KR20080065221A - 화상센서소자용 전기적인 조립체 및 그 제조방법 - Google Patents

화상센서소자용 전기적인 조립체 및 그 제조방법

Info

Publication number
KR20080065221A
KR20080065221A KR1020070068980A KR20070068980A KR20080065221A KR 20080065221 A KR20080065221 A KR 20080065221A KR 1020070068980 A KR1020070068980 A KR 1020070068980A KR 20070068980 A KR20070068980 A KR 20070068980A KR 20080065221 A KR20080065221 A KR 20080065221A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive layer
lower substrate
pad
sidewall
electrically connected
Prior art date
Application number
KR1020070068980A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100903824B1 (ko
Inventor
텡-셍 첸
파이-춘 피터 즁
츄-한 린
신-창 시웅
Original Assignee
비스에라 테크놀러지스 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비스에라 테크놀러지스 컴퍼니 리미티드 filed Critical 비스에라 테크놀러지스 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20080065221A publication Critical patent/KR20080065221A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100903824B1 publication Critical patent/KR100903824B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02371—Disposition of the redistribution layers connecting the bonding area on a surface of the semiconductor or solid-state body with another surface of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05005—Structure
    • H01L2224/05008—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body, e.g.
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05541—Structure
    • H01L2224/05548—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05569—Disposition the external layer being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

화상센서소자용 패키지 모듈을 개시한다. 패키지 모듈은 하부기판과 상부기판 사이에 위치한 소자칩을 포함한다. 제 1 전도층은 하부기판의 제 1 측벽에 설치되고 소자칩으로부터 절연된다. 제 1 보호층은 제 1 전도층에 있고, 하부기판의 제 1 측벽에 있는 제 1 전도층의 일부를 노출한다. 제 1 패드는 하부기판의 바닥면에 있고 제 1 전도층에 전기적으로 연결된다. 본 발명은 또한 화상센서소자용 전기적인 조립체와 그것의 제조방법을 개시한다.

Description

화상센서소자용 전기적인 조립체 및 그 제조방법{ELECTRONIC ASSEMBLY FOR IMAGE SENSOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 화상 센서 기술에 관한 것이고, 더 자세하게는 전자파 장해[electromagnetic interference(EMI)] 차폐장치(shielding)를 갖춘 화상센서소자용 전기적인 조립체 및 패키지 모듈(package module)에 관한 것이다.
전하 결합 소자[Charge Coupled Devices(CCD)]와 상보성 금속 산화막 반도체[Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS)] 화상센서소자는 디지털 화상 기기(digital imaging applications)에 널리 사용된다. 화상 캡쳐(image capture) 기술은 디지털 카메라, 디지털 비디오 레코더, 화상 캡처가 가능한 휴대폰, 그리고 모니터와 같은 화상센서소자를 적용한 장치의 확산(proliferation)으로 인하여 소비자들에게 잘 알려져 있다.
대표적인 화상센서소자는 화소 다이오드의 배열(array of pixel diodes), 제어 회로, 아날로그 디지털 변환기(analogue to digital converter), 그리고 증폭기(amplifier)를 포함한다. 이들 장치가 카메라 모듈이나 인쇄 회로 기판[Printed Circuit Board(PCB)]에 센서소자로서 동일 칩(chip) 상에 있는지 여부와 관계없이 전자파 복사(electromagnetic radiation)로부터 발생하는 전자파 장해(EMI)에 대한 보호장치는 설계 과제이다. 만약 전자파 장해 보호장치(EMI protection)가 패키지 모듈이나 화상센서소자의 전기적인 조립체로 설계되지 않는다면 성능은 악화될 것이다(suffer).
전자파 장해[electromagnetic interference(EMI)] 차폐장치(shielding)를 갖춘 화상센서소자용 전기적인 조립체 및 패키지 모듈(package module)을 제공하는데 있다.
상세한 설명은 도면을 참조한 실시예로 다음과 같이 기술된다. 화상센서소자용 패키지 모듈, 화상센서소자용 전기적인 조립체 및 그것의 제조 방법이 제공된다. 화상센서소자용 패키지 모듈의 실시예는 하부기판과 상부기판 사이에 위치된 소자칩을 포함한다. 제 1 전도층은 하부기판의 제 1 측벽(sidewall)에 설치되고, 소자칩으로부터 절연된다. 제 1 보호층은 제 1 전도층 위에 위치되고, 하부기판의 제 1 측벽에 있는 제 1 전도층의 일부를 노출한다(expose). 제 1 패드(pad)는 하부기판의 바닥면에 위치되고, 제 1 전도층에 전기적으로 연결된다.
