KR20080063817A - 저-방사 커버 유리 및 그 용도 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 특히 반도체 기술에 사용하기 위한 낮은 고유 α-방사선을 가진, 방사선 감지 센서용 저-방사 커버 유리에 관한 것이다. 유리는 >0.1 - 10 중량%, 특히 1-8 중량% 범위의 TiO2 함량을 가진 알루미노실리케이트 유리, 알루미노보로실리케이트 유리, 보로실리케이트 유리, 특히 알칼리 없는 보로실리케이트로부터 선택된 유리 조성을 갖는다.
반도체 기술, α-방사선, 방사선 감지 센서, 유리.

Description

저-방사 커버 유리 및 그 용도{LOW-RADIATION COVER GLASS AND USE THEREOF}
본 발명은 저-방사 커버 유리 및 그 용도에 관한 것이다.
반도체를 기초로 하는 특정 센서, 예컨대 CCD- 센서의 패키징을 위해, 매우 낮은 방사의 유리가 필요하다. 이러한 CCD 센서(Charge-coupled Device)는 예컨대 디지털 카메라 또는 비디오 카메라에 사용되는 광 검출을 위한 집적 회로, 및 광 세기를 정밀 분해 측정하기 위한 광 감지 전자 부품이다. CCD는 반도체로 구성되기 때문에, 반도체 검출기에 포함된다.
이러한 센서에서는 특히 α-방사선이 특히 임계적으로 평가된다. CCD 센서에 대한 방사성 방사선의 부정적 효과는 예컨대 TECHNICAL No. TH-1087 및 JP 04-308669 에 설명된다. 예컨대, 흔적량의 방사성 원소 우라늄 및 토륨이 유리 내에 있으면, 이 유리로 커버된 센서는 그 방사선, 특히 그 α-빔에 의해 크게 영향을 받는다.
낮은 고유 α-방사선을 가진 유리들은 공지되어 있으며, 선행 기술에서는 특히 우라늄 및 토륨에 의한 유리의 오염이 조절되고 가급적 낮은 레벨로 된다. JP 04-308669는 예컨대 패키지 내에 놓인 컬러 필터를 가진 영상 센서를 기술한다. 이 경우, 커버 유리는 패키지의 상부 부분 내에 제공되고 센서에 마주 놓인다. 유 리는 30 ppb 미만의 우라늄 및 토륨의 전체 농도를 갖는다. JP 04-308669 에 의해 바람직하지 않은 불순물로서 언급된, 센서에 부정적 영향을 주는 다른 원소들은 철 및 티탄이며, 이들은 함께 30 내지 100 ppm의 전체 농도를 초과해서는 안된다.
우라늄 및 토륨은 예컨대 K.H. Lieser, Einfuehrung in die Kernchemie 1980, 페이지 4에 설명된 바와 같이, 특히 α-빔을 방사하지만, β- 및 γ-빔도 방사한다. 추가로 β- 및 γ-빔의 낮은 고유 방사를 가진 유리를 형성하기 위해, 유리들이 칼륨을 함유하지 않는 것이 제안되었는데, 그 이유는 공지된 방사성소스인 원소 칼륨, 우라늄 및 토륨이 적은 양 내지 매우 적은 양으로 다수의 광물 및 돌에 주어지기 때문이다. 따라서, 이 경우 예컨대 간행물 JP 2000233939 또는 JP 2001185710 에 기술된 바와 같이, 칼륨 없는 유리들을 사용하는 것이 바람직하다.
JP 2000233939 호는 K2O 함량이 < 0.2 질량% 로 조절된 커버 유리, 특히 보로실리케이트 유리를 공개한다. α-빔을 방사하는 원소들은 일반적으로 ≤100 ppb의 함량으로 주어지고, 우라늄, 토륨 및 로듐과 같이 α-빔으로부터 분리되기 어려운 Fe2O3, TiO2, PbO 및 ZrO2 의 양은 유리 내에 ≤100 ppm의 함량으로 주어진다. 유리들로부터 방사된 α-빔이 0.05 counts/㎠ h 의 값을 초과해서는 안된다.
