KR20080078906A - 계수 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 지지 리소스에서 소정 방향으로 차례차례 쌓인 얇은 제품(2)의 시리즈 계수를 위한 장치에 관한 것으로, 쌓인 얇은 제품(2)은 스택(5)을 구성하며, 상기 장치는 다음과 같은 구성을 포함한다.

- 적어도 스택(5)의 전체 길이를 덮는 하나 또는 그 이상의 광 빔을 만드는 스택(5)을 비추는 수단,

- 다수의 감광성 소자와, 스택(5)에 의해 반사된 광선을 집광하는데 사용될 수 있으며, 감지 회로에 연결된, 적어도 하나의 광 장치를 포함하는, 적어도 하나의 감지 회로를 갖는 감지 리소스,

- 다음을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저장 리소스:

- 적어도 얇은 제품(2)의 두 근접 시리즈 사이에서 스택(5)에 포함된 적어도 하나의 분리 요소(1)로서, 각 분리 요소는 그것의 에지(edge) 위에 적어도 한 부분에 위치된 적어도 하나의 마크를 가지며, 마크의 적어도 한부분이 적어도 하나의 광 리소스에 의해 비춰지고 적어도 하나의 감지 리소스에 가변적인 것.

- 감지 회로 또는 회로들로부터 오는 신호를 수신하고, 분리 요소(1) 위의 마크 뿐만 아니라 얇은 제품(2)의 가시 한계를 구별하도록 배열하는 프로세싱 리소스.

Description

계수 장치{COUNTING DEVICE FOR SMALL SERIES}

본 발명은 작은 시리즈를 형성하기 위해 나란히 쌓인 얇은 제품의 계수를 위한 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게 설명하면, 본 발명은 자동적으로 그리고 좋은 속도로 일괄의 작은 시리즈에 포함된 얇은 제품의 개수를 계수하는 장치에 관한 것이다.

˝Dispositif de comptage de produits˝(제품 계수 장치)로 칭해지고, 1995년 10월 13일자로 등록된 프랑스 특허 2718550에 기재된 것처럼, 계수 장치는 이미 존재한다. 이 장치는 나란히 쌓인 얇은 제품의 큰 시리즈의 계수를 가능하게 한다.

또한, ˝Dispositif de comptage de produits empiles˝(쌓인 제품을 위한 계수 장치)로 칭해지고, 2003년 4월 30일자로 등록된 프랑스 특허 2854476에 기재된 것처럼, 계수 장치가 존재한다. 이 장치는, 상대적으로 작은 크기의, 나란히 쌓인 얇은 제품의 큰 시리즈의 계수를 가능하게 한다.

그러나, 이러한 장치는 자동적으로 그리고 좋은 속도로 작은 시리즈의 요소 개수를 계수하기 위해 사용될 수 없으므로, 작은 시리즈의 자동 계수를 위해서는 적합하지 않다. 얇은 제품의 계수는 일반적으로 예를 들면 물리적 또는 소프트웨어적인 개인화 동작 또는 패키징 동작 전에 생산 라인의 부분을 형성한다. 현재, 15 개 정도의 개인화 카드 시리즈와 같은 작은 시리를 형성하는 얇은 제품의 계수는, 손으로 하는 것이 가장 효율적이기 때문에 손으로 수행한다. 손에 의해 이루어지는 것보다 더 좋은 속도로 작은 시퀀스(sequence)를 위한 계수 속도를 갖는 적합한 장치는 현재 없다.

본 발명은 따라서 작은 시리즈로 생산된 얇은 제품의 개수를 자동적으로 그리고 좋은 속도로 계수하는데 사용될 수 있는 장치를 제조함으로써, 종래 기술의 하나 또는 그 이상의 문제점을 극복하기 위한 것을 그 목적으로 한다.

이러한 목적은 스택(5)을 구성하는 쌓인 얇은 제품(2)으로, 지지 장치(4)에서 일정한 방향으로, 차례차례 쌓인, 얇은 제품(2)의 시리즈 계수를 위한 장치에 있어서, 상기 계수 장치는

상기 스택(5)의 적어도 전체 길이를 덮는 하나 또는 하나 이상의 광 빔(6,7a)을 제공하는, 상기 스택(5)을 비추기 위한 장치(7)와,

다수의 감광성 소자와, 상기 스택(5)에 의해 반사된 광선을 비추도록 사용될 수 있는, 감지 회로에 연결된, 적어도 하나의 광학 장치를 포함하는, 적어도 하나의 감지 회로를 갖는 감지 장치(8,9a,9b)와,

저장 장치와,

얇은 제품(2)의 적어도 두 근접한 시리즈 사이에 상기 스택(5)에 포함된 적어도 하나의 분리 요소(1)로서, 각 분리 요소(1)는 한 에지(edge)의 적어도 한 부분에 위치된 적어도 하나의 마크(B1, B2,B3,B4,B5)를 갖고, 마크의 적어도 한 부분은 적어도 하나의 광 장치에 의해 비춰지고, 적어도 한 감지 장치에 가시적이며,

상기 감지 회로 또는 회로들로부터 오는 신호를 수신하고, 상기 분리 요소(1) 상의 상기 마크(B1, B2,B3,B4,B5) 뿐만 아니라 얇은 제품(2)의 가시 한계를 구별하기 위해 정렬되는 프로세싱 장치로 이루어진 수단에 의해 달성된다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 감지 장치에 연결된 프로세싱 장치는 상기 스택(5)을 구성하는 각 시리즈에서 요소의 개수(N1,N2,N3,N4), 또는 상기 스택(5)을 구성하는 각 시리즈에서 요소의 개수(N1,N2,N3,N4)를 추론하기 위해 사용될 수 있는 정보를 결정하기 위해 상기 스택(5)의 길이 방향 분석을 수행한다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 감지 장치에 연결된 프로세싱 장치는 상기 스택(5)에서 각 분리 요소의 위치(p1,p2,p3,p4,p5)를 결정하기 위해 상기 스택(5)의 길이 방향 분석을 수행한다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 스택(5)에 대하여 길이 방향으로 위치되고 반대 방향인 CIS 모듈(3,3d)이 상기 광 장치와 상기 감지 장치를 구성하고, 상기 CIS 모듈(3,3d)은 상기 스택(5)의 길이와 적어도 같거나, 상기 CIS 모듈(3,3d)은 다수의 스테이지(PO1,PO2,PO3)에서 적어도 상기 스택의 전체 길이를 덮는 영역에 반대 방향인 스택(5)의 길이 방향으로 움직인다.

또 다른 특징에 따르면, 길이 방향으로 위치되고, 상기 스택(5)에 반대 방향인 다수의 CIS 모듈(3a,3b,3c)을 더 포함하고, 각 CIS 모듈은 감지 장치와 소정 방향으로 평평한 광 빔(6a,6b,6c)에 의해 조광하는 장치를 포함하고, 상기 CIS 모듈(3a,3b,3c)의 길이 합은 상기 스택(5)의 길이와 같다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 CIS 모듈(3a,3b,3c)은 빛의 라인(T)을 따라 상기 스택(5)을 비추고, 각 CIS 모듈(3a,3b 및 3c)은 소정 각도(i1 또는 i2)로 기울어져, 자신의 평평한 광 빔(6a, 6b 및 6c 각각)이 상기 라인(t)에 마주친다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 광 장치는 적어도 하나의 초점 장치와, 소정 방향에서 평평한 광 빔을 만드는 다수의 전기발광 다이오드를 포함하고, 상기 감지 장치는 두개의 미러(9a,9b)와 CCD 카메라(8)를 포함하며, 상기 광 장치에 의해 비춰지는 상기 스택(5)의 부분은 상기 미러에 의해 상기 CCD 카메라로 반사된다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 광 장치(7)는 상기 스택의 상면을 비추는 형광 튜브를 포함하고, 상기 감지 장치는 두개의 미러(9a,9b)와 하나의 CCD 카메라(8)를 포함하며, 상기 스택(5)의 비춰지는 영역의 부분은 상기 미러에 의해 상기 CCD 카메라로 반사된다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 스택(5)의 다른 영역의 다수의 길이 방향 분석이 가능하도록, 상기 감지 장치 및 광 장치에 대하여 상기 지지 장치(4)의 상대적 횡단 이동을 위한 장치를 더 포함한다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 CCD 카메라의 상기 감지 회로는 폭이 상기 스택의 다른 영역의 다수의 길이 방향 분석의 실행을 허용하는 감광성 소자의 매트릭스로 이루어진다.

또 다른 특징에 따르면, 횡단 방향으로 위치되고 상기 스택(5)에 반대 방향인 적어도 하나의 횡단 CIS 모듈을 더 포함하고, 상기 횡단 CIS 모듈은 감지 장치와 상기 스택(5)의 폭중 적어도 어느 한 부분을 덮는 빔에 의한 조명을 위한 장치를 포함하고, 상기 횡단 CIS 모듈은 소정 방향으로, 상기 스택(5)의 적어도 전체 길이를 덮는 영역에 반대 방향으로 움직인다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 횡단 CIS 모듈은 상기 스택(5)에 대하여 횡단 방향으로 위치된 다수의 감광성 소자를 포함하고, 상기 스택(5)의 다른 영역의 다수의 길이 방향 분석을 수행하도록 이용된다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 분리 요소(1)의 마크는 자신의 에지(edge) 위에 위치되고, 각각 밝고 어두운 배경 위에, 두개의 어둡고 밝은 스트라이프(B1) 형태를 하며, 상기 스트라이프는 소정 두께로서, 상기 분리 요소와 같은 길이를 가지며, 첫째로 상기 분리 요소의 한 장측면으로부터 그리고 둘째로 다른 스트라이프로부터 같은 길이만큼 이격된다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 분리 요소(1)의 마크는 자신의 에지 위에 위치되고, 각각 밝거나 어두운 배경 위에, 다수의 어둡거나 밝은 스트라이프 형태를 하며, 상기 스트라이프는 소정 두께로서, 상기 분리 요소와 같은 길이를 가지며, 서로 또는 분리 요소의 한 장측면 및 인접 스트라이프로부터 등거리이다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 분리 요소(1)의 마크는 자신의 에지 위에 위치되고, 각각 밝거나 어두운 배경 위에, 하나의 어둡거나 밝은 스트라이프 형태를 하며, 상기 스트라이프는 소정 두께로서, 상기 분리 요소와 같은 길이를 가지며, 상기 분리 요소의 장측면으로부터 등거리이다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 분리 요소 위의 마크는 가장 긴 길이의 방향으로 상기 분리 요소의 에지 위에 프린트된 백색 또는 밝은 색의 스트라프(B3)에 근접한 흑색 또는 어두운 색의 스트라이프(B2)로 이루어지고, 상기 분리 요소와 같은 길이로서, 각각은 상기 분리 요소의 폭의 절반을 차지한다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 분리 요소(1)의 마크는 바코드(B4) 및/또는 도트 코드(B5)로서, 상기 분리 요소와 같은 길이를 가지며 이루어진다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 스택(5)은 다르거나 또는 동일한 마크를 갖는 분리 요소를 포함한다.

