KR100663263B1 - 임프린트 몰드의 이형처리방법 및 이에 의해 형성된 배선기판 - Google Patents

임프린트 몰드의 이형처리방법 및 이에 의해 형성된 배선기판 Download PDF

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Abstract

니켈 몰드 상에 규소층을 형성하여 열적, 화학적으로 안정성이 뛰어나고 기계적 특성이 우수한 이형층을 부여하여 이형성을 장기간 유지시킬 수 있는 임프린트의 이형처리방법이 제시되어 있다. 또 이러한 임프린트의 이형처리방법을 이용하여 효율적이고 저렴한 비용으로 배선 기판을 형성하는 방법과 이에 의해 형성된 배선 기판이 제시되어 있다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 표면이 니켈로 도금된 니켈 몰드를 제공하는 단계, 상기 니켈 몰드의 표면에 규소층을 형성시키는 단계, 상기 규소층을 플라즈마 표면처리하는 단계, 및 상기 플라즈마 표면처리된 니켈 몰드 상에 하기 화학식 1의 화합물을 자기조립반응을 통하여 결합시키는 단계를 포함하는 임프린트 몰드의 이형처리방법이 제공된다. 상기 화학식 1에서 R1 내지 R3은 각각 서로 같거나 다른 할로겐, C1 내지 C20 알콕시기 또는 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기이고, n은 1 내지 20의 정수이다.
임프린트 몰드, 이형처리방법, 실란 화합물, 규소층

Description

임프린트 몰드의 이형처리방법 및 이에 의해 형성된 배선 기판{MOLD-RELEASE TREATING MOTHOD OF IMPRING MOLD AND WIRING SUBSTRATE PRODUCED THEREFROM}
도 1은 종래기술에 따른 임프린트 몰드의 이형처리 과정을 개략적으로 나타낸 도면;
도 2a 내지 2e는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 임프린트 몰드의 이형처리 과정을 개략적으로 나타낸 도면;
도 3a 내지 3d는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 배선 기판의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면;
도 4a 내지 4d는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 배선 기판의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 이형제 10, 100: 니켈 몰드
20: 스피너 101: 규소층
102: 플라즈마 표면처리부 103: 실란 화합물 용액
104: 실란 화합물 105: 기판
106: 고분자 박막
본 발명은 기판의 리소그라피 기술에 관한 것으로, 특히 임프린트 방법 중 임프린트 몰드의 이형처리방법에 관한 것이다.
현재 전자 전기 기술은 21세기 고도 정보 통신 사회의 구현에 발 맞추기 위하여 더 많은 용량의 정보 저장, 더 빠른 정보 처리와 전송, 더 간편한 정보 통신망의 구축을 위해 빠르게 발전해가고 있다.
특히, 주어진 정보 전송 속도의 유한성이라는 조건 하에서, 이러한 요구 조건을 충족시킬 수 있는 한 방법으로서 그 구성 소자들을 가능한 더욱 작게 구현하는 동시에 신뢰성을 높여 새로운 기능성을 부여하기 위한 방안이 제시되고 있다.
상술한 바와 같이, 전자제품의 경박 단소화 추세에 따라 인쇄회로기판 역시 미세 패턴(fine pattern)화, 소형화 및 패키지화가 동시에 진행되고 있으며, 이에 따라 신호 처리 능력이 뛰어난 회로를 보다 좁은 면적에 구현하기 위해서 고밀도의 기판(line/space≤10㎛/10㎛, Microvia＜30㎛) 제조에 대한 필요성이 대두되고 있다.
지금까지 가장 널리 사용되고 있는 미세 구조 제작 기술 중의 하나는 포토리소그래피(photolithography)로서, 포토 레지스트 박막이 입혀진 기판 위에 패턴을 형성시키는 방법이다.
하지만, UV 리소그라피 방법을 사용하여 기판을 제조할 때에는 회로로 사용되는 동박이 두꺼워야 한다는 점과 습식 에칭법을 사용해야 한다는 제한이 있기 때문에 UV 리소그라피로 10㎛ 이하의 미세 선폭을 형성할 경우 제품의 신뢰성이 떨어진다는 문제점을 안고 있다.
