KR20080078067A

KR20080078067A - 저온 플라즈마 소결 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20080078067A
Application number: KR1020087017252A
Authority: KR
Inventors: 마이클 제이. 렌
Original assignee: 옵토멕 디자인 컴퍼니
Priority date: 2005-12-15
Filing date: 2006-12-15
Publication date: 2008-08-26
Also published as: WO2007070868A2; WO2007070868A3; EP1979101A4; US20070154634A1; EP1979101A2; EP1979101B1; KR101444388B1

Abstract

바람직하게는 플라즈마를 사용하여 인쇄 가능한 도전성 잉크를 저온에서 소결하는 장치 및 방법이다. 잉크는 임의의 적층 기법을 사용하여 기판 위에 적층될 수 있고, 전자기기, 생물학 기기 및 저온 기판을 포함하지만 이에 한정되지는 않는 소재를 포함하는 소재 위에서 처리될 수 있다. 잉크는 바람직하게는 유기질 비도전성 재료로 피복된 금속성 나노입자를 포함한다. 플라즈마는 유기질 소재를 제거하고 금속성 입자들의 소결을 촉진하여 기판을 고온에 노출하지 않고서도 연속적인 적층물을 형성하게 한다.

저온 플라즈마 소결, 도전성 잉크, 비도전성 유기질 소재

Description

저온 플라즈마 소결 장치 및 방법{METHOD AND APPARATUS FOR LOW-TEMPERATURE PLASMA SINTERING}

본 출원은 2005년 12월 15일에 출원된 미국 가출원 시리얼 제60/751,148호, 제목 "냉간 소결^TM 공정"과, 2006년 1월 27일에 출원된 미국 가출원 시리얼 제60/763,068호, 제목 "냉간 소결^TM 공정"에 기초한 것으로, 상기 명세서들은 참고문헌으로서 본 명세서에 통합되어 있다.

본 발명은 일반적으로 플라즈마 소결 분야에 관한 것이다.

아래의 논의는 많은 간행물과 참고문헌들을 참고하고 있다. 본 명세서의 상기 간행물들에 대한 논의는 과학적 원리의 배경을 보다 완벽하게 하기 위한 것으로서, 상기 간행물들이 본 발명의 특허가능성을 결정하기 위한 목적으로 인정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.

플라즈마는 중성 원자 및 분자종과 함께 이온 및 전자들로 구성된 부분적으로 이온화된 가스이다. 플라즈마는 커패시터 판들 사이에 고주파 발진 전압을 인가하거나 또는 가스 내에 전류를 구동하기 위한 자기 유도를 통해 생성될 수 있다. RF장(RF field)은 전자의 고에너지를 가속화하여 이들 입자들이 주위 가스에 존재 하는 중성 원자 및 분자들과 충돌하도록 한다. 충돌에 의해 다양한 부산물들이 생성된다. 분자들은 여기 상태의 원자, 분자 및 이온화된 종으로 분리되고, 원자들은 더 높은 여기 상태로 들뜨거나 이온화될 수 있다. 이들 중성 및 이온화된 종들은 매우 반응성이 높고, 표면 및 다른 가스종과 화학적으로 반응할 수 있다. 플라즈마 가스가 전체적으로 주위 온도(ambient temperature) 근방에 있지만, 전자 가스 온도는 일반적으로 10⁴ K 근방이다. 결과적으로, 플라즈마 가스는 표면 및 다른 분자종들과 물리적으로나 화학적으로 반응할 수 있으며, 고온 효과를 낳지만, 표면에 전달되는 열에너지는 상대적으로 작다. 플라즈마 내에서 재결합하거나 이완되는 반응종들은 종종 특성 가시 글로우(characteristic visible glow)를 방사한다. 플라즈마 전자 밀도는 일반적으로 대략 10¹¹ ㎝^-3이다.

플라즈마-기반 소재 공정 및 표면 처리는 공지되어 있는데, 특히 반도체 및 전자기기 산업에 주지되어 있다. 전자기기에서 플라즈마는 표면으로부터 불순물 또는 산화물을 세척하거나 또는 물리적으로 표면을 에칭하는 데에 일반적으로 사용된다. IC 패키징에서, 플라즈마 세정은 본딩, 봉지, 및 다이를 부착하기 전에 표면을 세척하고 활성화하는 데에 사용된다. 플라즈마는 또한 공정 가스의 중합을 통해 재료를 형성하는 필름 증착을 조장하는 데에도 사용된다. 플라즈마는 또한 고분자 표면을 교차-결합(cross-link)하여 소재에 내마멸성과 내화학성을 부여하는 데에도 사용된다. 응용되는 분야에 따라 플라즈마 처리에 다양한 가스들이 사용된다. 플라즈마 처리 가스들은 환원성, 불활성 및 산화성 가스들을 포함할 수 있다. 일례로, 공기, Ar, N₂, H₂, O₂, CO, NH₃ 및 다른 가스들을 포함할 수 있다. 플라즈마 공정은 일반적으로 0.01~1 Torr의 진공 챔버에서 수행되지만, 주위 압력과 주위 온도 및 고온과 고압 조건에서도 플라즈마 공정이 가능한 장치들이 개발되고 있다.

플라즈마 내의 이온화된 입자 및 자유 라디칼들은 플라즈마와 접촉되는 표면과 반응한다. 표면 반응은 물리적, 화학적 또는 물리적 반응과 화학적 반응의 조합일 수 있다. 고에너지 이온 및 전자들이 표면에 충돌하여 표면 원자들에게 기계적 에너지를 전달할 때에 물리적 반응이 일어난다. 그런 후에, 공정 중에 스퍼터링 또는 어브레이션(ablation)으로 알려져 있는 바와 같이, 표면 원자들이 표면으로부터 튀어 나온다. 표면 오염 층들은 약한 C-H 결합으로 이루어진 고분자를 포함할 수 있다. 일반적으로 어브레이션은 약한 공유 결합을 끊게 된다. 반복적인 사슬 절단은 분자 중량이 표면 분자들이 증발하기에 충분할 정도로 작아질 때까지 계속된다. 계속적인 어브레이션은 플라즈마 소스의 전극 구성과 표면의 방향에 따라서, 표면이 등방성 또는 이방성으로 에칭되도록 한다.

플라즈마 내의 이온 및/또는 중성 입자들이 표면 분자들 및 고분자와 반응할 때에는 화학 반응이 일어난다. 그러한 반응 중의 하나는 표면 고분자를 펌프 배출할 수 있는 고 증기압 산물로 변환시키는 반응종을 포함한다. 예를 들면, 플라즈마 애싱(plasma ashing)은 플라즈마에 의해 형성된 산소 원자들이 포토레지스트에 충돌하여 포토레지스트를 휘발성 산물로 분해하는 공정을 말한다. 휘발성 산물들은 펌핑 배출되지만, 플라즈마 애싱은 선택적이므로, 플라즈마는 실질적으로는 다른 무기질 표면 소재에는 영향을 미치지 않는다. 플라즈마 애싱에서, 이온과 중성 입자들의 혼합물은 각 종들의 하나 만에 의한 속도보다 고속으로 표면과 반응할 수 있다[디.엠. 마노스 및 디.엘. 플람 저, "플라즈마 에칭", 아카데미 프레스 1989]. 다른 유형의 화학 반응은 표면 원자 및 분자들의 환원 또는 산화를 포함할 수 있다. 예를 들면, 산소 플라즈마 가스는 은과 같은 금속 원자와 반응하여 은 산화물을 형성할 수 있다. 이와 유사하게, H₂ 같은 환원성 가스는 CuO와 같은 금속 산화물과 반응하여 산화물을 금속 Cu로 환원할 수 있다.

