KR20080106887A

KR20080106887A - 솔더 합금

Info

Publication number: KR20080106887A
Application number: KR1020087007074A
Authority: KR
Inventors: 브리안 리위즈; 바와 신흐; 존 러플린; 란지트 팬드허
Original assignee: 프라이즈 메탈스, 인코포레이티드
Priority date: 2005-08-24
Filing date: 2006-08-24
Publication date: 2008-12-09
Also published as: EP1924394A2; KR101339025B1; JP2009506203A; WO2007023288A2; WO2007023288A3

Abstract

볼 그리드 배열용 합금으로서, 0.15 - 1.5 중량% 구리, 0.1 - 4 중량% 은, 0 - 0.1 중량% 인, 0 - 0.1 중량% 게르마늄, 0 - 0.1 중량% 갈륨, 0 - 0.3 중량% 하나 이상의 희토류 원소, 0 - 0.3 중량% 인듐, 0 - 0.3 중량% 마그네슘, 0 - 0.3 중량% 칼슘, 0 - 0.3 중량% 실리콘, 0 - 0.3 중량% 알루미늄, 0 - 0.3 중량% 아연, 0 - 1 중량% 안티몬과 0.02 - 0.3 중량% 니켈, 0.008 - 0.2 중량% 망간, 0.01 - 0.3 중량% 코발트, 0.005 - 0.3 중량% 크롬, 0.02 - 0.3 중량% 철, 및 0.008 - 0.1 중량% 지르코늄 중 하나 이상과 불가피한 불순물과 함께 나머지의 주석을 포함하는 합금에 관한 것이다.

Description

솔더 합금 {SOLDER ALLOY}

본 발명은 합금에 관한 것이고, 특히 무연 솔더(lead-free solder)에 관한 것이다. 이 합금은 솔더구(solder sphere) 형태로 칩 스케일 패키지(chip scale package) 및 볼 그리드 배열(ball grid array)에 이용되는데 특히 적절하고, 다만 이러한 이용에만 이용되는 것은 아니다.

환경적인 이유로, 납을 함유하는 종래의 합금을 대체하는 무연 제품에 대한 요구가 계속 증가하여 왔다. 많은 종래의 솔더 합금은 주석-구리 공융 조성물, Sn-0.7 중량% Cu 에 기초를 두고 있다.

볼 그리드 배열 조인트는, 일반적으로 원형 패드인, 두 기판 사이의 구슬 모양의 솔더이다. 이러한 조인트의 배열은 회로 보드 상에 칩을 장착하는데 이용된다.

볼 그리드 배열 및 칩 스케일 패키지에 이용되기에 적절한 솔더 합금에 대한 많은 요구가 있다. 먼저, 이 합금은 구리, 니켈, 니켈-인, 니켈-붕소("무전해 니켈")와 같은 다양한 기판 물질과 관련하여 좋은 웨팅(wetting) 특징을 나타내야 한 다. 솔더 합금은 기판 물질을 분해하여 기판과의 계면에서 금속간 화합물을 형성한다. 예를 들면, 솔더 합금에서의 주석은 금속간 물질을 형성하기 위해 계면에서 기판과 반응할 것이다. 기판이 구리라면, 이후 Cu₆Sn₅ 층이 형성될 것이다. 이러한 층은 일반적으로 수 분의 1미크론(a fraction of a micron) 내지 수 미크론의 두께를 갖는다. 이 층 및 구리 기판 사이의 계면에서 Cu₃Sn으로 된 금속간 화합물이 존재할 수 있다. 이러한 금속간 화합물은 취성 솔더 조인트를 초래할 수 있다. 일정한 경우에, 보이드가 발생하고, 이는 응력을 받은 조인트의 조기 파괴에 기여할 수 있다.

다른 중요한 인자는, (i) 강한 기계적 성질을 초래하는 합금 자체의 금속간 물질의 존재, (ii) 다중 리플로우(multiple reflow)에서의 산화 저항, (iii) 드로싱 속도(drossing rate), 및 (iv) 합금 안정성이다. 이 후자의 고려사항은 이용시 중요하고, 이 경우 합금은 긴 시간 주기 동안 탱크 또는 배스에서 유지된다.

