KR20080048195A - 전도성 폴리머 패턴 형성 방법 - Google Patents

전도성 폴리머 패턴 형성 방법 Download PDF

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배양호
정창오
김병범
이재갑
권태욱
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 산화막과의 접착력이 우수한 전도성 폴리머 패턴을 형성할 수 있는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전도성 폴리머 패턴 형성 방법은, 기판 상에 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 상기 자기조립단분자막을 패터닝하는 단계; 상기 자기조립단분자막 상에 촉매제막을 형성하는 단계; 상기 자기조립단분자막 상에 전도성 폴리머막을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

전도성 폴리머 패턴 형성 방법{Method for Patterning of Conductive Polymer}
도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 폴리머 패턴 형성 방법의 공정을 도시하는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기조립단분자의 구조를 도시하는 개념도이다.
도 9는 비교예 1에 의하여 형성된 기판을 촬영한 광학 현미경 사진이다.
도 10은 비교예 2에 의하여 형성된 기판을 촬영한 광학 현미경 사진이다.
도 11은 실시예 1에 의하여 형성된 기판을 촬영한 광학 현미경 사진이다.
도 12은 실시예 2에 의하여 형성된 기판을 촬영한 광학 현미경 사진이다.
도 13은 자기조립단분자막이 형성된 기판을 자외선의 노출 시간을 달리하여 노출하고 측정한 컨택 앵글을 도시한 그래프이다.
도 14는 자기조립단분자막이 형성된 기판을 자외선의 노출 시간을 달리하여 노출하고 X-레이 분석한 결과를 도시한 그래프이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 기판 20 : 산화막
30 : 자기조립단분자막 40 : 마스크
50 : 자외선 램프 60 : 촉매제막
70 : 전도성 폴리머막 S1 : 노광 영역
S2 : 비노광 영역
본 발명은 산화막과의 접착력이 우수한 전도성 폴리머 패턴을 형성할 수 있는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
현재 차세대 디스플레이(display)로 각광 받고 있는 OTFT(organic thin film transister)의 구현을 위하여 다양한 전도성 폴리머와 기판에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 특히 현재 검토되는 전도성 폴리머 중에서 PEDOT이 가장 각광받고 있다. PEDOT은 가시광선 영역에서 투명하고 전기화학적으로 안정하며 도펀트의 농도 조절을 통해 도체와 반도체의 특성을 모두 구현할 수 있는 장점이 있다.
특히 PEDOT은 산화제를 이용한 기상증착법이 개발되어 고순도 전도성 폴리머를 나노 스케일 급으로 박막의 두께를 조절할 수 있어 많은 관심이 쏠리고 있다.
그러나 이렇게 기상 증착된 PEDOT은 OTFT의 특성 향상을 위해 새로운 절연막으로 연구가 이루어지고 있는 TiO2, ZrO2, HfO2 등 산화막과의 접착력이 약하고, 전 도성 폴리머와 PR(photoresist) 사이에 선택성의 부재에 따른 패터닝이 어렵다는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 산화막과의 접착력이 우수한 전도성 폴리머 패턴을 형성할 수 있는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 전도성 폴리머 패턴 형성 방법은, 기판 상에 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 상기 자기조립단분자막을 패터닝하는 단계; 상기 자기조립단분자막 상에 촉매제막을 형성하는 단계; 상기 자기조립단분자막 상에 전도성 폴리머막을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 기판과 자기조립단분자막 사이에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 전도성 폴리머막은 폴리싸이오펜(polythiophene) 계열 물질 또는 폴리아닐린(polyanilin) 계열 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
특히, 상기 전도성 폴리머막은 PEDOT(Poly 3,4-Ethylenedioxythiophene)으로 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고 상기 자기조립단분자는 OTS(Octadecyltrichlorosilane) 기반 자기조립단분자인 것이 바람직하다.
또한 상기 자기조립단분자막을 형성하는 단계는 구체적으로,
상기 자기조립단분자를 용매에 용해하여 자기조립단분자 용액을 제조하는 단 계; 상기 산화막이 형성된 기판을 상기 자기조립단부자 용액에 담그는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서 상기 용매는 헥산(hexane)인 것이 바람직하다.
