KR20080085293A - 탄탈 콘덴서 제조방법 - Google Patents
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Abstract
보다 단순하고 경제적인 설비를 이용하고 보다 간단하고 높은 효율의 공정을 수행하여 제조될 수 있으면서 성능이 우수한 탄탈콘덴서를 제조할 수 있는 제조방법이 제안된다. 본 발명의 탄탈 콘덴서 제조방법에서는 탄탈 분말을 소결하여 탄탈 소결체를 제조하고, 탄탈 소결체를 산화시켜 유전체층을 형성하고, 유전체층이 형성된 탄탈 소결체 상에 고분자층을 형성하여 음극층을 형성한 후, 고분자층이 형성된 탄탈 소결체를 고분자 현탁액에 침지시켜 재화성 처리하여 탄탈 콘덴서를 제조한다.
탄탈, 콘덴서, 전도성 고분자, 현탁액, 재화성
Description
도 1은 종래의 탄탈 콘덴서 제조방법의 흐름도이다.
도 2는 종래방법에 따른 탄탈 콘덴서 제조시, 탄탈 소결체를 재화성 용액에 침지하는 것을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서 제조방법의 흐름도이다.
도 4는 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서 제조시, 탄탈 소결체를 재화성 용액인 고분자 현탁액에 침지하는 것을 나타내는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
20, 200 탄탈 소결체
21, 210 금속판
22 재화성 용액
23, 230 재화성조
24 전원
220 고분자 현탁액
본 발명은 탄탈 콘덴서 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는, 보다 단순하고 경제적인 설비를 이용하고 보다 간단하고 높은 효율의 공정을 수행하여 제조될 수 있으면서 성능이 우수한 탄탈콘덴서를 제조할 수 있는 제조방법에 관한 것이다.
탄탈 콘덴서는 전극으로서 탄탈(tantalum, Ta)을 사용하는 콘덴서이다. 즉, 탄탈은 도체이지만 산화물이 되면 우수한 절연체로 된다. 이 탄탈을 양극으로, 탄탈을 산화시켜서 유전체로 한 후, 별도의 음극을 형성한 것이 탄탈 콘덴서이다. 탄탈 콘덴서는 탄탈 분말을 소결하여 굳혔을 때 생기는 공극을 이용한다.
탄탈 콘덴서에는 두가지 종류가 있는데, 그 중 하나는 습식 탄탈(wet tantalum)로서, 전해액을 이용하고 그 누설을 방지하기 위하여 음극쪽에 은(silver, Ag) 케이스를 사용하는 방식이다. 다른 하나는 건식 탄탈(dry tantalum)로서, 전해액을 사용하지 않고 이산화망간과 같이 고체를 전해질로 사용하고 있다.
도 1은 종래의 탄탈 콘덴서 제조방법의 흐름도이다. 탄탈 콘덴서를 제조하기 위하여 먼저, 탄탈 분말을 소결하여 소결체를 형성한다(S10). 탄탈 소결체가 형성되면, 이를 산화시켜 표면에 산화물이 형성되도록 화성처리를 수행한다(S12).
탄탈 소결체 상에 산화물인 유전체층이 형성되면, 음극층을 형성한다. 음극 층으로는 고분자층을 형성시킨다(S14). 통상, 고분자층은 단량체를 포함하는 용액에 침지시켜 탄탈 소결체의 표면 즉, 공극에서 단량체가 중합하여 형성된다. 고분자층 형성 후에는 유전체의 결함을 수복하기 위하여 재화성 처리를 수행한다(S16). 재화성 처리는 탄탈 소결체를 재화성 용액에 침지하고, 전압을 인가하여 수행된다.
재화성 처리가 완료되면 불순물로 작용하여 제품에 악영향을 줄 수 있는 잔존하는 재화성 용액을 제거하기 위하여 세척을 실시한다(S18). 세척 후 음극층의 형성이 완료되었는지가 확인된다(S19). 만약, 고분자층인 음극층의 형성이 완료되지 않은 경우(S19: N), 다시 탄탈 소결체상에 고분자층을 형성하는 단계로 귀환하여(S14), 고분자층 형성, 재화성 처리, 세척공정을 거치게 된다(S14 내지 S18). 음극층 형성이 완료되면(S19: Y), 제조방법은 종료된다.
