TWI377448B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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TWI377448B
TWI377448B TW096142268A TW96142268A TWI377448B TW I377448 B TWI377448 B TW I377448B TW 096142268 A TW096142268 A TW 096142268A TW 96142268 A TW96142268 A TW 96142268A TW I377448 B TWI377448 B TW I377448B
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Johannes Onvlee
Dirk-Jan Bijvoet
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Asml Netherlands Bv
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Description

1377448 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置、在一微影裝置中固持一圖 案化元件之方法及一種元件製造方法。 【先前技術】 微影裝置係將所要之圖案施加於一基板上,通常施加至 基板之一目標部分上的機器。微影裝置可用於(例如)積體 電路(ic)之製造中。在此情況下,可使用一或者稱為光罩 或主光罩的圖案化元件來產生一待形成在Ic之個別層上的 電路圖案。可將此圖案轉印至―基板(例如,@晶圓)上的 目標部分(例如,包括一個晶粒或若干晶粒之部分)上。圖 案之轉印通常係由成I至一提供於基板上之輕射敏感材 料(抗姓劑)層上而達成的。大體而言,單一基板將含有被 順-人圖案化之相鄰目標部分的網路。習知的微影裝置包括 所謂的步進器,在步進器中藉由一次性將整個圖案曝光於 目標部分上來照射每—目標部分;及所謂的掃描器,在掃 描器中藉由在一給定方向(”掃描"方向)上以輻射光束來掃 ,圖案同時平打或反平行於此方向同步地掃描基板來照射 每目‘。p 77 β亦可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案 自圖案化元件轉印至基板上。 在該微影裝置中,阁姿_ y _ Ύ 圖案化兀*件可能會在其使用期間經歷 降級製程。在圖案化开杜 ▲访_系化7L件之一使用期之後,該圖案化元件 Β會隻模糊’藉此劣化其效能,因為透射率(透射型圖 案化凡件的)或反射率(反射型圖案化元件的)可能劣化。模 125710.doc 1377448 糊發生後-般需要對圖案化元件進行清潔,此清潔能夠移 除或至少減少此模糊U該清潔可能需要使料與該圖 案化元件相互作用之蝕刻清潔劑或其它清潔物質或清潔方 由於對圖案化元 次或若干次之後
在掃描型微影裝置中’㈣化元件可由亦稱為光罩台或 支樓台之支樓件承載。在一基板之一目標部分上產生一圖 案時光罩口/β—移動線在單一掃描方向上執行掃描移 動,或沿該移動線在兩個(即,相反)方向上掃描。當發生 方向反轉時’可使光罩台在連續掃描移動之間減速及加 速而且,在一特定方向上之每一掃描移動之前及之後使 光罩台加速及減速1知地,以,以速率進行掃描移動。 然而,亦可至少部分以變化之速率進行掃描移動,例如, 該等移動包括至少部分之減速及/或加速階段。
法,從而致使該圖案化元件磨損或降級。 件之此等不利影響,在清潔圖案化元件一 可能需要更換該圖案化元件。 光罩台支撐光罩,即支承光罩之重量。光罩台以一取決 =光罩之方位、微㈣置之設計及其它條件(例如該光罩 疋否固持於真空環境中)之方式而固持光罩。光罩台可包 括(例如)-框架或一台,其可視需要為固定或可移動的。 光罩台(及其控制系統)可確保光罩(例如)相對於投影系統 處於一所要位置。 光罩藉由一夾具耦接至光罩台。習知地,光罩藉由一真 工夾具耦接至光罩台,該真空夾具可建構為提供於光罩台 上之-或多個真空墊’其中光罩之圓周區域之至少一部分 125710.doc
