핸들러를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 종래의 테스트 트레이의 평면도로서, 우선 종래의 테스트 핸들러에 대해서 설명한 후, 그 후 종래의 테스트 트레이에 대해서 설명하기로 한다. 1 is a plan view schematically illustrating a conventional test handler, and FIG. 2 is a plan view of a conventional test tray. First, a conventional test handler will be described, and then a conventional test tray will be described.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 테스트 핸들러는 로딩 스택커(10), 언로딩 스택커(20), 버퍼부(30), 교환부(40), 회전부(50), 제1챔버(60), 테스트 챔버(70) 및 제2챔버(80)를 포함하여 이루어진다. As can be seen in FIG. 1, the conventional test handler includes a loading stacker 10, an unloading stacker 20, a buffer unit 30, an exchange unit 40, a rotating unit 50, and a first chamber 60. The test chamber 70 includes a second chamber 80.

상기 로딩 스택커(10)는 테스트할 반도체 소자를 수용하고 있는 공간으로, 테스트할 반도체 소자는 상기 로딩 스택커(10) 내에서 고객 트레이(미도시)라고 불리는 용기에 담겨져 있다. The loading stacker 10 is a space containing a semiconductor device to be tested, and the semiconductor device to be tested is contained in a container called a customer tray (not shown) in the loading stacker 10.

상기 언로딩 스택커(20)는 테스트 완료된 반도체 소자를 테스트 결과에 따라 분리하여 수용하는 공간으로, 테스트 결과에 따라 양품 또는 불량품으로 결정된 반도체 소자는 상기 언로딩 스택커(20) 내에서 고객 트레이(미도시)라고 불리는 용기에 분리하여 담기게 된다. The unloading stacker 20 is a space for separating and accommodating the tested semiconductor device according to a test result, and the semiconductor device determined as good or defective according to the test result is a customer tray in the unloading stacker 20. It is separated into a container called "not shown".

상기 버퍼부(30)는 상기 로딩 스택커(10)와 교환부(40) 사이 및 상기 언로딩 스택커(20)와 교환부(40) 사이에서 반도체 소자들을 임시로 수용하는 공간이다. The buffer unit 30 is a space for temporarily receiving semiconductor devices between the loading stacker 10 and the exchange unit 40 and between the unloading stacker 20 and the exchange unit 40.

상기 교환부(40)는 테스트할 반도체 소자들을 테스트 트레이(T)에 로딩함과 더불어 테스트 완료된 반도체 소자들을 테스트 트레이(T)로부터 언로딩하는 공간이다. The exchanger 40 is a space for loading the semiconductor devices to be tested into the test tray T and unloading the tested semiconductor devices from the test tray T.

상기 회전부(50)는 반도체 소자들을 수용하고 있는 테스트 트레이(T)를 수평상태에서 수직상태로 회전하거나 또는 수직상태에서 수평상태로 회전하는 역할을 하는 것이다. The rotating unit 50 serves to rotate the test tray T containing the semiconductor devices from a horizontal state to a vertical state or from a vertical state to a horizontal state.

상기 제1챔버(60)는 반도체 소자를 고온 또는 저온의 극한 상태로 조성하기 위한 공간이다. The first chamber 60 is a space for forming a semiconductor device in an extreme state of high temperature or low temperature.

상기 테스트 챔버(70)는 반도체 소자에 대한 테스트를 수행하는 공간으로서, 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 장치(72) 및 반도체 소자를 테스트 장치(72)와 접촉시키기 위한 푸싱유닛(74)을 포함하여 구성된다. The test chamber 70 is a space for performing a test on a semiconductor device, and includes a test device 72 for testing a semiconductor device and a pushing unit 74 for contacting the semiconductor device with the test device 72. It is composed.

상기 제2챔버(80)는 테스트 완료된 반도체 소자를 상온 상태로 복귀시키는 공간이다. The second chamber 80 is a space for returning the tested semiconductor device to a room temperature state.

이와 같은 종래의 테스트 핸들러의 작동 모습을 설명하면 다음과 같다. The operation of the conventional test handler will be described as follows.

우선, 제1이송유닛(32)에 의해 상기 로딩 스택커(10)에 수용된 반도체 소자들을 상기 버퍼부(30)에 임시로 수용한 후, 제2이송유닛(34)에 의해 상기 버퍼부(30)에 수용한 반도체 소자들을 상기 교환부(40)의 테스트 트레이(T)에 로딩한다. First, the semiconductor devices accommodated in the loading stacker 10 by the first transfer unit 32 are temporarily accommodated in the buffer unit 30, and then the buffer unit 30 by the second transfer unit 34. ) Are loaded into the test tray T of the exchanger 40.

다음, 상기 회전부(50)에서 수평상태의 테스트 트레이를 90도 회전하여 테스트 트레이를 수직상태로 위치시킨다. Next, the test tray in a horizontal state is rotated 90 degrees in the rotating unit 50 to position the test tray in a vertical state.

다음, 수직상태의 테스트 트레이를 제1챔버(60)로 이송시킨 후 제1챔버(60) 내에서 순차적으로 이동시켜 테스트 조건에 맞는 온도로 가열 또는 냉각한다. Next, the test tray in the vertical state is transferred to the first chamber 60, and then sequentially moved in the first chamber 60 to be heated or cooled to a temperature suitable for the test condition.

다음, 수직상태의 테스트 트레이를 테스트 챔버(70)로 이동시킨 후, 푸싱유닛(74)을 이용하여 반도체 소자를 테스트 장치(72)에 접속시켜 반도체 소자에 대한 테스트를 수행한다.Next, after the test tray in the vertical state is moved to the test chamber 70, the semiconductor device is connected to the test device 72 using the pushing unit 74 to test the semiconductor device.

다음, 수직상태의 테스트 트레이를 제2챔버(80)로 이송시킨 후 제2챔버(80) 내에서 순차적으로 이동시키면서 상온으로 복귀시킨다. Next, the test tray in the vertical state is transferred to the second chamber 80 and then returned to room temperature while being sequentially moved in the second chamber 80.

다음, 수직상태의 테스트 트레이를 회전부(50)로 이송시킨 후 회전부(50)에서 90도 회전하여 테스트 트레이를 수평상태로 위치시킨다. Next, the test tray in a vertical state is transferred to the rotating unit 50 and then rotated 90 degrees in the rotating unit 50 to position the test tray in a horizontal state.

다음, 테스트 완료된 반도체 소자를 제2이송유닛(34)을 이용하여 버퍼부(30)에 임시로 수용한 후, 제1이송유닛(32)을 이용하여 언로딩 스택커(20)에 적재한다. Next, the tested semiconductor device is temporarily accommodated in the buffer unit 30 using the second transfer unit 34, and then loaded into the unloading stacker 20 using the first transfer unit 32.

도 2에서 알 수 있듯이, 종래의 테스트 트레이(T)는 사각틀 형태의 외곽 프레임(90), 종횡으로 이루어진 격자 형태의 내부 프레임(92a, 92b), 상기 외곽 프레임(90)과 내부 프레임(92a, 92b)에 연결되어 있는 캐리어 모듈(95)을 포함하여 이루어진다. As can be seen in Figure 2, the conventional test tray (T) is the outer frame 90 of the rectangular frame form, the inner frame (92a, 92b) of the grid form consisting of vertical and horizontal, the outer frame 90 and the inner frame (92a, And a carrier module 95 connected to 92b).

상기 캐리어 모듈(95)은 반도체 소자가 테스트 트레이(T)에 고정될 수 있도록 하는 장치로서, 상기 캐리어 모듈(95)은 소정의 탄성부재(97)에 의해 상기 외곽 프레임(90) 및 내부 프레임(92a, 92b)에 연결되어 있다. The carrier module 95 is a device that allows the semiconductor device to be fixed to the test tray T. The carrier module 95 is formed by the elastic member 97 and the outer frame 90 and the inner frame ( 92a, 92b).

이와 같이 테스트 트레이(T)에는 복수개의 캐리어 모듈(95)이 형성되고, 상기 복수개의 캐리어 모듈(95) 각각에 반도체 소자가 고정된 상태로 공정이 진행되게 된다. As such, a plurality of carrier modules 95 are formed in the test tray T, and a process is performed in a state in which semiconductor elements are fixed to each of the plurality of carrier modules 95.

따라서, 한번에 보다 많은 수의 반도체 소자에 대한 테스트를 수행하기 위해서는 그 만큼 캐리어 모듈(95)의 수를 증가시켜야 하고, 캐리어 모듈(95)의 수를 증가시키게 되면 상기 지지바(92a, 92b)의 수도 증가되어 테스트 트레이(T)의 전체 크기가 증가되게 된다. Therefore, in order to perform a test on a larger number of semiconductor devices at a time, the number of carrier modules 95 must be increased by that amount, and when the number of carrier modules 95 is increased, The number is also increased to increase the overall size of the test tray (T).

