KR20080055966A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

서브 화소 전극끼리를 잇는 접속 전극에 기초하는 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 액정 표시 장치는, 액정 패널의 각 화소 전극(2)이 적어도 2개 이상의 서브 화소 전극(2a)을 조합함으로써 구성되고, 또한 각 서브 화소 전극(2a)이, 서브 화소 전극(2a)보다도 협폭의 브릿지(3)로 각각 접속되어 있다. 전압 인가 시에 액정 분자가 각 서브 화소 전극(2a)면에 수직한 방향의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러지는 수직 배향 방식을 채용한다. 브릿지(3)는 서브 화소 전극(2a)에 대해 비대칭 위치에 형성되어 있다.
Figure 112008030566721-PCT00001
화소 전극, 서브 화소 전극, 브릿지, 슬릿, 액정 표시 장치, 액정 분자

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은, 액정 패널의 각 화소 전극이 적어도 2개 이상의 서브 화소 전극을 조합함으로써 구성되고, 또한 각 서브 화소 전극이 그 서브 화소 전극보다도 협폭의 접속 전극으로 각각 접속되어 있음과 함께, 전압 인가 시에 액정 분자가 각 서브 화소 전극면에 수직한 방향의 소정의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러지는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 액정 표시 장치로서, TN(Twisted Nematic)형의 액정 표시 장치가 널리 이용되고 있다. 이 TN형 액정 표시 장치의 액정층은, 상하 2매의 배향막의 러빙 방향을 변화시켜, 전압 무인가의 상태에서 액정 분자가 비틀어진 상태(트위스트 배향)로 하고 있다. TN 모드의 액정 표시 장치는, 표시 품위의 시각 의존성이 크다.
따라서, TN 모드의 액정 표시 장치에서는, 마이너스의 유전 이방성을 갖는 액정 재료와 수직 배향막을 이용한 수직 배향(VA : Vertically Aligned) 모드 방식이 제안되어 있다. 수직 배향 모드는, 전압 무인가 상태에서 흑 표시를 행한다. 마이너스의 굴절률 이방성을 갖는 위상차판 등을 이용하여, 전압 무인가 상태의 수직 배향한 액정층에 의한 복굴절을 대략 보상함으로써, 매우 넓은 시각 방향에서 양호한 흑 표시를 얻을 수 있다. 따라서, 넓은 시각 방향에서 높은 콘트라스트를 갖는 표시가 가능하게 된다.
상기 수직 배향(VA : Vertically Aligned) 방식의 액정 표시 장치로서, 예를 들면 특허 문헌 1에 개시된 것이 있다.
이 액정 표시 장치(100)에서는, 도 16a에 도시한 바와 같이, 화소 전극(101)은 서브 화소 전극(101aㆍ101aㆍ101a)을 갖고 있고, 도 16b에 도시한 바와 같이, 화소 전극(101)에 대향하는 대향 전극(102)에는, 각 서브 화소 전극(101a…)의 중앙부의 위치에 볼록형의 리베트부(103)를 각각 구비하고 있다.
이에 의해, 서브 화소 전극(101a…)과 대향 전극(102) 사이에서 전극면에 수직으로 발생하고 있던 전계를 비스듬히 할 수 있기 때문에, 수직 배향 모드에서, 전압 인가 시에 액정 분자가 축 대칭 형상으로 쓰러지게 되고, 일방향으로만 쓰러졌을 때보다도 시각 의존성이 평균화되어, 전체 방위에 걸쳐 매우 양호한 시각 특성을 얻을 수 있게 되어 있다.
특허 문헌 1 : 일본 공개 특허 공보 「일본 특허 공개 제2005-215352호 공보(2005년 4월 21일 공개)」
특허 문헌 2 : 일본 공개 특허 공보 「일본 특허 공개 제2001-109009호 공보(2001년 4월 20일 공개)」
<발명의 개시>
그런데, 상기 종래의 액정 표시 장치에서는, 도 16a에 도시한 바와 같이, 복수의 서브 화소 전극(101a…)을 잇는 접속 전극인 브릿지(104)의 센터 위치가, 서 브 화소 전극(101a…)의 센터 위치 및 리베트부(103…)의 센터 위치와 일치하고, 좌우 대칭의 형상으로 되어 있다.
그러나, 이 배치에서는 브릿지(104)의 전계 효과 및 리베트부(103…)의 배향 규제력이 좌우 대칭으로 되고, 또한 브릿지(104) 자체가 폭을 갖기 때문에, 여기에 형성되는 액정 분자의 배향 중심축이, 브릿지(104)의 좌우 양단 중 어느 쪽인가로 치우치는 현상이 발생한다. 이 배향 중심축이 치우치는 방향은, 종래 설계에서는 제어할 수 없기 때문에, 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위 저하의 원인으로 된다고 하는 문제점을 갖고 있다.
이 문제에 대해, 도 17a, 도 17b 및 도 17c에 도시한 바와 같이, 상기 특허 문헌 1과 유사한 액정 표시 장치(200)에서의 액정 분자의 배향을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 액정 표시 장치(200)에서는 서브 화소 전극(201a)이 4각형으로 되어 있는 점이, 상기의 액정 표시 장치(100)의 서브 화소 전극(101a)이 6각형으로 되어 있는 점에서 상이하다.
즉, 액정 표시 장치(200)는, 도 17a에 도시한 바와 같이, 서브 화소 전극(201a…)을 가짐과 함께, 대향 전극(202)에서의, 각 서브 화소 전극(201a…)의 중앙부의 대향 위치에는 볼록형의 리베트부(203)를 각각 구비하고 있다. 또한, 각 서브 화소 전극(201a…)과의 사이에는, 복수의 서브 화소 전극(201a…)을 잇는 브릿지(204)가 형성되어 있고, 그 브릿지(204)의 센터 위치가, 서브 화소 전극(201a…)의 센터 위치 및 리베트부(203…)의 센터 위치와 일치하고, 좌우 대칭의 형상으로 되어 있다.
이 구성의 액정 표시 장치(200)에서는, 리베트부(203…)의 근방에서는, 액정 분자(210)는, 도 17b에 도시한 바와 같이, 리베트부(203)의 경사면에 대해 수직 방향으로 되도록 배향한다. 즉, 액정 분자(210)는 대향 기판측으로부터 본 경우, 전체 방향에서 리베트부(203)에 대해 중앙부를 향하는 배향으로 된다.
또한, 브릿지(204)의 근방에서는, 도 17c에 도시한 바와 같이, 슬릿부(205)의 액정 분자(210)는 브릿지(204)에 의해 형성되는 경사 전계에 의해, ITO로 이루어지는 브릿지(204)에 대해 내측을 향하는 배향으로 된다.
한편, 서브 화소 전극(201a)과 서브 화소 전극(201a)을 잇는 종방향에서는, 액정 분자(210)의 배향을 정하는 수단은,
(i) 인접하는 리베트부(203)에 의한 배향
(ⅱ) 슬릿부(205)에 의한 경사 전계에 의한 배향
으로 된다. 따라서, 서브 화소 전극(201a)과 서브 화소 전극(201a)을 잇는 종방향에서는, 도시하지 않지만, 액정 분자(210)는 브릿지(204)에 대해 외측을 향하는 배향으로 된다.
또한, 서브 화소 전극(201a…)의 각부 근방에서는, 도 17d에 도시한 바와 같이, 액정 분자(210)는,
(i) 서브 화소 전극(201a)의 단부의 경사 전계에 의한 배향
(ⅱ) 인접하는 리베트부(203)에 의한 배향
에 의해, 각부 슬릿(206)에 대해 모두 외측을 향하는 배향으로 된다.
그러나, 도 17a, 도 17b, 도 17c 및 도 17d에 도시한 액정 분자(210)의 배향 은 이상계이며, 실제로는 브릿지(204) 상에 형성되는 액정 분자(210)의 배향 중심축은, 도 17e에 도시한 바와 같이, 브릿지(204) 상의 어긋남을 야기한다. 이 어긋남의 방향은 정해져 있지 않다. 즉, 서브 화소 전극(201a)이 대칭이기 때문에, 브릿지(204) 상의 배향 중심축이 치우치는 방향이 고정되지 않는다.
이 결과, 도 18에 도시한 바와 같이, 액정 패널 전체로부터 본 브릿지(204)의 배향의 치우침은, 일방향으로 고정할 수 없기 때문에, 랜덤하게 된다. 그 때문에, 거칠음, 소부 및 잔상에 대한 표시 품위의 열화의 원인으로 된다.