유사한 방식으로, JP 2001185710 호는 우라늄 함량 ≤50 ppb 및 토륨 함량≤50 ppb 를 가지며 K2O를 함유하지 않는 보로실리케이트 유리로 된 유리를 기술한다. β-방사선은 5 x 10-6μCi/㎠ 미만의 값으로 감소한다. 또한, 종종 상기 산화물의 원료와 함께 조합되어 존재하는 우라늄 또는 토륨에 의한 추가 부하를 방지하기 위해, 가급적 ZrO2 또는 BaO 이 함유되지 않아야 하는 것이 언급된다.
전술한 바와 같이, 저-방사 유리를 제조하기 위해 저-방사 원료를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 원료는 낮은 우라늄 함량 및 토륨 함량을 특징으로 한다. 이 경우, 특히 실리콘디옥사이드의 낮은 우라늄 함량 및 토륨 함량에 주의해야 하는데, 그 이유는 상기 원료가 통상 혼합물 중에 > 50 중량 퍼센트 또는 그 이상의 함량을 갖기 때문이다.
또한, 우라늄 함량 및 토륨 함량을 조절하는 것만으로 충분하지 않은 것으로 나타났다. 오히려, 발명자에 의해, 우라늄 및 토륨의 상응하게 낮은 함량은 낮은 α-방사선 유리에 있어서 필요 조건이지만 충분 조건이 아니라는 것이 밝혀졌다. 놀랍게도, 각각 < 10 ppb의 우라늄 및 토륨의 함량을 가진 유리가 ㎠ 당 시간 당 0.2 counts의 매우 높은 α-방사선을 갖는 것으로 나타났다. 상기 방사선은 라듐, 우라늄과 토륨의 분해 생성물에 의해 발생된다. 지구 물리적 및 지구 화학적 공정에 의해 우라늄과 토륨이 분리될 수 있지만, 출발 재료 내에 라듐이 잔류한다. 상기 공정은 제조업자 측에서의 화학적 처리에 의해 이루어질 수 있으므로, 전술한 바와 같이, 우라늄 함량 및 토륨 함량과 더불어 라듐 함량이 규정되고 조절되어야 한다.
본 발명의 목적은 저-방사 유리에 대한 소정 요구를 고도로 충족시키는 유리 조성을 제공하는 것이다. 유리들은 선행 기술에 비해 조성과 관련한 가급적 적은 제약을 받고, 가능한 변형예의 큰 다양성을 제공한다.
상기 목적은 본 발명에 따라 >0.1 - 10 중량%, 특히 1-8 중량% 범위의 TiO2 함량을 가진 알루미노실리케이트 유리, 알루미노보로실리케이트 유리, 보로실리케이트, 특히 알칼리 없는 보로실리케이트로부터 선택된 유리 조성을 갖는, 특히 반도체 기술에 사용하기 위한 낮은 고유 α-방사선을 가진, 방사선 감지 센서용 저-방사 커버 유리에 의해 달성된다. 놀랍게도, 본 발명에 따른 유리 조성은 선행 기술에 언급된 100 ppm의 상한선을 초과하는 TiO2 의 함량을 갖는다. 특히, 공지된 선행 기술과는 완전히 달리, 상기 유리 조성은 높은 티탄 함량을 갖는 것이 바람직하다. 상기 티탄 함량은 1.5 내지 7 중량%, 바람직하게는 2 내지 6 중량%, 특히 바람직하게는 3-5 중량%의 범위에 놓인다.
예컨대, 보로실리케이트 유리(예컨대, 마인쯔 소재 Schott AG의 보로플로트 33, 보로플로트 40, BK7, Duran, D263)와 같은 알칼리 함유 프로트 유리, 정확히 알칼리 없는 유리(예컨대, 마인쯔 소재 Schott AG의 AF 37, AF 45), 알루미노실리케이트 유리(예컨대, 마인쯔 소재 Schott AG의 Fiolax, Illax), 알칼리 토금속 유리(예컨대, 마인쯔 소재 Schott AG의 B 270), Li2O-Al2O3-SiO2-플로트 유리 또는 100 ppb 미만의 철 농도를 가진 탈색된 플로트 유리가 바림직하게 사용된다.
본 발명의 범주에서, "저-방사" 또는 "낮은 고유 방사"는 상기 재료가 α-방사선을 직접 인접해 있는 센서가 이것에 의해 부정적 영향을 받지 않을 정도로 방사하는 것을 의미한다. 특히 JP 2004238283 에서는 α-방사선과 관련해서, 유리가 충분히 낮은 α-방사선을 갖도록 하기 위해 방사선 세기 < 0.0015 counts/㎠ x h 가 요구된다. 상기 값은 거기에 사용된 측정 장치의 검출 한계이다(LACOM-4000, 검출 면 4000 ㎠, 제조업자: Sumitomo).