결국, 보다 많은 수의 반도체 소자에 대한 테스트를 수행하기 위해서는 테스트 트레이(T)의 전체 크기를 증가시켜야 하는데, 테스트 트레이(T)의 전체 크기를 증가시키기 위해서는 테스트 핸들러 장비 전체를 수정해야 하는 문제가 있다. 즉, 테스트 핸들러 장비는 테스트 트레이(T)의 전체 크기를 고려하여 각각의 구성들(예를 들어, 테스트 트레이(T)를 수용하는 챔버의 크기, 테스트 트레이(T)를 챔버들 사이에서 이동시키는 기구의 크기 등)이 설계되어 있기 때문에, 테스트 트레이(T)의 크기가 변경될 경우 테스트 핸들러 장비의 구성들의 구조도 변경되어 하기 때문에 테스트 핸들러 장비 전체가 수정되어야 하는 문제점을 안고 있다. As a result, in order to perform a test on a larger number of semiconductor devices, the total size of the test tray T must be increased. In order to increase the total size of the test tray T, the problem of modifying the entire test handler equipment is a problem. have. That is, the test handler equipment takes into account the overall size of the test tray T (for example, the size of a chamber that accommodates the test tray T, and moves the test tray T between the chambers). Since the size of the instrument, etc.) is designed, the structure of the test handler equipment is changed when the size of the test tray T is changed, so that the entire test handler equipment has to be modified.

본 발명자는 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해서 테스트 트레이의 크기를 증가시키지 않으면서도 보다 많은 수의 반도체 소자를 수용할 수 있는 신규 테스트 트레이를 개발하였다. The present inventors have developed a new test tray that can accommodate a larger number of semiconductor devices without increasing the size of the test tray in order to solve the conventional problems as described above.

즉, 본 발명자는 복수개의 반도체 소자를 동시에 수용할 수 있는 멀티 캐리어 세트를 적용할 경우 반도체 소자 사이의 간격을 줄일 수 있고 멀티 캐리어 세트를 지지하는 지지바의 수도 줄일 수 있어 그 만큼 반도체 소자 수용공간을 확보할 수 있기 때문에 테스트 트레이의 크기를 증가시키지 않으면서도 보다 많은 수의 반 도체 소자를 수용할 수 있음을 확인하여, 멀티 캐리어 세트 및 상기 멀티 캐리어 세트의 일단을 지지하는 지지바를 구비한 신규 테스트 트레이를 개발하였다. That is, the present inventors can reduce the spacing between semiconductor devices and reduce the number of support bars that support the multi-carrier set when the multi-carrier set capable of accommodating a plurality of semiconductor devices at the same time reduces the number of semiconductor device accommodating spaces. New test with multi-carrier set and support bars supporting one end of the multi-carrier set, confirming that it can accommodate a larger number of semiconductor elements without increasing the size of the test tray The tray was developed.

한편, 도 1을 참조하면, 푸싱 유닛(74)은 테스트 트레이에 고정된 반도체 소자를 테스트 장치(72)쪽으로 밀어 테스트 장치(72)에 반도체 소자가 접속할 수 있도록 하는 것으로서, 도시하지는 않았지만 상기 푸싱 유닛(74)은 테스트 트레이에 고정된 복수개의 반도체 소자를 개별적으로 테스트 장치(72)쪽으로 밀수 있도록 복수개의 콘택 소켓을 그 일면에 구비하고 있다. 여기서, 상기 푸싱 유닛(74)에 구비된 복수개의 콘택 소켓은 테스트 트레이에 고정된 복수개의 반도체 소자와 일대일로 대응하여 반도체 소자를 테스트 장치(72)쪽으로 밀게 된다. Meanwhile, referring to FIG. 1, the pushing unit 74 pushes the semiconductor device fixed to the test tray toward the test device 72 so that the semiconductor device can be connected to the test device 72. 74 includes a plurality of contact sockets on one surface thereof so as to individually push the plurality of semiconductor elements fixed to the test tray toward the test apparatus 72. Here, the plurality of contact sockets provided in the pushing unit 74 correspond to the plurality of semiconductor devices fixed to the test tray in a one-to-one manner and push the semiconductor devices toward the test device 72.

그런데, 상기 테스트 트레이에 보다 많은 수의 반도체 소자를 수용하기 위해서 멀티 캐리어 세트 및 멀티 캐리어 세트의 일단을 지지하는 지지바를 구비한 신규 테스트 트레이를 적용할 경우, 신규 테스트 트레이에 수용되는 반도체 소자 간의 간격이 종래의 테스트 트레이에 수용되는 반도체 소자 간의 간격과 상이하게 된다. However, when a new test tray including a multi-carrier set and a support bar supporting one end of the multi-carrier set is applied to accommodate a larger number of semiconductor devices in the test tray, the gap between the semiconductor devices accommodated in the new test tray. The distance between the semiconductor elements accommodated in the conventional test tray is different.

따라서, 종래의 푸싱 유닛을 그대로 적용할 경우 신규 테스트 트레이에 고정된 복수개의 반도체 소자 간의 간격과 복수개의 콘택 소켓 간의 간격이 상이하여 반도체 소자와 콘택 소켓이 서로 일대일로 대응할 수 없게 되어, 결국 반도체 소자를 테스트 장치(72)와 접속하도록 테스트 장치(72)쪽으로 밀수 없게 된다. Therefore, when the conventional pushing unit is applied as it is, the distance between the plurality of semiconductor elements fixed to the new test tray and the distance between the plurality of contact sockets are different, so that the semiconductor device and the contact socket cannot cope one-to-one with each other. Can be pushed toward the test apparatus 72 so as to be connected to the test apparatus 72.

본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 고안된 것으로서, 본 발명은 상기 멀티 캐리어 세트 및 멀티 캐리어 세트의 일단을 지지하는 지지바를 구비한 신규 테스트 트레이에 고정된 반도체 소자를 테스트 장치쪽으로 용이하게 밀어 반도체 소자를 테스트 장치와 접속할 수 있도록 하는 푸싱 유닛, 그를 구비한 테스트 핸들러, 및 그를 이용한 반도체 소자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been devised in view of the above problems, and the present invention provides a method for easily pushing a semiconductor device fixed to a new test tray having a multi-carrier set and a support bar supporting one end of the multi-carrier set toward a test device. An object of the present invention is to provide a pushing unit which can be connected to a test apparatus, a test handler having the same, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 매치플레이트; 상기 매치플레이트와 연결되는 복수개의 지지판; 및 상기 복수개의 지지판 각각에 결합되며, 복수개의 단위 콘택 소켓으로 구성된 콘택 소켓 세트를 포함하여 이루어진 푸싱 유닛을 제공한다. The present invention to achieve the above object is a match plate; A plurality of support plates connected to the match plate; And a contact socket set coupled to each of the plurality of support plates, the contact socket set including a plurality of unit contact sockets.

본 발명은 또한, 반도체 소자를 고온 또는 저온의 극한 상태로 조성하기 위한 제1챔버; 상기 제1챔버와 연결되며 고온 또는 저온의 극한 상태에서 반도체 소자를 테스트 하는 테스트 챔버; 상기 테스트 챔버와 연결되며, 테스트 완료된 반도체 소자를 상온 상태로 복귀시키기 위한 제2챔버; 반도체 소자를 수용하면서 상기 제1챔버, 테스트 챔버 및 제2챔버 사이를 이동하는 테스트 트레이; 및 상기 테스트 챔버에 형성되는 전술한 매치플레이트, 지지판 및 콘택 소켓 세트를 구비한 푸싱 유닛을 포함하여 이루어진 테스트 핸들러를 제공한다. The present invention also provides a semiconductor device comprising: a first chamber for forming a semiconductor device in an extreme state of high or low temperature; A test chamber connected to the first chamber and configured to test a semiconductor device in an extreme state of high temperature or low temperature; A second chamber connected to the test chamber and for returning the tested semiconductor device to a room temperature state; A test tray configured to move between the first chamber, the test chamber, and the second chamber while accommodating a semiconductor device; And a pushing unit having the above-described matchplate, support plate, and contact socket set formed in the test chamber.

본 발명은 또한, 반도체 소자를 준비하는 공정; 준비된 반도체 소자를 테스트 트레이에 로딩하는 공정; 상기 테스트 트레이를 제1챔버로 이송한 후 고온 또는 저온의 극한 상태를 부여하는 공정; 상기 테스트 트레이를 제1챔버에서 테스트 챔버로 이송한 후 테스트를 수행하는 공정; 상기 테스트 트레이를 테스트 챔버에서 제2챔버로 이송한 후 상온 상태로 복귀시키는 공정을 포함하고, 이때, 상기 테스트 를 수행하는 공정은 전술한 매치플레이트, 지지판 및 콘택 소켓 세트를 구비한 푸싱 유닛을 이용하여 상기 테스트 트레이에 수용된 반도체 소자를 테스트 장치와 접촉시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다. The present invention also provides a process for preparing a semiconductor device; Loading the prepared semiconductor device into a test tray; Transferring the test tray to the first chamber to impart an extreme state of high temperature or low temperature; Performing a test after transferring the test tray from the first chamber to the test chamber; Transferring the test tray from the test chamber to the second chamber and returning to the room temperature state, wherein the testing is performed using a pushing unit having the above-described match plate, support plate, and contact socket set. By contacting the semiconductor device accommodated in the test tray with a test device provides a method for manufacturing a semiconductor device characterized in that.

