KR20080043732A

KR20080043732A - 플라즈마 처리 장치

Info

Publication number: KR20080043732A
Application number: KR1020077017337A
Authority: KR
Inventors: 테츠히로 이와이
Original assignee: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Priority date: 2005-09-12
Filing date: 2006-09-07
Publication date: 2008-05-19
Also published as: EP1925016A1; DE602006015333D1; JP4674512B2; JP2007080555A; EP1925016B1; US20090008035A1; CN101116167A; TW200715403A; WO2007032420A1; CN100533652C

Abstract

안정된 플라즈마 처리를 효율적으로 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 반도체 웨이퍼(5)를 대상으로 하여 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 진공 챔버(2)의 주체가 되는 챔버 용기(40)의 바닥부(40c)에 전극 부재(46)가 장착되는 하부 전극(3)을 배치하고, 하부 전극(3)의 상방에 외연부(51a)보다도 내측의 하면 측에 하방으로 돌출한 돌출면을 구비한 상부 전극(4)를 승강 가능하게 설치한다. 상부 전극(4)을 하부 전극(3)에 대하여 하강시켜, 외연부(51a)를 챔버 용기(40)의 측벽부(40a)에 있어서의 중간 높이(HL)에 마련된 환상의 밀봉 면(40d)에 접촉시키고, 하부 전극(3)과 상부 전극(4)과의 사이에 밀폐된 처리 공간(2a)을 형성한다. 이에 의해, 상부 전극(4)의 상방은 상압 공간(2b)이 되고, 이상 방전의 발생을 방지하여 안정된 플라즈마 처리를 효율적으로 행할 수 있다.

Description

플라즈마 처리 장치{Plasma processing apparatus}

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 판상의 워크를 대상으로 하여 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.

전자 기기의 기판 등에 실장되는 반도체 장치는, 웨이퍼 상태로 회로 패턴 형성이 행해진 반도체 소자를 개별로 컷팅함으로써 제조된다. 근래, 반도체 소자의 박화가 진전되어, 웨이퍼 상태의 반도체 소자를 절단하여 개별로 분할하는 다이싱 공정이나, 박화 가공을 위한 기계 연마 후의 응력 제거(stress relief) 공정 등을 플라즈마 처리에 의해 행하는 방법이 넓게 사용되고 있다.

이와 같은 용도에 이용되는 플라즈마 처리 장치로서, 상부 전극을 하부 전극에 대하여 승강(up and down) 가능하게 설치한 구성의 플라즈마 처리 장치가 알려져 있다(예를 들면 특허 문헌 6,511,917 참조). 이와 같은 구성을 채용함으로써, 반도체 웨이퍼를 하부 전극 상에 재치하여 플라즈마 처리를 실행하는 때의 전극간 거리를 최적 간격으로 설정하고, 또한 반도체 웨이퍼의 반송시에는 상부 전극을 상승시켜 반송 동작을 위한 적절한 간격(clearance)을 확보할 수 있다는 이점이 있다.

그러나, 상기 특허 문헌예에 나타내는 플라즈마 처리 장치에는 안정된 플라 즈마 처리를 효율적으로 행하고 나서, 다음과 같은 문제점이 있었다. 즉, 플라즈마 방전을 발생시키는 진공 챔버 내에 있어서 상부 전극을 승강 가능하게 하는 구성에서는 진공 챔버 내의 상부 전극의 상방에 전극의 승강 영역을 확보하기 위한 공간이 필요하게 된다. 그리고 플라즈마 방전 조건에 따라서는 이 상부 전극의 상방의 공간 내에서 이상 방전을 유발하는 경우를 피하기 어렵다. 이 이상 방전은 플라즈마 방전 발생을 위한 소비 전력 손실이나 플라즈마 방전의 불규칙함의 요인이 되고, 안정된 플라즈마 처리를 효율적으로 수행하는데 방해가 되는 요인의 하나가 되었다.