플라즈마 공정이 일반적으로 표면 처리에 적용되지만, 최근의 기술은 플라즈마를 사용하여 분말을 벌크 소결을 촉진하도록 개발되고 있다. 이러한 기술은 스파크 플라즈마 소결(SPS: spark plasma sintering)으로 알려져 있는데, 필드 어시스트 소결 기술(FAST: field assisted sintering technique) 또는 펄스 전류 소결(PECS: pulsed electric current sintering)으로도 불리운다. SPS의 주 특징은 펄스형 DC 전류를 흑연 다이에 직접 관통시켜서 분말상(powder bed) 내로 투입하여 분말이 다이에 의해 압축된다는 것이다. 전류 펄스는 고저항 접촉점에서 우선적으로 가열됨으로써 분말 샘플 내에 열을 발생시킨다. 가장 주목할 만한 것은 상기 방법으로 높은 가열 속도 및 냉각 속도(최대 600 K/min)이 달성될 수 있다는 것이다. 결과적으로, 분말 샘플은 내부 가열 및 외부 분말 압축 및 외부 가열의 조합에 의해 소결될 수 있다. 이는 통상적인 열간 소결 공정과는 대조적인 것으로, 수 분 내지 수 시간이 소요된다. 상기 펄스형 DC 전류 또는 필드, 분말 압축 및 외부 가열 은 SPS 공정의 필수 구성인 것으로 보여진다[예를 들어, 제이.엠. 루렌코 외 저, "비합금화된 철의 플라즈마 소결: 표면 기공율 연구", 머티리얼즈 리서치, 볼륨 7, 넘버 2, 269-275, 2004 참조].

인쇄된 전자장에서, 도전성 금속 형상(feature)은 일반적으로 잉크 형태로 인쇄된다. 잉크는 스크린 인쇄, 스텐실 인쇄, 잉크 젯팅, 닥터 블레이드, 스핀 코팅 및 스프레이 코팅을 포함하는 다양한 방법으로 도포될 수 있다. 잉크는 나노입자 또는 나노입자 현탁액, 금속-유기물 전구체 또는 유기질 매체 내의 도전성 입자 등을 포함할 수 있다. 잉크의 안정성을 유지하기 위해, 입자들은 일반적으로 입자들의 응집을 방지하는 유기 캡핑층으로 피복된다. 인쇄 제품 내에서 특정 물성을 향상시키기 위해 다른 유기질 바인더, 소결 보조물(sintering aids), 및 부착 프로모터들이 잉크에 부가될 수도 있다. 그러나, 유기질 부가물로 인해 적층된 잉크는 일반적으로 비전도성이 되어, 적층-후 열처리 또는 소결 단계를 필요로 한다.

열간 소결 단계 중에, 유기질 용매 및 유기 캡핑 화합물은 분해되어서 적층물로부터 휘발성 물질로 배출된다. 유기물들은 주로 단열성이기 때문에, 유기질 부가물들이 제거됨에 따라, 적층된 소재의 도전성이 증가한다. 열처리는 또한 소결 및 용융 공정을 통해 입자들이 합체되게 한다. 입자들이 합체함에 따라, 느슨한 분말상인 적층된 잉크들이 기계적으로 연성이면서 도전성 있는 금속으로 변환된다. 또한, 열처리는 일반적으로 잉크가 표면에 견고하게 부착되도록 하기 위해 잉크 내의 부착 프로모터를 활성화 시키는 데에 필수적이다. 열처리는 일반적으로 150 ℃ 또는 그 이상의 온도에서 1 시간 이하로 수행된다.

예를 들면, 적당한 캐리어 내에 무기질 나노입자로 구성된 나노페이스트를 사용하여 전자 부품을 제조하는 방법이 미국 특허 제6,921,626호에 개시되어 있다. 상기 방법은 잉크-젯 적층법을 사용하여 나노페이스트를 패턴 적층물로 적층할 수 있다. 나노페이스트는 주위 건조, 가열 또는 복사 경화 처리되어 전기적으로 도전성인 패턴을 형성한다. 적층된 패턴을 100 ℃ 내지 200 ℃ 사이로 가열하면 실질적으로 도전성이 증가한다. 이와 유사하게, 기판 표면 위에 전기적으로 도전성인 네트워크를 생성하는 방법이 미국 특허 출원 제20050238804호에 개시되어 있다. 상기 방법은 액상 캐리어 내에 분산되어 있는 나노입자를 포함하는 에멀젼을 제공하는 단계를 포함한다. 에멀젼을 건조시켜 액상 캐리어가 제거되며, 기판 위에는 전기적으로 도전성인 네크워크 형태의 나노입자들이 남게 된다. 그러나, 상기 방법에서 도전성을 향상시키기 위해서는 약 300 ℃ 온도에서 나노입자들을 추가로 소결해야 한다. 그러한 단계는 상기 방법에 사용될 수 있는 기판을 유리 기판, 강직한 고분자 기판, 가요성 고분자 기판 및 이들의 조합으로 기판의 종류를 제한하게 된다.

고밀도 회로 인쇄용 저온 소결 도전성 페이스트를 사용하는 방법을 포함하는 소결 페이스트를 위한 다른 방법이 미국 특허 출원 제20040004209호에 개시되어 있다. 상기 방법은 평균 직경이 0.5 내지 20 마이크론인 금속 필러 입자와 조합하여 사용하는 직경이 1 내지 100 nm인 초미세 금속 입자 페이스트를 개시하고 있다. 입자들은 열-경화성 수지 내에 균일하게 분산되어 있으며, 스크린 인쇄, 디스펜스 인쇄 또는 잉크-젯 인쇄법을 사용하여 적층될 수 있다. 또한 미국 특허 출원 제20040185388호에는 인쇄 회로 보드의 제작을 위한 잉크를 개시하고 있다. 상기 잉 크는 에너지 방사에 의해 금속으로 환원되는 미세한 금속 산화물 또는 수산화물 입자들의 분산액을 포함하고 있다. 상기 잉크는 잉크-젯 또는 유동 디스펜스 기기에 의해 적층된다. 적층물에 레이저, 전자 또는 이온 빔을 조사하여 도전성 형상이 제작될 수 있다.

전자기기 제조업체들에게 관심이 되고 있는 다양한 기판 소재는 100 ℃ 근방의 문턱에서 손상되며, 일반적으로 도전성 잉크를 생성하는 데에 필요로 하는 온도와 시간을 견디지 못한다. 그러한 기판으로는 PET, 폴리카보네이트, PMMA, 폴리에틸렌, 에폭시 및 IC 칩을 포함한다. 저온 소결 공정은 이들 기판 위에 전자회로를 인쇄하는 데에 매우 유리하다. 또한, 생산 레벨의 규모에서 볼 때, 소결 시간을 최소화하고, 잉크/기판 부착성을 향상시키는 것이 바람직하다.

