KR20080103903A - 캐소드 전위 제어장치, 자발광 표시장치, 전자기기 및캐소드 전위 제어방법 - Google Patents

캐소드 전위 제어장치, 자발광 표시장치, 전자기기 및캐소드 전위 제어방법 Download PDF

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Abstract

액티브 매트릭스 구동방식에 의해 각 화소의 발광 상태를 구동 제어하는 자발광형 표시 패널에 인가하는 공통 캐소드 전위를 제어하는 캐소드 전위 제어장치로서, 발광 동작시에 자발광 소자의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압이 가지는 온도 의존 특성을 상쇄하도록 패널 온도와 관련된 캐소드 전위값으로서, 자발광 소자의 구동 트랜지스터를 포화 영역에서 동작시키는 캐소드 전위값을, 패널 온도의 현재 값에 따라 테이블 메모리로부터 판독하는 캐소드 전위 결정부와, 결정된 캐소드 전위값에 대응하는 캐소드 전위를 발생하고, 그 전위를 상기 자발광형 표시 패널의 공통 캐소드 전극에 공급하는 캐소드 전위 인가부를 구비한 캐소드 전위 제어장치가 개시된다.
액티브 매트릭스, 캐소드 전위, 트랜지스터, 전자기기

Description

캐소드 전위 제어장치, 자발광 표시장치, 전자기기 및 캐소드 전위 제어방법{CATHODE POTENTIAL CONTROL DEVICE, SELF-LUMINOUS DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT AND CATHODE POTENTIAL CONTROL METHOD}
본 발명은 2007년 5월 25일에 일본 특허청에 출원된 일본 특허 JP 2007-139768에 관련된 주제를 포함하며, 그 모든 내용은 참조에 의해 포함된다.
본 명세서에서 설명하는 발명은, 액티브 매트릭스 구동방식에 의해 각 화소의 발광 상태가 구동 제어되는 자발광형 표시 패널에 인가하는 공통 캐소드 전위를 제어함으로써, 표시 패널 내에서 소비되는 전력을 구동온도에 따라 최적화하는 기술에 관한 것이다.
여기에서 본 발명은 캐소드 전위 제어장치, 자발광 표시장치, 전자기기 및 캐소드 전위 제어방법으로서의 측면을 가진다.
오늘날, 여러 종류의 플랫 패널 디스클레이가 실용화되고 있다. 이러한 플랫 패널 디스플레이 중 하나로, 유기ＥＬ(Electro Luminescence)소자를 표시 영역 내에 행렬 배치한 유기ＥＬ패널이 있다. 유기ＥＬ패널은 박막화가 용이할 뿐만 아니 라, 응답 속도가 빠르고 동영상 표시 특성도 뛰어나다. 이에 따라, 이러한 패널은, 차세대 디바이스에 요구되는 여러 가지 특성을 제공한다.
그런데, 유기ＥＬ소자의 전류-전압(I-V) 특성은 구동온도에 따라 변동한다고 알려져 있다. 여기에서, 구동온도는 주변 온도나 유기ＥＬ소자 자체의 발열에 따라 항상 변동한다. 이에 따라 유기ＥＬ소자의 발광 휘도가 구동온도에 따라 항상 변동한다고 지적되어 왔다.
이하, 발명자들이 제안하는 발명과는 착상이 다르지만, 표시 패널의 발광 휘도(피크 휘도 레벨)를 가변으로 할 수 있는 몇 가지 기술을 예시한다.
특허문헌 1인 일본국 공개특허공보 특개 2003-134418호에는, 소비 전력을 억제하기 위해서 피크 휘도 레벨을 억제하는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 이 기술에서는, 유기ＥＬ소자의 온도 의존 특성이 고려되지 않고 있다. 또한 피크 휘도 레벨을 일정하게 유지한 상태에서는 그 기술에 의해 소비 전력을 저감할 수 없다.
특허문헌 2인 일본국 공개특허공보 특개 2003-330419호에는, 주변 온도의 검출값을 기초로 장치 내에 기억한 발광소자의 전압전류 특성을 참조하여, 적정 휘도가 되도록 표시 데이터를 보정하는 구조가 개시되어 있다. 그러나, 이 기술의 경우, 표시 데이터의 계조가 적어져, 고화질을 유지하는 것이 곤란해진다.
특허문헌 3인 일본국 공개특허공보 특개 2006-030318호에는, 외광의 밝기에 따라 피크 휘도 레벨을 변화시키는 구조가 개시되어 있다. 구체적으로는, 외광의 밝기에 따라, 전원전위 Vcc와 캐소드 전위 사이의 전압을 축소하도록 캐소드 전위 Vcathode를 가변 제어하는 구조가 개시되어 있다.
그러나, 그 목적은, 구동 트랜지스터의 드레인 전압 Vd와 드레인 전류 Id의 특성을 변동시킴으로써, 게이트·소스간 전압 Vgs가 변화하지 않은 경우에도, 피크 휘도 레벨을 하강시키는 것이다. 즉, 발광소자의 온도 의존 특성의 영향은 고려되지 않고 있다. 또한 피크 휘도 레벨의 변화가 불가결하다. 그 결과, 피크 휘도 레 벨을 하강시키지 않고 소비 전력을 하강시킬 수도 없다.
따라서, 발명자들은 발광 상태(피크 휘도 레벨)는 그대로 두고, 자발광 소자의 온도 의존 특성에 따라 표시 패널 내에서 소비되는 전력을 필요 최소한으로 제어하는 구조를 제안한다. 구체적으로는, 발명자들은 표시 패널의 캐소드 전위를 최적값으로 제어하는 구조를 제안한다.
즉, 발명자들은 제어장치에 두 부분을 포함시켰다. 제어장치는 자발광형 표시 패널에 인가하는 공통 캐소드 전위를 제어한다. 자발광형 표시 패널은 액티브 매트릭스 구동방식에 의해 각 화소의 발광 상태를 구동 제어한다. 두 부분 중 하나 또는 부분 (a)는 캐소드 전위 결정부다. 그 부분은 캐소드 전위값을 패널 온도의 현재 값에 따라 테이블 메모리로부터 판독한다. 소드 전위값은 발광 동작시에 자발광 소자의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압이 가지는 온도 의존 특성을 상쇄하도록 패널 온도와 관련되어 있다. 캐소드 전위값은 자발광 소자의 구동 트랜지스터를 포화 영역에서 동작시킨다. 또 다른 부분 또는 부분 (b)는 캐소드 전위 인가부다. 그 부분은 결정된 캐소드 전위값에 대응하는 캐소드 전위를 발생하고, 그 전위를 자발광형 표시 패널의 공통 캐소드 전극에 공급한다.