U//44S 口持於該等真空塾上β藉由該失具光罩與光罩台之鄰近 表面之間產生-法向力,從而致使該光罩與該光罩台之接 觸表面之間產生摩擦。該等真空塾包_至-氣體排放 及供應糸統之-或多個開口。替代光罩與光罩台之間的真 空搞接,可構想基於光罩與光罩台之間的摩擦之其它形式 之搞接,例如靜電或機械夾持技術,以將光罩固持至光罩 台。 在現行開發中’對微影裝置提出之增加產出量之要求導 致增加掃描速率。因此,光罩台之減速及加速增多。在減 速及加速階段,增加之慣性力作詩光罩台及光罩上。 已知相對於光罩台作用於光罩之慣性力可導致該光罩及 光罩台相對於彼此而滑動。儘管滑動通常具有奈米之級, 但為滿足當前技術微影系統之產品覆蓋要求,防止此種滑 動仍是重要的。對於相對低的減速及加速而言,滑動表現 為較低在此等情況下,若滑動充分低則可忽略滑動,或 者若滑動發生’則可能藉由適當校準一控制光罩台及/或 基板平臺之位置(且因此控制其移動)之定位元件來補償該 滑動。 然而’在減速及加速增多之情況下,Μ與光罩台之間 發生之滑動增多’且變得可變且不可預測。影響滑動量之 合之光罩與光罩台之表面的 千坦度及㈣度、處理光罩及光罩台所在之大氣之濕度、 光罩或Μ台之化學表面污染、光罩Μ罩台之微粒污 染’以及在真空炎具系統之情況下,當光罩藉由真空塾固 125710.doc 持於光罩台 對定位元件 確定位》 上時之真空度。因此,在高慣性力之環境下, 之校準將不會導致光罩台及/或基板平臺之正 ^ “罩0之移動及加速之速度可趨於增加,而且對微 ,裝置之精度要求可能變為更加嚴格n光罩之滑動 楚為更加無法容許,因為光罩之滑動可產生投影至基板上 之圖案之位置誤差。 【發明内容】 期望防止圖案化元件相對於支撐件之滑動。 根據本發明之_實施例,提供_種微影裝置,其包括: -照明系、统,其經組態以調整一輻射光束;一支撐件,其 經構造以支律一圖案化元件,該圖案化元件能夠在該輕射 先束之橫截面中賦予該輻射光束一圖案以形成一經圖案化 /輻射光束,一基板台,其經構造以固持一基板;及一投 影系統,其經組態以將該經圖案化之輻射光束投影至該基 板之—目標部分上’其中該微影裝置包括-施加器以將分 子施加至該圖案化元件之一夾具區域上。 在本發明之另-實施例中,提供—種在—微影裝置中固 持一圖案化元件之方法,該方法包括:將分子施加至該圖 案化元件之一夾具區域上;及將該圖案化元件之該夾且區 域夾持至該微影裝置之-支稽件,該支料經構m揮 該圖案化元件。 元件製造方法,其 該圖案化元件能夠 根據本發明之又一實施例,提供一種 包括:由一支撐件支撐一圖案化元件, 125710.doc 1377448 在一輻射光東之橫截面中賦予該輻射光束一圖案以形成一 經圖案化之輻射光束;藉由該輻射光束將該圖案投影至一 基板上;對該基板進行顯影;及自該經顯影之基板製造— 元件,其中在由該支撐件支撐之前將分子施加至該圖案化 元件之一夾具區域上。 、 根據本發明之另一實施例,提供一種元件製造方法其 包括:調整一輻射光束;將分子施加至一圖案化元件之一 夾具區域上,該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中 賦予該輻射光束一圖案以形成一經圖案化之輻射光束丨將 該圖案化元件夾持在一支撐件上;及將該經圖案化之輻射 光束投影至一基板上。 【實施方式】 圖1不意性描繪根據本發明之一個實施例的微影裝置。 該裝置包括:一照明系統(照明器)IL,其經組態以調節一 輻射光束B(例如,UV輻射或任何其它合適輻射)· 一光罩 支撐結構或圖案化元件支撐件(例如,光罩台)Μτ ,其經建 構以支撐一圖案化元件(例如,光罩)MA且連接至一第一定 位π件PM,該第一定位元件PM經組態以根據某些參數來 準確地定位該圖案化元件。該裝置亦包括一基板台(例 如曰曰圓台)WT或"基板支撐件",其經建構以固持一基板 (例如,塗覆有抗蝕劑之晶圓)W且連接至一第二定位=件 該第二定位元件PW經組態以根據某些參數來準確地 定位該基板。該裝置進一步包括一投影系統(例如,一折 射型投影透鏡系統)PL,其經組態以將一由圖案化元件财 1257I0.doc •10· 1377448 賦予輻射光束B之圖案投影至基板’之― 如’包括一或多個晶粒)上。 該照明系統可包括用於引導、成形或控制轄 型之光學組件’諸如折射、反射、磁性、電 他類型之光學組件或其任何組合。
目標部分C(例 .?光:支撐結構支揮圖案化元件,即支承圖案化元件之 重莖。其以視圖案化元件之定向、微影裝置之設計及諸如 圖案“件是否被固持於真空環境中之其他條件而定的方 式來固持圖案化元件。光罩支揮結構可使用機械、真空、 靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。光 為(例如)框架或台’其可根據需要而為固定或可㈣的。 光罩支撐結構可確㈣案化元件(例如)相對於投影系統位 於所要之位置上。可認為本文中對術語"主光罩"或"光罩·, 之任何使用均與更通用之術語"圖案化元件"同義。 應將本文中所使用之術語"圖案化元件"廣義地解釋為指 代可用以向-輻射光束之橫截面賦予一圖案從而在基板之 目標部分中產生一圖案的任何元件。應注f,舉例而言, 右被賦予至||射光束之圖案包括相移特徵或所謂的辅助特 徵’則該圖案可能不會精確對應於基板之目標料中的所 要圖案。通常,被賦予至韓射光束之圖案將對應於正在目 標部分中產生之元件中的特定功能層(諸如積體電路)。 圖案化元件可為透射性或反射性的。圖案化元件之實例 包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩 在微影術中係、熟知的,且包括諸如二元、交變相移及衰減 125710.doc 1377448 相移之光罩類型’以及各種混合光罩類型^可程式化鏡面 陣列之-實例使用小鏡面之矩陣配置,其中每__者可個別 地傾斜以在不同方向上反射—人㈣射光纟。傾斜之鏡面 將-圖案賦予由該鏡面矩陣所反射之賴射光束中。 應將本文令所使用之術語•,投影系統"廣義解釋為包含任 何類型之投影系統,包括折射、反射、反射折射、磁性、 電磁及靜電光學系統或其任何組合,只要其適合於所使用