그리고 상기 자기조립단분자막을 패터닝하는 단계는 구체적으로,
상기 자기조립단분자막 중 노광 영역과 비노광 영역을 정의하는 마스크를 제조하는 단계; 상기 마스크를 상기 기판 상에 정렬하는 단계; 상기 기판 상에 정렬된 마스크 상측에서 자외선을 조사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 마스크는 석영 재질의 기판에 크롬 재질의 차단막이 형성된 구조를 가진다.
그리고 상기 자외선을 조사하는 단계에서는 10 ~ 15분 동안 자외선을 조사하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 촉매제막을 형성하는 단계에서는 스핀 코팅 방식을 사용하여 촉매제막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 촉매제는 산화제이며, 특히 FeCl3인 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 전도성 폴리머막을 형성하는 단계에서는 기상 증착 방식을 사용하여 전도성 폴리머막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 전도성 폴리머막을 형성하는 단계는 구체적으로,
EDOT(3,4-Ethylenedioxythiophene)을 가열하여 기화시키는 단계;와 기화된 EDOT 분자를 기판에 증착하여 PEDOT 막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으 로 한다.
그리고 본 발명에서는 상기 자기조립단분자막을 형성하기 전에 상기 기판 상의 유기물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
이때 상기 유기물을 제거하는 단계는 구체적으로,
상기 기판을 세제에 담그는 단계;와 상기 기판을 린싱(rinsing)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 세제는, 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)를 4:1 비율로 혼합한 용액인 것을 특징으로 한다.
그리고 본 발명에 따른 전도성 폴리머 패턴 형성 방법은, 상기 전도성 폴리머막을 형성한 후에 상기 기판에 남아 있는 촉매제를 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
한편 상기 촉매제를 제거하는 단계에서는, 촉매제 제거 용액으로 기판 표면을 씻는 것을 특징으로 한다.
여기에서 상기 촉매제 제거 용액은 메탄올인 것이 바람직하다.
그리고 상기 절연막은 산화막인 것이 바람직하며, 산화막으로는, SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 작용 및 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 7은 본 발명에 따른 전도성 폴리머 패턴 형성 방법의 각 공정을 설명하는 단면도들이다.
먼저 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 준비하고, 이 기판(10) 위에 도 2에 도시된 바와 같이, 산화막(20)을 형성한다. 산화막(20)으로는 SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다. 특히 SiO2는 실리콘(Si) 웨이퍼를 가열하여 형성할 수 있어서 바람직하다. 즉, 도 2에 상기 기판(10)을 가열하여 산화 실리콘막(20)을 형성하는 것이다. 본 발명에서는 이 산화 실리콘 막(20)의 두께가 800 ~ 1200Å가 되도록 한다.
다음으로 산화막(20)이 형성된 기판(10)을 세척하는 단계가 진행된다. 이렇게 기판(10)을 세척하는 것은 기판(10) 및 산화막(20) 상에 존재하는 유기물을 제거하기 위한 것이다. 산화막(20) 상에 유기물이 존재하는 경우에는 후속되는 자기조립단분자막 형성 공정에서 균일한 자기조립단분자막을 얻을 수 없는 문제가 있다.
본 발명에서는 산화막(20)이 형성된 기판(10)을 세제에 일정 시간 동안 담그고 난 후, 기판(10)을 린싱하는 순서로 유기물을 제거한다. 이때 사용하는 세제는 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)를 4:1 비율로 혼합하여 제조한다. 그리고 이 세제에 기판을 담그는 시간은 8 ~ 12분인 것이 바람직하다. 기판을 세제에 담그는 시간이 8분 미만인 경우에는 유기물이 제거되지 않는 문제가 있으며, 12분을 초과하는 경 우에는 기판 상에 형성되어 있는 산화막이 영향을 받을 수 있어서 문제가 있다.
그리고 상기 기판(10)을 린싱하는 단계에서는 기판의 재오염을 막기 위하여 DI water를 사용하여 기판 표면을 씻는 것이 바람직하다.