발명자들이 제안하는 발명의 경우, 발광 동작시에 자발광 소자의 애노드 전 극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압이 가지는 온도 의존 특성을 상쇄하도록, 공통 캐소드 전위를 가변 제어할 수 있다. 예를 들면 본 발명에서는 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압이 낮은 온도에서는 공통 캐소드 전위를 하강시킬 수 있다. 반면, 본 발명에서는 그 전압이 높은 온도에서는 공통 캐소드 전위를 상승시킬 수 있다.
그 결과, 표시 패널에 인가되는 전압(전원전위 Vcc와 공통 캐소드 전위의 사이에 인가되는 전압)을, 구동온도의 변화에 따라 가변 제어할 수 있다. 즉, 표시 패널에는, 각 구동온도에서의 발광 동작에 필요한 최저한의 전압만을 인가할 수 있다. 이에 따라 표시 패널에 있어서의 소비 전력을 구동온도의 변화에 따라 최적화할 수 있다.
이하, 본 발명을 액티브 매트릭스 구동형의 유기ＥＬ패널 모듈의 캐소드 전위 제어에 적용할 경우에 관하여 설명한다.
이때, 본 명세서에서 특별히 도시하지 않거나 기재하지 않는 부분에는, 해당 기술분야의 주지 또는 공지 기술을 적용한다.
또 이하에 설명하는 형태예는 본 발명의 예시이며, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
(A) 형태예 1
(A-1) 전체 구성
도 1에, 유기ＥＬ패널 모듈(1)의 주요 구성 부분을 나타낸다. 유기ＥＬ패널 모듈(1)은, 유기ＥＬ패널(3), 데이터선 드라이버(5), 주사선 드라이버(7), 온도센서(9) 및 캐소드 전위 제어부(11)를 주요 구성요소로서 포함한다.
유기ＥＬ패널(3)은 화소회로를 패널 해상도에 따라 매트릭스 모양으로 배치한 표시 디바이스다. 화소회로는 화소(13)의 발광 상태를 구동 제어한다.
본 형태예의 경우, 유기ＥＬ패널(3)은 컬러 표시용이다. 화소(13)는 발광색의 배열에 따라 배치된다. 다만, 복수 색의 유기발광층을 적층한 구조를 가지는 유기ＥＬ소자로 화소(13)를 구성할 경우, 1개의 화소가 복수의 발광색에 대응한다.
도 2에, 화소회로의 구조예를 게시한다. 이때, 도 2는, 액티브 매트릭스 구동방식에 대응하는 기본구조를 나타낸다. 단, 실제의 화소회로에는, 예를 들면 발광 기간 제어용 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 임계값 보정기능이나 이동도 보정기능에 대응하는 트랜지스터 등이 포함된다.
도 2에 나타내는 화소(13)는 기록 제어 트랜지스터 T1, 전하저장용량 C, 전류구동 트랜지스터 T2 및 유기ＥＬ소자 D로 구성된다.
기록 제어 트랜지스터 T1은, 신호 전압 Vdata의 전하저장용량 C에의 기록을 제어하는 박막 트랜지스터다. 신호 전압 Vdata은 화소 데이터에 대응한다.
이때, 기록 제어 트랜지스터 T1의 개폐 동작은 기록 신호 ＷＳ에 의해 제어된다. 기록 신호 ＷＳ는 주사선 드라이버(7)로부터 주사선 ＷＬ을 통해 공급된다. 기록 제어 트랜지스터 T1이 폐 제어되고 있는 기간에, 데이터선 ＤＬ을 통해서 인가된 화소 데이터(신호 전압 Vdata)가 전하저장용량 C에 기록된다.
전류구동 트랜지스터 T2는 구동전류를 유기ＥＬ소자 D에 공급하는 박막 트랜지스터다. 구동전류의 크기는 전하저장용량 C에 기록된 신호 전압 Vdata에 따른다. 도 2의 경우, 전류구동 트랜지스터 T2에는, N채널형 전계효과 트랜지스터를 사용한다.
데이터선 드라이버(5)는 각 화소에 대응하는 화소 데이터(신호 전압 Vdata)를 대응하는 데이터선 ＤＬ에 인가하는 회로 디바이스다. 각 화소에 대응하는 신호 전압 Vdata의 인가의 전환은 수평주사 기간마다 실행된다.
주사선 드라이버(7)는 신호 전압 Vdata의 기록 타이밍을 주는 회로 디바이스다. 기록 타이밍을 공급하는 주사선 ＷＬ은 수평주사 기간 단위로 순차 전환된다.
온도센서(9)는, 유기ＥＬ패널(3)의 구동온도를 유기ＥＬ패널(3)의 표면온도로서 측정하는 디바이스다. 도 3에, 온도센서(9)의 배치예를 게시한다. 도 3의 경우, 온도센서(9)는, 가능한 한 유기ＥＬ패널(3)의 근방에 배치한다. 단, 온도센서의 배치 위치는 표시 영역과 같은 쪽뿐만 아니라 반대쪽 또는 다른 쪽도 가능하다. 이때, 온도센서(9)는 유기ＥＬ패널(3)의 구동온도를 직접 또는 간접적으로 측정할 수 있는 곳에 위치할 필요가 있다.
캐소드 전위 제어부(11)는 유기ＥＬ소자 D의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압 Vel의 온도 의존 특성을 상쇄하는 캐소드 전위값을 결정한다. 그 캐소드 전위 제어부(11)는 온도센서(9)에 의해 측정된 구동온도(측정 온도)에 근거하여 결정한다. 그 캐소드 전위 제어부(11)는 또한 결정된 전위값에 대응하는 캐소드 전위를 유기ＥＬ패널(3)의 공통 캐소드 전극에 인가한다.
도 4에, 캐소드 전위 제어부(11)의 내부 구성예를 게시한다. 캐소드 전위 제어부(11)는, 캐소드 전위 결정부(21) 및 캐소드 전위 인가부(23)를 포함한다.
캐소드 전위 결정부(21)는 캐소드 전위값을 테이블 메모리로부터 판독하는 처리 디바이스다. 캐소드 전위값은 유기ＥＬ소자 D의 온도 의존 특성을 상쇄하도록 설정된다. 캐소드 전위값은 또한 전류구동 트랜지스터 T2의 포화 영역에서의 동작을 보장하도록 결정된다.