之曝光輻射或適合於諸如浸液之使用或真^之使用的其他 因素T 為本文中對術語"投影透鏡"之任何使用與更通 用之術語"投影系統"同義。 如本文十所描述’該裝置為透射類型(例如,使用一透 射性光罩)。或者’該裝置可為反射類型(例如,使用具有 上文所指之-類型的可程式化鏡面陣列,或使用反射性光 ^ 可為具有兩個(雙級)或兩個以上基板台或"基板 支撐件"(及/或兩個或兩個以上光罩台或,,光罩支撑件")之 類型:,該:"多級”機器中,可並行使用額外之台或支撐 ?°在 <夕個自或支律件上執行預備步驟同時使用 —或多個其他台或切件進行曝光。 該微影裝置亦可為以下類型:纟中基板之至少一部分可 被一具有相對較高之折射率之液體(例如,水)所覆蓋,以 =U㈣基板之間的空間。亦可將浸液塗覆至微 中之其他空間’例如,在光罩與投影系統之間。浸 沒技術可用於增加沪說么 又影系統之數值孔徑。本文中所使用之 1257I0.doc 12 1377448 術語"浸沒"並不意謂必須將諸如基板之結構淹沒於液體 中,而僅意謂在曝光期間液體位於投影系統與基板之間。 參看圖1,照明器IL接收來自輻射源s〇之輻射光束。舉 例而言,當輻射源為準分子雷射器時’該輻射源與微影裝 置可為獨立之實體。在該等情形+,不認為輕射源形成微 影裝置之部分,且輻射光束借助於包括(例如)合適之引導 鏡面及/或光束放大器的光束傳遞系統3〇而自光源s〇處傳 遞至照明器IL。在其他情形中,舉例而言,當輕射源為一 水銀燈時,該輻射源可為微影裝置之一整體部分。輻射源 SO及照明器IL連同(若需要)光束傳遞系統BD可稱為一輻射 系統。 照明器IL可包括一經組態以調節輻射光束之角強度分布 的調即器AD。一般而言’至少可調節照明器之睹孔平面 中之強度分布的外部徑向範圍及/或内部徑向範圍(通常分 別稱作σ-外(σ-οι^ι^σ•内((y_inner))。此外,照明器工[可 包括諸如積光器IN及聚光器c〇之各種其他組件。照明器 可用以調知輻射光束以在該輻射光束之橫截面中具有所要 均一性及強度分布。 5射光束B入射至固持於光罩支撐結構(例如,光罩 )上之圖案化元件(例如,光罩)MA上,且藉由該圖案 件而圖案化。在橫穿光罩MA之後輻射光束B穿過投影 統PL ’該投影系統pL將該光束聚焦至基板w之一目標部 刀C上。借助於第二定位元件pw及位置感測器叫例如, 干涉量測το件、線性編碼器或電容性感測器),可準確地 125710.doc -13 - 1377448 移動基板台WT以便(例如)在輻射光束B之路徑中定位不同 目標部分C。舉例而言,類似地,在自光罩庫以機械方式 擷取後或在掃描期間,可使用第一定位元件PM&另一位 置感測器(其未在圖1中明確描繪)來相對於輻射光束B之路 控準確定位光罩MA。一般而言’可借助於形成第一定位 元件PM之部分的長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精定 位)來實現光罩台MT之移動。類似地’可使用形成第二定 位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台 WT或"基板支撐件"之移動。在步進器(與掃描器相對)之情 形中’可僅將光罩台MT連接至短衝程致動器,或可將其 固定。可使用光罩對準標記]VU、光罩對準標記M2及基板 對準標記P1、基板對準標記P2來對準光罩μα及基板w。 儘管所說明之基板對準標記佔用了專用目標部分,但其可 定位在目標部分之間的間隔中(此等稱為劃道對準標記)。 類似地,在光罩Μ A上提供一個以上晶粒之情況下,光罩 對準標記可位於該等晶粒之間。 可以如下模式中之至少一者來使用所描繪之裝置: 1.在步進模式中,當將一被賦予至輻射光束之整個圖案 一次性投影至一目標部分c上時,使光罩台Μτ或"光罩支 撐件"及基板台WT或"基板支撐件"保持基本上靜止(亦即, 單次靜態曝光)。接著使基板台WT或"基板支撐件"在父方 向及/或Y方向上移位以使得可對一不同之目標部分C進行 曝光。在步《式巾’曝光場之最小限制了在單次靜 態曝光中成像之目標部分C的大小。 1257I0.doc 2.在掃描模式中,當將一被賦予至輻射光束之圖案投影 目標部分C上時,對光罩台MT*"光罩支撐件"及基板 台WT或"基板支撐件"進行同步掃描(亦即,單次動態曝 光)。可藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特徵 岁J疋基板台WT或"基板支撐件"相對於光罩台或"光罩 支撐件之速度及方向。