본 발명은 도전성 입자들을 소결하는 방법으로서, 상기 방법은 적어도 부분적으로 비도전성 재료로 피복되어 있는 전기적으로 도전성인 재료를 포함하는 입자들을 기판 위에 적층하는 단계와; 상기 입자들을 플라즈마에 노출시키고, 상기 비도전성 재료의 적어도 대부분을 제거하는 단계와; 다수의 도전성 입자들을 소결하여 적층물을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 기판의 온도는 바람직하게는 대략 100 ℃를 초과하지 않으며, 더욱 바람직하게는 대략 주위 온도를 초과하지 않는다. 적층물은 바람직하게는 잉크를 포함하고, 입자들은 바람직하게는 금속성이고 및/또는 바람직하게는 나노입자들을 포함한다. 노출 단계는 바람직하게는 하나 또는 그 이상의 공정 가스의 사용을 포함한다. 옵션으로 공정 가스 중 적어도 하나는 산화성 공정 가스인데, 이 경우에 본 방법은 선택적으로 적층물 산화 단계를 추가로 포함하여 적층물의 저항 및/또는 고유저항을 증가시킬 수 있다.

노출 단계는 바람직하게는 대략 0.1 mTorr 내지 2000 mTorr 사이의 압력에서 수행된다. 상기 노출 단계는 선택적으로 플라즈마 내에서 기판을 대전된 입자들로부터 차폐시키는 단계를 포함할 수 있다. 적층물은 바람직하게는 EMI 차폐물, 상호연결부, 도전성 리페어(repair), 전극, 센서, 저항기 및 도전성 필름을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 구조물을 형성한다. 선택적으로는, 적층 단계와 노출 단계가 동시에 수행되며, 그러한 경우, 적층물은 3차원 구조물을 포함한다. 적층 단계는 선택적으로 절연 가스(sheath gas)를 사용하는 에어로졸 입자 유동의 공기역학적 포커싱을 사용하여 수행되며, 절연 가스는 선택적으로는 플라즈마를 포함한다.

적층물의 저항(resistivity)은 바람직하게는 전기적으로 도전성 재료의 벌크 저항보다 대략 4배 낮고, 더욱 바람직하게는 적층물의 저항이 전기적으로 도전성인 재료의 벌크 저항보다 대략 3배 낮다. 상기 방법은 선택적으로 적층물의 가열 단계를 추가로 포함하며, 그러한 경우 적층물의 저항은 바람직하게는 전기적으로 도전성인 재료의 벌크 저항보다 대략 2배 또는 그 보다 더 낮다.

본 발명은 또한 도전성 입자들을 소결하는 방법으로서, 상기 방법은 적어도 부분적으로 비도전성 재료로 피복되어 있는 전기적으로 도전성인 재료를 포함하는 입자들의 에어로졸 유동을 기판을 향해 추진하는(propelling) 단계와; 절연 가스를 사용하여 상기 유동을 공기역학적으로 포커싱하는 단계와; 상기 입자들을 기판 위에 적층하는 단계와; 상기 입자들을 플라즈마에 노출시키는 단계와; 상기 비도전성 재료의 적어도 대부분을 제거하는 단계와; 다수의 도전성 입자들을 소결하여 적층물을 형성하는 단계를 포함한다. 절연 가스는 선택적으로 플라즈마를 포함한다. 추진 단계 및 노출 단계는 선택적으로 동시에 수행되며, 그러한 경우, 적층물은 선택적으로 3차원 구조물을 포함한다. 노출 단계는 선택적으로 적층 단계 후에 수행된다.

본 발명의 목적, 이점, 신규한 기술적 특징 및 본 발명이 적용될 수 있는 추가적인 범위를 첨부하는 도면과 연계하여 이하에서 상세하게 설명할 것이다. 이하를 기재를 참고로 하면 본 발명이 당업자에게 분명하게 이해될 것이고, 본 발명의 실시에 의해 학습될 것이다. 첨부된 청구범위에 게시된 사항과 실시예의 수단들을 조합하면, 본 발명의 목적 및 이점들이 현실화되고 얻어진다.

본 명세서에 통합되어 있으며 본 명세서의 일부를 구성하는 첨부된 도면들은 본 발명의 여러 실시예들을 설명하며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명한다. 본 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 목적으로만 사용되어야 하며, 본 발명을 한정하는 방식으로 해석되어서는 안된다.

도 1a는 입자들을 절연하는 유기 캡핑층(organic capping layer)을 포함하여 적층되어서, 적층물 전체가 비전도성을 나타내는 금속 나노 입자들의 단면도이다.

도 1b는 플라즈마 이온들이 유기 캡핑층 위에 충돌하여 소규모 휘발성 서브그룹으로 파쇄하여, 휘발성 유기물이 증발하여 진공 펌프에 의해 제거됨으로서 서브그룹들이 가스 입자로 증발되도록 하는 것을 보여주는 단면도이다.

도 1c는 유기물들이 제거된 후에 입자-입자가 접촉되어 도전성 구조를 형성하는 금속 나노 입자들의 단면도이다.

도 1d는 저온에서 연속적이고 기계적으로 연결되어 있는 금속 필름을 형성하는 고반응성 나노 입자들의 소결을 설명하는 단면도이다.

도 2는 냉간 소결^TM 장치의 일 실시예의 개략도이다.

도 3은 100 ℃의 PET 기판 위에 적층된 은 나노입자 잉크의 저항 감소를 나타내는 그래프이다. 플라즈마에 10분간 노출된 후에 저항이 한 자리(order) 이상 급감함을 보여주며, 또한 상기 그래프는 샘플이 냉간 소결^TM 공정 후에 열에 노출된 후에 저항이 추가로 감소되는 것을 보여주는데, 이러한 개선은 제1 단계에서 냉간 소결^TM 공정의 사용에 의한 비약적인 개선에 비하면 매우 작은 것이어서, 일부 분야에 적용하기 위해서는 추가로 가열되어서는 안 된다.

도 4는 실온(냉간 소결^TM 공정)에 후속하여 250 ℃에서 30분간 오븐 경화에 의해 달성될 수 있는 저항의 감소를 보여주는 그래프로서, 약 25% 정도 저항이 향상(감소)된다.

도 5는 각종 공정 가스들이 은 잉크의 소결 속도에 미치는 영향을 보여주는 비교 그래프이다.

본 발명을 실시하기 위한 최적의 모드

본 발명은, 바람직하게는 플라즈마를 사용하여 인쇄 가능한 잉크를 저온 소결하는 방법을 개시한다. 상기 잉크는 임의의 적층 기법에 의해 적층될 수 있으며, 전자적, 생물학적 및 저온 기판을 포함하지만 이에 한정되지는 않는 재료들 위에서 처리되도록 응용될 수 있다.