또한, 특허 문헌 2에는, 도 19에 도시한 바와 같이, 3개의 서브 화소 전극(301aㆍ301aㆍ301a)에 각각 X형상 홈(302)을 형성하고, 또한 각 서브 화소 전극(301aㆍ301aㆍ301a) 사이를 양단 2개소에 형성한 접속 전극(303ㆍ303)으로 이은 수직 배향 방식의 액정 표시 장치가 개시되어 있다.
그러나, 이 액정 표시 장치에서도, 서브 화소 전극(301a)에 대해 대칭으로 되는 위치에 접속 전극(303ㆍ303)이 형성되어 있으므로, 접속 전극(303ㆍ303) 사이에 존재하는 슬릿부(304)에서는, 형성되는 배향 중심축을 규제하는 수단이 존재하지 않으므로, 배향 중심축의 위치가 정해지지 않아, 상기와 마찬가지로, 거칠음이나 소부 등의 원인으로 된다고 하는 문제를 갖고 있다.
본 발명은, 상기 종래의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은 서브 화소 전극끼리를 잇는 접속 전극에 기초하는 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 액정 표시 장치는, 상기 과제를 해결하기 위해, 액정 패널의 각 화소 전극이 적어도 2개 이상의 서브 화소 전극을 조합함으로써 구성되고, 또한 각 서브 화소 전극이 그 서브 화소 전극보다도 협폭의 접속 전극으로 각각 접속되어 있음과 함께, 전압 인가 시에 액정 분자가 각 서브 화소 전극면에 수직한 방향의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러지는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치로서, 상기 접속 전극은 서브 화소 전극에 대해 비대칭 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 액정 표시 장치의 제조 방법은, 상기 과제를 해결하기 위해, 액정 패널의 각 화소 전극이 적어도 2개 이상의 서브 화소 전극을 조합함으로써 구성되고, 또한 각 서브 화소 전극이 그 서브 화소 전극보다도 협폭의 접속 전극으로 각각 접속되어 있음과 함께, 전압 인가 시에 액정 분자가 각 서브 화소 전극면에 수직한 방향의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러지는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법으로서, 상기 접속 전극을 서브 화소 전극에 대해 비대칭 위치에 형성하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명은, 축 대칭으로 쓰러지는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치로서, 액정 패널의 2개 이상의 서브 화소 전극이 그 서브 화소 전극보다도 협폭의 접속 전극으로 각각 접속되어 있는 액정 표시 장치를 대상으로 하고 있다. 이 접속 전극은, 각 서브 화소 전극 사이에 1개이어도 복수이어도 된다.
그런데, 이러한 종류의 액정 표시 장치에서는, 일반적으로 접속 전극은, 서브 화소 전극에 대해 대칭 위치에 형성되어 있으므로, 접속 전극 상의 액정 분자의 배향 중심축을 정하는 힘이 중립으로 되어 안정되어 있지 않다. 이 때문에, 현실적으로는 접속 전극 상의 액정 분자의 배향 중심축은 그 근방의 액정 분자의 배향의 영향을 받아, 접속 전극의 중심으로부터 어긋나는 경향이 있고, 또한 그 어긋남 방향은 각 접속 전극에서 반드시 정해져 있지 않다. 그 결과, 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의해, 액정 패널 전체를 보면, 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화의 원인으로 되어 있다.
따라서, 본 발명에서는 접속 전극을, 서브 화소 전극에 대해 비대칭 위치에 형성하고 있다. 이에 의해, 접속 전극 상의 액정 분자의 배향 중심축을 정하는 힘이 접속 전극에 대해 중립이라고 하는 것이 없어지므로, 모든 접속 전극 상의 액정 분자의 배향 중심축을 그 접속 전극의 중심으로부터 일정 방향으로 안정적으로 어긋나게 할 수 있다. 즉, 액정 분자가 흐트러지는 방향이 일정하게 된다.
이 결과, 서브 화소 전극끼리를 잇는 접속 전극에 기초하는 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 액정 표시 장치는, 접속 전극은 서브 화소 전극에 대해 비대칭 위치에 형성되어 있는 것이다.
또한, 이상과 같이, 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 방법은 접속 전극을 서브 화소 전극에 대해 비대칭 위치에 형성하는 방법이다.
그 때문에, 접속 전극 상의 액정 분자의 배향 중심축을 정하는 힘이 중립이라고 하는 것이 없어지므로, 모든 접속 전극 상의 액정 분자의 배향 중심축을 그 접속 전극의 중심으로부터 일정 방향으로 안정적으로 어긋나게 할 수 있다. 즉, 액정 분자가 흐트러지는 방향이 일정하게 된다.
이 결과, 서브 화소 전극끼리를 잇는 접속 전극에 기초하는 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
도 1a는 본 발명에서의 액정 표시 장치의 실시의 일 형태를 나타내는 것으로서, 액정 패널의 화소를 도시하는 평면도.
도 1b는 도 1a의 A-A선 단면도.
도 2a는 상기 액정 표시 장치의 서브 화소 전극끼리를 잇는 브릿지의 위치를 도시하는 평면도.
도 2b는 상기 화소 전극 상의 액정 분자의 배향 상태를 도시하는 평면도.
도 3은 상기 복수의 화소 전극에서의 브릿지의 배향을 동일 방향의 치우침으로 한 액정 패널을 도시하는 평면도.
도 4는 상기 화소 전극의 브릿지의 치우침이 인접하는 화소 전극간에서 체크 무늬 형상으로 배치된 액정 패널을 도시하는 평면도.
도 5a는 일렬로 배치된 3개의 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축과 서브 화소 전극의 중심축이 일치하고 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 5b는 상기 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 5c는 상기 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 교대로 좌우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 6a는 매트릭스 형상으로 배치된 4개의 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축과 서브 화소 전극의 중심축이 일치하고 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 6b는 상기 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 교대로 좌우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 7a는 본 발명에서의 액정 표시 장치의 다른 실시 형태를 나타내는 것으로서, 브릿지 상에 금속 전극을 재치한 반투과형의 액정 표시 장치에서, 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축을 서브 화소 전극의 중심축에 대해 우측 치우침으로 치우치게 한 브릿지를 도시하는 평면도.
도 7b는 본 발명에서의 액정 표시 장치의 다른 실시 형태를 나타내는 것으로서, 브릿지 상에 금속 전극을 재치한 반투과형의 액정 표시 장치에서, 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축을 서브 화소 전극의 중심축에 대해 우측 치우침으로 치우치게 한 브릿지를 도시하는 평면도.
도 7c는 도 7b의 B-B선 단면도.
도 8a는 반사 전극으로 이루어지는 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 8b는 한쪽의 서브 화소 전극을 반사 전극으로 형성하고, 다른 쪽의 서브 화소 전극을 투과 전극으로 형성한 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 9a는 본 발명에서의 액정 표시 장치의 또 다른 실시 형태를 나타내는 것으로서, 서브 화소 전극 사이에 브릿지뿐만 아니라, 화소 전극과 상이한 전위를 갖는 전극을 갖는 경우에서, 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지 및 그 전극의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 9b는 본 발명에서의 액정 표시 장치의 또 다른 실시 형태를 나타내는 것으로서, 서브 화소 전극 사이에 브릿지뿐만 아니라, 화소 전극과 상이한 전위를 갖는 전극을 갖는 경우에서, 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지 및 그 전극의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 10a는 본 발명에서의 액정 표시 장치의 또 다른 실시 형태를 나타내는 것으로서, 대향 전극측 투명 기판에 대향 전극 개구부를 갖는 수직 배향 모듈에서, 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지 및 그 전극의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 좌측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 10b는 도 10a의 C-C선 단면도.
도 11a는 본 발명에서의 액정 표시 장치의 또 다른 실시 형태를 나타내는 것으로서, TFT측 투명 기판에 화소 전극 개구부를 갖는 수직 배향 모듈에서, 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지 및 그 전극의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 좌측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지를 도시하는 평면도.
도 11b는 도 11a의 D-D선 단면도.
도 12a는 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축과 서브 화소 전극의 중심축이 일치하고 있는 종래 설계의 브릿지를 도시하는 평면도.
도 12b는 본 발명에서의 액정 표시 장치의 실시예를 나타내는 것으로서, 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축과 서브 화소 전극의 중심축이 불일치인 브릿지를 도시하는 평면도.
도 13a는 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축과 서브 화소 전극의 중심축이 일치하고 있는 종래 설계의 브릿지에서의 액정 분자의 배향 상태를 도시하는 평면도.