在掃描模式中曝光場之最大大 小限制了在單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描 方向上)’而掃描運動之長度決定了目標部分之高度(在掃 描方向上)。 3.在另一模式中,當將一被賦予至輻射光束之圖案投影 至一目標部分C上時,使光罩台河丁或"光罩支撐件"保持基 本上靜止而固持一可程式化圖案化元件,且移動或掃描基 板台WT或"基板支撐件,、在此模式中,通常使用一脈衝 式輻射源,且視需要在基板台WT或"基板支撐件"之每次 移動後,或在掃描期間之連續輻射脈衝之間更新可程式化 圖案化元件。可容易地將此操作模式應用於使用可程式化 圖案化元件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列) 的無光罩微影術中。 亦可使用上述使用模式之組合及/或變體或完全不同之 使用模式。
圖2示思性描繪固持光罩或圖案化元件MA之圖案化元件 支撐件(例如,光罩台)ΜΤ、投影系統PL及固持基板w之基 板σ WT。可由一輻射源(未圖示)產生之輻射光束係藉由光 罩之圖案予以圖案化,並由投影系統PL投影至基板W 125710.doc 15 1377448 上。發明人現認識到該圖案化元件之一表面上發生模糊係 由於濕度之緣故。實際上,發明人已認識到當由可包括高 能短波輻射之輻射光束照射該圖案化元件時,附著至該圖 案化元件之表面之水分子與該圖案化元件發生化學反應。 發明人認識到圖案化元件(例如,光罩)上可能發生之模糊 係由於與水分子之此相互判之緣故。提供由⑽示意性 指示之調整器,其調整鄰近於圖案化元件之待照射表面之 空間SPi及/或SP2。該調整器在該空間中提供大體上不含 濕氣之環境。作為實例,該調整器可用乾燥氮氣或用 XCDA(極清潔乾燥空氣)淨化該空間。藉此,可顯著減少 圖案化元件上模糊之產生’從而無需頻繁清潔圖案化元 件,此可減少圖案化元件之磨損並因此可增加圖案 之可用壽命。 不f可調整鄰近於圖案化元件之一表面之空間阳、奶 ^-者或兩者,而且可調整對圖案化元件存在於微影裝 :在=它位置之調整,一實例,在鄰接投影系 :孔之-透鏡之空間SP3中,可調整可儲存多個圖案化元 光罩:主/罩或主光罩)中之一者的圖案化元件庫(例如, 可調整對於圖案化元件平臺(例如’ (:如光稱為塔)之圖案化元件清潔器 先罩或主光罩月潔器)RCL或圖案化 如,光罩緩衝器或主光罩緩衝器⑽,可調整圖幸例 r機器一光I操=Γ:: 罩操縱機器人)之機器人操縱區域,該主= 125710.doc • 16 · 丄377448 器人用以存取庫壯、清潔器Rcl、緩衝器RB及/或裝载埠 LP。此外’可調整-内部圖案化元件檢查系統(例如,— 内部光罩元件檢查系統或一内部主光罩檢查系統)。而 且’可能調節-整個圖案化元件操縱容積(例如, 縱容積或主光罩操縱容積)RV。此外,此調整可包括复中 提供支撐件MT、投影系訊及/或基板的空間1 調整可包括大體上不含濕度之調整,以防止水分子在: =上形成一分子層。在上文提供之實例中,可調整鄰 件之待照射表面之空間,然而情況亦可能為調 :繞整値圖案化元件之空間。一般而言,圖案化元件之 待照射表面包括位於由Φ # 侧之問的矣而持該圖案化元件所處之兩 罩 《一部分。該表面可包括圖案化元件或主光 身之—表面,及/或下文將參看圖3及4解釋之薄層之 一表面。 該調整亦可應用於調整待由輻射光束照射之其它部件之 表面,諸如投影系統PL之一透鏡之表面。 發明人已設想一水薄膜(即,一 較多分子中之—個分 :濕相),即使僅具有 件(例如,光罩二顯著改良圖案化元 …件… 件之間的分子尺度罩或主光罩)與支撐 效應亦可能起作用^ 解釋此觀察結果。其它 宰化元件d 解釋,不充足之濕氣存在於圖 茶化几件(例如,光罩或主光罩 圖案化元件(例如,…(例如存在於- °光罩)儲存設備中、支撐件周 125710.doc 17 1377448 圍、投影系統周圍)’以提供此分子水薄膜。替代用以提 供水分子之增濕器(諸如喷嘴、噴霧器、汽化器),可應用 任何其它施加器以將分子施加至夾具區域上。該等分子之 實例可包括(例如)包括於一極性液體中之極性分子,或對 央具區域具有黏附力之任何其它分子。此外,該等分子可 包括藉由上文描述之效應或以任何其它方式而増加圖案化 元件與支樓件之間的摩擦之任何分子。該施加器可包括任 何類型之施加器,例如用以提供液體、氣體或任何混合物 之喷嘴、蒸發器等。 該施加器可包括-容器或—導管以固持待施加至爽具區 域上之分子》 如上文解釋,圖案化元件(例如,光罩或主光罩)上之水 薄膜亦提供—不利效應,即,在㈣影響下圖案化元件 (例如’光罩或主光罩)上模糊之產生。因此,在圖案化元 件(例如,光罩或主光罩)之曝光期間,期望圖案化元件(例 如光罩或主光罩)上產生充分不含濕氣以防止形成一分 子尺度水薄膜的環境,即使該分子尺度水薄膜僅具有較多 分子中之-個分子之厚度。然而藉此存在之風險在於使摩 擦減小,從而引起圖案化元件(例如,光罩或主光罩)夾具 之低固持力。 