그래서 본 발명은, 안정된 플라즈마 처리를 효율적으로 수행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 플라즈마 처리 장치는 판상의 워크를 대상으로 하여 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치이며, 환상으로 연결된 측벽부가 마련된 통상 용기(container)를 주체(main body)로 하고, 상기 측벽부에 개구된 워크 출입용의 반송구와 상기 측벽부에 있어서 상기 반송구 보다도 높은 위치에 형성된 환상의 밀봉면을 갖는 진공 챔버와, 상기 반송구를 밀폐하는 개폐 가능한 문과, 상기 진공 챔버의 상기 측벽부에 포위된 바닥부에 배치되고 윗면에 상기 워크가 재치되는 하부 전극과, 상기 밀봉면에 접촉 가능한 환상의 외연부를 가지는 것과 함께 상기 외연부보다도 내측의 하면측에 이 외연부의 하면 보다도 하방에 돌출한 돌출면을 가지는 상부 전극과, 상기 외연부를 상기 밀봉면에 접촉시킴으로써, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극과의 사이에 밀폐된 처리공간을 형성하는 승강 기구와, 상기 처리 공간 내에 있어서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 구비한다.

본 발명에 의하면, 외연부보다도 내측의 하면측에 하방으로 돌출한 돌출면을 구비한 상부 전극을 하부 전극에 대하여 하강시키고 상부 전극의 외연부를 진공챔버에 마련된 환상의 밀봉면에 접촉시키고, 하부 전극과 상부 전극과의 사이에 밀폐된 처리 공간을 형성하는 구성을 채용함으로써, 상부 전극의 상방에서의 이상 방전의 발생을 방지할 수 있어, 안정된 플라즈마 처리를 효율적으로 행할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성 설명도

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서의 진공 챔버의 측단면도

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서의 진공 챔버의 측단면도

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서의 진공 챔버의 평면도

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서의 진공 챔버의 부분 단면도

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서의 하부 전극의 측단면도

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서의 흡착 플 레이트의 평면도

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서의 흡착 플레이트의 평면도

도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서의 상부 전극의 동작 설명도

도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서의 진공 챔버의 개폐 동작의 동작 설명도

도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 사용되는 전극 부재의 제조 공정을 도시한 흐름도

도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 사용되는 전극 부재의 제조 방법의 공정 설명도

도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 사용되는 전극 부재의 제조 방법의 공정 설명도

※도면의 주요 부분에 대한 첨부 부호의 설명

1. 플라즈마 처리 장치

2. 진공 챔버

2a. 처리 공간

3. 하부 전극

4. 상부 전극

5. 반도체 웨이퍼

6. 상부 플레이트

7. 승강 구동부

9. 문 부재

11. 진공 챔버

13. 공정 가스 공급부

17. 고주파 전원

40. 챔버 용기

40a. 측벽부

40d. 밀봉면

40f. 반송구

44. 냉각 플레이트

45. 흡착 부재

45a. 관통홀

46. 전극 부재

50. 지지 부재

51. 중간 플레이트

51a. 외연부

59. 힌지 축

65. 용사막

이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. 우선, 도 1을 참조하여 플라즈마 처리 장치(1)의 전체 구성을 설명한다. 플라즈마 처리 장치(1)는 반도체 웨이퍼(5) 등의 판상의 워크를 대상으로 하여 플라즈마 처리를 행하는 기능을 갖고 있다. 플라즈마 처리 장치(1)는 감압 하에서 플라즈마를 발생시키기 위한 진공 챔버(2)를 구비하고 있다. 진공 챔버(2)의 내부에는 워크인 반도체 웨이퍼(5)가 재치되는 하부 전극(3)이 배치되고, 하부 전극(3)의 상방에는 상부 전극(4)이 승강 가능하게 설치되어 있다. 상부 전극(4)은 진공 챔버(2)의 상부에 접촉하는 상부 플레이트(6)에 마련된 승강 구동부(7)에 의해 승강하고, 상부 전극(4)이 하강한 상태에서는, 하부 전극(3)과 상부 전극(4)과의 사이에는 밀폐되는 처리 공간(2a)이 형성된다. 그리고 이 상태에서 상부 전극(4)의 상방은 처리 공간(2a)으로부터 격리되어, 플라즈마 방전이 발생하지 않는 상압(normal pressure) 공간(2b)이 된다.