한편, 최근에는 인쇄회로기판의 집적도가 더욱 높아지는 추세이며 그에 따라 미세 패턴을 형성하는 방법에 대한 연구가 더욱 활발해지고 있는 바, 상술한 UV 리소그라피의 대체 공법으로서 임프린트 방법을 이용하여 고밀도의 기판을 제조하려는 시도가 주목을 받고 있다.
이러한 임프린트 공정을 이용하여 인쇄회로기판과 같은 대면적의 기판을 제조할 경우에는 양산성을 위해서 대면적 임프린트 공정을 고려해야 하는데, 이 경우에 임프린트 몰드와 기판간의 이형문제가 꼭 해결해야 할 문제로 대두되고 있다. 따라서, 이형성이 우수한 물질을 임프린트 몰드의 표면에 강하게 결합시켜 장시간 이형성을 유지하는 것이 매우 중요하다.
현재 이러한 임프린팅용 몰드 중 하나로 내구성이 우수하고 도금이 용이한 니켈이 표면에 도금된 니켈 몰드의 사용이 증가되고 있으며, 따라서 니켈 몰드의 이형성을 향상시키기 위한 연구 역시 함께 진행되고 있다.
이와 관련하여, 도 1은 종래기술에 따른 임프린트 몰드의 이형처리 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 스피너(20) 상에 임프린트용 니켈 몰드(10)를 위치시키고 이형제(1)를 물리적으로 도포하여 이형층을 형성시킨다. 이 경우, 몰드(10) 상에 이형제 물질(1)을 물리적으로 도포하기 때문에 이형제(1) 와 몰드(10) 사이의 결합력이 떨어져 지속적인 이형 효과를 나타내지 못하는 단점이 있다.
따라서 임프린트를 위한 몰드와 이형제 사이에 강한 결합을 형성하여 이형성을 장기간 유지시키는 동시에 물리, 화학적으로 안정적이고 기계적 강도가 우수한 이형층을 형성하기 위한 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 니켈 몰드 상에 규소층을 형성하여 열적, 화학적으로 안정성이 뛰어나고 기계적 특성이 우수한 이형층을 부여하여 이형성을 장기간 유지시킬 수 있는 임프린트의 이형처리방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 이러한 임프린트의 이형처리방법을 이용하여 효율적으로 배선 기판을 형성하는 방법과 이에 의해 형성된 배선 기판을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 표면이 니켈로 도금된 니켈 몰드를 제공하는 단계, 상기 니켈 몰드의 표면에 규소층을 형성시키는 단계, 상기 규소층을 플라즈마 표면처리하는 단계, 및 상기 플라즈마 표면처리된 니켈 몰드 상에 하기 화학식 1의 화합물을 자기조립반응을 통하여 결합시키는 단계를 포함하는 임프린트 몰드의 이형처리방법을 제시할 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112005045234917-pat00001
상기 화학식 1에서 R1 내지 R3은 각각 서로 같거나 다른 할로겐, C1 내지 C20 알콕시기 또는 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기이고, n은 1 내지 20의 정수이다.
여기서 상기 규소층의 두께는 1 내지 100nm인 것이 바람직하고, 이 규소층은 화학적 기상 증착법 또는 물리적 기상 증착법의해 형성될 수 있다.
