KR20080073258A - 자기 기록 헤드 및 매체 오버코트 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 보호성 이중층을 자기 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체인 기판 위에 형성하는 방법에 관한 것이다. 이중층은 접착증진성 및 내부식성 하층 및 보호성 다이아몬드형 탄소(DLC) 상층으로서 형성된다. 하층은 화학식 SiOxNy의 산질화규소(여기서, x는 0.02 내지 2.0일 수 있고, y는 대략 0.01 내지 1.5일 수 있다)로 형성된다. x 및 y의 값을 조정함으로써, 하층은 기판과 DLC 사이의 강한 화학 결합, 내마모성 및 내부식성, 화학적 및 기계적 안정성 및 낮은 전기 전도성과 같은 품질에 기여한다. 하층은 다양한 방법, 예를 들면, 반응성 이온 스퍼터링, 플라즈마 화학기상증착, 반응성 펄스 레이저 증착, 플라즈마 표면 처리 및 플라즈마 이온주입으로 형성될 수 있다.
리드/라이트 헤드, 기록 매체, 플라즈마 화학기상증착, 반응성 펄스 레이저 증착
Description
본원은 본원과 동일한 양수인에게 양도된 참조번호 제SM 06-006호의 2007년 1월 18일자로 출원된 출원번호 제11/655,025호에 관한 것이다.
본 발명은 하드 디스크 드라이브(HDD)의 제작, 특히 또한 접착력을 향상시키고 부식 장벽으로서 제공되는 하층 위에 다이아몬드형 피막의 사용에 의한 자기 헤드 및 자기 디스크의 보호방법에 관한 것이다.
자기 리드/라이트 헤드와 이의 하부에서 회전하는 자기 디스크의 표면 사이의 헤드-대-디스크 간격(플라이 높이)을 감소시키는 것은 하드 디스크 드라이브(HDD) 저장 시스템에서 기록 초고밀도를 성취하기 위한 주요한 방법 중의 하나이다. 160GByte 용량을 갖는 상업적으로 구입가능한 HDD의 경우, 플라이 높이는 10nm의 차수이다. 빨리 회전하는 디스크와 문자 그대로 이 위를 비행하는 리드/라이트 헤드 사이의 이러한 작은 공간을 유지하는 것은 어렵고 디스크 표면과 헤드 사이의 우발적인 접촉은 피하기 어렵다. 이러한 접촉은, 발생할 때, 헤드와 디스크에 손상을 유발하고 디스크 위에 기록된 정보를 손실시킬 수 있다. 헤드와 디스크 손상을 최소화하기 위해, DLC(다이아몬드형 탄소) 피막의 박층을 헤드 표면 및 디스크 표면 둘 다에 도포한다. 이러한 DLC는 또한 헤드에서의 자기 재료를 환경 내의 다양한 부재에 의한 부식으로부터 보호하도록 제공된다. DLC의 역할의 중요성을 고려하여, 이는 경질이고, 고밀도이고 매우 박층인 것이 필수적이고, 할당된 공간을 모두 소모하지 않으면서 전체 플라이 높이 필요조건을 만족시키기 위한 가장 얇은 두께가 필요하다. 현재, 20 내지 30Å의 DLC 피막이 선행 기술에서 발견된다.
통상적으로, DLC 피막 두께는 50Å 초과이고 이러한 두께 범위에서는, 높은 정도의 내부 응력이 존재하여, 헤드의 기판 재료와의 열악한 접착력을 유발하고 결합될 수 있는 다른 기판을 유발한다. 높은 내부 응력 및 열 응력으로 인해, 접착층이 필요하다. 예를 들면, 커팅 테두리 및 드릴 도구로의 도포시, DLC 두께가 마이크론 범위이고 작업 온도가 수백도에 도달할 때, 접착층의 열 팽창(CTE) 계수는 또한 중요한 역할을 한다. 이러한 이유로, 일본 특허 제2571957호(이토(Itoh) 외)(미국 특허 제5227196호) 및 일본 특허 제3195301호에는 이러한 접착층에 대해 Si, SiOx, SiC 및 SiNx가 제안되어 있다. 특히, 일본 특허 제2571957호에는 산화물 표면을 기판으로서 갖는 기본 재료 위에 가스상 규화물의 도입 및 분해 매체로서 플라즈마를 사용하는 무정형 규소의 완충층의 형성이 교시되어 있다. 이후, 가스상 탄화수소가 도입되고, 탄소 함유 코팅 필름은 완충층 위에 형성된다.
(상기 인용된) 이토는 내부 응력을 제어할 목적으로 2개 이상의 필름 층을 포함하는 필름의 라미네이션을 교시한다. 하나의 양태에서, 질화규소 층의 수소 함량은 탄소 층과 산화물 기판 사이의 완충층으로서 질화규소 층의 최적 특성을 수득하기 위해 제어한다.
일본 특허 제3195301호에는 내부 응력이 낮은 필름의 삽입에 의한 기판 위의 탄소 필름의 형성이 교시되어 있다. 당해 양태에서, 질화규소 필름은 낮은 응력의 간섭 필름으로서 사용된다. 필름은 반응 챔버 내에 도입된 규화수소 가스를 사용하여 형성된다.
이시야마(Ishiyama)(미국 공개특허공보 제2006/0063040호)에는 우수한 접착력에 대한 수소화된 질화탄소의 탄소계 보호층이 공개되어 있다. 황(Hwang) 등(미국 공개특허공보 제2005/0045468호)은 DLC에 대한 Si 접착층을 교시한다. 황 등(미국 공개특허공보 제2002/0134672호)은 DLC 층 하부의 접착층으로서 Si, Al2O3, SiO2 또는 SiNx를 공개한다. 데이비드(David) 등(미국 특허 제5,609,948호)은 DLC 층 하부의 SiC 접착층을 공개한다.
자기 헤드에서의 사용을 위해, 하층은 하기 특성을 가져야 한다:
1. 전기 분리 특성. 자기 헤드에 대해, 전기 분리는 자기 금속 합금 층, 예를 들면, 거대 자기저항(GMR) 효과를 기본으로 하는 자기저항 리드 헤드를 포함하는 층 또는 터널 자기저항(TMR) 효과를 기본으로 하는 장치를 포함하는 층에 대해 제공되어야 한다. 이들 층과 주변의 HDD 성분 사이의 단전 회로는 헤드 또는 유사 한 장치를 손상시킬 수 있다. 이러한 이유로 인해, 보호층, 특히 하층은 절연성 또는 반절연성이어야 한다. 그러나, Si의 반도체 특성으로 인해, Si 접착층의 표면 분권은, 예를 들면, 소위 팝콘 노이즈를 GMR 또는 TMR 리더에 도입할 수 있다.