진공 챔버(2)의 측면에는, 문 부재(9)에 의해 닫혀진 워크 출입용의 반송구(40f)가 마련되어 있고, 문 부재(9)를 개방함으로써, 처리 공간(2a) 내에의 반도체 웨이퍼(5)의 반입·반출을 행할 수 있다. 그리고 처리 공간(2a)의 내에 있어서 이하에 설명하는 플라즈마 발생 수단에 의해 플라즈마를 발생함으로써, 하부 전극(3)상에 재치되는 반도체 웨이퍼(5)를 대상으로 한 플라즈마 처리가 행해진다. 여기에서는 레지스트막에 의한 마스킹이 행해진 반도체 웨이퍼(5)를 플라즈마 에칭함으로써, 반도체 웨이퍼(5)를 개별로 분할하는 플라즈마 다이싱이나, 플라즈마 다이싱 이후에 레지스트 막을 플라즈마 처리에 의해 제거하는 플라즈마 애싱이 수행 된다.

진공 챔버(2)의 내부 공간에는 전환 밸브(12)가 접속되어 있고, 전환 밸브(12)의 흡인 포트(12a)에는 진공 펌프(11)이 접속되어 있다. 전환 밸브(12)를 흡인 포트(12a) 측으로 전환한 상태로 진공 펌프(11)를 구동함으로써 진공 챔버(2)의 내부 공간이 진공 배기된다. 또한 전환 밸브(12)를 흡기 포트(12b) 측으로 전환함으로써, 진공 챔버(2)의 내부에는 대기가 도입되고, 처리 공간(2a) 내의 진공 파괴가 행해진다.

공정 가스 공급부(13)는 유량 제어 밸브(14), 개폐 밸브(15)를 통해 조인트 부재(16)에 접속되어 있고. 공정 가스 공급부(13)를 구동함으로써, 상부 전극(4)의 하면으로부터 처리 공간(2a) 내에 플라즈마 발생을 위한 플라즈마 가스가 공급된다. 플라즈마 다이싱을 행하는 경우에는, SF₆(sulfur hexafluoride) 등의 불소계 가스가, 또한 플라즈마 애싱을 행하는 경우에는 산소 가스가 공정 가스로서 사용된다. 반도체 웨이퍼(5)를 대상으로 불소계 가스를 이용하여 행해지는 플라즈마 처리에 있어서, 처리 효율을 향상시키기 위해서는 처리 공간(2a)에서 상부 전극(4)과 하부 전극(3)과의 간격을 좁은 간격으로 설정하는 것이 바람직하다.

하부 전극(3)에는 매칭 회로(18)를 통하여 고주파 전원(17)이 전기적으로 접속되어 있고, 고주파 전원(17)을 구동함으로써, 하부 전극(3)과 상부 전극(4)과의 사이에는 고주파 전압이 인가된다. 처리 공간(2a) 내를 진공 배기한 후에 공정 가스를 공급한 상태로, 고주파 전압을 인가함으로써 처리 공간(2a)에 있어서, 플라즈 마 방전이 발생하여 처리 공간(2a)에 공급되는 공정 가스가 플라즈마 상태로 된다. 이에 의해, 하부 전극(3) 상에 재치된 반도체 웨이퍼(5)를 대상으로 한 플라즈마 처리가 행해진다. 매칭 회로(18)는 이 플라즈마 발생시에 있어서 처리 공간(2a) 내의 플라즈마 방전 회로와 고주파 전원(17)의 임피던스를 정합시킨다. 상기 구성에 있어서, 진공 펌프(11), 공정 가스 공급부(13), 고주파 전원(17), 매칭 회로(18)는 처리 공간(2a) 내에 있어서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단으로 되어있다.