본 발명은 종래 기술과 관련된 문제들의 적어도 일부를 다루고 향상된 솔더 합금을 제공하는 것이 목적이다. 따라서, 본 발명은 볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 패키지에 이용되기 적절한 합금을 제공하고, 이 합금은 이하를 포함한다:

0.15 - 1.5 중량% 구리,

0.1 - 4 중량% 은,

0 - 0.1 중량% 인,

0 - 0.1 중량% 게르마늄,

0 - 0.1 중량% 갈륨,

0 - 0.3 중량% 하나 이상의 희토류 원소,

0 - 0.3 중량% 인듐,

0 - 0.3 중량% 마그네슘,

0 - 0.3 중량% 칼슘,

0 - 0.3 중량% 실리콘,

0 - 0.3 중량% 알루미늄,

0 - 0.3 중량% 아연,

0 - 1 중량% 안티몬,

및 이하의 원소 중 적어도 하나를 포함한다:

0.02 - 0.3 중량% 니켈,

0.008 - 0.2 중량% 망간,

0.01 - 0.3 중량% 코발트,

0.005 - 0.3 중량% 크롬,

0.02 - 0.3 중량% 철,

0.008 - 0.1 중량% 지르코늄,

그리고 불가피한 불순물과 함께 나머지의 주석(balance tin)을 포함한다.

본 발명은 이하에서 설명될 것이다. 이하에서 본 발명의 다양한 태양이 더욱 상세하게 정의된다. 이렇게 정의된 각각의 태양은 다른 태양과 조합될 수 있거나 또는 명확하게 나타나지는 않지만 반대 태양과 조합될 수 있다. 특히, 바람직하거나 또는 유리하게 나타난 피쳐(feature)는 다른 피쳐 또는 바람직하거나 유리하게 나타난 피쳐와 조합될 수 있다.

구리는 주석과 함께 공융 화합물을 형성하고, 이는 합금 강도를 높이고 녹는점을 낮춘다. 하이퍼-공융 범위에서 구리 함유량은 액상선(liquidus) 온도를 증가시키고, 또한 합금 강도를 향상시킨다.

이 합금은 0.15 내지 1 중량% Cu, 더욱 바람직하게 0.5 내지 0.9 중량% Cu, 더더욱 바람직하게 0.6 내지 0.8 중량% Cu를 포함하는 것이 바람직하다.

은은 녹는점을 낮추고, 구리 및 다른 기판에 대한 솔더의 웨팅 성질을 향상시킨다.

이 합금은 0.1 내지 3 중량% Ag, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2 중량% Ag를 포함하는 것이 바람직하다. 가장 바람직하게, 이 합금은 0.1 내지 1 중량% Ag를 포함한다. 이 범위 내에서 바람직한 범위는 0.1 내지 0.5 중량% Ag이고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 0.4 중량% Ag이며, 더더욱 바람직하게는 0.1 내지 0.3 중량% Ag이다. Ag 범위에 대한 하위 한계는 0.2 중량%까지 상승될 수 있다.

낮은 은 함유량은 유익하다고 알려져 왔는데, 왜냐하면 이는 향상된 드롭 쇼크 저항(drop shock resistance)의 결과와 함께 감소된 합금 강성도를 제공한다. 드롭 쇼크 또는 다른 높은 변형률 테스트에서, 강성도 및 음향 임피던스(acoustic impedence)는 솔더 합금을 통해 응력이 계면(즉, 솔더/IMC/기판)으로 어떻게 전달되는지 결정하는데 있어서 주요 역할을 수행한다. 바람직하게, 이러한 응력 또는 응력 웨이브는 합금에 의해 감쇠된다. 낮은 은 함유량은 이러한 관점에서 합금 특징을 향상시킨다고 알려져 왔다. 또한, Ag₃Sn 금속간 물질은 높은 종횡비의 라스(lath) 및 플레이트(plate)로서 일반적으로 형성된다고 알려져 왔다. 솔더 조인트를 형성하는데 있어서, Ag₃Sn IMC는 계면(즉, 솔더/IMC/기판)에서 핵생성을 하는 경향을 갖는다. 이러한 구조는 응력 상승기(stress riser)로서 작용할 수 있고, 이에 의해 솔더 조인트가 추가적으로 취성을 갖게 한다. 이러한 이유 때문에, 본 발명에 따른 합금에서의 은 함유량은 ≤1 중량%인 것이 유리하고, 바람직하게는 ≤0.4 중량%, 더욱 바람직하게는 ≤0.35 중량%이며, 더욱더 바람직하게는 ≤0.3중량%이다.