화상센서소자용 전기적인 조립체의 실시예는 렌즈 세트, 패키지 모듈, 불투명(opaque) 전도층을 포함한다. 렌즈 세트는 패키지 모듈에 설치된다. 패키지 모듈은 하부기판 및 상부기판과 그것들 사이에 위치된 소자칩을 포함한다. 제 1 전도층은 하부기판의 제 1 측벽에 위치되고, 소자칩으로부터 절연된다. 제 1 보호층은 제 1 전도층에 위치되고, 하부기판의 제 1 측벽에 있는 제 1 전도층의 일부분을 노출한다. 제 1 패드(pad)는 하부기판의 바닥면에 위치되고, 제 1 전도층에 전기적으로 연결된다. 불투명 전도층은 렌즈 세트의 측벽에 위치되고, 제 1 전도층에 전기적으로 연결된다.
화상센서소자용 전기적인 조립체를 제조하는 방법의 실시예는 하부기판과 상부기판 사이에 위치된 소자칩을 포함하는 패키지 모듈을 제공하는 과정을 포함한다. 제 1 전도층은 하부기판의 제 1 측벽에 위치되고, 소자칩으로부터 절연된다. 제 1 패드는 하부기판의 바닥면에 위치되고, 제 1 전도층에 전기적으로 연결된다. 제 1 보호층은 하부기판의 제 1 측벽에 있는 제 1 전도층의 일부분을 노출하기 위해서 부분적으로 제거된다. 렌즈 세트는 패키지 모듈에 설치된다. 불투명 전도층은 제 1 전도층의 노출된 부분에 있는 렌즈 세트의 측벽에 형성된다. 패키지 모듈은 렌즈 세트와 함께 그라운딩 패드(grounding pad)를 포함한 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)에 실장된다.
불투명 전도층, 전도층, 패드 그리고 솔더볼을 사용할 수 있기 때문에, 금속 하우징보다도 CCM의 크기와 무게가 감소될 수 있다. 더욱이, 화상센서소자용 전기적인 조립체가 EMI 차폐를 위해 추가적인 하우징이나 커버를 형성함 없이 제조될 수 있기 때문에, 제조비용이 감소될 수 있다.
본 발명은 다음의 상세한 설명과 도면을 수반한 실시예를 살펴봄으로써 더 자세히 이해할 수 있을 것이다. 도면에서;
도 1은 발명자들에게 알려진 화상센서소자용 전기적인 조립체의 단면도이다. 그리고,
도 2a 내지 2e는 화상센서소자용 전기적인 조립체의 바람직한 실시예의 단면도들이다.
다음의 상세한 설명은 본 발명의 구현을 위한 가장 바람직한 형태를 나타낸다. 이 상세한 설명은 본 발명의 일반적인 원리를 설명하는 목적으로 제공되고, 제한되어 해석되어서는 안된다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항을 기준으로 결정된다.
도 1은 발명자들에게 알려진 화상센서소자용 전기적인 조립체를 개시한다. 이것은 본 발명의 특허성을 결정하기 위한 목적의 선행 기술은 아니다. 이것은 단지 발명자들에 의해 발견된 문제점을 보여준다.
