KR20080103530A - 표시 패널의 제조 방법, 표시 패널의 제조 장치, 및 표시 패널 - Google Patents

표시 패널의 제조 방법, 표시 패널의 제조 장치, 및 표시 패널 Download PDF

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Abstract

액정 패널(11)은, 한쌍의 기판(18, 19)과, 기판(18, 19) 사이에 협지되는 액정(20)과, 양쪽 기판(18, 19)의 대향면에 형성된 배향막(30, 36)을 구비한다. 제조 공정에서는, 배향막(30, 36)의 성막을 끝낸 후, 검사 공정에서 배향막(30, 36)에 핀홀 H가 형성되어 있는지의 여부를 검사함과 함께, 핀홀 H의 위치를 검출한다. 그 후, 수리 공정에서, 핀홀 H에 대하여 배향막 보수제(50)를 부착시킴으로써, 핀홀 H를 수리한다.
Figure P1020087020156
표시 패널, 배향막 보수제, 다공질 재료, 전사 헤드, 액정, 막 결손부, 표면 개질

Description

표시 패널의 제조 방법, 표시 패널의 제조 장치, 및 표시 패널 {PROCESS FOR MANUFACTURING DISPLAY PANEL, DISPLAY PANEL MANUFACTURING APPARATUS AND DISPLAY PANEL}
본 발명은, 표시 패널의 제조 방법, 표시 패널의 제조 장치, 및 표시 패널에 관한 것이다.
액정 표시 장치의 주요 부품인 액정 패널은, 대략적으로는 한쌍의 글래스 기판 사이에 액정을 협지한 구성으로 되고, 한쪽의 글래스 기판의 내면측에는, 액티브 소자인 TFT나 화소 전극 등이 설치되고, 다른 쪽의 글래스 기판의 내면측에는, 컬러 필터나 대향 전극 등이 설치되어 있다. 그리고, 양쪽 글래스 기판에서의 액정에 접하는 면에는, 액정 분자의 배향 상태를 규제하기 위한 배향막이 각각 형성되어 있다.
또한, 배향막을 구비한 액정 패널의 일례로서 하기 특허 문헌 1에 기재된 것이 알려져 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 2005-106997 공보
상기한 배향막에는, 이하의 사정에 의해 국소적인 핀홀이 생길 가능성이 있다.
(1) 배향막의 성막 공정에서 혼입된 이물이 부착되고, 그 이물을 제거하는 것에 수반하여 배향막이 국소적으로 절결되어 핀홀이 생긴다.
(2) 배향막의 기초(화소 전극이나 대향 전극 등)에 대한 점착성이 국소적으로 나쁘고, 그 부분에서 성막시에 배향막 재료가 튀겨져, 핀홀이 생긴다.
(3) 배향막 재료로서, 액정 분자를 수직 배향시키는 것을 이용한 경우, 배향막의 기초에 대한 점착성이 나빠지는 경향이 있어, 상기 (2)와도 더불어 핀홀이 생기기 쉬워진다.
(4) 배향막의 기초에 오목부 또는 볼록부를 형성하고, 배향막의 표면에 단차를 가함으로써, 액정 분자의 배향 상태를 규제하도록 한 경우, 기초에 대한 배향막의 부설 면적이 커지고, 상기 (2)와도 더불어 핀홀이 생기기 쉬워진다.
상기한 사정에 의해 배향막에 국소적인 핀홀이 생긴 경우에는, 그 개소에 대해서는 정상적으로 화상이 표시되지 않게 되므로, 핀홀의 크기나 형성 위치에 의해서는, 배향막을 모두 박리하여 다시 성막해야만 한다고 하는 등의 문제가 있어, 제조 코스트가 높아지게 된다고 하는 결과로 되었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 사정에 기초하여 완성된 것으로서, 제조 코스트의 저감을 도모하는 것을 목적으로 한다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
본 발명의 표시 패널의 제조 방법은, 서로 대향한 한쌍의 기판 사이에 액정을 협지함과 함께, 양쪽 기판에서의 대향면에 배향막이 형성된 구성의 표시 패널을 제조하는 과정에서, 상기 배향막의 막 결손부의 유무를 검사하는 검사 공정과, 상기 막 결손부의 위치를 검출하는 위치 검출 공정과, 상기 막 결손부의 적어도 일부에 배향막 보수제를 부착시켜 막 결손부를 수리하는 수리 공정을 거치도록 하였다.
또한, 본 발명의 표시 패널의 제조 장치는, 서로 대향한 한쌍의 기판 사이에 액정을 협지함과 함께, 양쪽 기판에서의 대향면에 배향막이 형성된 구성의 표시 패널의 제조 장치로서, 상기 배향막의 막 결손부의 유무를 검사하는 검사 수단과, 상기 막 결손부의 위치를 검출하는 위치 검출 수단과, 상기 막 결손부의 적어도 일부에 배향막 보수제를 부착시켜 막 결손부를 수리하는 보수제 부착 수단을 구비하는 구성으로 하였다.
또한, 본 발명의 표시 패널은, 서로 대향한 한쌍의 투광성을 갖는 기판과, 양쪽 기판 사이에 협지되는 액정과, 양쪽 기판에서의 대향면에 형성되는 배향막과, 배향막에 생긴 막 결손부의 적어도 일부에 배향막 보수제가 부착되어 이루어지는 보수 개소를 구비하는 구성으로 하였다.
이에 의해, 검사 공정에서 막 결손부를 검출하면, 계속해서 위치 검출 공정에서 막 결손부의 위치를 검출한다. 그 후, 수리 공정에서, 막 결손부의 적어도 일부에 배향막 보수제를 부착시킴으로써, 막 결손부를 수리한다. 종래와 같이, 막 결손부가 생긴 배향막을 다시 성막하는 등으로 한 경우와 비교하면, 수율을 개선할 수 있다.
본 발명의 실시 양태로서, 다음의 구성이 바람직하다.
(1) 상기 표시 패널의 제조 방법에서의 상기 수리 공정에서는, 상기 배향막 보수제를 부착시킨 전사 수단으로부터 상기 막 결손부에 배향막 보수제를 전사시키는 스탬프 방법을 이용하도록 한다. 또한, 상기 표시 패널의 제조 장치에서의 상기 보수제 부착 수단은, 상기 막 결손부에 상기 배향막 보수제를 전사시키는 전사 수단을 구비하는 구성으로 한다. 이에 의해, 수리 공정에서, 예를 들면 배향막 보수제의 액적을 막 결손부에 적하하는 방법을 이용한 경우와 비교하여, 보수 개소의 막 두께의 제어가 용이한 것으로 된다.