또 다른 특징에 따르면, 적어도 하나의 분리 요소는 적어도 한 면에 형성된 구별 패턴을 포함하고, 개인화 기계에 의해 식별된다.

또 다른 특징에 따르면, 다수의 길이 방향 분석들은 각 길이 방향 분석을 위해 독특하게 주워진 세기로 하나 또는 하나 이상의 빔을 만드는 광 장치로서, 상기 스택(5)의 주어진 영역 위에 이루어진다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 저장 장치는 상기 분리 요소의 다른 코딩 형태(B1;B2, B3;B4;B5)를 저장하고, 각 형태는 얇은 제품(2)의 시리즈를 위한 식별자에 대응되고, 상기 프로세싱 장치는 상기 저장 장치에 저장된 형태로 감지 회로 또는 회로들로부터 오는 신호를 비교하고, 상기 스택(5)에서 적어도 한 시리즈로 얇은 제품(2)의 식별자중의 하나를 결합하도록 이용된다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 프로세싱 장치에 의해 분석된 상기 두개의 흑색 스트라이프들은 얇은 제품 및/또는 분리 요소의 에지 폭을 결정하기 위해 이용된다.

또 다른 목적은 관계된 일괄 작업에 따라 일정한 생산 동작의 적응을 허용하도록 하고 또한 각 일괄 작업을 연속적으로 속행하도록 하는 시리즈 분리 요소를 사용하는 계수 시스템의 사용이다.

이러한 목적은 정보는 개인화와, 생산 라인의 다운스트림을 위해, 통신 장치를 통하여 프로세싱 시스템으로 상기 프로세싱 장치에 의해 전송되고, 상기 전송된 정보는 상기 스택(5)을 구성하는 각 시리즈에서의 요소 개수(N1,N2,N3,N4) 및/또는, 상기 스택(5)을 구성하는 각 시리즈에서의 요소 개수(N1,N2,N3,N4)를 추론하는데 이용될 수 있는 정보 및/또는, 상기 스택(5)에서 각 분리 요소의 위치(p1,p2,p3,p4,p5) 및/또는, 각 시리즈를 위한 식별자를 포함하여 이루어진 계수 장치의 사용에 의해 달성된다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 프로세싱 시스템은 상기 프로세싱 장치에 의해 전송되는 정보에 결합되어 있는 시리즈의 각 요소에 적용되는 물리적 또는 소프트웨어적인 개인화 동작으로, 상기 시리즈의 상기 제품(2)을 개인화한다.

또 다른 특징에 따르면, 상기 프로세싱 시스템은 상기 프로세싱 장치에 의해 전송된 정보에 의해 상기 분리 요소(1)를 구분하고, 새로운 시리즈를 처리하기 전에 상기 분리 요소(1)를 배출하며, 그들의 재사용을 위해 저장한다.

또 다른 목적은 스택의 요소 식별을 허용하기 위하여 시리즈 분리 요소를 사용하는 계수 시스템의 사용이다.

이러한 목적은 상기 스택(5)이 여러 타입의 분리 요소로 형성됨으로써, 각 타입의 분리 요소는 상기 분리 요소가 삽입된 것들 사이에서 두개의 시리즈중 하나를 식별하도록 선택되는 계수 장치의 사용에 의해 달성된다.

또 다른 목적은 계수될 얇은 제품의 전자 프로그래밍을 허용하기 위해 시리즈 분리 요소를 사용하는 계수 시스템의 사용이다.

이러한 목적은 디지털 개인화 스테이션, 집적회로를 포함하는 얇은 제품(1,2)의 시리즈의 처리는 제품의 계획된 사용을 위한 개인화 정보의, 집적 회로의 메모리에서, 저장이 허용되는 계수 장치의 사용에 의해 달성된다.

본 발명, 그것의 특징 및 그것의 장점은 다음 설명에 의해 더 분명히 나타날 것이며, 아래에 기술되는 도면이 참조된다.

도 1은 분리 요소에 의해 분리되고, 스택으로 조립된 시리즈를 나타내는 분해 사시도이다.

도 2와 3은 백색 배경 위의 길이 방향의 흑색 라인을 가진 타입의, 분리 요소에 대한 마크의 일례들을 나타내는 사시도이다.

도 4는 분리 요소의 에지에 프린트된 흑백 트랜지션 타입의, 분리 요소에서의 마크의 일례를 나타내는 사시도이다.

도 5는 바코드 타입의, 분리 요소에 대한 마크의 일례를 나타내는 사시도에서 예시도이다.

도 6은 도트 코드 타입의, 분리 요소에 대한 마크의 일례를 나타내는 사시도이다.

도 7은 전체 스택을 덮는 하나의 CIS 모듈을 갖는 계수 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.

도 8과 9는 전체 스택을 덮는 다수의 CIS 모듈을 갖는 계수 장치의 일례를 나타내는 측면도 및 사시도이다.

도 10은 길이 방향으로 운동하여 전체 스택을 덮는 하나의 CIS 모듈을 갖는 계수 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.

도 11은 CCD 카메라를 갖는 계수 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.

도 12와 13은 감광 소자에 의해 형성된 신호 진폭 그래프의 비한정적 일례를 나타낸 것이다.

도 14는 데이터-처리 플로우 다이아그램의 일례를 나타낸 것이다.

도 15는 길이 방향 분석 이동에 영향을 미치는 하나의 횡단 CIS 모듈을 갖는 계수 장치의 일례를 나타낸다.

도 16은 다수의 길이 방향 분석 라인들을 따라 길이 방향으로 움직이는 CCD 매트릭스 타입의 카메라를 갖는 계수 장치의 일례를 나타낸다.

도 17은 길이 방향 운동에 의해 다수의 길이 방향 분석을 수행하는 CCD 매트릭스 타입의 카메라를 갖는 계수 장치의 일례를 나타낸다.

본 발명은 도 1 내지 17을 참조하여 설명될 것이다. 도 7 내지 10은 길이 방향으로 위치되는 하나 또는 그 이상의 CIS 모듈(3, 3a, 3b, 3c, 3d)을 갖는 계수 장치를 나타낸다. CIS 모듈(3, 3a, 3b, 3c, 3d)은 통합 광 리소스, 감광 셀 및 광 초점 장치를 포함한다. 도 11은 광 리소스(7), 미러(9a, 9b) 및 CCD 카메라(8)를 갖는 계수 장치를 나타낸다. 광학 장치와 감광성 회로, 그리고 수신된 광에 따른 전기적 신호를 형성하는, 동일한 타입의, 다른 카메라가 또한 사용될 수 있다. 상기 장치는 도 7 내지 11에 도시된 스택(5)의 단부에 단지 요소(1, 2)만으로, 얇은 요소(1, 2)를 보관하는 직사각 컨테이너(4)를 포함한다. 얇은 요소는, 비한정적인 방법으로서, 제거 가능한 투명막 또는 컨테이너(4)에 기초를 둔 스페이서에 의해 유지된다. 컨테이너(4)는, 비한정적인 방법으로서, 얇은 제품을 위한 보조 부재로서 제공된다. 또 다른 방법으로서, 얇은 제품의 처리에 사용되는 저장 용기가 직접 사용된다. 스택(5)은 CIS 모듈(3, 3a, 3b, 3c, 3d)의 광 리소스에 의해 형성되는 광선의 평평한 빔(flat beam of light ray) 또는 광학 장치에 의해 평면에 초점이 맞춰지는 다이오드 타입의 광 리소스에 의해, 그것의 길이 전체가 비춰진다. 스택(5)에 대하여 투영된 평평한 빔(6, 6a, 6b, 6c, 6d)은 조명을 받는 라인(T)을 형성한다. 라인(T)은 프로세싱 리소스에 연결되어, 반사광 세기의 검출을 위한 리소스(3, 3a, 3b, 3c, 3d, 9a, 9b, 8)에 의해 분석된다. 또 다른 방법으로서, 광 리소스는 형광 튜브(7)를 포함하며, 그것은 상술한 조명을 받는 라인(T)의 영역을 포함하는, 다방향의 광(7a)에 의해, 스택(5)의 상단 전체를 비추며, 프로세싱 리소스와 연결된 감지 리소스에 의해 분석된다. 본 설명에서, 프로세싱 리소스와 연결된 감지 리소스(3, 3a, 3b, 3c, 3d, 9a, 9b, 8)에 의한 길이 방향의 조명을 받는 라인(T)의 분석은 스택(5)의 길이 방향 분석으로 불려진다. 길이 전체 위에서 검출 리소스와 연합된 프로세싱 리소스에 의한 스택(5)의 여러 세그먼트의 분석들 또한 길이 방향 분석으로 기술된다.