도 2는 종래방법에 따른 탄탈 콘덴서 제조시, 탄탈 소결체를 재화성 용액에 침지하는 것을 나타내는 도면이다. 탄탈 소결체(20)는 금속판(21)에 연결되어 있는 상태로 재화성조(23)에 침지되어 있다. 탄탈 소결체(20)에는 유전체층 및 고분자층이 형성되어 있다. 재화성 용액(22)으로는 산성용액을 이용할 수 있는데, 예를 들면 인산, 황산, 질산, 초산, 질산암모늄, 및 질산나트륨과 같은 산성물질의 수용액을 사용할 수 있다. 또는 p-TSA와 같은 도펀트(dopant)를 포함하는 수용액을 사용할 수도 있다.
재화성은 탄탈 소결체(20) 및 재화성 용액(22)에 전원(24)을 연결하고 전압을 인가하여 수행된다. 전압은 양극인 탄탈 소결체(20)에는 (+)전압을, 재화성 용액(22)에는 (-)전압을 인가한다.
이러한 재화성 처리가 수행된 경우, 반드시 잔존하는 재화성 용액을 제거하는 세척공정이 수반되어야 했다. 만약, 소정의 재화성 용액이 p-톨루엔 술폰산(p-TSA, p-toluene sulfonic acid)이라면, 재화성 후 p-TSA를 제거하기 위하여 물로 세척하는 공정이 필요하다. 이러한 재화성 용액의 전해질, 및 세척물질이 음극층인 고분층에 잔존할 경우, 음극층의 누설전류를 유발하여 콘덴서의 성능에 불리한 영향을 미칠 수 있다.
재화성 세척은 통상 50~80℃ 정도의 고온 수용액에서 행해지는 것이 일반적이며, 고분자 층이 펠렛 외부까지 형성된 상태에서의 재화성 세척은 고분자 층과 펠렛과의 박리를 일으키는 원인으로 작용하거나, 고분자층 자체에 크랙을 발생시키는 원인으로 작용하기도 한다. 또한 재화성 세척 설비 및 건조 설비가 따로 필요하다는 단점이 있었다.
즉, 재화성 처리 후 재화성 용액을 세척하기 위하여 한번 이상의 세척과 건조 공정이 수반되어야 하는 문제점이 있었다. 이와 함께, 재화성과 재화성 세척의 영향으로 불필요한 스트레스를 유발하여 전체적인 시스템을 불안정하게 하는 문제 점 때문에 공정효율이 낮아지고 품질 관리가 어렵게 되었다.
따라서, 탄탈 콘덴서의 성능을 유지 또는 향상하면서, 보다 단순하고 경제적으로 탄탈 콘덴서를 제조할 수 있는 방법에 대하여 지속적인 요청이 있어왔다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 보다 단순하고 경제적인 설비를 이용하고 보다 간단하고 높은 효율의 공정을 수행하여 제조될 수 있으면서 성능이 우수한 탄탈콘덴서를 제조할 수 있는 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 탄탈 콘덴서 제조방법은 탄탈 분말을 소결하여 탄탈 소결체를 제조하는 단계; 탄탈 소결체를 산화시켜 유전체층을 형성하는 단계; 유전체층이 형성된 탄탈 소결체 상에 고분자층을 형성하는 단계; 및 고분자층이 형성된 탄탈 소결체를 고분자 현탁액에 침지시켜 재화성 처리하는 단계;를 포함한다. 고분자 현탁액은 나노스케일의 고분자가 현탁되어 있는 것이 바람직하다.
여기서, 고분자층을 형성하는 단계는 탄탈 소결체를 고분자의 단량체 및 산 화제를 포함하는 용액에 침지시켜 탄탈 소결체 상에서 고분자 중합이 수행될 수 있다. 이 때, 단량체는 티오펜계, 이미드계, 피롤계, 아닐린계, 및 퓨란계 단량체로 구성된 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 산화제는 염화제2철 및 과황산암모늄 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 고분자층을 형성하는 단계는 탄탈 소결체를 고분자 현탁액에 침지시켜, 유전체층이 형성된 탄탈 소결체 상에 고분자를 침적시키는 단계; 및 고분자가 침적된 탄탈 소결체를 건조하는 단계;를 포함한다. 고분자 현탁액에 현탁된 고분자는 나노스케일의 고분자인 것이 바람직하다.