2. 항부식 특성. DLC 필름, 특히 선행 기술의 여과 음극 진공 아크(filtered cathodic vacuum arc; FCVA) 공정을 통해 제조된 것은 종종 마이크로-입자 또는 나노-입자로 삽입된다. 이들 입자들은 자기적 활성 층을 형성하는 데 사용되는 재료, 예를 들면, NiFe 및 NiCoFe의 부식 및 핀홀을 유발할 수 있다. 따라서, 하층의 항부식 특성은, 만일 제공될 수 있다면, 센서의 성능 통합성을 유지하는 데 결정적으로 중요하다.
3. 항마모 특성. 접착층 및 DLC 층의 총 두께가 30Å 이하 범위로 감소되면, 문자 그대로 모든 원자는 보호에 중요하다. 따라서, 접착층이 부식 보호를 위한 화학적 안정성 및 마찰 이점을 위한 높은 경도 둘 다를 갖는 것이 매우 중요하다. 본 발명의 목적은 Si 및 상기 인용된 선행 기술에 기재된 관련 재료를 대체하기 위해 접착층으로서 새로운 종류의 재료를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 목적은 헤드와 매체 표면 사이의 부주의한 접촉으로부터 자기 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체를 보호하기 위해 이들에 대한 보호성 박층을 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 상층이 주로 보호성 층이고 하층이 주로 접착증진성 층 및 내부식성 층인 이중층으로서 형성된 상기한 보호성 층을 제공하는 것이다.
본 발명의 제3 목적은 하층의 높은 고유 저항성이 표면 분권을 제거함으로써, 리드/라이트 헤드로부터 노이즈, 예를 들면, 팝콘 노이즈를 감소시키는 이중층을 제공하는 것이다.
본 발명의 제4 목적은 하층이 상층과 강하고 안정한 화학 결합을 형성하는 상기한 이중층을 제공하는 것이다.
본 발명의 제5 목적은 상기 목적 모두를 만족시키는 보호성 이중층을 형성하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 화학식 SiOxNy의 산질화규소의 재료의 종류를 사용하여, 보호성 이중층의 접착증진성 및 부식 보호성 하층을 형성하여 성취할 수 있다. 산질화규소는 효과적으로 DLC 및 리드/라이트 헤드 기판에 결합하여 강하고 안정한 결합을 형성할 수 있다. 이는 상기 기재된 본 발명의 목적을 만족시키기 위해 필수불가결한 화학적 및 기계적 특성을 갖는다.
탄소 원자와 규소 원자 사이의 친화도 때문에, SiOxNy는 Si-C 결합을 형성하는 DLC 필름에 우수한 접착력을 나타낸다. 또한, 규소는 또한 AlTiC, Al2O3, NiFe, NiFeCo와 같은 재료 및 필적하는 성질의 다른 재료를 포함하는 리드/라이트 헤드의 제작에 사용되는 다양한 기판 재료에 우수한 접착력을 갖는 것으로 밝혀졌다. 추가로, 산질화규소의 화학적, 기계적 및 물리적 특성은 산소 및 질소 농도, 화학식에서 x 및 y를 변화시킴으로써 조정할 수 있다. 참조 및 비교 목적을 위해, 도 1은 자기 리드/라이트 헤드의 제작에 사용되는 다양한 재료의 몇몇 관련 기계적 및 전기 특성의 편리한 목록을 제공한다.
본 발명의 이중층과 같은 보호성 박막의 중요한 기능은 부식 보호를 제공하는 것이다. 규소 또는 무정형 규소와 비교하여, SiO2 및 Si3N4는 보다 안정하고 내부식성이므로, 부식 보호성이다. 예를 들면, 염기성 용액 속의 Si의 에칭 속도는 SiO2 또는 Si3N4의 에칭 속도보다 높고, 구체적으로 평면(100)에서 Si에 대해 KOH 용액(33.3중량%, 80℃에서) 속에서 에칭 속도는 11,000Å/min인 반면, 써목사이드 SiO2에 대해 이는 약 77Å/min이고, Si 풍부 질화규소 및 화학량론적 질화규소에 대한 에칭 속도는 사실상 0이다[참조: K.R. Wiliams, "Etch rate for micromachining processing-part II" Journal of Microelectromechanical Systems, 12(67), pp. 761-778, 2003].
침액 시험은 보호성 피막의 내부식성을 나타낼 수 있다. 이러한 시험은 산성(포름산) 및 염기성(베이킹 소다) 조건 둘 다에서 수행된다. 30Å의 동일한 두 께로, SiON/DLC 이중층은 통계학적으로 종래의 Si/DLC 이중층(참조: 도 3)보다 우수한 내부식성을 나타낸다.
SiOxNy의 경도는 6GPa(SiO2)로부터 20GPa(SiNy) 초과까지 변할 수 있다. 유사하게, SiOxNy의 박막에서 응력은 SiNy에 대해 +0.9Gpa의 신장 응력으로부터 SiO2에 대해 -0.3Gpa의 압축 응력으로 변할(조정될) 수 있다. 비교로, a-Si는 약 +1.0Gpa의 압축 응력을 갖는다[참조: R.T. Howe et al., "Stress in polycrystalline and amorphous silicon thin films", Journal of Applied Physics, 54(8) pp. 4674-4675, 1983]. SiOxNy의 다른 특성의 조정가능성은 또한 널리 증명되었으며, 예를 들면, 이의 굴절 광학 지수는 SiO2에서 1.45 내지 SiNy에서 2.0 내지 Si-풍부 SiOxNy에서 2.4로 변할 수 있다.