광 리소스 또는 소스들에 의해 방출된 광선(6, 6a, 6b, 6c, 6d)은 제품의 일 괄적인 길이 방향 분석을 가능하게 하며, 이는 컨테이너(4)의 장측면에 평행함을 의미한다. CIS 모듈 또는 모듈들에 관한 컨테이너의 상대적 이동은 횡단 운동이며, 이는 컨테이너의 단측면에 평행함을 의미하고, 다른 길이 방향 영역 위에서 길이 방향 분석을 포함한다. 길이 방향의 조명을 받는 라인(T)은 사실 스택(5)의 폭에 따라 다른 레벨로 이동한다. 일례로, 100 길이 방향 분석들은 횡방향의 측면에서 측면, 전진과 복귀 이동(M4a, M3a)으로 수행된다. 또 다른 방법으로서, 서로 다른 길이 방향 분석은 스택(5) 위의 라인(T)의 길이 방향에 수직이 아닌 횡단 이동에 의해 영향을 받는다. 또 다른 방법으로서 다이오드보다 더 강력한, 형광 튜브(7)는 스택(5)의 모든 상단 부분을 비춘다. 이 경우, 광 리소스와 감지 리소스에 관하여 컨테이너(4)의 상대적 운동없이 예를 들면 CCD 매트릭스와 같은 매트릭스형 감광 셀이 동시에 다른 길이 방향 영역 위에서 길이 방향 분석을 수행할 수 있다.

CIS 모듈(3, 3a, 3b, 3c, 3d) 또는 CCD 카메라(8)는 감광 셀에 의해 광 에너지가 전기 에너지로 변환된 결과인 전기적 신호를 전송하기 위하여 처리 회로에 연결된다. 상기 전기적 신호는 CIS 또는 CCD 감광 셀의 각 화소 정보를 포함한다. 상기 전기적 정보는 일반적으로 소정 레벨들로 변환되고, 그것은 저장 리소스에 디지털화되어 저장된다. ˝쌓인 제품을 위한 계수 장치˝로 표기된 2003년 4월 30일자 프랑스 특허 2854476에서 이미 설명된 메모라이징 및 스토어링 스테이지(memorising and storing stages)는 이 특허에서 설명되지 않을 것이다. 일례로 각각의 CIS 또는 CCD 감광 셀은 스택(5)의 전체 길이를 분석하고, 예를 들면 약 1,000 개 제품의 일괄 계수가 가능하도록, 10,000개의 감광 소자를 포함한다. 각각 의 감광성 소자는 발광 신호를 감지하기 위해 사용되고 최소한 256의 광 레벨을 표시하는 전기적 신호 형태로 이 신호를 표현한다. 256 광 레벨을 표시하는 이 신호는 8-비트 워드(word)로 변환되고, 각각의 워드는 장치의 메모리에 레코딩된다. 따라서 예를 들면, 메모리는 1바이트의 10,000 워드로 이루어진다. 다른 변형예로서, CIS 또는 CCD 감광 셀의 감광 소자는 다른 색깔의 광과, 그들의 적색, 녹색 및 청색의 조합 구성에 반응할 수 있다. 또 다른 예로서, 감광 셀은 예를 들면 길이 분석을 위한 2,000개의 감광 소자 그리고 폭 분석을 위한 2,000개의 감광 소자 매트릭스이다. 따라서 동시 길이 방향 분석이 스택(5)의 한 장측면으로부터 다른 거리에서, 스택(5)의 여러 길이 방향 라인(T)을 따라 가능하다. 이 경우, 스택(5)에 의해 반사된 광선의 분석은 1차원의 다른 방법과 대조적으로, 2차원으로 이루어진다. 2차원으로 이루어진 분석은 고정된 계수 장치로, 스택(5)의 여러 다른 길이 방향 분석을 가능하게 한다. 반면, 1차원으로 이루어진 분석은 예를 들면 여러 다른 길이 방향 분석을 수행하기 위해 스택(5)의 이동을 필요로 한다.

예를 들면, 디지털 형태로 메모리에 저장된 상기 광 레벨을 표시하는 정보는 도 12 및 13에서와 같이, 그래프의 형태로 표시되어, 광 레벨의 변화를 나타낸다. 그래프는 감광 셀에 연결된 전자 회로로부터 획득된 신호의 최대치를 보여주는 피크(peak)와 최소치를 보여주는 딥(dip)을 표시한다. 프로세싱 리소스는, 예를 들면, 변화의 위치 순서대로 감지된 모든 값을 처리함으로써, 상기 변화의 분석을 위해 사용된다. 일례로, 우측으로부터 가장 먼 픽셀이 처리되고, 그리고 왼쪽 및 기타 등등을 향하여 처리된다. 도 14에 도시된 프로세싱 알고리즘은, 예를 들면, 커 브의 변화 방향을 결정하기 위해 최소 두개의 연속되는 값을 비교하는데 기초가 된다. 메모리에 저장된 광 레벨을 표시하는 데이터의 프로세싱은 아래에서 상세히 설명될 것이다.

얇은 제품(1, 2)의 스택(5)은, 도 1의 비한정적인 방법으로 도시된 바와 같이, 바닥 에지(edge)에 세워지고, 차례차례 쌓여 계수될 단위 요소(2)와 분리 요소(1)로 이루어진다. 상기 요소는, 비한정적인 방법으로, 마주 보는 동일한 방향으로 위치된다. 분리 요소(1)는, 비한정적인 방법으로, 도 2 내지 도 6에 도시되어 있다. 분리 요소(1)의 마크 (B1; B2, B3; B4; B5)는 프로세싱 및 메모라이징 리소스에 결합된 CIS 모듈(3, 3a, 3b, 3c, 3d) 또는 CCD 카메라 (8)에 의해 감지된다. 이러한 매우 정확한 마크(B1; B2, B3; B4; B5)는, 예를 들면, 레이저 프린트 기술에 의해 이루어진다. 상기 마크 (B1; B2, B3; B4; B5)는 분리 요소의 상단 에지에 위치된다. 스택(5)에서, 이 부분은 광원에 의해 비춰지고, 감지 리소스에 가시적이다. 또 다른 방법으로서, 상기 마크는 광 리소스로부터 감춰지지 않는 임의의 에지에 위치되고, 감지 리소스에 가시적이다. 또 다른 방법으로서, 얇은 제품의 모든 에지는 프로세싱 리소스에 결합된 감지 리소스에 의해 감지될 수 있는 규정된 시각적 마크를 포함한다.

또 다른 방법으로서, 도 7에 도시된 바와 같이, 장치는 광선(6)의 빔을 투영시키는 하나의 CIS 모듈(3)로 구성된다. 광선(6)은 스택(5) 위에 광을 받는 라인(T)을 형성하면서, 길이 방향으로, 컨테이너(4)에 포함된 얇은 요소(1,2)의 스택 위에 투영된다. 또 다른 예로서, 도 8 및 9에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 광 빔(6a, 6b, 6c)과 모듈(3a, 3b, 3c)이 스택(5)의 전체 길이를 커버하도록 결합된 3개의 CIS 모듈(3a, 3b, 3c)을 포함한다. CIS 모듈(3a, 3b, 3c)은 처리되는 영역이 부분적으로 오버랩(overlap)되도록 위치된다. 게다가, 상기 모듈은 조광 영역이 정렬되도록 기울어진다. 모듈 3a와 3c는 수직에 대하여 각도 i1로 기울어지고, 모듈 3b는 수직에 대하여 각도 i2로 기울어진다. 상기 모듈은 스택(5)의 평평한 광 빔(6a, 6b, 6c)의 교차점이 하나의 조명을 받는 라인(T)을 형성하도록 기울어진다.

다른 변형예(도시되지 않음)로서, 상기 CIS 모듈은 기울어지지 않고, 다수의 세그먼트로 이루어지는 길이 방향 분석이며, 그것의 길이 합은 스택(5)의 그것과 적어도 같다. 초기화 스테이지는 CIS 모듈의 상대 위치를 결정하기 위해 사용된다. 또 다른 예로서, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 길이 방향의 여러 위치(PO1, PO2, PO3)로 스택(5)에 관련하여 움직이는 단일의 CIS 모듈(3d)만을 포함할 수 있다. 상기 모듈(3d)은, 각 예로서, 스택(5)의 다른 영역(ZO1, ZO2, ZO3)에서, 처리를 위해, 주어진 위치(PO1, PO2, PO3)에서 다수의 이동과 정지 후에, 스택(5)의 전체 길이를 커버링한다. 다른 위치(PO1, PO2, PO3)는 각각의 영역이 부분적으로 인접 영역과 오버랩되도록 선택된다. 프로세싱 리소스는 오버랩에 대응하는 신호를 알아내고, 중복 신호 부분을 제거한다. 효과적으로 중복 데이터를 처리하기 위한 오버랩 영역과 관계가 있는 캘리브레이션 스테이지(calibration stage)가 프랑스 특허 2854476에 설명되어 있다.

도 7, 8 및 9에서, 한 예로서, 컨테이너(4)에 관련된 CIS 모듈 또는 모듈(3, 3a, 3b, 3c)의 상대적 운동은 고정된 CIS 모듈 또는 모듈(3, 3a, 3b, 3c)과 함께, 광의 길이 방향에 관련하여, 컨테이너의 횡단 움직임(M4a)에 의해, 이루어진다. 또 다른 방법으로서, 이러한 동일한 상대 이동은 고정된 컨테이너(4)와 함께, CIS 모듈 또는 모듈(3, 3a, 3b, 3c)의 횡단 이동 (M3a)에 의해 이루어진다. 도 10에 도시된 예에서와 같이, 상대 운동은 횡단 방향 또는 길이 방향을 따라 일어난다. 상대적 길이 방향 이동은, CIS 모듈(3d)이 고정되고 컨테이너(4)가 움직이거나 또는 컨테이너(4)가 고정되고 CIS 모듈(3d)이 움직이며, 이러한 움직임(M4b 및 M3b 각각)으로, 컨테이너(4)의 다른 영역 위에 CIS 모듈(3d)을 위치시키기 위해 길이 방향의 광 리소스에 평행하게 된다. 한편, 위치(PO1, PO2, PO3)에서, 컨테이너(4)에 관련된 CIS 모듈(3d)의 가능한 상대적 횡단 이동(M3a와 M4a 각각)은 예를 들면, 길이 방향 광원에 수직 방향이다. 모든 경우에 있어서, 컨테이너(4)에 관련된 모듈 또는 모듈의 횡단 이동(M3a와 M4a 각각)은 스택(5)의 다른 길이 방향 영역을 따라 다수의 길이 방향 분석들을 포함한다.

