KR20080044783A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 패터닝 디바이스의 클램프 영역에 물 분자들과 같은 분자들을 제공하기 위해 가습기와 같은 어플리케이터가 제공된다.
Description
본 발명은 리소그래피 장치, 리소그래피 장치에서 패터닝 디바이스를 유지하는 방법, 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 종래의 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 장치에서, 패터닝 디바이스는 사용시 저하 공정(degradation process)을 거치는 것으로 여겨질 수 있다. 패터닝 디바이스의 사용 주기 이후, 패터닝 디바이스는 헤이즈(haze)를 나타낼 수도 있으며, 이에 따라 (투과성 패터닝 디바이스의) 투과율 또는 (반사성 패터닝 디바이스의) 반사율이 저하될 수 있기 때문에, 그 성능을 저하시킬 수 있다. 일반적으로, 헤이즈의 발생은 이러한 헤이즈를 제거하거나 적어도 감소시킬 수 있는 패터닝 디바이스의 세정(cleaning)을 필요로 한다. 하지만, 세정은 패터닝 디바이스와 상호작용할 수 있는 에칭 세정제들이나 다른 세정 물질들 또는 세정 방법들의 사용을 필요로 하므로, 패터닝 디바이스가 마모되게 하거나 저하되게 한다. 패터닝 디바이스에 관한 이러한 부정적인 영향들 때문에, 패터닝 디바이스를 한 번 또는 여러 번 세정한 후에는 교체가 요구될 수 있다.
스캐닝 타입 리소그래피 장치에서, 패터닝 디바이스는 마스크 또는 지지 테이블이라고도 칭해지는 지지체에 의해 지지(carry)될 수 있다. 기판의 타겟부 상에 패턴을 생성하는 동안에, 마스크 테이블은 이동 라인을 따라 단일 스캔 방향으로 스캐닝 동작들을 실행하거나, 이동 라인을 따라 양(즉, 반대) 방향들로 스캐닝을 실행한다. 방향의 반전이 일어나는 때에, 마스크 테이블은 연속적인 스캐닝 동작들 사이에서 감속 및 가속된다. 또한, 마스크 테이블은 특정 방향으로의 각각의 스캐닝 동작 전후에 가속 및 감속된다. 통상적으로, 스캐닝 동작들은 일정한 속도로 행해진다. 하지만, 스캐닝 동작들은 적어도 부분적으로 속도를 변화시킬 수도 있으며, 예를 들어 상기 동작들은 적어도 부분적으로 감속 및/또는 가속 단계들을 포함한다.
마스크 테이블은 마스크를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 마스크의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 마스크가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 마스크를 유지한다. 마스크 테이블은, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블을 포함할 수 있다. 마스크 테이블(및 그 제어 시스템)은, 마스크가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
마스크는 클램프를 통해 마스크 테이블에 커플링(couple)된다. 통상적으로, 마스크는 마스크 테이블 상에 제공된 1 이상의 진공 패드(vacuum pad)로서 구현될 수 있는 진공 클램프를 통해 마스크 테이블에 커플링되며, 이 경우 마스크의 원주 영역(circumferential area)의 전체 또는 일부분이 진공 패드 상에 유지된다. 클램프에 의해, 마스크와 마스크 테이블의 인접한 표면들 간의 수직 항력(normal force)이 생성된다. 진공 패드는 가스 방출부(gas discharge) 및 공급 시스템에 커플링된 1 이상의 개구부(opening)를 포함한다. 마스크와 마스크 테이블 간의 진공 커플링 대신에, 마스크 테이블에 대해 마스크를 유지하기 위해 정전기 또는 기계적 클램핑 기술들과 같이 마스크와 마스크 테이블 간의 마찰에 기초한 다른 형태의 커 플링들이 생각될 수 있다.
발달이 진행됨에 따라, 리소그래피 장치에 주어진 증가한 스루풋(throughput) 요건들은 스캐닝 속도를 증가시킨다. 그 결과, 마스크 테이블의 감속 및 가속이 증가한다. 감속 및 가속 단계에서, 증가된 관성력이 마스크 테이블 및 마스크 상에 작용한다.