건조단계는 25℃ 내지 260℃에서 수행될 수 있다. 고분자 침적 단계 및 건조단계는 고분자 침적이 완료될 때까지 반복수행될 수 있으며, 반복수행은 4회 및 이를 초과하는 횟수로 수행되는 것이 바람직하다.
고분자 현탁액은 전도성 고분자 현탁액일 수 있고, 전도성 고분자는 폴리티오펜, 폴리이미드, 폴리피롤, 폴리아닐린, 및 폴리퓨란으로 구성된 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
또한, 고분자 현탁액은 전도성 고분자 및 분산제를 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서 제조방법의 흐름도이다.
본 발명에 따른 탄탈 콘덴서 제조방법은 탄탈 분말을 소결하여 탄탈 소결체를 제조하는 단계; 탄탈 소결체를 산화시켜 유전체층을 형성하는 단계; 유전체층이 형성된 탄탈 소결체 상에 고분자층을 형성하는 단계; 및 고분자층이 형성된 탄탈 소결체를 고분자 현탁액에 침지시켜 재화성 처리하는 단계;를 포함한다.
탄탈 콘덴서를 제조하기 위하여 먼저 탄탈 분말을 소결하고 탄탈 소결체를 산화시킨다(S100). 탄탈 분말은 소결전에 입자간의 결합력과 유동성을 향상하기 위하여 바인더 및 용매와 함께 혼합하여 사용한다. 바인더 등과 혼합된 탄탈분말은 원하는 크기의 펠릿으로 성형하는데, 이는 금형을 이용한 프레스 공법으로 수행될 수 있다. 탄탈 펠릿은 소결로내에서 고진공 및 고온에서 소결될 수 있는데, 예를 들면 1.0 ×10-7 Torr의 압력 및 1300 ℃ 내지 2000 ℃의 온도에서 소결될 수 있다.
소결된 탄탈 소결체는 화성처리를 수행하여 산화시킨다(S110). 탄탈 소결체의 표면 및 소결로 발생한 공극에는 산화로 인한 탄탈륨 옥사이드(Ta2O5)가 형성된다. 탄탈륨 옥사이드는 유전체층으로서 사용된다.
화성처리, 또는 음극층 형성과 같은 공정을 위하여 탄탈 분말 소결 전에 탄탈 소결체에 탄탈선을 형성할 수 있다. 따라서, 화성처리시에, 탄탈 소결체로부터 연장된 탄탈선을 금속판에 접착하고, 금속판 및 화성처리용액에 각각 전압을 인가하여 탄탈 소결체 표면에 산화물이 형성되도록 한다. 형성된 탄탈륨 옥사이드는 탄탈 콘덴서에서 유전체층으로서 작용한다.
탄탈 소결체가 준비되고, 탄탈산화물이 형성되면, 탄탈 소결체 표면에 고분자층을 형성한다(S120).
여기서, 고분자층을 형성하는 단계는 탄탈 소결체를 고분자의 단량체 및 산화제를 포함하는 용액에 침지시켜 탄탈 소결체 상에서 고분자 중합이 수행될 수 있다. 이 때, 단량체는 티오펜계, 이미드계, 피롤계, 아닐린계, 및 퓨란계 단량체로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다.
산화제는 중합된 고분자가 원하는 도전성을 나타낼 수 있도록 고분자에 전자 를 공여하는 전자공여체이다. 산화제는 예를 들면, 염화제2철 또는 과황산암모늄일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 고분자층을 형성하는 단계는 단량체 및 산화제를 포함하는 용액을 이용하는 것이 아니라, 탄탈 소결체를 고분자 현탁액에 침지시켜 수행될 수 있다. 유전체층이 형성된 탄탈 소결체 상에 고분자 현탁액 중의 고분자 입자가 침적되어 고분자층이 형성된다. 고분자 현탁액에는 고분자가 이미 중합되어 탄탈 소결체 내부에 침적 가능한 크기로 분산되어 있다. 침적 가능한 크기는 10㎛ 미만의 미세공극을 갖는 탄탈소결체에 침투하는 것이 용이한 크기로서, 예를 들어, 나노스케일일 수 있다.