도 5에, 구동전류 Ids와 발광 동작시에 유기ＥＬ소자 D의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압 Vel과의 사이에 존재하는 온도 의존 특성을 나타낸다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 전류구동 트랜지스터 T2에 공급하는 구동전류 Ids가 변화하지 않아도(화소 데이터가 변화하지 않아도), 구동온도가 다르면 유기ＥＬ소자 D의 두 전극간에 발생하는 전압 Vel이 변동한다.
도 6에, 전압 Vel과 구동온도와의 관계를 나타낸다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 구동온도가 낮을수록 전압 Vel은 높아지고, 구동온도가 높을수록 전압 Vel은 낮아진다는 것을 분명히 알 수 있다. 이때, 세로축은 정규화된 전압 Vel을 나타낸다.
도 7에, 캐소드 전위와 온도와의 관계를 나타낸다. 캐소드 전위는 유기ＥＬ소자 D의 양극간에 발생하는 전압 Vel의 온도 의존 특성을 상쇄하는 데에 필요한 값이다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 구동온도가 낮을수록 캐소드 전위는 낮게 설정되고, 구동온도가 높을수록 캐소드 전위는 높게 설정된다. 즉, 캐소드 전위는 유기Ｅ Ｌ소자 D의 애노드·캐소드간에 발생하는 전압 Vel의 변화와는 반대로 변화하도록 설정된다. 이에 따라 유기ＥＬ소자 D의 애노드 전극측의 전위를 거의 일정한 값으로 제어할 수 있다. 이때, 세로축은 정규화된 캐소드 전위를 나타낸다.
도 8에, 캐소드 전위 결정부(21)에 의해 사용되는 구동온도의 측정치와 캐소드 전위가 대응되어 기록되어 있는 대응 테이블의 일례를 게시한다. 도 8의 경우, -10도의 측정 온도에는 3V의 캐소드 전위값이 대응되고, 60도의 측정 온도에는 1V의 캐소드 전위값이 대응된다. 이렇게, 70도의 온도변화에 대하여 캐소드 전위값은 2V의 변화가 대응된다.
물론, 이 대응관계는 전류구동 트랜지스터 T2가 포화 영역에서 계속해서 동작하도록 설정된다. 즉, 전류구동 트랜지스터 T2의 드레인 전극과 소스 전극간에 인가되는 전압이 포화 영역에 속하도록 설정된다. 이에 따라 구동전류 Ids의 크기를, 신호 전압 Vdata의 크기만으로 결정할 수 있다. 즉, 화소 데이터(전하저장용량 C에 보존되는 신호 전압 Vdata)와 구동전류 Ids의 관계를 온도변화에 의존하지 않고 일정하게 유지할 수 있다.
캐소드 전위 인가부(23)는, 측정 온도에 따라 결정된(대응 테이블로부터 판독된) 캐소드 전위값에 대응하는 공통 캐소드 전위 Vcathode(p)을 발생하고, 그 전위 Vcathode(p)을 유기ＥＬ패널(3)의 공통 캐소드 전극에 인가하는 회로 디바이스다.
도 9에, 캐소드 전위 인가부(23)의 내부 구성예를 게시한다.
도 9에 나타내는 캐소드 전위 인가부(23)는 디지털 포텐셔미터(31), 볼테지 폴로워 회로(OP앰프 ＯＰ1, 저항 R1, R3 및 N채널형 전계효과 트랜지스터 T11)(33)를 포함한다.
디지털 포텐셔미터(31)는 예를 들면 256스텝(8비트)으로 전압을 발생하는 반고정형 저항기를 포함한다. 이때, 전계효과 트랜지스터 T11의 소스 전극측에는 기준 캐소드 전위 Vcathode(i)이 인가된다. 기준 캐소드 전위 Vcathode(i)은 기준전위의 기능을 한다.
이 회로 구성에 의해, 유기ＥＬ패널(3)의 공통 캐소드 전극에 접속되는 배선의 전위를 디지털 포텐셔미터(31)에 의해 인가되는 공통 캐소드 전위 Vcathode(p)과 같은 전위로 유지할 수 있다.
(A-2) 유기ＥＬ패널의 발광 상태 및 소비 전력에 관한 고찰
도 10에, 캐소드 전위 제어부(11)의 제어에 의한 유기ＥＬ패널(3)의 소비 전력과 캐소드 전위 인가부(23)의 소비 전력과의 관계를 설명한다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 전원전위 VDD와 기준 캐소드 전위 Vcathode(i)의 사이에 인가되는 전압은 고정된다. 이에 반해, 캐소드 전위 제어부(11)는 구동온도의 측정치에 따라 공통 캐소드 전극에 인가하는 공통 캐소드 전위 Vcathode(p)을 가변 제어한다.
결과적으로, 유기ＥＬ패널(3)에 인가되는 전압(=VDD-Vcathode(p))과 캐소드 전위 인가부(23)에 인가되는 전압(=Vcathode(p)-Vcathode(i))의 비율이 유기ＥＬ패널(3)의 구동온도(측정온도)에 따라 변화한다.
다만, 유기ＥＬ소자 D의 애노드 전극과 전원전위 VDD의 사이에 인가되는 전 압은, 공통 캐소드 전위의 가변 제어에 의해 거의 일정하게 유지된다.
따라서, 전류구동 트랜지스터 T2로부터 공급되는 구동전류 Ids는, 유기ＥＬ패널(3)의 구동온도의 변동의 영향을 받지 않는다. 그 결과, 화소 데이터가 동일하다면 전류구동 트랜지스터 T2는 항상 같은 전류값의 구동전류 Ids를 공급하게 된다.
이때, 유기ＥＬ패널(3)에서 소비되는 전력과 캐소드 전위 인가부(23)에서 소비되는 전력의 비는, 각 부분에 인가되는 전압의 비의 변화에 따라 변동한다.
이는 구동온도가 높을수록, 공통 캐소드 전압 Vcathode(p)을 증가시킴으로써, 유기 ＥＬ패널(3)의 소비 전력을 저감할 수 있다는 것을 의미한다. 즉, 유기ＥＬ패널(3)에는, 발광 제어에 필요 최소한의 전압만을 인가하고, 나머지를 캐소드 전위 인가부(23)에 배분하는 것을 의미한다. 이에 따라 발광 제어 이외의 목적으로 소비되는 전력을 최소화할 수 있다.
도 11에, 구동온도에 따른 소비 전력의 분배 비율을 나타낸다.