마스크 테이블에 대해 마스크에 작용하는 관성력들은 서로에 대한 마스크 및 마스크 테이블의 미끄러짐(slip)을 초래할 수 있다고 알려져 있다. 통상적으로 미끄러짐은 나노미터 정도이지만, 최첨단 리소그래피 시스템들의 제품 오버레이 요건(product overlay requirement)들을 충족시키기 위해서는 이러한 미끄러짐의 방지가 여전히 중요하다. 비교적 낮은 감속 및 가속에 대해서는, 미끄러짐이 낮은 것으로 여겨진다. 이러한 상황에서, 미끄러짐이 충분히 낮은 경우에는 그것이 무시될 수 있으며, 또는 가능하게는 발생한 미끄러짐이 마스크 테이블 및/또는 기판 스테이지의 위치(및 이에 따른 동작)를 제어하는 위치설정 디바이스를 적절히 캘리브레이션(calibrate)함으로써 보상될 수 있다.
하지만, 감속 및 가속이 증가하면, 마스크 및 마스크 테이블 사이에서 발생하는 미끄러짐이 증가하며, 변하기 쉽고 예측할 수 없게 된다. 미끄러짐의 정도에 영향을 주는 인자들로는, 서로 연관되는 마스크 및 마스크 테이블의 표면들의 평탄도(flatness) 및 거칠기(roughness), 마스크 및 마스크 테이블이 취급되는 대기(들)의 습도, 마스크 또는 마스크 테이블의 화학적 표면 오염(chemical surface contamination), 마스크 또는 마스크 테이블의 입자 오염, 및 진공 클램프 시스템 의 경우의 진공 패드에 의해 마스크가 마스크 테이블 상에 유지되는 진공도(degree of vacuum)를 포함할 수 있지만, 그에 제한되지는 않는다. 따라서, 위치설정 디바이스의 캘리브레이션은 높은 관성력들의 영향을 받아 마스크 테이블 및/또는 기판 스테이지의 올바른 위치설정을 초래하지 않을 것이다.
마스크 테이블의 가속 및 이동 속력이 증가하는 경향이 있을 뿐만 아니라, 리소그래피 장치에 관한 정확성 요건들도 더 엄중하게 된다. 그러므로, 마스크의 미끄러짐이 기판 상에 투영된 패턴의 위치 오차를 발생시킬 수 있기 때문에, 마스크의 미끄러짐은 더 허용할 수 없게 된다.
지지체에 대한 패터닝 디바이스의 미끄러짐을 방지하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 리소그래피 장치는 패터닝 디바이스의 클램프 영역 상에 분자(molecule)들을 적용시키는 어플리케이터(applicator)를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 리소그래피 장치에 패터닝 디바이스를 유지하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 패터닝 디바이스의 클램프 영역 상에 분자들을 적용시키는 단계; 및 리소그래피 장치의 지지체에 패터닝 디바이스의 클램프 영역을 클램핑하는 단계를 포함하며, 상기 지지체는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지체에 의해 지지하는 단계; 방사선 빔에 의해 기판 상으로 패턴을 투영하는 단계; 기판을 현상하는 단계; 및 현상된 기판으로부터 디바이스를 제조하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공되고, 지지체에 의해 지지되기 이전에 패터닝 디바이스의 클램프 영역 상에 분자들이 적용된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 단계; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스의 클램프 영역 상에 분자들을 적용시키는 단계; 지지체 상에 패터닝 디바이스를 클램핑하는 단계; 및 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 여하한의 다른 적절한 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL), 및 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된 마스크 지지 구조체 또는 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT) 또는 "기판 지지체"를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자 기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
마스크 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 마스크 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 마스크 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 마스크 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 또는 "기판 지 지체"(및/또는 2 이상의 마스크 테이블 또는 "마스크 지지체")를 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블 또는 지지체가 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블 또는 지지체가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블 또는 지지체에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는데 사용될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부 