상기 기재된 바대로, 하층 및 DLC 층의 총 두께가 30Å 이하 범위로 감소되면, 문자 그대로 모든 원자는 보호를 제공하는 데 중요하다. 산소 및 질소는 가장 작은 원자들 중에 하나이다(도 4). 무정형 SiO2에서, 2개의 O 원자는 대략 하나의 Si 원자의 공간을 차지하여, 보다 작은 원자는 소정 두께로 삽입될 수 있다. DLC 오버코트의 내마모성에 있어서, 오버코트의 기판에의 접착 강도는 중요한 고려사항이다. 본 발명에서 내마모성은 히시트론 트리보인덴터(Hysitron Triboindenter)를 사용한 나노-마모 실험의 사용으로 증명된다. 동일한 20μN 부하 및 20회 마모 사이클을 종래의 Si/DLC 이중층 및 본 발명의 SiOxNy/DLC의 동일한 두께에 적용하면, 본 발명의 SiOxNy/DLC는 우수한 나노-내마모성을 나타낸다.
SiON이 Si보다 더 절연성이므로, 표면 분권 및 이의 관련 노이즈는 대부분 감소될 수 있다. 도 5에는 종래의 Si/DLC 이중층(보호 바) 및 본 발명의 SiON/DLC 이중층(보호되지 않은 바)(각 종류의 260개 슬라이더) 둘 다에 대해 수행한 쿠아지-스테틱(Quasi-Static) 시험의 결과가 도시되어 있고, 당해 결과는 SiON/DLC 보호된 슬라이더에서 팝콘 노이즈의 주파수의 확실한 감소를 보여준다.
SiOxNy 하층은 하기의 다양한 방법으로 제조할 수 있다.
1. Ar/O2/N2 분위기 내의 Si와 금속, 금속 산화물 또는 금속 질화물 표적과의 반응성 스퍼터링.
2. 플라즈마 화학기상증착(PECVD), 저압 화학기상증착(LPCVD), 플라즈마 이온주입(PIII), 플라즈마 이온주입 증착(PIIID).
3. 이온 빔 플라즈마, 용량 결합 플라즈마(CCP), 유도 결합 플라즈마(ICP) 및 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마에 의한 Si 표면의 플라즈마 처리.
본 발명에 의해 화학식 SiOxNy의 산질화규소의 재료의 종류를 사용하여, 보호성 이중층의 접착증진성 및 부식 보호성 하층을 형성할 수 있고, 산질화규소는 효과적으로 DLC 및 리드/라이트 헤드 기판에 결합하여 강하고 안정한 결합을 형성할 수 있다.
본 발명의 바람직한 양태는 보호성 이중층이 경질의 보호성 다이아몬드형 탄소(DLC) 상층(오버코트로도 호칭됨)이 형성된 SiOxNy 접착증진성 및 내부식성 하층을 포함하는 자기 리드/라이트 헤드 또는 자기 매체 위에 얇은 보호성 이중층의 제작방법을 교시한다.
무정형 Si(a-Si)는 자기 리드/라이트 헤드의 기판에 DLC 층의 접착력을 향상시키기 위해 자기 기록 산업에서 접착층으로서 널리 사용된다. 도 2a를 참조하면, 선행 기술의 보호성 피막이 리드/라이트 헤드 위에 형성된 3가지 단계의 순서가 표시되어 있다. 선행 기술에서, 피복 공정은 Ar+ 이온 빔을 사용한 헤드 기판의 세척으로 시작한다. 이러한 세척 공정 이후, 무정형 Si의 접착층은 이온 빔 스퍼터링을 사용하여 증착된 후, DLC 상층은 이온 빔 증착(IBD) 또는 PECVD, 보다 바람직하게는 여과 음극 진공 아크(FCVA)를 사용하여 증착된다.
본 발명의 바람직한 양태는 리드/라이트 헤드 기판 위에 a-Si의 선행 기술의 IBD 증착과 다르고, 자기 기록 매체 및 리드/라이트 헤드를 포함하는 기판 위의 증착을 포함할 수도 있다. 도 2b를 참조하면, 본 발명의 보호성 이중층을 제조하는 3가지 단계의 순서가 도시되어 있다.
1. Ar+ 이온 빔을 에칭 메카니즘으로서 사용하는 기판 예비-세척(여기서, 기판은 리드/라이트 헤드 또는 자기 매체의 표면일 수 있다).
2. Ar/O2/N2 분위기 내에 규소, 산화규소 또는 질화규소 표적으로 Si의 반응성 이온 스퍼터링을 사용한 SiOxNy의 접착증진성 및 내부식성 하층의 증착, 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 또는 반응성 펄스 레이저 증착. 또는, 이온 빔 플라즈마, 용량 결합 플라즈마(CCP), 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마, 유도 결합 플라즈마(ICP) 또는 플라즈마 이온주입/증착(PIIID)에 의한 a-Si 필름의 플라즈마 처리.
3. 이온 빔 증착(IBD), 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 또는 여과 음극 진공 아크(FCVA)를 사용한 DLC의 보호성 상층의 증착.
하기의 본 발명의 9가지의 양태는 보호성 이중층이 상기 기재된 본 발명의 목적 모두를 만족시키는 자기 리드/라이트 헤드 또는 자기 매체 위에 형성되는 모든 방법이다. 모든 양태에서, 보호성 층은 리드/라이트 헤드 또는 기록 매체의 적절한 기판 표면, 예를 들면, Ar+ 빔 에칭과 같은 적절한 방법으로 세척된 공기-함유 층 표면(ABS) 위에 형성된다. 또한, 홀더 위에 탑재되고 동시에 당해 방법으로 처리되는 바람직하게는 복수의 리드/라이트 헤드가 존재하는 것으로 이해된다.
하기 본 발명의 양태의 이용을 도식적으로 예시할 목적으로, 도 6에는 헤드 및 매체에 의해 추정되는 위치에서 자기 기록 매체 위에 위치하는 리드/라이트 헤드가 도식적으로 도시되어 있는 반면, 하드 디스크 드라이브(HDD)는 작동되고 자기 기록 매체는 헤드 하부에서 움직인다. 당해 도면에는 자기 헤드-디스크 계면(눈금으로 도시되지 않음)이 도시되어 있고, 자기 리드/라이트 헤드 슬라이더(10)가 이의 현탁액(110)에 기계적으로 부착된다. 슬라이더는 보호된 GMR 또는 TMR 리더 및 라이터(150)를 갖는 AlTiC 기판(120) 및 Al203 오버코트(170) 위에 배치된다. 리더 방패, 리더 및 라이터 재료는 주로 다양한 합금 및 환경 조건에 노출될 때 부식되는 Ni-Fe-Co의 화합물을 포함하는 자기 재료로 이루어진다. 슬라이더는 하층(180) 및 DLC 오버코트(190)로 피복시킨다.