(2) 상기 표시 패널의 제조 방법에서의 상기 수리 공정에서는, 상기 배향막 보수제를 부착시킨 전사 헤드를 상기 막 결손부에 눌러 댐으로써, 배향막 보수제를 전사하도록 한다. 또한, 상기 표시 패널의 제조 장치에서의 상기 전사 수단은, 상기 배향막 보수제가 부착됨과 함께, 상기 막 결손부에 대하여 눌러 대어지는 전사 헤드를 구비하는 구성으로 한다. 이에 의해, 막 결손부에 대하여 전사 헤드를 눌러 대는 시간이나 압력을 조정함으로써, 보수 개소의 막 두께의 제어가 용이한 것으로 된다. 또한, 막 결손부가 국소적으로 발생한 경우에 있어서, 예를 들면 전사 롤러에 의해 배향막 보수제를 전사하는 경우와 비교하면, 보수가 용이한 것으로 된다.
(3) 상기 표시 패널의 제조 방법에서 이용하는 상기 배향막 보수제로서, 용매 내에 배향막 재료를 용해하여 이루어지는 것을 이용함과 함께, 수리 후에 상기 전사 헤드를 배향막 보수제 내에 침지하여 대기시키도록 한다. 또한, 상기 표시 패널의 제조 장치에서는, 용매 내에 배향막 재료를 용해하여 이루어지는 상기 배향막 보수제가 모아짐과 함께, 수리 후에 대기하는 상기 전사 헤드가 수용 가능하게 되는 건조 방지 수단을 구비하는 구성으로 한다. 이에 의해, 수리 후, 전사 헤드의 표면에서 배향막 보수제가 건조되는 것을 방지할 수 있다.
(4) 상기 표시 패널의 제조 방법에서는, 가요성을 갖는 다공질 재료로 이루어지는 상기 전사 헤드를 이용하도록 한다. 또한, 상기 표시 패널의 제조 장치에서의 상기 전사 헤드는, 가요성을 갖는 다공질 재료로 이루어지는 구성으로 한다. 이에 의해, 보수 개소의 막 두께의 제어가 한층 용이한 것으로 된다. 또한, 막 결손부 부근에 단차가 있는 경우라도, 가요성을 갖는 전사 헤드가 변형됨으로써, 확실하게 배향막 보수제를 막 결손부에 부착시킬 수 있다.
(5) 상기 표시 패널의 제조 방법에서의 상기 수리 공정에 앞서, 상기 막 결손부에 대하여 상기 배향막 보수제를 부착하기 쉽게 하기 위한 표면 개질 공정을 거치도록 한다. 또한, 상기 표시 패널의 제조 장치에서는, 상기 막 결손부에 대하여 상기 배향막 보수제를 부착하기 쉽게 하도록 막 결손부의 표면을 개질하는 표면 개질 수단이 구비되는 구성으로 한다. 이에 의해, 수리 공정에서 막 결손부에 대하여 배향막 보수제가 부착되기 쉬워지므로, 확실하게 수리를 행할 수 있다.
(6) 상기 표시 패널의 제조 방법에서의 상기 표면 개질 공정에서는, 상기 막 결손부에 자외광을 조사하도록 한다. 또한, 상기 표시 패널의 제조 장치에서의 상기 표면 개질 수단은, 상기 막 결손부에 자외광을 조사하는 자외광 조사부를 구비하는 구성으로 한다. 이에 의해, 막 결손부에 자외광을 조사함으로써, 바람직하게 표면 개질을 도모할 수 있다. 또한, 예를 들면 웨트식으로 표면 개질을 한 경우와 비교하면, 처리 시간의 단축화 등을 도모할 수 있다.
(7) 상기 표시 패널의 제조 방법에서의 상기 자외광의 파장에 대하여 146nm∼365nm로 한다. 또한, 상기 표시 패널의 제조 장치에서의 상기 자외광 조사부는, 146nm∼365nm의 파장의 상기 자외광을 조사하는 구성으로 한다. 이에 의해, 한층 바람직하게 막 결손부의 표면 개질을 도모할 수 있다.
(8) 상기 표시 패널에서의 상기 배향막은, 상기 액정에 대하여 전압이 인가되어 있지 않은 상태에서 액정 분자를 배향막의 표면에 대하여 대략 수직으로 배향시키는 기능을 갖고 있는 구성으로 한다. 이에 의해, 배향막이 소위 수직 배향 기능을 갖는 경우에는, 기판에 대한 점착성이 낮고, 제조시에 막 결손부가 형성되기 쉽기는 하지만, 막 결손부에 배향막 보수제를 부착시켜 보수 개소를 형성함으로써, 막 결손부의 수리를 할 수 있으므로, 수율의 개선 효과를 높일 수 있다.
(9) 상기 표시 패널에서의 상기 기판의 표면에는, 상기 액정의 배향 상태를 규제하기 위한 단차부가 형성됨과 함께, 상기 배향막이 그 단차부를 따라 형성되어 있는 구성으로 한다. 이에 의해, 기판의 표면에 단차부가 형성되는 것에서는, 기판에 대한 배향막의 부설 면적이 커지는 경향에 있고, 그 때문에 막 결손부가 형성되기 쉬운 경향에 있기는 하지만, 그 막 결손부에 배향막 보수제를 부착시켜 보수 개소를 형성함으로써, 막 결손부를 수리할 수 있으므로, 수율의 개선 효과를 높일 수 있다.
(10) 상기 표시 패널에서의 상기 보수 개소의 막 두께가 50nm∼200nm로 되어 있는 구성으로 한다. 이에 의해, 양호한 표시 성능을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 액정 표시 장치의 단면도.
도 2는 어레이 기판의 확대 평면도.
도 3은 액정 패널의 확대 단면도.
도 4는 검사ㆍ수리 장치의 개략 측면도.
도 5는 검사ㆍ수리 장치의 블록도.
도 6은 전사 헤드를 수용하는 용기를 나타내는 도면.
도 7은 기판에 이물이 부착되어 있었던 상태를 나타내는 단면도.
도 8은 CF 기판의 핀홀에 엑시머 UV광을 조사하는 상태를 나타내는 단면도.
도 9는 핀홀에 전사 헤드를 위치 결정한 상태를 나타내는 단면도.
도 10은 핀홀에 전사 헤드를 눌러 댄 상태를 나타내는 단면도.
도 11은 배향막 보수제가 핀홀에 부착된 상태를 나타내는 단면도.
도 12는 전사 헤드보다도 작은 핀홀에 전사 헤드를 눌러 댄 상태를 나타내는 단면도.
도 13은 전사 헤드보다도 작은 핀홀 및 배향막에 배향막 보수제가 부착된 상태를 나타내는 단면도.
도 14는 어레이 기판의 핀홀에 엑시머 UV광을 조사하는 상태를 나타내는 단면도.
도 15는 핀홀에 전사 헤드를 위치 결정한 상태를 나타내는 단면도.
도 16은 핀홀에 전사 헤드를 눌러 댄 상태를 나타내는 단면도.