이하 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

우선, 본 발명자가 고안한 신규 테스트 트레이에 대해서 설명한 후, 신규 테스트 트레이에 적용할 수 있는 본 발명에 따른 푸싱 유닛에 대해서 설명하고, 이어서, 본 발명에 따른 테스트 핸들러 및 반도체 소자 제조방법에 대해서 설명한다. First, the novel test tray devised by the present inventors will be described, and then the pushing unit according to the present invention applicable to the new test tray will be described. Next, the test handler and the semiconductor device manufacturing method according to the present invention will be described. do.

<테스트 트레이><Test tray>

도 3은 본 발명자가 고안한 신규 테스트 트레이의 사시도이고, 도 4는 본 발명자가 고안한 멀티 캐리어 세트의 사시도이다. 3 is a perspective view of a novel test tray devised by the inventor, and FIG. 4 is a perspective view of a multicarrier set devised by the inventor.

도 3에서 알 수 있듯이, 신규 테스트 트레이는 외곽 프레임(100), 지지바(120), 보강바(140), 및 멀티 캐리어 세트(200)를 포함하여 이루어진다. As can be seen in FIG. 3, the new test tray includes an outer frame 100, a support bar 120, a reinforcement bar 140, and a multi-carrier set 200.

상기 외곽 프레임(100)은 테스트 트레이의 외곽 형태를 규정하고 상기 멀티 캐리어 세트(200) 중 최외곽에 형성되는 멀티 캐리어 세트(200)를 지지하는 역할을 하는 것으로서, 제1변(100a), 제2변(100b), 제3변(100c) 및 제4변(100d)이 순서대로 연결되어 구성된 사각 구조의 프레임으로 이루어진다. The outer frame 100 defines the outer shape of the test tray and serves to support the multicarrier set 200 which is formed at the outermost part of the multicarrier set 200. The two sides 100b, the third side 100c, and the fourth side 100d are formed in a frame having a rectangular structure formed by being connected in sequence.

상기 지지바(120)는 상기 멀티 캐리어 세트(200)의 일단과 연결되어 상기 멀티 캐리어 세트(200)를 지지하는 역할을 하는 것이다. 상기 멀티 캐리어 세트(200)는 후술하는 바와 같이 다수의 단위 캐리어를 포함하여 이루어지는데, 상기 지지 바(120)가 상기 다수의 단위 캐리어 각각을 지지하는 것이 아니고 다수의 단위 캐리어를 구비한 멀티 캐리어 세트(200) 전체를 지지하기 때문에 종래에 비하여 지지바(120)의 개수를 줄일 수 있고 그 만큼 반도체 소자의 수용영역을 확장할 수 있게 된다. The support bar 120 is connected to one end of the multicarrier set 200 and serves to support the multicarrier set 200. The multi-carrier set 200 includes a plurality of unit carriers as described below, wherein the support bar 120 does not support each of the plurality of unit carriers, but has a plurality of unit carriers. Since the entirety of the support 200 is supported, the number of the support bars 120 can be reduced as compared with the related art, and the receiving area of the semiconductor device can be extended by that much.

상기 지지바(120)는 상기 외곽 프레임(100)의 일변 및 타변에 연결되는데, 특히 상기 사각구조의 외곽 프레임(100)의 서로 마주보는 제1변(100a) 및 제3변(100c)에 연결되도록 형성된다. 이와 같이 상기 지지바(120)가 외곽 프레임(100)의 제2변(100b) 및 제4변(100d)에는 연결되지 않고 외곽 프레임(100)의 제1변(100a) 및 제3변(100c)에만 연결되도록 형성되면서 상기 멀티 캐리어 세트(200)를 지지하기 때문에 그 만큼 지지바(120)의 개수가 줄어들게 된다. The support bar 120 is connected to one side and the other side of the outer frame 100, in particular connected to the first side (100a) and the third side (100c) facing each other of the outer frame 100 of the rectangular structure. It is formed to be. As such, the support bar 120 is not connected to the second side 100b and the fourth side 100d of the outer frame 100, but the first side 100a and the third side 100c of the outer frame 100. The number of support bars 120 is reduced by the number of supporting bars 120 because it supports only the multicarrier set 200.

상기 보강바(140)는, 첫째 상기 외곽 프레임(100) 및 지지바(120)를 보강하는 역할을 하기 위해서 상기 외곽 프레임(100)과 지지바(120)에 연결되어 형성되며, 둘째 상기 멀티 캐리어 세트(200)가 상기 외곽 프레임(100) 또는 지지바(120)에 균일하게 연결되도록 하는 역할을 하기 위해서 상기 멀티 캐리어 세트(200)의 내부를 가로질러 형성된다. The reinforcement bar 140 is first connected to the outer frame 100 and the support bar 120 in order to reinforce the outer frame 100 and the support bar 120, and secondly, the multi-carrier. The set 200 is formed across the inside of the multi-carrier set 200 to serve to uniformly connect the outer frame 100 or the support bar 120.

상기 보강바(140)는 상기 멀티 캐리어 세트(200)와 연결되어 상기 멀티 캐리어 세트(200)를 지지하는 역할을 하는 것이 아니기 때문에 상기 보강바(140)가 구비되어 있지 않아도 테스트 트레이의 기능을 수행할 수는 있는 것이고 오히려 상기 보강바(140)가 구비되지 않는 것이 반도체 소자의 수용영역을 보다 확장할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 상기와 같은 역할을 하기 때문에 본 발명에 따른 테스트 트레이가 보강바(140)를 채용한 것이고 그 이유에 대해서 보다 구체적으로 설명하면 하기와 같다. Since the reinforcing bar 140 is not connected to the multi-carrier set 200 to support the multi-carrier set 200, the reinforcing bar 140 functions as a test tray even when the reinforcing bar 140 is not provided. Rather, the absence of the reinforcing bar 140 may extend the receiving area of the semiconductor device. Nevertheless, since the test tray according to the present invention employs the reinforcing bar 140 because it plays the same role as described above, the reason thereof will be described in more detail.

상기 보강바(140)의 첫째 역할과 관련하여 설명하면, 상기 멀티 캐리어 세트(200)는 후술하는 바와 같이 탄성부재(220)에 의해 상기 외곽 프레임(100) 또는 지지바(120)와 이동가능하게 연결되어 있는데, 이는 테스트 챔버에서 테스트 공정시 푸싱 유닛에 의해 상기 멀티 캐리어 세트(200)를 상기 외곽 프레임(100) 또는 지지바(120)로부터 테스트 장치쪽으로 이동하게 하기 위함이다. Referring to the first role of the reinforcing bar 140, the multi-carrier set 200 is movable with the outer frame 100 or the support bar 120 by the elastic member 220 as will be described later This is to move the multi-carrier set 200 from the outer frame 100 or the support bar 120 toward the test apparatus by the pushing unit during the test process in the test chamber.

여기서, 테스트 공정이 고온하에서 반복적으로 수행되게 되면, 즉, 고온 하에서 푸싱 유닛에 의해 상기 멀티 캐리어 세트(200)가 반복적으로 테스트 장치쪽으로 이동하게 되면, 상기 외곽 프레임(100) 및 지지바(120)가 변형되는 문제가 발생하게 된다. Here, when the test process is repeatedly performed under a high temperature, that is, when the multi-carrier set 200 is repeatedly moved to the test apparatus by the pushing unit under the high temperature, the outer frame 100 and the support bar 120 There is a problem that is deformed.

따라서, 상기 외곽 프레임(100) 및 지지바(120)의 변형을 최소화하기 위해서 상기 외곽 프레임(100)과 지지바(120) 사이에 상기 보강바(140)를 연결한 것이다. 즉, 상기 보강바(140)는 상기 지지바(120)와 수직을 이루면서 상기 사각 구조의 외곽 프레임(100)의 서로 마주보는 제2변(100c) 및 제4변(100d)에 연결되도록 형성됨으로써, 상기 외곽 프레임(100) 및 지지바(120)의 변형을 최소화한다. Therefore, the reinforcing bar 140 is connected between the outer frame 100 and the support bar 120 in order to minimize deformation of the outer frame 100 and the support bar 120. That is, the reinforcing bar 140 is formed so as to be connected to the second side (100c) and the fourth side (100d) facing each other of the outer frame 100 of the rectangular structure perpendicular to the support bar 120. Minimizing deformation of the outer frame 100 and the support bar 120.

상기 보강바(140)의 둘째 역할과 관련하여 설명하면, 반도체 소자에 대한 테스트공정이 완료되면 반도체 소자를 테스트 트레이로부터 분리하는 언로딩 공정이 진행된다. 이와 같은 언로딩 공정은 상기 멀티 캐리어 세트(200)에 고정되어 있는 반도체 소자의 고정을 해제하는 공정을 필요로 하고, 그를 위해서 반도체 소자의 고정을 해제하기 위한 장치가 상기 멀티 캐리어 세트(200)의 하부에서 소정의 압력을 가하게 된다. Referring to the second role of the reinforcing bar 140, the unloading process of separating the semiconductor device from the test tray is performed when the test process for the semiconductor device is completed. Such an unloading process requires a process of releasing the fixing of the semiconductor element fixed to the multicarrier set 200, and for this purpose, an apparatus for releasing the fixing of the semiconductor element is provided. A predetermined pressure is applied at the bottom.