존재한다면, 이 합금은 니켈, 코발트, 철 및 크롬 중 적어도 하나를 0.02 내지 0.2 중량%를 포함하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 니켈, 코발트, 철, 및 크롬 중 적어도 하나를 0.02 내지 0.1중량%를 포함한다.

존재한다면, 이 합금은 0.005 내지 0.3 중량%의 마그네슘을 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 향상된 성질은 0.02 내지 0.3 중량% Fe의 존재에 의해 얻어질 수 있다.

존재한다면, 이 합금은 0.01 내지 0.15 중량%의 망간을 포함하는 것이 바람 직하고, 더욱 바람직하게는 0.02 내지 0.1 중량%의 망간을 포함하는 것이 바람직하다.

니켈, 코발트, 크롬, 망간, 철, 안티몬 및 지르코늄은 금속간 화합물 성장 조절제(modifier) 및 그레인 리파이너(grain refiner)로서 작용할 수 있다. 예를 들면, 이론적으로 연결되는 것을 원하는 것은 아니지만, 니켈은 주석과 함께 그리고 구리와 함께 CuNiSn의 금속간 물질(an intermetallic)을 형성하고, 금속간 물질에서 낮은 용해도 원소의 존재는 Cu의 확산을 느리게 하며 이에 의해 시간에 따라 형성되는 IMC의 양을 줄인다.

망간, 코발트 및 크롬은 각각 주석에서 낮은 용해도를 가지며, 또한 구리 및 주석과 함께 금속간 물질을 형성한다. 금속간 물질의 존재는 몰텐(molten)으로부터 고체 상태로 합금을 냉각시킬 때 형성되는 미세구조에 영향을 미친다. 더 미세한 그레인 구조가 관찰되고, 이는 합금의 강도 및 모습에 이롭다.

CuNiSn 금속간 물질의 성장 속도는 니켈이 없는 합금의 성장 속도보다 작다고 알려져 있다.

코발트는 계면 금속간 물질의 형성의 속도를 늦추는 것으로 알려져 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 이 합금은 0.005 내지 0.3 중량% 크롬, 바람직하게는 0.01 내지 0.3 중량% 크롬, 더욱 바람직하게는 0.02 내지 0.2 중량% 크롬, 더더욱 바람직하게는 0.03 내지 0.1 중량% 크롬을 포함한다. 상기에서 언급된 것처럼, 1 중량%에 이르는 Ag와 함께 0.3중량%에 이르는 Cr이 향상된 성질을 갖는 합금을 초래한다. 특히, Cr 추가를 함유한 합금은 소위 모드 1 파괴(mode 1 failure)에 대해 감소된 볼 견인력을 갖는다. 모드 1은 바람직한 파괴 모드이다. 이는 계면에서가 아니고 솔더에서 인장 파괴 및 네킹(necking)이다. 또한, 바람직한 결과는 Cr에 추가하여 Ni의 존재에 의해 얻어진다.

또한, 크롬은 합금을 연하게 하고 산화 저항을 향상시키는 것으로 알려져 있다.

망간은 계면 금속간 성장 속도를 감소시키는 것으로 알려져 있다.

지르코늄은 솔더 계면 성장을 감소시키는 것으로 알려져 있다.

인듐, 아연, 마그네슘, 칼슘, 갈륨 및 알루미늄은 확산 보상체(diffusion compensator)로서 작용할 수 있다. 적절하게 빠른 확산 종의 첨가는, 예를 들어 솔더-기판 계면으로부터 순수 원자 플럭스이고 이에 의해 보이드를 형성하는 것(호스팅 또는 키르켄달(Horsting or Kirkendall))의 균형을 맞추는데 효과적일 수 있다. 인듐은 솔더 웨팅 상에 유리한 효과를 갖는다고 알려져 있다. 인듐은 솔더의 녹는점을 낮춘다. 또한, 인듐은 솔더 조인트에서 보이드의 형성을 감소시키는 작용을 할 수 있다. 또한, 인듐은 Sn이 풍부한 매트릭스의 강도를 향상시킬 수 있다. 아연은 인듐과 유사한 방식으로 작용한다고 알려져 있다.