일반적으로, 유기ＥＬ패널(3)의 구동온도는, 사용중인 패널 자체의 발열과 합하면 실온보다도 높다. 이 때문에, 유기ＥＬ패널(3)의 구동온도가 높을수록, 유기ＥＬ패널(3)의 소비 전력을 더욱 줄일 수 있다는 것은, 유기ＥＬ패널(3)의 발열을 더욱 억제하는 데에 효과적이다.
일반적으로, 구동온도가 높은 상태는 유기ＥＬ소자 D의 수명을 짧게 하는 방향으로 작용한다. 이 때문에, 유기ＥＬ패널(3)의 발열량(소비 전력)의 저하로 발광 수명의 연장이 기대된다.
단, 전원전위 VDD와 기준 캐소드 전위 Vcathode(i) 사이의 전압은 고정된다. 그 결과, 유기ＥＬ패널(3)의 소비 전력이 줄어들면, 그만큼, 캐소드 전위 인가부(23)의 소비 전력이 증가하게 된다. 특히, 전계효과 트랜지스터 T11의 소비 전력이 증가하게 된다.
그러나 캐소드 전위 인가부(23)는 유기ＥＬ패널(3)의 외부에 위치한다. 이 때문에, 유기ＥＬ패널(3) 자체가 발열할 경우보다는 유기ＥＬ패널(3)의 구동온도를 상승시키는 영향이 작아진다.
또한 유기ＥＬ패널(3)의 발열면적과 비교하면 캐소드 전위 인가부(23)의 발열면적은 상당히 작다. 이 때문에, 방열 설계가 용이해진다. 즉, 캐소드 전위 인가부(23)에 발생한 열을 효율적으로 방출할 수 있어, 유기ＥＬ패널(3)의 구동온도를 상승시키는 영향이 작다. 즉, 유기ＥＬ패널(3)의 온도 의존 특성을 종래 기술에 비해서 저감할 수 있다. 이 효과는 유효 표시 영역의 면적이 클수록 현저해진다.
또한 여기에서 설명한 제어방법에 의한 공통 캐소드 전위 Vcathode(p)의 제어는 전류구동 트랜지스터 T11의 구동동작 자체에 아무런 영향을 주지 않는다(즉, 전류구동 트랜지스터 T11이 포화 영역에서 동작한다). 따라서 피크 휘도 레벨을 저하시키지 않는다. 즉, 표시 품질을 손상시키지 않는다.
이렇게, 본 형태예에 따른 제어 방법에서는, 종래기술에서는 해결할 수 없는 현저한 효과를 실현할 수 있다.
(B) 형태예 2
여기에서는, 다른 방법에 의해 구동온도를 측정할 경우와 관련해서, 유기Ｅ Ｌ패널 모듈의 형태예를 설명한다. 본 형태예에서는, 유효 표시 영역 내의 화소와 같은 구조의 더미 화소를 사용해서 유기ＥＬ패널(3)의 구동온도를 직접 측정할 경우에 관하여 설명한다.
도 12a 및 12b에, 유기ＥＬ패널 모듈(41)을 구성하는 유기ＥＬ패널(43)의 더미 화소(47)의 배치예를 게시한다. 도 12a는 유기ＥＬ패널(43)의 유효 표시 영역(45)의 오른쪽 외측에 더미 화소(47)를 배치하는 예를 게시한다. 도 12b는 유효 표시 영역(45)의 아래쪽 외측에 더미 화소(47)를 배치하는 예를 게시한다.
이때, 더미 화소(47)의 화소 구조는 유효 표시 영역(45)을 구성하는 화소(13)의 화소 구조와 같다. 따라서, 더미 화소(47)는 유효 표시 영역(45)의 화소(13)와 같은 프로세스에 의해 형성된다.
도 13에, 유기ＥＬ패널 모듈(41)의 주요 구성 부분을 나타낸다. 이때 도 13의 기본적인 회로 구성은 도 1과 같다.
도 13에 나타내는 유기ＥＬ패널 모듈(41)은, 유기ＥＬ패널(43), 데이터선 드라이버(51), 주사선 드라이버(53), 온도 측정부(55) 및 캐소드 전위 제어부(57)를 주요한 구성요소로서 포함한다.
도 13에 나타낸 주요요소는 유효 표시 영역(45)의 오른쪽 아래의 외측에 더미 화소(47)를 하나 배치할 경우에 적합하다. 이에 따라 데이터선 드라이버(51)에는, 더미 화소(47)를 구동하기 위한 회로 구성이 필요하다. 즉, 데이터선 드라이버(51)에는, 스위치(61)를 탑재한다. 상기 스위치(61)는 유효 표시 영역(45)을 구성하는 화소(13)에 대응하는 화소 데이터 Din과 더미 화소(47)에 대응하는 더미 화 소 데이터 Ddmy의 어느 하나를 선택적으로 데이터선 ＤＬ에 인가한다.
도 14에, 스위치(61)의 구성예를 게시한다. 물론, 스위치(61)를 배치하는 것은, 더미 화소(47)를 배치하는 데이터선 ＤＬ에 대해서다. 따라서 스위치(61)는 그 외의 데이터선 ＤＬ에는 접속되지 않는다.
이때, 스위치(61)의 변환 타이밍은, 온도 측정부(55)에 의해 측정 타이밍 신호 Stmg로서 주어진다. 도 15에 나타낸 바와 같이, 측정 타이밍 신호 Stmg는 예를 들면 10프레임에 1회의 비율로 출력된다.
또한 본 형태예의 경우, 주사선 드라이버(53)는, 더미 화소(47)에 전용인 주사선 ＷＬ을 구동 제어하여, 더미 화소(47)를 구성하는 전하저장용량 C에의 더미 화소 데이터의 기록을 제어한다.
온도 측정부(55)는 더미 화소(47)를 구성하는 유기ＥＬ소자 D의 애노드 전위를 검출함으로써 유기ＥＬ패널(43)의 구동온도를 검출하는 처리 디바이스다.
도 16에, 더미 화소(47)와 온도 측정부(55)와의 접속 관계를 나타낸다. 도 17에, 온도 측정부(55)의 내부 구성예를 게시한다.
도 17에 나타낸 바와 같이, 온도 측정부(55)는 더미 화소 데이터 발생부(63) 및 온도 변환부(65)를 포함한다.
더미 화소 데이터 발생부(63)는, 구동온도의 검출시 이외에는, 화소 데이터 Din의 프레임 평균값을 더미 화소 데이터 Ddmy로서 출력하고, 구동온도의 측정시에는 측정용의 고정 값을 출력하는 처리 디바이스다. 여기에서, 더미 화소 데이터 Ddmy로서 유효 표시 영역(45)을 구성하는 전체 화소의 프레임 평균값을 산출하는 것은, 더미 화소(47)의 열화 상태나 발열온도를 유효 표시 영역의 평균값에 일치시키기 위해서다.