여기서, 상기와 같은 압력이 반복적으로 멀티 캐리어 세트(200)에 가해질 경우 멀티 캐리어 세트(200)와 상기 외곽 프레임(100) 또는 지지바(120) 사이의 연결이 불균일하게 되는 문제가 발생하게 된다. In this case, when the pressure is repeatedly applied to the multicarrier set 200, the connection between the multicarrier set 200 and the outer frame 100 or the support bar 120 becomes uneven.

따라서, 상기 보강바(140)를 상기 멀티 캐리어 세트(200)의 내부를 가로질러 형성함으로써 상기 반도체 소자의 고정을 해제하기 위한 장치가 상기 멀티 캐리어 세트(200)를 반복적으로 가압한다 하더라도 상기 멀티 캐리어 세트(200)가 상기 외곽 프레임(100) 또는 지지바(120)에 균일하게 연결될 수 있도록 한 것이다. Therefore, the multi-carrier set 200 may be formed across the inside of the multi-carrier set 200, even if the device for releasing the fixing of the semiconductor device repeatedly presses the multi-carrier set 200. The set 200 is to be connected to the outer frame 100 or the support bar 120 uniformly.

한편, 이와 같은 둘째 역할을 최대화하기 위해서는 멀티 캐리어 세트(200)를 가로지르는 상기 보강바(140)를 복수개 형성하는 것이 유리하지만, 상기 보강바(140)를 복수개 형성하면 그 만큼 반도체 소자 수용 영역이 줄어들기 때문에 상기 보강바(140)는 상기 멀티 캐리어 세트(200)를 2개의 영역으로 분할하도록 하나만 형성하는 것이 바람직하다. On the other hand, in order to maximize the second role, it is advantageous to form a plurality of the reinforcing bar 140 across the multi-carrier set 200, but if a plurality of the reinforcing bar 140 is formed as much as the semiconductor element receiving region Since it is reduced, it is preferable to form only one reinforcing bar 140 to divide the multi-carrier set 200 into two regions.

상기 멀티 캐리어 세트(200)는 복수개의 반도체 소자를 동시에 수용하는 역할을 하는 것으로서, 탄성부재(220)에 의해서 상기 외곽 프레임(100) 또는 상기 지지바(120)에 이동가능하게 결합되어, 테스트 공정시 푸싱 유닛에 의해 테스트 장치쪽으로 이동하게 된다. The multi-carrier set 200 serves to accommodate a plurality of semiconductor devices at the same time, is coupled to the outer frame 100 or the support bar 120 by the elastic member 220 so as to be movable, the test process It is moved towards the test device by the pushing unit.

상기 멀티 캐리어 세트(200)는 도 3에는 두개 만이 도시되어 있지만, 외곽 프레임(100)의 내부 전체에 형성된다. Although only two of the multi-carrier set 200 are illustrated in FIG. 3, the multi-carrier set 200 is formed in the entire interior of the outer frame 100.

상기 멀티 캐리어 세트(200)는 반도체 소자(S) 각각을 수용하기 위한 단위 캐리어(210)가 n × m의 행렬(여기서 n과 m는 1 이상의 정수이고, n과 m이 모두 1인 경우는 제외한다)로 이루어져 구성된다. The multicarrier set 200 is a matrix in which a unit carrier 210 for accommodating each semiconductor device S is n × m (where n and m are integers of 1 or more, and n and m are both 1). It is composed of

이와 같이, 상기 멀티 캐리어 세트(200)가 복수개의 반도체 소자를 동시에 수용하기 때문에 종래 하나의 반도체 소자를 수용하는 캐리어 모듈을 적용할 때에 비하여 전체적으로 반도체 소자 사이의 간격을 줄일 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 도 4에서 알 수 있듯이, 상기 멀티 캐리어 세트(200)는 단위 캐리어(210)들을 구획하기 위해서 상기 단위 캐리어(210)들 사이에 하나의 격벽(230)을 형성하면 충분한 반면 종래 캐리어 모듈의 경우는 하나의 캐리어 모듈에 하나의 격벽을 형성해야 하는 구조이므로 종래에 비하여 격벽의 개수가 줄어들어 그 만큼 반도체 소자 사이의 간격이 줄어들게 된다. 또한, 상기 멀티 캐리어 세트(200)는 최외곽에만 탄성부재(220)를 형성하고 그 내부에는 탄성부재(220)를 형성하지 않는 반면 종래 캐리어 모듈의 경우는 하나의 캐리어 모듈마다 최외곽에 탄성부재(220)를 형성해야 하는 구조이므로 종래에 비하여 탄성부재(220) 형성을 위한 공간이 줄어들어 그 만큼 반도체 소자 사이의 간격이 줄어들게 된다. As described above, since the multi-carrier set 200 simultaneously accommodates a plurality of semiconductor devices, the spacing between semiconductor devices can be reduced as a whole as compared with the case of applying a carrier module to accommodate one semiconductor device. More specifically, as shown in FIG. 4, the multicarrier set 200 is sufficient to form one partition wall 230 between the unit carriers 210 to partition the unit carriers 210. The conventional carrier module has a structure in which one partition is to be formed in one carrier module, so that the number of partitions is reduced as compared with the prior art, thereby reducing the distance between semiconductor devices. In addition, the multi-carrier set 200 forms the elastic member 220 only in the outermost part and does not form the elastic member 220 therein, whereas in the case of the conventional carrier module, each of the carrier modules has an elastic member at the outermost part. Since the structure needs to be formed 220, the space for forming the elastic member 220 is reduced as compared with the related art, thereby reducing the distance between the semiconductor devices.

한편, 이와 같은 멀티 캐리어 세트(200)의 효과를 감안할 때, 상기 단위 캐리어(210)의 행렬이 크면 클수록 유리하지만, 전술한 바와 같이 테스트 공정시 멀티 캐리어 세트(200)가 고온 하에서 푸싱 유닛에 의해 반복적으로 테스트 장치쪽으로 이동하게 되면 상기 외곽 프레임(100) 및 지지바(120)가 변형되는 문제가 발생하므로, 상기 단위 캐리어(210)의 행렬의 크기를 무한정 크게 할 수는 없는 것이 고, 양자를 모두 고려할 때 2 ×4의 행렬 구조가 바람직하다. On the other hand, in view of the effects of the multi-carrier set 200, the larger the matrix of the unit carrier 210 is advantageous, but as described above, the multi-carrier set 200 in the test process by the pushing unit under high temperature Since the outer frame 100 and the support bar 120 are deformed when repeatedly moved to the test device, it is not possible to increase the size of the matrix of the unit carrier 210 indefinitely. Considering all of them, a matrix structure of 2 x 4 is preferable.

상기 멀티 캐리어 세트(200)가 n × m의 행렬의 단위 캐리어(210)로 이루어진 경우, 상기 보강바(140)는 상기 단위 캐리어(210)의 행과 행 사이 또는 열과 열 사이를 가로질러 형성될 수 있으며, 예로서 도 4와 같이 상기 단위 캐리어(210)가 2 × 4의 행렬로 배열된 경우 상기 보강바(140)는 상기 단위 캐리어(210)의 행과 행 사이를 가로질러 형성될 수 있다. When the multi-carrier set 200 is composed of unit carriers 210 of an n × m matrix, the reinforcing bar 140 may be formed between rows and rows of the unit carriers 210 or between columns and columns. For example, as shown in FIG. 4, when the unit carriers 210 are arranged in a matrix of 2 × 4, the reinforcement bar 140 may be formed across rows and rows of the unit carriers 210. .

상기 단위 캐리어(210)는 반도체 소자(S)의 리드(R)를 노출시키기 위한 제1홀(212), 공기 통로 역할을 하는 제2홀(214), 및 반도체 소자를 고정하기 위한 고정기구(미도시)를 포함하여 이루어진다. The unit carrier 210 may include a first hole 212 for exposing the lead R of the semiconductor device S, a second hole 214 serving as an air passage, and a fixing mechanism for fixing the semiconductor device ( Not shown).

<푸싱 유닛><Pushing Unit>

이하 설명할 본 발명에 따른 푸싱 유닛은 전술한 테스트 트레이에 고정된 반도체 소자를 용이하게 테스트 장치쪽으로 밀수 있도록 하기 위한 것이지만, 반드시 전술한 테스트 트레이만을 대상으로 하는 것은 아니다. The pushing unit according to the present invention to be described below is intended to easily push the semiconductor element fixed to the above-described test tray toward the test apparatus, but not necessarily the above-described test tray.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 푸싱 유닛의 정면도이고, 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 푸싱 유닛의 측면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 푸싱 유닛을 구성하는 지지판과 콘택소켓의 후면 사시도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 푸싱 유닛을 구성하는 지지판과 콘택소켓의 정면 사시도이다. 5A is a front view of a pushing unit according to an embodiment of the present invention, FIG. 5B is a side view of a pushing unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a view illustrating a pushing unit according to an embodiment of the present invention. 7 is a rear perspective view of the support plate and the contact socket, and FIG. 7 is a front perspective view of the support plate and the contact socket constituting the pushing unit according to an embodiment of the present invention.