도 1에서 보이는 바와 같이, 전기적인 조립체는 화상센서 칩 스케일 패키지 [Chip Scale Package(CSP] 모듈(module)과 인쇄 회로 기판(PCB)(300)에 연속적으로 설치된 렌즈 세트(200)를 포함한다. CSP 모듈은 CCD 화상센서 칩 또는 CMOS 화상센서 칩과 같은 소자칩(104)를 포함한다. CSP 모듈은 유리, 석영(quartz) 또는 다른 투명한 물질로 이루어진 하부기판(100) 및 상부기판(102) 사이에 위치한다. 소자칩(104)은 에폭시층(epoxy layer)(112)을 통하여 하부기판(100)에 부착되고, 상부 및 하부기판 사이에 공동(108)을 형성하는 스페이서 또는 댐(spacer or dam)(106)을 통하여 상부기판(102)에 부착된다. 마이크로 렌즈 어레이(도시되지 않음)는 공동(108)의 내부에 있는 소자칩(104) 위에 형성될 수 있다. 전도층(101)은 하부기판(100)의 바닥과 측벽을 따라 위치된다. 일반적으로, 하부기판(100)의 바닥에 있는 전도층(101)은 CSP 모듈의 그라운딩 패드(grounding pads)와 신호 패드를 형성하도록 형성된다(patterned). 도면(diagram)을 단순화하기 위해, CSP 모듈의 두 그라운딩 패드(101a)와 하나의 신호 패드(101b)만이 묘사된다. 하부기판(100)의 측벽에 있는 전도층(101)은 CSP 모듈의 그라운딩 패드(101a)와 소자칩(104)의 그라운딩 패드(103)를 전기적으로 연결하기 위해서 소자칩(104)의 그라운딩 패드(103)에 측면으로 접촉한다. 보호층(110)은 전도층(101)을 덮는다. 하부기판(100)의 바닥에 있는 보호층(110)은 패드(101a,101b)를 노출하도록 형성된다(patterned). 솔더볼(solder balls)(111,113)은 대응하는 패드(101a,101b)에 개별적으로 위치된다.
렌즈 세트(200)는 콤팩트한 카메라 모듈(CCM)을 형성하기 위하여 CSP 모듈에 설치된 적층(stack) 다중렌즈(도시되지 않음)를 포함한다. CCM은 솔더볼(111,113)을 통하여 PCB(300) 위에 설치된다. 솔더볼(111)은 PCB(300)의 그라운딩 패드(301)와 그것의 아래에 있는 플러그(309)를 통하여 PCB(300) 내부에 있는 그라운딩층(302)에 전기적으로 연결된다. 솔더볼(113)은 패드(305)를 통하여 PCB(300) 위에 있는 회로(도시되지 않음)에 전기적으로 연결된다.
EMI를 억제하기 위해서, 금속 하우징(210)은 CCM을 덮고, PCB(300)의 그라운딩 패드(303)와 그것의 아래에 있는 플러그(307)을 통하여 그라운딩층(302)에 전기적으로 연결된다. 그러나, EMI 차폐를 위한 금속 하우징(210)은 CCM의 총 체적을 증가시키므로, CCM의 크기와 무게를 감소시키는 것은 어렵다. 더욱이, EMI 차폐를 위한 금속 하우징은 제조 비용이 증가된다. 발명자들은 금속 하우징의 사용을 요구하지 않는 EMI 차폐 기술과 함께 반도체 기술을 통합할 수 있는 화상센서소자용 전기적인 조립체를 제조하는 방법을 발견하였다.
따라서, 본 발명은 EMI 차폐용 금속 하우징의 사용을 요구하지 않고 EMI 문제를 억제하는 것이 가능한 화상센서소자용 전기적인 조립체 및 그 제조방법에 관련된다. 도 2e는 화상센서소자용 전기적인 조립체의 실시예를 도시한 것이다. 도 1과 같은 도 2e의 구성요소는 도 1과 같은 참조 번호를 붙이고, 간략화를 위해 다시 설명하지 않는다. 화상센서소자용 전기적인 조립체는 렌즈 세트(200), 패키지 모듈 및 불투명 전도층(220)을 포함하는 PCB(300)에 설치된 CCM을 포함한다. 도 1에서 보여진 패키지 모듈과 유사하게, 소자칩(104)의 그라운딩 패드(103)는 전도층(101), 패드(101a), 솔더볼(111), PCB(300)의 그라운딩 패드(301) 그리고 PCB(300)에 형성된 플러그(309)를 통하여 PCB(300)의 내부에 있는 그라운딩층(302)에 전기적으로 연결된다. 그러나 도 1에서 보여지는 패키지 모듈과 다르게 도 2e에서 보여지는 패키지 모듈은 하부기판(100)의 측벽(100b)에 있는 전도층(101)과 유사한 전도층(117)을 포함한다. 전도층(117)은 하부기판(100)의 측벽(100a)에 있지만, 소자칩(104)로부터 절연된다. 즉, 전도층(117)은 소자칩(104)의 그라운딩 패드(103)의 일부 또는 소자칩(104)의 입력/출력 패드(119)와 연결되지 않으며, 전도층(117)은 소자칩(104)의 소자들 또는 회로들(도시되지 않음)로부터 절연된다. 이 실시예에서, 전도층(101,117)과 패드들(111,113,115)은 단일층으로 각각 구성된다. 다른 실시예에서, 전도층(101,117)과 패드들(111,113,115)은 다중층 구조를 포함할 수 있다. 일반적으로, 다중층 구조는 다수의 층들과, 전기적인 연결을 위해 그것들 사이에 위치한 다수의 플러그들을 포함할 수 있다.