한편, 슬라이더 하부에서 회전하는 자기 기록 매체(당해 양태에서의 디스크(20))는 제1 하층(220)(본 발명의 하층이 아님) 및 자기 층(230)이 상부에 있는 유리 또는 알루미늄 기판(210) 위에 배치된다. 자기 층(230)의 표면은 둘 다 본 발명의 방법에 의해 형성된 본 발명의 하층인 제2 하층(280) 및 DCL 오버코트(290)에 의해 보호된다. 슬라이더 헤드에 의한 마모를 최소화시키기 위해, 윤활유(윤활) 층(260)은 자기 돌출물 위에 도포한다. 본 발명은 슬라이더(180) 및 자기 디스크(280) 둘 다를 위한 하층 및 이 위에 형성된 DLC 층을 제공한다.
제1 바람직한 양태
이제, 도 7를 참조하면, 본 발명의 보호성 이중층이 자기 리드/라이트 헤드 또는 기록 매체 위에 형성될 수 있는 기구의 사시도가 도시되어 있다.
본 발명의 제1 바람직한 양태는 이온 빔, 당해 양태에서는 Ar+ 빔(20)이 주 입되는 증착 챔버(10)를 이용한다. 빔은 RF 공급원(30)에 의해 제조되고 300V 내지 1,200V의 전압에 의해 촉진된다. 주입 포트(40)는 O2 및 N2 가스가 0 내지 20sccm의 유속 및 SiOxNy 하층의 목적하는 형태에 따라 상이한 비율의 x/y로 챔버(10)로 주입되게 한다. Ar+ 빔은 SiO2(50)의 스퍼터링 표적에서 지시되고, 스퍼터링된 원자(60)는 리드/라이트 헤드일 수 있는 회전 가능하게 탑재된 증착 표적(70)에 충돌하고, 복수의 리드/라이트 헤드는 증착의 균일성을 위해 회전할 수 있는 회전식 홀더 위에 비절단 슬라이더로서 장착될 수 있다. 또는, 증착 표적(70)은 유사하게 자기 기록 매체, 예를 들면, 도 6의 자기 디스크에 탑재될 수도 있다. 0.02 내지 2.0의 x 값 및 0.01 내지 1.5의 y 값은 본 발명의 목적을 만족시키는 하층을 형성시킨다. 또한, 증착 공정이 진행되면서 x 및 y는 변하여 접착층을 층 두께의 함수인 조성물로 제조할 수 있다는 것에 주목한다. 이러한 모든 형성에서, 50Å를 초과하지 않는 하층의 전체 두께는 본 발명의 목적을 만족시키는 결과를 생성시킨다. 20Å 미만의 하층 두께가 가장 바람직하다. 하층의 증착에 후속적으로, DLC 층은 본 발명의 목적을 만족시키는 결합 이중층을 생성시키도록 하층 위에 형성된다.
제2 바람직한 양태
제2 바람직한 양태에서, 도 8의 기구는 상기한 바대로 사용하지만, 스퍼터링 표적 재료(50)는 Si3N4이다. 이온 빔, 당해 양태에서는 Ar+ 빔(20)이 300V 내지 1,200V의 전압을 사용하여 주입되고, 02 및 N2 가스는 0 내지 20sccm의 유속 및 SiOxNy 하층의 목적하는 형태에 따라 상이한 비율의 x/y로 챔버(10)로 주입된다. Ar+ 빔은 Si3N4(50)의 스퍼터링 표적에서 지시되고, 스퍼터링된 Si 및 N 원자(60)는 주입된 O2 및 N2 가스의 존재하에 리드/라이트 헤드의 회전 가능하게 탑재된 증착 표적(70)에 충돌하여 목적하는 SiOxNy 하층을 생성시킨다. 복수의 리드/라이트 헤드는 증착의 균일성을 위해 회전식 홀더 위에 복수의 비절단 슬라이더로서 장착될 수 있다. 또는, 증착 표적(70)은 또한 자기 기록 매체, 예를 들면, 자기 디스크일 수 있다. 0.02 내지 2.0의 x 값 및 0.01 내지 1.5의 y 값은 본 발명의 목적을 만족시키는 하층을 형성시킨다. 또한, 증착 공정이 진행되면서 x 및 y는 변하여 하층을 하층 두께의 함수인 조성물로 제조할 수 있다는 것에 주목한다. 이러한 모든 형성에서, 50Å를 초과하지 않는 하층의 전체 두께는 본 발명의 목적을 만족시키는 결과를 생성시킨다. 20Å 미만의 하층 두께가 가장 바람직하다.
하층의 형성에 후속적으로, DLC 상층은 상기 인용된 방법을 사용하여 하층 위에 형성된다.
제3 바람직한 양태
본 발명의 제3 바람직한 양태는 이온 빔이 주입될 수 있는 반면, 주입 포 트(40)가 O2 및 N2 가스를 0 내지 20sccm의 유속 및 SiOxNy 하층의 목적하는 형태에 따라 상이한 비율의 x/y로 주입되는, 증착 챔버(10)를 포함하는 도 7의 기구를 이용한다. 그러나, 당해 양태에서, 이온 빔은 Si(50)의 스퍼터링 표적에서 지시되는 고에너지 스캐닝, 집속 이온 빔(20)이고, 스퍼터링된 원자(60)는 증착의 균일성을 위해 회전식 홀더 위에 비절단 슬라이더로서 탑재된 리드/라이트 헤드의 회전 가능하게 탑재된 증착 표적(70)에 충돌한다. 또는, 증착 표적(70)은 또한 자기 기록 매체, 예를 들면, 자기 디스크일 수 있다. 스퍼터링 표적의 중독을 피하고 증착과 관련된 이력현상 효과를 제거하기 위해, 티. 니베르그(T. Nyberg) 등(미국 특허 제2004/0149566호, 이의 전문이 본원에 참조문헌으로 인용된다)이 기재한 바대로 고에너지 주사 집속 이온 빔을 사용한다. 0.02 내지 2.0의 x 값 및 0.01 내지 1.5의 y 값은 본 발명의 목적을 만족시키는 하층을 형성시킨다. 또한, 증착 공정이 진행되면서 x 및 y는 변하여 하층을 하층 두께의 함수인 조성물로 제조할 수 있다는 것에 주목한다. 이러한 모든 형성에서, 50Å를 초과하지 않는 하층의 전체 두께는 본 발명의 목적을 만족시키는 결과를 생성시킨다. 20Å 미만의 하층 두께가 가장 바람직하다.