圖3展示由支撐件Μτ固持之圖案化元件(❹,光罩或 主光罩)MA。該圖案化元件(例如,光罩或主光罩)在此實 例中具備-由薄層支撐件PES固持之薄層。一圖案可提供 於該圖案化元件(例如,井置赤土出 九罩或主先罩)之底側上,且藉此 125710.doc •18· 1377448 口 由該薄層PE在某一程度上屏蔽以抵抗投影系統之焦平面中 之灰塵、模糊或損壞。該支撐件包括一增濕器,該增濕器 在此實例中包括出口 H0以濕化圖案化元件(例如,光罩或 主光罩)之夹具區域CLA。在此上下文中將濕化理解為提 供將能夠在待夹持表面上產生一分子水薄臈之少量濕化氣 體。該增濕器可包括任何增濕器,諸如噴嘴、噴霧器、用 於濕化氣體之出口等。該氣體可包括純氣體物質、氣體混 合物等。在一實施例中,該增濕器恰在圖案化元件(例 如’光罩或主光罩)操縱機器人將圖案化元件(例如,光罩 或主光罩)放置於支撐件上之前提供少量濕化氣體。在圖3 所不之位置中,支撐件MT之夾具表面與圖案化元件(例 如,光罩或主光罩)之夾具區域之間的距離小於或等於該 薄層支撐件之高度。藉此,該薄層支撐件在此位置中形成 一邊界以在某一程度上防止濕氣向該薄層逃逸,且因此防 止濕氣在該薄層上形成一薄膜,該薄膜將具有上文所述之 不合意效應。此外,為避免濕氣到達該薄層或到達其它不 合意位置’可在支撐件中提供一排放入口DI,該排放入口 用以導引掉由增濕器提供之濕氣(即,在此實例中經由出 口 H0提供之濕氣)之至少一部分。此外,經由增濕器出口 提供之容積可大體上對應於由排放入口 〇1導引掉之容積, 以進一步防止濕氣自夾具區域逃逸。在另一實施例中,在 支樓件之主光罩夾具包括一真空夾具之情況下,排放出口 DI可由該真空夾具之一真空吸取導管形成,在此情況下由 該真空導管導引掉之流動速率或容積可超過由增濕器出 125710.doc 1377448 HO提供之量以產生一真空吸取力。 ^4所示之實施例中,在支料中提供—凹座增 ‘器輸出H0恰在將圖案化元件(例如, :支:件上之前(即,當僅有-小間隙保留於圖案= s 光罩或主光罩)夹具區域CLA與支標件MT之間時)
提供-定量濕氣,其中該間隙之高度(例如)小於或等於薄 t支樓件啦之高度,如上文解釋。由輸出HO提供之氣體 里可大體上對應於凹座RC之容積以使水能夠在圖案化元 件(例如,;光罩或主光罩)MA及支撐件町之圖案化元件(例 如光罩或主光罩)夾具區域上快速形成一分子薄膜,同 時較大程度防止濕线漏。該凹座可包括結構打以接觸圖 案化元件(例如,光罩或主光罩卜替代或除了提供排放出 口,可允許濕化氣體或其部分在背向薄層支撐件PES之一 侧逃逸《為避免此種逃逸濕氣接觸圖案化元件(例如,光 罩或主光罩)之待曝光表面,可藉由一淨化器PU提供以乾 燥氣體進行之淨化以供應一向上引導之氣體流。 可在參看圖2所描繪及所描述之微影裝置中應用增濕 器’該增濕器之實例已參看圖3及4進行了描述。在曝光之 前’圖案化元件(例如,光罩或主光罩)操縱機器人將圖案 化元件(例如,光罩或主光罩)移動至一緩衝器(諸如,庫 RL) ’並將圖案化元件(例如,光罩或主光罩)自該處轉移 至平臺’同時可能傳遞圖案化元件(例如,光罩或主光罩) 緩衝器RB。藉由上文所述之調整,將圖案化元件(例如, 光罩或主光罩)遞送至大體上不含水之平臺。由於薄層框 125710.doc •20· /448 二° 3有。適之通氣開口,因此亦可調整圖案化元件 亲光罩或主光罩)表面本身與薄層之間的容積。隨後當 、化兀件(例如’光罩或主光罩)由圖案化元件(例如,光 5主光罩)操縱機器人放置於支撐件上時,可進行如上 文(例如)參看圖3及/或圖4解釋之濕化。 在替代實施例中,增濕器可提供於圖案化元件⑼如, ^或主光罩)操縱機器人RHR之一握爪中,當將圖案化 ^ (例如’光罩或主光罩)輸送至支樓件時該握爪可向圖 案化讀(例如,光罩或主光罩)之夾具區域提供水分子⑼ 如’猎由—合適喷嘴或出口)。在此等實施例中,圖案化 几件(例如’光罩或主光罩)操縱機器人可具備一具有類似 於參看圖3及/或圖4描述之增濕器的握爪。在其他實施例 中,增濕器可在將薄層提供至支撐件之前提供於圖案化元 件(例如,光罩或主光罩)緩衝器⑽中,以向夹具區域施加 水分子。在此等實施例中,冑案化元件(例如,光罩或主 光罩)緩衝器可具備一具有類似於參看圖3及 增濕器的握爪或固持器。 攻之 如先前概述,在本文件中描述之例示性實施例之每一者 ^,替代用以施加水分子之增濕器,可提供任何其它施加 器,該施加器用以施加諸如極性分子之分子或對支撐件之 夾具區域具有黏附力之任何其它分子。 藉由利用本文件中描述之教示,可藉由下列方式製造一 元件(諸如一半導體元件):以一支撐件支撐一圖案化元件 來(),該圖案化元件能夠在-輕射光束之橫截面中賦予該 •2J · 125710.doc 1377448 輕射光束-圖案以形成一經圖案化之輻射光束;藉由該輻 射光束將該圖案投影至一基板上;對該基板進行顯影以 及自該經顯影之基板製造該元件,其中在由該支㈣支標 之前將分子施加至圖案化元件之夹具區域上。