KR20080068316A - 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 - Google Patents

마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 Download PDF

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KR20080068316A
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윤수완
채종철
신경주
양성훈
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삼성전자주식회사
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Abstract

마스크는 제1 투명기판, 차광막, 제2 투명기판 및 반투과막을 포함한다. 상기 차광막은 상기 제1 투명기판의 제1 면 상에 형성되고, 입사된 광을 차단한다. 상기 제2 투명기판은 상기 제1 투명기판 하부에 배치된다. 상기 반투과막은 상기 제1 면에 대향하는 상기 제2 투명기판의 제2 면 상에 형성되고, 입사된 광의 일부만을 투과시킨다. 따라서, 마스크의 제조비용을 절감할 수 있다.
마스크, 제1 투명기판, 제2 투명기판, 차광막, 반투과막

Description

마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법{MASK AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY SUBSTRATE USING THE MASK}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마스크를 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법을 도시한 공정도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 액정표시장치 200 : 마스크
210 : 제1 투명기판 220 : 차광막
230 : 제2 투명기판 240 : 반투과막
본 발명은 마스크 및 표시기판의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 차광막 및 반투과막이 독립적으로 형성된 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치는 영상을 표시하는 액정표시패널을 포함한다. 상기 액정표시패널은 박막트랜지스터가 형성되어 있는 표시 기판, 컬러필터층이 형성되 어 있는 컬러필터 기판 및 상기 표시 기판과 컬러필터 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함한다.
상기 표시기판은 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 소정의 막을 형성한 후, 상기 막을 일정한 전기적 특성을 갖는 패턴으로 패터닝함으로써 제조된다. 상기 패턴은 막 형성, 포토리소그래피, 식각 및 이온주입 등과 같은 공정들의 순차적 또는 반복적 수행에 의해 형성된다. 상기 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하고, 이를 경화시키는 공정, 상기 포토레지스트 막을 원하는 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위하여 소정 부위를 제거하는 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.
상기 노광 공정은 노광 마스크를 이용하여 기판 상에 형성된 포토레지스트 막을 선택적으로 노광함으로써 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분의 포토레지스트 막을 다중체로 형성하거나 다중체를 끊어주는 공정이다. 상기 노광 공정 후, 현상 공정에 의하여 상기 포토레지스트 막의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분을 제거함으로써 포토레지스트 패턴이 형성된다.
상기 노광 마스크는 일반적으로 개구 패턴, 차광 패턴 및 반투과 패턴을 포함한다. 이러한 노광 마스크의 패턴들은 미세하므로, 제조하기가 어렵고 제조비용이 높은 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 차광막 및 반투과막이 독립적으로 형성된 마스크 및 이를 이 용한 표시기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 마스크는 제1 투명기판, 차광막, 제2 투명기판 및 반투과막을 포함한다. 상기 차광막은 상기 제1 투명기판의 제1 면 상에 형성되고, 입사된 광을 차단한다. 상기 제2 투명기판은 상기 제1 투명기판 하부에 배치된다. 상기 반투과막은 상기 제1 면에 대향하는 상기 제2 투명기판의 제2 면 상에 형성되고, 입사된 광의 일부만을 투과시킨다.
상기 차광막은 다수의 차광 패턴들을 포함할 수 있고, 상기 반투과막은 다수의 반투과 패턴들을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 반투과 패턴들은 인접하는 상기 차광 패턴들 사이에 각각 배치될 수 있다. 또한, 상기 각 반투과 패턴의 가장자리는 상기 차광 패턴들 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시기판의 제조방법은 기판 상에 게이트 배선 및 게이트 전극을 포함하는 제1 금속패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 금속패턴 상에 게이트 절연막, 채널층, 금속층 및 포토레지스트막을 순차적으로 형성하는 단계, 제1 투명기판, 상기 제1 투명기판의 제1 면 상에 형성되어 입사된 광을 차단하는 차광막, 상기 제1 투명기판 하부에 배치된 제2 투명기판 및 상기 제1 면에 대향하는 상기 제2 투명기판의 제2 면 상에 형성되어 입사된 광의 일부만을 투과시키는 반투과막을 포함하는 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트막을 패터닝하는 단계 및 패터닝된 상기 포토레지스트막을 이용하여 상기 금속층 및 채널층을 식각하여 소스전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 제2 금속패턴을 형성하는 단계를 포 함한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예를 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예들을 설명하기 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 “포함한다(comprise)” 및/또는 “포함하는(comprising)”은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자에 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한 본 명세서에서 층 또는 막의 “위”,”상”,”상부” 또는 “아래”,”하부”로 지칭되는 것은 중간에 다른 층 또는 막을 개재한 경우를 포함한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 “중첩”은 하부 구조물과 상부 구조물이 서로 공통된 중심을 갖고 겹쳐져 있는 형상을 나타내고, 하부 구조물과 상부 구조물 사이에 다른 구조물이 개재한 경우를 포함하며, 상부 구조물과 하부 구조물 중 어느 하나의 구조물은 다른 구조물에 완전히 겹쳐지는 것을 의미한다. 또한 본 명세서 에서 사용되는 용어에 대해 다른 정의가 없다면, 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마스크를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 마스크(200)는 제1 투명기판(210), 차광막(220), 제2 투명기판(230), 반투과막(240)을 포함한다.