바람직하게는 본 발명의 커버 유리가 α-방사선 < 0.0020 counts/㎠ h, 바람직하게는 < 0.0015 counts/㎠ h, 특히 바람직하게는 < 0.0013 counts/㎠ h 을 갖는다. 개별 경우에, 방사선 세기 < 0.0010 counts/㎠ h 가 설정될 수도 있다. 특히 바람직한 실시예에 따라 형성된 유리의 우라늄 함량 및 토륨 함량은 방사선 세기에 대한 상기 값이 미달되도록 선택된다. 본 발명에 따라 놀랍게도 α-방사선에 대한 뚜렷한 부정적 영향 없이, 예컨대 JP 2002-198504, JP 2000-086281 또는 JP 2004-238283 과 같은 선행 기술에 언급된, 각각 5 ppb의 우라늄 함량 및 토륨 함량의 상한값이 초과될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 바람직하게는 20 ppb 또는 그 미만, 특히 15 ppb 또는 그 미만, 특히 바람직하게는 10 ppb 또는 그 미만의 하한값은 소정 용도에 있어서 충분하다. 이것에 제한되지 않으면, 예컨대 2.51 g/㎤의 밀도를 가진 유리의 α-방사선이 약 20 ㎛의 도달 거리를 갖기 때문에 그러한 것이라고 가정한다. 즉, 표면의 처음 20 ㎛ 내에 존재하는 유리 내의 α-방사기 만이 센서 면 상의 α-방사선에 기여한다.
따라서, 바람직하게는 우라늄 함량 및 토륨 함량이 < 20 ppb, 바람직하게는 < 15 ppb, 특히 바람직하게는 < 10 ppb로 조절될 뿐만 아니라, 라듐 함량이 < 20 ppb, 바람직하게는 < 15 ppb, 특히 바람직하게는 <10 ppb로 조절된다.
본 발명에 따른 유리의 낮은 고유 α-방사선에 추가해서 낮은 β-방사선 또는 γ-방사선을 갖는 것이 바람직하면, 이는 칼륨 없는 유리에 의해 달성될 수 있다. 이 경우, 설명된 유리 조성에서 칼륨 함량은 제로이다. 커버 유리가 알칼리를 갖지 않는 것이 특히 바람직하다. 즉, 커버 유리는 공정으로 인한 불순물을 제외하고는 알칼리를 갖지 않는다. 본 발명에 따라 유리 조성의 γ-방사선 < 2.00 Bq/g, 바람직하게는 < 1.67 Bq/g을 설정하는 것이 바람직하다. 그러나, β-방사선 또는 γ-방사선은 본 발명에 따른 반도체 분야에서 방사선 감지 센서용 용도에 있어서 일반적으로 무시될 수 있기 때문에 실제로 중요하지 않다.
α-, 선택적으로 β- 또는 γ-방사선에 대한 값은 바람직하게는 개별 출발 재료에서 측정되고 유리 용융물 내에서 조절되는 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 따른 높은 TiO2 함량을 가진 저-방사 커버 유리의 예시적인 조성은 하기 조성들(산화물 베이스에 대해 중량%) 중 하나로부터 선택된다:
SiO2 60 - 70 중량%
Na2O 1 - 10 중량%
K2O 0 - 20 중량%, 특히 > 5 내지 8 중량%,
ZnO 0 - 10 중량%
Al2O3 0 - 10 중량%
B2O3 0 - 10 중량%
TiO2 > 0.1 -10 중량%, 특히 1 내지 8 중량%,
Sb2O3 0 - 2 중량%
높은 TiO2 함량을 가진 다른 유리 조성은 하기 조성들(산화물 베이스에 대해 중량%) 중 하나로부터 선택된다:
SiO2 48 - 58 중량%
BaO 10 - 30 중량%, 특히 20 내지 30 중량%,
B2O3 1 - 15 중량%
Al2O3 0 - 20 중량%
As2O3 0 - 5 중량%, 특히 0 내지 2 중량%,
SrO 0 - 3 중량%
CaO 0 - 5 중량%
여기서, BaO의 1 내지 2 중량% 는 TiO2 로 치환된다. 바람직하게는 상기 유리 조성에 0.1 내지 10 중량%의 TiO2 함량이 주어진다.