도 13b는 액정 표시 장치의 실시예를 나타내는 것으로서, 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 5㎛ 우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지에서의 액정 분자의 배향 상태를 도시하는 평면도.
도 13c는 액정 표시 장치의 실시예를 나타내는 것으로서, 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 10㎛ 우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지에서의 액정 분자의 배향 상태를 도시하는 평면도.
도 14a는 상기 액정 표시 장치의 실시예를 나타내는 것으로서, 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지에서의 정면 방향 V-T 특성을 도시하는 그래프.
도 14b는 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 체크 무늬 형상으로 배치된 브릿지에서의 정면 방향 V-T 특성을 도시하는 그래프.
도 15a는 상기 액정 표시 장치의 실시예를 나타내는 것으로서, 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 10㎛ 우측 치우침으로 치우쳐 있는 브릿지에서의 콘트라스트 시야각 특성을 도시하는 그래프.
도 15b는 각 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축이 서브 화소 전극의 중심축에 대해 체크 무늬 형상으로 배치된 브릿지에서의 콘트라스트 시야각 특성을 도시하는 그래프.
도 15c는 서브 화소 전극을 잇는 브릿지의 중심축과 서브 화소 전극의 중심축이 일치하고 있는 브릿지에서의 콘트라스트 시야각 특성을 도시하는 그래프.
도 15d는 콘트라스트 시야각(CR)>10으로 되는 시각을 도시하는 도면.
도 16a는 종래의 액정 표시 장치에서의 화소 전극 및 브릿지의 구성을 도시하는 평면도.
도 16b는 도 16a의 W-W선 단면도.
도 17a는 상기 액정 표시 장치의 서브 화소 전극 및 브릿지에서의 액정 분자의 배향 상태를 도시하는 평면도.
도 17b는 도 17a의 X-X선 단면도.
도 17c는 이상계의 도 17a의 Y-Y선 단면도.
도 17d는 도 17a의 Z-Z선 단면도.
도 17e는 실제의 도 17a의 Y-Y선 단면도.
도 18은 상기 액정 표시 장치의 브릿지에서의 액정 분자의 배향 상태를 도시하는 평면도.
도 19는 종래의 다른 액정 표시 장치에서의 화소 전극 및 브릿지의 구성을 도시하는 평면도.
<부호의 설명>
1 : TFT측 투명 기판
2 : 화소 전극
2a : 서브 화소 전극
2b : 화소 전극 개구부
3 : 브릿지(접속 전극)
4 : 슬릿
10 : 액정 표시 장치
11 : 대향 전극측 투명 기판
12 : 대향 전극
12a : 대향 전극 개구부
15 : 리베트부(액정층측 볼록부)
20 : 액정층
21 : 액정 분자
30 : 액정 표시 장치
31 : 금속 전극
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
<실시 형태 1>
본 발명의 일 실시 형태에 대해 도 1a 내지 도 6b에 기초하여 설명하면, 이하와 같다.
본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)의 구성을 도 1a 및 도 1b를 참조하면서 설명한다. 도 1a는 액정 표시 장치(10)의 평면도이며, 도 1b는 도 1a의 A-A선 단면도이다.
도 1a 및 도 1b에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)는 투과형의 액정 표시 장치로 되어 있고, 액정 패널은, 예를 들면 글래스 기판 등의 TFT(Thin Film Transistor : 박막 트랜지스터)측 투명 기판(1)과, 이 TFT측 투명 기판(1)에 대향하도록 형성된 대향 전극측 투명 기판(11)과, TFT측 투명 기판(1)과 대향 전극측 투명 기판(11) 사이에 형성된 수직 배향형의 액정층(20)을 갖고 있다. TFT측 투명 기판(1) 및 대향 전극측 투명 기판(11) 상의 액정층(20)에 접하는 면에는 도시하지 않은 수직 배향막이 형성되어 있고, 전압 무인가 시에는, 액정층(20)의 액정 분자는 수직 배향막의 표면에 대해 대략 수직으로 배향하고 있다. 액정층(20)은 유전 이방성이 마이너스인 네마틱 액정 재료를 포함하고 있다.
상기 액정 표시 장치(10)의 액정 패널은 TFT측 투명 기판(1) 상에 형성된 화소 전극(2)과, 대향 전극측 투명 기판(11) 상에 형성된 대향 전극(12)을 갖고, 화소 전극(2)과 대향 전극(12) 사이에 형성된 액정층(20)이 화소를 규정한다. 여기 서는, 화소 전극(2) 및 대향 전극(12) 모두 ITO(Indium Tin Oxide : 인듐 주석 산화물)로 이루어지는 투명 도전층에 형성되어 있다. 또한, 대향 전극측 투명 기판(11)의 액정층(20)측에는, 화소에 대응하여 형성되는 컬러 필터(13)와, 인접하는 컬러 필터(13) 사이에 형성되는 블랙 매트릭스(차광층)(14)가 형성되고, 이들 상에 대향 전극(12)이 형성되어 있다. 단, 반드시 이에 한하지 않고, 대향 전극(12) 상의 액정층(20)측에 컬러 필터(13)나 블랙 매트릭스(14)를 형성하여도 된다.
상기 액정 패널에는, 도 1a에 도시한 바와 같이, 적(R)ㆍ녹(G)ㆍ청(B)용의 각 화소 전극(2)이 순서대로 배설되어 있음과 함께, 각 화소 전극(2)은 일렬로 배설된 2개의 서브 화소 전극(2aㆍ2a)으로 이루어져 있다. 상기 2개의 서브 화소 전극(2aㆍ2a) 사이에는, 이 서브 화소 전극(2a)보다도 협폭의 접속 전극으로서의 브릿지(3)가 형성되고, 그 양측은 슬릿(4ㆍ4)으로 되어 있다. 이 브릿지(3)는 서브 화소 전극(2a)을 전기적으로 접속하는 것이다. 또한, 상기 서브 화소 전극(2a)은 정방형으로 되어 있지만, 반드시 이에 한하지 않고, 직사각형, 5각형, 6각형 등의 다른 다각형, 또는 원형, 타원형이어도 된다.
또한, 상기 대향 전극(12)에서의, 상기 서브 화소 전극(2aㆍ2a)의 중앙 위치에 대향하는 부분에는, 볼록 형상 또한 원형의 액정층측 볼록부로서의 리베트부(15)가 형성되어 있다.
따라서, 액정층(20)에 소정의 전압을 인가하면, 이 리베트부(15)의 하측의 액정층(20)에는 리베트부(15)의 중심축을 기준으로 하여 후술하는 액정 분자(21)가 축 대칭 배향을 나타낸다. 즉, 이 리베트부(15)는 축 대칭 배향의 중심축의 위치 를 고정하도록 작용한다. 그리고, 리베트부(15)의 주변에는 서브 화소 전극(2a)과 대향 전극(12) 사이에 인가되는 전압에 의해, 경사 전계가 형성되고, 이 경사 전계에 의해 액정 분자(21)가 경사지는 방향이 규정된다. 이 결과, 시야각의 넓어진 액정 패널로 되어 있다.
또한, 축 대칭 배향의 배향 중심축을 고정하기 위해 형성하는 리베트부(15)의 형상은, 예시한 바와 같이 원형인 것이 바람직하지만 이에 한정되지 않는다. 단, 전방위적으로 거의 동등한 배향 규제력을 발휘시키기 위해서는, 4각형 이상의 다각형인 것이 바람직하고, 정다각형인 것이 바람직하다. 또한, 정면으로부터의 단면 형상은, 본 실시 형태와 같이 사다리꼴일 필요는 없고, 예를 들면 사각형, 삼각형이어도 된다.
액정 표시 장치(10)는, 인접하는 화소 사이에 차광 영역을 갖고, 이 차광 영역 내의 TFT측 투명 기판(1) 상에 벽 구조체(22)를 갖고 있다. 여기서, 차광 영역이란, TFT측 투명 기판(1) 상의 화소 전극(2)의 주변 영역으로 형성되는, 예를 들면 TFT나 게이트 신호 배선, 소스 신호 배선, 또는 대향 전극측 투명 기판(11) 상에 형성되는 블랙 매트릭스(14)에 의해 차광되는 영역이며, 이 영역은 표시에 기여하지 않는다. 따라서, 차광 영역에 형성된 벽 구조체(22)는 표시에 악영향을 미치는 일이 없다.