도 5a, 도5b, 도 6 및 도 7에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 푸싱 유닛(740)은 매치플레이트(750), 지지판(760), 및 콘택 소켓 세트(770)를 포함하여 이루어진다. As can be seen in FIGS. 5A, 5B, 6 and 7, the pushing unit 740 according to an embodiment of the present invention includes a matchplate 750, a support plate 760, and a set of contact sockets 770. It is done by

상기 매치 플레이트(750)는 상기 지지판(760) 및 콘택 소켓 세트(770)를 지탱하면서 전후방으로 이동할 수 있도록 구성된다. The match plate 750 is configured to move forward and backward while supporting the support plate 760 and the set of contact sockets 770.

즉, 반도체 소자에 대한 테스트를 수행할 경우에는 상기 매치 플레이트(750)가 전방으로 이동하게 되고, 그에 따라 상기 콘택 소켓 세트(770)가 테스트 트레이에 고정된 반도체 소자 쪽으로 접근하여 반도체 소자가 테스트 장치와 접속할 수 있도록 반도체 소자를 테스트 장치쪽으로 밀게 된다. 또한, 반도체 소자에 대한 테스트를 완료한 경우에는 상기 매치 플레이트(750)가 후방으로 이동하게 되고, 그에 따라 반도체 소자와 테스트 장치와의 접속이 해제된다. That is, when performing a test on the semiconductor device, the match plate 750 moves forward, and accordingly, the contact socket set 770 approaches the semiconductor device fixed to the test tray, thereby allowing the semiconductor device to test. The semiconductor element is pushed toward the test apparatus so as to be connected with. In addition, when the test for the semiconductor device is completed, the match plate 750 is moved backwards, thereby disconnecting the connection between the semiconductor device and the test device.

상기 지지판(760)은 상기 콘택 소켓 세트(770)를 지지하는 것으로서, 상기 매치 플레이트(750)에 복수개의 지지판(760)이 연결되어 있으며, 복수개의 지지판(760) 각각에 개별적으로 콘택 소켓 세트(770)가 지지된다. The support plate 760 supports the contact socket set 770, and a plurality of support plates 760 are connected to the match plate 750, and a set of contact sockets are individually connected to each of the plurality of support plates 760. 770 is supported.

상기 지지판(760)과 상기 매치플레이트(750)는 소정의 핀(754)을 통해 서로 연결되어 있다. 구체적으로는, 상기 핀(754)의 일단은 상기 지지판(760)에 고정되어 있고, 상기 핀(754)의 타단(755)은 상기 매치플레이트(750)에 고정되지 않은 상태로 상기 매치플레이트(750)에 구비된 연결홀(753)을 관통하여 형성되어 있다. 여기서, 상기 핀(754)의 타단(755)의 폭은 상기 매치플레이트(750)에 구비된 연결홀(753)의 폭보다 크게 형성되어 있어, 상기 핀(754)이 상기 매치플레이트(750)로부터 이탈되지 않는다. The support plate 760 and the match plate 750 are connected to each other through a predetermined pin 754. Specifically, one end of the pin 754 is fixed to the support plate 760, the other end 755 of the pin 754 is not fixed to the match plate 750 the match plate 750 It is formed through the connecting hole 753 provided in the). Here, the width of the other end 755 of the pin 754 is formed to be larger than the width of the connection hole (753) provided in the match plate 750, so that the pin 754 from the match plate 750 It does not go away.

또한, 상기 지지판(760)과 매치플레이트(750)의 사이 부분에는 소정의 탄성부재(756)가 상기 소정의 핀(754) 둘레에 형성되어 있다. In addition, a predetermined elastic member 756 is formed around the predetermined pin 754 between the support plate 760 and the match plate 750.

이와 같이 상기 핀(754)의 타단(755)을 상기 매치플레이트(750)에 고정하지 않고 상기 핀(754)의 둘레에 탄성부재(756)를 형성한 이유는 반도체 소자에 대한 테스트 공정을 위해서 콘택 소켓 세트(770)가 반도체 소자를 테스트 장치 쪽으로 밀게 되는 경우에 반도체 소자에 너무 심한 압력이 가해지는 것을 방지하기 위함이다. The reason why the elastic member 756 is formed around the pin 754 without fixing the other end 755 of the pin 754 to the match plate 750 is to contact the semiconductor device for a test process. This is to prevent too much pressure on the semiconductor device when the socket set 770 pushes the semiconductor device toward the test apparatus.

즉, 반도체 소자에 대한 테스트 공정을 위해서는 상기 콘택 소켓 세트(770)가 테스트 트레이에 고정되어 있는 반도체 소자를 테스트 장치 쪽으로 밀게 된다. 이때 콘택 소켓 세트(770)가 반도체 소자 쪽으로 너무 과하게 이동하는 경우가 발생할 수 있는데 이와 같은 경우에 상기 지지판(760)과 매치 플레이트(750) 사이에 형성된 탄성부재(756)가 압축되면서 상기 지지판(760)과 콘택 소켓 세트(770)가 매치 플레이트(750)쪽으로 이동하게 되어 반도체 소자에 너무 심한 압력이 가해지지 않게 된다. That is, in order to test a semiconductor device, the contact socket set 770 pushes the semiconductor device fixed to the test tray toward the test device. In this case, the contact socket set 770 may move excessively toward the semiconductor device. In this case, the support plate 760 is compressed while the elastic member 756 formed between the support plate 760 and the match plate 750 is compressed. ) And the contact socket set 770 are moved toward the match plate 750 so that too high pressure is not applied to the semiconductor device.

상기 핀(754)은 상기 지지판(760)을 상기 매치플레이트(750)에 보다 원활히 연결하기 위해서 복수개의 핀(754)이 상기 지지판(760)에 고정되는데, 소정 개수의 핀(754)이 상기 지지판(760)의 일측에 고정되고 소정 개수의 핀(754)이 상기 지지판(760)의 타측에 고정되며, 이때, 상기 지지판(760)의 일측에 고정된 핀(754)의 개수와 상기 지지판(760)의 타측에 고정된 핀(754)의 개수를 서로 상이하게 하는 것이 바람직하다. 일 예로서, 도 6에서와 같이, 상기 지지판(760)의 상측에는 두개의 핀(754)이 고정되고 상기 지지판(760)의 하측에 한 개의 핀(754)이 고정된다. The pins 754 are fixed to the support plate 760 in order to more smoothly connect the support plate 760 to the match plate 750, a predetermined number of pins 754 is the support plate The pin 754 is fixed to one side of the 760 and a predetermined number of pins 754 are fixed to the other side of the support plate 760, where the number of pins 754 and the support plate 760 fixed to one side of the support plate 760 are fixed. The number of pins 754 fixed to the other side of the () is preferably different from each other. For example, as shown in FIG. 6, two pins 754 are fixed to the upper side of the support plate 760, and one pin 754 is fixed to the lower side of the support plate 760.

이와 같이 상기 지지판(760)의 일측에 고정된 핀(754)의 개수와 상기 지지 판(760)의 타측에 고정된 핀(754)의 개수를 서로 상이하게 하는 이유는, 상기 지지판(760)을 보다 유동적으로 구성함으로써, 테스트 공정시 테스트 트레이에 고정되어 있는 반도체 소자의 정렬 상태가 일정하지 않은 경우에도 콘택 소켓 세트(770)가 테스트 트레이에 고정되어 있는 반도체 소자를 테스트 장치 쪽으로 보다 원활히 밀수 있도록 하기 위함이다. As such, the number of the pins 754 fixed to one side of the support plate 760 and the number of the pins 754 fixed to the other side of the support plate 760 are different from each other. The more flexible configuration allows the contact socket set 770 to push the semiconductor device fixed to the test tray more smoothly to the test device even when the arrangement of the semiconductor devices fixed to the test tray is not constant during the test process. For sake.

