KR20080090924A - 평판 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents
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- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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Abstract
Description
Claims (19)
- 기판;상기 기판 상에 구비되고, 활성층과, 상기 활성층에 컨택되는 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 활성층과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 개재된 오믹컨택층을 포함하는 박막 트랜지스터; 및상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광 소자;를 포함하고,상기 오믹컨택층과 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 동일한 패턴으로 형성되는 평판 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나가 연장되어 형성된 픽셀 전극을 더 포함하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 픽셀 전극은 상기 오믹컨택층과 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 패터닝하여 형성되는 평판 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는, 상기 오믹컨택층과 접하는 반도체 활성층을 더 포 함하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 반도체 활성층은 다결정질 실리콘을 포함하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되어 있는 상기 오믹컨택층이 개구되어 상기 반도체 활성층의 일부가 외부로 노출되도록 형성되어 있는 평판 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는,상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 개재되는 게이트 절연막을 더 포함하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 기판 상에 상기 게이트 전극이 형성되고, 상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 절연막이 배치되고, 상기 게이트 절연막 상에 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되어 있는 평판 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 상에 형성되고, 화소 영역을 정의하는 개구부가 형성되어 있는 화소 정의막을 더 포함하는 평판 디스플레이 장치.
- 제1 마스크를 이용하여 기판상에 게이트 전극을 패터닝하는 단계;제2 마스크를 이용하여 상기 게이트 전극 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 패터닝하는 단계; 및제3 마스크를 이용하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 화소 정의막을 패터닝하는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 패터닝하는 단계는,상기 게이트 전극 상에 불순물이 도핑된 오믹컨택층을 형성하는 단계;상기 오믹컨택층의 상부에 금속막을 증착하는 단계; 및상기 오믹컨택층과 상기 금속막을 패터닝하는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 오믹컨택층과 상기 금속막은 서로 동일하게 패터닝되는 평판 디스플레 이 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 오믹컨택층과 상기 금속막을 패터닝하여 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극과 동시에 픽셀 전극을 형성하는 평판 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 게이트 전극을 패터닝하는 단계와, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 패터닝하는 단계 사이에,상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 반도체 활성층을 형성하는 단계를 더 포함하는 평판 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 게이트 절연막 상에 반도체 활성층을 형성하는 단계는,상기 게이트 절연막의 상부에 비정질 실리콘막을 증착하는 단계; 및상기 비정질 실리콘막을 결정화시키는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 비정질 실리콘막을 결정화시키는 단계는,상기 비정질 실리콘막에 레이저 빔을 조사하여 상기 비정질 실리콘막을 결정화시키는 평판 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 게이트 절연막 상에 반도체 활성층을 형성하는 단계는,상기 게이트 절연막의 상부에 다결정 실리콘을 직접 증착하는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 패터닝하는 단계는,하프-톤(half-tone) 노광 공정에 의하여 수행되는 평판 디스플레이 장치의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 하프-톤(half-tone) 노광 공정은,투광성 기판에 광투과 영역, 차광영역 및 반투과 영역이 형성되어 있는 포토 마스크를 사용하여 수행되는 평판 디스플레이 장치의 제조 방법.
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