또 여기서 상기 플라즈마 표면처리단계는 대기, 산소 및 아르곤 플라즈마 가스 중 적어도 하나를 이용하여 처리할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 이형처리방법을 거친 임프린트 몰드를 피전사 기판의 표면에 가압하는 단계, 및 상기 임프린트 몰드를 제거하여 상기 피전사 기판에 패턴을 전사하는 단계를 포함하는 배선 기판의 제조방법을 제시할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 배선 기판의 제조방법에 의해 형성된 배선 기판을 제시할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 임프린트 몰드의 이형처리방법을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2a 내지 2e는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 임프린트 몰드의 이형처리 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2a는 임펙트용 몰드를 제공하는 단계, 도 2b는 이 임펙트용 몰드의 표면에 규소층을 형성시키는 단계, 도 2c는 이 규소층을 플라즈마로 표면처리하는 단계, 도 2d는 이 플라즈마 표면처리된 몰드를 실란화합물 용액에 침지시키는 단계, 및 도 2e는 몰드의 표면에 실란화합물이 결합된 것을 도시하고 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 공지의 다양한 임프린팅용 몰드를 사용할 수 있으나, 내구성이 우수하고 도금이 용이한 니켈이 표면에 도금된 니켈 몰드의 사용하였다. 이 니켈 몰드(100)는 통상의 고분자 재질의 몰드에 니켈을 도금하여 형성된 것이다.
니켈 몰드(100) 상에 규소층(101)을 형성시킨 후, 산화 규소와 화학적으로 안정한 결합을 형성할 수 있는 실란 화합물(104)을 자기조립반응을 통하여 형성시킨다. 여기서 규소층은 이에 특히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition; CVD) 또는 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition; PVD) 보다 구체적으로는 진공 증착법이나 스퍼터링(sputtering)법을 통해 형성될 수 있다. 이러한 규소층 형성방법은 당해 기술분야의 공지된 방법에 따른다.
여기서 CVD는 가스상의 화합물을 기판 위에 퇴적시키고, 기상 또는 기판표면 상에서 분해, 산화 등의 화학 반응에 의하여 규소층을 형성시키는 기술이다. 이러한 화학반응을 일으키기 위해 가해주는 에너지원에 따라 열 CVD, 플라즈마 CVD, 유기금속화합물 CVD 등으로 나눌 수 있다. 또 PVD는 원료 고체를 증발시키거나 각종 물리적 수단에 의하여 가스화 하여 화학 분응을 관여시키지 않고 그 기체를 박막이나 분말로 석출시키는 기술이다. 이러한 PVD 기술로는 진공 증착법과 스퍼터링법을 들 수 있다. 이 진공 증착법은 진공 중에서 금속 화합물 또는 합금을 가열 증발시켜 증발 금속 또는 증발 금속 화합물을 목적 물질의 표면에 붙게 하여 얇은 피막을 형성시키는 방법을 말한다.
여기서 스퍼터링에 의한 규소층을 형성하는 방법을 예를 들면 이에 한정되는 것은 아니지만, 이온을 생성하기 위해 플라즈마를 사용하는데 플라즈마 내에서 생성된 이온들로 하여금 몰드에 달라붙게 하는 것이다. 우선 플라즈마를 생성하기 위하여 아르곤 가스 분위기에서 캐소드 쉴드를 사용한다. 규소를 제공하는 소스 물질과 기판은 고전압 전원에 연결된 반대편의 평형판 위에 놓고, 먼저 챔버를 진공으로 만든 다음 낮은 압력의 스퍼티링 기체, 보통은 아르곤을 챔버 내로 흘려준다. 전극에 전압을 가해주면 아르곤 기체는 이온화하게 되고 플레이트 간에 플라즈마가 발생한다. 규소로 덮여있는 플레이트는 기판에 비해 음전위로 유지되므로 아르곤이온은 규소로 덮여있는 플레이트로 가속되게 되는데 아르곤 이온의 충격으로 규소원자와 분자들은 플레이트로부터 방출되어 니켈 몰드의 표면에 증착되게 되는 것이다. 이때 DC전원 또는 RF를 사용하여 스퍼터링할 수 있다.
이와 같은 방법에 의해 형성된 규소층의 두께는 1 내지 100nm인 것이 바람직 하다. 상기 규소층의 두께가 1nm미만이면 전면적에서 규소가 증착되지 않을 수 있어 바람직하지 않고, 100nm를 초과하는 경우 니켈 패턴의 정밀도가 낮아지는 문제점이 있다.