도 11, 16 및 17은 예를 들면, 매트릭스 또는 선형 CCD 타입의, 카메라(8)를 갖는 계수 장치를 도시하고 있다. CCD 카메라(8)는, 비한정적인 방법으로서, 2개의 미러(9a, 9b)와 광원(7)에 결합되어 있다. 상기 장치의 이런 유형은 프랑스 특허 2718550에 상세히 기술되어 있다. 감광성 센서는 일례로 선형일 수 있고, 라인(T)을 따라 길이 방향의 분석을 가능하게 한다. 결합된 광원은, 예를 들면, 광선이 집속되거나 집속되지 않은 형광 튜브 또는 다이오드일 수 있다. 다수의 길이 방향 분석들이 예를 들면 광원의 다른 세기들로 주어진 라인(T)을 따라 이루어진다.

다른 변형예로서, 다수의 길이 방향 분석들이 예를 들면 CCD 카메라(9)와 광 원 장치에 관하여 스택(5)의 상대적 이동에 의해 다른 라인들(T1,T2,T3)을 따라 이루어진다. 본 발명을 한정하는 것은 아니지만 일례로, 광 리소스(7)는 그것의 빔이 광학적 장치에 의해 집속된 다이오드의 형태일 수 있고, 여러 다른 길이 방향 분석을 이루기 위해 관련된 횡단 이동을 할 필요가 있다. 광 리소스가 형광 튜브(7)일 경우, 스택(5)의 모든 상단 표면이 조광되지만, 다른 강도로 조광된다. 튜브에 가장 근접한 영역은 다른 먼 영역보다 더 높은 광의 세기로 조광된다. 가변 강도를 갖는 이런 타입의 광은, 다른 광 세기로, 다른 길이 방향 라인(T1,T2,T3) 을 따라서 다른 길이 방향 분석으로 이루어지도록 횡단 상대 운동과 결합되거나 결합되지 않을 수 있다. 하나의 변화는 파워의 변화를 통해 광 리소스를 제어하여 얻은 광세기의 변화를 포함한다.

상대적 운동의 경우에, 움직이는 미러(9a, 9b) 그리고/또는 CCD 카메라(8)를 가지며, 감지 리소스(8, 9a, 9b)가 고정되고, 컨테이너(4)가 움직이거나(M4a), 컨테이너(4)가 고정되고 감지 리소스(9a, 9b, 8)가 적어도 부분적으로 움직인다.

또 다른 방법으로서, CCD 카메라(8)의 감광성 센서는 매트릭스 방식이다. 감광성 센서의 이런 유형은 분석이 스택(5)의 길이와 폭을 따라, 2차원으로 이루어지도록 한다. 매트릭스형 감광성 센서의 경우, 횡단 이동이 다수의 길이 방향 분석을 이루기 위해 필요하지는 않다. 일례로, CCD 카메라(8)는, 도 16에 도시된 바와 같이, 스택 (5)의 전체 길이를 분석할 수 있으며, 스택(5)이 CCD 카메라(8)의 길이 방향 운동(M8)을 갖는 모든 길이로 분석된다. 스택(5)의 전체 길이를 커버링하는 다수의 라인이 분석되며, 상기 라인들은 예를 들면 매우 근접하거나, 5/100 센티미 터 범위에서 서로 근접하거나, 또는 1 또는 수 밀리미터의 범위로 분리되어 있다. 분석된 라인들(T, T1, T2, T3)은 다른 광 세기로 조광된다.

얇은 요소(1, 2)는 컨테이너(4)에 스택되고, 컨테이너 (4)의 상단을 향하여 가장 큰 길이의 에지를 제공하도록 배열된다. 계수될 요소와 분리 요소는, 비한정적인 방법으로, 하나의 전면이 다른 것의 후면에 접하는 방식으로 차례차례 위치된다. 도 1은 차례차례 스택된 요소(1, 2)의 분해도를 나타내며, 여기서 컨테이너(4)는 도시되지 않았다. 그러므로, 얇은 제품은 컨테이너(4)에서 가로질러 지향되는 그들의 에지 상에 위치되며, 이는 사각 컨테이너(4)의 작은 시리즈에 평행함을 의미한다. 개인화 카드의 경우, 스택은 최대 500 개의 카드를 포함한다. 계수 장치는 각 제품(1, 2)의 에지를 감지하고, 그러므로 제품의 번호(N)를 결정한다. 데이터에 영향을 받는 프로세싱의 일예는 광 레벨에서의 변화를 검출하는 것이다. 도 12에서, 그래프 형태로 변환된 데이터는 위치 함수로서 광도(luminosity)를 보여주고 있다. 상기 예에서, 최대값은 인접 신호에 관련하여 높은 세기의 수신된 광에 대응하는 전기적 신호의 값일 것이다. 마찬가지로, 최소값은 인접 신호에 관련하여 약한 세기의 수신된 광에 대응하는 전기적 신호의 값일 것이다. 이것으로 한정하는 것은 아니지만, 최대값은 계수된 제품(2)의 중앙으로서 제어 프로그램에 의해 해석될 수 있고, 최소값은 계수될 두 제품(2)의 접합부로서 해석된다. 두개의 얇은 제품(2) 사이의 접합부는 사실 더 어둡고, 얇은 요소의 중앙은 더 밝다. 시퀀스 안으로 분리 요소(1)를 삽입함으로써, 시스템은, 일정한 조건하에서, 명백하게 이 요소(1)를 구별할 수 있다. 분석 방법은 아래에서 상세히 기술될 것이다.

이러한 구별의 일예는, 도 2와 3에 도시된 바와 같이, 얇은 요소의 에지 위의 백색 배경에 흑색 스트라이프를 프린팅하여 구성된다. 또 다른 방법으로서, 동일한 사이즈의 어두운 스트라이프가 밝은 배경에 프린트된다. 또 다른 방법으로서, 이러한 스트라이프들은 예를 들면 검은 어두운 배경에서 예를 들면 밝은 흰색이다. 비한정적인 방법으로, 분리 요소(1)는 계수될 요소(2)와 동일한 크기를 갖는다. 얇은 제품(1, 2)의 크기가 같은 형식을 갖는 경우의 장점은 이것이 프로세싱 기계에 의해 받아들여지는 분리 요소(1)의 크기로, 그리고 직접적으로 프로세싱 기계로 완전한 스택(5)의 프로세싱을 허용한다는 것이다. 작은 광을 반사하는 흑색 스트라이프(B1)로, 백색 배경 위의 흑색 스트라이프로 수행하는 방법에서, 이 위치에서 반사된 광의 밝기는 따라서 낮을 것이다. 백색 스트라이프는 빛을 많이 반사시키므로, 이 위치에서의 빛의 밝기는 높을 것이다. 따라서, 분리 요소(1)에 상응하는 영역에 있는 광 레벨의 제어 변화는 다른 세기의 전기적 신호의 형태로 변환된다. 이런 경우에 위치에 따른 세기의 그래프 표현은, 예를 들면, 연속적인 최대값과 최소값을 표시하며, 그 피크와 딥(peak and dip)이 가깝고 낮은 신호(105)에 대응한다. 또 다른 예로서, 주어진 밝기와 주어진 제품에 상응하는 신호에서 피크 또는 딥을 표시하는 주어진 값은 프로세싱 시스템의 메모리에 위치된다. 프로세싱 시스템에 의해 제어 프로그램이 실행하는 동안, 신호에 있는 피크 또는 딥의 검색과 이러한 값의 식별은 대응 제품의 식별을 허용한다. 비한정적인 방법으로, 스택(5)의 주어진 위치에서 반사된 빛의 세기에 대응되는 내장된 데이터가 인접한 또는 인접한 위치에 대응하는 데이터의 값 또는 그들의 값에 따라 처리되고 분석된다.

비한정적인 방법으로, 개인화 카드와 같은 포맷의 다른 카드(2) 사이에 삽입되는 카드로서, 0.8mm의 두께(e)를 갖는 두 시리즈의 분리를 위한 카드(1)를 분리 요소(1)로서 취할 수 있다. 비한정적인 방법으로, 독특한 패턴이 레이저 또는 잉크젯 타입의 방법으로, 알려진 프린팅 공정에 의해 에지에 위치될 수 있다. 레이저 처리 방법에 의해 형성된 트레이스는 일례로 0.04mm의 폭을 갖는다. 게다가, 계수 장치는 프로세싱후에 그와 같은 트레이스를 구분할 수 있는 감광성 소자를 사용한다. 가변적인 이미지의 정의에 관하여, 한 화소는 일례로 0.05mm의 길이를 표현한다. 그러면 0.8mm의 카드 폭(e)은 16 픽셀과 같다. 0.04mm의 폭(e1)을 갖는 라인(B1)은 칼라 및/또는 광 세기의 변화로서 처리하는 동안 나타날 것이다. 라인이 두꺼울수록, 그 변화는 더욱 가시적일 것이고, 이것은 상기 감광성 소자에 의해 감지될 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 백색 배경 위의 흑색 스트라이프(B1)는 길이 방향을 가지며, 또한 동일한 폭(d1, d2, d3)의, 또한 세개의 백색 스트라이프를 형성하면서 카드의 에지 위에 위치된다. 그러한 패턴은 알려진 프린트 리소스, 특히 레이저 프린트로 형성될 수 있다. 둘째로, 이러한 패턴은 데이터 프로세싱 뒤에 CIS 모듈 또는 CCD 카메라에 의해 감지될 수 있다. 일반적인 개인화 카드는 이러한 타입의 그래픽 요소를 갖지 않고, 이러한 구별 요소는 계수될 카드(2)의 두 작은 시리즈 사이에 분리 카드(1)를 마킹하기 위해 사용될 수 있다. 시퀀스의 마킹 또는 알려진 순서에 의해서, 각각의 시퀀스는 스택에서 개별적으로 위치하고, 그것의 위치에 따라 개인화된다.