또한, 벽 구조체(22)는 화소를 포위하도록 연속한 벽으로서 형성되어 있지만, 이에 한하지 않고 복수의 벽으로 분단되어 있어도 된다. 이 벽 구조체(22)는 액정 도메인의 화소의 외연 근방에 형성되는 경계를 규정하도록 작용하므로, 어느 정도의 길이를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 벽 구조체(22)를 복수의 벽으로 구성한 경우, 개개의 벽의 길이는, 인접하는 벽 사이의 길이보다도 긴 것이 바람직하다.
또한, 액정층(20)의 두께(셀 갭이라고도 함)를 규정하기 위한 예를 들면 지지체를 차광 영역(여기서는 블랙 매트릭스(14)에 의해 규정되는 영역)으로 형성하면, 표시 품위를 저하시키는 일이 없으므로 바람직하다.
또한, TFT측 투명 기판(1)의 액정층(20)측에는, TFT 등의 액티브 소자 및 TFT에 접속된 게이트 배선 및 소스 배선 등의 도시하지 않은 회로 요소가 형성된다. 또한, TFT측 투명 기판(1)과, TFT측 투명 기판(1) 상에 형성된 회로 요소 및 상술한 화소 전극(2), 벽 구조체(22) 및 배향막 등을 통합하여 액티브 매트릭스 기판이라고 하는 경우가 있다.
한편, 대향 전극측 투명 기판(11)과 이 대향 전극측 투명 기판(11) 상에 형성된 컬러 필터(13), 블랙 매트릭스(14), 대향 전극(12) 및 배향막 등을 통합하여 대향 기판 또는 컬러 필터 기판이라고 하는 경우가 있다.
또한, 상기의 설명에서는 생략하였지만, 액정 표시 장치(10)는 TFT측 투명 기판(1) 및 대향 전극측 투명 기판(11)을 개재하여 서로 대향하도록 배치된 한 쌍의 편광판을 더 갖는다. 한 쌍의 편광판은 투과축이 서로 직교하도록 배치된다.
그런데, 종래의 액정 표시 장치에서는, 서브 화소 전극(2aㆍ2a)을 잇는 브릿지(3)가 리베트부(15ㆍ15)를 연결하는 선 상에 존재하고, 대칭 구조의 서브 화소 전극(2aㆍ2a)의 중앙 위치에 존재하고 있었으므로, 브릿지(3) 상의 액정 분자(21) 의 배향 방향이 정해지지 않았다. 따라서, 여기에 형성되는 액정 분자의 배향 중심축이, 브릿지(3)의 좌우 양단 중 어느 쪽인가로 치우치는 현상이 발생한다. 이 배향 중심축이 치우치는 방향은, 종래 설계에서는 제어할 수 없기 때문에, 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위 저하의 원인으로 된다고 하는 문제점을 갖고 있었다. 즉, 예를 들면 배향 중심축이 치우치는 방향이 액정 패널 전체로서 랜덤하므로, 그에 의해, 표시에 거칠음을 주고 있었다.
이 경우의 대처 방법으로서, 브릿지(3)를 가늘게 형성하는 것이 생각된다. 그러나, 브릿지(3)를 가늘게 형성하면, 서브 화소 전극(2aㆍ2a)간의 도통이 나빠진다. 한편, 반대로 브릿지(3)을 굵게 형성하는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 브릿지(3)를 굵게 형성하여도, 서브 화소 전극(2aㆍ2a) 및 브릿지(3)가 대칭인, 액정 분자(21)의 방향이 고정되지 않는 것에는 변함이 없다. 또한, 서브 화소 전극(2aㆍ2a)간의 간격을 넓히는 것도 생각할 수 있지만, 개구율이 작아진다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)에서는, 도 1a에 도시한 바와 같이, 브릿지(3)를 중심선으로부터 우측으로 어긋나게 한 위치로 되도록 형성하고 있다. 또한, 반드시 이에 한하지 않고, 좌측으로 어긋나게 하는 것도 가능하다.
그 결과, 도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이 브릿지(3) 상에서의 액정 분자(21)의 배향 중심축이 치우치는 방향은, 반드시 브릿지(3)의 오프셋 방향과 반대의 방향으로 된다. 따라서, 액정 표시 장치(10)의 표시 패널의 전체를 본 경우에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 브릿지(3)에서의 액정 분자(21)의 배향의 치우침 은, 일방향으로 고정되어 있다. 이 결과, 거칠음, 소부 및 잔상의 원인으로 되지 않는다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 도 3에 도시한 바와 같이 브릿지(3)(접속 전극)는 화소 전극(2)과 동일층(레이어)에서 형성되어 있음과 함께, 전체 화소 전극(2)에서 브릿지(3)가 치우쳐 있는 방향이 모두 동일하게 되어 있다. 즉, 전체 화소가 동일한 화소 전극 구조를 갖고 있다. 도 3에서는, 전체 화소가 우측 방향으로 치우쳐 있다.
단, 반드시 이에 한하지 않고, 예를 들면, 도 4에 도시한 바와 같이 인접하는 화소 전극(2)과의 사이에서, 브릿지(3)가 치우치는 방향이 서로 역방향, 흔히 말하는 체크 무늬 형상의 배열로 하는 것도 가능하다. 예를 들면, 도 4에 도시한 파선 원으로 나타내는 화소 전극(2)은 브릿지(3)가 우측 치우침으로 치우쳐 있다. 이 파선 원으로 나타내는 화소 전극(2)을 기준으로 하면, 상하 좌우에 인접하는 화소 전극(2)은 모두 좌측 치우침의 화소로 되어 있다.
또한, 상기의 예에서는, 2개의 서브 화소 전극(2aㆍ2a)을 하나의 브릿지(3)로 잇는 것이었지만, 서브 화소 전극(2a)은 2개에 한하지 않고, 도 5a, 도 5b 및 도 5c에 도시한 바와 같이, 3개 또는 그 이상의 서브 화소 전극(2aㆍ2aㆍ2a) 일렬로 배치되는 화소 전극(2)이어도 된다. 이 경우, 도 5b에 도시한 바와 같이 서브 화소 전극(2a) 사이의 슬릿(4)이 복수 존재하고, 서브 화소 전극(2a)이 직렬로 배치되는 경우, 각각의 슬릿(4)에서의 브릿지(3)가 치우치는 방향을, 인접하는 슬릿간에서 모두 동일 방향으로 치우치게 하는 것이 가능하다.
또한, 도 5c에 도시한 바와 같이 서브 화소 전극(2a) 사이의 슬릿(4)이 복수 존재하고, 3개의 서브 화소 전극(2a)이 직렬로 배치되는 경우, 각각의 슬릿(4)에서의 브릿지(3)가 치우치는 방향은, 인접하는 슬릿간에서 서로 반대의 방향으로 하는 것도 가능하다.
또한, 도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 복수의 서브 화소 전극(2a)을, 매트릭스 형상으로 배치하는 것도 가능하다. 이 경우, 도 6b에 도시한 바와 같이 인접하는 슬릿(4)에서의 브릿지(3)가 치우치는 방향은, 인접하는 슬릿(4)에서 서로 반대의 방향으로 치우쳐 있는 것으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에서는, 서브 화소 전극(2a)을 4×4의 매트릭스 배열로 하고 있지만, 반드시 이에 한하지 않고, 그 이상의 매트릭스 배열로 하는 것도 가능하다.
이와 같이, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10) 및 그 제조 방법은, 축 대칭으로 쓰러지는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(10)로서, 액정 패널의 2개 이상의 서브 화소 전극(2a)이 그 서브 화소 전극(2a)보다도 협폭의 브릿지(3)로 각각 접속되어 있는 액정 표시 장치(10)를 대상으로 하고 있다. 이 브릿지(3)는, 각 서브 화소 전극(2a) 사이에 1개이어도 복수이어도 된다.
그리고, 본 실시 형태에서는, 브릿지(3)를, 서브 화소 전극(2a)에 대해 비대칭 위치에 형성하고 있다. 이에 의해, 브릿지(3) 상의 액정 분자(21)의 배향 중심축을 정하는 힘이 중립이라고 하는 것이 없어지므로, 모든 브릿지(3) 상의 액정 분자(21)의 배향 중심축을 그 브릿지(3)의 중심으로부터 일정 방향으로 안정적으로 어긋나게 할 수 있다. 즉, 액정 분자(21)가 흐트러지는 방향이 일정하게 된다.