알루미늄은 금속상의 형태를 변경시키는 것으로 알려져 있다. 또한, 알루미늄은 존재할 수 있는 안티몬과 화합할 수 있다. 또한, 알루미늄(뿐만 아니라 크롬, 게르마늄, 실리콘 및 인)은 산화 환원의 관점에서 유리할 수 있다.

인, 게르마늄, 및 갈륨은 드로스 감소제(dross reducer)로서 작용할 수 있다.

존재한다면, 이 합금은 한 이상의 희토류 원소를 0.05중량% 까지 포함하는 것이 바람직하다. 하나 이상의 희토류 원소는, 세륨, 란탄, 네오디뮴 및 프라세오디뮴으로부터 선택된 둘 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 합금은 납이 없거나 또는 본질적으로 납이 없다. 이 합금은 종래의 납 함유 솔더 합금보다 환경적인 문제에서 장점을 제공한다.

본 발명에 따른 합금은 CSP 이용에 대해 솔더구로서 일반적으로 공급될 것이고, 또한 선택적으로 플럭스와 함께 바아(bar), 스틱 또는 잉고트(ingot)로서 공급될 수도 있다. 또한, 이 합금은, 스트립 또는 솔더로부터 스탬프되거나 컷된 예비 성형체(preform), 구 또는 플럭스를 포함하는 예를 들어 코어된 와이어(cored wire)와 같은 와이어 형태로 제공될 수 있다. 이는 오직 합금일 수 있거나 또는 솔더링 처리에 의해 필요한 것처럼 적절한 플럭스로 코팅될 수 있다. 또한, 이 합금은 솔더 페이스트를 제공하도록 플럭스와 섞인 파우더로서 공급될 수도 있다.

본 발명에 따른 합금은, 기판을 코팅하기 위한 및/또는 둘 이상의 기판을 함께 납땜하기 위한 수단으로서 몰텐 솔더 배스에서 이용될 수 있다.

본 발명에 따른 합금은 불가피한 불순물을 함유할 수 있고, 다만 그 총량이 조성물의 1중량%를 초과하지 않는다. 바람직하게, 이 합금은 조성물의 0.5 중량% 이하의 양의 불가피한 불순물을 함유하고, 더욱 바람직하게는 조성물의 0.3 중량% 이하이며, 더더욱 바람직하게는 조성물의 0.1 중량% 이하이다.

본 발명에 따른 합금은 언급된 성분을 필수 구성으로 포함할 수 있다. 따라서, 의무적으로 존재하는 성분(즉, Sn, Cu, Ag 과 Ni, Co, Mn, Fe, Zr 및 Cr 중 적 어도 하나)뿐만 아니라, 다른 특정되지 않은 성분이 이 조성물에 존재할 수 있고, 이 경우 조성물의 본질적인 특징은 그러한 성분의 존재에 의해 물질적으로 영향을 받지는 않는다.

이 합금은 적어도 90 중량% 주석, 바람직하게는 94 내지 99.5 중량% 주석, 더욱 바람직하게는 95 내지 99 중량% 주석, 더더욱 바람직하게는 97 내지 99 wt% 주석을 포함하는 것이 일반적일 것이다. 따라서, 본 발명은 칩 스케일 패키지 또는 볼 그리드 배열에서 이용되는 합금을 추가로 제공하고, 이 합금은 이하를 포함한다:

95 - 99 중량% 주석,

0.15 - 1.5 중량% 구리,

0.1 - 4 중량% 은,

0 - 0.1 중량% 인,

0 - 0.1 중량% 게르마늄,

0 - 0.1 중량% 갈륨,

0 - 0.3 중량% 하나 이상의 희토류 원소,

0 - 0.3 중량% 인듐,

0 - 0.3 중량% 마그네슘,

0 - 0.3 중량% 칼슘,

0 - 0.3 중량% 실리콘,

0 - 0.3 중량% 알루미늄,

0 - 0.3 중량% 아연,

0 - 1 중량% 안티몬,

그리고 이하의 성분 중 적어도 하나를 포함한다:

0.02 - 0.3 중량% 니켈,

0.008 - 0.2 중량% 망간,

0.01 - 0.3 중량% 코발트,

0.005 - 0.3 중량% 크롬,

0.02 - 0.3 중량% 철, 및

0.008 - 0.1 중량% 지르코늄,

과 함께 불가피한 불순물을 포함한다.