제4 바람직한 양태
본 발명의 제4 바람직한 양태는 이온 빔이 주입될 수 있는 반면, 주입 포트(40)가 O2 및 N2 가스를 0 내지 20sccm의 유속 및 SiOxNy 하층의 목적하는 형태에 따라 상이한 비율의 x/y로 주입되는, 증착 챔버(10)를 포함하는 도 7의 기구를 이용한다. 그러나, 당해 양태에서, 이온 빔은 순간 고전력으로 펄스 이온 공급원(30)에 의해 제조되고, 빔은 Si(50)의 스퍼터링 표적에서 지시되고, 스퍼터링된 원자(60)는 증착의 균일성을 위해 회전식 홀더 위에 복수의 비절단 슬라이더로서 탑재된 리드/라이트 헤드의 회전 가능하게 탑재된 증착 표적(70)에 충돌한다. 마찬가지로, 증착 표적(70)은 홀더 위에 탑재된 자기 기록 매체일 수 있다. 스퍼터링 표적의 중독을 피하고 증착과 관련된 이력현상 효과를 제거하기 위해, 문헌[참조: V. Kousnetsov et al.(미국 특허 제6,296,742호, 이의 전문이 본원에 참조문헌으로 인용된다]에 기재된 바대로 순간 고전력 펄스 이온 공급원을 사용한다. 0.02 내지 2.0의 x 값 및 0.01 내지 1.5의 y 값은 본 발명의 목적을 만족시키는 하층을 형성시킨다. 또한, 증착 공정이 진행되면서 x 및 y는 변하여 하층을 하층 두께의 함수인 조성물로 제조할 수 있다는 것에 주목한다. 이러한 모든 형성에서, 50Å를 초과하지 않는 하층의 전체 두께는 본 발명의 목적을 만족시키는 결과를 생성시킨다. 20Å 미만의 하층 두께가 가장 바람직하다.
제5 바람직한 양태
본 발명의 제5 바람직한 양태는 레이저(20)가 전자기 복사선(80)의 빔을 Si, SiO2 또는 Si3N4 스퍼터링 표적(50)에서 지시할 수 있는 반면, 주입 포트(40)가 O2 및 N2 가스를 0 내지 20sccm의 유속 및 SiOxNy 하층의 목적하는 형태에 따라 상이한 비율의 x/y로 주입되는, 증착 챔버(10)를 포함하는 도 8의 기구를 이용한다. 당해 양태에서, 레이저는 고에너지 레이저, 예를 들면, CO2 레이저, 엑시머 레이저 등일 수 있고, 레이저 빔에 의해 배출된 원자(60)는 증착의 균일성을 위해 회전식 홀더 위에 비절단 슬라이더로서 탑재된 리드/라이트 헤드의 회전 가능하게 탑재된 증착 표적(70)에 충돌한다. 또는, 증착 표적(70)은 자기 기록 매체, 예를 들면, 디스크일 수 있다. 레이저 밀도는 대략 2 내지 5J/㎠일 수 있다. 0.02 내지 2.0의 x 값 및 0.01 내지 1.5의 y 값은 본 발명의 목적을 만족시키는 하층을 형성시킨다. 또한, 증착 공정이 진행되면서 x 및 y는 변하여 하층을 하층 두께의 함수인 조성물로 제조할 수 있다는 것에 주목한다. 이러한 모든 형성에서, 50Å를 초과하지 않는 하층의 전체 두께는 본 발명의 목적을 만족시키는 결과를 생성시킨다. 20Å 미만의 하층 두께가 가장 바람직하다.
제6 바람직한 양태
도 9를 참조하면, 제6 바람직한 양태에 따라 자기 리드/라이트 헤드 위에 보호성 이중층을 형성하는 2단계 공정이 수행된 기구의 사시도가 도시되어 있다. 본 발명의 제6 바람직한 양태는 반응성 이온 빔, 예를 들면, 당해 양태의 Ar+ 빔(20)이 주입되는 증착 챔버(10)를 이용한다. 빔은 RF 공급원(30)에 의해 제조되고 300V 내지 1,200V의 전압에 의해 촉진된다. 빔(20)은 Si 원자가 통상적으로 균일한 증착을 위해 회전식 홀더에 탑재된 복수의 비절단 슬라이더로서 복수의 회전 가능하 게 탑재된 자기 리드/라이트 헤드일 수 있는 회전 가능하게 탑재된 증착 표적(70) 위에 스퍼터링되게 하는 스퍼터링 표적(50)에 충돌한다. 또는, 증착 표적(70)은 위에 증착된 회전 가능하게 탑재된 자기 기록 매체, 예를 들면, 자기 디스크일 수 있다.
Si 스퍼터링된 필름을 리드/라이트 헤드 또는 디스크 위에 증착시킨 후, Si 필름을 SiOxNy 층의 목적하는 형태에 따라 각각 상이한 비율의 O2 및 N2 가스를 갖는 Ar, O2 및 N2 가스(Ar은 캐리어 가스이다)의 플라즈마(90)에 노출시킨다(즉, 이미 증착된 Si 필름의 플라즈마 표면 처리를 구성하는 공정). 플라즈마는 당해 분야에 공지된 수많은 방법, 예를 들면, 이온 빔에 의한 플라즈마 형성, 용량 유도된 플라즈마(CCP)의 형성 및 인가, 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마의 형성 또는 유도 결합 플라즈마(ICP)의 형성 및 인가에 의해 형성 및 인가될 수 있다.