상기 제1 투명기판(210)은 투명한 재질로 형성된다. 일례로 상기 제1 투명기판(210)은 석영으로 형성될 수 있다.
상기 차광막(220)은 상기 제1 투명기판(210)의 제1 면(211) 상에 형성된다. 상기 차광막(220)은 상기 마스크(200)에 입사된 광을 차단하여, 이에 대응하는 포토레지스트(미도시)에 광이 조사되지 않도록 한다. 일례로 상기 차광막(220)은 크롬 또는 크롬합금으로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 차광막(220)은 다수의 차광 패턴들(221, 222, 223)을 포함할 수 있다. 상기 다수의 차광패턴들(121, 122, 123)은 서로 이격되어 배치된다. 상기 차광 패턴들(221, 222, 223)의 이격 간격 및 형상 등은 다양하게 변경될 수 있다. 상기 제1 투명기판(210)에 입사한 광 중 상기 차광 패턴들(221, 222, 223)이 형성된 영역으로 입사된 광은 차광되고, 상기 차광 패턴들(221, 222, 223)이 형성되지 않은 영역으로 입사된 광은 거의 대부분 투과된다.
상기 제2 투명기판(230)은 상기 제1 투명기판(210)과 동일하게 투명한 재질로 형성된다. 상기 제2 투명기판(230)은 상기 제1 투명기판(210) 상에 배치된다.
상기 반투과막(240)은 상기 제2 투명기판(230)의 일면에 형성된다. 일례로, 상기 반투과막(240)은 상기 제1 투명기판(210)의 제1 면(211)에 대향하는 상기 제2 투명기판(230)의 제2 면(231) 상에 형성된다. 상기 반투과막(240)은 입사된 광의 일부는 차단하고 일부는 투과시키는 반투과 물질로 형성된다. 일례로, 상기 반투과막(240)은 몰리브덴 실리콘(MoSi)으로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 반투과막(240)은 서로 이격되어 배치된 다수의 반투과 패턴들(241, 242)을 포함할 수 있다. 상기 반투과패턴들(241,242)의 이격 간격 및 형상 등은 다양하게 변경될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 마스크(200)는 상기 차광막(220) 및 반투과막(240)에 의하여 입사된 광을 차단하는 차광 영역(R1), 입사된 광의 일부만을 투과시키는 반투과 영역(R2) 및 입사된 광을 전부 투과시키는 투과 영역(R3)이 정의된다. 구체적으로, 차광막(220)이 형성된 영역으로 입사한 광은 차단되고, 반투과막(240)이 형성된 영역으로 입사한 광은 일부는 차단되고 일부는 투과되며, 차광막 및 반투과막(220, 240)이 형성되지 않는 영역으로 입사한 광은 전부 투과된다. 따라서, 상기 차광 영역(R1), 반투과 영역(R2) 및 투과 영역(R3)은 제1 투명기판(210) 상에 형성된 차광패턴들(221, 222, 223)과 제2 투명기판(230) 상에 형성된 반투과 패턴들(241, 242) 간의 상대적 위치에 의하여 정하여진다. 즉, 차광 패턴들(221, 222, 223)이 형성된 영역은 차광 영역(R1)으로 정의되고, 반투과 패턴들(241, 242)만 형 성된 영역은 반투과 영역(R2)으로 정의되며, 차광 패턴(221, 222, 223) 및 반투과 패턴(241, 242)이 형성되지 않은 영역은 투과 영역(R3)으로 정의된다.