藉此增加圖牙 案化元件與支掠件之間的摩擦,因此減少圖案化元件相對 於支樓件滑動之風險。 本文件中提及之調整器可包括一單一調整器,然而同樣 可能提供複數個調整器,例如用於主光罩儲存器、支撐件 等之單獨調整器。 亦可同樣應用上文描述之增濕器(其所有可能實施例), 即,省略調整器。 不僅可在一在大氣壓力下之氛圍内操作之微影裝置中應 用上文所描述之調整及濕化,在較低或較高M力下之應用 亦為可能的。 儘管本文中可特定參考微影裝置在製造1(:中之使用,但 應瞭解,本文中所描述之微影裝置可具有其他應用,諸如 積體光學系統製造、用於磁域記憶體之引導及偵測圖案、 平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此 項技術者應瞭解’在該等替代性應用之環境下,可認為本 文中對術》σ a曰圓或”晶粒”之任何使用分別與更通用之術 基板"或"目標部分"同義。本文所指之基板可在曝光之 j或之後在(例如)一軌道(通常將抗钱劑層塗覆至基板及使 經曝光之抗触劑顯影的工具)、度量工具及/或檢驗工具中 進行處理適用時,可將本文之揭示案應用於該等及其他 125710.doc •22- 1377448 基板處理工具。此外,可對基板進行一次以上之處理, (例如)以產生多層ic,從而使得本文中所使用之術語基板 亦可指已含有多個經處理之層的基板。 儘管上文中已特別參考在光學微影術之情境下對本發明 之實施例的使用,但應瞭解本發明可用於其他應用(例 如,壓印微影術)中,且在情境允許時不限於光學微影 術在壓印微影術中,圖案化元件中之構形界定了形成於 基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入提供至基板上 的抗餘劑層中,在該基板上抗银劑藉由施加電磁輻射、 熱、壓力或其組合來固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化元 件移出抗蝕劑之外,藉此在其中留下一圖案。 本文中所使用之術語"輻射"及”光束"包含所有類型之電 磁輻射,包括紫外(UV)輻射(例如,具有約365 nm、248 m 193 nm '丨57 nm或126 nm之波長)及遠紫外(euv)輻 射(例如,具有在5 nm至20 nm之範圍内的波長)以及粒子 束(諸如,離子束或電子束)。 術語"透鏡"在情境允許時可指各種類型之光學組件的任 者或組合,包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組 件。 雖然上文中已描述了本發明之特定實施例,但應瞭解, 可以所描述之方式以外的方式來實踐本發明。舉例而言, 本發明可採用如下形式 >電腦程式,其含有描述上文所 揭示之方法之機器可讀指令之一或多個序列;或一資料儲 存媒體(例如’半導體記憶體、磁碟或光碟),其具有儲存 125710.doc •23· 1377448 於其中之該種電腦程式。 以上描述說明意欲為說明性而非限制性的。因此,熟習 此項技術者將顯而易見,在不脫離下文中所提出之申請專 利範圍之範疇的前提下可對所描述之本發明做出修改。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置; 圖2描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之一部分的 示意圖;
圖3描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之一支撐件 的示意圖,該支撐件固持一圖案化元件;及 圖4描繪根據本發明之一實施例之如圖3描繪之支撐件之 一部分的示意圖。 【主要元件符號說明】
AD 調節器 B 輻射光束 BD 光束傳遞系統 C 目標部分 CLA 夾具區域 CO 聚光器 CON 調整器 DI 排放入口 HO 出〇 IF 位置感測器 IL 照明系統 125710.doc -24- 1377448 IN 積光器 LP 裝載埠 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化元件/光罩 MT 光罩支撐結構/圖案化元件支撐件/光罩台 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PE 薄層 PES 薄層支撐件 PL 投影系統 PM 第一定位元件 PU 淨化器 PW 第二定位元件 RB 圖案化元件緩衝器 RC 凹座 RCL 圖案化元件清潔器 RHR 圖案化元件操縱機器人 RL 圖案化元件庫 RV 整個圖案化元件操縱容積 SO 輻射源 SP1 空間 SP2 空間 SP3 空間 125710.doc -25* 1377448
ST w WT 結構 基板 基板台
125710.doc ·26·

Claims (1)