도 17은 배향막 보수제가 핀홀에 부착된 상태를 나타내는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11: 액정 패널(표시 패널)
18, 19: 기판
20: 액정
30, 36: 배향막
31: 슬릿(단차부)
35: 리브(단차부)
40: 검사ㆍ수리 장치(제조 장치)
44: 로타리 인코더(검사 수단(검사 장치), 위치 검출 수단(위치 검출 장치))
45: 라인 센서(검사 수단(검사 장치), 위치 검출 수단(위치 검출 장치))
48: UV 조사 헤드(표면 개질 수단(표면 개질 장치), 자외광 조사부)
49: 전사 헤드(전사 수단(전사 장치), 보수제 부착 수단(보수제 부착 장치))
50: 배향막 보수제
51: 용기(건조 방지 수단(건조 방지 장치))
52: 보수 개소
H: 핀홀(막 결손부)
<실시 형태>
본 발명의 일 실시 형태를 도 1 내지 도 17에 의해 설명한다. 본 실시 형태에서는, 액정 표시 장치(10)를 구성하는 액정 패널(11)에 대하여 예시한다. 또한, 이하에서는, 도 1에 나타내는 하측을 이측, 반대의 상측을 표측으로 하여 설명한다.
우선, 액정 표시 장치(10)의 구조에 대하여 설명한다. 액정 표시 장치(10)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 대략적으로는, 화상을 표시하기 위한 액정 패널(11)과, 액정 패널(11)의 이측(후측)에 배치되는 외부 광원인 백라이트(12)를 서로 조립한 구성으로 된다. 액정 패널(11)은, 그 이측의 백라이트(12)와, 표측(전측)에 배치된 대략 틀형을 이루는 베젤(13) 사이에 두어진 상태로 유지된다.
백라이트(12)는, 표측(액정 패널(11)측)을 향하여 개구된 대략 상자형을 이루는 케이스(14)와, 케이스(14) 내에 서로 평행하게 배열한 상태에서 수용되는 복수개의 선 형상 광원(15)(예를 들면 냉음극관)과, 케이스(14)의 개구부에 적층한 상태에서 배치되는 복수의 광학 시트(16)(예를 들면 이측으로부터 순서대로 확산판, 확산 시트, 렌즈 시트, 및 휘도 상승 시트)와, 이들 광학 시트(16)군을 케이스(14) 사이에 두고 유지하기 위한 대략 틀 형상의 프레임(17)으로 구성된다. 각 광학 시트(16)는, 각 선 형상 광원(15)으로부터 발해지는 광을 면 형상으로 변환하는 등의 기능을 갖는 것이다.
계속해서, 액정 패널(11)에 대하여 상세하게 설명한다. 액정 패널(11)은, 대략적으로는, 한쌍의 투명한(투광성을 갖는) 글래스제의 기판(18, 19)과, 양쪽 기판(18, 19) 사이에 협지됨과 함께 전계 인가에 수반하여 광학 특성이 변화하는 물질인 액정(20)을 구비하고 있다. 양쪽 기판(18, 19)은, 서로 대향함과 함께 도시하지 않은 스페이서에 의해 사이에 소정의 간격(갭)을 둔 상태에서 접합되고, 사이 에 협지된 액정(20)은, 시일제(21)에 의해 둘러싸여져 액밀 상태로 유지된다. 또한, 양쪽 기판(18, 19)의 외면측에는, 각각 표리 한쌍의 편광판(22, 23)이 접착되어 있다.
양쪽 기판(18, 19)은, 표측이 CF 기판(18)으로 되고, 이측이 어레이 기판(19)으로 된다. 어레이 기판(19)에서의 내면측(액정(20)측, CF 기판(18)과의 대향면측)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 스위칭 소자(24)(예를 들면 TFT) 및 화소 전극(25)이 다수개 배열하여 설치됨과 함께, 이들 스위칭 소자(24) 및 화소 전극(25)의 주위에는, 격자 형상을 이루는 소스 배선(26) 및 게이트 배선(27)이 둘러싸도록 하여 배설되어 있다. 소스 배선(26)과 게이트 배선(27)이 각각 스위칭 소자(24)의 소스 전극과 게이트 전극에 접속되고, 화소 전극(25)이 스위칭 소자(24)의 드레인 전극에 접속되어 있다. 또한, 화소 전극(25)과 어레이 기판(19)이나 각 배선(26, 27) 사이에는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 절연층(28, 29)이 적층되어 있다.
화소 전극(25)은, 예를 들면 ITO(Indium-tin-oxide)에 의해 구성되고, 도 2에 도시하는 바와 같이, 소스 배선(26)의 연장 방향을 따라 가늘고 긴 대략 사각 형상으로 형성되어 있다. 그리고, 화소 전극(25)이나 외측의 절연층(29)의 내면측(화소 전극(25)이나 절연층(29)과 액정(20) 사이)에는, 액정(20)을 배향시키기 위한 배향막(30)이 형성되어 있다. 배향막(30)은, 액정(20)에 대하여 전압을 인가하지 않은 상태에서 배향막(30)의 표면에 대하여 액정 분자를 수직으로 배향시키는, 소위 수직 배향 타입의 재료(예를 들면 폴리이미드)에 의해 구성된다. 이 배 향막(30)의 막 두께는, 예를 들면 100nm∼200nm 정도로 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 이들 화소 전극(25)이나 절연층(29)이 배향막(30)의 기초로 되지만, 다른 적층 구조를 채용한 액정 패널에서는, 상기와는 다른 층이 기초로 되는 경우도 있다.
이 화소 전극(25)(어레이 기판(19)의 표면)에는, 슬릿(31)(홈부, 개구부, 단차부)이 설치됨으로써, 이 화소 전극(25)을 따라 형성되는 배향막(30)의 표면에는 단차가 생겨 있다. 자세하게는, 슬릿(31)은, 소정 폭의 홈 형상으로 형성됨과 함께, 화소 전극(25)에서의 길이 방향 중앙 위치와, 길이 방향의 양단 위치 부근과, 이들 중간 위치에 각각 형성되어 있다. 중간 위치의 슬릿(31)은, 평면에서 보아 V자형을 이루고, 중앙 위치의 슬릿(31)은, 화소 전극(25)의 측 모서리에 배치됨과 함께 평면에서 보아 삼각 형상을 이루고, 양단측의 슬릿(31)은, 각각 중앙측의 슬릿(31)과 거의 평행한 직선 형상을 이룬다. 각 슬릿(31)은, 거의 등간격으로 배치되어 있다. 각 슬릿(31)에 의해 생긴 배향막(30)의 단차에 의해, 액정 분자가 도 3에 나타내는 상하 방향(양쪽 기판(18, 19)의 면 방향과 직교하는 방향)에 대하여 기울도록 배향 상태를 규제할 수 있다. 이에 의해, 종전 행해지고 있었던 배향막(30)에 대한 러빙 처리가 불필요하게 된다. 또한, 슬릿(31)의 깊이에 대해서는, 절연층(29)에 도달하는 깊이로 되어 있다.