분리 요소에서 마크의 또 다른 비한정적 예가 도 4에 제공된다. 흑/백의 트 랜지션 마크(transition mark)가 분리 요소(1)중 에지 폭(e)의 각각 절반(d4,d5)을 차지하는 흑색 또는 어두운 스트라이프(B2), 그리고 백색 또는 밝은 스트라이프(B3)에 의해 생성된다. 이러한 트랜지션은 계수 장치에 의해 분석되고 찾아진다. 상기 흑색 스트라이프는 첫째로 그것의 색깔 때문에, 둘째로 그것의 큰 폭 때문에 작은 광을 반사한다. 반면, 상기 백색 스트라이프는 많은 광을 반사한다. 반사된 빛의 세기는 그러므로 백색 스트라이프에 위치된 점에서 높을 것이고, 흑색 스트라이프에 위치된 점에서 낮을 것이다. 컴퓨터로 처리할 수 있는 형태로 저장된 이러한 정보는 상기 분리 요소에 위치한 각각의 포인트에 대한 광의 세기를 보여준다. 이러한 정보는 따라서 피크(103와 104) 사이에 보여진바와 같이, 흑색 스트라이프(B2)에 대응하는 작은 값의 순서와, 피크(104)에 보여진바와 같이 백색 스트라이프(B3)에 대응하는 높은 순서를 포함할 것이다. 분리 요소의 구별은, 비한정적인 방법으로서, 이러한 극단적인 값으로부터 오거나, 극단의 상대적 위치로부터 오거나/또는 두 극단의 거리 분리로부터 온다. 그러므로 디자인된 장치는 예를 들면 어두운 칼라의 카드와 같이 반사가 낮은 레벨이거나 투명한 카드의 계수를 위해 특히 적절하다. 한 가지 방법으로서, 두개의 길이 방향 분석이 각각의 다른 광의 세기로 주어진 위치에서 이루어진다. 광원은 형광 튜브 또는 전기 발광성 다이오드에 의하여, 비제한적인 방법으로, 이루어진다. 다른 방법으로서, 스택중 매우 어둡거나 또는 매우 밝거나 또는 심지어 투명한 요소의 계수에 특히 적절하다. 제1의 강하거나 약한 광이 그들의 위치를 결정하기 위해 각각의 어둡거나 밝은 분리 요소의 분석과 인식의 교정을 위해 적용되고, 그리고 동일한 위치에서 제2의 약하거나 강한 광이 각각 계수될 밝거나 또는 어두운 요소의 분석과 인식 교정을 위해 적용된다. 강한 강원은 특히 투명하거나 투명한 요소에 적합하다. 계수될 매우 어두운 요소의 계수를 위해, 백색 라인을 갖는 흑색 분리 요소가 잇점으로 이용된다.

구별 마킹(B4,B5)의 다른 예가 도 5와 6에 제공된다. 도 5는 바코드의 사용예이고, 반면 가변 크기의 도트를 사용함으로써, 도 6은 도트의 코드화 예이다. 데이터의 프로세싱에 관련하여, 분리 요소(1)는, 예를 들면, 세기의 두 극단 사이에서 다른 위치에 의해 식별된다. 피크 또는 딥이 가깝다는 것은, 예를 들면, 분리 요소(1)에서 프린트된 마킹을 나타내는 것이고, 계수될 두 요소 사이의 접합부를 나타내는 것은 아니다. 또 다른 구별 요소는 레코딩된 세기이다. 상기 세기는 프린트된 패턴의 유무 또는 특별한 색깔의 유무에 따라 가변적이기 때문이다. 스택(5)의 분석은 길이 방향이며, 횡단 방식으로 카드(1)를 가로지른다. 이것은, 길이 방향 분석으로 이루어진 스택(5)의 길이 방향 영역에 관계없이 프로세싱 및 분석이 동일하도록, 바람직하기로 분리 요소(1) 위에 마킹 패턴(B1, B2,B3,B4)이 카드(1)의 길이 방향으로 형성된 이유이다. 분리 요소(1)의 마킹 패턴(B5)이 다른 길이 방향 영역과 동일하지 않은 경우, 다수의 길이 방향 분석들이 2차원으로 길이 방향 및 횡단 방향 분석으로 이루어지도록 바람직하기로 즉시 근처에 있는 길이 방향 영역 상에서 이루어진다.

도 12는 스택(5)에서 제품(1, 2)의 위치에 따라 감광 소자에 의해 제공된 신호를 표시하고, 광 레벨에서의 변화를 보인, 그래프의 비한정적 예이다. 데이터의 프로세싱은, 무엇보다도, 그것의 엔트리 매개 변수, 광 레벨을 나타내는 데이터 및 데이터 시퀀스에서의 위치를 갖는 프로세싱 알고리즘에 의하여 영향을 받는다. 광의 세기를 표시하는 신호 값(전압)은 컴퓨터 코드 형태로 저장되도록, 알려진 방법에 의해, 디지털 레벨로 변환된다. 감광 셀 위의 렌즈에 의해 집속된 반사광 광선은 세기를 나타내며, 라인 또는 CCD 또는 CIS 감광성 매트릭스의 픽셀에 대응하는 신호로 변환된다. 분석된 포인트 사이의 각 화소와 거리 사이의 관계는 초점 맞춤 렌즈에 의존하고, 이전 디자인으로부터 알려져 있다. 따라서 상대적 위치는 프로세싱동안 고려된다. 신호의 최소 그리고 최대 레벨을 위한 검색에 기초하여서 된 데이터를 위한 프로세싱 알고리즘의 비한정적 예가 도 14에 제공된다. 명도 센서로부터 획득된 디지털 또는 아날로그 데이터는 제1단(X0)으로부터 제2단(X13)까지 처리 데이터를 나타내는 방식으로 순차 처리된다. 알고리즘은 적어도 두개의 연속 값들을 비교함으로써, 로컬 최소값과 로컬 최대값을 찾는다. 최저값 또는 최대값이 발견될 때, 그것의 값은 저장된다. 또한, 최저값 또는 최대값이 다른 로컬 극치값에 관련하여 감지된 그것의 위치 및 순서도 저장된다. 메모리세이션(memorisation)의 일예는 순서, 길이 방향 분석에서의 위치, 그리고 광 세기를 나타내는 신호의 값(전압)과 같이 세 개의 필드로 이루어진 컴퓨터에서 처리될 수 있는 데이터 테이블을 사용하는 것이다. 메모리에 있는 이 스토리지는 이전에 처리된 데이터를 갖는 길이 방향 분석에 결합된 데이터의 프로세싱을 허용한다.

예를 들면, 도 12의 그래프에 의해 표시된 신호에 상응하는 데이터의 프로세싱은 도 14에서 표시된 알고리즘으로 이루어지고, 지금 기술될 것이다. 데이터 처리를 위한 프로그램은 이 알고리즘의 다른 스테이지(Etp0로부터 Etp15까지)를 따른 다. 프로그램은 검색을 위해 그리고 식별 값 LO 인 스테이지 EtpO로 시작한다. 이 값(LO)은 감광 셀에 의해 변환된 장치 배경의 밝기에 해당된다. LO의 메모리에서 저장은 이 값이 배경의 감지를 위해 사용된다. 제어 프로그램은 검색에 의해 그리고 제1최대값(L2)에 이어 제1최소값(L1)을 식별함에 의해 컨테이너에 대응하는 신호를 확인한다. 상기 프로그램은 그리고 스테이지 Etp1에 있는 최대값 (L2)을 찾아 식별한다.

제어 프로그램은 신호의 피크(101)를 표현하는, 최소값(L1)에 이어 최대값(L5)을 찾는 것에 의해 계수될 제1요소(2)에 대응하는 신호를 식별한다. 프로그램은 스테이지 Etp2에서 최소값(L1)을 찾아 식별하고, 그런 후 상기 프로그램은 스테이지 Etp3에서 최대값(LS)을 찾아 식별한다. 그리고 프로그램은 스테이지 Etp4로 가고, 계수될 요소(2)를 찾으며, 그런 후 스테이지 Etp5로 감에 따라 계수 루프를 시작한다.

프로세싱 프로그램은 신호의 피크(102 또는 103)에 대응하는, 최소값(L4)에 이어 최대값(L5)을 찾는 것에 의해, 위치 x3에서 x6까지, 계수될 요소(2)에 대응하는 신호들을 식별한다. 상기 프로그램은 스테이지 Etp5에서 최소값(L4)을 찾아 감지하고, 그리고 상기 프로그램은 계수될 요소의 등록을 위해 스테이지 Etp7로 가며, 마침내 루프의 시작점에서 스테이지 Etp5로 간다. 프로그램은 예를 들면, 가로열에서 4번에 걸쳐 시퀀스(Etp6, Etp7, Etp5)를 실행하고, 따라서 예를 들면 계수될 네 개의 요소(2)를 등록한다.