더욱이, 전도층(117)은 패드(117a)에 형성된 솔더볼(115)과 PCB(300)의 그라운딩 패드(321)와 PCB(300)에 형성된 플러그(323)를 통하여 그라운딩층(302)에 전기적으로 연결하기 위한 패드(117a)를 형성하도록 하부기판(100)의 바닥으로 확장한다. 보호층(130a)은 전도층(117)을 덮고 하부기판(100)의 측벽(100a)에서 전도층(117)의 일부를 노출한다. 불투명 전도층(220)은 렌즈 세트(200)의 측벽에 위치되어 전도층(117)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 불투명 전도층(220)은 하부기판(100)의 측벽(100a)에 전도층(117)의 노출된 부분에 직접적으로 접촉하도록 패키지 모듈에서 확장한다. 이 실시예에서, 불투명 전도층(220)은 금속 또는 다른 안정한 EMI 차폐 물질을 포함할 수 있다. 또한, 전도층(220)이 불투명하기 때문에 가벼운 차폐층(light-shielding layer)이 제공되어질 것이다.
상기 불투명 전도층(220), 전도층(117), 패드(117a) 그리고 솔더볼(115)은 도 1에서 보여진 금속 하우징(210)보다도 전자파 장해(EMI)를 더욱 억제한다.
도 2a 내지 도 2e까지의 도면들은 화상센서소자용 전기적인 조립체의 바람직한 실시예의 단면도들을 나타낸 것이다. 도 2a 내지 도 2e에서 도 1과 같은 구성요소들은 도 1과 같은 참조번호를 붙이고, 간략화를 위해 다시 설명하지 않는다. 도 2a에서는 패키지 모듈이 제공된다. 상기 패키지 모듈은 CSP, 웨이퍼 레벨(wafer level) CSP 또는 일반적인 패키지 기술에 의해 제조될 수 있다. 이 실시예에서 상기 패키지 모듈은 바람직하게 CSP에 의해 제조된다. 상기 패키지 모듈은 전도층(117)의 배열이 다른 보호층(130)에 의해 덮여진다는 점에서 도 1에서 보여진 것과 유사하다. 특히, 하부기판(100)의 측벽(100a)에 있는 전도층(117)은 소자칩 (104)로부터 절연된다. 즉, 전도층(117)은 소자칩(104)의 그라운딩 패드(103) 또는 소자칩(104)의 입력/출력 패드(119)에 연결되지 않으며, 전도층(117)은 소자칩(104)의 소자들 혹은 회로들(도시되지 않음)로부터 절연된다. 더욱이, 전도층(117)은 패드(117a)로써 하부기판(100)의 바닥면으로 부분적으로 확장한다. 솔더볼(115)은 연속된 설치 과정(subsequent mounting process)으로 패드(117a)에 위치된다.
도 2b에서 보이는 바와 같이, 보호층(130)은 보호층(130a)의 일부를 남겨두고 전통적인 석판술(lithography)과 에칭(etching)에 의해 부분적으로 제거된다. 따라서, 하부기판(100)의 측벽(100a)에 있는 전도층(117)의 일부는 노출된다. 이 실시예에 있어서, 보호층(130)은 솔더볼(111,113,115)의 형성에 앞서서 하부기판(100)의 측벽(100a)에 전도층(117)의 일부를 노출하기 위해서 부분적으로 제거된다.