본 발명에 따른 합금은 볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 패키지를 포함하는 이용에 특히 적절하다. 따라서, 본 발명은 볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 패키지에서 설명된 것과 같은 솔더 합금의 이용을 제공한다.

또한, 본 발명은 여기서 설명된 것과 같은 솔더 합금 조성물을 포함하는 칩 스케일 패키지 조인트 또는 볼 그리브 배열을 제공한다.

예

이하의 내용은 본 발명을 추가적으로 설명하는 제한 없는 실시예이다.

예 1

합금은 주철 도가니(대안적으로 세라믹 도가니가 이용될 수 있다)에서 Sn을 녹임에 의해 준비되었다. 몰텐 Sn에 Sn-3중량% Cu의 합금, 및 Sn-5중량% Ag와 Sn-0.35중량% Ni의 합금이 첨가되었다. 이러한 첨가는 350℃의 합금 배스 온도로 만들어졌다. 이 배스는 합금 Sn-0.3% P의 형태의 인의 첨가에 대해 300℃로 냉각되었다.

이 합금은,

Ag 0.3 중량%

Cu 0.7 중량%

Ni 0.03 중량%

P 0.006 중량% 및

나머지 주석의 조성물을 확인하도록 샘플로 만들어졌다.

이후 이 합금 조성물은 삽입된 수직 칼럼(column)으로 금속 스트림으로서 분사되었다. 이 금속 스트림은, 출구 오리피스에서 또는 그 근처에서 그리고 녹은 포트(melt pot)를 통해 가해진 자기변형적 진동 에너지를 가함에 의해 구형(spherodised)으로 되었다.

동일하게, 합금 조성물은 펀치되고 이후 구로서 구형화될 수 있다.

구 형태로 제공된 합금은 볼 그리드 배열 조인트 또는 칩 스케일 패키지에서 이용될 수 있다. 플럭스는 CSP의 패드로 핀 전달되거나 또는 프린트된다. 이후, 이 구는 픽되고(pick), 플럭스된 패드로 스텐실(stencil)을 통해 흔들리거나 또는 위치한다. 이후, 패키지는 240℃ 내지 260℃의 피크 온도에서 표준 리플로우 오븐 에서 리플로우된다.

합금 및 솔더 조인트 성능은 1000 시간에 이르기까지 동안 150℃에서 에이지된(aged) 패키지에서 평가되었다. IMC 성장은 표준 금속조직학 기술(standard metallographic techniques)에 의해 측정되었다. 기계적 볼 당김 테스팅이 이용되었고 이에 의해 솔더 조인트 파괴 모드(취성 또는 연성)를 평가하였다.

예 2

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다(모두 중량%).

Ag 0.3

Cu 0.7

Ni 0.2

P 0.006

Sn 나머지

이 합금은 구 형태로 제공될 수 있고 볼 그리드 배열 조인트 또는 칩 스케일 패키지에서 이용될 수 있다.

예 3

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Co 0.2

P 0.006

Sn 나머지

이 합금은 구 형태로 제공될 수 있고, 볼 그리드 배열 조인트 또는 칩 스케일 패키지에서 이용될 수 있다.

예 4

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Cr 0.05

P 0.006

Sn 나머지

예 5

합금은 예 1 내지 4의 조성물에 대응하여 제조되었고, 이 경우 Ge는 인 함유량을 대신한다.

예 6

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Co 0.2

Sn 나머지

예 7

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Ni 0.10

Ge 0.10

P 0.006

Sn 나머지

예 8

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Ni 0.2%

Sn 나머지

예 9

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Fe 0.1

Mg 0.05

Sn 나머지

예 10

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Cr 0.05

Co 0.2

Sn 나머지

예 11

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Cr 0.05

Ni 0.2

Sn 나머지

예 12

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Cr 0.05

Fe 0.2

Sn 나머지

예 13

이하의 합금 조성물은 예 1과 유사한 방식으로 준비되었다.