이 결과, 서브 화소 전극(2a)끼리를 잇는 브릿지(3)에 기초하는 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 얼룩, 거칠음 및 잔상에 대한 표시 품위의 열화를 방지할 수 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(10) 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10) 및 그 제조 방법에서는, 브릿지(3)는, 각 서브 화소 전극(2a) 사이에 1개 형성되어 있다. 따라서, 서브 화소 전극(2a)끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 서브 화소 전극(2a)의 중심선과, 그 서브 화소 전극(2a)끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 브릿지(3)의 중심선이 불일치로 되도록, 브릿지(3)를 배설함으로써, 브릿지(3)는 서브 화소 전극(2a)에 대해 비대칭 위치에 형성되어 있게 된다. 즉, 배향의 특이점이, 서브 화소 전극(2a)의 중심선으로부터 어긋나 있게 된다.
따라서, 서브 화소 전극(2a)끼리를 잇는 브릿지(3)에 기초하는 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(10) 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)에서는, 서브 화소 전극(2a)에 대향하는 대향 전극(12)에서의, 그 각 서브 화소 전극(2a)의 중앙 위치에 대향하는 부분에는 리베트부(15)가 각각 형성되어 있음과 함께, 액정 분자(21)는 전압 인가 시에 리베트부(15)의 하측의 액정층(20)에 형성되는, 각 서브 화소 전극(2a)면에 수직한 방향의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러진다.
이에 의해, 대향 전극(12)에서의, 각 서브 화소 전극(2a)의 중앙 위치에 대향하는 부분에 리베트부(15)가 각각 형성되어 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(10)에서, 서브 화소 전극(2a)끼리를 잇는 브릿지(3)에 기초하는 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 얼룩, 거칠음 및 잔상에 대한 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)에서는, 브릿지(3)는 서브 화소 전극(2a)과 동일층에 형성되어 있다.
이에 의해, 서브 화소 전극(2a)과 동일층에 형성된 브릿지(3)를 갖는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(10)에서, 서브 화소 전극(2a)끼리 잇는 브릿지(3)에 기초하는 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 얼룩, 거칠음 및 잔상에 대한 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)에서는, 액정 패널의 모든 화소 전극(2)에서의 서브 화소 전극(2a)의 중심선에 대해 모든 브릿지(3)의 중심선이 치우치는 방향이 동일 방향으로 되도록, 브릿지(3)가 배설되어 있다.
이에 의해, 액정 패널의 모든 화소 전극(2)에 대해, 브릿지(3)의 중심선이 치우치는 방향이 동일 방향으로 되므로, 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐은 없어진다. 따라서, 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 얼룩, 거칠음 및 잔상에 대한 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)에서는, 액정 패널의 모든 화소 전극(2)에 대해, 브릿지(3)의 중심선이 치우치는 방향이 규칙적인 소위 체크 무늬로 하는 것이 가능하다. 따라서, 어떤 방향으로부터 액정 패널을 보아도 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)에서는, 3개 이상의 상기 서브 화소 전극을 1열로 배설하는 것이 가능하다. 그리고, 그 경우에는, 서브 화소 전극(2a)의 중심선에 대해 각 브릿지(3)의 중심선이 치우치는 방향이 인접하는 서브 화소 전극(2a) 사이에서 서로 역방향으로 되도록, 브릿지(3)를 배설한다.
이에 의해, 3개 이상의 서브 화소 전극(2a)이 1열로 배설되어 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(10)에서, 어떤 방향으로부터 액정 패널을 보아도 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)에서는, 복수의 서브 화소 전극(2a)을 매트릭스 형상으로 배설하는 것이 가능하다. 이 경우, 서브 화소 전극(2a)의 중심선에 대해 각 브릿지(3)의 중심선이 치우치는 방향이 인접하는 서브 화소 전극(2a) 사이에서 서로 역방향으로 되도록, 브릿지(3)를 배설할 수 있다.
이에 의해, 매트릭스 형상으로 배설된 서브 화소 전극(2a)을 갖는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(10)에서, 어떤 방향으로부터 액정 패널을 보아도 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)에서는, 서브 화소 전극(2a) 및 브 릿지(3)는 투과 전극으로 형성되어 있다. 이에 의해, 투과형의 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(10)에서, 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(10)에서는, 서브 화소 전극(2a)의 중심선에 대한 브릿지(3)의 중심선의 편심량은 5㎛ 이상인 것이 바람직하다.
이에 의해, 확실하게 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 브릿지(3)는 서브 화소 전극(2aㆍ2a) 사이에, 1개 형성된 것으로 되어 있지만, 본 발명에서는, 반드시 이에 한하지 않고, 서브 화소 전극(2a)에 대해 비대칭으로 되어 있으면, 복수개이어도 된다.
<실시 형태 2>
본 발명의 다른 실시 형태에 대해 도 7a∼도 7c에 기초하여 설명하면, 이하와 같다. 또한, 본 실시 형태에서 설명하는 것 이외의 구성은, 상기 실시 형태 1과 동일하다. 또한, 설명의 편의상, 상기의 실시 형태 1의 도면에 도시한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
본 실시 형태의 액정 표시 장치(30)에서는, 도 7a에 도시한 바와 같이 브릿지(3) 상에, 예를 들면 알루미늄(Al)으로 이루어지는 금속 전극(31)을 배치한다. 브릿지(3) 상에 금속 전극(31)을 배치하는 이유는, 각 서브 화소 전극(2a)끼리의 도통을 높이기 위해, 용장적으로 전기적인 접속을 행하기 위해서이다.
이와 같이, 브릿지(3)의 전기적 접속에 대해, 금속 전극(31)을 가함으로써 용장 구조를 취하는 경우에는, 도 7b에 도시한 바와 같이 브릿지(3)의 중심선을 치우치게 함과 동시에, 금속 전극(31)의 중심선도, 브릿지(3)의 중심선과 동일량만큼 치우치게 하는 것이 바람직하다. 또한, 이 금속 전극(31)은, 도시하지 않은 다른 서브 화소 전극 상에 서브 화소 전극용 반사 전극이 형성되는 경우에는, 이 서브 화소 전극용 반사 전극과 동일층(레이어)에서 형성된다.
이와 같이, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(30)에서는, 브릿지(3) 상에는, 이 브릿지(3)와는 별도 층인 금속 전극(31)이 적층되어 있음과 함께, 금속 전극(31)의 중심선은 브릿지(3)의 중심선과 대략 일치하고 있다.
이에 의해, 브릿지(3)에 금속 전극(31)을 적층하는 타입의 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(30)에서, 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 금속 전극(31)은, 각 서브 화소 전극(2a)끼리의 도통을 높이기 위해 브릿지(3)와 더불어 용장적으로 형성하고 있지만, 본 발명에서는, 반드시 이에 한하지 않고, 금속 전극(31)을 반사 전극으로서 형성하는 것이어도 된다.
<실시 형태 3>
본 발명의 또 다른 실시 형태에 대해, 도 8a 및 도 8b에 기초하여 설명하면, 이하와 같다. 또한, 본 실시 형태에서 설명하는 것 이외의 구성은, 상기 실시 형태 1 및 실시 형태 2와 동일하다. 또한, 설명의 편의상, 상기의 실시 형태 1 및 실시 형태 2의 도면에 도시한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
상기 실시 형태 1의 액정 표시 장치(10)는 투과형의 액정 표시 장치이었다. 그러나, 본 발명의 액정 표시 장치는, 반드시 이에 한하지 않고, 반투과형 또는 반사형의 액정 표시 장치(30)에 적용하는 것이 가능하다.
예를 들면, 도 8a에 도시한 바와 같이, 서브 화소 전극(2aㆍ2a) 및 브릿지(3) 모두 반사 전극으로 형성하는 것이 가능하다. 이에 의해, 반사형의 액정 표시 장치(30)를 제공할 수 있다. 또한, 반사 전극에 이용하는 금속층은, 예를 들면 알루미늄(Al)으로 이루어지는 반사성이 높은 금속층을 이용하는 것이 바람직하다.
한편, 도 8b에 도시한 바와 같이, 하나의 화소 전극(2)을 구성하는 서브 화소 전극(2a) 중, 한쪽의 서브 화소 전극(2a)을 반사 전극으로 형성하는 한편, 다른 쪽의 서브 화소 전극(2a)에 대해서는 투과 전극으로 형성하는 것이 가능하다. 이 경우, 브릿지(3)는 반사 전극 또는 투과 전극 중 어느 것이어도 된다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(30) 및 그 제조 방법에서는, 서브 화소 전극용 반사 전극을 형성할 때에, 브릿지(3)에 적층된 금속 전극(31)을 형성하는 것이 가능하다. 이 결과, 브릿지(3)에 적층된 금속 전극(31)을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요로 되는 일이 없다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(30)에서는, 서브 화소 전극(2a) 및 브릿지(3)를 반사 전극으로 형성하는 것이 가능하다.