그러나 구동온도는 같은 전압(고정 값)이 주어진 경우에 유기ＥＬ소자 D의 양극간에 발생하는 전압 Vel로서 측정한다. 따라서 더미 화소 데이터 발생부(63)는 구동온도의 측정시에는, 측정용으로 미리 설정된 고정 값을 출력한다. 이때, 더미 화소 데이터 발생부(63)는, 구동온도를 측정하는 타이밍을 측정 타이밍 신호 Stmg로서 데이터선 드라이버(51)와 온도 변환부(65)에 출력한다.
온도 변환부(65)는 측정 타이밍 시의 발광 기간에 유기ＥＬ소자 D의 양극간에 발생하는 전압 Vel을 측정해서 유기ＥＬ패널(43)의 온도를 측정하는 신호 처리부다. 따라서 온도 변환부(65)에는, 유기ＥＬ소자 D의 애노드 전위(아날로그 값) Ｖｓ와 캐소드 전위 Dcathode가 주어진다.
도 18에, 온도 변환부(65)의 내부 구성예를 게시한다. 본 형태예의 경우, 온도 변환부(65)는 애노드 전위 Ｖｓ 측정용 볼테지 폴로워 회로(71), 아날로그-디지털 변환 회로(A/D변환 회로)(73), 양극간 전압산출부(75) 및 온도정보 출력부(77)를 포함한다.
여기에서, 볼테지 폴로워 회로(71)를 사용해서 애노드 전위 Ｖｓ를 측정하는 것은, 유기 ＥＬ소자 D에 공급되는 구동전류의 크기가 나노 오더로 상당히 미소하기 때문이다. 즉, 구동전류로부터 양극간 전압 Vel의 변화를 직접 측정하는 것은 상당히 곤란하기 때문이다.
이때, 볼테지 폴로워 회로(71)를 통해서 검출된 애노드 전위 Ｖｓ는 아날로 그 값이다. 따라서, 애노드 전위 Ｖｓ는 아날로그-디지털 변환 회로(73)에 의해 디지털 값으로 변환된다.
양극간 전압산출부(75)는, 유기ＥＬ소자 D의 애노드 전극에 발생하는 애노드 전위 Ｖｓ와 유기ＥＬ소자 D의 캐소드 전극에 인가되는 공통 캐소드 전위 Vcathode(p)과의 전압차를 산출하는 처리를 실행한다. 실제로는, 양극간 전압산출부(75)는 디지털 값의 차분 연산을 실행한다.
이 연산 처리에 의해, 유기ＥＬ소자 D의 양극간에 발생하는 전압값이 산출된다. 이러한 연산 처리를 하는 것은, 본 형태예의 경우, 더미 화소(47)가 유효 표시 영역(45)의 화소(13)와 동일한 회로 구성을 채용하기 때문이다. 즉, 연산 처리를 하는 것은 유기ＥＬ소자 D의 공통 캐소드 전위 Vcathode(p)이 가변 제어되기 때문이다. 따라서, 유기ＥＬ소자 D의 양쪽 전극에 대응하는 전위의 차분값을 계산하는 것이다.
온도정보 출력부(77)는, 산출된 전위차에 대응하는 온도값 Dtmp를 대응 테이블로부터 판독해서 출력하는 회로 디바이스다.
도 19에, 대응 테이블의 일례를 게시한다. 이 대응 테이블은, 온도 측정용의 더미 화소 데이터에 의해 유기ＥＬ소자 D를 발광 제어할 경우에, 유기ＥＬ소자 D의 양극간에 발생하는 전압 Vel과 구동온도와의 대응관계를 기록한 것이다.
도 19에 나타낸 바와 같이, 높은 전압 Vel에는 낮은 구동온도값 Stmp가 대응되어 있고, 낮은 전압 Vel에는 높은 구동온도값 Stmp가 대응되어 있다. 도 19의 경우, 9.3[V]에는 -10도가 대응되어 있고, 7[V]에는 60도가 대응되어 있다.
온도 변환부(65)는 대응 테이블을 참조해서 판독된 온도값 Dtmp를 캐소드 전위 제어부(57)에 공급한다.
캐소드 전위 제어부(57)의 기본 구성은 형태예 1과 같다. 다만, 캐소드 전위 제어부(57)와 그 외의 디바이스와의 접속 관계는 약간 다르다. 따라서, 도 20에 접속 관계를 나타낸다. 본 형태예의 경우, 구동온도 Dtmp는 온도 측정부(55)에 의해 주어지고, 결정된 캐소드 전위값 Dcathode는 온도 측정부(55)에 출력된다.
이때, 구동온도 Dtmp가 검출된 후의 동작은 형태예 1과 같다. 따라서 그 설명은 생략한다.
본 형태예와 같이, 유효 표시 영역(45)의 화소(13)와 같은 화소 구조를 가지는 더미 화소(47)의 구동온도를 직접 측정하는 것이 유기ＥＬ패널(43)의 구동온도를 온도센서로 측정하는 것보다 정밀도가 높다. 그 결과, 공통 캐소드 전위 Vcathode(p)의 제어 정밀도도 높일 수 있다.
(C) 형태예 3
전술한 형태예 2의 경우, 온도 측정 전용의 더미 화소(47)를 유기ＥＬ패널(43)에 배치할 경우에 관하여 설명했다.
그러나, 유기ＥＬ패널(43)의 구동온도는, 유효 표시 영역(45) 내의 화소를 사용해서 측정할 수도 있다.
도 21a 및 21b에, 유기ＥＬ패널 모듈(81)을 구성하는 유기ＥＬ패널(83)의 더미 화소(87)의 배치예를 게시한다. 도 21a에는, 유기ＥＬ패널(83)의 유효 표시 영역(85)의 오른쪽 아래 모퉁이에 화면표시와 온도 측정을 겸하는 화소(이하, 「측정 겸용 화소」라고 한다)(87)를 배치하는 예를 게시한다. 도 21b에는, 유효 표시 영역(85)의 왼쪽 위 모퉁이에 측정 겸용 화소(87)를 배치하는 예를 게시한다.
물론, 측정 겸용 화소(87)의 개수 및 배치 위치는 임의로 할 수 있다. 다만, 표시 품질에 주는 영향이나 패널 설계의 관점에서, 유효 표시 영역(85)의 외주 부분에 배치하는 것이 바람직하다.