  1. 第096142268號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(101年7月) 1377448 _ 叫年f月丨〔曰修正本 十、申請專利藏ΐ~ϊ - ι· 一種微影裝置,其包含 一支撐件,其經構造以支撐一圖案化元件,該圖.案化 元件能夠在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖 案以形成一經圖案化之輻射光束; 一基板台,其經構造以固持一基板; 一投影系統,其經組態以將該經圖案化之輻射光束投 影至該基板之一目標部分上;及
    一施加器’其用以將分子施加至該圖案化元件之一夾 具區域上,其中該施加器包含一用以濕化該圖案化元件 之該夾具區域之增濕器。 2.如請求項1之微影裝置’其中該增濕器包含在該支撐件 中0 3. 如請求項2之微影裝置’其中該增濕器包含位於該支撐 件之一夾具區域中之一出口,以將包含一水蒸氣之一氣 體導引至該圖案化元件之該夾具區域。 4. 如6青求項3之微影裝置,其中該增濕器進一步包含用以 將由該出口提供之該氣體之至少一部分導引掉的一排放 入Ο 〇 5. 如請求項4之微影裝置,其中該增濕器經構造以使得由 該出口提供之一氣體量至少等於由該排放入口導引掉之 一氣體量。 6. 如請求項4之微影裝置,其中該支撐件之該夾具包含一 真空夹具,該排放入口為該夹具之一真空吸取入口。 125710-10l07l6.doc 1377448 如請求項4之微影裝置’其中該支撐件之該夾具包含一 真空夾具,該支撐件包括在固持該圖案化元件時形成該 真空夾具之一真空腔室之一凹座,該增濕器用以在該圖 案化元件被輸送至該支撐件時經由該出口提供一定量之 該氣體以大體上填充該真空腔室。 8_如請求項!之微影裝置,其中該增濕器包含於該微影裝 置之一儲存元件中,該儲存元件用以在該圖案化元件被 輸送至該支擇件之前儲存該圖案化元件。 9·如請求項丨之微影裝置,其中該增濕器包含於一圖案化 元件操縱機器人中,該圖案化元件機器人用以將該圖案 化元件自該儲存元件輸送至該支撐件。 10·如請求们之微影裝置’其進一步包含一調整器該調 整器經組態以在由該輻射光束照射該圖案化元件時調整 鄰接該圖案化兀件之一表面之至少一空間,該調整器用— 以在該空間中提供一大體上不含濕氣之環境。 η·如4求項1之微影裝置,其進—步包含—健存元件調整 器’該健存元件調整器係用以調整—經調適以儲存該圖 案化元件之儲存元件中之至少一空間,該空間在該圖案 :兀件儲存於該儲存元件中時鄰接該圖案化元件之一表 面該圖案化疋件之該表面待由該輕射光束予以昭射。 12·如請求項1之微影裝置,其中該分子包含極性分子、、。 13.如凊求項1之微影裝置,其中該分子包含水。 125710-1010716.doc -2-
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8705010B2 (en) 2007-07-13 2014-04-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
TWI514090B (zh) * 2007-07-13 2015-12-21 Mapper Lithography Ip Bv 微影系統及用於支撐晶圓的晶圓台
JP2013125791A (ja) * 2011-12-13 2013-06-24 Canon Inc 保持装置、描画装置、および、物品の製造方法
US10459353B2 (en) * 2013-03-15 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography system with an embedded cleaning module
US10459352B2 (en) 2015-08-31 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask cleaning

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918870A (en) * 1986-05-16 1990-04-24 Siltec Corporation Floating subcarriers for wafer polishing apparatus
JP3402681B2 (ja) * 1993-06-02 2003-05-06 サンエー技研株式会社 露光における位置合わせ方法
JPH09115800A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Nikon Corp 露光装置
US20030179354A1 (en) * 1996-03-22 2003-09-25 Nikon Corporation Mask-holding apparatus for a light exposure apparatus and related scanning-exposure method