이에 의해, 반사형의 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(30)에서, 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방 지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 액정 표시 장치(30)에서는, 서브 화소 전극(2a)은 복수 중 일부가 투과 전극으로 형성되어 있는 한편, 복수 중 다른 일부가 반사 전극으로 형성되어 있는 것으로 하는 것이 가능하다.
이에 의해, 반투과형의 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(30)에서, 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
<실시 형태 4>
본 발명의 또 다른 실시 형태에 대해 도 9a 및 도 9b에 기초하여 설명하면, 이하와 같다. 또한, 본 실시 형태에서 설명하는 것 이외의 구성은, 상기 실시 형태 1∼실시 형태 3과 동일하다. 또한, 설명의 편의상, 상기의 실시 형태 1∼실시 형태 3의 도면에 도시한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
상기 실시 형태 1∼실시 형태 3과는 달리, 예를 들면, 도 9a에 도시한 바와 같이, 슬릿(4)에 화소 전극(2)과는 상이한 층(레이어)으로서, 그 층이 노출되는 화소 전극(2)을 갖는 경우가 있다. 예를 들면, 이 부분에 게이트 신호선과 동일 전위를 갖는 전극층이 노출되는 경우, 소스 신호선과 동일 전위를 갖는 전극층이 노출되는 경우, 혹은 화소 전극(2)과 동일 전위를 갖고, 또한 화소 전극(2)은 상이한 층(예를 들면, 화소 전극(2)의 하층)인 전극층이 노출되는 경우 등이다. 예를 들면, 화소 전극(2)과 상이한 전위를 갖는 전극층이 노출된 경우, 이 부분에 생기는 전계에 의해, 서브 화소 전극(2a) 부분에서의 액정 분자(21)의 배향이 과도적으로 변화됨으로써, 거칠음 및 잔상 등의 문제가 생기는 경우가 있다. 또한, 그 전극이 화소 전극(2)과 동일 전위를 갖는 경우에는, 화소 전극(2)이 미리 갖는 전극의 형상 외에, 그 전극이 가해지기 때문에, 의도한 배향의 형상으로 되지 않는 경우가 생각된다.
이와 같은 경우에는, 도 9b에 도시한 바와 같이, 슬릿(4)에 존재하는 브릿지(3)는 화소 전극(2)과 상이한 전위를 갖는 부위를 차폐하도록 하는 위치에 형성하거나, 또는 도시하지 않지만, 그 부위에 근접하도록 치우치게 하는 것이 바람직하다.
이에 의해, 서브 화소 전극(2a)의 하층에, 서브 화소 전극(2a)과는 상이한 층인 전극이 형성되어 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
<실시 형태 5>
본 발명의 또 다른 실시 형태에 대해 도 10a∼도 11b에 기초하여 설명하면, 이하와 같다. 또한, 본 실시 형태에서 설명하는 것 이외의 구성은, 상기 실시 형태 1∼실시 형태 4와 동일하다. 또한, 설명의 편의상, 상기의 실시 형태 1∼실시 형태 4의 도면에 도시한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
상기 실시 형태 1∼실시 형태 4의 액정 표시 장치(30)는 수직 배향 모듈로 하기 위해, 대향 전극측 투명 기판(11)에 리베트부(15)를 갖는 것이었다.
그러나, 본 발명에서는, 반드시 이에 한하지 않고, 도 10a 및 도 10b에 도시한 바와 같이 대향 전극측 투명 기판(11)에 형성한 리베트부(15) 대신에, 대향 전극측 투명 기판(11)에 대향 전극 개구부(15a)를 형성하여 수직 배향 모듈로 하는 것도 가능하다.
한편, 수직 배향 모듈로 하기 위한 구성은, 반드시 이에 한하지 않고, 도 11a 및 도 11b에 도시한 바와 같이, 화소 전극(2)의 서브 화소 전극(2aㆍ2a)에 각각 화소 전극 개구부(2bㆍ2b)를 갖는 것이어도 된다.
이들에 의해, 각종 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 액정 분자(21)의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
<실시예>
본 실시예에서는, 투과형의 수직 배향 모드의 액정 표시 장치(10)에 대해, 배향 기인의 거칠음을 경감시키기 위해, 브릿지(3)의 중심으로부터의 시프트량에 대해 검증 실험을 행한 결과를 설명한다.
시작 조건은, 표 1과 같이 하였다.
실험 내용 설계 파라미터 표시 품위 평가
오프셋량 x 브릿지 폭 슬릿 폭 z 거칠음 소부 잔상 시간 손가락 누름 흔적
브릿지 오프셋 우측 치우침 실시예 1 5.0 10.0 8.0 ○ ○ 3sec ○
실시예 2 10.0 10.0 8.0 ○ ○ 1sec ○
실시예 3 14.25 10.0 8.0 △ ○ 0sec ○
브릿지 오프셋 체크 무늬 배치 실시예 4 5.0 10.0 8.0 ○ ○ 1sec ○
실시예 5 10.0 10.0 8.0 ○ ○ 0sec ○
실시예 6 14.25 10.0 8.0 ○△ ○ 0sec ○
중앙 배치 종래예 0.0 10.0 8.0 × × 4sec ×
즉, 실험은 대별하여, 도 3에 도시한 바와 같이, 브릿지(3)의 위치를 전체 화소 전극(2)에 대해 좌측 치우침으로 한 것(실시예 1∼실시예 3)과, 도 4에 도시한 바와 같이 브릿지(3)의 위치를 전체 화소 전극(2)에 대해 체크 무늬로 한 것(실시예 4∼실시예 6)과, 도 18에 도시한 바와 같이 종래예의 브릿지를 서브 화소 전극의 중앙 위치에 배치한 액정 패널에 의해 행하였다.
또한, 도 12a 및 도 12b에 도시한 바와 같이, 브릿지(3)의 폭은 모두, 종래와 마찬가지로, 10㎛로 하였다. 또한, 슬릿(4)의 폭 z도 종래와 마찬가지로, 8㎛로 하였다. 또한, 오프셋량 x는, 실시예 1ㆍ4에서는 5㎛로 하고, 실시예 2ㆍ5에서는 10㎛로 하고, 실시예 3ㆍ6에서는 14.25㎛로 하였다.
실험의 결과로서, 도 13a, 도 13b 및 도 13c에, 본 실험에서 제작한 패널의 배향 사진을 도시한다.
도 13a로부터 알 수 있는 바와 같이, 종래예의 경우, 브릿지(3) 상에 형성되는 배향 중심축이 치우치는 방향은 랜덤하지만, 도 13b 및 도 13c에 도시한 바와 같이 브릿지(3)를 중앙으로부터 오프셋시킨 경우, 배향 중심축은 브릿지(3)를 오프셋시킨 방향과는 반대의 방향의 단부에 형성되게 된다. 즉, 브릿지(3) 상의 배향 중심축의 방향에 대해, 액정 분자(21)의 배향 중심축은 에너지적으로 안정된 방향으로 행하고자 한다. 따라서, 반드시 브릿지(3)가 오프셋된 측과 반대의 단부로 치우치게 된다. 이것은 모든 서브 화소 전극(2a)에서 동일하게 발생하고, 예외가 존재하지 않는다.
또한, 이 실험에서, 브릿지(3)의 폭을 종래 설계보다도 좁게 한 경우, 혹은 슬릿(4)의 폭을 종래 설계보다도 넓게 한 경우에는, 브릿지(3) 상에 형성되는 배향 중심축이, 브릿지(3)의 대략 중앙부에 형성되는 것을 확인하였다.
또한, 상기의 실험의 결과, [표시 품위], [광학 특성], [V-T 특성 평가], [콘트라스트 시야각 특성], [배향 특성], [경사로부터 본 V-T 특성]으로서 이하를 알 수 있었다.
[표시 품위]
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 우선 거칠음에 대해서는, 브릿지(3)는 어느 정도 오프셋시키면 양호한 것을 알 수 있었다. 즉, 5∼10㎛의 오프셋량이 양호하다. 또한, 거칠음이란, 브릿지(3) 근방의 액정 분자(21)의 배향 중심축이 다양한 방향을 향하기 때문에, 그 부분이 다른 기울기와 방향이 상이하기 때문에, 전체적으로 본 경우, 거칠은 표시 또는 얼룩과 같이 되는 현상을 말한다.