일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 마스크 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정 디바이스(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정 디바이스(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지체", 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지체", 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지체"에 대한 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지체"는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"가 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"가 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 마스크 또는 패터닝 디바이스(MA)를 유지하는 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT), 투영 시스템(PL), 및 기판(W)을 유지하는 기판 테이블(WT)을 개략적으로 도시한다. 방사선의 소스(도시되지 않음)에 의해 생성될 수 있는 방사선 빔은 마스크의 패턴에 의해 패터닝되고 투영 시스템(PL)에 의해 기판(W) 상으로 투영된다. 이제 본 발명자들은 패터닝 디바이스의 표면 상에서의 헤이즈의 발생이 습기로 인한 것임을 알고 있다. 실제로, 발명자들은 패터닝 디바이스가 매우 강력한 단파장 방사선을 포함하는 조사 빔에 의해 조사되는 경우, 패터닝 디바이스의 표면에 부착되는 물 분자들이 패터닝 디바이스에 화학적으로 반응한다는 것을 알고 있다. 발명자들은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크) 상에서 일어날 수 있는 헤이즈가 물 분자들과의 이러한 상호작용으로 인한 것임을 알고 있다. 조사될 패터닝 디바이스의 표면에 인접한 공간(SP1 및/또는 SP2)을 컨디셔닝하기 위해, CON으로 개략적으로 나타낸 컨디셔너(conditioner)가 제공된다. 컨디셔너는 공간 내의 실질적으로 습기 없는 환경(humid free environment)을 위해 제공된다. 예시로서, 컨디셔너는 건조 질소(dry nitrogen) 또는 XCDA(extremely clean dry air)를 이용하여 공간을 정화할 수 있다. 이로 인해, 패터닝 디바이스 상에서의 헤이즈의 발생이 상당히 감소되어, 패터닝 디바이스를 세정할 필요가 덜 빈번하게 되며, 이는 패터닝 디바이스의 마모를 감소시키고, 결과적으로 패터닝 디바이스의 이용가능한 수명을 증가시킬 수 있다.
패터닝 디바이스의 표면에 인접한 공간들(SP1 및 SP2) 중 하나 또는 둘 모두가 컨디셔닝될 수 있을 뿐만 아니라, 리소그래피 장치 내에서 패터닝 디바이스가 존재할 수 있는 다른 위치들의 컨디셔닝도 컨디셔닝될 수 있다. 일 예시로서, 투영 시스템(PL)의 렌즈에 인접한 공간(SP3), 1 이상의 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)가 저장될 수 있는 패터닝 디바이스 라이브러리(예를 들어, 마스크 또는 레티클 라이브러리)(RL)가 컨디셔닝될 수 있고, 패터닝 디바이스 스테이지(예를 들어, 마스크 스테이지 또는 레티클 스테이지)(터렛(turret)이라고도 칭함)에 대한 패터닝 디바이스 버퍼(예를 들어, 마스크 버퍼 또는 레티클 버퍼)(RB) 또는 패터닝 디바이스 클리너(예를 들어, 마스크 또는 레티클 클리너)(RCL)가 컨디셔닝될 수 있으며, 패터닝 디바이스 핸들링 로봇(patterning device handling robot)(예를 들어, 마스크 핸들링 로봇 또는 레티클 핸들링 로봇)(RHR)의 로봇 핸들링 영역이 컨디셔닝될 수 있고, 상기 레티클 핸들링 로봇은 상기 라이브러리(RL), 클리너(RCL), 버퍼(RB) 및/또는 로드 포트(load port: LP)에 액세스(access)하기 위한 것이다. 또한, 내부 패터닝 디바이스 검사 시스템(예를 들어, 내부 마스크 검사 시스템 또는 내부 레티클 검사 시스템)이 컨디셔닝될 수 있다. 또한, 전체 패터닝 디바이스 핸들링 볼륨(patterning device handling volume)(예를 들어, 마스크 핸들링 볼륨 또는 레티클 핸들링 볼륨)(RV)이 컨디셔닝되는 것도 가능하다. 또한, 이 컨디셔닝은 지지체(MT), 투영 시스템(PL) 및/또는 기판 테이블(WT)이 제공되는 공간을 포함할 수 있다. 컨디셔닝은 물 분자들이 패터닝 디바이스 상에 분자층을 형성하는 것을 방지하기 위해 실질적으로 습기 없는 컨디셔닝을 포함할 수 있다. 앞서 제공된 예시에서는, 조사될 패터닝 디바이스의 표면에 인접한 공간이 컨디셔닝될 수 있지만, 그것은 전체 패터닝 디바이스를 둘러싸는 공간이 컨디셔닝되는 경우일 수도 있다. 일반적으로 말하면, 조사될 패터닝 디바이스의 표면은 지지체에 의해 패터닝 디바이스가 유지되는 측면들 사이의 표면 일부분을 포함한다. 상기 표면은 패터닝 디바이스 또는 레티클 자체의 표면 및/또는 도 3 및 도 4를 참조하여 아래에서 설명될 펠리클(pellicle)의 표면을 포함할 수 있다.