고분자 현탁액에 존재하는 고분자는 전도성 고분자(conducting polymer)인 것이 바람직하다. 전도성 고분자는 전도율 10-7S/cm이상의 값, 즉 반도체의 전도율 이상의 값을 갖는 고분자를 의미한다. 통상 전도성 고분자는 전자수용체 또는 전자공여체를 고분자에 도핑함으로써 높은 전도율을 얻을 수 있다.
고분자층은 탄탈 콘덴서의 음극층으로서 기능하기 위하여 형성된 것이므로 도전성을 갖추어야 한다. 전도성 고분자는 음극에 사용될 수 있는 전도성 고분자라면 어떤 것이든 사용될 수 있으나, 예를 들면, 폴리티오펜, 폴리이미드, 폴리피롤, 폴리아닐린, 및 폴리퓨란 중 어느 하나일 수 있다. 전도성 고분자는 탄탈 소결체내에 침적될 수 있는 소정 크기로 중합하기 위하여 분자량을 조절하여 중합할 수 있다.
또한, 고분자 현탁액은 전도성 고분자를 분산시켜 콜로이드성 고분자와 같이 작은 입자로 현탁액 내에 존재할 수 있게 하기 위하여 분산제를 포함할 수 있다. 분산제는 큰 입자와 응집한 입자를 분쇄하여 보다 작은 입자와 콜로이드 입자로 만들때 생성된 미소입자의 응집을 방지하기 위해 가하는 물질이다. 분산제로는 일반적으로 계면활성제와 같은 흡착성 물질이 사용된다.
고분자층이 형성된 후에는 탄탈 소결체를 건조시켜 고분자 현탁액 중의 고형분만을 남긴다. 건조단계는 고분자 현탁액의 특성, 즉 전도성 고분자 및 분산제 등의 특성을 고려하여 소정의 온도에서 수행된다. 예를 들면, 건조단계는 25℃ 내지 260℃에서 수행될 수 있다. 고분자층 형성 및 건조단계는 고분자 침적이 완료될 때까지 반복수행되는 것이 바람직한데, 반복수행은 4회 및 이를 초과하는 횟수로 수행되는 것이 바람직하다. 4회 미만의 횟수로 반복되는 경우, 음극층의 형성이 충분하지 않아, 탄탈 콘덴서의 성능에 불리한 영향을 미칠 수 있다.
고분자 층이 형성되면(S120), 고분자 층 형성시 발생할 수 있는 유전체층의 결함을 수복하기 위한 재화성 처리가 수행된다(S130). 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서 제조방법에서는 재화성용액으로서, 고분자 현탁액을 사용한다. 고분자 현탁액(220)은 고분자층 형성시 현탁액을 이용한 경우, 동일한 고분자 현탁액을 사용할 수도 있고, 이와 다른 고분자 현탁액을 준비하여 사용할 수 있다. 고분자 현탁액을 음극층 형성시 사용한 것과 동일한 것을 사용하는 경우에는 보다 효율적인 공정을 기할 수 있다. 고분자 현탁액(220) 상에 존재하는 고분자 입자들은 유전체의 손상된 부분이나, 그에 해당하는 고분자층의 박리 또는 크랙(crack)부분을 복구하게 된다.
재화성 용액으로서의 고분자 현탁액(220)에 존재하는 고분자는 전도성 고분자인 것이 바람직하다. 고분자 현탁액(220)에 사용될 수 있는 전도성 고분자는 예를 들면, 폴리티오펜, 폴리이미드, 폴리피롤, 폴리아닐린, 및 폴리퓨란 중 어느 하나일 수 있다. 전도성 고분자는 유전체층 또는 고분자층의 손상, 박리 또는 크랙이 발생한 부분을 복구하기 적절한 크기로 고분자 현탁액(220)에 존재할 수 있다. 그에 따라, 전도성 고분자를 소정의 크기로 현탁액 내에 존재할 수 있게 하기 위하여 고분자 현탁액(220)은 분산제를 포함할 수 있다. 분산제는 예를 들면, 계면활성제이다.