하부 전극(3)에는 상면에 마련된 흡인 배출용의 관통공으로부터 진공 흡인·공기 배출을 행하기 위한 독립한 2 계통의 흡인·배출 라인이 접속되어 있다. 즉, 하부 전극(3)의 외주부와 연통한 조인트 부재(27)에는 전환 밸브(24)를 포함하는 제 1 흡인·배출 라인(VB1)이 접속되어 있고, 하부 전극(3)의 중앙부와 연통한 조인트 부재(28)는 전환 밸브(25)를 포함하는 제 2 흡인·배출 라인(VB2)이 접속되어 있다.

제 1의 흡인·배출 라인(VB1), 제 2의 흡인·배출 라인(VB2)은 각각 전환 밸브(24, 25)의 흡인 포트(24a, 25a)에 흡인 포트(26)를 접속하고, 전환 밸브(24,25)의 흡기 포트(24b, 25b)에 개폐 밸브(22, 23) 및 레귤레이터(20, 21)를 통하여 공압원(19)을 접속한 구성으로 되어 있다. 전환 밸브(24, 25)를 각각 흡인 포트 측, 흡기 포트 측으로 전환함으로써 하부 전극(3)의 상면의 관통공으로부터 진공 흡인, 공기 배출을 선택적으로 행하게 할 수 있다. 이때, 레귤레이터(20, 21)를 조정함으로써 공압원(19)으로부터 공기를 임의 압력으로 설정할 수 있다.

하부 전극(3) 및 상부 전극(4)에는 각각 내부에 냉각수를 순환시키기 위한 냉각 홀이 마련되어 있고, 하부 전극(3)의 냉각 홀에는 조인트 부재(30, 31)를 통하여, 또한 상부 전극(4)의 냉각 홀에는 조인트 부재(32, 33)를 통하여 냉각 유닛(29)이 접속되어 있다. 냉각 유닛(29)을 구동함으로써 하부 전극(3), 상부 전극(4) 내의 냉각 홀 내에는 냉매가 순환하고, 이에 의해 플라즈마 처리시의 발열에 의한 하부 전극(3), 상부 전극(4)의 과열이 방지된다.

상기 구성에 있어서, 승강 구동부(7), 진공 펌프(11), 전환 밸브(12), 유량 제어 밸브(14), 개폐 밸브(15), 고주파 전원(17), 매칭 회로(18), 개폐 밸브(22, 23), 전환 밸브(24, 25) 및 흡인 펌프(26)는 제어부(10)에 의해 제어된다. 제어부(10)가 승강 구동부(7)을 제어함으로써, 상부 전극(4)이 승강하고, 제어부(10)가 진공 펌프(11) 및 전환 밸브(12)를 제어함으로써, 처리 공간(2a) 내의 진공 배기 및 진공 파괴가 행해진다.

그리고 제어부(10)가 유량 제어 밸브(14), 개폐 밸브(15)를 제어함으로써, 처리 공간(2a)의 공정 가스 공급 온·오프 및 가스 유량 제어가 행해진다. 또한 제어부(10)가 전환 밸브(24, 25) 및 흡인 펌프(26)를 제어함으로써, 하부 전극(3)의 상면으로부터 진공 흡인의 타이밍이 제어되고, 더욱이 전환 밸브(24, 25), 개폐 밸브(22, 23)를 제어함으로써, 하부 전극(3)의 상면으로부터 공기 배출 타이밍이 제어된다.

그 다음, 도 2, 도 3, 도 4 및 도 5를 참조하여, 진공 챔버(2)의 상세 구조를 설명한다. 또한 도 3은 도 2에 있어서의, A-A단면을 도시한 도면이다. 도 2 내 지 도 4에서 진공 챔버(2)의 주체를 이루는 챔버 용기(40)는 평면으로 보아 거의 정방형의 구형 블록(도 4참조)의 내부를 원형으로 절삭 제거함으로써 형성된 통상 용기이고, 외주부에는 환상으로 연결된 측벽부(40a)가 마련되어 있다.