또한, 어레이 기판(19)의 단부에는, 소스 배선(26)과 게이트 배선(27)의 끝에 각각 형성된 소스 단자부와 게이트 단자부가 배치되고, 각 단자부에 대하여 SOF(System On Film) 등의 박막 형상의 드라이버(전자 부품)의 일단측이 ACF(이방 성 도전막)를 통하여 압착 접속되고, 이 SOF의 타단측에는, ACF를 통하여 외부 회로에 접속된 프린트 기판이 압착 접속되어 있다.
한편, 표측의 CF 기판(18)의 내면측(액정(20)측, 어레이 기판(19)과의 대향면측)에는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 화소 전극(25)에 대응한 위치에 컬러 필터(32)가 다수개 배열하여 설치되어 있다. 컬러 필터(32)는, 소정의 파장의 광에 대해서는 투과를 허용하지만, 그 이외의 파장의 광에 대해서는 흡수하는 기능을 갖고 있다. 컬러 필터(32)는, R(적색)에 대응하는 파장의 광을 선택적으로 투과하는 것과, G(녹색)에 대응하는 파장의 광을 선택적으로 투과하는 것과, B(청색)에 대응하는 파장의 광을 선택적으로 투과하는 것의 3색이 설정되어 있다. 각 컬러 필터(32)는, 예를 들면 R, G, B의 순번으로 도 2에 도시하는 게이트 배선(27)의 연장 방향을 따라 배열되는 등으로 하여, 인접하는 컬러 필터(32)끼리의 색이 서로 다르도록 배치되어 있다.
인접하는 각 색의 컬러 필터(32)의 사이에는, 옆의 컬러 필터(32)측으로부터의 광을 차광하는 차광층(33)(블랙 매트릭스)이 배설됨으로써, 혼색이 방지되도록 되어 있다. 차광층(33)은, 각 컬러 필터(32)를 둘러싸는 격자 형상으로 형성되어 있다. 또한, 컬러 필터(32)의 내면에는, 화소 전극(25)과 마찬가지로 예를 들면 ITO에 의해 구성되는 대향 전극(34)이 형성되어 있다.
이 대향 전극(34)의 내면측에는, 리브(35)(볼록부, 돌기부, 단차부)가 설치되어 있다. 자세하게는, 리브(35)는, 대향 전극(34)의 내면으로부터 대향하는 어레이 기판(19)측에 돌출되어 있고, 소정 폭의 가늘고 긴 돌출조에 의해 구성된다. 리브(35)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 평면에서 보아 V자형으로 형성되어 있고, 어레이 기판(19)측에서의 서로 인접하는 각 슬릿(31)의 거의 중간 위치에 각각 배열하여 배치되어 있다. 각 리브(35)는, 그 축선 방향이 각 슬릿(31)의 연장 방향과 거의 평행해지도록 형성되어 있다. 그리고, 대향 전극(34) 및 리브(35)의 내면측(대향 전극(34)이나 리브(35)와 액정(20) 사이)에는, 액정(20)을 배향시키기 위한 배향막(36)이 형성되어 있다. 대향 전극(34)으로부터 돌출되는 각 리브(35)에 의해, 배향막(36)의 표면에는, 단차가 형성되어 있고, 이 단차에 의해, 액정 분자가 도 3에 나타내는 상하 방향(양쪽 기판(18, 19)의 면 방향과 직교하는 방향)에 대하여 기울도록 배향 상태를 규제할 수 있다. 이에 의해, 종전에 행해지고 있었던 배향막(36)에 대한 러빙 처리가 불필요하게 된다.
또한, 이 배향막(36)은, 어레이 기판(19)측의 배향막(30)과 마찬가지로, 액정(20)에 대하여 전압을 인가하고 있지 않은 상태에서 배향막(36)의 표면에 대하여 액정 분자를 수직으로 배향시키는, 소위 수직 배향 타입의 재료(예를 들면 폴리이미드)에 의해 구성된다. 또한, 이 배향막(36)의 막 두께는, 예를 들면 100nm∼200nm 정도로 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 대향 전극(34)이나 리브(35)가 배향막(36)의 기초로 되지만, 다른 적층 구조를 채용한 액정 패널에서는, 상기와는 다른 층이 기초로 되는 경우도 있다.
그런데, 상기한 구성의 액정 패널(11)에서는, 제조되는 과정에서 배향막(30, 36)에 결함이 발생하는 경우가 있다. 결함은, 배향막(30, 36)에 이물 X가 부착되는 이물 결함이나, 배향막(30, 36)에 국소적으로 핀홀 H(막 결손부)가 형성되는 핀 홀 결함 등이 있다. 본 실시 형태에서는, 배향막(30, 36)을 성막하는 공정을 끝낸 후, 결함의 유무나 결함의 종류를 검사하고, 그 결과 결함이 발견된 경우에는, 결함의 위치를 검출함과 함께 결함을 수리하도록 하고 있다. 계속해서, 결함의 유무 등을 검사하는 검사 기능과, 결함의 위치를 검출하는 위치 검출 기능과, 결함을 수리하는 수리 기능을 구비한 검사ㆍ수리 장치(40)에 대하여 설명한다.
이 검사ㆍ수리 장치(40)는, 대략적으로는 검사부(41)와 수리부(42)로 이루어진다. 이 중, 검사부(41)는, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 성막 공정을 거친 CF 기판(18) 또는 어레이 기판(19)을 반송하는 컨베어(43)(반송 수단 또는 반송 장치)와, 컨베어(43)의 구동부에 설치됨과 함께 구동부의 구동 상태를 검출하는 로타리 인코더(44)(반송 수단의 구동 상태 검출 수단 또는 구동 상태 검출 장치)와, 반송된 기판(18, 19)의 표면을 촬상하는 라인 센서(45)(촬상 수단 또는 촬상 장치)와, 로타리 인코더(44) 및 라인 센서(45)로부터 출력되는 신호를 처리하는 결함 검출 회로(46)를 구비한다.
한편, 수리부(42)는, 결함 검출 회로(46)로부터 출력되는 결함의 위치 정보가 입력되는 구동 회로(47)와, 구동 회로(47)로부터 출력되는 신호에 기초하여 결함을 수리하는 UV 조사 헤드(48)(자외광 조사부, 표면 개질 수단 또는 표면 개질 장치) 및 전사 헤드(49)(전사 수단 또는 전사 장치)를 구비한다.
검사부(41)에 대하여 자세하게 설명한다. 컨베어(43)는, 기판(18, 19)을 그 긴 변 방향을 따라 소정의 속도로, 또한 수평한 자세로 유지한 상태에서 반송할 수 있도록 되어 있다. 로타리 인코더(44)는, 컨베어(43)의 구동부에서의 구동 상태에 기초한 펄스 신호를, 결함 검출 회로(46)에 출력할 수 있도록 되어 있다. 또한, 기판(18, 19)을 짧은 변 방향을 따라 반송하도록 하여도 상관없다.