재화성 후 음극층의 형성이 완료되었는지 확인한다(S140). 만약, 고분자층인 음극층의 형성이 완료되지 않은 경우(S140: N), 다시 탄탈 소결체를 고분자 현탁액에 침지하는 단계로 귀환하여(S120), 고분자층 형성 및 재화성 처리공정을 거치게 된다(S120 내지 S130).
음극층 형성이 완료되면(S140: Y), 외부전원과의 연결을 위한 리드프레임과의 접촉, 또는 전극인출을 위한 전극선 형성과 수지에 의한 봉입같은 공정을 통하여 탄탈 콘덴서가 제조된다.
도 4는 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서 제조시, 탄탈 소결체를 재화성 용액인 고분자 현탁액에 침지하는 것을 나타내는 도면이다. 탄탈 소결체(200)는 금속판(210)에 연결되어 있고, 금속판(210)은 탄탈 소결체(200)가 재화성 용액인 고분자 현탁액(220) 내에 유지될 수 있도록 지지한다.
탄탈 소결체(200)는 재화성조(230)내에서 재화성 용액인 고분자 현탁액(220)으로 둘러싸여 있어서, 고분자 현탁액(220)에 분산된 전도성 고분자 입자들이 탄탈 소결체(200) 표면으로 침적된다.
전도성 고분자 입자들이 탄탈 소결체(200) 표면으로 침적된 후에는 탄탈 소결체(200) 및 재화성 용액(220)에 전원(240)을 연결하고 전압을 인가한다. 전압은 양극인 탄탈 소결체(200)에는 (+)전압을, 재화성 용액(220)에는 (-)전압을 인가한다. 화성전압의 50~90% 수준의 전압을 인가시키는 것이 바람직하며, 5000 Ω-Cm내지 20000 Ω-Cm 정도의 비저항을 유지한 상태에서 수행된다.
소정 시간 후, 탄탈 소결체(200)는 재화성조(230)로부터 이탈되는데, 음극층인 고분자층이 원하는 만큼 수복되지 않았다고 판단되면 다시 재화성조(230)에서 고분자 현탁액(220)내에 침지되어 재화성 처리과정이 수행된다.
본 실시예에 따르면, 나노 크기로 분산된 고분자 현탁액(220)을 이용하여 재화성 처리를 수행하기 때문에, 기존에 재화성 후에 재화성 용액의 용매로 사용되는 불순물을 제거하기 위해 시행하던 세척이 필요가 없다. 탄탈 소결체(200) 표면에 유전체층 및 고분자층상의 손상된 부분으로 나노 크기로 분산된 고분자 현탁액(220)내에 존재하는 고분자 입자가 전압을 인가하는 매개체가 되기 때문에 제품 내에 남더라도 불순물로 작용하지 않고, 오히려 제품의 수행 능력을 향상시켜주는 역할을 하게 된다. 즉, 기존의 재화성에서 필요로 하던 세척 공정을 전혀 필요로 하지 않으면서도, 불순물 자체를 전혀 남기지 않으며, 오히려 잔존물이 제품의 특성에 도움을 주는 역할까지 하게 되는 것이다.
{실시예}
본 발명의 탄탈 콘덴서의 제조방법에 따라 재화성 처리시 고분자 현탁액을 이용하여 탄탈 콘덴서를 제조하였다(실시예 1). 이외에 재화성 처리시 종래의 재화성 처리용액인 인산을 이용하여 탄탈 콘덴서를 제조하고(비교예1), 인산 대신 p-TSA를 사용하여 탄탈 콘덴서를 제조하였다(비교예2).
