KR20080089426A - 수정된 패스 전압들을 사용하여 프로그램 디스터브가감소한 비-휘발성 메모리를 프로그래밍하는 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (30)
- 비-휘발성 저장 소자를 프로그래밍하는 방법으로서:선택된 워드 라인에 프로그래밍 전압을 인가함에 의해 비-휘발성 저장 소자들의 세트 내의 선택된 비-휘발성 저장 소자를 프로그래밍하는 단계와;상기 프로그래밍 동안에, 제 1 관련 채널 영역의 전위를 부스팅하기 위해 상기 세트 내의 앞서 프로그램된 비-휘발성 저장 소자에 관련된 적어도 제 1 워드 라인에 제 1 전압을 인가하고, 제 2 관련 채널 영역의 전위를 부스팅하기 위해 상기 세트 내의 프로그램되지 않은 및/또는 부분적으로 프로그램된 비-휘발성 저장 소자들에 관련된 적어도 제 2 워드 라인에 제 2 전압을 인가하는 단계를 포함하며;상기 제 1 전압은 상기 제 2 전압보다 큰 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전압은 상기 제 2 관련 채널 영역으로부터 상기 제 1 관련 채널 영역으로의 전류 누설을 감소시키기에 충분한 양만큼 상기 제 2 전압보다 큰 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전압은 상기 제 2 전압보다 대략 2V 내지 3V만큼 큰 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 관련 채널 영역은 소스 측 채널 영역이고, 상기 제 2 관련 채널 영역은 드레인 측 채널 영역인 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 세트는 상기 세트의 소스 측에서 시작하여 상기 세트의 드레인 측에서 종료되도록 프로그램되고,상기 적어도 제 1 워드 라인은 적어도 하나의 소스 측 워드 라인을 포함하고, 상기 적어도 제 2 워드 라인은 적어도 하나의 드레인 측 워드 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전압은 상기 선택된 워드 라인과 상기 세트의 소스 측 사이의 연속적인 워드 라인들에 인가되고;상기 제 2 전압은 상기 선택된 워드 라인과 상기 세트의 드레인 측 사이의 연속적인 워드 라인들에 인가되는 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 프로그래밍 동안에, 상기 제 1 전압보다 낮은 제 3 전압을 상기 선택된 워드 라인과 상기 적어도 제 1 워드 라인 사이의 워드 라인에 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 3 전압은 대략 0V 내지 1V인 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 방법은상기 프로그래밍 동안에, 제 3 전압, 제 4 전압, 제 5 전압을 각각 제 3 워드 라인, 제 4 워드 라인, 제 5 워드 라인에 인가함에 의해 상기 제 1 관련 채널 영역과 상기 제 2 관련 채널 영역 사이에 격리 영역을 형성하는 단계를 더 포함하며;상기 제 3 워드 라인, 제 4 워드 라인, 제 5 워드 라인은 상기 선택된 워드 라인과 상기 적어도 제 1 워드 라인 사이에 위치하고, 상기 제 4 워드 라인은 상기 제 3 워드 라인과 상기 제 5 워드 라인 사이에 위치하며, 상기 제 3 전압, 상기 제 4 전압, 상기 제 5 전압은 상기 제 1 전압보다 작고, 상기 제 4 전압은 상기 제 3 전압 및 상기 제 5 전압보다 작은 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 3 전압과 상기 제 5 전압은 대략 동일한 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 방법은상기 프로그래밍 동안에, 제 3 전압, 제 4 전압, 제 5 전압, 제 6 전압, 제 7 전압을 각각 제 3 워드 라인, 제 4 워드 라인, 제 5 워드 라인, 제 6 워드 라인, 제 7 워드 라인에 인가함에 의해 상기 제 1 관련 채널 영역과 상기 제 2 관련 채널 영역 사이에 격리 영역을 형성하는 단계를 더 포함하며;상기 제 3 워드 라인, 제 4 워드 라인, 제 5 워드 라인, 제 6 워드 라인, 제 7 워드 라인은 상기 선택된 워드 라인과 상기 적어도 제 1 워드 라인 사이에 위치하고, 상기 제 5 워드 라인은 상기 제 4 워드 라인과 상기 제 6 워드 라인 사이에 위치하며, 상기 제 4 워드 라인, 상기 제 5 워드 라인, 상기 제 6 워드 라인은 상기 제 3 워드라인과 상기 제 7 워드 라인 사이에 위치하고;상기 제 3 전압, 상기 제 4 전압, 상기 제 5 전압, 상기 제 6 전압, 상기 제 7 전압은 상기 제 1 전압보다 작고, 상기 제 5 전압은 상기 제 3 전압 및 상기 제 4 전압, 상기 제 6 전압, 상기 제 7 전압보다 작은 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 5 워드 라인의 일 측에서, 상기 제 3 전압은 상기 제 4 전압보다 크고, 상기 제 5 워드 라인의 또 다른 측에서, 상기 제 7 전압은 상기 제 6 전압보다 큰 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 3 전압과 상기 제 7 전압은 대략 동일하고;상기 제 4 전압과 상기 제 6 전압이 대략 동일한 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 비-휘발성 저장 소자들은 다중-레벨 저장 소자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 비-휘발성 저장 소자들의 세트는 NAND 스트링을 포함하는 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 소자 프로그래밍 방법.
