JPH07215734A - 固体撮像素子用カバーガラス - Google Patents
固体撮像素子用カバーガラスInfo
- Publication number
- JPH07215734A JPH07215734A JP6026011A JP2601194A JPH07215734A JP H07215734 A JPH07215734 A JP H07215734A JP 6026011 A JP6026011 A JP 6026011A JP 2601194 A JP2601194 A JP 2601194A JP H07215734 A JPH07215734 A JP H07215734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state image
- image pickup
- cover glass
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の第１の目的は、β線の放射量の少な
い固体撮像素子用カバーガラスを提供することである。 【構成】 本質的にＫ2 Ｏを含有しないホウケイ酸ガラ
スからなり、β線放射量が、５×１０-6μＣｉ／ｃｍ2
以下であることを特徴とする。
い固体撮像素子用カバーガラスを提供することである。 【構成】 本質的にＫ2 Ｏを含有しないホウケイ酸ガラ
スからなり、β線放射量が、５×１０-6μＣｉ／ｃｍ2
以下であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤと呼ばれる固体
撮像素子を収容するアルミナなどのセラミックパッケー
ジの窓ガラスとして使用される固体撮像素子用カバーガ
ラスに関し、特に固体撮像素子の機能低下を抑えること
が可能なカバーガラスに関するものである。
撮像素子を収容するアルミナなどのセラミックパッケー
ジの窓ガラスとして使用される固体撮像素子用カバーガ
ラスに関し、特に固体撮像素子の機能低下を抑えること
が可能なカバーガラスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より固体撮像装置の一種として、ア
ルミナなどのセラミックパッケージ内にＣＣＤなどの固
体撮像素子を搭載し、窓ガラスとしての機能をもつカバ
ーガラスをセラミックパッケージの外表面に封着するこ
とによって、固体撮像素子を収納した電子部品が広く使
用されている。
ルミナなどのセラミックパッケージ内にＣＣＤなどの固
体撮像素子を搭載し、窓ガラスとしての機能をもつカバ
ーガラスをセラミックパッケージの外表面に封着するこ
とによって、固体撮像素子を収納した電子部品が広く使
用されている。
【０００３】固体撮像素子は、半導体ＩＣと同様に、シ
リコンの基板上に微細な受光素子を多数集積したもので
あり、光信号を素子に取り込む必要があるため、固体撮
像装置のカバーガラスには、高い光透過特性を有し、固
体撮像素子の機能を損なわせないことが要求される。
リコンの基板上に微細な受光素子を多数集積したもので
あり、光信号を素子に取り込む必要があるため、固体撮
像装置のカバーガラスには、高い光透過特性を有し、固
体撮像素子の機能を損なわせないことが要求される。
【０００４】一般にこの種のカバーガラスの材質として
は、ホウケイ酸ガラスや無アルカリガラスが用いられて
いるが、これらのホウケイ酸ガラスや無アルカリガラス
は、α線放射量が大きく、しかもカバーガラスは、素子
に対面するように取り付けられるため、そこから放射さ
れるα線は、素子に対して大きな悪影響を与える。
は、ホウケイ酸ガラスや無アルカリガラスが用いられて
いるが、これらのホウケイ酸ガラスや無アルカリガラス
は、α線放射量が大きく、しかもカバーガラスは、素子
に対面するように取り付けられるため、そこから放射さ
れるα線は、素子に対して大きな悪影響を与える。
【０００５】すなわちカバーガラスからα線が放射さ
れ、これが固体撮像素子に入射すると、α線のエネルギ
ーによって正孔・電子対が誘起され、これが原因となっ
て瞬間的に画像に輝点や白点を生じさせる、所謂ソフト
エラーと呼ばれる現象が発生する。
れ、これが固体撮像素子に入射すると、α線のエネルギ
ーによって正孔・電子対が誘起され、これが原因となっ
て瞬間的に画像に輝点や白点を生じさせる、所謂ソフト
エラーと呼ばれる現象が発生する。
【０００６】特に近年、単位面積当りの画素数の増大に
よる高精度化が進められるに従い、素子がますます微細
になり、α線の影響が一層顕著に現れるようになってき
ており、そのためウラン（Ｕ）やトリウム（Ｔｈ）など
の放射性同位元素を少なくすることによってα線放射量
を少なくしたカバーガラスの開発が試みられている。
よる高精度化が進められるに従い、素子がますます微細
になり、α線の影響が一層顕著に現れるようになってき
ており、そのためウラン（Ｕ）やトリウム（Ｔｈ）など
の放射性同位元素を少なくすることによってα線放射量
を少なくしたカバーガラスの開発が試みられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが固体撮像素子
の高精度化に伴い、α線以外にも、β線の撮像素子に対
する影響も問題となりつつある。すなわちβ線は、α線
に比べて透過性が強いため、撮像素子への影響は微弱で
あるが、これによっても素子の機能が損なわれる可能性
が出てきた。従ってこの種のガラスには、β線の放射量
が少ないことも要求されている。
の高精度化に伴い、α線以外にも、β線の撮像素子に対
する影響も問題となりつつある。すなわちβ線は、α線
に比べて透過性が強いため、撮像素子への影響は微弱で
あるが、これによっても素子の機能が損なわれる可能性
が出てきた。従ってこの種のガラスには、β線の放射量
が少ないことも要求されている。
【０００８】本発明の第１の目的は、β線の放射量の少
ない固体撮像素子用カバーガラスを提供することであ
り、第２の目的は、さらにα線の放射量も少ない固体撮
像素子用カバーガラスを提供することである。
ない固体撮像素子用カバーガラスを提供することであ