라인 센서(45)에는, 다수개의 수광 소자가 직선적으로 배열하여 설치되어 있고, 이 수광 소자의 배열 방향은, 컨베어(43)에 의한 기판(18, 19)의 반송 방향(주 주사 방향)과는 직교하고, 또한 수평 방향을 따른 방향으로 설정되어 있다. 이 수광 소자의 배열 방향이 부 주사 방향으로 되어 있다. 라인 센서(45)는, 기판(18, 19)의 표면 상태를 촬상할 수 있도록 되어 있고, 각 수광 소자의 수광 신호를 결함 검출 회로(46)에 출력할 수 있도록 되어 있다.
결함 검출 회로(46)에서는, 로타리 인코더(44)로부터의 펄스 신호와, 라인 센서(45)로부터의 수광 신호에 기초하여, 결함의 유무ㆍ종류ㆍ위치를 검출할 수 있도록 되어 있다. 결함의 유무ㆍ종류에 대해서는, 라인 센서(45)로부터의 수광 신호에 기초하여 결함 검출 회로(46)에서 인접하는 화소의 표면 상태를 비교하는 등으로 하여, 결함이 없는 화소와, 이물 결함이 있는 화소와, 핀홀 결함이 있는 화소로 분류한다. 한편, 결함의 위치에 대해서는, 로타리 인코더(44)로부터의 펄스 신호에 의해, 주 주사 방향에 대한 결함의 위치를 검출하고, 라인 센서(45)로부터의 수광 신호에 의해, 부 주사 방향에 대한 결함의 위치를 검출하고, 이로써 기판(18, 19)에서의 결함의 이차원(X 방향 및 Y 방향)의 위치 정보를 얻는다. 또한, 이물 결함이 검출된 경우에는, 이물 X를 제거하는 공정을 거침으로써, 이물 X와 함께 배향막(30, 36)의 일부가 제거되고, 핀홀 H(막 결손부)가 형성되도록 되어 있다.
계속해서, 수리부(42)에 대하여 자세하게 설명한다. 구동 회로(47)는, 결함 검출 회로(46)로부터 출력되는 결함의 위치 정보에 기초하여 UV 조사 헤드(48)나 전사 헤드(49)를 X, Y, Z 방향으로 이동시킬 수 있다.
UV 조사 헤드(48)는, 구동 회로(47)로부터의 신호에 기초하여, 기판(18, 19)에서의 핀홀 H의 형성 위치까지 이동되도록 되어 있다. 그리고, UV 조사 헤드(48)는, 광원으로서 중심 파장이 172nm인 엑시머 UV광(진공 자외광)을 조사할 수 있는 Xe2 엑시머 램프를 구비한다. 이 엑시머 UV광에 의해, 핀홀 H가 생긴 기판(18, 19)의 표면(어레이 기판(19)의 경우에는 화소 전극(25)이나 절연층(29), CF 기판(18)의 경우에는 대향 전극(34)이나 리브(35))에 부착되어 있었던 유기물을 분해ㆍ제거할 수 있고, 소위 드라이 세정이 가능하도록 되어 있다. 또한, UV 조사 헤드(48)에 이용하는 광원으로서는, 예를 들면 수은 램프(중심 파장: 180nm∼400nm), KrF 엑시머 레이저(파장: 248nm), ArF 엑시머 레이저(파장: 193nm), Kr2 엑시머 램프(중심 파장: 146 nm) 등을 사용할 수 있다. 이 UV 조사 헤드(48)에 이용하는 광원은, 파장(중심 파장)이 146nm∼365nm인 자외광을 발하는 것이 바람직하며, 상기 이외의 광원(엑시머 UV광 이외의 자외광을 발하는 광원 등)을 이용하는 것도 물론 가능하다. 또한, 중심 파장이 단파장(200nm 이하의 파장)이고, 준 단색광을 발생하는 광원을 이용하는 것이 보다 바람직하며, 이 종류의 광원을 이용하면, 에너지 변환 효율이 높고, 조사 부위의 열에 의한 데미지를 억제할 수 있다.
전사 헤드(49)는, 구동 회로(47)로부터의 신호에 기초하여, 기판(18, 19)에서의 핀홀 H의 형성 위치까지 이동되도록 되어 있다. 전사 헤드(49)에는, 배향막 보수제(50)가 부착되어 있고, 전사 헤드(49)를 핀홀 H에 눌러 댐으로써, 배향막 보 수제(50)가 핀홀 H에 전사되도록 되어 있다(도 10이나 도 16). 자세하게는, 전사 헤드(49)는, 가요성을 갖는 다공질 재료로 이루어지고, 내부에 배향막 보수제(50)를 소정량 흡수ㆍ유지할 수 있음과 함께, 탄성 변형이 가능하게 된다. 배향막 보수제(50)는, 용매 내에 배향막 재료(예를 들면 폴리이미드)를 용해하여 이루어진다. 또한, 전사 헤드(49)를 지지하는 지지축(49a)은, 예를 들면 글래스제로 되어 있으므로, 전사 헤드(49)로부터 배향막 보수제(50)가 지지축(49a)으로 전해지기 어렵게 되어 있다.
상기한 전사 헤드(49)는, 수리(전사 작업)를 끝낸 후에는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 배향막 보수제(50)를 저류한 용기(51)(건조 방지 수단 또는 건조 방지 장치) 내에 수용된 상태에서 대기하도록 되어 있다. 용기(51) 내에서는, 전사 헤드(49)에 대하여 항상 배향막 보수제(50)가 공급되므로, 대기 중에 전사 헤드(49)의 표면으로부터 배향막 보수제(50)의 용매가 휘발하여, 표면이 건조하는 것을 방지할 수 있다.
본 실시 형태는 이상과 같은 구조이며, 계속해서 그 작용을 설명한다. 배향막(30, 36)을 성막하는 공정을 끝낸 기판(18, 19)은, 검사ㆍ수리 장치(40)로 반송된다. 검사 공정(위치 검출 공정을 포함함)에서는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 기판(18, 19)이 컨베어(43)에 의해 반송되면서, 라인 센서(45)에 의해 표면 상태가 촬상된다. 이 때, 도 5에 도시하는 바와 같이, 컨베어(43)의 구동부에 설치된 로타리 인코더(44)로부터 구동 상태에 기초하는 펄스 신호와, 라인 센서(45)의 수광 신호가 각각 결함 검출 회로(46)에 입력된다.
결함 검출 회로(46)에서는, 상기 양쪽 신호에 기초하여, 결함(이물 결함이나 핀홀 결함)의 유무ㆍ종류ㆍ위치를 검출한다. 결함이 발견되지 않은 경우에는, 기판(18, 19)을 수리 공정으로는 반송하지 않고, 다음의 제조 공정으로 반송한다. 결함이 발견된 경우에는, 그 종류가 이물 결함이었던 경우에는, 기판(18, 19)을 이물 제거 공정으로 반송하고, 핀홀 결함이었던 경우에는, 기판(18, 19)을 수리 공정으로 반송한다.