또한, 컨디셔닝은 투영 시스템(PL)의 렌즈 표면과 같은 방사선 빔에 의해 조사될 다른 부분들의 표면을 컨디셔닝하도록 적용될 수 있다.
발명자들은 물의 막(a film of water), 즉 습기의 막이, 더 많은 분자들 중 단지 하나의 두께만을 갖더라도, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)와 지지체 간의 마찰 계수를 매우 개선시킬 것이라고 고안했다. 이 관찰에 대한 설명은, 물 분자들이 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)와 지지체 사이에서 분자 스케일로 존재하는 갭들을 채울 것이라는 사실에서 알 수 있다. 다른 효과들도 있을 수 있다. 앞서 설명된 바와 같이, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 핸들링 영역, 예를 들어 투영 시스템 주위의 지지체 주위의 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 스토리지에는 이러한 물 분자의 막을 준비하기에는 불충분한 습기가 존재한다. 물 분자들을 제공하기 위한 가습기(humidifier) 대신에, 클램프 영역 상에 분자들을 적용시키는 여하한의 다른 어플리케이터가 적용될 수 있다. 분자들의 예로는, 예를 들어 극성 액체(polar liquid)에 포함된 극성 분자 또는 클램프 영역에 대한 점착(adherence)을 갖는 여하한의 다른 분자들을 포함할 수 있다. 또한, 분자들은 앞서 설명된 효과에 의해, 또는 여하한의 다른 방식으로 패터닝 디바이스와 지지체 간의 마찰을 증가시킬 여 하한의 분자를 포함할 수 있다. 어플리케이터는 여하한 형태의 어플리케이터, 예를 들어 액체, 가스 또는 여하한의 혼합물을 제공하는 노즐(nozzle), 증발기(evaporator) 등을 포함할 수 있다.
어플리케이터는 클램프 영역 상에 적용될 분자들을 유지하기 위해 컨테이너(container) 또는 덕트(duct)를 포함할 수 있다.
앞서 설명된 바와 같이, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 상의 물의 막은 역효과도 제공, 즉 방사선의 영향을 받아 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 상에 헤이즈를 발생시킨다. 그러므로, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)의 노광시, 더 많은 분자들 중 단지 하나의 두께만을 갖더라도, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 상에서 분자 스케일 물의 막을 형성하는 것을 방지하기 위해 습기가 충분히 없는 환경이 바람직하다. 하지만, 이로 인해 마찰이 감소하여, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 클램프의 유지력(holding force)이 낮아질 우려가 있다.