보다 구체적으로 설명하면, 테스트 공정을 위해서는 콘택 소켓 세트(770)를 테스트 트레이에 고정되어 있는 반도체 소자 쪽으로 밀게 되는데 만약 상기 반도체 소자의 정렬 상태가 일정하지 않은 상태라면 콘택 소켓 세트(770)가 반도체 소자와 정확히 접촉하지 못하는 경우가 발생할 수 있는데, 이와 같은 경우에 상기 지지판(760)을 보다 유동적으로 구성할 경우 상기 지지판(760)에 연결된 콘택 소켓 세트(770)의 위치가 반도체 소자와 정확히 접촉할 수 있는 위치로 변경될 수 있어 비록 반도체 소자의 정렬 상태가 일정하지 않다 하더라도 콘택 소켓 세트(770)가 반도체 소자를 테스트 장치 쪽으로 원활히 밀수 있게 된다. 따라서, 상기 지지판(760)을 보다 유동적으로 구성하는 것이 바람직하며, 그를 위해서 상기 지지판(760)의 일측에 고정된 핀(754)의 개수와 상기 지지판(760)의 타측에 고정된 핀(754)의 개수를 서로 상이하게 하는 것이다. In more detail, for the test process, the contact socket set 770 is pushed toward the semiconductor device fixed to the test tray. If the alignment state of the semiconductor device is not constant, the contact socket set 770 is the semiconductor device. In this case, when the support plate 760 is configured to be more fluid, the position of the contact socket set 770 connected to the support plate 760 may be exactly in contact with the semiconductor device. The contact socket set 770 can smoothly push the semiconductor device toward the test device even if the alignment of the semiconductor device is not constant. Therefore, it is preferable to configure the support plate 760 more fluidly, and for this, the number of pins 754 fixed to one side of the support plate 760 and the pins 754 fixed to the other side of the support plate 760. The number of is to be different from each other.

상기 복수개의 지지판(760) 사이의 좌우 간격(X)은 상기 복수개의 지지판(760) 사이의 상하 간격(Y)과 상이하다(도 5a 참조). 이는 상기 복수개의 지지판(760)이 전술한 테스트 트레이(T)에 구비된 복수개의 멀티 캐리어 세트(200)(도 3참조)와 대응되도록 형성되기 때문이다. 즉, 도 3에서 알 수 있듯이, 복수개의 멀 티 캐리어 세트(200)들 중에서 좌측의 멀티 캐리어 세트와 우측의 멀티 캐리어 세트 사이에는 지지바(120)가 형성되어 있는 반면 상측의 멀티 캐리어 세트와 하측의 멀티 캐리어 세트 사이에는 지지바가 형성되어 있지 않기 때문에 복수개의 멀티 캐리어 세트(200)들 사이의 좌우 간격과 복수개의 멀티 캐리어 세트(200)들 사이의 상하 간격이 서로 상이한데, 상기 푸싱유닛(740)을 구성하는 복수개의 지지판(760)이 상기 테스트 트레이(T)에 구비된 복수개의 멀티 캐리어 세트(200) 각각과 대응되도록 형성되기 때문에, 상기 복수개의 지지판(760) 사이의 좌우 간격(X)이 상기 복수개의 지지판(760) 사이의 상하 간격(Y)과 상이하게 되는 것이다.The left and right spaces X between the plurality of support plates 760 are different from the vertical spaces Y between the plurality of support plates 760 (see FIG. 5A). This is because the plurality of support plates 760 are formed to correspond to the plurality of multicarrier sets 200 (see FIG. 3) provided in the above-described test tray T. That is, as shown in FIG. 3, the support bar 120 is formed between the left multi-carrier set and the right multi-carrier set among the plurality of multi-carrier sets 200, while the upper multi-carrier set and the lower side are formed. Since the support bar is not formed between the multi-carrier set of the left and right intervals between the plurality of multi-carrier set 200 and the vertical gap between the plurality of multi-carrier set 200 is different from each other, the pushing unit 740 Since the plurality of support plates 760 constituting the plurality of support plates 760 are formed to correspond to each of the plurality of multicarrier sets 200 provided in the test tray T, the left and right gaps X between the plurality of support plates 760 are formed. This is different from the vertical gap Y between the plurality of support plates 760.

상기 지지판(760)의 중앙부에는 좌우로 선형의 홈(762)이 구비되어 있는데(도 6 및 도 7참조), 상기 선형의 홈(762)은 멀티 캐리어 세트(200)의 단위 캐리어의 행과 행 사이에 형성되는 보강바(140)(도 3 참조)를 수용하기 위함이다. The central portion of the support plate 760 is provided with a linear groove 762 from side to side (see FIGS. 6 and 7), wherein the linear groove 762 is a row and a row of unit carriers of the multi-carrier set 200. This is to accommodate the reinforcing bar 140 (see Fig. 3) formed therebetween.

즉, 매치플레이트(750)가 전방으로 이동하여 지지판(760)에 결합된 콘택 소켓 세트(770)가 테스트 트레이에 고정된 반도체 소자와 접촉하게 되는 경우에, 상기 테스트 트레이에는 멀티 캐리어 세트(200)의 단위 캐리어의 행과 행 사이에 보강바(140)가 형성되어 있기 때문에 상기 보강바(140)에 형성된 영역에 대응하도록 상기 지지판(760)에 선형의 홈(762)을 형성함으로써 콘택 소켓 세트(770)가 반도체 소자와 원활히 접촉할 수 있도록 한 것이다. That is, when the match plate 750 moves forward and the contact socket set 770 coupled to the support plate 760 comes into contact with the semiconductor device fixed to the test tray, the test tray 750 includes a multi-carrier set 200. Since the reinforcing bar 140 is formed between the row and the row of the unit carrier of the contact socket set by forming a linear groove 762 in the support plate 760 to correspond to the area formed in the reinforcing bar 140 ( 770 may be in contact with the semiconductor device smoothly.

상기 콘택 소켓 세트(770)은 상기 복수개의 지지판(760) 각각에 결합되어 있어, 상기 지지판(760)과 함께 위치하며 동작한다. The contact socket set 770 is coupled to each of the plurality of support plates 760 to be positioned and operate together with the support plates 760.

즉, 상기 콘택 소켓 세트(770)는, 상기 탄성부재(756)가 압축될 경우 상기 지지판(760)과 함께 매치 플레이트(750)쪽으로 이동하고, 반도체 소자의 테스트 공정시 반도체 소자의 정렬 상태가 일정하지 않을 경우 상기 지지판(760)과 함께 움직여 위치를 변경할 수 있고, 테스트 트레이(T)에 구비된 복수개의 멀티 캐리어 세트(200)(도 3참조)에 대응하도록 상기 복수개의 콘택 소켓 세트(770) 사이의 좌우 간격이 복수개의 콘택 소켓 세트(770) 사이의 상하 간격과 상이하다.That is, the contact socket set 770 moves toward the match plate 750 together with the support plate 760 when the elastic member 756 is compressed, and the alignment state of the semiconductor device is constant during a test process of the semiconductor device. If not, the plurality of contact socket sets 770 may be moved together with the support plate 760 to change positions, and correspond to the plurality of multicarrier sets 200 (see FIG. 3) provided in the test tray T. The left and right gaps therebetween are different from the vertical gaps between the plurality of contact socket sets 770.

상기 콘택 소켓 세트(770)는 복수개의 단위 콘택 소켓(772)으로 구성된다. The contact socket set 770 is composed of a plurality of unit contact sockets 772.

상기 복수개의 단위 콘택 소켓(772)은 멀티 캐리어 세트(200)의 단위 캐리어(210)(도 4 참조)와 대응하는 것이며, 따라서 단위 캐리어(210)와 동일하게 n × m의 행렬로 배열된다. The plurality of unit contact sockets 772 correspond to the unit carriers 210 (see FIG. 4) of the multicarrier set 200, and thus are arranged in a matrix of n × m in the same manner as the unit carriers 210.

한편, 반도체 소자에 대한 테스트를 수행하는 공정 중에는 테스트 온도를 일정하게 유지해야 하기 위해서 상기 매치 플레이트(750)의 후방에는 고온 또는 저온의 공기를 방출하는 온도조절장치가 구비되어 있다. 또한, 상기 온도조절장치에서 방출된 고온 또는 저온의 공기가 테스트 되는 복수개의 반도체 소자까지 일정하게 도달해야 동일한 온도조건에서 복수개의 반도체 소자에 대한 테스트 결과를 얻을 수 있다. On the other hand, in the process of performing a test for the semiconductor device in order to maintain a constant test temperature, the rear of the match plate 750 is provided with a temperature control device for discharging hot or cold air. In addition, the test results for the plurality of semiconductor devices may be obtained under the same temperature conditions only when the hot or cold air discharged from the temperature controller reaches a plurality of semiconductor devices to be tested constantly.

따라서, 상기 온도조절장치에서 방출되는 고온 또는 저온의 공기가 복수개의 반도체 소자까지 일정하게 도달하는 것이 요구되며, 이를 위해서 상기 단위 콘택 소켓(772) 각각에는 제1관통홀(774)이 형성되어 있고(도 7참조), 상기 지지판(760)에는 상기 제1관통홀(774)에 대응하는 영역에 제2관통홀(764)이 형성되어 있다(도 6참조). 또한, 상기 제2관통홀(764)의 주변에는 상기 제2관통홀(764)로 고온 또는 저온의 공기가 원활히 유도될 수 있도록 소정의 깊이로 식각되어 형성되는 공기유로(766)가 구비되어 있다(도 6참조). Therefore, it is required that the hot or cold air discharged from the temperature regulating device reaches a plurality of semiconductor elements constantly. For this purpose, a first through hole 774 is formed in each of the unit contact sockets 772. In the support plate 760, a second through hole 764 is formed in a region corresponding to the first through hole 774 (see FIG. 6). In addition, an air flow path 766 is formed around the second through hole 764 to be etched to a predetermined depth so that high or low temperature air can be guided smoothly to the second through hole 764. (See Figure 6).

