CN104103757A - 一种有机电极的制备方法 - Google Patents

一种有机电极的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104103757A
CN104103757A CN201310114176.5A CN201310114176A CN104103757A CN 104103757 A CN104103757 A CN 104103757A CN 201310114176 A CN201310114176 A CN 201310114176A CN 104103757 A CN104103757 A CN 104103757A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
protective layer
organic electrode
organic
prepared
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310114176.5A
Other languages
English (en)
Inventor
姬濯宇
郭经纬
王龙
陆丛研
王伟
李泠
刘明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Microelectronics of CAS
Original Assignee
Institute of Microelectronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Microelectronics of CAS filed Critical Institute of Microelectronics of CAS
Priority to CN201310114176.5A priority Critical patent/CN104103757A/zh
Publication of CN104103757A publication Critical patent/CN104103757A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。利用本发明所制备的有机电极，结构完整、稳定性好、重复率高。

Description

一种有机电极的制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电极的制备方法，特别是一种不能直接制备于介质层或绝缘层表面的有机电极的制备方法。
背景技术
随着科学技术日新月异的发展，电子产品已经深入到我们生活工作中的方方面面。人们对低成本、低重量、柔性、便携的电子产品的关注度越来越高。传统的基于无机半导体材料的器件和电路很难满足这些要求，因此可以实现这些特性的基于有机半导体材料的有机集成电路技术在这一趋势下得到了快速发展。提高有机半导体器件的性能、稳定性和成品率，降低有机半导体器件的成本一直是该领域追求的目标。传统的无机金属电极在有机集成电路技术中应用时存在着成本高、金属功函数与有机材料能级不匹配等问题。有机电极的出现很好的解决了这一问题。然而，很多有机电极的制备过程会产生酸性或碱性溶液，这些溶液会破坏某些材料介质层或绝缘层，使得有机电极不能制备在这些介质层或绝缘层表面。
有鉴于此，探索新的有机电极制备方案，解决有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层表面的问题，是本发明的创研动机所在。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种有机电极的制备方法，以解决解决有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层表面的问题。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。
上述方案中，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料。所述无机材料是Al2O3。
上述方案中，所述保护层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或有机物材料。所述保护层采用的材料，其端基为-OH。所述保护层采用的材料选自氧化硅SiO2、氧化铪HfO2、氧化钛TiO2或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。
上述方案中，所述在该保护层表面制备有机电极的过程中产生酸性溶液。
上述方案中，所述有机电极是聚吡咯polypyrrole。
(三)有益效果
本发明提供的这种有机电极的制备方法，通过在介质层或绝缘层表面生长保护层，然后在该保护层表面制备有机电极，制得的电极具有结构完整、稳定性好、重复率高的优点。
附图说明
图1是依照本发明实施例的制备有机电极的方法流程图；
图2至图3是依照本发明实施例的制备有机电极的工艺流程图，其中：
图2是在介质层上沉淀一层保护层示意图；
图3是在保护层上制备有机电极示意图；
其中：1-衬底，2-介质层，3-保护层，4-有机电极。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，图1是依照本发明实施例的制备有机电极的方法流程图，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：
步骤1：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；
步骤2：在该保护层表面制备有机电极。
其中，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料。所述无机材料是Al2O3。所述保护层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或有机物材料。所述保护层采用的材料，其端基为-OH。所述保护层采用的材料选自氧化硅SiO2、氧化铪HfO2、氧化钛TiO2或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。所述在该保护层表面制备有机电极的过程中产生酸性溶液。所述有机电极是聚吡咯(英文名称：polypyrrole)。
实施例1：基于SiO2保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述：
步骤1、在Al2O3介质层上生长一层SiO2保护层；
步骤2、在SiO2保护层上进行聚吡咯电极制备。
实施例2：基于HfO2保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述：
步骤1、在Al2O3介质层上生长一层HfO2保护层；
步骤2、在HfO2保护层上进行聚吡咯电极制备。
实施例3：基于TiO2保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述：
步骤1、在Al2O3介质层上生长一层金属钛(Ti)；
步骤2、将金属钛表面氧化成保护层TiO2；
步骤3、在TiO2保护层上进行聚吡咯电极制备。
实施例4：基于PMMA保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述：
步骤1、在Al2O3介质层上旋涂一层PMMA保护层；
步骤2、在PMMA保护层上进行聚吡咯电极制备。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：
在介质层或绝缘层的表面生长保护层；
在该保护层表面制备有机电极。
2.根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料。
3.根据权利要求2所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述无机材料是Al2O3。
4.根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或有机物材料。
5.根据权利要求4所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材料，其端基为-OH。
6.根据权利要求4所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材料选自氧化硅SiO2、氧化铪HfO2、氧化钛TiO2或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。
7.根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述在该保护层表面制备有机电极的过程中产生酸性溶液。
8.根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述有机电极是聚吡咯polypyrrole。
CN201310114176.5A 2013-04-03 2013-04-03 一种有机电极的制备方法 Pending CN104103757A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310114176.5A CN104103757A (zh) 2013-04-03 2013-04-03 一种有机电极的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310114176.5A CN104103757A (zh) 2013-04-03 2013-04-03 一种有机电极的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104103757A true CN104103757A (zh) 2014-10-15