여기에서, 도 7에 도시하는 바와 같이, 이물 결함이 검출된 경우에는, 이물 X를 니들 등의 제거 기구를 이용하여 제거한다. 이 때 제거되는 이물 X와 함께 배향막(30, 36)도 부분적으로 제거되게 된다. 이에 의해, 이물 X가 제거된 개소에 핀홀 H가 형성되게 된다. 이물 X를 제거한 기판(18, 19)은, 계속해서 설명하는 수리 공정으로 반송된다.
수리 공정에서는, 배향막(30, 36)에 형성된 핀홀 H를 수리한다. 구체적으로는, 예를 들면 CF 기판(18)에서의 배향막(36)에, 도 8에 도시하는 바와 같은 형태의 핀홀 H가 형성되고, 핀홀 H에 의해 노출된 배향막(36)의 기초(도 8에서는, 대향 전극(34))가 평탄하였던 경우를 설명한다. 우선, 핀홀 H에 대하여 구동 회로(47)에 의해 이동된 UV 조사 헤드(48)를 위치 결정함과 함께, UV 조사 헤드(48)로부터 엑시머 UV광을 핀홀 H를 향하여 소정 시간 조사한다. 이 엑시머 UV광에 의해, 핀홀 H에 의해 노출된 기초의 표면에 부착되어 있었던 유기물이 분해ㆍ제거된다. 이에 의해, 배향막 보수제(50)에 대한 기초의 점착성(습윤성)이 개선된다.
상기한 표면 개질 공정을 거친 후, 도 9에 도시하는 바와 같이, 세정된 핀홀 H에 대하여 구동 회로(47)에 의해 이동된 전사 헤드(49)를 위치 결정한다. 이 상태로부터, 도 10에 도시하는 바와 같이, 전사 헤드(49)를 핀홀 H에 대하여 소정 시간 눌러 댄다. 그 후, 전사 헤드(49)를 상승시킴으로써, 도 11에 도시하는 바와 같이, 전사 헤드(49)의 배향막 보수제(50)가 핀홀 H의 거의 전역에 걸쳐 전사된다. 이 때, 선행하여 행한 드라이 세정에 의해, 배향막 보수제(50)가 핀홀 H에 대하여 부착하기 쉽게 되어 있다. 또한, 핀홀 H에 대하여 전사 헤드(49)를 눌러 대는 시간이나 압력을 조정함으로써, 보수 개소(52)의 막 두께가 주위의 배향막(36)과 동등해지도록 제어할 수 있다. 또한, 배향막 보수제(50)의 농도를 조정함에 의해서도, 보수 개소(52)의 막 두께를 제어할 수 있다. 전사를 끝낸 전사 헤드(49)는, 도 6에 도시하는 용기(51) 내에 수용된다.
계속해서, 핀홀 H의 크기가 전사 헤드(49)보다도 작았던 경우에 대하여 설명한다. 그 경우, 도 12에 도시하는 바와 같이, 전사 헤드(49)를 핀홀 H에 눌러 대면, 전사 헤드(49)가 핀홀 H의 주위의 배향막(36)으로까지 눌러 대어진다. 이 때, 전사 헤드(49)는, 핀홀 H와 배향막(36) 사이에 형성되어 있는 단차를 따라 탄성 변형함으로써, 핀홀 H 및 배향막(36)에 대하여 거의 간극 없이 당접된다. 그리고, 전사를 끝내고 전사 헤드(49)를 상승시키면, 도 13에 도시하는 바와 같이, 핀홀 H와 그 주위의 배향막(36)으로까지 보수 개소(52)가 형성된다. 이와 같이 배향막 보수제(50)가 배향막(36) 위에 적층하는 형태로 되어도 상관없다. 또한, 이 후, 배향막(36) 위에 실은 배향막 보수제(50)에 대해서만 제거하고, 보수 개소(52)를 평탄하게 성형하는 공정을 추가하는 것도 가능하다.
다음으로, 예를 들면 어레이 기판(19)에서의 배향막(30)에, 도 14에 도시하는 바와 같은 형태의 핀홀 H가 형성되고, 핀홀 H에 의해 노출된 배향막(30)의 기초(도 14에서는, 화소 전극(25) 및 절연층(29))에 단차가 있었던 경우를 설명한다. 그 경우에도, 상기 CF 기판(18)의 경우와 마찬가지로, UV 조사 헤드(48)로부터 핀홀 H를 향하여 엑시머 UV광을 조사하여, 기초의 표면에 부착되어 있었던 유기물을 분해ㆍ제거한다.
그 후, 도 15에 도시하는 바와 같이, 전사 헤드(49)를 핀홀 H에 대하여 위치 결정함과 함께, 도 16에 도시하는 바와 같이, 전사 헤드(49)를 핀홀 H에 대하여 소정 시간 눌러 대도록 한다. 이 때, 전사 헤드(49)는, 가요성을 갖는 다공질 재료에 의해 구성되어 있으므로, 기초의 단차 형상에 따라서 탄성 변형됨으로써, 핀홀 H에 대하여 거의 간극 없이 밀착된다. 그리고, 전사 헤드(49)를 상승시키면, 도 17에 도시하는 바와 같이, 배향막 보수제(50)가 핀홀 H의 거의 전역에 걸쳐 전사된다. 이 보수 개소(52)의 막 두께에 대해서도, 상기한 CF 기판(18)측의 배향막(36)의 경우와 마찬가지로, 전사 헤드(49)의 눌러 대는 시간ㆍ압력ㆍ배향막 보수제(50)의 농도에 의해, 배향막(30)과 동등해지도록 제어할 수 있다. 또한, 핀홀 H의 크기가 전사 헤드(49)보다도 작은 경우에는, CF 기판(18)측의 배향막(36)의 경우와 마찬가지로 하여 수리할 수 있다.
그런데, 보수 개소(52)의 막 두께에 대해서는, 배향막(30, 36)과 동등한 것이 가장 바람직한 것이지만, 반드시 동등하게 된다고는 할 수 없다. 그 경우에도 보수 개소(52)의 막 두께는, 배향막(30, 36)의 막 두께와는 무관하게 200nm 이하인 것이 바람직하다. 배향막(30, 36) 및 보수 개소(52)의 막 두께는, 화소 전극(25)과 대향 전극(34) 사이에 전압을 인가하였을 때에 액정층에 분담되는 전압값에 영향을 주어, 예를 들면 보수 개소(52)의 막 두께가 200nm보다도 두꺼워지면, 보수 개소(52)를 갖는 화소에 관하여 액정층에 분담되는 전압이 부족하여, 표시 불량이 발생할 우려가 있다. 본 실시 형태와 같이, 보수 개소(52)의 막 두께를 200nm 이하로 설정하면, 액정층에 대하여 충분한 전압을 인가할 수 있으므로, 양호한 표시 성능을 얻을 수 있다. 그 한편, 보수 개소(52)의 막 두께는, 배향막(30, 36)의 막 두께와는 무관하게 50nm 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 상기한 전압 인가시에 액정층에 분담되는 전압이 과잉으로 되는 것을 방지할 수 있는 것 외에, 액정 분자에 대한 배향 규제력을 충분히 발휘할 수 있어, 액정 분자의 배향 안정성을 높게 유지할 수 있으므로, 양호한 표시 성능을 얻을 수 있다. 이것은, 본 실시 형태와 같이 프리틸트각이 큰 수직 배향 타입의 배향막(30, 36)을 이용하는 경우에 특히 유효하다.