이때, 측정 겸용 화소(87)의 화소 구조는, 유기ＥＬ소자 D의 애노드 전위를 측정하기 위한 인출 배선을 추가로 형성하는 것 외에는, 유효 표시 영역(85)의 다른 화소 구조와 같다. 따라서, 측정 겸용 화소(87)는 유효 표시 영역(85)과 동일 프로세스에 의해 일체로 형성된다.
이와 관련하여, 측정 겸용 화소(87)의 구동에 필요한 기본적인 회로 구성은 형태예 2와 같아도 된다. 다만, 온도 측정시 이외에는, 일반적인 화상이 표시되어야 한다. 따라서, 형태예 2의 경우와 같이, 더미 화소 데이터로서 화소 데이터의 프레임 평균값을 출력할 필요는 없다.
도 22에, 유기ＥＬ패널 모듈(81)의 주요 구성 부분을 나타낸다. 이때 도 22에는, 도 13과의 대응 부분에 동일한 부호를 부착해서 나타낸다. 도 22에 나타낸 바와 같이, 유기ＥＬ패널 모듈(81)은 유기ＥＬ패널(83), 데이터선 드라이버(51), 주사선 드라이버(53), 온도 측정부(91) 및 캐소드 전위 제어부(57)를 주요 구성요소로서 포함한다.
도 23에, 온도 측정부(91)의 내부 구성예를 게시한다. 도 23에는, 도 17과의 대응 부분에 동일한 부호를 부착해서 나타낸다. 온도 측정부(91)는, 측정 화소 데 이터 공급부(93) 및 온도 변환부(65)로 구성된다. 측정 화소 데이터 공급부(93)는, 구동온도의 측정시에는 측정용의 고정 값을 측정 화소 데이터 Ddtc로서 출력하는 처리 디바이스다. 이와 관련하여, 구동온도의 측정시 이외의 기간 동안, 측정 겸용 화소(87)는, 해당 위치의 표시 내용에 의해 구동 제어된다.
시간 표시 등의 정지 화상이 주로 표시되는 위치를 제외하고, 동작 화상이 표시되는 영역에서는, 그 발열 상태나 유기ＥＬ소자 D의 특성 열화는 전체 화소의 평균 레벨로부터 크게 벗어나지 않는다. 따라서, 측정 겸용 화소(87)에 대해서, 정기적 또는 비정기적으로 구동온도를 측정함으로써, 유기ＥＬ패널(83)의 구동온도를 측정할 수 있다.
(D) 다른 형태예
(D-1) 기타 구동온도의 측정예
전술한 형태예 1에서는, 온도센서를 사용해서 측정된 유기ＥＬ패널(3)의 표면온도를 구동온도로 사용할 경우에 관하여 설명했다. 또한 형태예 2 및 3에서는, 유기ＥＬ소자 D의 양극간에 발생하는 전압 Vel에 근거해서 측정되는 온도를 구동온도로 사용할 경우에 관하여 설명했다.
그러나, 구동온도로서, 유기ＥＬ패널의 주변에 배치된 온도센서에 의해 검출되는 주변 온도(기온)를 사용해도 좋다. 또한 다른 전자기기에 탑재된 온도센서에 의해 측정되고, 통신기능을 통해 통지된 온도정보를 구동온도로 사용해도 좋다.
또한 형태예 2 및 3에 있어서의 온도 측정에는, 복수의 측정용 화소(더미 화소 또는 측정 겸용 화소)를 사용해도 좋다. 특히, 표시 패널의 표면에서의 온도 분 포가 균일하지 않을 경우, 분산적으로 배치한 복수의 화소로 온도를 검출하는 것이 바람직하다. 예를 들면 구동온도의 최소값을 사용한다.
이 경우, 모든 화소에 대해서 전류구동 트랜지스터 T2의 포화 영역에서의 동작을 보증할 수 있다. 단, 다소의 화소에 대해서는, 전류구동 트랜지스터 T2가 포화 영역에 가까운 선형 영역에서 동작하도록 허용될 경우에는, 복수의 화소에 대해서 측정된 온도의 평균값을 사용해도 된다.
(D-2) 제품예
(a) 드라이브ＩＣ
상기의 설명에서는, 화소 어레이부 (유기ＥＬ패널)과 구동회로(데이터선 드라이버, 주사선 드라이버, 캐소드 전위 제어부 등)가 1개의 기본체 위에 형성된 유기ＥＬ패널 모듈에 관하여 설명했다.
그러나 화소 어레이부를 구동회로나 다른 구성요소와는 별도로 제조하여, 독립된 제품으로 유통할 수도 있다. 예를 들면 구동회로를 독립된 드라이브ＩＣ(integrated circuit)의 형태로 제조하여, 화소 어레이부와는 별도로 유통할 수도 있다.
(b) 표시 모듈
전술한 각 형태예에 관련되는 유기ＥＬ패널 모듈은, 도 24에 나타내는 외관 및 구성을 가지는 패널 모듈(101)의 형태로 유통할 수도 있다.
패널 모듈(101)은 지지 기판(105)의 표면에 대향부(103)를 접착한 구성으로 되어 있다.
대향부(103)의 기본 재료에는 유리와 같은 투명 부재를 사용한다. 그 표면에는 컬러필터, 보호막, 차광막 등이 배치된다.
이때, 패널 모듈(101)에는, 외부 기기와 지지 기판(105) 사이에서 신호 등을 입출력하기 위한 ＦＰＣ(flexible printed circuit)(107) 등이 설치되어도 된다.
(c) 전자기기
전술한 형태예에 있어서의 유기ＥＬ패널 모듈은 전자기기에 설치된 상품의 형태로 유통될 수도 있다.
도 25에, 전자기기(111)의 개념 구성예를 게시한다. 전자기기(111)는, 전술한 유기ＥＬ 패널 모듈(113) 및 시스템 제어부(115)로 구성된다. 시스템 제어부(115)에 의해 실행되는 처리 내용은, 전자기기(111)의 상품 형태에 따라 다르다.
이때, 전자기기(111)는 기기 내에서 생성되거나 외부에서 입력되는 화상이나 영상을 표시하는 기능을 탑재하고 있으면, 특정한 분야의 기기에 한정되지 않는다.
이러한 종류의 전자기기(111)에는, 예를 들면 텔레비전 수상기가 상정된다. 도 26에, 텔레비전 수상기(121)의 외관예를 게시한다.
텔레비전 수상기(121)의 케이싱 정면에는, 프런트 패널(123) 및 필터 유리(125) 등으로 구성되는 표시 화면(127)이 배치된다. 표시 화면(127) 부분이 상기 형태예에서 설명한 유기ＥＬ패널 모듈에 대응한다.