다음으로 도 3에 도시된 바와 같이, 산화막(20) 상에 자기조립단분자막(30)을 형성한다. 본 발명에서는 이 자기조립단분자막(Self-Assembly Monolayer, 30)을 OTS(Octadecyltrichlorosilane) 기반 자기조립단분자로 형성한다. 이 OTS 기반 자기조립단분자는 산화막(20) 상에 단분자막을 용이하게 형성할 수 있는 장점이 있다. 본 발명에서는 디핑(dipping) 방식으로 자기조립단분자막(30)을 형성하는데, 구체적으로 자기조립단분자막을 형성하는 방법은 다음과 같다.
먼저 자기조립단분자 용액을 제조한다. 즉, 상기 자기조립단분자를 용매에 용해하여 자기조립단분자 용액을 제조하는 것이다. 본 발명에서는 용매로 헥산(hexane)을 사용한다. 그리고 나서 상기 산화막이 형성된 기판을 상기 자기조립단부자 용액에 담근다. 이렇게 산화막을 자기조립단분자 용액에 담그는 것만으로 산화막 상에 자기조립단분자막이 형성되는데, 이는 자기조립단분자의 특성에 기인하는 것이다.
도 8은 본 발명에서 사용하는 OTS 기반 자기조립단분자의 개념도이다. 본 발명에서 사용하는 자기조립단분자(30)는 분자의 개략적인 형상이 도 8에 도시된 바와 같이, 소수성 표면부(32), 체인부(34) 및 반응부(36)의 3 부분으로 이루어진다. 소수성 표면부(32)는 CH3 기가 노출되어 소수성(hydrophobicity)을 가지며, 자기조 립단부자막(30) 형성시에 표면에 노출되는 부분이다. 그리고 체인부(34)는 소수성 표면부(32)와 반응부(36)를 연결하는 부분이며, CH2 체인으로 이루어진다. 그리고 반응부(36)는 산화막(20)과 반응하여 결합하는 부분이다.
다음으로는 도 4, 5에 도시된 바와 같이, 산화막(20) 상에 형성된 자기조립단분자막(30)을 패터닝(paterning)한다. 본 발명에서는 자외선 조사 방법을 사용하여 자기조립단분자막(30)을 패터닝하는데, 자기조립단분자막을 패터닝하는 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저 상기 자기조립단분자막(30) 중 노광 영역(S1)과 비노광 영역(S2)을 정의하는 마스크(40)를 제조한다. 여기에서 노광 영역(S1)은 자외선에 의하여 노광되어 상기 자기조립단분자(30)의 소수성 성질이 제거되고 친수성을 가지는 부분이다. 이렇게 소수성 성질이 제거되고 친수성을 가지게 되는 부분은 후속되는 공정에서 전도성 폴리머막이 형성되는 영역이다. 따라서 전도성 폴리머막이 형성될 영역은 노광영역(S1)으로 정의되어야 한다. 그리고 비노광 영역(S2)은 자외선이 조사되지 않는 부분으로서, 자기조립단분자막의 소수성이 그대로 유지된다. 따라서 후속되는 공정에서 전도성 폴리머막이 형성되지 않는 부분이다.
본 발명에서는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 마스크(40)를 석영 기판(42)에 크롬 차광막(44)이 형성된 구조로 구성한다. 따라서 크롬 차광막(44)이 형성된 부분이 비노광 영역(S2)이 되고, 크롬 차광막(44)이 형성되지 않은 부분이 노광영역(S1)이 되는 것이다.
다음으로는 상기 마스크(40)를 기판(10) 상에 정렬한다. 이때 상기 기판(10)과 마스크(40)에 정확한 얼라인을 위한 마크(도면에 미도시)를 형성하고 이 마크를 이용하여 정확한 정렬 작업을 진행할 수도 있다. 그리고 나서 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10) 상에 정렬된 마스크(40) 상측에서 자외선을 조사한다.
본 발명에서 사용하는 자외선은 파장이 185 ~ 254nm 정도인 것이 바람직하고, 자외선을 조사하는 시간은 10 ~ 15 분인 것이 바람직하다. 자외선 조사 시간이 10분 이하인 경우에는 자기조립단분자막의 소수성이 충분히 친수성으로 변하지 않는 문제점이 있으며, 자외선 조사 시간이 15분을 초과하는 경우에는 자기조립단분자막이 완전히 파괴되어 산화막 상에 아무것도 존재하지 않는 상태가 되는 문제점이 있다.