상기 프로세싱 프로그램은, 신호의 피크(104)를 나타내는, 최소값(L3)에 이 어 최대값(L6)을 찾는 것에 의해, 흑/백 트랜지션 타입의, 분리 요소(1)에 대응하는 신호를 식별한다. 또 다른 구별 요소는 최소값과 최대값 사이의 거리가 얇은 제품(1, 2)의 두께 이하이거나 동일한 반값(e/2)이다. 상기 프로그램은 스테이지 Etp5에 있는 최소값(L3)을 찾아 감지한다. 상기 프로그램은 최대값(L6)을 찾아 식별하고, 최소값과 최대값의 거리가 얇은 제품 두께의 이하이거나 동일한 반값(e/2)인지 체크하는 스테이지 Etp9로 간다. 상기 프로그램은 타입 104 분리 요소의 등록을 위해 스테이지 Etp10으로 가며, 마침내 루프의 시작점인 스테이지 Etp5로 간다.

상기 프로세싱 프로그램은 앞에서와 같이 위치 x8과 x9에서, 계수될 신호에 대응하는 요소(2)를 식별한다. 이것은 프로그램이 스테이지 Etp6, Etp7과 Etp5를 통하여, 예를 들면 열(row)에서 두 번, 진행함을 의미한다. 상기 프로그램은 그러므로 계수될 두개의 요소(2)를 등록하고, 루프의 시작점인 스테이지 Etp5에 이른다.

상기 프로세싱 프로그램은 얇은 제품의 두께(e)보다 작은 이런 두개의 최대값 사이의 거리와, 최대값(L7) 및 최소값(L8)사이에 주워진 진폭(V)으로 여섯 개의 변수를 보이는, 그들 사이에 끼워진 세 개의 최소값으로, 최소값(L4)에 이어 L5와 다른 네 개의 연속되는 최대값을 찾는 것에 의해, 백색 배경 위의 등거리 흑색 라인으로, 분리 요소(1)에 대응하는 신호를 식별한다. 상기 프로그램은 스테이지 Etp5에 있는 최소값(L4)을 찾아 식별한다. 상기 프로그램은 프로그램이 최대값(L7)과 최소값(L8) 사이에 주어진 진폭(V)으로 6개의 변수를 보여주는, 그들 사이에 끼워진 3개의 최소값(L8)으로, 4개의 연속되는 L5와 다른 최대값을 찾아 식별하는 스 테이지 Etp6로 간다. 상기 프로그램은 이러한 두 최대값 사이의 거리가 얇은 제품의 두께(e)보다 작은지를 점검하고, 이 신호가 105 타입의 분리 요소에 대응하는지 추론한다. 상기 프로그램은 그리고 105 타입의 분리 요소(1)의 등록을 위해 스테이지 Etp8로 간다. 그리고 나서 상기 프로그램은 스테이지 Etp5에서 최대값(L5)을 찾아 식별하고, 마침내 상기 프로그램은 루프의 시작점인 스테이지 Etp5로 간다.

상기 프로세싱 프로그램은 최대값(L5)에 이어 최소값(L1)을 찾는 것에 의해 계수될 마지막 요소에 대응하는 신호를 식별한다. 상기 프로세싱 프로그램은 연속되는 최소값(L1), 최대값(L2) 및 L0를 찾는 것에 의해 상기 컨테이너의 두 번째 에지에 대응하는 신호를 식별한다. 상기 프로그램은 스테이지 Etp5에서 최소값(L1)을 찾아 식별한 후, 스테이지 Etp11로 감으로써 상기 계수 루프를 빠져나온다. 그런 후 상기 프로그램은 계수될 추가 요소(2)를 등록하고, 최대값 L2를 찾아 식별한다. 이어서 상기 프로그램은 스테이지 Etp12로 가서, L0를 찾아 식별하고, 상기 계산을 확인하기 위해 스테이지 Etp13으로 간다. 상기 프로그램은 마침내 스테이지 Etp14에서 멈춘다.

상기 알고리즘의 예에서, 에러 취급과 함께 완전한 프로세싱은 보이지 않았다. 게다가, 이러한 알고리즘에 따른 프로세싱은 스택(5)의 첫 번째와 마지막 요소가 계수될 요소이어야 함을 필요로 한다. 도 12의 예에서, 계수될 요소를 표시하는 신호의 피크는 계수될 요소의 특성과 또한 근접한 요소의 특성에 의존하는 형태를 갖는다. 분리 요소의 두 타입은 피크의 두 다른 타입(104,105)을 제공한다. 7번째 위치에서 신호 피크(104)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 흑-백 트랜지션(B2,B3)을 갖는 분리 요소(1)에 대응한다. 주어진 변화를 나타내는 열 번째 위치에서의 신호 피크(105)는 광 레벨에서 동일한 진폭 변화를 의미하는 동일 폭의 세 개의 길이 방향 라인을 가지며, 따라서 105 타입의 분리 요소를 나타내는 데이터를 구성하는 요소와 대응한다. 백색 배경 위의 세 개의 흑색 길이 방향 스트라이프를 갖는 분리 요소는 도 3에 도시되어 있다.

도 13은 전기 광 센서로부터 얻은 신호를 표시하는 다른 그래프를 도시한다. 이 예에서, 피크(108)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 백색 배경 위에 두개의 흑색 스트라이프를 갖는 분리 요소에 대응하는 신호를 표시한다. 피크(109)는 흑색 또는 어두운 상부 에지로 계수되는 요소와 대응하는 신호를 나타낸다. 이 경우에 있어, 도 2에 도시된 분리 요소는 시리즈의 시작점인 감지용으로 이용되고, 또한 피크(109)의 보다 좋은 분석을 가능하게 한다. 사실 상기 피크(109)는 크고 작은 혹(hump)을 포함하고, 분석하기 더욱 어렵다. 이 예에서, 분리 요소는 스택(5)의 시작점과 스택(5)의 끝점에 위치된다. 다른 예에서, 상기 피크(108)는 개인화되는 얇은 제품의 두께를 결정하는 역할을 한다. 얇은 제품은 사실 가변 가능한 두께를 가질 수 있다.

계수 장치에 의해 처리 및 식별될 수 있는 다수의 독특한 기호가 가능하기 때문에, 분리 요소의 다른 타입이 계수될 시리즈에 사용될 수 있다. 바코드를 이용한 한 예는 구별 마크가 정보를 포함하도록 하고 따라서 예를 들면 다음 시리즈 또는 다른 정보의 특성을 명기하도록 한다. 다른 예로서, 다른 특성을 갖는 분리 요소(1)가 스택(5)에 끼워지고, 이때 각 분리 요소는 독특하게 식별된다. 한 예로서, 분리 요소의 타입은 스택(5)에서 다음과 같은 제품(1,2)의 특성을 명기하기 위해, 소정 프로토콜에 의존한다. 소정 프로토콜의 다음 예는 카드의 세 가지 다른 타입의 스택 즉, 타입 1, 타입 2 및 타입 3에 적합하며, 상기 프로토콜은 다음을 의미한다.

- 타입 1은 한 측면 및 다른 라인으로부터 동일 거리이고, 길이 방향으로 프린트되며, 백색 배경 위에 두개의 좁은 흑색 라인을 갖는 분리 카드에 의해 수행된다.

- 타입 2는 각각이 폭의 절반을 차지하고, 길이 방향으로 프린트되며, 흑색 스트라이프와 백색 스트라이프를 갖는 분리 카드에 의해 수행된다.

- 타입 3은 각 측면으로부터 이격되고, 길이 방향의 백색 배경 위에 프린트되며, 주어진 길이와 주어진 폭의 흑색 스트라이프를 갖는 분리 카드에 의해 수행된다.

자동적으로 작은 시리즈의 계수를 위한 장치의 사용을 고려하라. 다수의 시리즈를 갖는 스택의 결과물은, 비한정 방법으로서, 도 1에 도시되어 있다. 작업자는 순차적인 순서로 얇은 제품(2)의 작은 시리즈를 위치시킨다. 각 작은 시리즈는 적어도 에지(edge)에 관해서는 다른 모습을 하며, 따라서 분리 요소(1)가 다른 얇은 제품(2)으로부터 식별될 수 있는, 그러한 분리 요소(1)에 의해 분리된다. 이 예에서, 작업자는 프로세싱의 속행을 위한 작은 시리즈의 특성을 명시하는 정보를 갖는 시스템을 제공한다. 그리고 나서 작업자는 각 시리즈의 요소(N1,N2,N3,N4) 개수를 명기하지 않고, 그 특성과 각 시리즈의 순서를 갖는 상기 시스템에 들어간다. 따라서 데이터의 프로세싱후에, 상기 계수 장치는 시리즈의 개수, 계수될 제품의 컨테이너에서의 그들의 순서, 각 작은 시리즈의 제품 개수와 각 분리 요소의 위치와 같은 정보를 제공한다. 작업자에 의해 공급된 정보를 저장하고, 상기 제품의 특성을 고려함으로써, 상기 장치는 각 시리즈와 함께 제품의 특성에 결합된다. 따라서 스택의 프로세싱 속행에 있어서, 생산 라인의 또 다른 프로세싱 시스템 다운스트림(downstream)이 각 제품(1, 2)의 특성을 명기하는 데이터를 수신하고, 따라서 수행될 개인화 또는 검사를 결정할 수 있다. 상기 프로세싱 시스템 다운스트림은 알려진 방법으로서 통신 리소스를 통하여 계수 장치의 프로세싱 리소스와 통신한다. 상기 통신 리소스는, 예를 들면, 연결 타입(connection type)에 적합하도록 하는 라인 또는 적외선 또는 무선주파수 연결 및 통신 인터페이스를 포함한다. 다른 예로, 통신 리소스는 매체 드라이브에 결합되는, 디스켓 또는 하드 디스크와 같은 매체일 수 있다. 분리 요소(1)는 처리되는 제품(2)과 같은 동일한 크기로 제조될 수 있고, 각 분리 요소(1)는 프로세싱 동안 배출될 수 있으며, 따라서 예를 들면 그것은 재사용될 수 있다. 스택에서 같은 크기를 갖는 것의 장점은 상기 스택(5)이 직접 처리되고, 처리되는 제품(2)을 처리하는 기계에 의해 꽉 찬다는 것이다. 프로세싱은, 예를 들면, 순서대로 처리되는 제품(1,2)과 함께, 분리 요소(1) 또는 개인화되는 제품(2)을 위해 다른 방법으로 이루어진다. 채용되는 개인화 타입이 또한 고려된다. 따라서, 상기 프로세싱은 상기 프로세싱 시스템으로 상기 스택(5)을 갖는 컨테이너 또는 매거진을 삽입하거나,　또는 다른 매체로 스택(5)을 전달함으로써 자동적으로 또는 직접 수행된다. 검사는, 계수 장치에 의해 계수되는 제품의 개 수(N, N1, N2, N3, N4)와 함께, 각 시리즈에서 처리되는 제품의 개수(N1,N2,N3,N4) 또는 꽉 찬 스택(5)으로부터 처리되는 제품들(N)의 개수를 비교하여, 이루어진다.