り、第２の目的は、さらにα線の放射量も少ない固体撮
像素子用カバーガラスを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記第１の
目的を達成すべく、種々の実験を重ねた結果、従来のホ
ウケイ酸ガラスからなる固体撮像素子用カバーガラスに
は、溶融を促進する目的でＫ2 Ｏが含有されているが、
この成分がβ線の放射の主因となっていることを見いだ
し、本発明を提案するに至った。
目的を達成すべく、種々の実験を重ねた結果、従来のホ
ウケイ酸ガラスからなる固体撮像素子用カバーガラスに
は、溶融を促進する目的でＫ2 Ｏが含有されているが、
この成分がβ線の放射の主因となっていることを見いだ
し、本発明を提案するに至った。
【００１０】すなわち本発明の固体撮像素子用カバーガ
ラスは、本質的にＫ2 Ｏを含有しないホウケイ酸ガラス
からなり、β線放射量が、５×１０-6μＣｉ／ｃｍ2 以
下であることを特徴とする。
ラスは、本質的にＫ2 Ｏを含有しないホウケイ酸ガラス
からなり、β線放射量が、５×１０-6μＣｉ／ｃｍ2 以
下であることを特徴とする。
【００１１】また本発明の固体撮像素子用カバーガラス
は、好ましくは、ガラス中に含有されるウラン、トリウ
ムの量が、各々５０ｐｐｂ以下であることを特徴とす
る。
は、好ましくは、ガラス中に含有されるウラン、トリウ
ムの量が、各々５０ｐｐｂ以下であることを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】ガラスのβ線発生の主因は、β崩壊する同位体
を有する成分であり、これを一定値以下に抑えれば、β
線の放射量を少なくすることが可能である。カリウムの
原料は、Ｋの放射性同位元素である40Ｋを有しており、
これがβ線放射の原因となるため、Ｋ2 Ｏを本質的に含
有しなければ、β線放射量を５×１０-6μＣｉ／ｃｍ2
以下に抑えることが可能となる。
を有する成分であり、これを一定値以下に抑えれば、β
線の放射量を少なくすることが可能である。カリウムの
原料は、Ｋの放射性同位元素である40Ｋを有しており、
これがβ線放射の原因となるため、Ｋ2 Ｏを本質的に含
有しなければ、β線放射量を５×１０-6μＣｉ／ｃｍ2
以下に抑えることが可能となる。
【００１３】因に、本質的にＫ2 Ｏを含有しないという
意味は、意識的にＫ2 Ｏが含有されていないということ
であり、不純物として微量混入する程度の量であれば所
期の目的を達成することが可能である。
意味は、意識的にＫ2 Ｏが含有されていないということ
であり、不純物として微量混入する程度の量であれば所
期の目的を達成することが可能である。
【００１４】また先記したようにα線の主因は、ガラス
中のＵとＴｈであり、本発明者の知見によると、ＵとＴ
ｈの量を各々５０ｐｐｂ以下に規制すると、α線の放射
量が十分に少なくなるため、α線による固体撮像素子の
ソフトエラーや永久損傷を防ぐことができる。
中のＵとＴｈであり、本発明者の知見によると、ＵとＴ
ｈの量を各々５０ｐｐｂ以下に規制すると、α線の放射
量が十分に少なくなるため、α線による固体撮像素子の
ソフトエラーや永久損傷を防ぐことができる。
【００１５】ガラス中のＵやＴｈの量を少なくするに
は、これらを多く含む原料を使用しないことが必要であ
り、ジルコニア原料がこれに相当するため、ＺｒＯ2 は
含有しない方が良い。またジルコニア原料ほどではない
が、バリウム原料にもＵとＴｈが含まれているため、Ｂ
ａＯも極力含まないことが望ましく、例え含有させる場
合でも、原料として高純度品を使用することが必要であ
る。さらに他の原料についても、高純度品を選定するこ
とが望ましく、しかも溶融時や加工時におけるＵ、Ｔｈ
の混入も避けることが必要である。
は、これらを多く含む原料を使用しないことが必要であ
り、ジルコニア原料がこれに相当するため、ＺｒＯ2 は
含有しない方が良い。またジルコニア原料ほどではない
が、バリウム原料にもＵとＴｈが含まれているため、Ｂ
ａＯも極力含まないことが望ましく、例え含有させる場
合でも、原料として高純度品を使用することが必要であ
る。さらに他の原料についても、高純度品を選定するこ
とが望ましく、しかも溶融時や加工時におけるＵ、Ｔｈ
の混入も避けることが必要である。
【００１６】本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、
ホウケイ酸ガラスからなるため、熱膨張係数をアルミナ
セラミックのそれに近似させることができ、しかも耐候
性が良好で、透明性が損なわれ難いという長所を有す
る。
ホウケイ酸ガラスからなるため、熱膨張係数をアルミナ
セラミックのそれに近似させることができ、しかも耐候
性が良好で、透明性が損なわれ難いという長所を有す
る。
【００１７】尚、ホウケイ酸ガラスとは、ＳｉＯ2 とＢ
2 Ｏ3 を主成分とするガラスのことであり、一般にＳｉ
Ｏ2 ４０〜９０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １〜５０重量％、Ａ
ｌ2Ｏ3 ０〜３０重量％、アルカリ金属酸化物 ０〜３
０重量％、アルカリ土類金属酸化物 ０〜３０重量％及
び各種清澄剤等から構成される。
2 Ｏ3 を主成分とするガラスのことであり、一般にＳｉ
Ｏ2 ４０〜９０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １〜５０重量％、Ａ
ｌ2Ｏ3 ０〜３０重量％、アルカリ金属酸化物 ０〜３
０重量％、アルカリ土類金属酸化物 ０〜３０重量％及
び各種清澄剤等から構成される。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の固体撮像素子用カバーガラス
を実施例に基づき詳細に説明する。
を実施例に基づき詳細に説明する。
【００１９】表１、２は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．
１〜８）と、比較例（試料Ｎｏ．９〜１１）のガラスを
示すものである。
１〜８）と、比較例（試料Ｎｏ．９〜１１）のガラスを