0.02 내지 2.0의 x 값 및 0.01 내지 1.5의 y 값은 본 발명의 목적을 만족시키는 하층을 형성시킨다. 또한, 증착 공정이 진행되면서 x 및 y는 변하여 하층을 하층 두께의 함수인 조성물로 제조할 수 있다는 것에 주목한다. 이러한 모든 형성에서, 50Å를 초과하지 않는 하층의 전체 두께는 본 발명의 목적을 만족시키는 결과를 생성시킨다. 20Å 미만의 하층 두께가 가장 바람직하다.
제7 바람직한 양태
본 발명의 제7 바람직한 양태는 이온 빔, 예를 들면, 당해 양태의 Ar+ 빔(20)이 주입되는 도 9의 증착 챔버(10)를 이용한다. 빔은 RF 공급원(30)에 의해 제조되고 300V 내지 1,200V의 전압에 의해 촉진된다. 빔(20)은 Si 원자가 통상적으로 균일한 증착을 위해 회전식 고정물 위에 복수의 비절단 슬라이더로서 복수의 회전 가능하게 탑재된 자기 리드/라이트 헤드일 수 있는 회전 가능하게 탑재된 증착 표적(70) 위에 스퍼터링되게 하는 스퍼터링 표적(50)에 충돌한다. 또는, 스퍼터링 표적(70)은 자기 매체, 예를 들면, 회전식 홀더 위에 탑재된 자기 디스크이고, 증착은 이 위에 이루어진다.
Si 스퍼터링된 필름을 리드/라이트 헤드 위에 증착시킨 후, 필름을 후속적으로 Ar/O2 가스의 플라즈마(90), 이어서 Ar/N2 가스의 플라즈마 또는, 반대로, Ar/N2 가스, 이어서 Ar/O2 가스의 역순서로 노출시킨다. 이들 플라즈마는 제6 바람직한 양태와 관련하여 상기 기재된 것과 같은 방법, 예를 들면, 이온 빔에 의한 플라즈마 형성, 용량 결합 플라즈마(CCP)의 형성 및 인가, 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마의 형성 또는 유도 결합 플라즈마(ICP)의 형성 및 인가를 사용하여 형성되고, 각각의 플라즈마는 목적하는 형태의 SiOxNy에 따라 상이한 시간 기간 동안 Si 필름에 인가된다. 0.02 내지 2.0의 x 값 및 0.01 내지 1.5의 y 값은 본 발명의 목적을 만족시키는 접착층을 형성시킨다. 또한, 증착 공정이 진행되면서 x 및 y는 변하여 하층을 하층 두께의 함수인 조성물로 제조할 수 있다는 것에 주목한다. 이러한 모든 형성에서, 50Å를 초과하지 않는 층의 전체 두께는 본 발명의 목적을 만족시키는 결과를 생성시킨다. 20Å 미만의 하층 두께가 가장 바람직하다.
바람직한 제8 양태
본 발명의 제8 바람직한 양태는 이온 빔, 예를 들면, 당해 양태의 Ar+ 빔(20)이 주입되는 도 9의 증착 챔버(10)를 이용한다. 빔은 RF 공급원(30)에 의해 제조되고 300V 내지 1,200V의 전압에 의해 촉진된다. 빔(20)은 Si 원자가 통상적으로 균일한 증착을 위해 회전식 고정물 위에 복수의 비절단 슬라이더로서 복수의 회전 가능하게 탑재된 자기 리드/라이트 헤드일 수 있는 회전 가능하게 탑재된 증착 표적(70) 위에 스퍼터링되게 하는 스퍼터링 표적(50)에 충돌한다. 또는, 증착 표적(70)은 자기 매체, 예를 들면, 회전식 홀더 위에 탑재된 자기 디스크이고, 증착은 이 위에 이루어진다.
리드/라이트 헤드 위의 Si 스퍼터링된 필름의 증착은 플라즈마 액침 증착의 형태이다. 즉, 증착은 제6 바람직한 양태와 관련하여 상기 기재된 것과 같은 방법, 예를 들면, 이온 빔에 의한 플라즈마 형성, 용량 결합 플라즈마(CCP)의 형성 및 인가, 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마의 형성 또는 유도 결합 플라즈마(ICP)의 형성 및 인가를 사용하여 형성되고, 목적하는 형태의 SiOxNy에 따라 상이한 비율의 02 및 N2 각각이 챔버(10) 내에 도입되는 Ar, O2 및 N2 가스(100)의 (액침) 플라즈마(90)의 존재하에 수행한다. 0.02 내지 2.0의 x 값 및 0.01 내지 1.5의 y 값은 본 발명의 목적을 만족시키는 하층을 형성시킨다. 또한, 플라즈마 공정이 진행되면서 x 및 y는 변하여 접착층을 층 두께의 함수인 조성물로 제조할 수 있 다는 것에 주목한다. 이러한 모든 형성에서, 50Å를 초과하지 않는 층의 전체 두께는 본 발명의 목적을 만족시키는 결과를 생성시킨다. 20Å 미만의 하층 두께가 가장 바람직하다.
바람직한 제9 양태
도 7을 다시 참조하면, 제9 바람직한 양태에 따라 자기 리드/라이트 헤드 위에 보호성 이중층을 형성하는 2단계 공정이 수행된 기구의 사시도가 도시되어 있다.
본 발명의 제9 바람직한 양태는 반응성 이온 빔, 예를 들면, 당해 양태의 Ar+ 빔(20)이 주입되는 증착 챔버(10)를 이용한다. 빔은 RF 공급원(30)에 의해 제조되고 300V 내지 1,200V의 전압에 의해 촉진된다. 빔(20)은 Si 원자가 통상적으로 균일한 증착을 위해 회전식 고정물 위에 복수의 비절단 슬라이더로서 복수의 회전 가능하게 탑재된 자기 리드/라이트 헤드인 회전 가능하게 탑재된 증착 표적(70) 위에 스퍼터링되게 하는 스퍼터링 표적(50)에 충돌한다. 또는, 증착 표적(70)은 자기 매체, 예를 들면, 이의 증착을 위한 홀더 위에 탑재된 자기 디스크이다.