이렇게 형성된 규소층을 플라즈마 표면처리하는데, 이러한 표면처리단계는 대기, 산소 또는 아르곤 플라즈마 가스를 이용하여 수행되는 것이 바람직하며, 이는 당해기술 분야의 통상의 지식을 가진자라면 행할 수 있는 플라즈마 표면처리 조건에 의해 수행될 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니나 예를 들면 진공도 200Pa, r.f.power 100 내지 500W에서 유량 50 내지 100SCCM 에서 100초 내지 30분 처리할 수 있다.
상기 플라즈마 표면처리된(102) 니켈 몰드(100) 상에 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 자기조립반응을 통해서 결합시킨다(도 2d 및 2e 참조):
<화학식 1>
Figure 112005045234917-pat00002
상기 화학식 1에서 R1 내지 R3은 각각 서로 같거나 다른 할로겐, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기, 알케닐기, 알켈렌기이고, n은 1 내지 20의 정수이다. 여기서 치환은 탄소 중 일부가 할로겐으로 치환된 것을 의 미한다.
이와 같은 과정을 통해서, 니켈 몰드의 표면을 확대하여 나타낸 도 2e에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 플라즈마 표면처리된(102) 니켈 몰드(100)의 규소층(101) 표면에 실란 화합물(104)이 결합된다. 상기 실란 화합물을 이용한 자기조립반응은 특별히 한정되지 않고, 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 알려진 바에 따라 수행될 수 있다.
그 일례로는, 예를 들어, 도 3d에 나타낸 바와 같이, CF3-(CF2)14-SiCl3와 같은 실란 화합물이 용해된 실란 화합물 용액(103)에 상기 플라즈마 표면처리된(102) 니켈 몰드(100)를 일정 온도와 시간에서 진공 오븐에 방치하여 실란 화합물(104)의 자기조립반응을 통해서 니켈 몰드(100)의 규소층(101)에 실란 화합물(104)을 결합시킨다. 여기서, 상기 결합은 산화규소와 실란 사이의 축합반응을 통해서 강한 공유결합으로 형성된다.
여기서 규소층과 같은 중간층이 없는 경우에는 다음과 같은 안정하지 않은 이형층이 형성된다. 예를 들면, 니켈 몰드의 표면에 CF3-(CF2)14-SH와 같은 퍼플루오로알칸티올계 화합물이 용해된 티올 용액에 침지시켜 티올 화합물의 자기조립반응을 수행한다. 이와 같은 과정에 의해 니켈 몰드의 표면에 티올 화합물이 결합되어 이형층이 형성되지만, 티올과 니켈과의 결합이 약한 공유 결합을 가지기는 하지만 그 결합력이 약하여 열적, 화학적으로 안정하지 않은 이형층이 형성된다.
따라서 본 발명의 규소층은 이형제 역할을 하는 실란 화합물이 안정적으로 니 켈 몰드에 결합할 수 있도록 한다. 이를 보다 상세히 설명하면, 니켈 위에 증착된 규소는 공기 중에서 자연적으로 산화하여 얇은 산화규소층을 형성한다. 이 산화규소는 실란 화합물과 축합반응하여 강한 공유결합을 형성한다. 따라서 본 발명과 같이 규소층을 형성하고 플라즈마 처리를 거쳐 산화규소를 형성한 후, 실란 화합물과 반응하면 안정적인 이형층이 형성될 수 있는 것이다. 이렇게 열적, 화학적, 기계적으로 안정한 이형층은 공정에 필요한 이형처리시간을 단축할 수 있고, 불량률을 줄여 제조비용을 절감할 수 있는 우수한 특성이 있다.