도 3은 지지체에 의해 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 나타낸다. 이 예시에서, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)에는 펠리클 지지체(PES)에 의해 유지되어 있는 펠리클이 제공된다. 패턴은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)의 저부면 상에 제공되므로, 펠리클(PE)에 의해 투영 시스템의 포커스 평면에서의 먼지, 헤이즈 또는 손상으로부터 어느 정도 보호될 수 있다. 지지체는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)의 클램프 영역(CLA)을 습하게 하기(humidify) 위해, 이 예시에서는 유 출구(HO)를 포함하는 가습기를 포함한다. 본 명세서에서, 습하게 하는 것은 클램핑될 표면 상에 물 분자의 막을 생성할 수 있을 약간의 습한 가스(humidified gas)를 제공하는 것으로서 이해하여야 한다. 가습기는 습한 가스를 위한 유출구, 노즐, 분무기(sprayer) 등과 같은 여하한의 가습기를 포함할 수 있다. 가스는 순수 가스 물질(pure gaseous substance), 가스 혼합물 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 가습기는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 핸들링 로봇이 지지체 상에 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)를 배치하기 직전에 약간의 습한 가스를 제공한다. 도 3에 나타낸 위치에서, 지지체(MT)의 클램프 표면과 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)의 클램프 영역 간의 거리는 펠리클 지지체의 높이보다 작거나 그와 같다. 이로 인해, 펠리클 지지체는 습기가 펠리클을 향해 빠져나와서, 앞서 설명된 바람직하지 않은 효과들을 갖도록 펠리클 상에 막을 형성하는 것을 어느 정도 방지하기 위해 이 위치에 경계를 형성한다. 또한, 습기가 펠리클에 도달하거나 다른 바람직하지 않은 위치들에 도달하는 것을 회피하기 위해, 지지체 내에 방출부 유입구(DI)가 제공될 수 있으며, 상기 방출부 유입구는 가습기에 의해 제공된 습기, 즉 이 예시에서는 유출구(HO)를 통해 제공된 습기의 전체 또는 일부분을 안내하여 내보낸다. 또한, 습기가 클램프 영역으로부터 빠져나가는 것을 더 방지하지 위해, 가습기 유출구를 통해 제공된 부피는 방출부 유입구(DI)로 안내되어 내보내지는 부피에 실질적으로 대응할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 지지체의 레티클 클램프가 진공 클램프를 포함하는 경우, 방출부 유입구(DI)는 진공 클램프의 진공 흡입 덕트(vacuum suction duct)에 의해 형성될 수 있으며, 이 경우 유속(flow rate) 또는 진공 덕트에 의해 안내되어 내보내지는 부피는 진공 흡입력을 발생시키기 위해 가습기 유출구(HO)에 의해 제공되는 양을 초과할 수 있다.
도 4에 나타낸 실시예에서, 지지체 내에 후퇴부(recess: RC)가 제공된다. 가습기 유출구(HO)는 지지체 상에 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)가 배치되기 직전에, 즉 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 클램프 영역(CLA)과 지지체(MT) 사이에 작은 갭만이 남아있는 경우에 상당한 양의 습기를 제공하며, 상기 갭의 높이는 예를 들어 앞서 설명된 바와 같이 펠리클 지지체(PES)의 높이보다 작거나 그와 같다. 주로 습기가 새어나가는 것을 방지하는 한편, 물이 지지체(MT)와 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)의 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 클램프 영역 상에 분자막을 신속하게 형성할 수 있도록, 유출구(HO)에 의해 제공되는 가스의 양은 후퇴부(RC)의 부피에 실질적으로 대응할 수 있다. 후퇴부는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)와 접촉하는 구조체들(ST)을 포함할 수 있다. 방출부 유출구를 제공하는 대신에, 또는 그에 추가하여, 습한 가스 또는 그 일부가 펠리클 지지체(PES)와 떨어져 마주하는 쪽에서 빠져나가게 할 수 있다. 이러한 빠져나간 습기가 노광될 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)의 표면에 접촉하는 것을 회피하기 위해, 위로 지향되는 가스 흐름을 공급하는 정화기(purger: PU)에 의해 건조 가스로 정화하는 단계가 제공될 수 있다.