Si 스퍼터링된 필름을 리드/라이트 헤드 위에 증착시킨 후, Si 필름을 Si 필름의 산화 및 질화가 형태 SiOxNy의 접착력 필름에서 목적하는 값의 x 및 y로 성취될 수 있도록 상이한 x/y 비율에서 및 상이한 시간 기간 동안 챔버(40)에 도입된 O2 및 N2 가스의 분위기에 노출시킨다. 0.02 내지 2.0의 x 값 및 0.01 내지 1.5의 y 값은 본 발명의 목적을 만족시키는 하층을 형성시킨다. 또한, 증착 공정이 접착층을 층 두께의 기능인 조성물로 제조하도록 진행하면서 x 및 y는 변할 수 있다는 것에 주목한다. 이러한 모든 형성에서, 50Å를 초과하지 않는 층의 전체 두께는 본 발명의 목적을 만족시키는 결과를 생성시킨다. 20Å 미만의 하층 두께가 가장 바람직하다.
당해 분야의 숙련된 당업자에게 이해되는 바대로, 본 발명의 바람직한 양태는 본 발명을 제한하기보다는 본 발명을 예시하는 것이다. 본 발명에 따라 첨부된 청구의 범위에 한정된 바대로 형성된 이러한 보호성 층을 제공하면서, 자기 리드/라이트 헤드 위에 보호성 층이 형성되는 방법, 공정, 재료, 구조 및, 부피에 변경 및 변화를 줄 수 있다.
본 발명의 목적, 특징 및 이점은 하기 기재된 바대로 바람직한 양태의 설명의 문맥 내에서 이해된다. 바람직한 양태의 설명은 첨부된 도면의 문맥 내에서 이해된다
도 1은 리드/라이트 헤드 및 이의 보호성 피막의 형성에 사용된 재료의 몇몇 관련 특성이 기재된 표이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 보호성 이중층을 형성하는 단계가 요약된 도식적 흐름도이다.
도 3에는 선행 기술의 보호성 층 및 본 발명의 보호성 층에 대한 부식 속도의 비교가 제시되어 있다.
도 4에는 본 발명에서 사용된 부재의 원자 반경이 도시되어 있다.
도 5에는 선행 기술의 보호성 층과 관련된 팝콘 노이즈와 본 발명의 보호성 층과 관련된 팝콘 노이즈 사이의 비교가 도시되어 있다.
도 6은 리드/라이트 헤드와 자기 디스크 사이의 계면의 도식적 설명도이고, 각각은 본 발명의 이중층으로 보호된다.
도 7은 이온 빔 스퍼터링, 집속 이온 빔 스퍼터링 또는 펄스 이온 빔 스퍼터링을 사용한 본 발명의 바람직한 양태의 도식적 설명도이다.
도 8은 고에너지 레이저를 사용한 본 발명의 바람직한 양태의 도식적 설명도이다.
도 9는 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 매체 위에 스퍼터링된 Si 필름이 Ar/N2 플라즈마 및 Ar/02 플라즈마를 포함하는 순서(또는 이의 반대 순서)로 혼합된 Ar/O2/N2 플라즈마[이때, 이러한 플라즈마는 유도 결합 플라즈마(ICP), 용량 결합 플라즈마(CCP) 또는 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마로서 인가된다]에 노출된 본 발명의 바람직한 양태의 도식적 설명도가다.
Claims (34)
- 리드/라이트 헤드(read/write head) 또는 기록 매체 및SiOxNy의 층으로서 헤드 또는 기록 매체의 세정된 기판 표면 위에 형성된 하층(underlayer)과 당해 하층 위에 형성된 DLC 외층(out layer)을 추가로 포함하는, 헤드 또는 기록 매체 위에 형성된 보호성 이중층을 포함하는, 보호된 자기 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체.
- 제1항에 있어서, x가 대략 0.02 내지 2.0이고, y가 대략 0.01 내지 1.5인, 보호된 리드/라이트 헤드 또는 기록 매체.
- 제1항에 있어서, 하층이 대략 50Å 미만의 두께로 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드 또는 기록 매체.
- 제1항에 있어서, 하층이 대략 20Å 미만의 두께로 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드 또는 기록 매체.
- 제1항에 있어서, x 및 y가 하층 두께의 함수로서 변하는, 보호된 리드/라이트 헤드 또는 기록 매체.
- 제1항에 있어서, 하층이 스퍼터링, 플라즈마 이온주입, 플라즈마 이온주입 증착, 플라즈마 화학기상증착, 전자회전공명 플라즈마 증착 또는 반응성 펄스 레이저 증착 공정에 의해 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드 또는 기록 매체.
- 제1항에 있어서, 하층이 접착증진성 및 내부식성 둘 다인, 보호된 리드/라이트 헤드 또는 기록 매체.
- 리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 매체를 제공하는 단계,리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체의 적절한 표면을 세정하는 단계,화학식 SiOxNy의 하층을 표면 위에 형성하는 단계 및DLC 층을 하층 위에 형성하는 단계를 포함하는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제8항에 있어서, x가 대략 0.02 내지 2.0이고, y가 대략 0.01 내지 1.5인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제8항에 있어서, 하층이회전식 홀더, 스퍼터링 표적, 반응성 이온 빔을 선택된 에너지에서 주입하고 이온을 스퍼터링 표적에 지시하기 위한 기구 및 다양한 가스를 선택된 유속에서 주입하고 가스를 목적하는 상대 농도에서 챔버 내에 유지시키기 위한 기구를 포함하는 진공 증착 챔버를 제공하는 단계,리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체를 홀더 위에 탑재시키는 단계,이온 빔을 Si, SiO2 또는 Si3N4의 스퍼터링 표적에 지시하는 단계 및O2 가스 및 N2 가스를 각각 상대 농도 x 및 y에서 도입하면서 반응성 이온을 표적에 충돌시킴으로써, SiOxNy의 하층을 리드/라이트 헤드 또는 복수의 리드/라이트 헤드 위에 형성시키는 단계를 포함하는 공정에 의해 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제10항에 있어서, 반응성 이온 빔이, 빔을 대략 600V 내지 1,200V의 전압을 통해 송신시킴으로써 형성된 Ar+ 이온 빔인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제10항에 있어서, 반응성 이온 빔이, 스퍼터링 표적의 중독을 피하고 이력현상을 제거하도록 인가된 고에너지 주사 집속 이온 빔인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제10항에 있어서, 반응성 이온 빔이 스퍼터링 표적의 중독을 피하도록 인가된 순간 고전력 펄스 이온 공급원인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제10항에 있어서, x 및 y가 하층이 형성됨에 따라서 변하는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제10항에 있어서, 하층이 대략 50Å 미만의 두께로 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제8항에 있어서, 하층이회전식 홀더, 스퍼터링 표적, 전자기 복사선의 고에너지 펄스 빔을 스퍼터링 표적에 지시하기 위한 기구 및 다양한 가스를 선택된 유속에서 