도 2에 도시되는 바와 같이, 측벽부(40a)의 상부는 측벽 두께가 다른 측벽 상부(40b)로 되어 있고, 측벽 상부(40b)는 측벽부(40a)의 상단면(E) 보다도 하방으로 설정된 중간 높이(HL)로부터 상방으로 연장하고 있다. 측벽부(40a)의 하부와 측벽 상부(40b)와의 측벽 두께의 상위에 의한 환상의 단차부는 상부 전극(4)이 하강한 상태에서 상부 전극(4)이 지름 방향에 연장한 외연부(51a)가 접촉하는 환상의 밀봉면(40d)으로 되어 있다. 그리고 여기에서는 밀봉면(40d)은 측벽부(40a)의 상단면(E)보다도 하방에 위치하는 중간 높이(HL)에 형성된 형태로 되어 있다.

도 5에 도시되는 바와 같이, 외연부(51a)의 하면에 마련된 실(seal) 장착홈(51b)에는, 실 부재(61)가 장착되고 더욱이 외연부(51a)의 하면에는 도통 핀(62)이 마련되어 있다. 상부 전극(4)이 하강하는 면과 실 부재(61)가 밀봉면(40d)에 압착되고, 이에 의해 처리 공간(2a)은 외부에 대하여 밀봉된다. 그리고 이와 함께 도통 핀(62)이 밀봉면(40d)에 압착됨으로써, 중간 플레이트(51)는, 즉 상부 전극(4)은 접지부(63)에 접지된 챔버 용기(40)와 전기적으로 도통한다.

측벽부(40a)에 포위되는 바닥부(40c)에는 상면에 반도체 웨이퍼(5)가 재치되는 하부 전극(3)이 배치되어 있다. 측벽부(40a)에는 하단을 하부 전극(3)의 상면의 높이 레벨에 맞추어, 워크 출입용의 반송구(40f)가, 개구 높이 치수(H1), 개구 폭 치수(B, 도 4 참조)의 크기로 개구되어 있다. 여기에서 반송구(40f)는 상단이 측벽 부(40a)에 있어서 밀봉면(40d) 보다도 소정의 높이 치수(D1)만큼 하방에 위치하고 있다. 즉, 밀봉면(40d)은 측벽부(40a)에 있어서, 반송구(40f)보다도 높은 위치에 형성되어 있다. 측벽부(40a)의 외면에는 반송구(40f)를 밀폐하는 문 부재(9)가 마련되어 있고, 문 부재 걔폐 기구(도시 생략)에 의해 문 부재(9)를 이동함으로써 문 부재(9)는 개폐 가능하게 된다.

하부 전극(3)의 구성을 설명한다. 바닥부(40c)의 상면에는 유전체(41)를 통하여 하방으로 축부(42a)가 연장한 형상의 전극 장착부(42)가 유지되어 있고, 축부(42a)는 유전체(43)을 통해, 바닥부(40c)를 하방으로 관통하고 있다. 전극 장착부(42)의 상면에는 냉각 플레이트(44)와 흡착 부재(45)를 일체로 한 구조의 전극 부재(46)가, 전극 장착부(42)에 대하여 착탈 가능하게 장착되어 있다. 전극 부재(46)의 주위는 유전체(43)에 의해 둘러싸여 있고, 더욱 유전체(41, 43)의 외주면과 측벽부(40a)의 내주면과의 사이에는 알루미늄 등의 금속으로 제작된 차폐 부재(47)가 장착되어 있다.