본 발명은 플라즈마 가스를 사용하여 다양한 기판 위에서 잉크의 물성을 물리적 및 화학적으로 개조하는 방법을 개시하되, 열-민감성 기판 위의 금속 나노입자 잉크의 소결에 중점을 두는 방법을 개시한다. 특정 공정은 플라즈마를 사용하여 실온에서 금속 나노입자 잉크를 소결하는 것이 바람직하다. 상기 방법은 금속 잉크의 저항이 그에 상응하는 벌크형 금속에 근접하게 하지만, 실온 근방의 공정 온도에서는 그러하지 아니하다. 이러한 공정은 냉간 소결^TM 이라 불리운다. 이는 통상의 대기압 조건 하에서 또는 감압된 조건 하에서 수행될 수도 있다. 플라즈마 공정 가스는 잉크에 따라 다양한 소스들을 포함할 수 있지만, 일반적인 공정 가스들은 주위 공기와 N₂, O₂, H₂ 및 Ar의 조합을 포함하는 것이 효과적인 것으로 판명되었다. 잉크 샘플들은 실온 또는 실온 이하에서 유지되거나, 또는 소결 속도를 향상시키기 위해 상승된 온도에서 유지될 수도 있다.

본 발명은, 적층물이 전기적으로 도전성이 있고, 기계적으로는 연성이 있으며, 기판 표면에 부착되도록 하기 위해 바람직하게는 플라즈마가 잉크 적층물에 가해지는 저온 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 플라즈마 내에 생성되는 다른 종류의 원자들과 준안정 상태의 원자들의 반응성이 높다. 이들 종(species)들은 잉크 내의 바인더와 유기 코팅층과 반응하여 그것들을 작게 하고, 더욱 휘발성 있는 분자들로 하여 증발시켜서 금속 입자들만 남기게 하는 것이 바람직하다. 남아 있는 금속 입자들의 도전성은 매우 높아서, 플라즈마 공정은 주위 온도에서 고전도성 적층물을 생성하게 된다.

바람직하게는 본 발명의 플라즈마 공정이 또한 금속 입자들의 융합(coalescence) 및 소결을 유발한다. 바람직하게는 플라즈마가 금속 입자 표면으로부터 고분자 코팅층을 박리한다. 일반적으로 세척된 각 나노입자들의 표면 에너지는 매우 높아서, 결과적으로 입자들을 표면 에너지가 낮은 상태로 구동하도록 하는 높은 열역학적 포텐셜이 존재한다. 입자는 서로 인접하는 입자들과 결합함으로써 표면 에너지를 낮출 수 있다. 이러한 반응은 일반적으로 입자들 사이에 네크(neck) 영역을 형성하는 표면 원자들의 확산에 의해 초기에 일어난다. 네크에 의해 연결된 입자들은 연결되어 있지 않은 입자들보다 작은 표면적을 가지고 있으며, 이러한 네크는 도전성 및 연성 가교를 형성하게 된다. 입자들이 계속해서 네크 영역을 형성함에 따라, 총 표면적이 감소되어서 표면 에너지가 감소된다. 나노입자들의 표면 에너지가 일반적으로는 매우 높기 때문에, 이것이 나노입자들을 소결하는 주요 열역학적 구동 기구로서, 저온에서도 소결 된다. 금속 잉크의 저항 감소를 관찰하고, 분말의 연성 금속으로의 변환에 의해 나노입자 소결이 실험적으로 관찰된다. 우수한 연성은 입자들이 기계적으로 연결되어 있고, 이에 따라 소결되어 있다는 것을 암시한다. 마이크론 크기의 입자들 사이의 한정된 소결은 전도성과 연성의 증가에 의한 증거로서 관측된다. 이 경우에 있어, 소결은 입자-입자의 접촉점 근방 에서 매우 소량 정도로만 한정되는 경향이 있다. 이들 접촉점들은 표면 에너지 구배를 가지고 있어서 결과적으로 입자들 사이의 네킹 형성에 의해 소결이 진행되며, 이는 총 표면 에너지를 급격하게 감소시키게 된다.

입자들이 네크 형성에 의해 융합됨에 따라, 총 표면 에너지는 감소되고, 공정을 구동하는 열역학적 포텐셜이 감소된다. 소결 구동이 계속되어서 치밀화되고, 일반적으로는 부가의 에너지가 공급되어야 한다. 부가 에너지는 오븐 내에서의 가열 또는 레이저에 의한 가열에 의해 공급될 수 있으며, 또는 높은 가스 압력에서 플라즈마가 실질적으로 가열되는 경향이 있기 때문에, 플라즈마 자체에 의해 공급될 수도 있다. 플라즈마 가스는 충돌 반응을 통해 기판에 열을 전달할 수 있다. 부가 열은 또한, 입자 접합부에서 열간 소결을 추가로 조장하는 저항 가열(ohmic heating)을 야기하는 전류의 인가에 의해 공급될 수도 있다. 전류는 다양한 방식으로 공급될 수 있지만, 플라즈마를 생성하기 위해 사용된 장치 내에 이미 존재하는 유도 자기장에 의해 공급되는 것이 가장 간편하다. 입자들의 소결 또는 치밀화를 완성하기 위해서는 100 ℃ 보다 충분히 높게 가열되어야 하지만, 플라즈마 자체에 의한 입자 소결은 일반적으로 고전도성 및 고연성 재료를 생성하는 데에 충분하다. 입자들이 클수록 입자들을 완전하게 소결하는 데에는 가열을 많이 하여야 할 수도 있다.

냉간 소결^TM 공정이 도 1a 내지 도 1d에 도시되어 있다. 도 1a에 도시한 바와 같이, 금속 나노입자 잉크가 적층되어서 치밀하게 패킹된 분말상(powder bed)을 형성하고 있다. 바람직하게는 금속 나노입자(10)는 일반적으로 안정적인 잉크 현탁액을 제조하는 데에 필수적인 유기 캡핑층(12)을 포함하고 있다. 유기 캡핑제가 없는 경우에는, 금속 나노입자 현탁액은 불안정해서 응집되는 경향이 있다. 결과적으로, 첨가되는 유기 화합물은 일반적으로는 잉크의 필수 성분이 된다. 그러나, 유기 캡핑층(12)은 일반적으로 단열성이어서 적층된 바로 직후에 잉크는 비전도성이 된다. 도 1b는 플라즈마 가스가 적층된 잉크와 반응하여 유기제(organic agent)를 좀 더 작으면서 더욱 휘발성인 분자로 분쇄한다. 이들 분자들은 CO, CO₂ 및/또는 H₂O를 포함할 수 있다. 플라즈마 이온(14)과 중성종(neutral species)은 바람직하게는 유기물 내에서 약한 탄소-수소 결합과 우선적으로 반응한다. 다른 유기 결합들은 좀 더 강해서 분쇄하기가 좀 더 어렵다. 결과적으로, 유기물의 긴 고분자 사슬들은 일반적으로 C-H 결합에서 쪼개져서 작은 분자(16)가 생성된다. 플라즈마는 금속과 상대적으로 약하게 반응하여, 분리되는 유기물에 비해 매우 작은 양의 에칭이 일어난다. 결과적으로, 상기 공정은 선택적으로 유기물을 분리해내고, 순수 금속 분말상을 남기게 된다.

도 1c는 유기질 소분자(16)가 제거됨에 따라 금속 나노입자(10)가 물리적으로 접촉을 하게 되어서 분말상이 도전성으로 되는 것을 도시하고 있다. 도 1d는 표면 에너지의 감소로 인해 나노입자(10)들이 소결되는 것을 보여주고 있다. 상기 소결은 실온에서도 일어난다. 소결된 분말은 소결되지 않은 분말상에 비해 기계적 연성과 전기 도전성이 우수하다.