도입하고 가스를 목적하는 상대 농도에서 챔버 내에 유지시키기 위한 기구를 포함하는 진공 증착 챔버를 제공하는 단계,리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체를 홀더 위 에 탑재시키는 단계,전자기 복사선을 Si의 스퍼터링 표적에 지시하는 단계 및O2 가스 및 N2 가스를 선택된 농도에서 주입하면서 전자기 복사선을 표적에 충돌시킴으로써, SiOxNy의 하층을 리드/라이트 헤드 또는 복수의 리드/라이트 헤드 위에 형성시키는 단계를 포함하는 공정에 의해 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제16항에 있어서, Ar이 02 및 N2 주입 공정 동안 캐리어 가스로서 사용되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제16항에 있어서, x 및 y가 하층이 형성됨에 따라서 변하는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제16항에 있어서, 하층이 대략 50Å 미만의 두께로 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제16항에 있어서, 레이저가 CO2 레이저 또는 엑시머 레이저인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제16항에 있어서, 복사선의 고에너지 빔이 대략 2 내지 5J/㎠의 에너지 플루언스를 갖는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제8항에 있어서, 하층이회전식 홀더, 스퍼터링 표적, 반응성 이온 빔을 선택된 에너지에서 주입하고 이온을 스퍼터링 표적에 지시하기 위한 기구 및 O2 가스와 N2 가스와의 혼합물로 이루어진 플라즈마를 선택된 농도에서 챔버 내에 형성하기 위한 기구를 포함하는 진공 증착 챔버를 제공하는 단계,리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체를 홀더 위에 탑재시키는 단계,반응성 이온 빔을 Si의 스퍼터링 표적에 지시함으로써, Si 층을 리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체 위에 형성하는 단계 및Si 층의 형성에 후속적으로, O2 가스 및 N2 가스의 플라즈마를 선택된 농도에서 형성하는 단계[이때, Si 층은 선택된 시간 기간 동안 플라즈마 속에 액침됨으 로써, SiOxNy의 하층을 리드/라이트 헤드 또는 복수의 리드/라이트 헤드 위에 형성한다]를 포함하는 공정에 의해 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제22항에 있어서, Ar이 02 및 N2 플라즈마 형성 공정 동안 캐리어 가스로서 사용되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제22항에 있어서, 반응성 이온 빔이, 빔을 대략 600V 내지 1,200V의 전압을 통해 송신시킴으로써 형성된 Ar+ 이온 빔인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제22항에 있어서, 플라즈마가 Ar/O2 플라즈마 인가 및 이어서 Ar/N2 플라즈마 인가를 포함하는 순서[이때, 각각의 인가는 상이한 시간 기간에서 존재한다] 또는 Ar/N2 플라즈마 인가 및 이어서 Ar/O2 플라즈마 인가를 포함하는 순서[이때, 각각의 인가는 상이한 시간 기간에서 존재한다]로 인가되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제22항에 있어서, 플라즈마가 이온 빔 플라즈마, ECR 플라즈마, ICP 또는 CCP인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제8항에 있어서, 하층이회전식 홀더, 스퍼터링 표적, 반응성 이온 빔을 선택된 에너지에서 주입하고 이온을 스퍼터링 표적에 지시하기 위한 기구 및 O2 가스와 N2 가스와의 혼합물로 이루어진 플라즈마를 선택된 농도에서 챔버 내에 형성하기 위한 기구를 포함하는 진공 증착 챔버를 제공하는 단계,리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체를 홀더 위에 탑재시키는 단계,반응성 이온 빔을 Si의 스퍼터링 표적에 지시함으로써, Si 층을 리드/라이트 헤드 또는 복수의 리드/라이트 헤드 위에 형성하는 단계 및O2 가스 및 N2 가스의 플라즈마를 선택된 농도에서 형성하는 단계[이때, Si 층은 플라즈마 속에 액침되면서 층이 형성되고, SiOxNy의 하층을 리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체 위에 형성한다]를 포함하는 공정에 의해 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제27항에 있어서, Ar이 02 및 N2 플라즈마 형성 공정 동안 캐리어 가스로서 사용되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제27항에 있어서, 반응성 이온 빔이, 빔을 대략 600V 내지 1,200V의 전압을 통해 송신시킴으로써 형성된 Ar+ 이온 빔인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제27항에 있어서, 플라즈마가 이온 빔 플라즈마, ECR 플라즈마, ICP 또는 CCP인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제8항에 있어서, 하층이회전식 홀더, 스퍼터링 표적, 반응성 이온 빔을 선택된 에너지에서 주입하고 이온을 스퍼터링 표적에 지시하기 위한 기구 및 다양한 가스를 주입하고 가스의 분위기를 선택된 상대 농도에서 챔버 내에 유지시키기 위한 기구를 포함하는 진공 증착 챔버를 제공하는 단계,리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체를 홀더 위에 탑재시키는 단계,반응성 이온 빔을 Si의 스퍼터링 표적에 지시함으로써, Si 층을 리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체 위에 형성하는 단계 및O2 가스 및 N2 가스의 분위기를, Ar을 캐리어 가스로서 사용하여, 선택된 상대 농도에서 형성하는 단계[이때, O2 가스는 Si 층을 산화시키고 N2 가스는 Si 층을 질화시킴으로써, SiOxNy의 하층을 리드/라이트 헤드, 복수의 리드/라이트 헤드 또는 자기 기록 매체 위에 형성한다]를 포함하는 공정에 의해 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제31항에 있어서, 반응성 이온 빔이, 빔을 대략 600V 내지 1,200V의 전압을 통해 송신시킴으로써 형성된 Ar+ 이온 빔인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제8항에 있어서, DLC 층이 IBD, PECVD 또는 FCVA로 형성되는, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방법.
- 제8항에 있어서, 하층이 접착증진성 및 내부식성 둘 다인, 보호된 리드/라이트 헤드, 복수의 보호된 리드/라이트 헤드 또는 보호된 자기 기록 매체의 형성방 법.
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