상기 유리 조성 중 하나에 BaO의 사용시, α-방사선의 양이 현저히 상승될 것이기 때문에 라듐 함유 바륨이 사용되지 않는 것에 주의해야 한다.
높은 TiO2 함량을 가진 다른 유리 조성은 하기 조성들(산화물 베이스에 대해 중량%) 중 하나로부터 선택된다:
SiO2 45 - 70 중량%, 특히 60 내지 70 중량%,
B2O3 1 - 20 중량%, 특히 10 내지 15 중량%,
Al2O3 0 - 20 중량%, 특히 5 내지 10 중량%,
Na2O 1 - 10 중량%, 특히 1 내지 5 중량%,
BaO 1 - 10 중량%, 특히 5 내지 10 중량%,
ZnO 1 - 5 중량%, 특히 1 내지 2 중량%,
As2O3 0 - 2 중량%, 특히 0.1 내지 1 중량%,
TiO2 1 -5 중량%, 특히 1 내지 2 중량%.
저-방사 커버 유리의 상기 유리 조성은 본 발명의 다른 관점에서 바람직하게는 우라늄 함량 및 토륨 함량을 가짐으로써, α-방사선은 방사선 세기 < 0.0020 counts/㎠ h, 바람직하게는 < 0.0015 counts/㎠ h, 특히 바람직하게는 < 0.0013 counts/㎠ h 를 가질 수 있다. 전술한 바와 같이, 이에 대해 각각 20 ppb, 바람직하게는 < 15 ppb, 특히 바람직하게는 < 10 ppb의 우라늄 및 토륨의 하한선이 충분할 수 있으므로, 토륨 함량 및 우라늄 함량을 10 ppb의 함량 미만으로 현저히 감소시키기 위한 복잡한 세척 공정이 생략될 수 있다. 특히 바람직한 실시예에 따라, 본 발명에 따른 커버 유리의 라듐 함량은 < 20 ppb, 바람직하게는 < 15 ppb, 특히 바람직하게는 < 10 ppb로 조절될 수 있다. 이로 인해, 티탄의 존재에도 불구하고 적합하게 감소된 α-방사선, 즉 < 0.0020 counts/㎠ h, 바람직하게는 < 0.0015 counts/㎠ h, 특히 바람직하게는 < 0.0013 counts/㎠ h 를 가진 유리 조성이 제공될 수 있다.
희토류 원소의 양이 가급적 적은 것이 특히 바람직하다. 하기 원소들은 제시된 최대량 또는 그 미만으로 주어지는 것이 바람직하다:
네오딤 0.5 ppm, 바람직하게는 0.2 - 0.4
가돌리늄 0.5 ppm, 바람직하게는 0.1 ppm
하프늄 0.5 ppm, 바람직하게는 0.3 - 0.4 ppm
사마륨 0.1 ppm
따라서, 본 발명에 따른 높은 TiO2 함유 유리는 놀랍게도 제조 방법과는 관계없이 목적하는 용도에 사용될 수 있다.
선행 기술, 예컨대 JP 2002-198504, JP 2001-185710, JP 2000-086281 에는 이산화티탄을 함유하는 유리가 개시되지 않는다. 오히려, 이산화티탄의 존재가 가급적 완전히 피해져야 한다. 그러나, 이산화티탄은 특히 유리의 알칼리 내성을 높이기 위해 중요한 성분이다(Horst Scholze, Glas-Natur, Struktur und Eigenschaften, 페이지 325 내지 326, Springer Verlag 1988). JP 2002233939 의 공개 내용과는 달리, 본 발명에서는 놀랍게도 상기 TiO2-함량에 의해서도 바람직하게는 각각 < 20 ppb, 바람직하게는 <15 ppb, 특히 바람직하게는 <10 ppb의 우라늄, 토륨 및 라듐의 함량을 가진 유리가 얻어질 수 있고, α-방사선 < 0.0020 counts/㎠ h, 바람직하게는 < 0.0015 counts/㎠ h, 특히 바람직하게는 < 0.0013 counts/㎠ h 를 가진 유리가 제조될 수 있는 것으로 밝혀졌다.
저-방사 커버 유리는 본 발명에 따라 드로잉 방법, 특히 다운 드로잉 방법 또는 업 드로잉 방법 또는 플로팅 방법에 의해 제조될 수 있다. 그러나, 본 발명에 따라 선행 기술에 공지된 다른 방법도 사용될 수 있다.