이러한 종류의 또 다른 전자기기(111)에는, 예를 들면 디지털 카메라가 상정된다. 도 27a 및 27b에, 디지털 카메라(131)의 외관예를 게시한다. 도 27a는 정면측(피사체측)의 외관예를 게시한다. 도 27b는 배면측(촬상자측)의 외관예를 게시한 다.
디지털 카메라(131)는 보호 커버(133), 촬상 렌즈부(135), 표시 화면(137), 컨트롤 스위치(139) 및 셔터 버튼(141)을 포함한다. 이 중, 표시 화면(137) 부분이, 상기 형태예에서 설명한 유기ＥＬ패널 모듈에 대응한다.
이러한 종류의 전자기기(111)에는, 예를 들면 비디오 카메라가 상정된다. 도 28에, 비디오 카메라(151)의 외관예를 게시한다.
비디오 카메라(151)는 본체(153)의 전방에 피사체를 촬상하는 촬상 렌즈(155), 촬상의 스타트/스톱 스위치(157) 및 표시 화면(159)을 포함한다. 이 중, 표시 화면(159) 부분이, 상기 형태예에서 설명한 유기ＥＬ패널 모듈에 대응한다.
이러한 종류의 또 다른 전자기기(111)에는, 예를 들면 휴대 단말장치가 상정된다. 도 29a 및 29b에, 휴대 단말장치로서의 휴대전화기(161)의 외관예를 게시한다. 도 29a 및 29b에 나타내는 휴대전화기(161)는 접이식이다. 도 29a는 케이싱을 연 상태의 외관예다. 도 29b는 케이싱을 접은 상태의 외관예다.
휴대전화기(161)는 상측 케이싱(163), 하측 케이싱(165), 연결부(본 예에서는 힌지부)(167), 표시 화면(169), 보조 표시 화면(171), 픽처 라이트(173) 및 촬상 렌즈(175)를 포함한다. 이 중, 표시 화면(169) 및 보조 표시 화면(171) 부분이, 상기 형태예에서 설명한 유기ＥＬ패널 모듈에 대응한다.
이러한 종류의 또 다른 전자기기(111)에는, 예를 들면 컴퓨터가 상정된다. 도 30에, 노트형 컴퓨터(181)의 외관예를 게시한다.
노트형 컴퓨터(181)는, 하측 케이싱(183), 상측 케이싱(185), 키보드(187) 및 표시 화면(189)을 포함한다. 이 중, 표시 화면(189)의 부분이, 상기 형태예에서 설명한 유기ＥＬ패널 모듈에 대응한다.
그 외의 전자기기(111)에는, 오디오 재생장치, 게임기, 전자 북, 전자사전 등이 상정된다.
(D-3) 기타 화소회로 예
전술한 형태예에서는, 전류구동 트랜지스터 T2로서 N채널형 전계효과 트랜지스터를 사용한 경우에 관하여 설명했다.
그러나 전류구동 트랜지스터 T2가 P채널형 전계효과 트랜지스터로 구성될 경우에도 적용할 수 있다.
도 31에, 전류구동 트랜지스터 T2로서 P채널형의 전계효과 트랜지스터를 사용한 경우의 화소회로 예를 게시한다. 이때, 도 31에는 도 2와의 대응 부분에 동일한 부호를 부착해서 나타내고 있다.
본 화소회로의 경우, 전하저장용량 C는 전원전위 VDD와 전류구동 트랜지스터 T2의 게이트 전극간의 화소 데이터에 해당하는 전압 Vdata를 유지하도록 접속된다.
(D-4) 기타 표시 디바이스 예
상기 형태예의 설명에 있어서는, 유기ＥＬ패널 모듈의 공통 캐소드 전위를 제어할 경우에 관하여 설명했다.
그러나 캐소드 전위 제어 기능은 그 외의 자발광 표시장치에도 적용할 수 있다. 예를 들면, 본 기능은 무기 EL디스플레이 장치, ＬＥＤ를 배열하는 표시장치, 기타 다이오드 구조를 가지는 발광소자를 화면 위에 배열한 표시장치에 적용할 수 있다.
(D-5) 제어 디바이스 구성
상기 설명에서는, 캐소드 전위 제어 기능을 하드웨어적으로 실현할 경우에 관하여 설명했다.
그러나 캐소드 전위 제어 기능의 일부는 소프트웨어 처리에 의해 실현해도 좋다.
(D-6) 기타
전술한 형태예는 본 발명의 취지의 범위 내에서 여러 가지로 변형할 수 있다. 또한 본 명세서의 기재에 기초하여 창작 또는 조합되는 각종 변형예 및 응용예도 생각해 볼 수 있다.
첨부된 청구항이나 그와 동등한 범위 내에 있는 한 설계 요구나 다른 요소에 따라 다양한 변형, 조합, 하위 조합, 변경을 할 수 있다는 것은 당업자에게 당연하게 이해된다.
도 1은 유기ＥＬ패널 모듈의 회로 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 화소회로와 주변회로와의 접속 관계를 도시한 도면이다.
도 3은 온도센서의 배치예를 도시한 도면이다.
도 4는 캐소드 전위 제어부의 내부 구성예를 도시한 도면이다.
도 5는 캐소드·애노드간 전압의 온도 의존 특성을 설명하는 도면이다.
도 6은 캐소드·애노드간 전압의 온도 의존 특성을 설명하는 도면이다.
도 7은 온도 의존 특성을 상쇄하는 캐소드 전위에 요구되는 제어 특성을 설명하는 도면이다.
도 8은 측정 온도와 캐소드 전위값과의 대응관계를 기록한 대응 테이블 예를 도시한 도면이다.
도 9는 캐소드 전위 인가부의 내부 구성예를 도시한 도면이다.
도 10은 캐소드 전위의 가변 제어에 의한 소비 전력의 배분 관계를 설명하는 도면이다.
도 11a 내지 11c는 캐소드 전위의 가변 제어와 패널 내에서 소비되는 전력의 변화를 설명하는 도면이다.
도 12a 및 12b는 더미 화소의 배치예를 설명하는 도면이다.
도 13은 유기ＥＬ패널 모듈의 회로 구성을 도시한 도면이다.
도 14는 데이터선 드라이버에 탑재하는 회로 구성의 일부를 설명하는 도면이다.
도 15는 측정 타이밍 신호의 공급 타이밍을 설명하는 도면이다.
도 16은 화소회로와 주변회로와의 접속 관계를 도시한 도면이다.
도 17은 온도 측정부의 내부 구성예를 도시한 도면이다.