차폐 부재(47)는 유전체(41, 43)의 외주면이 끼워 맞추는 형상의 거의 원통 형상 부재이다. 차폐 부재(47)에는 흡착 부재(45)의 상면 높이에 맞추어, 외경 방향으로 연장하여 측벽부(40a)와 유전체(43)와의 평면 틈을 막는 형상의 플렌지부(47a)가 마련되어 있다. 차폐 부재(47)는 측벽부(40a)와 유전체(41, 43)와의 사이의 틈을 차폐하고, 이상 방전을 방지하는 기능을 가진다. 플랜지부(47a)에는 통기홀(47b)이 상하로 관통하여 마련되어 있고, 이에 의해 도 3에 도시한 바와 같이, 하부 전극(3)의 상면측의 처리 공간(2a)과 측벽부(40a)의 하부에 전환 밸브(12)와 접속하여 마련된 급배기구(40e)와의 사이에서 공기의 유통이 가능해진다.

하부 전극(3)의 내부 구조의 상세를 도 6, 도 7, 도 8을 참조하여 설명한다. 우선, 하부 전극(3)에 있어서, 처리 대상의 반도체 웨이퍼(5)의 하면에 접촉하여 흡착 유지하는 기능을 가지는 전극 부재(46)에 대해서 설명한다. 도 6에 도시한 바와 같이, 전극 부재(46)는 냉각 플레이트(44)의 상면에 흡착 부재(45)를 납땜에 의해 접촉하여 형성되어 있다. 흡착 부재(45)는 알루미늄 등의 도전체를 대략 원판형상에 가공하여 제작된 판상 부재이고, 상면에는 복수의 관통홀(45a)이 형성되어 있다. 이러한 관통공(45a)은 흡착 부재(45)의 하면측에 형성된 중앙 공간(45b), 외주 공간(45c)과 연통하여 형성되어 있다. 흡착 부재(45)의 상면에는, 후술하는 바와 같이, 유전체인 알루미나를 용사한 유전막이 형성되어 있고, 이 유전막은 관통홀(45a)이 흡착 부재(45)의 상면에 개구한 홀부(45d)(도 13 참조)의 에지를 덮는 형상으로 되어 있다.

중앙 공간(45b), 외주 공간(45c)은 각각 플라즈마 처리의 대상이 되는 2종류의 반도체 웨이퍼(5), 즉 소형의 반도체 웨이퍼(5A)와 대형의 반도체 웨이퍼(5B)에 대응하여 마련되어 있다. 반도체 웨이퍼(5A)를 전극 부재(46)상에 재치한 상태에 서, 반도체 웨이퍼(5A)에 의해 덮히는 중앙 영역(A1)이고, 중앙 공간(45b)은 중앙 영역(A1)에 대응한 지름 치수로 원형으로 형성되어 있다. 또한 반도체 웨이퍼(5B)를 재치한 상태에서는 중앙 영역(A1)과 함께, 더욱이 그의 외주 부분에 위치하는 외주 영역(A2)이 반도체 웨이퍼(5B)에 의해 덮혀진다. 그리고 외주 공간(45c)은 외주 영역(A2)에 대응한 지름 치수로, 둥근 환상으로 형성되어 있다.

흡착 부재(45b)와 냉각 플레이트(44)를 접착하여 일체화한 상태에서는, 중앙 공간(45b)은 냉각 플레이트(44)의 중앙부에 마련된 중앙 관통홀(44b)과 연통하고, 외주 공간(45c)은 냉각 플레이트(44)의 외연부(51a)에 마련된 측방 관통홀(44c)과 연통한다. 또한 냉각 플레이트(44)의 하면에는 냉각수가 순환하기 위한 둥근 환상의 냉각 홀(44a)이 형성되어 있다.

전극 부재(46)를 전극 장착부(42)에 장착한 상태에서는 도 2에 도시한 바와 같이 중앙 공간(45b)은 중앙 관통홀(44b) 및 축부(42a) 내를 상하로 관통하여 삽입된 통기관(49A)를 통하여 조인트 부재(28)와 연통한다. 그리고 외주 공간(45c)은 측방 관통홀(44c)을 통하고, 더욱이 유전체(41) 및 바닥부(40c)를 관통하는 유전체(48)에 끼워 통하는 통기관(49B)을 통하여 조인트 부재(27)와 연통한다. 또한 냉각 홀(44a)은 축부(42a)의 내부에 마련되는 냉매 유로(42b, 42c)를 통해, 조인트 부재(30, 31)와 연통한다.