본 발명은 또한, 반도체 기술 분야에, 특히 방사선 감지 센서에 본 발명에 따른 저-방사, 티탄 함유 커버 유리의 용도에 관한 것이다.
본 발명의 장점은 매우 다층이라는 것이다.
본 발명에 의해, 티탄의 함량에도 불구하고 반도체 기술 분야의 방사선 감지 센서용 저-방사 유리로서 소정 요구들을 고도로 충족시키는 유리가 제공된다. 놀랍게도, 선행 기술과는 달리, 높은 티탄 함량을 가진 유리 조성이 바람직하다. 따라서, 본 발명에 따른 높은 TiO2 함유 유리는 제조 방법 및 저-방사 유리의 기본 조성과는 관계없이 목적하는 용도에 사용될 수 있다.
하기의 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것이다. 이는 예시적 조치로만 이해되어야 하며, 본 발명이 이것에 제한되지는 않는다.
이하, 본 발명을 실시예를 참고로 설명한다.
다운 드로잉 방법에 의해 하기 조성을 가진 본 발명에 따른 유리가 제조되며, 각각 제조된 평면 유리의 폭은 430 ㎜ 이다. 유리의 두께는 0.3 내지 0.8 ㎜ 이다.
유리 조성 Ⅰ:
SiO2 64.8 중량%
Na2O 6.25 중량%
K2O 6.7 중량%
ZnO 5.6 중량%
Al2O3 4.2 중량%
B2O3 7.9 중량%
TiO2 4.0 중량%
Sb2O3 0.55 중량%
총 100 중량%
유리 조성 Ⅱ:
SiO2 50.3 중량%
BaO 20.0 중량%
B2O3 12.7 중량%
TiO2 4.7 중량%
Al2O3 11.3 중량%
As2O3 0.7 중량%
SrO 0.20 중량%
CaO 0.1 중량%
총 100 중량%
유리 조성 Ⅲ:
SiO2 65 중량%
B2O3 11.5 중량%
Al2O3 5.0 중량%
Na2O 5.7 중량%
BaO 6.5 중량%
ZnO 4.5 중량%
As2O3 0.2 중량%
TiO2 1.6 중량%
총 100 중량%
본 발명에 따라 제조된 커버 유리는 저-방사 특성을 가지며, 우라늄 함량, 토륨 함량 및 라듐 함량이 각각 10 ppb의 범위에 놓인다. 측정된 α-방사선은 < 0.0013 counts/㎠ h 의 값을 가지므로, 상기 유리는 방사선 감지 센서에 적합하다.

Claims (15)

  1. 특히 반도체 기술에 사용하기 위한 낮은 고유 α-방사선을 가진, 방사선 감지 센서용 저-방사 커버 유리로서, >0.1 - 10 중량%, 특히 1-8 중량% 범위의 TiO2 함량을 가진 알루미노실리케이트 유리, 알루미노보로실리케이트 유리, 보로실리케이트, 특히 알칼리 없는 보로실리케이트로부터 선택된 유리 조성을 갖는 저-방사 커버 유리.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 티탄 함량은 1.5 내지 7 중량%, 바람직하게는 2 내지 6 중량%, 특히 바람직하게는 3-5 중량%의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 커버 유리는 α-방사선 < 0.0020 counts/㎠ h, 바람직하게는 < 0.0015 counts/㎠ h, 특히 바람직하게는 < 0.0013 counts/㎠ h 을 갖는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버 유리는 γ-방사선 < 2.00 Bq/g, 바람직하게는 < 1.67 Bq/g을 을 갖는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리 조성은 0 내지 20 중량%의, 특히 > 5-8 중량%의 K2O 함량을 갖는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버 유리는 하기 조성들(산화물 베이스에 대한 중량%) 중 하나로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리:
    SiO2 60 - 70 중량%
    Na2O 1 - 10 중량%
    K2O 0 - 20 중량%, 특히 > 5 내지 8 중량%,
    ZnO 0 - 10 중량%
    Al2O3 0 - 10 중량%
    B2O3 0 - 10 중량%
    TiO2 > 0.1 -10 중량%, 특히 1 내지 8 중량%,
    Sb2O3 0 - 2 중량%
  7. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버 유리는 하기 조성 들(산화물 베이스에 대한 중량%) 중 하나로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리:
    SiO2 48 - 58 중량%
    BaO 10 - 30 중량%, 특히 20 내지 30 중량%,
    B2O3 1 - 15 중량%
    Al2O3 0 - 20 중량%
    As2O3 0 - 5 중량%, 특히 0 내지 2 중량%,
    SrO 0 - 3 중량%
    CaO 0 - 5 중량%
    여기서, BaO의 1 내지 2 중량% 는 TiO2 로 치환됨.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 유리 조성에 0.1 - 10 중량%, 특히 1-6 중량%의 TiO2 함량이 주어지는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 BaO가 라듐을 함유하지 않거나 또는 실질적으로 라듐을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  10. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버 유리는 하기 조성 들(산화물 베이스에 대한 중량%) 중 하나로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리:
    SiO2 45 - 70 중량%, 특히 60 내지 70 중량%,
    B2O3 1 - 20 중량%, 특히 10 내지 15 중량%,
    Al2O3 0 - 20 중량%, 특히 5 내지 10 중량%,