JP2000012648A (ja) * 1998-06-17 2000-01-14 Ebara Corp 素子製造工程における基材表面保護方法及び装置
US6842221B1 (en) * 1999-03-12 2005-01-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US6394109B1 (en) 1999-04-13 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system
KR20010112467A (ko) * 1999-04-27 2001-12-20 시마무라 테루오 스테이지 장치 및 노광장치
TW504605B (en) * 1999-12-03 2002-10-01 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the same, the device and mask
US6614504B2 (en) * 2000-03-30 2003-09-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2001358055A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP3914386B2 (ja) 2000-12-28 2007-05-16 株式会社ルネサステクノロジ フォトマスク、その製造方法、パターン形成方法および半導体装置の製造方法
US6906783B2 (en) * 2002-02-22 2005-06-14 Asml Holding N.V. System for using a two part cover for protecting a reticle
US6806943B2 (en) * 2002-08-09 2004-10-19 International Business Machines Corporation Mask clamping device
JP2004140271A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7384149B2 (en) * 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7236233B2 (en) * 2003-10-27 2007-06-26 Asml Netherlands B.V. Assembly of a reticle holder and a reticle
US7161663B2 (en) * 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7196775B2 (en) * 2004-08-23 2007-03-27 Asml Holding N.V. Patterned mask holding device and method using two holding systems
US7459701B2 (en) * 2005-06-08 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7633600B2 (en) * 2005-11-01 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7884919B2 (en) * 2006-02-09 2011-02-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7733463B2 (en) * 2006-05-05 2010-06-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070268476A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Nikon Corporation Kinematic chucks for reticles and other planar bodies
US7714981B2 (en) * 2006-10-30 2010-05-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8705010B2 (en) * 2007-07-13 2014-04-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
GB2469112A (en) * 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer

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