이렇게 일정한 시간 동안 자외선을 조사하면 도 5에 도시된 바와 같이, 자외선에 노광된 부분의 자기조립단분자막이 변화되어 친수성을 가지게 된다. 구체적으로 상기 자외선에 의하여 생성된 산소 라디칼에 의하여 상기 소수성 표면부(32)의 CH3 기가 파괴되고, 대신에 C-O 또는 C=O 같은 친수성 그룹이 형성되는 것이다. 따라서 자외선에 노광된 부분이 친수성을 가지게 되는 것이다.
다음으로는 도 6에 도시된 바와 같이, 패터닝된 상기 자기조립단분자막(30) 상에 촉매제막(60)을 형성한다. 본 발명에서는 스핀 코팅(spin coating) 방식을 이용하여 촉매제막(60)을 형성한다. 이렇게 스핀 코팅 방식을 이용하여 촉매제막(60)을 형성할 수 있는 이유는, 촉매제가 친수성을 가지기 때문이다. 친수성을 가지는 촉매제를 기판(10) 전면에 코팅하더라도, 자기조립단분자막 중에 자외선에 의하여 친수성을 가지도록 변형된 부분에만 도 6에 도시된 바와 같이, 촉매제막(60)이 형성되는 것이다. 즉, 패터닝된 자기조립단분자막(30)에 의하여 촉매제막(60)이 선택적으로 형성되는 것이다.
본 발명에서 사용하는 촉매제는 상기 자기조립단분자막 상에 전도성 폴리머막을 형성시키는 반응을 촉진하는 것으로서, 산화제이다. 특히, 이 산화제로는 FeCl3인 것이 바람직하다.
다음으로는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 자기조립단분자막(30) 상에 전도성 폴리머막(70)을 형성한다. 본 발명에서는 전도성 폴리머막(70)을 기상증착(vapor deposition) 방식을 이용하여 형성한다. 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 먼저 증발 용기에 적당량의 EDOT(3,4-Ethylenedioxythiophene)을 채운 후, 이를 가열하여 EDOT을 기화시킨다. 그리고 기화된 EDOT 분자를 기판(10)에 증착한다. 그러면 EDOT 분자들이 기판에 증착되면서 서로 결합하여 PEDOT 막(70)을 형성한다.
다음으로는 상기 전도성 폴리머막(70)을 형성한 후에 상기 기판(10)에 남아 있는 촉매제를 제거하는 단계가 진행된다. 이 단계에서는 촉매제 제거 용액으로 기판 표면을 씻는 방식으로 촉매제를 제거한다. 촉매제가 기판에 남아 있는 경우에는 전도성 폴리머막을 트랜지스터의 전극 등으로 사용할 때 그 특성을 저하시키는 원인이 될 수 있기 때문에 깨끗하게 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 촉매제 제거 용액으로 메탄올을 사용한다. 따라서 전도성 폴 리머막 증착 공정이 완료된 기판을 메탄올 용액에 담궈서 깨끗하게 씻는 것이다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 설명한다.
< 비교예 1 >
1000Å의 열산화막을 성장시킨 실리콘(Si) 웨이퍼를 기판으로 사용한다. 이 웨이퍼를 H2SO4와 H2O2를 4:1로 섞은 용액에 10분간 침지시키고 나서 DI water로 린싱(nsing)하여 표면에 존재하는 유기물을 제거한다. 그 후 스핀 코터(spin coater)를 이용하여 FeCl3를 기판 표면에 고르게 도포한 후 오븐(oven)을 이용하여 EDOT을 기화시켜 시편에 PEDOT를 증착한다. 그리고 메탄올(methanol)로 증착된 PEODT를 washing 한다. 그리고 나서 얻어진 기판을 촬영한 광학 현미경 사진이 도 9이다.
< 비교예 2 >
비교예 2는 산화막이 형성된 실리콘 웨이퍼에 OTS(Octadecyltrichlorosilane) 기반 자기조립단분자막를 전면에 형성시킨 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 PEDOT를 증착한다. 이렇게 하여 얻어진 기판을 촬영한 사진이 도 10이다.