    Na2O 1 - 10 중량%, 특히 1 내지 5 중량%,
    BaO 1 - 10 중량%, 특히 5 내지 10 중량%,
    ZnO 1 - 5 중량%, 특히 1 내지 2 중량%,
    As2O3 0 - 2 중량%, 특히 0.1 내지 1 중량%,
    TiO2 1 -5 중량%, 특히 1 내지 2 중량%.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버 유리는 각각 < 20 ppb, 바람직하게는 < 15 ppb, 특히 바람직하게는 < 10 ppb 의 우라늄 함량 및 토륨 함량을 갖는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버 유리는 < 20 ppb, 바람직하게는 < 15 ppb, 특히 바람직하게는 < 10 ppb 의 라듐 함량을 갖는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  13. 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리는 칼륨을 실질적으로 함유하지 않고, 바람직하게는 알칼리를 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  14. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저-방사 커버 유리는 0.03 내지 20 ㎜, 특히 0.1 내지 5 ㎜의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 저-방사 커버 유리.
  15. 반도체 기술 분야, 특히 방사선 감지 센서용 제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 따른 저-방사 커버 유리의 용도.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9896372B2 (en) 2014-12-01 2018-02-20 Schott Ag Method and apparatus for scoring thin glass and scored thin glass

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005052421A1 (de) * 2005-11-03 2007-05-16 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von Abdeckgläsern für strahlungsempfindliche Sensoren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP5909937B2 (ja) * 2010-09-09 2016-04-27 日本電気硝子株式会社 半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法
CN101985389B (zh) * 2010-11-05 2012-07-18 大连名远科技有限公司 一种钡玻璃材料及其制法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3277020A (en) * 1963-12-19 1966-10-04 Int Resistance Co Glass composition and electrical resistance material made therefrom
DE4309701C1 (de) * 1993-03-25 1994-06-30 Schott Glaswerke Bleifreies Kristallglas mit hoher Lichttransmission
US5942793A (en) * 1993-06-08 1999-08-24 Kabushiki Kaisya Ohara Low alpha-ray level glass and method for manufacturing the same
JP3589421B2 (ja) * 1999-06-30 2004-11-17 Hoya株式会社 半導体パッケージ用窓材ガラス及びその製造方法
JP2000233939A (ja) * 1999-11-26 2000-08-29 Asahi Techno Glass Corp 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス
DE10005088C1 (de) * 2000-02-04 2001-03-15 Schott Glas Alkalihaltiges Aluminoborosilicatglas und seine Verwendung
JP3506237B2 (ja) * 2000-10-19 2004-03-15 日本電気硝子株式会社 固体撮像素子用カバーガラス
WO2002072492A1 (fr) * 2001-03-08 2002-09-19 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Enveloppe tubulaire pour lampe fluorescente
JP3532178B2 (ja) * 2001-10-22 2004-05-31 Hoya株式会社 半導体パッケージ用窓材ガラス及びその製造方法
JP2005126320A (ja) * 2003-10-01 2005-05-19 Nippon Electric Glass Co Ltd 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス
JP4371841B2 (ja) * 2004-02-09 2009-11-25 Hoya株式会社 半導体パッケージ用窓材ガラス

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9896372B2 (en) 2014-12-01 2018-02-20 Schott Ag Method and apparatus for scoring thin glass and scored thin glass

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