도 2c에서 보이는 바와 같이, 렌즈세트(200)는 패키지 모듈 위에 연속적으로 설치된다. 이 실시예에 있어서, 다중렌즈(보이지 않음)의 적층을 포함한 렌즈 세트는 패키지 모듈에 렌즈 세트를 설치하기 위해 하우징(housing)이나 홀더(holder)를 사용하지 않는다.
도 2d에서 보이는 바와 같이, 불투명 전도층(220)은 하부기판(100)의 측벽(100)에 노출된 전도층(117)에 직접 접촉하도록 렌즈 세트(200)의 측벽과 패키지 모듈의 측벽에 설치된다. 이로써, CCM은 완성된다. 이 실시예에 있어서, 불투명 전도층(220)은 금속 또는 다른 EMI 차폐 물질과 함께 가벼운 차폐층(light shielding layer)으로 구성될 수 있다.
도 2e에서 보이는 바와 같이, CCM은 PCB(300)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, CCM은 전기적인 연결을 위해 CCM 상에 형성된 솔더볼(111,113,115)과 PCB(300)에 있는 패드(301,305,321)를 통하여 PCB(300)에 설치된다. 특히, 패드(301)는 시스템의 그라운딩을 위해 플러그(309)를 통하여 PCB(300)의 내부에 있는 그라운딩층(302)에 전기적으로 연결된다. 더욱이, 패드(321)는 EMI 차폐를 위해 플러그(323)을 통하여 그라운딩층(302)에 전기적으로 연결된다. 이로써 EMI 차폐를 갖춘 화상센서소자용 전기적인 조립체는 완성된다.
본 발명에 따르면, 불투명 전도층(220), 전도층(117), 패드(117a) 그리고 솔더볼(115)을 사용할 수 있기 때문에, 도 1에 보여진 금속 하우징(210) 보다도 CCM의 크기와 무게가 감소될 수 있다. 더욱이, 화상센서소자용 전기적인 조립체가 EMI 차폐를 위해 추가적인 하우징이나 커버를 형성함 없이 제조될 수 있기 때문에, 제조비용이 감소될 수 있다.
본 발명은 바람직한 실시예에 대해서 설명하였지만, 상술한 특정 실시예에 한정되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 이와 반대로 당업자들에게 명백한 다양한 수정이나 유사한 변형을 커버하도록 의도된다. 따라서 첨부된 청구항의 범위는 그러한 수정과 유사한 변형을 포함하기 위해 넓게 해석되어야 한다.

Claims (15)

  1. 서로 마주하는 하부기판과 상부기판;
    상기 하부기판과 상부기판 사이에 설치된 소자칩;
    상기 하부기판의 제1측벽에 있고, 상기 소자칩으로부터 절연된 제 1 전도층;
    상기 제 1 전도층 위에 있고, 상기 하부기판의 제1측벽에 있는 제 1 전도층의 일부를 노출하는 제 1 보호층; 및
    상기 하부기판의 바닥면에 있고, 상기 제 1 전도층에 전기적으로 연결된 제 1 패드;를 포함하는 화상센서소자용 패키지 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소자칩 위에 설치된 그라운딩 패드;
    상기 하부기판의 바닥면 위에 있는 제 2 패드;
    상기 그라운딩 패드와 상기 제 2 패드 사이에서 전기적으로 연결되고, 상기 하부기판의 제 2 측벽 위에 있는 제 2 전도층; 및
    상기 하부기판의 제 2 측벽 위의 상기 제 2 전도층에 있는 제 2 보호층;을 더 포함하는 패키지 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소자칩은 CCD 또는 CMOS 화상센서칩을 포함하는 패키지 모듈.
  4. 서로 마주하는 하부기판과 상부기판; 상기 하부기판과 상부기판 사이에 설치된 소자칩; 상기 하부기판의 제 1 측벽에 있고, 상기 소자칩으로부터 절연된 제 1 전도층; 상기 제 1 전도층 위에 있고, 상기 하부기판의 제 1 측벽 위에 있는 상기 제 1 전도층의 일부를 노출하는 제 1 보호층; 및 상기 하부기판의 바닥면에 있고, 상기 제 1 전도층에 전기적으로 연결된 제 1 패드;를 포함하는 패키지 모듈;
    상기 패키지 모듈에 설치된 렌즈세트; 및
    상기 렌즈세트의 측벽에 위치되어 상기 제 1 전도층에 전기적으로 연결된 불투명 전도층;을 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 불투명 전도층은 상기 제 1 전도층의 노출된 부분에 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 화상센서소자용 전기적인 조립체.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 패키지 모듈에 설치되고, 내부에 그라운드층을 포함하는 인쇄회로기판; 및
    상기 제 1 패드에 설치되고, 상기 그라운드층에 전기적으로 연결된 솔더볼;을 더 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체.