도 18은 온도 변환부의 내부 구성예를 도시한 도면이다.
도 19는 애노드 전위의 측정치와 구동온도를 대응시킨 테이블 예를 도시한 도면이다.
도 20은 캐소드 전위 제어부의 내부 구성예를 도시한 도면이다.
도 21a 및 21b는 겸용 화소의 배치예를 도시한 도면이다.
도 22는 유기ＥＬ패널 모듈의 회로 구성을 도시한 도면이다.
도 23은 온도 측정부의 내부 구성예를 도시한 도면이다.
도 24는 표시 모듈의 내부 구성예를 도시한 도면이다.
도 25는 전자기기의 기능 구성예를 도시한 도면이다.
도 26은 전자기기 상품예를 도시한 도면이다.
도 27a 및 27b는 전자기기 상품예를 도시한 도면이다.
도 28은 전자기기 상품예를 도시한 도면이다.
도 29a 및 29b는 전자기기 상품예를 도시한 도면이다.
도 30은 전자기기 상품예를 도시한 도면이다.
도 31은 기타의 화소회로예를 도시한 도면이다.

Claims (9)

  1. 액티브 매트릭스 구동방식에 의해 각 화소의 발광 상태를 구동 제어하는 자발광형 표시 패널에 인가하는 공통 캐소드 전위를 제어하는 캐소드 전위 제어장치로서,
    발광 동작시에 자발광 소자의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압이 가지는 온도 의존 특성을 상쇄하도록 패널 온도와 관련된 캐소드 전위값으로서, 상기 자발광 소자의 구동 트랜지스터를 포화 영역에서 동작시키는 캐소드 전위값을, 패널 온도의 현재 값에 따라 테이블 메모리로부터 판독하는 캐소드 전위 결정부와,
    결정된 캐소드 전위값에 대응하는 캐소드 전위를 발생하고, 그 전위를 상기 자발광형 표시 패널의 공통 캐소드 전극에 공급하는 캐소드 전위 인가부를 구비한 것을 특징으로 하는 캐소드 전위 제어장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 패널 온도의 현재 값은, 유효 표시 영역의 근방에 배치된 온도센서의 측정치로서 주어지는 것을 특징으로 하는 캐소드 전위 제어장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 패널 온도의 현재 값은, 주변 온도를 검출하는 온도센서의 측정치로서 주어지는 것을 특징으로 하는 캐소드 전위 제어장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 패널 온도의 현재 값은, 온도 측정용으로 표시 패널에 배치된 더미 화소를 온도 측정용 화소 데이터에 의해 구동 제어했을 경우에, 자발광 소자의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압에 근거해서 주어지는 것을 특징으로 하는 캐소드 전위 제어장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 패널 온도의 현재 값은, 표시 패널의 유효 표시 영역을 구성하는 1개 또는 복수의 측정 대상 화소를 온도 측정용 화소 데이터에 의해 구동 제어했을 경우에, 상기 측정 대상 화소를 구성하는 자발광 소자의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압에 근거해서 주어지는 것을 특징으로 하는 캐소드 전위 제어장치.
  6. 액티브 매트릭스 구동방식에 의해 각 화소의 발광 상태를 구동 제어하는 자발광형 표시 패널과,
    발광 동작시에 자발광 소자의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압이 가지는 온도 의존 특성을 상쇄하도록 패널 온도와 관련된 캐소드 전위값으로서, 상기 자발광 소자의 구동 트랜지스터를 포화 영역에서 동작시키는 캐소드 전위값을, 패널 온도의 현재 값에 따라 테이블 메모리로부터 판독하는 캐소드 전위 결정부와,
    결정된 캐소드 전위값에 대응하는 캐소드 전위를 발생하고, 그 전위를 상기 자발광형 표시 패널의 공통 캐소드 전극에 공급하는 캐소드 전위 인가부를 구비한 것을 특징으로 하는 자발광 표시장치.
  7. 액티브 매트릭스 구동방식에 의해 각 화소의 발광 상태를 구동 제어하는 자발광형 표시 패널과,
    발광 동작시에 자발광 소자의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압이 가지는 온도 의존 특성을 상쇄하도록 패널 온도와 관련된 캐소드 전위값으로서, 상기 자발광 소자의 구동 트랜지스터를 포화 영역에서 동작시키는 캐소드 전위값을, 패널 온도의 현재 값에 따라 테이블 메모리로부터 판독하는 캐소드 전위 결정부와,
    결정된 캐소드 전위값에 대응하는 캐소드 전위를 발생하고, 그 전위를 상기 자발광형 표시 패널의 공통 캐소드 전극에 공급하는 캐소드 전위 인가부와,
    시스템 제어부와,
    상기 시스템 제어부에 대한 조작 입력부를 구비한 것을 특징으로 하는 전자기기.
  8. 액티브 매트릭스 구동방식에 의해 각 화소의 발광 상태를 구동 제어하는 자발광형 표시 패널에 인가하는 공통 캐소드 전위를 제어하는 캐소드 전위 제어방법으로서,
    발광 동작시에 자발광 소자의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압이 가지는 온도 의존 특성을 상쇄하도록 패널 온도와 관련된 캐소드 전위값으로서, 상기 자발광 소자의 구동 트랜지스터를 포화 영역에서 동작시키는 캐소드 전위값을, 패널 온도의 현재 값에 따라 테이블 메모리로부터 판독하는 단계와,
    판독된 캐소드 전위값에 대응하는 캐소드 전위를 발생하고, 그 전위를 상기 자발광형 표시 패널의 공통 캐소드 전극에 공급하는 단계를 구비하는 캐소드 전위 제어방법.
  9. 액티브 매트릭스 구동방식에 의해 각 화소의 발광 상태를 구동 제어하는 자발광형 표시 패널에 인가하는 공통 캐소드 전위를 제어하는 캐소드 전위 제어장치 로서,
    발광 동작시에 자발광 소자의 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에 발생하는 전압이 가지는 온도 의존 특성을 상쇄하도록 패널 온도와 관련된 캐소드 전위값으로서, 상기 자발광 소자의 구동 트랜지스터를 포화 영역에서 동작시키는 캐소드 전위값을, 패널 온도의 현재 값에 따라 테이블 메모리로부터 판독하는 캐소드 전위 결정 수단과,
    결정된 캐소드 전위값에 대응하는 캐소드 전위를 발생하고, 그 전위를 상기 자발광형 표시 패널의 공통 캐소드 전극에 공급하는 캐소드 전위 인가 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 캐소드 전위 제어장치.
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