차광 영역(R1) 사이에 배치된 반투과 영역(R2)을 형성하고자 하는 경우, 반투과 패턴(241, 242)의 양쪽 가장자리는 인접하는 차광 패턴들(221, 222, 223)과 오버랩(overlap)되도록 배치되는 것이 바람직하다.
도 2 내지 도 10은 본 발명에 따른 마스크를 이용한 표시 기판의 제조 방법을 도시한 공정도들이다. 이때, 상기 공정도들은 상기 도 2의 I-I'선을 따라 절단한 면을 이용하여 도시하였다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 베이스 기판(110)위에 금속층(미도시)을 형성한 다. 상기 금속층(미도시)은 예를 들면, 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타튬, 텅스텐, 구리, 은 등의 금속 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있으며, 스퍼터링 공정에 의해 증착된다. 또한, 상기 금속층은 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 층으로 형성될 수 있다.
이어서, 제1 마스크(MASK1)를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 금속층(미도시)을 식각하여 게이트 배선(GL), 스토리지 배선(STL) 및 게이트 전극(120)을 포함하는 제1 금속패턴을 형성한다. 상기 게이트 배선(GL)은 제1 방향으로 연장되어 형성되고, 상기 게이트 전극(120)은 상기 게이트 배선(GL)으로부터 연결되어 있다. 상기 스토리지 배선(STL)은 상기 게이트 배선(GL)들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되어 형성된다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 금속패턴이 형성된 베이스 기판(110) 상에 플라 즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 방법을 이용하여 게이트 절연막, 활성층 및 오믹 콘택층을 순차적으로 형성한다. 상기 게이트 절연막은 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성될 수 있고, 상기 활성층은 아몰퍼스 실리콘(a-Si:H)으로 형성될 수 있으며, 상기 오믹 콘택층은 n+이온이 고농도로 도핑되어 형성될 수 있다.
이어서, 상기 오믹 콘택층(140b) 상에 금속층(150)을 적층한다. 일례로서 상기 금속층(150)은 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타튬, 텅스텐, 구리, 은 등의 금속 또는 이들의 합금등으로 형성될 수 있으며, 스퍼터링 공정에 의해 증착될 수 있다. 또한, 상기 금속층은 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 금속층(150) 전면에는 사진 식각 공정을 위한 포토레지스트막(PR)을 도포된다. 일례로서 상기 포토레지스트 막(PR)은 노광된 영역이 현상액에 의해 제거되는 포지티브 포토레지스트로 형성될 수 있다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 상기 포토레지스트 막(PR) 상에 제2 마스크(MASK2)를 배치한다. 제2 마스크(MASK 2)는 제1 투명기판(10), 차광막(20), 제2 투명기판(30) 및 반투과막(40)을 포함한다. 상기 차광막(20)은 상기 제1 투명기판(10)의 제1 면(11)에 형성되고, 입사된 광을 차단한다. 상기 차광막(20)은 서로 이격되어 배치된 다수의 차광 패턴들(21, 22, 23)은 포함한다. 상기 반투과막(40)은 상기 제1 면(11)에 대향하는 상기 제2 투명기판(30)의 제2 면(31)에 형성되고, 입사된 광의 일부는 차단하고 일부는 투과시킨다. 상기 반투과막(40)은 서로 이격 되어 배치된 다수의 반투과 패턴들(40)을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 제2 마스크(MASK2)는 상기 차광 패턴들(21, 22, 23) 및 반투과 패턴들(40)의 상대적인 위치에 의하여 입사된 광이 전부 차단되는 차단 영역, 입사된 광의 일부만이 투과되는 반투과 영역 및 입사된 광이 전부 투과되는 투과 영역이 정의된다.
상기 제2 마스크(MASK2)에 의해 노광된 포토레지스트 막(PR)을 현상하면, 상기 투과 영역에 대응하는 포토레지스트 막의 영역은 모두 용해되고, 상기 반투과 영역에 대응하는 포토레지스트 막의 영역은 일부만이 용해되며, 상기 차광 영역에 대응하는 포토레지스트 막의 영역은 용해되지 않는다. 따라서, 상기 차광영역에 대응하는 포토레지스트 막의 영역에는 현상하기 전의 포토레지스트 막과 동일한 두께의 제1 패턴부(12)가 형성된다. 상기 제1 패턴부(12)는 소스 배선(DL)과, 스위칭 소자(TFT)의 소스 전극(154) 및 드레인 전극(156)을 패터닝하기 위하여 형성하는 영역이다.