잉크를 소결시키는 외에도, 플라즈마 공정은 바람직하게는 잉크의 기판 표면에의 부착성을 향상시킨다. 플라즈마 세정 공정과 표면 활성화는 전자 산업에서는 이미 널리 알려져 있다. 이들 중에서도, 플라즈마는 약한 표면 그룹을 분리하여서 분리된 그룹을 공정 가스의 화학 그룹으로 대체할 수 있다. 또한, 고유의 표면 세정과 산화물 및 유기물의 제거는 금속 잉크와 그 아래의 금속 표면 간의 접촉 저항을 감소시킬 수 있다. 본 발명의 냉간 소결^TM 공정은 바람직하게는 잉크 내에서 1) 저온에서의 소결, 2) 부착성과 젖음성의 개선, 및 3) 금속에 대한 접촉 저항의 감소와 같은 하나 또는 둘 또는 세 가지의 매우 중요한 기여를 하게 된다.

냉간 소결^TM 공정이 매우 낮은 주위 플라즈마 압력( ~ 1 mTorr)에서도 일어날 수 있지만, 각종 공정 가스를 부가하여 소결 속도를 크게 향상시키고 최적화할 수 있다. 고압의 가스 압력에 의한 한 가지 효과는, 전술한 바와 같이 플라즈마 가스가 점점 가열된다는 것이다. 가열된 플라즈마는 잉크에 에너지를 전달하여 소결 속도를 증가시키게 된다. 가스 압력이 높을수록 이온과 존재하는 중성 반응물들의 수가 증가하여 반응 및 소결 속도가 증가하게 된다. 특정 종류의 공정 가스는 또한 소결 속도에 매우 큰 영향을 미친다. 불활성, 환원성 및 산화성 가스들이 사용된다.

일반적으로 불활성 및 환원성 가스를 사용할 때의 소결 속도는 대략 동일하지만, 일반적으로 산화성 가스를 사용하면 도 5에 도시한 바와 같이 소결 속도가 급격하게 높게 된다. 불활성 가스인 N₂를 사용하여 대략 10분에 소결되는 샘플이, O₂와 같은 산화성 가스를 사용하게 되면 30초 이내에 소결된다. 그러나, 샘플들이 O₂ 내에서 장시간 동안 처리되면, 은 금속이 변색되고, 잉크 저항이 증가하기 시작한다. 이는 은 산화물의 형성에 기인하는 것으로 생각된다. 이들 금속 산화는 저온에서 금속을 치밀하게 적층하고자 하는 목적에는 반하는 것이지만, 상기 공정은 다른 응용 분야에서는 유리하게 작용할 수도 있다. 산화물의 형성은 잉크 샘플의 적은 가열 또는 H₂와 같은 환원성 공정 가스의 투입에 의해 반전될 수도 있음을 인지해야 한다. 전반적으로, 가장 효과적인 공정 가스로 평가되는 것은 O₂와 N₂ 가스의 혼합물이지만, 다른 조합도 또한 효과적일 수 있다. 플라즈마 처리 문헌들은 Ar, N₂, O₂, CO, He, H₂, NH₃, SF₆ 및 CF₄를 포함하여 각종 가스들을 언급하고 있다.

본 발명의 냉간 소결^TM 장치의 일 실시예가 도 2에 도시되어 있다. 상기 장치는, 바람직하게는 대략 0.1 mTorr 내지 대략 2000 mTorr 사이의 진공 상태인 금속 또는 유리 챔버(18)를 포함하는 것이 바람직하다. 플라즈마는 RF 유도 코일(20)에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 플라즈마를 생성하는 데에 있어서 다른 방법들도 사용될 수 있는데, 대전된 커패시터 플레이트, 점원(point source), 레이저, 또는 고압 정전기 발생기 등을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 유도 코일(20)은 챔버의 안쪽 또는 바깥쪽 중 어느 한 쪽에 배치될 수 있다. 상기 코일은 13 ㎒의 시그널 주파수 및 10 와트의 입력 전력에서 동작하는 것이 바람직하지만, 다른 주파수 및 전력이 사용될 수도 있다. 일반적으로 압력이 높을수록 소결 속도 가 높아지지만, 전력이 높아질수록 일반적으로 고압에서 플라즈마가 형성될 것이 요구된다. 소결될 샘플(24)은 챔버(18) 내의 임의의 장소에 놓여질 수 있지만, 바람직하게는 챔버(18)의 중앙부 근방에 위치하고 있는 샘플 홀더(22) 위에 놓여지는 것이 바람직하다. 샘플 홀더(22)는 실온에서 유지될 수 있으며, 선택적으로는 소결 속도를 증가시키기 위해 가열될 수도 있다. 챔버(18)는 바람직하게는 진공 펌프에 연결되어 있는 인출구와 공정 가스가 챔버 내로 투입되도록 하는 인입구를 포함하는 것이 바람직하다.

플라즈마 내의 반응종(reactive species)은 중성종을 포함하는 것으로 여겨지기 때문에, 샘플은 대전된 입자들로부터 차단된 영역에 놓여질 수도 있다. 이것은 IC 칩과 같은 전하 축적(charge buildup)에 민감한 기판 위에서 잉크를 소결하는 데에 유리하다. 기판을 차폐하는 간단한 방법은 기판을 와이어 메쉬 케이지 같은 패러데이 상자(Faraday cage)로 둘러싸는 것이다. 패러데이 상자는 대전된 입자들의 대부분 또는 실질적으로는 그 전부를 차단하지만, 중성입자는 통과시킨다. 선택적으로는, 기판은 플라즈마 소스로부터 분리되어 있는 영역에 놓여질 수도 있다. 장입 가스의 유동에 의해 플라즈마가 공정 영역으로 이송될 수 있다. 플라즈마 내의 대전종(charged species)은 중성종에 비해 매우 급격하게 재결합하는 것으로 알려져 있다. 상기 시스템은, 기판이 플라즈마의 하류에 위치해서 기판과 반응하기 전에 모든 대전종들이 중성화되도록 구성될 수도 있다.

응용 분야

본 발명은 일반적으로 바람직하게는 플라스틱, 열 민감성 IC 칩 및 생명공학 기기를 포함하지만, 이에 한정되지는 않는 온도 민감성 기판 위에서 금속 잉크를 소결하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

EMI 차폐 및 투명 전도성 코팅

플라즈마 TV와 컴퓨터 디스플레이와 같은 최근의 플라즈마 디스플레이 장치는 그 장치로부터 방사되는 전자기파가 사용자로부터 차폐될 것이 요구되고 있다. 이와 유사하게, 전자레인지와 같은 많은 극초단파 장치들도 그 장치 내에서 극초단파 장을 포함하도록 차폐될 것이 요구되고 있다. 또한, 가요성 EMI 차폐물이 민감한 전자 패키지를 주위 전자기장으로부터 보호하는 데에 공통적으로 사용되고 있다. 이들 차폐물은 일반적으로 투명 전도성 코팅이 되어 있는 유리 또는 플라스틱 필름을 포함하고 있다. 상기 차폐물은 또한 지지 기판 위에 전도성 와이어 메쉬 또는 미세 그리드를 포함할 수도 있다. 이들 차폐물의 목적은 상기 장치로부터 방사되는 전자기장을 흡수하거나 또는 상기 장치를 보호하기 위해 전자기장을 반사하는 것이다. 투명 EMI 차폐물에 있어서, 전도성 와이어의 직경은 일반적으로 매우 작아서(~10 마이크론) 와이어의 광학 단면은 매우 작고, 실질적으로 투명하다.