이상과 같이 하여 핀홀 H가 수리된 후, 어레이 기판(19)과 CF 기판(18)은, 서로 접합되고 나서, 그 사이에 액정(20)이 충전되고, 그 후 양쪽 기판(18, 19)의 외면측에 각각 편광판(22, 23)이 접착됨으로써, 도 3에 도시하는 바와 같이, 액정 패널(11)이 제조된다. 이 액정 패널(11)에서는, 배향막(30, 36)의 핀홀 H에 배향막(30, 36)과 동등한 막 두께의 보수 개소(52)가 형성되어 있으므로, 양호한 표시 성능을 얻을 수 있다. 또한, 핀홀 H의 크기나 형상이나 기판(18, 19)에서의 발생 위치 등은, 도시 이외에 어떠한 형태로도 될 수 있는 것은 물론이다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 따르면, 배향막(30, 36)의 핀홀 H의 유무를 검사함과 함께, 그 핀홀 H의 위치를 검출하고 나서, 핀홀 H에 배향막 보수제(50)를 부착시켜 핀홀 H를 수리하도록 하였기 때문에, 종래와 같이 핀홀이 생긴 배향막을 다시 성막하는 등으로 한 경우와 비교하면, 수율을 개선할 수 있다. 이에 의해, 제조 코스트의 저감을 도모할 수 있다.
수리 공정에서는, 배향막 보수제(50)를 부착시킨 전사 헤드(49)로부터 핀홀 H에 배향막 보수제(50)를 전사시키는 스탬프 방법을 이용하도록 하였기 때문에, 수리 공정에서, 예를 들면 배향막 보수제의 액적을 핀홀에 적하하는 방법을 이용한 경우와 비교하여, 보수 개소(52)의 막 두께의 제어가 용이한 것으로 된다.
수리 공정에서는, 배향막 보수제(50)를 부착시킨 전사 헤드(49)를 핀홀 H에 눌러 댐으로써, 배향막 보수제(50)를 전사하도록 하고 있기 때문에, 핀홀 H에 대하여 전사 헤드(49)를 눌러 대는 시간이나 압력을 조정함으로써, 보수 개소(52)의 막 두께의 제어가 용이한 것으로 된다. 또한, 핀홀 H가 국소적으로 발생한 경우에, 예를 들면 전사 롤러에 의해 배향막 보수제를 전사하는 경우와 비교하면, 보수가 용이한 것으로 된다.
배향막 보수제(50)로서 용매 내에 배향막 재료를 용해하여 이루어지는 것을 이용함과 함께, 수리 후에 전사 헤드(49)를 용기(51)의 배향막 보수제(50) 내에 침지하여 대기시키도록 하고 있기 때문에, 수리 후, 전사 헤드(49)의 표면에서 배향막 보수제(50)가 건조하는 것을 방지할 수 있다.
가요성을 갖는 다공질 재료로 이루어지는 전사 헤드(49)를 이용하도록 하였 기 때문에, 보수 개소(52)의 막 두께의 제어가 한층 용이한 것으로 된다. 또한, 핀홀 H 부근에 단차가 있는 경우라도, 가요성을 갖는 전사 헤드(49)가 변형함으로써, 확실하게 배향막 보수제(50)를 핀홀 H에 대하여 부착시킬 수 있다.
수리 공정에 앞서, 핀홀 H에 대하여 배향막 보수제(50)를 부착시키기 쉽게 하기 위한 표면 개질 공정을 거치도록 하였기 때문에, 확실하게 수리할 수 있다.
표면 개질 공정에서는, UV 조사 헤드(48)에 의해 핀홀 H에 대하여 엑시머 UV광(자외광)을 조사하도록 하였기 때문에, 바람직하게 표면 개질을 도모할 수 있다. 또한, 예를 들면 웨트식으로 표면 개질을 한 경우와 비교하면, 처리 시간의 단축화 등을 도모할 수 있다.
UV 조사 헤드(48)로부터 조사되는 광의 파장을 146nm∼365nm로 하고 있기 때문에, 한층 바람직하게 표면 개질을 도모할 수 있다.
액정 패널(11)의 배향막(30, 36)은, 액정(20)에 대하여 전압이 인가되어 있지 않은 상태에서 액정 분자를 배향막(30, 36)의 표면에 대하여 대략 수직으로 배향시키는 기능을 갖고 있기 때문에, 배향막(30, 36)의 기판(18, 19)에 대한 점착성이 낮고, 제조시에 핀홀 H가 형성되기 쉽게 되어 있기는 하지만, 핀홀 H에 배향막 보수제(50)를 부착시켜 보수 개소(52)를 형성함으로써, 핀홀 H를 수리할 수 있으므로, 수율의 개선 효과가 높게 되어 있다.
액정 패널(11)에서의 기판(18, 19)의 표면에는, 액정(20)의 배향 상태를 규제하기 위한 리브(35)나 슬릿(31)이 형성되고, 배향막(30, 36)이 리브(35)나 슬릿(31)에 따라 형성되어 있기 때문에, 기판(18, 19)에 대한 배향막(30, 36)의 부설 면적이 커지는 경향이 있고, 그 때문에 핀홀 H가 형성되기 쉬운 경향이 있지만, 그 핀홀 H에 배향막 보수제(50)를 부착시켜 보수 개소(52)를 형성함으로써, 핀홀 H를 수리할 수 있으므로, 수율의 개선 효과가 높게 되어 있다.
보수 개소(52)의 막 두께를 50nm∼200nm로 되도록 제어하고 있으므로, 양호한 표시 성능을 얻을 수 있다.
<다른 실시 형태>
본 발명은 상기 기술 및 도면에 의해 설명한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 다음과 같은 실시 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
(1) 검사 공정에서, 라인 센서 대신에 예를 들면 에리어 센서 등 다른 종류의 촬상 수단을 이용하도록 하여도 된다.
(2) 검사 공정에서, 기판을 고정하는 대신에 라인 센서를 이동시키도록 하여도 된다. 그 경우에는, 라인 센서를 구동하는 구동부에 로타리 인코더를 설치하고, 그 로타리 인코더로부터의 펄스 신호를 결함 검출 회로에 출력하도록 하면 된다.
(3) 검사 공정에서, 이물 결함을 발견하였을 때에, 이물을 제거하는 작업을 자동화할 수 있도록, 검사ㆍ수리 장치에 이물 제거부를 설치하도록 하여도 된다.