상기 반투과 영역에서는 일부광이 투과되므로, 상기 제1 패턴부(12)보다 얇은 두께의 제2 패턴부(14)가 형성된다. 따라서, 상기 제1 패턴부(12)와 상기 제2 패턴부(14) 사이에는 단차가 형성된다. 상기 제2 패턴부(14)는 스위칭 소자(TFT)의 채널부(142)를 패터닝하기 위하여 형성하는 영역이다.
한편, 상기 차광 영역과 상기 반투과 영역이 인접하는 경계부에서는 빛이 회절 및 산란되므로 상기 반투과부(30)의 중앙부에서 보다 노광율이 감소한다. 따라서, 노광된 포토레지스트막(PR)을 현상하면 상기 제2 패턴부(14)와 제1 패턴부(12) 의 단차가 뚜렷하게 형성되지 않고, 점진적으로 변화한다.
한편, 상기 제2 패턴부(14)는 스위칭 소자(TFT)의 채널부(142)를 패터닝하기 위한 영역이므로, 상기 제2 패턴부(14)를 이용하여 충분한 폭을 갖는 채널부(142)를 형성할 수 있다. 또한, 상기 제2 패턴부(14)를 이용하므로써, 전체적으로 균일한 폭을 갖는 채널부(142)를 형성할 수 있다.
이어서, 상기 제1 및 제2 패턴부(12,14)를 경화시키는 열경화 공정을 수행한다. 이때, 상기 포지티브 포토레지스트는 열에 의해 소정의 유동성을 갖게 되므로 상기 제1 패턴부(12)가 상기 제2 패턴부(14)로 흘러내리는 리플로우 현상이 나타날 수 있다. 리플로우 현상이 나타날 경우, 상기 제2 패턴부(14)의 폭이 감소하고 두께가 증가한다. 따라서, 상기 포토레지스트막을 포티지브 포토레지스트로 형성할 경우, 리플로우 현상을 최소화 할 수 있는 고내열성 포토레지스트를 이용하는 것이 바람직하다.
도 2 및 도 6을 참조하면, 상기 제1 및 제2 패턴부(12,14)를 이용하여 상기 금속층(150)을 습식 식각한다. 이에 따라, 소스 배선(DL) 및 전극 패턴(152)이 형성된다. 상기 소스 배선(DL)은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된다. 따라서, 상기 베이스 기판(110)위에는 제1 방향으로 연장된 게이트 배선(GL)들과 제2 방향으로 연장된 소스 배선(DL)들에 의해 복수의 화소부(P)가 정의된다.
상기 전극 패턴(152)은 상기 소스 배선(DL)으로부터 연결되며, 상기 게이트 전극(120) 및 스토리지 배선(STL)과 소정 영역 중첩되도록 형성된다. 상기 전극 패턴(152)은 스위칭 소자(TFT)의 소스 전극(154) 및 드레인 전극(156)을 형성하기 위 한 패턴이다.
이어서, 상기 전극 패턴(152) 및 소스 배선(DL)을 식각 마스크로 하여 상기 활성층(140a) 및 오믹 콘택층(140b)을 식각한다. 일례로서 상기 활성층(140a) 및 오믹 콘택층(140b)의 식각은 건식 식각으로 진행될 수 있다. 이에 따라, 상기 전극패턴(152) 및 소스 배선(DL)과 동일하게 패터닝된 채널층(140)이 형성된다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 제1 및 제2 패턴부(12,14)의 일정 두께를 제거하는 제1 애싱 공정을 수행한다. 이에 따라, 상기 제1 패턴부(12) 보다 얇은 두께로 형성되었던 상기 제2 패턴부(14)는 제거되고, 상기 제1 패턴부(12)는 소정두께로 잔류한다. 상기 제2 패턴부(14)가 제거된 영역에는 상기 전극패턴(152)이 노출된다.
도 1 및 도 8을 참조하면, 잔류하는 상기 제1 패턴부(12)를 식각 마스크로 하여 상기 전극패턴(152)을 식각한다. 일례로서 상기 전극패턴(152)의 식각은 습식 식각으로 진행될 수 있다. 이에 따라, 스위칭 소자(TFT)의 소스 전극(154) 및 상기 소스 전극(154)으로부터 소정간격 이격된 드레인 전극(156)이 형성된다. 상기 드레인 전극(156)은 상기 스토리지 배선(STL)과 소정 영역 중첩되도록 형성된다.