Ag 0.3

Cu 0.7

Cr 0.05

Fe 0.2

Mg 0.1

Sn 나머지

Claims

볼 그리드 배열(ball grid array) 또는 칩 스케일 패키지(chip scale package) 용 합금으로서,

0.15 - 1.5 중량% 구리,

0.1 - 4 중량% 은,

0 - 0.1 중량% 인,

0 - 0.1 중량% 게르마늄,

0 - 0.1 중량% 갈륨,

0 - 0.3 중량% 하나 이상의 희토류 원소,

0 - 0.3 중량% 인듐,

0 - 0.3 중량% 마그네슘,

0 - 0.3 중량% 칼슘,

0 - 0.3 중량% 실리콘,

0 - 0.3 중량% 알루미늄,

0 - 0.3 중량% 아연,

0 - 1 중량% 안티몬과

0.02 - 0.3 중량% 니켈,

0.008 - 0.2 중량% 망간,

0.01 - 0.3 중량% 코발트,

0.005 - 0.3 중량% 크롬,

0.02 - 0.3 중량% 철, 및

0.008 - 0.1 중량% 지르코늄 중 하나 이상과

불가피한 불순물과 함께 나머지의 주석을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항에 있어서,

0.15 내지 1 중량% 구리를 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 2 항에 있어서,

0.5 내지 0.9 중량% 구리를 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 3 항에 있어서,

0.6 내지 0.8 중량% 구리를 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.1 내지 1 중량% 은을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 5 항에 있어서,

0.1 내지 0.4 중량% 은을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 6 항에 있어서,

0.1 내지 0.35 중량% 은을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 7 항에 있어서,

0.1 내지 0.3 중량% 은을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.005 내지 0.3 중량% 크롬을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 9 항에 있어서,

0.01 내지 0.3 중량% 크롬을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 10 항에 있어서,

0.02 내지 0.2 중량% 크롬을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 11 항에 있어서,

0.03 내지 0.1 중량% 크롬을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

니켈, 코발트, 철 및 크롬 중 하나 이상을 0.02 내지 0.2 중량% 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 13 항에 있어서,

니켈, 코발트, 철 및 크롬 중 하나 이상을 0.02 내지 0.1 중량% 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.01 내지 0.3 중량% 마그네슘을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 15 항에 있어서,

0.02 내지 0.3 중량% 철을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.01 내지 0.15 중량% 망간을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 17 항에 있어서,

0.02 내지 0.1 중량% 망간을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.05 내지 0.3 중량% 인듐을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 19 항에 있어서,

0.1 내지 0.2 중량% 인듐을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.01 내지 0.3 중량% 칼슘을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 21 항에 있어서,

0.1 내지 0.2 중량% 칼슘을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.01 내지 0.3 중량% 실리콘을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 23 항에 있어서,

0.1 내지 0.2 중량% 실리콘을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.008 내지 0.3 중량% 알루미늄을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 25 항에 있어서,

0.1 내지 0.2 중량% 알루미늄을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.01 내지 0.3 중량% 아연을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 27 항에 있어서,

0.1 내지 0.2 중량% 아연을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

0.05 내지 1 중량% 안티몬을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 29 항에 있어서,

0.1 내지 0.5 중량% 안티몬을 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 하나 이상의 희토류 원소가, 세륨, 란탄, 네오디뮴 및 프라세오디뮴으로부터 선택된 하나 이상의(바람직하게는 둘 이상의) 원소를 포함하는,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,

예비 성형된 솔더 피스(preformed solder piece), 또는 볼 그리드 배열 조인트용 솔더구(solder sphere), 파우더 또는 페이스트(파우더와 플럭스의 혼합물), 예비 성형체, 호일 또는 스트립, 고체 또는 플럭스 코어된 와이어(flux cored wire), 스틱, 또는 바아(bar)의 형태인,

볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 용 합금.
제 1 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에서 정의된 합금을 포함하는, 솔더된 볼 그리드 배열 또는 칩 스케일 패키지 조인트.
볼 그리브 배열 또는 칩 스케일 패키지에서 청구항 제 1 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에서 정의된 합금의 이용.