도 1에 주워진 예를 고려하라. 이 도면은 이것으로 한정하는 것은 아니지만 다음과 같은 예를 도시한다. N 요소의 스택이 제조되었다. 첫 번째 분리 요소(1)가 타입 1의 N1 제품(2)의 첫 번째 시리즈로 스택되었다. 상기 스택의 다음은 타입 2의 N2 제품(2)의 두 번째 시리즈 앞에 위치된 두 번째 분리 요소(1)이다. 상기 스택의 다음은 타입 3의 N3 제품(2)의 세 번째 시리즈 앞에 위치된 세 번째 분리 요소(1)이다. 네 번째 분리 요소(1)가 타입 4의 N4 제품(2)의 네 번째 시리즈 앞에 스택되었다. 마침내 다섯 번째 분리 요소(1)가 스택의 마지막에 위치되어 있다. 1로부터 N까지의 위치를 지시함으로써, 요소들의 위치 관계는 다음과 같다.

p1 = 1 ; p2 = N1+p1+1 ; p3 = p2+N2+1 ; p4 = p3+N3+1 ; p5 = N = p4+N4+1

참조 부호 p1, p2, p3, p4 및 p5는 각 분리 요소(1)의 위치를 지시한다. 컴퓨터 프로세싱 후에, 작은 시리즈의 계수 장치는 메모리에 저장되는 다수의 결과를 만든다. 이러한 방법으로 한정하는 것은 아니지만, 이러한 결과들은 요소 N의 총 개수이고 각 분리 요소(1)(p1, p2, p3, p4, p5)의 위치이다. 각 시리즈의 제품 개수는 따라서 이러한 결과로부터 추론된다. 작업자는 스택을 형성하는 각 작은 시리즈의 특성을 알고 있고, 따라서 주어진 위치에서 각 요소(1, 2)의 특성을 결정한다. 모든 스택의 요소(1, 2)가 같은 형태이고, 개인화 기계에 의해 처리되는 경우, 만약 상기 시리즈의 특성에 대한 추가 정보가 개인화 기계에 제공된다면, 상기 전체 스택은 직접 처리된다. 개인화 처리동안, 제1요소가 결함 요소와 비슷한 방법으 로 첫 번째로 배출된다. p2-1과 같은 위치로 2와 동일한 위치의 제품이 타입 1에 따라 처리된다; 분리 요소인 위치 p2에서의 요소는 배출된다; p3-1과 같은 위치로 p2+1과 같은 위치의 요소는 타입 2에 따른 개인화 기계에 의해 처리된다. 나머지 요소들은 같은 방법으로 처리된다. 개인화 기계는 스택에서 그들 위치의 기능으로 이루어진 처리로서, N 요소 전체를 수행할 것이다. 개인화 프로세스로부터 빠져 나감으로써, 동일한 삽입 메커니즘이 각 일괄 작업 또는 다수의 일괄 작업을 위한 특별한 프린팅에 의해 물리적으로 개인화될 수 있는 스택을 재구성하기 위해 두개의 시리즈 사이에서 분리 요소를 개재할 것이다. 따라서 이러한 계수 장치는 더 쉽게 작은 시리즈를 개인화하고, 계수를 위한 인스톨된 툴과 분리 요소의 추출에 의한 생산을 하는 동안 또는 각각의 임계적인 위치에 있는 삽입 분리 요소(1)를 위해 개별적으로 이러한 시리즈를 모니터링하기 위해 사용될 수 있다. 한 예로, 개인화 기계에서 식별되는 것을 위하여, 상기 분리 요소는 한쪽 또는 양쪽 표면에 형성된 구별 기호를 포함한다. 한쪽면의 분리 요소를 위한 구별 패턴은 쉽게 성취될 수 있고, 그리고 스택의 처리시에 식별을 가능하게 하며, 따라서 계수 장치에 의해 공급된 위치 정보와 프로세싱 스테이지 전체에 걸쳐 처리 기계에 의해 형성된 위치 정보의 상관관계를 허용한다. 본 발명의 다른 측면에 의하면, 동일한 분리 요소(1)는 체인(chain) 전체를 통하여 유지되고, 스택에서 이러한 요소의 위치는 디지털 개인화 헤드 또는 물리적 개인화 스테이션에서 개인화 동작을 제거하고 인접한 위치에 있는 개인화 가능한 제품(2)을 개인화하기 위해 사용된다.

다른 변형예는, 도 15에 도시된 바와 같이, 예를 들면 스택(5)의 길이 방향 에 대하여 수직 방향인, 횡단 광원으로 이루어진 적어도 하나의 횡단 CIS 모듈(3t)을 포함한다. 상기 횡단 CIS 모듈(3t)은 감지 리소스와 횡단 방향으로 스택(5)을 조명하는 평평한 횡단 빔을 이용한 광 리소스를 포함한다. 스택(5)의 반대 방향에 위치된 횡단 CIS 모듈(3t)은 조광되는 선형 횡단 영역의 분석에 영향을 준다. 스택(5)의 전체 길이 분석은 스택(5)의 길이 방향을 따른, 횡단 모듈의 움직임(M3t)에 의해 이루어진다. 횡단 CIS 모듈(3t)의 길이 방향 움직임(M3t)은 지정된 속도로 이루어진다. 상기 횡단 모듈의 감광성 셀은 스택(5)에 의해 반사되고 감지 리소스의 감광성 셀에 집중되는 광선의 광 에너지를 광세기로 나타내는 전기적 신호로 변환한다. 계수 장치의 프로세싱 리소스는 이러한 신호들을 추출하고 전기적 신호의 아날로그 값을 컴퓨터 코드(상기 아날로그 값을 표시하는 컴퓨터 코드)로 변환하고, 그것들을 저장 리소스에 위치시킨다. 횡단 CIS 모듈이 감지 리소스와 결합된 광 리소스로 스택(5) 전체 길이를 포함하는 영역을 덮을 때, 상기 스택(5)은 그것의 전체 길이와 정해진 폭 영역을 분석할 것이다. 따라서, 2차원의 분석은 스택(5) 위에서 수행되는 다수의 길이 방향 분석을 가능하게 한다. 이러한 길이 방향 분석은 몇 밀리미터만큼 서로 가깝거나(T1,T2) 또는 먼(T1,T3) 선들을 따라 이루어진다.

청구된 바와 같이 본 발명의 출원 범위 밖으로 벗어나지 않고서 많은 다른 특정 형태의 수행 방법을 포함하는 것은 당업자에게 자명하다. 결론적으로, 본 수행 방법은 일례일 뿐이지만, 첨부된 청구의 범위에 의해 결정되는 영역내로 수정될 수 있고, 위의 주어진 상세 설명으로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.

Claims (27)

1. 스택(5)을 구성하는 쌓인 얇은 제품(2)으로, 지지 장치(4)에서 일정한 방향으로, 차례차례 쌓인, 얇은 제품(2)의 시리즈 계수를 위한 장치에 있어서, 상기 계수 장치는

   상기 스택(5)의 적어도 전체 길이를 덮는 하나 또는 하나 이상의 광 빔(6,7a)을 제공하는, 상기 스택(5)을 비추기 위한 장치(7)와,

   다수의 감광성 소자와, 상기 스택(5)에 의해 반사된 광선을 비추도록 사용될 수 있는, 감지 회로에 연결된, 적어도 하나의 광학 장치를 포함하는, 적어도 하나의 감지 회로를 갖는 감지 장치(8,9a,9b)와,

   저장 장치와,

   얇은 제품(2)의 적어도 두 근접한 시리즈 사이에 상기 스택(5)에 포함된 적어도 하나의 분리 요소(1)로서, 각 분리 요소(1)는 한 에지(edge)의 적어도 한 부분에 위치된 적어도 하나의 마크(B1, B2,B3,B4,B5)를 갖고, 마크의 적어도 한 부분은 적어도 하나의 광 장치에 의해 비춰지고, 적어도 한 감지 장치에 가시적이며,

   상기 감지 회로 또는 회로들로부터 오는 신호를 수신하고, 상기 분리 요소(1) 상의 상기 마크(B1, B2,B3,B4,B5) 뿐만 아니라 얇은 제품(2)의 가시 한계를 구별하기 위해 정렬되는 프로세싱 장치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 계수 장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 감지 장치에 연결된 프로세싱 장치는

   상기 스택(5)을 구성하는 각 시리즈에서 요소의 개수(N1,N2,N3,N4),

   또는 상기 스택(5)을 구성하는 각 시리즈에서 요소의 개수(N1,N2,N3,N4)를 추론하기 위해 사용될 수 있는 정보를 결정하기 위해 상기 스택(5)의 길이 방향 분석을 수행함을 특징으로 하는 계수 장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 감지 장치에 연결된 프로세싱 장치는

   상기 스택(5)에서 각 분리 요소의 위치(p1,p2,p3,p4,p5)를 결정하기 위해 상기 스택(5)의 길이 방향 분석을 수행함을 특징으로 하는 계수 장치.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서,