示すものである。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】表のＮｏ．１〜１１の各試料は、次のよう
にして調製した。
にして調製した。
【００２３】まず表に示す組成のガラスとなるように調
合したガラス原料を白金ルツボに入れ、電気炉内で１５
００℃、５時間の条件で溶融した後、この溶融ガラスを
グラファイト上に流し出し、次いで徐冷炉内で除歪し
た。
合したガラス原料を白金ルツボに入れ、電気炉内で１５
００℃、５時間の条件で溶融した後、この溶融ガラスを
グラファイト上に流し出し、次いで徐冷炉内で除歪し
た。
【００２４】こうして作製した各試料について、α線と
β線の放射量を測定し、その値を表に示した。
β線の放射量を測定し、その値を表に示した。
【００２５】表から明らかなように実施例であるＮｏ．
１〜８の各試料は、Ｋ2 Ｏを含有しないため、β線放射
量が、４×１０-6μＣｉ／ｃｍ2 以下と少なく、しかも
不純物であるＵとＴｈの量が、各々５０ｐｐｂ以下であ
るため、α線放射量も０．００９Ｃ／ｃｍ2 ・ｈｒ．以
下と少なかった。
１〜８の各試料は、Ｋ2 Ｏを含有しないため、β線放射
量が、４×１０-6μＣｉ／ｃｍ2 以下と少なく、しかも
不純物であるＵとＴｈの量が、各々５０ｐｐｂ以下であ
るため、α線放射量も０．００９Ｃ／ｃｍ2 ・ｈｒ．以
下と少なかった。
【００２６】それに対して比較例であるＮｏ．９とＮ
ｏ．１０の試料は、β線放射量が、各々９×１０-6μＣ
ｉ／ｃｍ2 と６×１０-6μＣｉ／ｃｍ2 と多かった。ま
たＮｏ．１１の試料は、β線放射量が、６×１０-6μＣ
ｉ／ｃｍ2 と多く、しかもＵとＴｈの量が多いため、α
線放射量も０．０５Ｃ／ｃｍ2 ・ｈｒ．と多かった。
ｏ．１０の試料は、β線放射量が、各々９×１０-6μＣ
ｉ／ｃｍ2 と６×１０-6μＣｉ／ｃｍ2 と多かった。ま
たＮｏ．１１の試料は、β線放射量が、６×１０-6μＣ
ｉ／ｃｍ2 と多く、しかもＵとＴｈの量が多いため、α
線放射量も０．０５Ｃ／ｃｍ2 ・ｈｒ．と多かった。
【００２７】尚、表中のＵとＴｈの量は、ＩＣＰ（誘導
結合高周波プラズマ）分析によって求めたものであり、
またα線とβ線の放射量は、ガスフロー比例計数管測定
装置を用いて測定した。
結合高周波プラズマ）分析によって求めたものであり、
またα線とβ線の放射量は、ガスフロー比例計数管測定
装置を用いて測定した。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明の固体撮像素子用カ
バーガラスは、β線の放射量が少ないため、β線によっ
て素子にソフトエラーが発生することがなく、しかもＵ
とＴｈの量を少なくすることによって、α線の放射量も
少なくすることが可能である。
バーガラスは、β線の放射量が少ないため、β線によっ
て素子にソフトエラーが発生することがなく、しかもＵ
とＴｈの量を少なくすることによって、α線の放射量も
少なくすることが可能である。
Claims (2)
- 【請求項１】 本質的にＫ2 Ｏを含有しないホウケイ酸
ガラスからなり、β線放射量が、５×１０-6μＣｉ／ｃ
ｍ2 以下であることを特徴とする固体撮像素子用カバー
ガラス。 - 【請求項２】 ガラス中に含有されるウラン（Ｕ）、ト
リウム（Ｔｈ）の量が、各々５０ｐｐｂ以下であること
を特徴とする請求項１の固体撮像素子用カバーガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6026011A JPH07215734A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 固体撮像素子用カバーガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6026011A JPH07215734A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 固体撮像素子用カバーガラス |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000319977A Division JP3506237B2 (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 固体撮像素子用カバーガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07215734A true JPH07215734A (ja) | 1995-08-15 |
Family
ID=12181765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6026011A Pending JPH07215734A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 固体撮像素子用カバーガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07215734A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005008509A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 |
| JP2005162600A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体パッケージ用カバーガラス |
| JP2010090026A (ja) * | 2003-02-19 | 2010-04-22 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体パッケージ用カバーガラス |
| JP2011049275A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Asahi Glass Co Ltd | 固体撮像素子パッケージ用窓材並びに撮像装置 |