따라서, 통상의 나노 임프린트 방법에 적용하는 경우와는 달리, 형성하고자 하는 복수의 비아 및 패턴에 대응되는 구조물의 크기가 마이크론(㎛) 차수(예를 들어, line/space≤10㎛/10㎛, Microvia≤30㎛)이고 대면적에의 적용이 요구되는 인쇄회로기판에 적용하는 경우에도 니켈 몰드의 이형성을 장시간 유지할 수 있을 뿐 아니라 공정에 필요한 이형 처리 시간이나 비용을 현저히 줄일 수 있다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 배선 기판의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 3a 내지 3d를 참조하면 상술한 니켈층(101)을 가지는 이형처리된 몰드(100)를 이용하여 적절한 온도와 압력에서 기판 위에 코팅된 고분자 박막(106)을 형성한 후, O2 플라즈마를 이용한 식각공정을 통하여 기판(105)상에 최종 배선 패턴을 제작할 수 있다. 이들 도면 상에 도시되지 않았으나 여기서 이형처리된 몰드(100)의 피전사 기판과 만나는 표면에는 실란화합물(104)이 결합되어 있다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 배선 기판의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 4a 내지 4d를 참조하면 일정한 온도를 가하여 플렉서블 해진 기판(105)에 상술한 이형처리된 몰드(100)를 적절한 압력으로 가압하여 배선 패턴을 전사하고, 공지의 배선 형성방법으로 도전성 배선을 형성하여 배선 기판을 제조할 수 있다. 이러한 응용이 가능한 기판으로 에폭시 수지 기판을 예로 들 수 있다. 이들 도면 상에 도시되지 않았으나 여기서 이형처리된 몰드(100)의 피전사 기판과 만나는 표면에는 실란화합물(104)이 결합되어 있다.
이상에서 임프린트 몰드의 이형처리방법과 배선 기판의 제조방법을 도면으로 설명하였으며, 이하에서는 보다 구체적인 실시예를 기준으로 설명하기로 한다.
[실시예 1]
미세 패턴이 형성되어 있으며, 표면에 니켈이 도금된 니켈 몰드 상에 스퍼터링법을 이용하여 20nm의 두께를 갖는 규소층을 형성시켰다. 이 규소층이 형성된 니켈 몰드를 플라즈마 반응기 홀더에 장착하고 산소를 플라즈마 가스로 사용하여 약 1분간 플라즈마 처리를 하였다. 이를 약 0.5㎖의 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트리클로로실란((heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) trychlorosilane) 을 진공 오븐에서 약 100℃ 온도의 오븐에서 약 20분간 방치하여 자기조립 단분자막을 형성시켰다.
[실시예 2]
미세 패턴이 형성되어 있으며, 표면에 니켈이 도금된 니켈 몰드 상에 스퍼터링법을 이용하여 20nm의 두께를 갖는 규소층을 형성시켰다. 이 규소층이 형성된 니켈 몰드를 플라즈마 반응기 홀더에 장착하고 산소를 플라즈마 가스로 사용하여 약 1분간 플라즈마 처리를 하였다. 이를 약 0.5㎖의 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트리메톡시실란((heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) trymethoxysilane)을 진공 오븐에서 100℃에서 20분간 방치하여 자기조립 단분자막을 형성시켰다.
[실시예 3]
미세 패턴이 형성되어 있으며, 표면에 니켈이 도금된 니켈 몰드 상에 스퍼터링법을 이용하여 20nm의 두께를 갖는 규소층을 형성시켰다. 이 규소층이 형성된 니켈 몰드를 플라즈마 반응기 홀더에 장착하고 산소를 플라즈마 가스로 사용하여 약 1분간 플라즈마 처리를 하였다. 이를 약 0.1mol%로 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트리클로로실란((heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) trychlorosilane)을 톨루엔과 혼합한 용액에 약 1시간동안 침지시킨 후, 오븐에서 100℃에서 1시간 동안 방치하여 자기조립 단분자막을 형성시켰다.
[실시예 4]
미세 패턴이 형성되어 있으며, 표면에 니켈이 도금된 니켈 몰드 상에 스퍼터링법을 이용하여 20nm의 두께를 갖는 규소층을 형성시켰다. 이 규소층이 형성된 니 켈 몰드를 플라즈마 반응기 홀더에 장착하고 산소를 플라즈마 가스로 사용하여 약 1분간 플라즈마 처리를 하였다. 이를 약 0.1mol%로 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트리메톡시실란((heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) trymethoxysilane) 을 톨루엔과 혼합한 용액에 약 1시간동안 침지시킨 후, 오븐에서 100℃에서 1시간 동안 방치하여 자기조립 단분자막을 형성시켰다.