또한, 배향 중심축이 브릿지(3)의 한쪽으로만 치우치기 때문에, 오프셋량 14.25㎛에서는, 약간 정도가 떨어진다. 단, 그 이유는 파악할 수 없다.
다음으로, 소부에 대해서는, 경향은 거칠음과 동일하다. 배향 중심축의 치우침 방향을 일방향으로 통일하면, 소부는 발생하지 않는 것을 알 수 있었다. 여기서, 소부란, 예를 들면 임의의 화면을 베타 표시로 절환한 경우에, 전의 표시 패턴이 남는 현상을 말한다.
다음으로, 잔상 시간에 대해서는, 브릿지(3)의 오프셋량이 5㎛ 미만에서는, 잔상이 인식된다. 즉, 오프셋량이 커질수록, 잔상 인식 시간이 적어지는 경향이 있지만, 이것은 브릿지(3)에 형성되는 액정 분자(21)의 배향 중심축이 치우치는 시간이 짧아지기 때문이라고 생각된다.
여기서, 종래 설계의 액정 표시 장치에서의 잔상의 발생 원리를 설명해 둔다. 우선, 액정층(20)에 전압을 인가한 순간은, 브릿지(3)의 중앙에 액정 분자(21)의 배향 중심축이 발생한다. 그러나, 다른 영역의 액정 분자(21)는 이미 흐트러져 있으므로, 브릿지(3)의 중앙의 액정 분자(21)의 배향 중심축이 주위의 영향을 받아 어느 한쪽의 방향으로 어긋나 간다. 따라서, 그 변화의 전후에서 영상이 잔상으로 되어 나타난다.
[광학 특성]
금회 시작을 행한 액정 패널의 광학 특성(투과율, 콘트라스트)의 측정 결과를 설명한다. 구체적으로는, 표 2에, 금회 평가를 행한 액정 패널의 점등 초기, 점등 10분 후의 CR비 및 CR의 종래예에 대한 비 CRref비, 백투과율 및 백투과율의 종래예에 대한 비 Tref비를 나타낸다. 또한, 이 중의 투과율은 정규의 백라이트로 평가를 행하고 있지 않으므로, 정확한 값은 아니다.
표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 브릿지(3)를 서브 화소 전극(2a)의 끝까지 이동시킨 조건(실시예 3 및 실시예 6)은, 타조건과 비교하여 백투과율의 저하율이 큰 것을 알 수 있었다. 이것은, 투과 영역으로 되는 브릿지(3)가, GE 가지와 중복되어, 실질적인 개구율이 저하되기 때문이라고 생각된다.
실험 내용 브릿지 오프셋 의존- 전체 화소 우측 치우침 브릿지 오프셋 의존- 체크 무늬 배치
Ref1 실시예1 실시예2 실시예3 Ref2 실시예4 실시예5 실시예6
브릿지 오프셋량 0.0 5.0 10.0 14.25 0.0 5.0 10.0 14.25
슬릿 폭 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0 8.0
점등 초기 CR비 313 322 336 340 365 369 365 361
CR Ref비 - 102.9％ 107.3％ 108.9％ - 101.0％ 99.9％ 98.8％
점등 10min후 CR비 319 322 339 356 379 372 388 381
CR Ref비 - 101.1％ 106.3％ 111.7％ - 98.2％ 102.5％ 100.6％
백투과율※1 4.07％ 3.99％ 4.05％ 3.96％ 4.23％ 4.23％ 4.21％ 4.15％
백투과율 Ref비 - 98.1％ 99.6％ 97.3％ - 100.0％ 99.7％ 98.1％
Ref 1, 2는 종래예를 나타낸다
[V-T 특성 평가]
도 14a에, 브릿지(3)의 위치를 전체 화소 전극(2)에 대해 좌측 치우침으로 한 것(실시예 1∼실시예 3)의 정면 방향의 V(전압)-T(휘도) 특성을 나타내고, 도 14b에, 브릿지(3)의 위치를 전체 화소 전극(2)에 대해 체크 무늬로 한 것(실시예 4∼실시예 6)의 정면 방향의 V-T 특성을 나타냈다. 또한, 도 14a 및 도 14b는, 모두 백 전압(3.9V)의 휘도로 규격화되어 있다. 이 도 14a 및 도 14b로부터 판단하여, 실시예 1∼실시예 6에서는, 종래예와 비교하여 투과율은 변화되지 않은 것을 알 수 있다.
[콘트라스트 시야각 특성]
도 15a, 도 15b 및 도 15c에, 흑백 콘트라스트의 시야각 특성을 도시한다. 또한, 본 평가는 실시예 2(브릿지(3)의 시프트량 ++10㎛ 전체 화소 우측 치우침) 및 실시예 5(브릿지(3)의 시프트량 10㎛ 체크 무늬 형상 배치)의 2조건으로 압축하여 행하였다.
도 15a, 도 15b 및 도 15c에 도시한 바와 같이, 흑백 콘트라스트의 시야각 특성은, 종래예와 비교하여 조금도 변하지 않은 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다. 즉, 도 15d에 도시한 바와 같이, CR(콘트라스트) 시야각이 10 이상으로 되는 극각에 대해, 검토한 결과, 실시예 2 및 실시예 5에서, 종래예와 거의 차가 없었다. 따라서, 브릿지(3)를 오프셋시킨 경우에, 걱정된 특성의 치우침은 거의 보이지 않는 것을 알 수 있었다.
[배향 특성(3시-9시 방위)]
전체 백표시 시와 중간조 표시 시(구동 전압 2.8V)의, 3시-9시 방위의 시야각 배광 특성(방위각에 의한 휘도의 차)에 대해 조사하였다. 그 결과, 도시하지 않지만, 전체 백에서는 거의 차가 보이지 않고, 중간조 표시에서도 휘도 베이스에서는 큰 차가 보이지 않는 것을 알 수 있었다. 또한, 백라이트 휘도로 나눈 투과율 베이스로 비교하면, 실시예 2(브릿지(3)의 시프트량 10㎛ 전체 화소 우측 치우침) 쪽이, 종래예와 가까운 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.
[경사로부터 본 V-T 특성]
액정 패널의 3시 방위와 9시 방위 각각으로부터, 극각 0°(정면)부터 70°까지 각도를 돌려, V-T 특성 평가를 행하였다.
그 결과, 도시하지 않지만, 극각 50°까지는, 어느 액정 패널의 V-T 특성에도 차는 거의 나타나지 않고, 극각 60°에서 차가 나타난다. 또한, 극각 60°에서는, 실시예 2 쪽이 종래예에 가까운 특성을 나타내고 있는 것을 알 수 있었다.
이상과 같이, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 접속 전극은, 각 서브 화소 전극 사이에 1개 형성되어 있음과 함께, 상기 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 서브 화소 전극 중심선과, 그 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 접속 전극 중심선이 불일치로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 방법에서는, 상기 접속 전극을, 각 서브 화소 전극 사이에 1개 형성함과 함께, 상기 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 서브 화소 전극 중심선과, 그 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 접속 전극 중심선이 불일치로 되도록, 상기 접속 전극을 배설하는 것이 바람직하다.
상기 발명에 따르면, 접속 전극은, 각 서브 화소 전극 사이에 1개 형성되어 있다. 따라서, 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 서브 화소 전극 중심선과, 그 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 접속 전극 중심선이 불일치로 되도록, 상기 접속 전극을 배설함으로써, 접속 전극은 서브 화소 전극에 대해 비대칭 위치에 형성되어 있게 된다. 즉, 배향의 특이점이, 서브 화소 전극 중심선으로부터 어긋나 있게 된다.
따라서, 서브 화소 전극끼리를 잇는 접속 전극에 기초하는 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 각 서브 화소 전극에 대향하는 대향 전극에서의, 그 각 서브 화소 전극의 중앙 위치에 대향하는 부분에는 액정층측 볼록부가 각각 형성되어 있음과 함께, 액정 분자는 전압 인가 시에 상기 액정층측 볼록부의 하측의 액정층에 형성되는, 각 서브 화소 전극면에 수직한 방향의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러지는 것이 바람직하다.