  7. 제6항에 있어서, 상기 패키지 모듈은,
    상기 소자칩 위에 있는 그라운딩 패드;
    상기 하부기판의 바닥면에 있는 제 2 패드;
    상기 하부기판의 제 2 측벽 위에 있고, 상기 그라운딩 패드와 상기 제 2 패드 사이에 전기적으로 연결된 제 2 전도층;
    상기 하부기판의 제 2 측벽에 있는 상기 제 2 전도층에 있는 제 2 보호층; 및
    상기 제 2 패드 위에 설치되고, 상기 그라운드층에 전기적으로 연결된 솔도볼;을 더 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제 및 및 제 2 전도층과 상기 제 1 및 제 2 패드는 각각 다중층 구조를 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 소자칩은 CCD 또는 CMOS 화상센서칩을 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체.
  10. 서로 마주하는 하부기판과 상부기판; 상기 하부기판과 상부기판 사이에 설치된 소자칩; 상기 하부기판의 제 1 측벽에 있고, 상기 소자칩으로부터 절연된 제 1 전도층; 상기 제 1 전도층 위에 있는 제 1 보호층; 및 상기 하부기판의 바닥면에 있고, 상기 제 1 전도층에 전기적으로 연결된 제 1 패드;를 포함하는 패키지 모듈을 제공하는 단계;
    상기 하부기판의 제 1 측벽 위에 있는 상기 제 1 전도층의 일부를 노출하기 위해 상기 제 1 보호층을 부분적으로 제거하는 단계;
    상기 패키지 모듈에 렌즈 세트를 설치하는 단계;
    상기 제 1 전도층의 노출된 부분에 직접적으로 접촉하도록 상기 렌즈 세트의 측벽 위에 불투명 전도층을 형성하는 단계; 및
    내부에 그라운딩층을 포함한 인쇄 회로 기판 위에 상기 렌즈세트와 함께 상기 패키지 모듈을 설치하는 단계;를 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체를 제조하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제 1 패드와 상기 인쇄 회로 기판 사이에 있고, 상기 그라운딩층에 전기적으로 연결된 솔더볼을 형성하는 단계를 더 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체를 제조하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 패키지모듈은,
    상기 소자칩 위에 있는 그라운딩 패드;
    상기 하부기판의 바닥면에 있는 제 2 패드;
    상기 하부기판의 제 2 측벽에 있고, 상기 그라운딩 패드와 상기 제 2 패드 사이에서 전기적으로 연결된 제 2 전도층; 및
    상기 하부기판의 상기 제 2 측벽 위에 있는 상기 제 2 전도층에 있는 제 2 보호층;을 더 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체를 제조하는 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제 2 패드와 상기 인쇄 회로 기판 사이에 있고, 상기 그라운딩층에 전기적으로 연결된 솔더볼을 형성하는 단계를 더 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체를 제조하는 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 전도층과 상기 제 1 및 제 2 패드는 각각 다중층 구조를 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체를 제조하는 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 소자칩은 CCD 또는 CMOS 화상센서칩을 포함하는 화상센서소자용 전기적인 조립체를 제조하는 방법.