이어서, 상기 제1 패턴부(12), 상기 소스 전극(154) 및 드레인 전극(156)을 식각 마스크로 하여 상기 오믹 콘택층(140b)을 식각한다. 일례로서 상기 오믹 콘택층의 식각은 건식 식각으로 진행될 수 있다. 이에 따라, 상기 소스 전극(154)과 상기 드레인 전극(156) 사이에서 활성층(140a)을 노출시키는 채널부(142)가 형성된다.
이어서, 산소 플라즈마를 이용한 제2 애싱 공정을 수행하여, 상기 소스 전극(154) 및 드레인 전극(156) 위에 잔류하는 상기 제1 패턴부(12)를 제거한다.
도 9를 참조하면, 상기 스위칭 소자(TFT)가 형성된 게이트 절연막(130) 위에 패시베이션 막(160)을 도포한다. 일례로서 상기 패시베이션 막(160)은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)으로 형성할 수 있으며, 플라즈마 화학 기상 증착 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 이어서, 제3 마스크(MASK 3)를 이용한 사진 식각 공정을 수행하여 상기 드레인 전극(156)의 일부를 노출시키는 콘택홀(162)을 형성한다.
도 10을 참조하면, 상기 콘택홀(162)이 형성된 패시베이션 막(160) 위에 투명한 도전성 물질을 도포한다. 일례로서 상기 투명한 도전성 물질은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어질 수 있다. 이어서, 제4 마스크(MASK 4)를 이용하여 상기 투명한 도전성 물질(미도시)을 사진 식각한다. 이에 따라, 상기 콘택홀(162)을 통해 상기 드레인 전극(156)과 전기적으로 접촉하는 화소 전극(170)이 형성된다.
한편, 도 9 내지 도 10에서는 제3 마스크 및 제4 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 패시베이션막 및 화소 전극을 형성하였으나, 상기 패시베이션막 및 화소 전극은 1 매의 마스크를 이용하여 형성할 수도 있다.
이상에서 상세하게 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 제1 투명기판의 일면에 차광막을 형성하고, 제2 투명기판의 일면에 반투과막을 형성함으로써 하프톤 마스크(half tone mask)를 용이하게 제조할 수 있고, 또한, 상기 마스크의 제조비용을 절감할 수 있게 된다. 그 외에도, 액정표시장치의 제조 시간을 절감할 수 있으며, 액정표시장치의 제조비용을 줄일 수 있게 된다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. 제1 투명기판;
    상기 제1 투명기판의 제1 면 상에 형성되고, 입사된 광을 차단하는 차광막;
    상기 제1 투명기판 하부에 배치된 제2 투명기판; 및
    상기 제1 면에 대향하는 상기 제2 투명기판의 제2 면 상에 형성되고, 입사된 광의 일부만을 투과시키는 반투과막을 포함하는 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차광막은 다수의 차광 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반투과막은 다수의 반투과 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반투과 패턴들은 인접하는 상기 차광 패턴들 사이에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  5. 제4항에 있어서, 상기 각 반투과 패턴의 가장자리가 상기 차광 패턴들 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  6. 기판 상에 게이트 배선 및 게이트 전극을 포함하는 제1 금속패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 금속패턴 상에 게이트 절연막, 채널층, 금속층 및 포토레지스트막을 순차적으로 형성하는 단계;
    제1 투명기판, 상기 제1 투명기판의 제1 면 상에 형성되어 입사된 광을 차단하는 차광막, 상기 제1 투명기판 하부에 배치된 제2 투명기판 및 상기 제1 면에 대향하는 상기 제2 투명기판의 제2 면 상에 형성되어 입사된 광의 일부만을 투과시키는 반투과막을 포함하는 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트막을 패터닝하는 단계; 및
    패터닝된 상기 포토레지스트막을 이용하여 상기 금속층 및 채널층을 식각하여 소스전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 제2 금속패턴을 형성하는 단계를 포함하는 표시기판의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 차광막은 다수의 차광 패턴들을 포함하고, 상기 반투과막은 인접하는 상기 차광패턴들 사이에 각각 배치된 다수의 반투과 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
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