| JP2011168455A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Asahi Glass Co Ltd | 近赤外線カットフィルタガラス |
| WO2012033161A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-01-28 JP JP6026011A patent/JPH07215734A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010090026A (ja) * | 2003-02-19 | 2010-04-22 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体パッケージ用カバーガラス |
| JP2005008509A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 |
| JP2005162600A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体パッケージ用カバーガラス |
| JP2011049275A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Asahi Glass Co Ltd | 固体撮像素子パッケージ用窓材並びに撮像装置 |
| JP2011168455A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Asahi Glass Co Ltd | 近赤外線カットフィルタガラス |
| WO2012033161A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 |
| CN103097317A (zh) * | 2010-09-09 | 2013-05-08 | 日本电气硝子株式会社 | 半导体封装用防护玻璃及其制造方法 |
| US20130165312A1 (en) * | 2010-09-09 | 2013-06-27 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Cover glass for semiconductor package and production method thereof |
| US9269742B2 (en) | 2010-09-09 | 2016-02-23 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Cover glass for semiconductor package and production method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002249340A (ja) | 半導体パッケージ用カバーガラス | |
| JP2005162600A (ja) | 半導体パッケージ用カバーガラス | |
| JP5378158B2 (ja) | 半導体パッケージ用カバーガラス | |
| TWI428305B (zh) | A semiconductor substrate for a semiconductor element, and a wafer size thereof | |
| JPH07215734A (ja) | 固体撮像素子用カバーガラス | |
| JP3506237B2 (ja) | 固体撮像素子用カバーガラス | |
| JP4371841B2 (ja) | 半導体パッケージ用窓材ガラス | |
| JP3043076B2 (ja) | 低蛍光性ガラス | |
| JP3532178B2 (ja) | 半導体パッケージ用窓材ガラス及びその製造方法 | |
| JP3288169B2 (ja) | パッケージ用ガラスの製造方法 | |
| JP3090174B2 (ja) | 低放射線ガラス | |
| JP2005126311A (ja) | 半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 | |
| JP3112053B2 (ja) | 固体撮像素子用カバーガラス | |
| JP3283722B2 (ja) | 半導体パッケージ用窓材ガラス及びその製造方法 | |
| JP2634063B2 (ja) | 固体撮像素子用カバーガラス | |
| JP3206804B2 (ja) | 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス | |
| JP2000233939A (ja) | 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス | |
| JP2660891B2 (ja) | 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス | |
| JP2007126346A (ja) | 放射線の少ないカバーガラスとその用途 | |
| JP2005200289A (ja) | 固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法 | |
| JP3589421B2 (ja) | 半導体パッケージ用窓材ガラス及びその製造方法 | |
| JP3206787B2 (ja) | 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス | |
| JP3123009B2 (ja) | 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス | |
| JP3386058B2 (ja) | 半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 | |
| JPH1036134A (ja) | アルミナ封着用紫外線透過ガラス |