KR1020070068980A 2007-01-08 2007-07-10 화상센서소자용 전기적인 조립체 및 그 제조방법 KR100903824B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US88388907P 2007-01-08 2007-01-08
US60/883,889 2007-01-08
US11/707,110 2007-02-16
US11/707,110 US7679167B2 (en) 2007-01-08 2007-02-16 Electronic assembly for image sensor device and fabrication method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080065221A true KR20080065221A (ko) 2008-07-11
KR100903824B1 KR100903824B1 (ko) 2009-06-25

Family

ID=39322768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070068980A KR100903824B1 (ko) 2007-01-08 2007-07-10 화상센서소자용 전기적인 조립체 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7679167B2 (ko)
EP (1) EP1942661B1 (ko)
JP (1) JP4852675B2 (ko)
KR (1) KR100903824B1 (ko)
TW (1) TWI334307B (ko)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070096303A (ko) * 2006-03-23 2007-10-02 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈용 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US7569409B2 (en) * 2007-01-04 2009-08-04 Visera Technologies Company Limited Isolation structures for CMOS image sensor chip scale packages
CN101277581B (zh) * 2007-03-29 2011-02-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电路板的电磁防护方法及电路板组件
DE102007030284B4 (de) * 2007-06-29 2009-12-31 Schott Ag Verfahren zum Verpacken von Halbleiter-Bauelementen und verfahrensgemäß hergestelltes Zwischenprodukt
US20090026562A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Visera Technologies Company Limited Package structure for optoelectronic device
KR100959922B1 (ko) * 2007-11-20 2010-05-26 삼성전자주식회사 카메라 모듈 및 그 제조방법
US7829966B2 (en) * 2007-11-23 2010-11-09 Visera Technologies Company Limited Electronic assembly for image sensor device
KR20090108233A (ko) * 2008-04-11 2009-10-15 삼성전자주식회사 카메라 모듈의 제조 방법, 이에 의해 제작된 카메라 모듈및 상기 카메라 모듈을 포함하는 전자 시스템
US7964936B2 (en) * 2008-07-10 2011-06-21 Visera Technologies Company Limited Electronic device package with electromagnetic compatibility (EMC) coating thereon
KR100982270B1 (ko) * 2008-08-08 2010-09-15 삼성전기주식회사 카메라 모듈 및 이의 제조 방법
JP5498684B2 (ja) 2008-11-07 2014-05-21 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体モジュール及びその製造方法
TW201104747A (en) * 2009-07-29 2011-02-01 Kingpak Tech Inc Image sensor package structure
US8351219B2 (en) * 2009-09-03 2013-01-08 Visera Technologies Company Limited Electronic assembly for an image sensing device
GB0920946D0 (en) 2009-11-30 2010-01-13 St Microelectronics Res & Dev Electromagnetic shielding for camera modules
KR20110064156A (ko) * 2009-12-07 2011-06-15 삼성전자주식회사 촬상 장치 및 그 제조방법
US9330892B2 (en) * 2009-12-31 2016-05-03 Spectro Analytical Instruments Gmbh Simultaneous inorganic mass spectrometer and method of inorganic mass spectrometry
JP5682185B2 (ja) * 2010-09-07 2015-03-11 ソニー株式会社 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法ならびに光学モジュール
JP2013012615A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Fujifilm Corp 固体撮像素子及びその製造方法、それに用いる固体撮像素子用の透明導電性膜
US10568496B2 (en) 2012-07-26 2020-02-25 DePuy Synthes Products, Inc. Continuous video in a light deficient environment
CN104619237B (zh) 2012-07-26 2018-03-30 德普伊辛迪斯制品公司 光不足环境中的ycbcr脉冲调制的照明方案
JP6034725B2 (ja) * 2013-03-05 2016-11-30 太陽誘電株式会社 カメラモジュール
WO2014144986A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Olive Medical Corporation Scope sensing in a light controlled environment
EP2967300A4 (en) 2013-03-15 2016-11-23 Olive Medical Corp CONTROL OF THE INTEGRATED LIGHT ENERGY OF A LASER PULSE
WO2014144947A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Olive Medical Corporation Super resolution and color motion artifact correction in a pulsed color imaging system
US9231124B2 (en) * 2013-09-25 2016-01-05 Delphi Technologies, Inc. Ball grid array packaged camera device soldered to a substrate
AU2015230978B2 (en) 2014-03-21 2020-01-23 DePuy Synthes Products, Inc. Card edge connector for an imaging sensor
US9704772B2 (en) 2014-04-02 2017-07-11 Xintec Inc. Chip package and method for forming the same
KR102220502B1 (ko) * 2014-06-09 2021-02-25 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 이를 포함하는 차량 부품
CN104201115A (zh) * 2014-09-12 2014-12-10 苏州晶方半导体科技股份有限公司 晶圆级指纹识别芯片封装结构及封装方法