< 실시예 1 >
실시예 1은 자기조립단분자막을 전면에 형성한 실리콘 웨이퍼를 UV에 150초 간 노출시킨 것을 제외하고는 비교예 2와 동일한 방법으로 PEDOT을 증착한다. 이렇게 하여 얻어진 기판을 촬영한 사진이 도 11이다.
< 실시예 2 >
실시예 2는 실시예 1에서 자외선 노출시간을 30분으로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 PEDOT을 증착한다. 이렇게 하여 얻어진 기판을 촬영한 사진이 도 12이다.
도 9 내지 도 12를 분석하면 다음과 같다.
먼저 도 9에 의하면, 비교예 1은 산화막 위에 특별한 전처리 없이 PEDOT을 증착한 것인데, 산화제의 도포나 PEDOT의 증착은 잘 이루어졌으나 산화막과 PEDOT의 접착력이 약해 메탄올(methanol) 세척 과정에서 PEDOT 박막이 다시 떨어지는 현상을 볼 수 있다.
그리고 도 10에 의하면, 비교예 2는 산화막 위에 자기조립단분자막을 전체적으로 형성하고 PEDOT을 증착한 것인데, 자기조립단분자막의 소수성 표면부인 CH3 에 의해 산화제가 도포가 되지 않는 특성을 보임을 알 수 있다.
한편 도 11에 의하면, 자기조립단분자막의 표면 개질 변화가 전면적으로 진행되어 산화제인 FeCl3가 우수한 도포성을 보여 PEDOT 박막의 증착이 안정적으로 이루어진 것을 알 수 있다. 또한 PEDOT 막과 산화막의 접착성이 우수하여 메탄올 워 싱 과정에서 PEDOT막이 다시 떨어지지 않는 것을 알 수 있다.
또한 도 12에 의하면, 실시예 2는 자기조립단분자막을 자외선에 장시간 노출시켜 자기조립단분자막인 OTS의 CH2 체인이 완전히 제거되어, 자기조립단분자막이 존재하지 않는 것과 동일한 상태가 된다. 따라서 PEDOT 박막과 산화막 사이의 접착력이 낮아서 도 9와 마찬가지로 증착된 PEDOT 막이 메탄올 워싱 과정에서 다시 떨어지는 것을 알 수 있다.
한편 도 13은 산화막 위에 형성된 자기조립단분자막의 산화제(FeCl3) 도포성이 자외선 노출 시간에 따라 변하는 이유를 규명하기 위하여 OTS/SiO2를 자외선의 노출 시간을 달리하여 컨택 앵글을 측정한 것이다. 컨택 앵글은 기판 상에 물 한방울을 떨어뜨린 후에 물방울이 기판 표면과 이루는 각을 측정하여 얻는다. 이를 통해 OTS/SiO2 의 표면이 UV의 노출 시간에 따라 점차 소수성에서 친수성으로 변하는 것을 알 수 있고 이런 이유로 FeCl3가 표면에 고르게 도포될 수 있음을 알 수 있다.
그리고 도 14는 도 13의 결과를 토대로 자외선 노출 시간에 따른 자기조립단분자막의 표면 개질 변화의 정확한 규명을 위해 OTS/SiO2 시편에 자외선 노출 시간을 달리하여 X-레이 분석을 실시한 결과이다.
그 결과 자기조립단분자막의 CH2 체인이 자외선에 의해 생성된 산소(O) 라디칼에 의해 안정적으로 끊어진다는 것을 알 수 있다. 즉, 노출 시간에 따라 일정 구 간에서는 챔버 내부에서 생성된 산소(O) 라디칼이 OTS의 탄소(C)와 반응하여, C-O, C=O(바인딩 에너지:286.2eV, 288.6eV)을 표면에 형성하게 되고, 그에 따라 기판 표면이 점차 친수성으로 바뀌는 것을 확인할 수 있다.