EMI 차폐물은 특히 미세가공 및 진공 스퍼터링 기법이 채용되는 경우에는 고가일 수 있다. 결과적으로, 제작자들은 값싼 플라스틱 기판 위에 값싼 전도성 잉크를 인쇄할 수 있는 가능성을 탐구하고 있다. 잉크-젯팅, 스크린 인쇄, 스핀 코팅, 스프레이 적층 등과 같은 잉크를 인쇄하는 많은 인쇄 기법들이 사용될 수 있다. 이와 유사하게, 잉크 및 표면 화학은 잉크 필름이 와이어 및 그리드 패턴 내에 자체-조립되도록 개발되고 있다. 그러나, 현행 제조 방법에서의 주요 한계는 잉크 소결 시에 플라스틱 위에 고품질의 전기 성능이 달성된다는 것이다. 냉간 소결^TM 발명은 플라스틱 위에 우수한 부착성을 가지면서 고품질의 전도성 필름을 생성하는 수단을 제공한다. 냉간 소결^TM 공정은 잉크가 인쇄된 후에 수행되기 때문에, 잉크를 인쇄하는 특정 방법에 의존하지 않는다.

상호연결부(interconnection)

실제로 모든 전자기기들 및 패키지는 각종 전자 부품과 전기적으로 연결되기 위한 일정한 형태의 전기적 상호연결부를 필요로 한다. 좀 더 상세하게는, IC 칩을 회로 보드에 전기적으로 연결하는 데에 널리 사용되고 있는 방법은 와이어 본딩이다. 그러나, 와이어 본딩의 한 가지 단점은 와이어 루프를 포함하고 있는 보드와 칩 간의 접속부가 일반적으로 초음파적으로 칩 I/O와 보드 본드 패드에 용접된다는 것이다. 상기 루프는 기계적으로 취약하여, 고주파수에서 동작할 때에 방사성 손실 및 시그널 지체의 원천이 된다.

향상된 상호연결부가 되도록 하는 하나의 방안은, 칩 I/O와 보드 본드 패드 사이에 잉크 연결부가 인쇄되는, 제로 프로파일을 인쇄하는 것이다. 이러한 방식으로 연결부를 인쇄하는 데에는, 잉크-젯팅, M³D^ⓡ 에어로졸 젯팅 및 스크린 인쇄를 포함하는 많은 인쇄 기법들이 사용될 수 있다. 이들 방안들의 한계는 잉크를 소결하는 데에 있다. 잉크를 소결하기 위해 샘플을 가열할 때에, 보드와 칩 간의 서로 다른 팽창은 연결부가 파손되게 한다. 또한, 칩, 보드 및 본딩 재료는 일반적으로 ~200℃의 소결 온도에서 오랜 기간에 걸쳐 수행되는 소결을 견디지 못한다. 냉간 소결^TM 공정은 본질적으로 실온에서 이루어지기 때문에, 균열 및 재료의 열화를 야기하는 열이 제거될 수 있다.

리페어( repair )

현재 평판 디스플레이(flat panel display)는 리소그래피 공정으로 대형 유리 패널 위에 제작되는데, 매우 고가이다. 깨진 트레이스와 같은 어떠한 흠집이 있으면 패널 전부가 불량으로 된다. 결과적으로, 적층물과 소결된 금속 및 유전체 잉크에 대한 흠집을 수정하는 리페어 공정이 필요로 하게 된다.

패널은 매우 대형이기 때문에, 인쇄된 잉크를 소결하기 위해 기판 전체를 가열하는 것은 실용적이지 못하다. 레이저 및 광학 소결과 같은 국부적 가열 공정이 개발되고 있지만, 요구되는 부착성 및 전기 전도성 사양이 아직까지는 달성되지 못하고 있다. 주위 조건에서 잉크 적층물을 국부적으로 소결하는 데에 냉간 소결^TM 공정이 사용될 수 있다. 소결용 챔버를 사용하는 대신에, 주위 압력에서 동작할 수 있는 소형 플라즈마 소스가 리페어 영역 위에 놓여질 수 있다. 그런 다음, 수 초 동안에 적층물 및 소결물에 대해 리페어가 이루어진다.

생의학 장치(biomedical device)

생의학 장치는 예를 들어 이식 장치, 센서, 처치 및 분석 툴, 및 카테터와 같은 광범위한 영역의 장치들을 포함하고 있다. 이들 장치들은 다양한 플라스틱, 성형가능한 수지, 에폭시, 구조성 금속, 및 전통적인 전자기기로부터 제작될 수 있다. 냉간 소결^TM 공정은 전자적 특성을 이들 부품 위에 또는 이들 부품 내에 이식하 는 방법을 제공한다. 상기 공정은 실온 근방에서 수행되고, 기판 재료와는 독립되어 있기 때문에, 냉간 소결^TM 공정은 다양한 종류의 장치 위에서 금속 잉크를 소결하는 데에 사용될 수 있다. 이는 복잡한 형상 및 복잡한 재료의 조성을 갖는 장치 위에서 다양한 센서, 전극 및 상호연결부를 인쇄할 수 있도록 한다.

유기 전자기기(plastic electronics)

새로 떠오르고 있는 유기 전자기기 분야는 대형의 가요성 기판 위에 전자적 특성과 같은 IC를 인쇄하는 방안을 모색하고 있다. 제조 비용이 매우 중요하고, 현재의 비용은 스퍼터링과 포토리소그래피 같은 전통적 박막 제조 방법에 의해 좌우된다. 냉간 소결^TM이 기여할 수 있는 하나의 특정 영역은 플라스틱 필름 위에 고전도성 트레이스와 전극을 제조하는 것이다. PET와 폴리카보네이트와 같은 플라스틱 필름은 열적으로 손상되기 쉽기 때문에, 하부의 필름에 손상을 주지 않으면서 우수한 전기 전도성을 부여하는 금속 잉크를 소결하는 것은 어렵다. 차라리, 유기 전자기기 제조업자들은 일반적으로 금속 구조물을 적층하기 위해 스퍼터 공정을 사용하거나, 또는 PEDOT{폴리(3,4-에틸렌디옥시씨에펜)폴리(스틸렌설포네이트)} 같은 전도성 폴리머를 적층한다. 전도성 폴리머는 전도성 금속보다 수 오더 이상 저항이 크기 때문에 가능하다면 금속을 적층하는 것이 매우 바람직하다.

본 발명은 플라스틱 필름 위에서 순수 금속 잉크를 소결하여 매우 고 전도성이 되도록 한다. 잉크는 잉크젯, 스크린 인쇄, 스핀 코팅, 닥터 블레이딩, 스프레이 코팅, 또는 M³D^ⓡ 공정과 같은 방법으로 인쇄될 수 있다. 냉간 소결^TM 공정은 일 괄처리 공정(batch process)으로 인쇄된 잉크에 적용되거나 또는 한꺼번에 단지 소량의 구성물(feature)을 소결하도록 국부적으로 적용될 수도 있다. 상기 공정은 분산되어 있는 트랜지스터 요소들을 I/O에 연결하는 고전도성 트레이스를 생산하는 데에 유용하다. 상기 공정은 또한 인쇄된 게이트 라인을 소결하거나 드레인 및 소스 라인을 소결하는 데에도 사용될 수 있다. 상기 공정은 또한 매우 얇은 금속 잉크 코팅을 소결하여 투명 전도성 필름을 제조하는 데에도 사용될 수 있다.