   상기 스택(5)에 대하여 길이 방향으로 위치되고 반대 방향인 CIS 모듈(3,3d)이 상기 광 장치와 상기 감지 장치를 구성하고,

   상기 CIS 모듈(3,3d)은 상기 스택(5)의 길이와 적어도 같거나,

   상기 CIS 모듈(3,3d)은 다수의 스테이지(PO1,PO2,PO3)에서 적어도 상기 스택 의 전체 길이를 덮는 영역에 반대 방향인 스택(5)의 길이 방향으로 움직이는 것을 특징으로 하는 계수 장치.
5. 제2항 또는 제3항에 있어서,

   길이 방향으로 위치되고, 상기 스택(5)에 반대 방향인 다수의 CIS 모듈(3a,3b,3c)을 더 포함하고,

   각 CIS 모듈은 감지 장치와 소정 방향으로 평평한 광 빔(6a,6b,6c)에 의해 조광하는 장치를 포함하고,

   상기 CIS 모듈(3a,3b,3c)의 길이 합은 상기 스택(5)의 길이와 같은 것을 특징으로 하는 계수 장치.
6. 제5항에 있어서,

   상기 CIS 모듈(3a,3b,3c)은 빛의 라인(T)을 따라 상기 스택(5)을 비추고,

   각 CIS 모듈(3a,3b 및 3c)은 소정 각도(i1 또는 i2)로 기울어져, 자신의 평평한 광 빔(6a, 6b 및 6c 각각)이 상기 라인(t)에 마주침을 특징으로 하는 계수 장치.
7. 제2항 또는 제3항에 있어서,

   상기 광 장치는

   적어도 하나의 초점 장치와

   소정 방향에서 평평한 광 빔을 만드는 다수의 전기발광 다이오드를 포함하고,

   상기 감지 장치는 두개의 미러(9a,9b)와 CCD 카메라(8)를 포함하며,

   상기 광 장치에 의해 비춰지는 상기 스택(5)의 부분은 상기 미러에 의해 상기 CCD 카메라로 반사됨을 특징으로 하는 계수 장치.
8. 제2항 또는 제3항에 있어서,

   상기 광 장치(7)는 상기 스택의 상면을 비추는 형광 튜브를 포함하고,

   상기 감지 장치는 두개의 미러(9a,9b)와 하나의 CCD 카메라(8)를 포함하며,

   상기 스택(5)의 비춰지는 영역의 부분은 상기 미러에 의해 상기 CCD 카메라로 반사됨을 특징으로 하는 계수 장치.
9. 제4항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서,

   상기 스택(5)의 다른 영역의 다수의 길이 방향 분석이 가능하도록,

   상기 감지 장치 및 광 장치에 대하여 상기 지지 장치(4)의 상대적 횡단 이동 을 위한 장치를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 계수 장치.
10. 제8항에 있어서,

    상기 CCD 카메라의 상기 감지 회로는

    폭이 상기 스택의 다른 영역의 다수의 길이 방향 분석의 실행을 허용하는 감광성 소자의 매트릭스로 이루어진 것을 특징으로 하는 계수 장치.
11. 제2항 또는 제3항에 있어서,

    횡단 방향으로 위치되고 상기 스택(5)에 반대 방향인 적어도 하나의 횡단 CIS 모듈을 더 포함하고,

    상기 횡단 CIS 모듈은 감지 장치와 상기 스택(5)의 폭중 적어도 어느 한 부분을 덮는 빔에 의한 조명을 위한 장치를 포함하고,

    상기 횡단 CIS 모듈은 소정 방향으로, 상기 스택(5)의 적어도 전체 길이를 덮는 영역에 반대 방향으로 움직임을 특징으로 하는 계수 장치.
12. 제11항에 있어서,

    상기 횡단 CIS 모듈은 상기 스택(5)에 대하여 횡단 방향으로 위치된 다수의 감광성 소자를 포함하고, 상기 스택(5)의 다른 영역의 다수의 길이 방향 분석을 수행하도록 이용됨을 특징으로 하는 계수 장치.
13. 제4항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서,

    상기 분리 요소(1)의 마크는

    자신의 에지(edge) 위에 위치되고, 각각 밝고 어두운 배경 위에, 두개의 어둡고 밝은 스트라이프(B1) 형태를 하며,

    상기 스트라이프는 소정 두께로서, 상기 분리 요소와 같은 길이를 가지며,

    첫째로 상기 분리 요소의 한 장측면으로부터 그리고 둘째로 다른 스트라이프로부터 같은 길이만큼 이격된 것을 특징으로 하는 계수 장치.
14. 제4항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서,

    상기 분리 요소(1)의 마크는

    자신의 에지 위에 위치되고, 각각 밝거나 어두운 배경 위에, 다수의 어둡거나 밝은 스트라이프 형태를 하며,

    상기 스트라이프는 소정 두께로서, 상기 분리 요소와 같은 길이를 가지며,

    서로 또는 분리 요소의 한 장측면 및 인접 스트라이프로부터 등거리인 것을 특징으로 하는 계수 장치.
15. 제4 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서,

    상기 분리 요소(1)의 마크는

    자신의 에지 위에 위치되고, 각각 밝거나 어두운 배경 위에, 하나의 어둡거나 밝은 스트라이프 형태를 하며,

    상기 스트라이프는 소정 두께로서, 상기 분리 요소와 같은 길이를 가지며,

    상기 분리 요소의 장측면으로부터 등거리인 것을 특징으로 하는 계수 장치.
16. 제4항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서,

    상기 분리 요소 위의 마크는

    가장 긴 길이의 방향으로 상기 분리 요소의 에지 위에 프린트된 백색 또는 밝은 색의 스트라프(B3)에 근접한 흑색 또는 어두운 색의 스트라이프(B2)로 이루어지고,

    상기 분리 요소와 같은 길이로서, 각각은 상기 분리 요소의 폭의 절반을 차지함을 특징으로 하는 계수 장치.
17. 제4항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서,

    상기 분리 요소(1)의 마크는 바코드(B4) 및/또는 도트 코드(B5)로서,

    상기 분리 요소와 같은 길이를 가지며 이루어진 것을 특징으로 하는 계수 장치.
18. 제13항 내지 제17항중 어느 한 항에 있어서,

    상기 스택(5)은 다르거나 또는 동일한 마크를 갖는 분리 요소를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 계수 장치.
19. 제13항 내지 제18항중 어느 한 항에 있어서,

    적어도 하나의 분리 요소는 적어도 한 면에 형성된 구별 패턴을 포함하고, 개인화 기계에 의해 식별됨을 특징으로 하는 계수 장치.
20. 제13항 내지 제19항중 어느 한 항에 있어서,

    다수의 길이 방향 분석들은

    각 길이 방향 분석을 위해 독특하게 주워진 세기로 하나 또는 하나 이상의 빔을 만드는 광 장치로서,

    상기 스택(5)의 주어진 영역 위에 이루어짐을 특징으로 하는 계수 장치.
21. 제13항 내지 제20항중 어느 한 항에 있어서,

    상기 저장 장치는 상기 분리 요소의 다른 코딩 형태(B1;B2, B3;B4;B5)를 저장하고,

    각 형태는 얇은 제품(2)의 시리즈를 위한 식별자에 대응되고,

    상기 프로세싱 장치는 상기 저장 장치에 저장된 형태로 감지 회로 또는 회로들로부터 오는 신호를 비교하고,

    상기 스택(5)에서 적어도 한 시리즈로 얇은 제품(2)의 식별자중의 하나를 결합하도록 이용됨을 특징으로 하는 계수 장치.
22. 제13항에 있어서,

    상기 프로세싱 장치에 의해 분석된 상기 두개의 흑색 스트라이프들은 얇은 제품 및/또는 분리 요소의 에지 폭을 결정하기 위해 이용됨을 특징으로 하는 계수 장치.
23. 제21항에 있어서,

    정보는 개인화와, 생산 라인의 다운스트림을 위해, 통신 장치를 통하여 프로 세싱 시스템으로 상기 프로세싱 장치에 의해 전송되고,

    상기 전송된 정보는

    상기 스택(5)을 구성하는 각 시리즈에서의 요소 개수(N1,N2,N3,N4) 및/또는,

    상기 스택(5)을 구성하는 각 시리즈에서의 요소 개수(N1,N2,N3,N4)를 추론하는데 이용될 수 있는 정보 및/또는,

    상기 스택(5)에서 각 분리 요소의 위치(p1,p2,p3,p4,p5) 및/또는,

    각 시리즈를 위한 식별자를 포함하여 이루어진 계수 장치.
24. 제23항에 있어서,

    상기 프로세싱 시스템은

    상기 프로세싱 장치에 의해 전송되는 정보에 결합되어 있는 시리즈의 각 요소에 적용되는 물리적 또는 소프트웨어적인 개인화 동작으로, 상기 시리즈의 상기 제품(2)을 개인화함을 특징으로 하는 계수 장치.
25. 제23항에 있어서,

    상기 프로세싱 시스템은

    상기 프로세싱 장치에 의해 전송된 정보에 의해 상기 분리 요소(1)를 구분하고,

    새로운 시리즈를 처리하기 전에 상기 분리 요소(1)를 배출하며,

    그들의 재사용을 위해 저장함을 특징으로 하는 계수 장치.
26. 제21항에 있어서,

    상기 스택(5)이 여러 타입의 분리 요소로 형성됨으로써,

    각 타입의 분리 요소는 상기 분리 요소가 삽입된 것들 사이에서 두개의 시리즈중 하나를 식별하도록 선택됨을 특징으로 하는 계수 장치.
27. 제21항에 있어서,

    디지털 개인화 스테이션, 집적회로를 포함하는 얇은 제품(1,2)의 시리즈의 처리는

    제품의 계획된 사용을 위한 개인화 정보의, 집적 회로의 메모리에서, 저장이 허용됨을 특징으로 하는 계수 장치.

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