특히 150초 구간에서 표면에 많은 C-O, C=O을 형성함에 따라 자기조립단분자막의 CH2 체인이 완전히 제거되지 않았음에도 불구하고 그 표면이 맨 SiO2(bare SiO2)만큼의 친수성으로 변화하는 것을 확인할 수 있다. 이러한 결과에 따라 기판에 FeCl3를 스핀코팅하면 고르고 안정된 도포막을 형성하게 되고, 그 후 PEDOT이 증착되면 기판 표면의 탄소가 PEDOT의 탄소 모노머와 안정한 결합을 이루어 PEDOT과 SiO2 기판과의 접착력을 증가시켜 도 11과 같은 안정한 증착 특성을 보인다는 것을 알 수 있다.
본 발명에 따르면 산화막과의 접착력이 우수하고, 정확한 패터닝이 가능한 전도성 폴리머 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명에 의하여 산화막 위에 형성된 전도성 폴리머 패턴은 무기물과 유기물 사이에 나쁜 접착 특성을 크게 개선함과 동시에 용이하게 폴리머 패턴을 형성함으로써, 차세대 디스플레이에 사용될 OTFT나 스마트 카드, 차세대 반도체 배선 공정 등의 반도체 메모리 장치 전 분야에서 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (27)

  1. 기판 상에 자기조립단분자막을 형성하는 단계;
    상기 자기조립단분자막을 패터닝하는 단계;
    상기 자기조립단분자막 상에 촉매제막을 형성하는 단계;
    상기 자기조립단분자막 상에 전도성 폴리머막을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 자기조립단분자막 사이에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머막은, 폴리싸이오펜(polythiophene) 계열 물질 또는 폴리아닐린(polyanilin) 계열 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머막은 PEDOT(Poly 3,4-Ethylenedioxythiophene)으로 이루어지는 것을 특징으로하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 자기조립단분자는 OTS(Octadecyltrichlorosilane) 기반 자기조립단분자인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 자기조립단분자막을 형성하는 단계는,
    상기 자기조립단분자를 용매에 용해하여 자기조립단분자 용액을 제조하는 단계;
    상기 산화막이 형성된 기판을 상기 자기조립단부자 용액에 담그는 단계;를 포함하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 용매는 헥산(hexane)인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 자기조립단분자막을 패터닝하는 단계는,
    상기 자기조립단분자막 중 노광 영역과 비노광 영역을 정의하는 마스크를 제조하는 단계;
    상기 마스크를 상기 기판 상에 정렬하는 단계;
    상기 기판 상에 정렬된 마스크 상측에서 자외선을 조사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  10. 제9에 있어서,
    상기 마스크는 석영 재질의 기판에 크롬 재질의 차단막이 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 자외선을 조사하는 단계에서는,
    10 ~ 15분 동안 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  12. 제5항에 있어서,
    상기 촉매제막을 형성하는 단계는,
    스핀 코팅 방식을 사용하여 촉매제막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 촉매제는 산화제인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 산화제는 FeCl3인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  15. 제5항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머막을 형성하는 단계는,
    기상 증착 방식을 사용하여 전도성 폴리머막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머막을 형성하는 단계는,
    EDOT(3,4-Ethylenedioxythiophene)을 가열하여 기화시키는 단계;
    기화된 EDOT 분자를 기판에 증착하여 PEDOT 막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  17. 제5항에 있어서,
    상기 자기조립단분자막을 형성하기 전에 상기 기판 상의 유기물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 유기물을 제거하는 단계는,
    상기 기판을 세제에 담그는 단계;
    상기 기판을 린싱(rinsing)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 세제는, 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)를 4:1 비율로 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 기판을 세제에 담그는 단계에서는,
    상기 기판을 8 ~ 12분 동안 세제에 담그는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 기판을 린싱하는 단계에서는,
    DI water를 사용하여 기판 표면을 씻는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  22. 제5항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머막을 형성한 후에 상기 기판에 남아 있는 촉매제를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 촉매제를 제거하는 단계에서는,
    촉매제 제거 용액으로 기판 표면을 씻는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 촉매제 제거 용액은 메탄올인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  25. 제5항에 있어서,
    상기 산화막은, SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  26. 제5항에 있어서,
    상기 산화막을 형성하는 단계는,
    상기 기판을 가열하여 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 산화막은 800 ~ 1200Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리머 패턴 형성 방법.
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