Family

ID=51671728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310114176.5A Pending CN104103757A (zh) 2013-04-03 2013-04-03 一种有机电极的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104103757A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331792A (zh) * 2020-10-19 2021-02-05 浙江大学 一种用于柔性显示屏的基于聚吡咯导电层的发光器件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1240537A (zh) * 1996-11-12 2000-01-05 国际商业机器公司 导电聚合物图形及其作为电极或电接触的应用
CN1274869A (zh) * 1999-05-20 2000-11-29 爱克法－格法特有限公司 导电聚合物层印制图案的方法
CN1912190A (zh) * 2006-09-04 2007-02-14 江苏工业学院 导电高聚物在塑料表面图形化沉积的方法
US20080213702A1 (en) * 2006-11-28 2008-09-04 Yang-Ho Bae Method for patterning conductive polymer
JP2009271662A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Fujitsu Component Ltd タッチパネル用基板及びそれを有するタッチパネル
US20110151201A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 Jong Young Lee Transparent electrode film and method of manufacturing the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1240537A (zh) * 1996-11-12 2000-01-05 国际商业机器公司 导电聚合物图形及其作为电极或电接触的应用
CN1274869A (zh) * 1999-05-20 2000-11-29 爱克法－格法特有限公司 导电聚合物层印制图案的方法
CN1912190A (zh) * 2006-09-04 2007-02-14 江苏工业学院 导电高聚物在塑料表面图形化沉积的方法
US20080213702A1 (en) * 2006-11-28 2008-09-04 Yang-Ho Bae Method for patterning conductive polymer
JP2009271662A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Fujitsu Component Ltd タッチパネル用基板及びそれを有するタッチパネル
US20110151201A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 Jong Young Lee Transparent electrode film and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331792A (zh) * 2020-10-19 2021-02-05 浙江大学 一种用于柔性显示屏的基于聚吡咯导电层的发光器件
CN112331792B (zh) * 2020-10-19 2021-12-10 浙江大学 一种用于柔性显示屏的基于聚吡咯导电层的发光器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ma et al. 2D perovskites with short interlayer distance for high‐performance solar cell application
Wang et al. W (Nb) Ox-based efficient flexible perovskite solar cells: From material optimization to working principle
CN104465119B (zh) 基于三维ZnO@MnO2复合纳米阵列叉指电极的超级电容器及其制备方法
Schlur et al. Optimization of a new ZnO nanorods hydrothermal synthesis method for solid state dye sensitized solar cells applications
CN104505409B (zh) 一种SnO2多孔结构钙钛矿光伏电池及其制备方法
An et al. Enhanced Photoconversion Efficiency of All‐Flexible Dye‐Sensitized Solar Cells Based on a Ti Substrate with TiO2 Nanoforest Underlayer
Qin et al. The optimum titanium precursor of fabricating TiO 2 compact layer for perovskite solar cells
CN207068927U (zh) 钙钛矿太阳能电池
CN107123740A (zh) 基于苝酰亚胺的界面修饰层及其在太阳能电池中的应用
Zhang et al. Effects of precursor solution composition on the performance and IV hysteresis of perovskite solar cells based on CH 3 NH 3 PbI 3-x Cl x
CN107641817B (zh) 一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构
CN107565033A (zh) 氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件
CN104733614B (zh) 基于双层混合活性层的有机薄膜太阳能电池及其制备方法
CN105990527A (zh) 一种银纳米线/ZnO叠层作为电子收集层的倒置聚合物太阳电池及其制备方法
Qin et al. Stability improvement of the ZnO nanowire array electrode modified with Al2O3 and SiO2 for dye-sensitized solar cells
CN103151173A (zh) 石墨烯掺杂于染料敏化太阳能电池的阳极材料及其制法和应用
Gao et al. Over 16% Efficiency of Thick‐Film Organic Photovoltaics with Symmetric and Asymmetric Non‐Fullerene Materials as Alloyed Acceptor
CN102056361B (zh) 石墨烯电致发光显示器件及其制造方法
CN104103757A (zh) 一种有机电极的制备方法
CN105552229A (zh) 一种防水有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池
CN103757656B (zh) 结合原电池和光电化学电池的光电化学制氢装置
CN103198934A (zh) 一种制造复合薄膜电极材料的方法
CN102732879A (zh) 一种二氧化钛基导电薄膜的制备方法
CN104103758A (zh) 一种聚合物电极的制备方法
CN102992757B (zh) 一种高储能密度的铁电膜材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20141015