이하의 표1에서는 25V, 15㎌에서의 탄탈 콘덴서의 성능, 정전용량(C), 댐핑 계수(DF), 등가직렬저항(ESR), 및 LC 불량여부를 실시예 1, 비교예 1, 및 비교예 2에 관하여 비교하였다.
| C(㎌) | DF(%) | ESR(mΩ) | LC | |
| 실시예 1 | 14.4 | 0.9 | 38 | 0.23 |
| 비교예 1 | 14.5 | 1.2 | 39 | 0.72 |
| 비교예 2 | 14.6 | 1.2 | 37 | 1.03 |
표 1로부터, 고분자 현탁액을 이용하여 재화성 처리 공정을 수행한 실시예1의 탄탈 콘덴서의 성능은 종래의 재화성 용액인 인산을 이용하여 제조한 비교예1 및 비교예 2의 탄탈 콘덴서와 거의 유사한 수준을 유지하는 것을 알 수 있었다. 따라서, 본 발명에 따르면 유사한 성능을 유지하면서 보다 간단하고 고효율의 공정을 통하여 탄탈 콘덴서를 제조할 수 있음을 확인할 수 있었다.
본 발명에서 실시형태는 하나의 예시로서, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고 동일한 작용효과를 이루는 것은 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 따라서, 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 형태의 치환, 변형, 변경이 가능할 것이며, 이러한 것들은 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서 제조방법에 따라 탄탈 콘덴서를 제조하면, 재화성 세척 설비가 필요 없게 되므로 보다 단순하고 경제적인 설비를 이용하여 공정을 수행할 수 있다.
또한, 종래방법에 필요했던 재화성 후에 재화성 용액의 용매로 사용되는 불순물을 제거하기 위해 시행하던 세척공정이 필요없다. 나노 크기로 분산된 고분자 현탁액내에 존재하는 고분자 입자가 전압을 인가하는 매개체가 되기 때문에 제품 내에 남더라도 불순물로 작용하지 않고, 오히려 제품의 수행 능력을 향상시켜주는 역할을 하게 된다.
즉 기존의 재화성에서 필요로 하던 세척 공정을 전혀 필요로 하지 않으면서도, 불순물 자체를 전혀 남기지 않으며, 오히려 잔존물이 제품의 특성에 도움을 주는 역할까지 하게 되어 보다 간단하고 높은 효율의 공정을 수행하여 탄탈 콘덴서를 제조할 수 있다. 그에 따라 우수한 성능을 유지하면서 보다 경제적으로 탄탈 콘덴서를 제조할 수 있는 효과가 있다.
아울러, 고분자 층이 펠렛 외부까지 형성된 상태에서의 고온의 재화성 세척과 건조 공정은 고분자 층과 펠렛과의 박리를 일으키는 원인으로 작용하거나, 고분 자층 자체에 크랙을 발생시키는 원인으로 작용하기도 하는데, 이 발명에 의한 재화성 공정은 재화성 후 단순 건조 과정만 거치게 되므로 박리 및 크랙에 의한 신뢰성 문제 또한 해결할 수 있는 효과가 있다.
Claims (12)
- 탄탈 분말을 소결하여 탄탈 소결체를 제조하는 단계;상기 탄탈 소결체를 산화시켜 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체층이 형성된 탄탈 소결체 상에 고분자층을 형성하는 단계; 및상기 고분자층이 형성된 탄탈 소결체를 고분자 현탁액에 침지시켜 재화성 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 고분자 현탁액은 나노스케일의 고분자가 현탁되어 있는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 고분자층을 형성하는 단계는 상기 탄탈 소결체를 상기 고분자의 단량체 및 산화제를 포함하는 용액에 침지시켜 상기 탄탈 소결체 상에서 고분자 중합이 수행되는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제3항에 있어서,상기 단량체는 티오펜계, 이미드계, 피롤계, 아닐린계, 및 퓨란계 단량체로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제3항에 있어서,상기 산화제는 염화제2철 및 과황산암모늄 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 고분자층을 형성하는 단계는 상기 탄탈 소결체를 상기 고분자 현탁액에 침지시켜, 상기 유전체층이 형성된 탄탈 소결체 상에 고분자를 침적시키는 단계; 및 상기 고분자가 침적된 탄탈 소결체를 건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 건조단계는 25℃ 내지 260℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 고분자 침적 단계 및 상기 건조단계는 고분자 침적이 완료될 때까지 반복수행되는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 반복수행은 4회 및 이를 초과하는 횟수로 수행되는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 고분자 현탁액은 전도성 고분자 현탁액인 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리티오펜, 폴리이미드, 폴리피롤, 폴리아닐린, 및 폴리퓨란으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 고분자 현탁액은 전도성 고분자 및 분산제를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서 제조방법.
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