또한, 상기 매치 플레이트(750)에도 복수개의 제3관통홀(752)이 형성되어 있어, 온도조절장치에서 방출된 고온 또는 저온의 공기가 반도체 소자 쪽으로 유입된다. In addition, a plurality of third through holes 752 are formed in the match plate 750, so that hot or cold air discharged from the temperature controller is introduced into the semiconductor device.

<테스트 핸들러><Test handler>

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 핸들러의 개략적인 평면도이다. 8 is a schematic plan view of a test handler according to an embodiment of the present invention.

도8에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 핸들러는 로딩 스택커(340), 언로딩 스택커(350), 버퍼부(380), 교환부(400), 회전부(500), 제1챔버(600), 테스트 챔버(700) 및 제2챔버(800)를 포함하여 이루어진다. As can be seen in Figure 8, the test handler according to an embodiment of the present invention is a loading stacker 340, an unloading stacker 350, a buffer unit 380, the exchange unit 400, the rotating unit 500, It comprises a first chamber 600, the test chamber 700 and the second chamber (800).

상기 로딩 스택커(340)는 테스트할 반도체 소자를 수용하고 있는 공간으로, 테스트할 반도체 소자는 상기 로딩 스택커(340) 내에서 고객 트레이(미도시)라고 불리는 용기에 담겨져 있다. The loading stacker 340 is a space containing a semiconductor device to be tested. The semiconductor device to be tested is contained in a container called a customer tray (not shown) in the loading stacker 340.

상기 언로딩 스택커(350)는 테스트 완료된 반도체 소자를 테스트 결과에 따라 분리하여 수용하는 공간으로, 테스트 결과에 따라 양품 또는 불량품으로 결정된 반도체 소자는 상기 언로딩 스택커(350) 내에서 고객 트레이(미도시)라고 불리는 용기에 분리하여 담기게 된다. The unloading stacker 350 is a space for separating and accommodating the tested semiconductor device according to a test result, and the semiconductor device determined as good or defective according to the test result is a customer tray in the unloading stacker 350. It is separated into a container called "not shown".

상기 버퍼부(380)는 상기 로딩 스택커(340)와 교환부(400) 사이 및 상기 언로딩 스택커(350)와 교환부(400) 사이에서 반도체 소자들을 임시로 수용하는 공간이다. The buffer unit 380 is a space for temporarily receiving semiconductor devices between the loading stacker 340 and the exchange unit 400 and between the unloading stacker 350 and the exchange unit 400.

상기 교환부(400)는 테스트할 반도체 소자들을 테스트 트레이(T)에 로딩함과 더불어 테스트 완료된 반도체 소자들을 테스트 트레이(T)로부터 언로딩하는 공간이다. The exchange unit 400 is a space for loading the semiconductor devices to be tested into the test tray T and unloading the tested semiconductor devices from the test tray T.

상기 테스트 트레이(T)는 반도체 소자를 수용하면서 상기 제1챔버(600), 테스트 챔버(700) 및 제2챔버(800) 사이를 이동하는 것으로서, 상기 테스트 트레이(T)의 구조는 전술한 도 3 및 도 4와 동일하다. The test tray T moves between the first chamber 600, the test chamber 700, and the second chamber 800 while accommodating a semiconductor device, and the structure of the test tray T is described above. Same as 3 and FIG. 4.

상기 로딩 스택커(340) 또는 언로딩 스택커(350)와 상기 버퍼부(380) 사이에는 제1이송유닛(360)이 구비되어 있어, 상기 제1이송유닛(360)에 의해 상기 로딩 스택커(340) 또는 언로딩 스택커(350)와 상기 버퍼부(380) 사이에서 반도체 소자가 이송된다. A first transfer unit 360 is provided between the loading stacker 340 or the unloading stacker 350 and the buffer unit 380, so that the loading stacker is moved by the first transfer unit 360. The semiconductor device is transferred between the 340 or the unloading stacker 350 and the buffer unit 380.

상기 버퍼부(380)와 상기 교환부(400) 사이에는 제2이송유닛(300)이 구비되어 있어, 상기 제2이송유닛(300)에 의해 상기 버퍼부(380)와 상기 교환부(400) 사이에서 반도체 소자가 이송되어 반도체 소자의 로딩 및 언로딩 공정이 수행된다. A second transfer unit 300 is provided between the buffer unit 380 and the exchange unit 400. The buffer unit 380 and the exchange unit 400 are provided by the second transfer unit 300. The semiconductor device is transferred between the semiconductor devices to perform loading and unloading processes.

상기 회전부(500)는 상기 제1챔버(600)로 이송될 테스트 트레이(T)를 수평상태에서 수직상태로 회전시키는 역할을 함과 더불어 상기 제2챔버(800)에서 이송된 테스트 트레이(T)를 수직상태에서 수평상태로 회전시키는 역할을 한다. The rotating unit 500 serves to rotate the test tray T to be transferred to the first chamber 600 from a horizontal state to a vertical state, and also a test tray T transferred from the second chamber 800. It rotates from the vertical state to the horizontal state.

상기 제1챔버(600)는 반도체 소자를 고온 또는 저온의 극한 상태로 조성하기 위한 공간으로서, 상기 제1챔버(600) 내에서 반도체 소자를 수용하는 테스트 트레이(T)를 한 스텝씩 이동시키면서 테스트 조건에 상응하는 온도 조건으로 반도체 소자를 가열 또는 냉각하게 된다. The first chamber 600 is a space for forming a semiconductor device in an extreme state at a high temperature or a low temperature, and tests the test chamber T by one step while accommodating the semiconductor device in the first chamber 600. The semiconductor element is heated or cooled to a temperature condition corresponding to the condition.

상기 테스트 챔버(700)는 고온 또는 저온의 극한 상태에서 반도체 소자를 테스트 하는 공간이다. 상기 테스트 챔버(700)에서는 상기 제1챔버(600)에서 이송된 테스트트레이(T)가 푸싱 유닛(740)과 테스트 장치(720) 사이에 위치되게 되고, 상기 푸싱 유닛(740)이 테스트트레이(T)의 멀티 캐리어 세트에 고정된 반도체 소자를 테스트 장치(720)쪽으로 이동시켜 반도체 소자를 테스트 장치(720)와 접촉시킴으로써 반도체 소자에 대한 테스트가 수행된다. The test chamber 700 is a space for testing a semiconductor device in an extreme state of high temperature or low temperature. In the test chamber 700, the test tray T transferred from the first chamber 600 is positioned between the pushing unit 740 and the test apparatus 720, and the pushing unit 740 is a test tray ( The test on the semiconductor device is performed by moving the semiconductor device fixed to the multi-carrier set of T) toward the test device 720 and bringing the semiconductor device into contact with the test device 720.

상기 푸싱 유닛(740)은 전술한 도 5a, 도 5b, 도 6 및 도 7에 따른 푸싱 유닛과 동일하다. The pushing unit 740 is the same as the pushing unit according to FIGS. 5A, 5B, 6, and 7 described above.

상기 제2챔버(800)는 테스트 완료된 반도체 소자를 상온 상태로 복귀시키기 위한 공간으로서, 상기 제2챔버(800) 내에서 반도체 소자를 수용하는 테스트트레이(T)를 한 스텝씩 이동시키면서 반도체 소자를 상온 상태로 복귀시킨다. The second chamber 800 is a space for returning the tested semiconductor device to a room temperature state. The second chamber 800 moves the test tray T for accommodating the semiconductor device in the second chamber 800 step by step. Return to room temperature.

한편, 도 8은 제1챔버(600)가 테스트 챔버(700)의 좌측에 위치하고, 제2챔버(800)가 테스트 챔버(700)의 우측에 위치하는 경우를 도시하였지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 제1챔버(600)가 테스트 챔버(700)의 우측에 위치하고, 제2챔버(800)가 테스트 챔버(700)의 좌측에 위치할 수도 있고, 제1챔버(600)가 테스트 챔버(700)의 상측(또는 하측)에 위치하고, 제2챔버(800)가 테스트 챔버(700)의 하측(또는 상측)에 위치할 수도 있다. 8 illustrates a case in which the first chamber 600 is located at the left side of the test chamber 700 and the second chamber 800 is located at the right side of the test chamber 700, but is not necessarily limited thereto. The first chamber 600 may be located at the right side of the test chamber 700, the second chamber 800 may be located at the left side of the test chamber 700, and the first chamber 600 may be located at the test chamber 700. Located above (or below) the second chamber 800 may be located below (or above) the test chamber 700.

<반도체 소자 제조방법><Semiconductor Device Manufacturing Method>

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자를 제조하는 방법에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described.

우선, 반도체 소자를 준비한다. 상기 반도체 소자는 메모리 반도체 소자 및 비메모리 반도체 소자를 포함한다. First, a semiconductor element is prepared. The semiconductor device includes a memory semiconductor device and a non-memory semiconductor device.