내장된 저항기(embeded resistor)

내장된 수동기기의 응용의 일례는 회로 보드 위에 정밀한 저항기를 인쇄하는 것이다. 10 옴 내지 10 메가옴의 영역에서 5% 공차를 갖는 저항기 값이 일반적으로 가장 관심이 가는 영역이다. 저항기들은 탄소-충전 에폭시, 금속 및 전도성 산화물을 포함하는 각종 재료로 인쇄될 수 있다. 냉간 소결^TM 공정은 저항 요소들을 인쇄하는 다른 방안을 제시한다. 냉간 소결^TM 공정은 소결 금속 입자들이 매우 우수한 전도성 적층물이 되도록 하고, 금속을 산화시켜 비전도성으로 되게 하는 능력을 보여주고 있다. 금속에 대한 산화물의 상대적인 양은 공정 시간을 조절함으로써(예를 들면, 도 5 참조) 또는 투입되는 O₂의 농도를 조절함으로써 조절될 수 있다. 금속에 대한 산화물의 상대적인 양은 일반적으로 재료의 저항을 결정한다. 결과적으로, 냉간 소결^TM 공정으로 은 잉크 라인을 인쇄할 수 있으며, 상기 라인을 정밀한 저항값을 갖는 금속과 산화물의 조합으로 변환할 수 있다.

실시간 냉간 소결 ^TM

시스템에 산소를 부가하여 은의 소결 시간이 1분 이내로 감소될 수 있음이 입증되고 있다. 외부 가열, 레이저 조사, 높은 RF 전력 또는 소결 시간을 초 단위로 감소시키는 다양한 공정 가스와 같이 소결 시간을 향상시키는 다른 방법들이 예상될 수 있다. 결과적으로, 적층 중에 전술한 순차적 방법보다도 실시간으로 재료에 플라즈마를 가하는 것이 가능하다. 재료가 물리적으로 적층되는 중에 플라즈마가 가해질 수 있다면, 재료가 적층되면서 입자들이 서로 결합하게 되고, 잉크로부터 유기 성분들이 제거되어 재료들이 소결하여 연성 적층물을 형성하게 된다. 결과적으로 도전성 와이어 같은 기능성 재료들이 단일 공정 단계으로 적층될 수 있다.

플라즈마 소결 공정 및 입자 적층 공정의 동시적 적용은 M³D^ⓡ 인쇄 기술에 이상적으로 적합하다. 상기 M³D^ⓡ 공정은 에어로졸 입자 유동을 공기역학적으로 포커싱하여 입자들을 적층한다. 결과적으로, 절연 가스(sheath gas)를 플라즈마 가스를 함유하는 가스 유동으로 대체할 수 있다. 플라즈마 가스는 에어로졸 입자들과 동축으로 유동하고, 입자들이 기판 위에 적층됨에 따라 플라즈마 가스는 입자들의 부착과 소결을 촉진하게 된다. M³D^ⓡ 적층 헤드와는 독립되어 있는 가스 제트를 분리함으로써 플라즈마 가스는 적층 영역으로 지향될 수 있다. 이러한 구성에서, M³D^ⓡ 헤드는 예를 들어 입자를 적층하는 기판과 직교되게 배치될 수 있고, 플라즈마 가스는 적층물에 경사지게 지향될 수도 있다.

적층 및 소결의 동시 수행은 3차원 구조물을 적층할 수 있도록 한다. 플라즈마 가스가 입자 유동과 대략적으로 동심을 이룬다면, 입자들이 결합하고 유기 성분들이 플라즈마 소결 작용에 의해 증발된다. 특히 이러한 능력은 마이크론 규모의 포스트, 빔, 스프링, 범프 등과 같이 버팀없이 서있는(free standing) 금속 구조물들을 제조하는 데에 유용하다. 또한 치아 임플란트와 같이 복잡한 3차원적 형상을 제작할 수도 있다. MEMS 구조물과 3차원 미세 부품을 제조하는 많은 활용 분야들이 발생될 수 있다.

실시예 1

냉간 소결^TM 공정에 의한 은 잉크의 저항 감소를 보여주는 데이터가 도 3에 도시되어 있다. 사용된 장치는 해릭 플라즈마(Harric Plasma model PDC 32G)로부터 시판되는 플라즈마 챔버를 포함한다. 초기에 100 ℃로 가열된 유리 슬라이드 위에 은 잉크를 인쇄하여 샘플을 준비하였다. 상기 잉크 적층물들은 유리 위에 인쇄된 직후에는 약간의 전도성을 가지고 있고, 초기 저항은 대략 4400 옴이었다. 샘플이 외부에서 가스가 투입되지 않은 상태에서 대략 100 mTorr의 챔버 압력에서 플라즈마에 노출되었을 때에, 저항값은 약 10분 이내에 매우 급격하게 대략 280 옴까지 떨어졌다. 저항을 줄이기 위해 장시간 동안에 추가적인 냉간 소결^TM 처리를 하였지만 그 속도는 감소하였다. 샘플을 냉간 소결^TM 공정으로 30분간 처리한 후, 저항은 좀 더 약간 떨어져서 약 244 옴이 되었다. 그런 다음, 샘플을 오븐 내에서, 250 ℃ 에서 10분간 가열하였다. 이러한 열적 처리는 추가로 대략 저항을 30% 정도 감소시켜 164 옴이 되며, 또는 대략적으로 등가 벌크 은 저항의 2배로 된다. 250 ℃ 초과 온도에서 추가로 베이킹하여도 저항 값이 매우 적은 양만큼 감소될 뿐이다. 상기 연구로부터, 플라즈마 소결 방법은, 300 ℃의 고온 처리에 의해 얻을 수 있는 값의 30% 범위 내에서 잉크의 저항을 감소시킬 수 있다는 결론을 내릴 수 있다. 그러나, 플라즈마 처리는 저온에서 수행될 수 있다.

실시예 2

도 4는 초기에 샘플을 250 ℃에서 베이킹한 후에 샘플을 플라즈마에 노출시켰을 때에 저항이 개선될 수 있음을 보여주고 있다. 본 연구에서, 은 잉크는 100 ℃로 가열된 유리 슬라이드 위에 다시 인쇄된다. 3개의 잉크 샘플들은 인쇄 직후에 도전성이었는데, 그 저항값은 수 킬로옴 내지 수 메가옴의 영역에 속한다. 250 ℃에서 30분간 베이킹한 후에 모든 샘플들의 저항은 445 옴 근방까지 떨어졌다. 오븐 처리 후에, 샘플들을 10 분간 냉간 소결^TM 공정 처리한 후에, 샘플들의 저항은 25% 떨어졌다. 마지막으로, 샘플들을 다시 300 ℃의 오븐에서 10분간 방치한 후에 저항은 추가로 50% 떨어졌다. 냉간 소결^TM 공정은 상대적으로 고온 오븐 소결에 노출된 잉크의 저항을 추가로 감소시킬 수 있다고 결론내릴 수 있다. 그러나, 저항값은 가장 높은 온도(300 ℃)에서 얻어지는 저항값과 거의 같다.