도 2에 도시되고 이를 참조하여 설명된 리소그래피 장치 내에 가습기(이 예 시들은 도 3 및 도 4를 참조하여 설명되었음)가 적용될 수 있다. 노광 이전에, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 핸들링 로봇은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)를 라이브러리(RL)와 같은 버퍼로 이동시키며, 그로부터 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)가 스테이지로 전달되어, 가능하게는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 버퍼(RB)를 통과한다. 앞서 설명된 컨디셔닝에 의해, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)는 실질적으로 물이 없는 스테이지로 전해질 것이다. 펠리클 프레임이 적절한 통기 개구부(venting opening)를 포함할 수 있기 때문에, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 표면 자체와 펠리클 사이의 볼륨도 컨디셔닝되었을 수 있다. 그 후, 예를 들어 도 3 및/또는 도 4를 참조하여 앞서 설명된 바와 같이, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 핸들링 로봇에 의해 지지체 상에 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)가 배치되는 경우에 습하게 할 수 있다.
대안적인 실시예에서, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)를 지지체로 운반하는 경우, (예를 들어, 적절한 노즐 또는 유출구에 의해) 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)의 클램프 영역에 물 분자들을 제공할 수 있는 가습기가 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 핸들링 로봇(RHR)의 그리퍼(gripper) 내에 제공될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 핸들링 로봇에는 도 3 및/또는 도 4를 참조하여 설명된 것과 유사한 가습기를 갖는 그리퍼가 제공될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 가습기는 지지체에 레티클이 제공되기 전에 클램프 영역에 물 분자들을 적용시 키기 위해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 버퍼(RB) 내에 제공될 수도 있다. 이 실시예들에서, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클) 버퍼에는 도 3 및/또는 도 4를 참조하여 설명된 것과 유사한 가습기를 갖는 그리퍼 또는 홀더가 제공될 수 있다.
앞서 명시된 바와 같이, 본 명세서에서 설명된 각각의 예시적인 실시예들에서, 물 분자들을 적용시키는 가습기 대신에 여하한의 다른 어플리케이터가 제공될 수 있으며, 상기 어플리케이터는 극성 분자들과 같은 분자들 또는 지지체의 클램프 영역에 대한 점착을 갖는 여하한의 다른 분자들을 적용시킨다.
본 명세서에 설명된 내용을 숙지하면, 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지체에 의해 지지하고, 방사선 빔에 의해 기판 상으로 패턴을 투영하며, 기판을 현상하고, 현상된 기판으로부터 디바이스를 제조함으로써, (반도체 디바이스와 같은) 디바이스가 제조될 수 있으며, 이때 지지체에 의해 지지되기 전에 패터닝 디바이스의 클램프 영역 상에 분자들이 적용된다. 그로 인해, 패터닝 디바이스와 지지체 간의 마찰이 증가되므로, 지지체에 대한 패터닝 디바이스의 미끄러짐의 우려를 감소시킨다.
본 명세서에서 언급된 컨디셔너는 단일 컨디셔너로 포함될 수 있지만, 동등하게 복수의 컨디셔너, 예를 들어 레티클 스토리지, 지지체 등에 대해 별도의 컨디셔너가 제공될 수도 있다.
또한, 모든 가능한 실시예들에서 컨디셔너를 생략하고 앞서 설명된 가습기가 적용될 수 있다.
앞서 설명된 컨디셔닝 및 가습은 대기압에서 내부 작동하는 리소그래피 장치에 적용될 수 있을 뿐만 아니라: 더 낮거나 더 높은 압력에서 적용될 수도 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래 피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분의 개략적인 도면;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 패터닝 디바이스를 지지하는 지지체의 개략적인 도면; 및
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3에 도시된 지지체의 일부분의 개략적인 도면이다.