다음, 준비된 반도체 소자를 테스트 트레이에 로딩한다. Next, the prepared semiconductor device is loaded into the test tray.

이 공정은 도8에서 알 수 있듯이, 제1이송유닛(360)에 의해 로딩 스택커(340)에 수용된 반도체 소자들을 버퍼부(380)에 임시로 수용한 후, 제2이송유닛(300)에 의해 상기 버퍼부(380)에 수용한 반도체 소자들을 상기 교환부(400)의 테스트 트레이(T)에 로딩하는 공정으로 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 8, the semiconductor devices accommodated in the loading stacker 340 by the first transfer unit 360 are temporarily accommodated in the buffer unit 380, and then the second transfer unit 300 is disposed in the second transfer unit 300. The semiconductor device accommodated in the buffer unit 380 may be loaded in a test tray T of the exchange unit 400.

상기 테스트 트레이(T)는 전술한 도 3 및 도 4와 동일하다. The test tray T is the same as that of FIGS. 3 and 4 described above.

다음, 상기 테스트 트레이를 제1챔버로 이송한 후 고온 또는 저온의 극한 상태를 부여한다. Next, after the test tray is transferred to the first chamber, an extreme state of high temperature or low temperature is given.

이 공정은 도8에서 알 수 있듯이, 회전부(500)에서 수평상태의 테스트 트레이를 90도 회전하여 테스트 트레이를 수직상태로 위치시키고, 수직상태의 테스트 트레이를 제1챔버(600)로 이송시킨 후 제1챔버(600) 내에서 순차적으로 이동시켜 테스트 조건에 맞는 온도로 가열 또는 냉각하는 공정으로 이루어질 수 있다.As can be seen in FIG. 8, the test tray in the horizontal state is rotated 90 degrees in the rotating part 500 to position the test tray in a vertical state, and the vertical test tray is transferred to the first chamber 600. The first chamber 600 may be sequentially moved to heat or cool to a temperature suitable for a test condition.

다음, 상기 테스트 트레이를 제1챔버에서 테스트 챔버로 이송한 후, 상기 테스트 챔버내에서 상기 반도체 소자에 대한 테스트를 수행한다. Next, the test tray is transferred from the first chamber to the test chamber, and then the semiconductor device is tested in the test chamber.

이 공정은, 도 8에서 알 수 있듯이, 푸싱 유닛(740)이 테스트트레이(T)의 멀티 캐리어 세트(도 2 및 도 3의 도면부호 200 참조)에 고정된 반도체 소자를 테스트 장치(720)쪽으로 이동시켜 반도체 소자를 테스트 장치(720)와 접촉시킴으로써 반도체 소자에 대한 테스트를 수행하는 공정으로 이루어질 수 있다.As can be seen in FIG. 8, the semiconductor device, in which the pushing unit 740 is fixed to the multi-carrier set (see reference numeral 200 in FIGS. 2 and 3) of the test tray T, is moved toward the test apparatus 720. The semiconductor device may be moved to contact the test device 720 to perform a test on the semiconductor device.

상기 푸싱 유닛(740)은 전술한 도 5a, 도 5b, 도 6 및 도 7에 따른 푸싱 유닛과 동일하다.The pushing unit 740 is the same as the pushing unit according to FIGS. 5A, 5B, 6, and 7 described above.

다음, 상기 테스트 트레이를 상기 테스트 챔버에서 제2챔버로 이송한 후, 상기 테스트 트레이를 상기 제2챔버 내에서 상온 상태로 복귀시킨다. Next, after the test tray is transferred from the test chamber to the second chamber, the test tray is returned to the room temperature in the second chamber.

이 공정은, 도 8에서 알 수 있듯이, 제2챔버(800) 내에서 반도체 소자를 수용하는 테스트트레이를 한 스텝씩 이동시키면서 반도체 소자를 상온 상태로 복귀시키는 공정으로 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 8, the process may be performed to return the semiconductor device to a room temperature while moving the test tray accommodating the semiconductor device by one step in the second chamber 800.

다음, 테스트 완료된 반도체 소자를 테스트 트레이로부터 언로딩 한다. Next, the tested semiconductor device is unloaded from the test tray.

이 공정은, 도 8에서 알 수 있듯이, 수직상태의 테스트 트레이를 제2챔버(800)에서 회전부(500)로 이송시킨 후 회전부(500)에서 90도 회전하여 테스트 트레이를 수평상태로 위치시키고, 제2이송유닛(300)를 이용하여 반도체 소자를 교환부(400)에서 버퍼부(380)로 이송한 후, 제1 이송유닛(360)를 이용하여 반도체 소자를 버퍼부(380)에서 언로딩 스택커(350)로 이송하여 테스트 결과에 따라 양품 또는 불량으로 분리하여 적재하는 공정으로 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 8, the test tray in a vertical state is transferred from the second chamber 800 to the rotating unit 500 and then rotated 90 degrees in the rotating unit 500 to position the test tray in a horizontal state. After transferring the semiconductor device from the exchange unit 400 to the buffer unit 380 using the second transfer unit 300, the semiconductor device is unloaded from the buffer unit 380 using the first transfer unit 360. Transfer to the stacker 350 may be made to the process of separating and loading in good or bad according to the test results.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 푸싱 유닛을 이용하면, 멀티 캐리어 세트 및 멀티 캐리어 세트의 일단을 지지하는 지지바를 구비한 신규 테스트 트레이를 적용할 수 있게 되어 테스트 트레이에 보다 많은 반도체 소자를 수용하여 반도체 소자에 대한 테스트를 수행할 수 있다. Using the pushing unit according to the present invention described above, it is possible to apply a new test tray having a multi-carrier set and a support bar for supporting one end of the multi-carrier set to accommodate more semiconductor elements in the test trays You can perform a test on.

Claims

Matchplates;

A plurality of support plates connected to the match plate; And

And a contact socket coupled to each of the plurality of support plates, the contact socket set including a plurality of unit contact sockets.

The method of claim 1,

And the support plate and the match plate are connected to each other through a predetermined pin, and a portion of the support plate and the match plate is provided with a predetermined elastic member formed around the predetermined pin.

The method of claim 2,

One end of the predetermined pin is fixed to the support plate, and the other end of the predetermined pin is formed through the match plate.

The method of claim 2,

The predetermined pins are respectively fixed to one side and the other side of the support plate, the pushing unit, characterized in that the number of pins fixed to one side of the support plate and the number of pins fixed to the other side of the support plate is different.

The method of claim 1,

Pushing unit, characterized in that the left and right spacing between the plurality of support plates is different from the vertical gap between the plurality of support plates.

The method of claim 1,

And the supporting plate is provided with a linear groove in an area corresponding to an area between the rows and rows of the plurality of unit contact sockets.

The method of claim 1,

The first contact hole is formed in each of the unit contact sockets,

And a second through hole formed in the support plate in a region corresponding to the first through hole.

The method of claim 7, wherein

And the support plate is provided with an air flow path formed by etching to a predetermined depth so that air can be smoothly guided to the first through hole.

A first chamber for forming a semiconductor device in an extreme state of high temperature or low temperature;

A test chamber connected to the first chamber and configured to test a semiconductor device in an extreme state of high temperature or low temperature;

A second chamber connected to the test chamber and for returning the tested semiconductor device to a room temperature state;

A test tray configured to move between the first chamber, the test chamber, and the second chamber while accommodating a semiconductor device; And

A test handler comprising a pushing unit according to any one of claims 1 to 8 formed in the test chamber.

The method of claim 9,

The test tray includes an outer frame; A plurality of carriers formed in the outer frame and accommodating a plurality of semiconductor devices at the same time; A support bar connected to one side and the other side of the outer frame and supporting one end of the multi-carrier set; And a reinforcing bar connected to the outer frame and the support bar, the reinforcing bar being formed across the inside of the multi-carrier set.

The method of claim 10,

And the multi-carrier set of the test tray corresponds one-to-one with the support plate of the pushing unit.

The method of claim 9,

An exchange unit for loading a semiconductor device into the test tray or unloading a semiconductor device from the test tray; And

And a rotator for rotating the test tray.

Preparing a semiconductor device;

Loading the prepared semiconductor device into a test tray;

Transferring the test tray to the first chamber to impart an extreme state of high temperature or low temperature;

Performing a test after transferring the test tray from the first chamber to the test chamber;

Transferring the test tray from the test chamber to the second chamber and returning the test tray to a room temperature state;

In this case, the step of performing the test is a step of contacting the semiconductor device accommodated in the test tray with a test device using the pushing unit according to any one of claims 1 to 8. Manufacturing method.

The method of claim 13,

The process of loading the prepared semiconductor device into a test tray may include an outer frame; A plurality of carriers formed in the outer frame and accommodating a plurality of semiconductor devices at the same time; A support bar connected to one side and the other side of the outer frame and supporting one end of the multi-carrier set; And loading a semiconductor device into a test tray which is connected to the outer frame and the support bar and includes a reinforcing bar formed across the inside of the multi-carrier set.