TWI588954B (zh) * 2015-02-16 2017-06-21 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
CN106935555A (zh) * 2015-12-29 2017-07-07 精材科技股份有限公司 晶片封装体及其制造方法
US9769398B2 (en) 2016-01-06 2017-09-19 Microsoft Technology Licensing, Llc Image sensor with large-area global shutter contact
KR102360319B1 (ko) * 2016-03-12 2022-02-08 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 카메라 모듈, 그 감광성 부품 및 그 제조 방법
US10325952B2 (en) * 2017-07-07 2019-06-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US10868061B2 (en) * 2018-08-13 2020-12-15 Semiconductor Components Industries, Llc Packaging structure for a sensor having a sealing layer
US11276724B2 (en) * 2019-06-27 2022-03-15 Semiconductor Components Industries, Llc Electrical interconnection of image sensor package
US11206732B2 (en) * 2019-07-02 2021-12-21 Waymo Llc Reliable interconnect for camera image sensors
CN112187970B (zh) * 2019-07-05 2022-05-27 三赢科技（深圳）有限公司 摄像头模组及其电子装置
US11063083B2 (en) * 2019-10-11 2021-07-13 Omnivision Technologies, Inc. Light-shielded cameras and methods of manufacture

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5400072A (en) * 1988-12-23 1995-03-21 Hitachi, Ltd. Video camera unit having an airtight mounting arrangement for an image sensor chip
IL133453A0 (en) * 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
WO2001091193A2 (en) * 2000-05-23 2001-11-29 Atmel Corporation Integrated ic chip package for electronic image sensor die
JP3839271B2 (ja) * 2001-05-01 2006-11-01 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2004119917A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2005086100A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
JP4753170B2 (ja) * 2004-03-05 2011-08-24 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2005348275A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Sharp Corp 撮像素子およびカメラモジュール
KR100629467B1 (ko) * 2004-07-14 2006-09-27 (주) 윈팩 이미지 센서용 패키지
JP4139803B2 (ja) * 2004-09-28 2008-08-27 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
KR100608420B1 (ko) * 2004-11-01 2006-08-02 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 칩 패키지 및 그 제조방법
KR20060106891A (ko) * 2005-04-04 2006-10-12 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 광학 디바이스용 캐비티 구조체, 광학 디바이스 및 광학디바이스용 캐비티 구조체의 제조방법
US20070052827A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Omnivision Technologies, Inc. Coated wafer level camera modules and associated methods
JP2007165696A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7663213B2 (en) * 2006-11-13 2010-02-16 China Wafer Level Csp Ltd. Wafer level chip size packaged chip device with a double-layer lead structure and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP1942661B1 (en) 2014-09-17
JP2008172191A (ja) 2008-07-24
EP1942661A3 (en) 2010-11-17
US7679167B2 (en) 2010-03-16
TW200830870A (en) 2008-07-16
JP4852675B2 (ja) 2012-01-11
US20080164550A1 (en) 2008-07-10
TWI334307B (en) 2010-12-01
EP1942661A2 (en) 2008-07-09
KR100903824B1 (ko) 2009-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100903824B1 (ko) 화상센서소자용 전기적인 조립체 및 그 제조방법
US7829966B2 (en) Electronic assembly for image sensor device
US8351219B2 (en) Electronic assembly for an image sensing device
US7361989B1 (en) Stacked imager package
US7019374B2 (en) Small-sized image pick up module
TWI496462B (zh) 用於相機模組之電磁干擾屏蔽
US8139145B2 (en) Camera module
US20050270405A1 (en) Image pickup device and camera module
KR20080053202A (ko) 이미지 센서 모듈
US20090289319A1 (en) Semiconductor device
US20060289733A1 (en) Stack-type image sensor module
KR20110126846A (ko) 카메라 모듈 및 이의 제조 방법
CN100544011C (zh) 图像传感装置及其制造方法
KR20080079086A (ko) 이미지 센서 모듈과 이를 구비한 카메라 모듈 및 그 제조방법
US8956909B2 (en) Method of fabricating an electronic device comprising photodiode
US8835992B2 (en) Electronic device comprising electrical contact pads
JP2004282227A (ja) 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
JP2010268353A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法。
KR20110039814A (ko) 카메라 모듈 및 이를 구비하는 디지털 영상 처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120416

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180412

Year of fee payment: 12