- 비-휘발성 저장 시스템으로서:비-휘발성 저장 소자들의 세트와;상기 비-휘발성 저장 소자들의 세트와 통신하는 하나 이상의 관리 회로들을 포함하며;상기 하나 이상의 관리 회로들은 데이터를 프로그램하기 위한 요청을 수신하고, 상기 수신에 응답하여:(a) 선택된 워드 라인에 프로그래밍 전압을 인가함에 의해 상기 세트 내의 선택된 비-휘발성 저장 소자를 프로그래밍하고;(b) 상기 프로그래밍 동안에, 제 1 관련 채널 영역의 전위를 부스팅하기 위해 상기 세트 내의 앞서 프로그램된 비-휘발성 저장 소자에 관련된 적어도 제 1 워드 라인에 제 1 전압을 인가하고, 제 2 관련 채널 영역의 전위를 부스팅하기 위해 상기 세트 내의 프로그램되지 않은 및/또는 부분적으로 프로그램된 비-휘발성 저장 소자들에 관련된 적어도 제 2 워드 라인에 제 2 전압을 인가하며;상기 제 1 전압은 상기 제 2 전압보다 큰 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 전압은 상기 제 2 관련 채널 영역으로부터 상기 제 1 관련 채널 영역으로의 전류 누설을 감소시키기에 충분한 양만큼 상기 제 2 전압보다 큰 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 전압은 상기 제 2 전압보다 대략 2V 내지 3V만큼 큰 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 관련 채널 영역은 소스 측 채널 영역이고, 상기 제 2 관련 채널 영역은 드레인 측 채널 영역인 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 세트는 상기 세트의 소스 측에서 시작하여 상기 세트의 드레인 측에서 종료되도록 프로그램되고,상기 적어도 제 1 워드 라인은 적어도 하나의 소스 측 워드 라인을 포함하고, 상기 적어도 제 2 워드 라인은 적어도 하나의 드레인 측 워드 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 전압은 상기 선택된 워드 라인과 상기 세트의 소스 측 사이의 연속적인 워드 라인들에 인가되고;상기 제 2 전압은 상기 선택된 워드 라인과 상기 세트의 드레인 측 사이의 연속적인 워드 라인들에 인가되는 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 프로그래밍 동안에, 상기 하나 이상의 관리 회로들은 상기 제 1 전압보다 낮은 제 3 전압을 상기 선택된 워드 라인과 상기 적어도 제 1 워드 라인 사이의 워드 라인에 인가하는 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 시스템.
- 제 22 항에 있어서,상기 제 3 전압은 대략 0V 내지 1V인 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 프로그래밍 동안에, 상기 하나 이상의 관리 회로들은 제 3 전압, 제 4 전압, 제 5 전압을 각각 제 3 워드 라인, 제 4 워드 라인, 제 5 워드 라인에 인가함에 의해 상기 제 1 관련 채널 영역과 상기 제 2 관련 채널 영역 사이에 격리 영역을 형성하며;상기 제 3 워드 라인, 제 4 워드 라인, 제 5 워드 라인은 상기 선택된 워드 라인과 상기 적어도 제 1 워드 라인 사이에 위치하고, 상기 제 4 워드 라인은 상기 제 3 워드 라인과 상기 제 5 워드 라인 사이에 위치하며, 상기 제 3 전압, 상기 제 4 전압, 상기 제 5 전압은 상기 제 1 전압보다 작고, 상기 제 4 전압은 상기 제 3 전압 및 상기 제 5 전압보다 작은 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 시스템.
- 제 24 항에 있어서,상기 제 3 전압과 상기 제 4 전압은 대략 동일한 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 프로그래밍 동안에, 상기 하나 이상의 관리 회로들은 제 3 전압, 제 4 전압, 제 5 전압, 제 6 전압, 제 7 전압을 각각 제 3 워드 라인, 제 4 워드 라인, 제 5 워드 라인, 제 6 워드 라인, 제 7 워드 라인에 인가함에 의해 상기 제 1 관련제 1 관련 상기 제 2 관련 채널 영역 사이에 격리 영역을 형성하며;상기 제 3 워드 라인, 제 4 워드 라인, 제 5 워드 라인, 제 6 워드 라인, 제 7 워드 라인은 상기 선택된 워드 라인과 상기 적어도 제 1 워드 라인 사이에 위치하고, 상기 제 5 워드 라인은 상기 제 4 워드 라인과 상기 제 6 워드 라인 사이에 위치하며, 상기 제 4 워드 라인, 상기 제 5 워드 라인, 상기 제 6 워드 라인은 상기 제 3 워드라인과 상기 제 7 워드 라인 사이에 위치하고;상기 제 3 전압, 상기 제 4 전압, 상기 제 5 전압, 상기 제 6 전압, 상기 제 7 전압은 상기 제 1 전압보다 작고, 상기 제 5 전압은 상기 제 3 전압 및 상기 제 4 전압, 상기 제 6 전압, 상기 제 7 전압보다 작은 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 시스템.
- 제 26 항에 있어서,상기 제 5 워드 라인의 일 측에서, 상기 제 3 전압은 상기 제 4 전압보다 크고, 상기 제 5 워드 라인의 또 다른 측에서, 상기 제 7 전압은 상기 제 6 전압보다 큰 것을 특징으로 하는비-휘발성 저장 시스템.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 3 전압과 상기 제 7 전압은 대략 동일하고;상기 제 4 전압과 상기 제 6 전압이 대략 동일한 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 비-휘발성 저장 소자들은 다중-레벨 저장 소자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 비-휘발성 저장 소자들의 세트는 NAND 스트링을 포함하는 것을 특징으로 하는 비-휘발성 저장 시스템.
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