Claims (16)
- 리소그래피 장치에 있어서:방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및상기 패터닝 디바이스의 클램프 영역(clamp area) 상에 분자(molecule)들을 적용시키도록 구성된 어플리케이터(applicator)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 어플리케이터는 상기 패터닝 디바이스의 클램프 영역을 습하게 하는 가습기(humidifier)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 가습기는 상기 지지체 내에 포함되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 가습기는 상기 패터닝 디바이스의 클램프 영역으로 수증기를 포함한 가스를 안내하기 위해, 상기 지지체의 클램프 영역 내에 유출구를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 가습기는 상기 유출구에 의해 제공된 상기 가스의 전체 또는 일부분을 안내하여 내보내기(guide away) 위해 방출부 유입구(discharge inlet)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 가습기는, 상기 유출구에 의해 제공된 가스의 양이 상기 방출부 유입구에 의해 안내되어 내보내지는 가스의 양과 전체적으로 또는 부분적으로 같도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 지지체의 클램프는 진공 클램프(vacuum clamp)를 포함하고, 상기 방출부 유입구는 상기 클램프의 진공 흡입 유입구(vacuum suction inlet)인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 지지체의 클램프는 진공 클램프를 포함하고, 상기 지지체는 상기 패터닝 디바이스를 유지하는 경우에 상기 진공 클램프의 진공 챔버(vacuum chamber)를 형성하는 후퇴부(recess)를 포함하며, 상기 가습기는 상기 패터닝 디바이스가 상기 지지체로 운반되는 경우에 상기 진공 챔버를 실질적으로 채우도록 상기 유출구를 통해 다량의 상기 가스를 제공하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 가습기는 상기 리소그래피 장치의 스토리지 디바이스(storage device) 내에 포함되고, 상기 스토리지 디바이스는 상기 지지체로 운반되기 이전에 상기 패터닝 디바이스를 저장하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 가습기는 패터닝 디바이스 핸들링 로봇(patterning device handling robot) 내에 포함되고, 상기 패터닝 디바이스 핸들링 로봇은 상기 스토리지 디바이스로부터 상기 지지체로 상기 패터닝 디바이스를 운반하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 방사선 빔에 의해 상기 패터닝 디바이스가 조사되는 경우, 전체적으로 또는 부분적으로 상기 패터닝 디바이스의 표면에 인접한 공간을 컨디셔닝하도록 구성된 컨디셔너를 더 포함하고, 상기 컨디셔너는 상기 공간 내에 실질적으로 습기 없는 환경(humid free environment)을 제공하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 2 항에 있어서,전체적으로 또는 부분적으로 상기 패터닝 디바이스를 저장하기에 적합한 스토리지 디바이스 내의 공간을 컨디셔닝하는 스토리지 디바이스 컨디셔너를 더 포함하고, 상기 공간은 상기 방사선 빔에 의해 조사될 상기 스토리지 디바이스에 저장된 경우의 상기 패터닝 디바이스의 표면에 인접하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 리소그래피 장치에 패터닝 디바이스를 유지하는 방법에 있어서:상기 패터닝 디바이스의 클램프 영역 상에 분자들을 적용시키는 단계; 및상기 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성되는 상기 리소그래피 장치의 지지체에 상기 패터닝 디바이스의 클램프 영역을 클램핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패터닝 디바이스 유지 방법.
- 디바이스 제조 방법에 있어서:지지체를 이용하여, 패터닝 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하는 단계;기판 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계;상기 기판을 현상하는 단계;상기 현상된 기판으로부터 디바이스를 제조하는 단계; 및상기 지지체에 의해 지지되기 이전에 상기 패터닝 디바이스의 클램프 영역 상에 분자들을 적용시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 디바이스 제조 방법에 있어서:방사선 빔을 컨디셔닝하는 단계;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스의 클램프 영역 상에 분자들을 적용시키는 단계;지지체 상에 상기 패터닝 디바이스를 클램핑하는 단계; 및기판 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 방사선 빔에 의해 상기 패터닝 디바이스가 조사되는 경우, 전체적으로 또는 부분적으로 상기 패터닝 디바이스의 표면에 인접한 공간을 컨디셔닝하는 단계 를 더 포함하고, 상기 공간 내에 실질적으로 습기 없는 환경을 제공하는 컨디셔너가 제공되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
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