상기 결과는 추가의 공정 가스를 사용하지 않고서 얻은 것이고, 플라즈마는 챔버 내에 잔류하는 가스 만에 의해서 형성된 것이다.

실시예 3

도 5는 폴리이미드 기판 위에 은 잉크 적층물을 소결함에 있어 공정 가스의 부가 효과를 보여주고 있다. "가스 무"(no gas) 곡선은 외부 가스가 도입되지 않는 경우에 해당한다(챔버 압력은 대략 100 mTorr). 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 잉크 적층물의 저항은 대략 15분 내에 점근값(asymptotic value)에 도달한다. 챔버 내에 질소 가스("N₂" 곡선)를 5.0 sccm 내지 18.5 sccm의 속도로 부가하면 소결 속도가 최대 2 단위만큼 증가함을 알 수 있다. "O₂"곡선은 시스템 내에 산소 공정 가스 도입에 의한 효과를 보여주고 있다. 1분에 14 sccm의 적은 양을 부가하여도 O₂는 소결 속도를 매우 크게 향상시킴을 알 수 있다. O₂ 가스에 장기간 노출될 때에, 잉크 저항은 증가하기 시작하고, 은 잉크 적층물 표면에 검은 막을 형성한다. 이는 유기 불순물이 세척된 후에 은 금속 위에 은 산화물의 형성에 기인하는 것으로 생각된다. 은 산화물은 비전도성이기 때문에, 은이 은 산화물로 변환됨에 따라 잉크 저항이 증가한다. 샘플을 대략 200 ℃에서 베이킹하면 은 산화물이 다시 은으로 변환될 수 있음을 인식해야 한다.

산소 가스는 강력한 효과를 주지만, 은 산화물의 형성을 야기하기 때문에, 2가지 가스의 혼합물을 도입하는 시도가 이루어지고 있다. "공기" 곡선은 주위 공기(대략 N₂:70%와 O₂:30%)를 5.0 sccm으로 시스템 내에 투입하는 것을 보여준다. 공기의 경우에 소결 속도는 대략 순수 N₂를 18.5 ccm 속도로 투입하여 달성되는 소결 속도와 거의 대등한데, 이는 공기 중의 30%의 산소 성분이 소결 속도를 강력하게 증가시키기 때문이다. 이와 마찬가지로, 5.0 sccm 속도로 공기를 투입할 때의 소결 속도는 순수 O₂를 2.5 sccm 속도로 투입할 때의 소결 속도보다도 낮다. 이는, 5 sccm 속도로 투입될 때 주위 공기 내에 함유되어 있는 산소 농도가 2.5 sccm 속도로 투입되는 순수 산소의 농도보다 낮다는 것과 일치한다. 소결 시간이 길어질수록 모든 산소-리치 공정 가스에 있어서 저항이 증가한다. 산소가 은과 은 산화물과 반응하는 경향은 소결 공정을 저해하는 것이다. 그러나, AgO의 생성을 방지하기 위해 CO 또는 H₂ 같은 환원성 가스를 도입하거나, 또는 소결 중에 샘플을 약간 가열하여 산화물이 불안정하게 하는 것도 고려할 수 있다. 금과 같은 특정 귀금속은 안정한 산화물을 형성하지 않아서 결과적으로는 그러한 귀금속이 산소-리치 환경에서 소결될 수 있다.

특정한 바람직한 실시예 및 선택적 실시예를 참조하여 본 발명을 상세하게 개시하였지만, 관련 업계의 당업자라면 첨부된 청구범위의 범위와 사상으로부터 일탈하지 않으면서 본 발명이 다양하게 변조 및 변형될 수 있으며, 다른 실시예로서 동일한 결과를 얻을 수도 있음을 이해할 것이다. 전술한 다양한 구성은 독자들에 대해 바람직하고 선택적인 실시예를 교습하기 위한 것이지, 청구범위 또는 본 발명의 한계를 획정하려는 의도는 아니다. 본 발명의 변형 및 변경은 당업자에게 자명하고, 본 발명은 그러한 모든 변형물 및 균등물들을 모두 커버한다. 본 명세서에서 인용된 모든 문헌들 및 특허문헌의 청구범위와 기재 사항들 전부는 참고문헌으로 본 명세서에 통합된다.

Claims

도전성 입자들을 소결하는 방법으로서,

적어도 부분적으로 비도전성 재료로 피복되어 있는 전기적으로 도전성인 재료를 포함하는 입자들을 기판 위에 적층하는 단계;

상기 입자들을 플라즈마에 노출시키는 단계;

상기 비도전성 재료의 적어도 대부분을 제거하는 단계; 및

다수의 도전성 입자들을 소결하여 적층물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 기판 온도는 대략 100 ℃를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제2항에 있어서, 기판 온도는 대략 주위 온도(ambient temperature)를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 적층물은 잉크를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 입자들은 나노입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전 성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 입자들은 금속성인 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 상기 노출 단계는 하나 또는 그 이상의 공정 가스의 사용을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제7항에 있어서, 공정 가스 중 적어도 하나는 산화성 공정 가스인 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제8항에 있어서, 적층물의 산화 단계를 추가로 포함하여 적층물 저항을 증가시키는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 상기 노출 단계는 대략 0.1 mTorr 내지 2000 mTorr 사이의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 상기 노출 단계는 플라즈마 내에서 기판을 대전된 입자들로부터 차폐시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 적층물은 EMI 차폐물, 상호연결부, 도전성 리페어, 전극, 센서, 저항기 및 도전성 필름을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 적층 단계와 노출 단계가 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제13항에 있어서, 적층물은 3차원 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 상기 적층 단계는 절연 가스(sheath gas)를 사용하는 에어로졸 입자 유동의 공기역학적 포커싱을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제14항에 있어서, 절연 가스는 플라즈마를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 적층물의 저항이 전기적으로 도전성인 재료의 벌크 저항보다 대략 4배 미만인 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제17항에 있어서, 적층물의 저항이 전기적으로 도전성인 재료의 벌크 저항보다 대략 3배 미만인 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제1항에 있어서, 적층물의 가열 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제19항에 있어서, 적층물의 저항이 전기적으로 도전성인 재료의 벌크 저항보다 대략 2배와 같거나 또는 그 미만인 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
도전성 입자들을 소결하는 방법으로서,

적어도 부분적으로 비도전성 재료로 피복되어 있는 전기적으로 도전성인 재료를 포함하는 입자들의 에어로졸 유동을 기판을 향해 추진하는 단계;

절연 가스를 사용하여 상기 유동을 공기역학적으로 포커싱하는 단계;

상기 입자들을 기판 위에 적층하는 단계;

상기 입자들을 플라즈마에 노출시키는 단계;

상기 비도전성 재료의 적어도 대부분을 제거하는 단계; 및

다수의 도전성 입자들을 소결하여 적층물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제21항에 있어서, 절연 가스는 플라즈마를 포함하는 것을 특징으로 하는 도 전성 입자 소결 방법.
제21항에 있어서, 추진 단계 및 노출 단계가 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제23항에 있어서, 적층물은 3차원 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.
제21항에 있어서, 노출 단계가 적층 단계 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 소결 방법.