[비교예 1]
미세 패턴이 형성되어 있으며, 표면에 니켈이 도금된 니켈 몰드를 플라즈마 반응기 홀더에 장착하고 산소를 플라즈마 가스로 사용하여 약 1분간 플라즈마 처리를 하였다. 이를 약 0.5㎖의 헵타데카플루오로티올(heptadecafluorothiol)을 진공 오븐에서 약 100℃ 에서 20분간 방치하여 자기조립 단분자막을 형성시켰다.
[비교예 2]
미세 패턴이 형성되어 있으며, 표면에 니켈이 도금된 니켈 몰드를 플라즈마 반응기 홀더에 장착하고 산소를 플라즈마 가스로 사용하여 약 1분간 플라즈마 처리를 하였다. 이를 약 5mmol의 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트리클로로실란((heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trychlorosilane)을 진공 오븐에서 100℃에서 20분간 방치하여 자기조립 단분자막을 형성시켰다.
본 발명의 실시예 1 내지 4에 따른 임프린트용 니켈 몰드의 경우, 비교예 1과 2 의 규소층이 도입되지 않은 임프린트 몰드에 비하여 몰드와 이형층 사이에 강한 결합이 형성되어 수 차례의 반복 사용에도 우수한 이형성을 가졌다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 임프린트 몰드의 이형처리방법은 니켈 몰드 상에 규소층을 형성하여 열적, 화학적으로 안정성이 뛰어나고 기계적 특성이 우수한 이형층을 부여하여 이형성을 장기간 유지시킬 수 있다. 따라서, 통상의 나노 임프린트 방법에 적용하는 경우와는 달리, 형성하고자 하는 복수의 비아 및 패턴에 대응되는 구조물의 크기가 마이크론(㎛) 차수(예를 들어, line/space≤10㎛/10㎛, Microvia≤30㎛)이고 대면적에의 적용이 요구되는 인쇄회로기판에 적용하는 경우에도 우수한 이형 특성을 부여할 수 있을 뿐 아니라, 몰드의 이형성을 장시간 유지할 수 있어 공정에 필요한 이형 처리 시간이나 비용을 현저히 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 이러한 임프린트의 이형처리방법을 이용하여 효율적으로 배선 기판을 형성하는 방법과 이에 의해 형성된 배선 기판을 제공할 수 있다.

Claims (6)

  1. 표면이 니켈로 도금된 니켈 몰드를 제공하는 단계;
    상기 니켈 몰드의 표면에 규소층을 형성시키는 단계;
    상기 규소층을 플라즈마 표면처리하는 단계; 및
    상기 플라즈마 표면처리된 니켈 몰드 상에 하기 화학식 1의 화합물을 자기조립반응을 통하여 결합시키는 단계를 포함하는 임프린트 몰드의 이형처리방법:
    <화학식 1>
    Figure 112005045234917-pat00003
    상기 화학식 1에서 R1 내지 R3은 각각 서로 같거나 다른 할로겐, C1 내지 C20 알콕시기 또는 C1 내지 C20 의 치환 또는 비치환된 알킬기이고, n은 1 내지 20의 정수임.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 규소층의 두께는 1 내지 100nm인 임프린트 몰드의 이형처리방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 규소층은 화학적 기상 증착법 또는 물리적 기상 증착법에 의해 형성되는 임프린트 몰드의 이형처리방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마 표면처리단계는 대기, 산소 및 아르곤 플라즈마 가스 중 적어도 하나를 이용하여 처리하는 임프린트 몰드의 이형처리방법.
  5. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항의 상기 이형처리방법을 거친 임프린트 몰드를 피전사 기판의 표면에 가압하는 단계; 및
    상기 임프린트 몰드를 제거하여 상기 피전사 기판에 패턴을 전사하는 단계를 포함하는 배선 기판의 제조방법.
  6. 삭제
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