이에 의해, 대향 전극에서의, 각 서브 화소 전극의 중앙 위치에 대향하는 부분에 액정층측 볼록부가 각각 형성되어 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 서브 화소 전극끼리를 잇는 접속 전극에 기초하는 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 접속 전극은, 상기 서브 화소 전극과 동일층에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 서브 화소 전극과 동일층에 형성된 접속 전극을 갖는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 서브 화소 전극끼리를 잇는 접속 전극에 기초하는 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 액정 패널의 모든 화소 전극에서의 서브 화소 전극 중심선에 대해 모든 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 동일 방향으로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 액정 패널의 모든 화소 전극에 대해, 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 동일 방향으로 되므로, 액정 분자의 배향 흐트러짐은 없어진다. 따라서, 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 액정 패널의 모든 화소 전극에서의 서브 화소 전극 중심선에 대해 각 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 인접하는 서브 화소 전극간에서 서로 역방향으로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것이 바람직하다.
상기 발명에 따르면, 액정 패널의 모든 화소 전극에 대해, 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 규칙적인 소위 체크 무늬로 된다. 따라서, 어떤 방향으로부터 액정 패널을 보아도 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 3개 이상의 상기 서브 화소 전극이 1열로 배설되어 있음과 함께, 상기 서브 화소 전극 중심선에 대해 각 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 인접하는 서브 화소 전극간에서 서로 역방향으로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 3개 이상의 상기 서브 화소 전극이 1열로 배설되어 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 어떤 방향으로부터 액정 패널을 보아도 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 복수의 상기 서브 화소 전극이 매트릭스 형상으로 배설되어 있음과 함께, 상기 서브 화소 전극 중심선에 대해 각 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 인접하는 서브 화소 전극간에서 서로 역방향으로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 매트릭스 형상으로 배설된 서브 화소 전극을 갖는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 어떤 방향으로부터 액정 패널을 보아도 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 서브 화소 전극 및 접속 전극은 투과 전극으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 투과형의 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 서브 화소 전극 및 접속 전극은 반사 전극으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 반사형의 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 서브 화소 전극은 복수 중 일부가 투과 전극으로 형성되어 있는 한편, 복수 중 다른 일부가 반사 전극으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 반투과형의 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 얼룩, 거칠음 및 잔상에 대한 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 접속 전극 상에는, 그 접속 전극과는 별도 층인 금속 전극이 적층되어 있음과 함께, 상기 금속 전극의 금속 전극 중심선은 접속 전극 중심선과 일치하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 이 일치는, 대략 일치이어도 된다.
이에 의해, 접속 전극에 금속의 반사 전극을 적층하는 타입의 반투과형의 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 각 서브 화소 전극에는 금속의 화소 전극용 반사 전극이 적층되어 있음과 함께, 상기 접속 전극에 적층된 금속 전극과 상기 화소 전극용 반사 전극은, 동일한 층에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 화소 전극용 반사 전극을 형성할 때에, 접속 전극에 적층된 금속 전극을 형성할 수 있다. 따라서, 접속 전극에 적층된 금속 전극을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요로 되는 일이 없다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 화소 내에서의 상기 각 서브 화소 전극 사이에, 화소 전극과는 상이한 층에 의한 별도 전극이 부분적으로 형성되어 있음과 함께, 상기 접속 전극이, 상기 별도 전극을 차폐하는 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 화소 내에서의 상기 각 서브 화소 전극 사이에, 화소 전극과는 상이한 층에 의한 별도 전극이 부분적으로 형성되어 있음과 함께, 상기 접속 전극이, 상기 별도 전극을 일부 중첩하는 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 각각의 서브 화소간에, 그 서브 화소 전극의 예를 들면 하층에, 그 서브 화소 전극과 상이한 금속 전극이 형성되어 있는 경우, 그 금속 전극이 존재하는 부분을, 접속 전극에 의해 차폐하거나, 또는 그 접속 전극을 그 금속 전극의 근린에 배치한다.
따라서, 서브 화소 전극의 예를 들면 하층에, 서브 화소 전극과는 상이한 별도 전극이 형성되어 있는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에서, 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치에서는, 상기 서브 화소 전극 중심선에 대한 접속 전극 중심선의 편심량은 5㎛ 이상인 것이 바람직하다.
이에 의해, 확실하게, 액정 분자의 배향 흐트러짐에 의한 거칠음, 소부 및 잔상 등의 표시 품위의 열화를 방지할 수 있다.
본 발명은, 액정 패널의 각 화소 전극이 적어도 2개 이상의 서브 화소 전극을 조합함으로써 구성되고, 또한 각 서브 화소 전극이 그 서브 화소 전극보다도 협폭의 접속 전극으로 각각 접속되어 있음과 함께, 전압 인가 시에 액정 분자가 각 서브 화소 전극면에 수직한 방향의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러 지는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에 적용할 수 있다.

Claims (18)

  1. 액정 패널의 각 화소 전극이 적어도 2개 이상의 서브 화소 전극을 조합함으로써 구성되고, 또한 각 서브 화소 전극이 그 서브 화소 전극보다도 협폭의 접속 전극에 의해 각각 접속되어 있음과 함께, 전압 인가 시에 액정 분자가 각 서브 화소 전극면에 수직한 방향의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러지는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치로서,
    상기 접속 전극은, 서브 화소 전극에 대해 비대칭 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접속 전극은, 각 서브 화소 전극 사이에 1개 형성되어 있음과 함께,
    상기 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 서브 화소 전극 중심선과, 그 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 접속 전극 중심선이 불일치로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 각 서브 화소 전극에 대향하는 대향 전극에서의, 그 각 서브 화소 전극의 중앙 위치에 대향하는 부분에는 액정층측 볼록부가 각각 형성되어 있음과 함께,
    액정 분자는, 전압 인가 시에 상기 액정층측 볼록부의 하측의 액정층에 형성되는, 각 서브 화소 전극면에 수직한 방향의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접속 전극은, 상기 서브 화소 전극과 동일층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액정 패널의 모든 화소 전극에서의 서브 화소 전극 중심선에 대해 모든 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 동일 방향으로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액정 패널의 모든 화소 전극에서의 서브 화소 전극 중심선에 대해 각 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 인접하는 서브 화소 전극간에서 서로 역방향으로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    3개 이상의 상기 서브 화소 전극이 1열로 배설되어 있음과 함께,
    상기 서브 화소 전극 중심선에 대해 각 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 인접하는 서브 화소 전극간에서 서로 역방향으로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 상기 서브 화소 전극이 매트릭스 형상으로 배설되어 있음과 함께,
    상기 서브 화소 전극 중심선에 대해 각 접속 전극 중심선이 치우치는 방향이 인접하는 서브 화소 전극간에서 서로 역방향으로 되도록, 상기 접속 전극이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서브 화소 전극 및 접속 전극은, 투과 전극으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서브 화소 전극 및 접속 전극은, 반사 전극으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서브 화소 전극은, 복수 중 일부가 투과 전극으로 형성되어 있는 한편, 복수 중 다른 일부가 반사 전극으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 접속 전극 상에는, 그 접속 전극과는 별도 층인 금속 전극이 적층되어 있음과 함께,
    상기 금속 전극의 금속 전극 중심선은, 접속 전극 중심선과 일치하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 각 서브 화소 전극에는, 금속의 화소 전극용 반사 전극이 적층되어 있음과 함께,
    상기 접속 전극에 적층된 금속 전극과 상기 화소 전극용 반사 전극은, 동일한 층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    화소 내에서의 상기 각 서브 화소 전극 사이에, 화소 전극과는 상이한 층에 의한 별도 전극이 부분적으로 형성되어 있음과 함께,
    상기 접속 전극이, 상기 별도 전극을 평면적으로 차폐하는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  15. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    화소 내에서의 상기 각 서브 화소 전극 사이에, 화소 전극과는 상이한 층에 의한 별도 전극이 부분적으로 형성되어 있음과 함께,
    상기 접속 전극이, 상기 별도 전극을 평면적으로 일부 중첩하는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서브 화소 전극 중심선에 대한 접속 전극 중심선의 편심량은, 5㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  17. 액정 패널의 각 화소 전극이 적어도 2개 이상의 서브 화소 전극을 조합함으로써 구성되고, 또한 각 서브 화소 전극이 그 서브 화소 전극보다도 협폭의 접속 전극에 의해 각각 접속되어 있음과 함께, 전압 인가 시에 액정 분자가 각 서브 화소 전극면에 수직한 방향의 배향 중심축을 기준으로 하여 축 대칭으로 쓰러지는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법으로서,
    상기 접속 전극을, 서브 화소 전극에 대해 비대칭 위치에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 접속 전극을, 각 서브 화소 전극 사이에 1개 형성함과 함께,
    상기 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 서브 화소 전극 중심선과, 그 서브 화소 전극끼리를 연결하는 방향과 평행한 방향에서의 접속 전극 중심선이 불일치로 되도록, 상기 접속 전극을 배설하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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