(4) 검사 공정에서, 라인 센서를 생략하고, 예를 들면 작업자가 현미경 등으로 핀홀을 검출하도록 하여도 된다. 또한, 라인 센서에 의한 검사와 현미경에 의한 검사를 병용하여도 된다.
(5) 상기한 실시 형태에서는, 검사 공정에서 핀홀 결함이나 이물 결함의 유 무의 검사와, 그 위치 검출을 동시에 행하는 경우(검사 공정이 위치 검출 공정을 포함하는 경우)를 나타내었지만, 검사 공정과 위치 검출 공정을 별도로 행하도록 하여도 된다. 또한, 검사 공정에서 이물 결함을 검출하지 않고, 핀홀 결함에 대해서만 검출하도록 하여도 된다. 반대로, 검사 공정에서 이물 결함이나 핀홀 결함 이외의 결함을 동시에 검출하도록 하여도 된다.
(6) 표면 개질 공정에서, 드라이식의 세정 대신에 웨트식의 세정을 행하도록 하여도 된다.
(7) 표면 개질 공정에서, 예를 들면 UV 조사 헤드를 고정하고, 조사된 광을 가동식의 미러에 의해 반사시킴으로써, 원하는 핀홀에 조사하도록 하여도 된다.
(8) 표면 개질 공정에서, UV 조사 헤드로부터 조사되는 광의 파장에 대하여 146nm∼365nm 이외의 파장(146nm 이하의 파장 또는 365nm 이상의 파장)으로 하여도 되고, 그러한 것도 본 발명에 포함된다.
(9) 수리 공정에서, 전사 헤드로서 다공질 재료 이외의 재료를 이용하여도 된다.
(10) 수리 공정에서, 핀홀의 전역에 배향막 보수제를 부착시키는 것이 아니라, 핀홀의 일부에만 배향막 보수제를 부착시킨 경우라도, 표시 성능의 개선이 예상되는 것이라면, 그와 같이 하여도 된다.
(11) 수리 공정에서, 전사 헤드 대신에 전사 롤러에 의해 핀홀에 대하여 배향막 보수제를 부착시키도록 하여도 된다.
(12) 상기한 실시 형태에서는, 수직 배향 타입의 배향막 재료를 이용한 액정 패널에 대하여 예시하였지만, 예를 들면 TN 모드, ECB 모드, 수평 배향 모드 등 다른 타입의 배향막 재료를 이용한 것에도 본 발명은 적용 가능하다.
(13) 상기한 실시 형태에서는, 액정의 배향 상태를 규제하기 위한 구조물인 리브나 슬릿을 설치한 액정 패널에 대하여 예시하였지만, 이러한 배향 규제용의 구조물을 설치하지 않은 타입의 액정 패널에 대해서도 본 발명은 적용 가능하다.
(14) 배향막의 막 두께에 대하여, 100nm∼200nm 이외의 막 두께(100nm 이하의 막 두께 또는 200nm 이상의 막 두께)의 것에서도, 본 발명은 적용 가능하다.
(15) 보수 개소의 막 두께에 대하여, 50nm∼200nm 이외의 막 두께(50nm 이하의 막 두께 또는 200nm 이상의 막 두께)로 하여도 되고, 그러한 것도 본 발명에 포함된다.

Claims (20)

  1. 서로 대향한 한쌍의 기판 사이에 액정을 협지함과 함께, 양쪽 기판에서의 대향면에 배향막이 형성된 구성의 표시 패널을 제조하는 과정에서,
    상기 배향막의 막 결손부의 유무를 검사하는 검사 공정과,
    상기 막 결손부의 위치를 검출하는 위치 검출 공정과,
    상기 막 결손부의 적어도 일부에 배향막 보수제를 부착시켜 막 결손부를 수리하는 수리 공정
    을 거치도록 한 표시 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수리 공정에서는, 상기 배향막 보수제를 부착시킨 전사 수단으로부터 상기 막 결손부에 배향막 보수제를 전사시키는 스탬프 방법을 이용하도록 한 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 수리 공정에서는, 상기 배향막 보수제를 부착시킨 전사 헤드를 상기 막 결손부에 눌러 댐으로써, 배향막 보수제를 전사하도록 한 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 배향막 보수제로서, 용매 내에 배향막 재료를 용해하여 이루어지는 것을 이용함과 함께, 수리 후에 상기 전사 헤드를 배향막 보수제 내에 침지하여 대기시키도록 한 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    가요성을 갖는 다공질 재료로 이루어지는 상기 전사 헤드를 이용하도록 한 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수리 공정에 앞서, 상기 막 결손부에 대하여 상기 배향막 보수제를 부착하기 쉽게 하기 위한 표면 개질 공정을 거치도록 한 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 표면 개질 공정에서는, 상기 막 결손부에 자외광을 조사하도록 한 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 자외광의 파장에 대하여 146nm∼365nm로 한 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  9. 서로 대향한 한쌍의 기판 사이에 액정을 협지함과 함께, 양쪽 기판에서의 대향면에 배향막이 형성된 구성의 표시 패널의 제조 장치로서,
    상기 배향막의 막 결손부의 유무를 검사하는 검사 수단과,
    상기 막 결손부의 위치를 검출하는 위치 검출 수단과,
    상기 막 결손부의 적어도 일부에 배향막 보수제를 부착시켜 막 결손부를 수리하는 보수제 부착 수단
    을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 보수제 부착 수단은, 상기 막 결손부에 상기 배향막 보수제를 전사시키는 전사 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전사 수단은, 상기 배향막 보수제가 부착됨과 함께, 상기 막 결손부에 대하여 눌러 대어지는 전사 헤드를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    용매 내에 배향막 재료를 용해하여 이루어지는 상기 배향막 보수제가 저장됨과 함께, 수리 후에 대기하는 상기 전사 헤드가 수용 가능하게 되는 건조 방지 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 장치.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 전사 헤드는, 가요성을 갖는 다공질 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 장치.
  14. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 막 결손부에 대하여 상기 배향막 보수제를 부착하기 쉽게 하도록 막 결손부의 표면을 개질하는 표면 개질 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 표면 개질 수단은, 상기 막 결손부에 자외광을 조사하는 자외광 조사부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 자외광 조사부는, 146nm∼365nm의 파장의 상기 자외광을 조사 가능하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 장치.
  17. 서로 대향한 한쌍의 투광성을 갖는 기판과, 양쪽 기판 사이에 협지되는 액정과, 양쪽 기판에서의 대향면에 형성되는 배향막과, 배향막에 생긴 막 결손부의 적어도 일부에 배향막 보수제가 부착되어 이루어지는 보수 개소를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 배향막은, 상기 액정에 대하여 전압이 인가되어 있지 않은 상태에서 액정 분자를 배향막의 표면에 대하여 대략 수직으로 배향시키는 기능을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    상기 기판의 표면에는, 상기 액정의 배향 상태를 규제하기 위한 단차부가 형성됨과 함께, 상기 배향막이 그 단차부를 따라 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  20. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보수 개소의 막 두께가 50nm∼200nm로 되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
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