조인트 부재(27), 조인트 부재(28)에는 도 1에 도시한 2계통의 흡인·배출 라인(VB1, VB2)이 각각 접속되어 있고, 도 6에 도시한 중앙 영역(A1), 외주 영역(A2) 내의 각 관통홀(45a)로부터 임의의 타이밍에 진공 흡인하고, 또한 정압 공기를 배출하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 지름 사이즈가 다른 종류의 반도체 웨이퍼(5A, 5B)를 공통의 전극 부재(46)에 의해 흡착 유지하고, 또한 유지 해제를 행하는 것이 가능해진다.

즉, 반도체 웨이퍼(5A)를 대상으로 하는 경우에는 중앙 공간(45b)만을 흡인함으로써 반도체 웨이퍼(5A)를 흡착 부재(45)에 흡착 유지한다. 그리고 반도체 웨 이퍼(5A)의 흡착을 해제하는 경우에는, 중앙 공간(45b) 내에 정압 공기를 송급하여 관통홀(45A)로 부터 공기를 배출함으로써, 반도체 웨이퍼(5A)를 흡착 부재(45) 상면으로부터 박리한다.

또한 반도체 웨이퍼(5B)를 대상으로 하는 경우에는 중앙 공간(45b), 외주 공간(45c)의 쌍방을 흡인함으로써 반도체 웨이퍼(5B)를 흡착 부재(45)에 흡착 유지한다. 그리고 반도체 웨이퍼(5B)의 흡착을 해제하는 경우에는, 우선 중앙 공간(45b) 내에 정압 공기를 송급하고, 이어서 시간차를 두고 외주 공간(45c) 내에 정압 공기를 송급한다. 이에 의해 웨이퍼의 중앙 부분으로부터 먼저 박리시킬 수 있고, 큰 사이즈의 반도체 웨이퍼(5B)를 대상으로 하는 경우에 있어서도, 적은 공기 배출량으로 단시간에 원활하게 웨이퍼 박리를 행할 수가 있다.

다음에 도 7, 도 8을 참조하고, 전극 부재(46)에 이용되는 흡착 부재(45)의 상세 형상을 설명한다. 도 7, 도 8은 흡착 부재(45)의 상면, 하면을 각각 도시하고 있다. 도 7, 도 8에 있어서, 원판 형상의 흡착 부재(45)의 하면에는, 흡착 부재(45)를 각각 소정 깊이만큼 절삭함으로써 원형의 중앙 공간(45b) 및 중앙 공간(45b)의 외주에 위치하는 둥근 환상의 외주 공간(45c)이 형성되어 있다. 외주 공간(45c)의 외연은 제1의 환상 접합면(45e)에 의해 외주면과 떨어지게 되고, 중앙 공간(45b)과 외주 공간(45c)과는 제2의 환상 접합면(45f)에 의해 떨어지게 된다.

중앙 공간(45b), 외주 공간(45c)의 내부에는 관통홀(45a)이 격자 배열로 형성되어 있고, 더욱이 이러한 관통홀(45a) 중 인접하는 4 개의 관통홀(45a)에 둘러싸인 위치에는 정방 형상의 섬모양 접합면(45g)이 마찬가지로 격자 배열로 형성되 어 있다. 섬모양 접합면(45g)의 바닥면은 제1의 환상 접합면(45e), 제2의 환상 접합면(45f)과 동일 평면 내에 있다. 흡착 부재(45)를 냉각 플레이트(44)에 납땜에 의해 접합하는 때에는, 이들 제1의 환상 접합면(45e), 제2의 환상 접합면(45f), 섬모양 접합면(45g)이 냉각 플레이트(44)의 상면에서 이들 접합면과 대응하는 접합면에 납땜된다.

이와 같이 흡착 부재(45), 냉각 플레이트(44)를 납땜에 의해 접착하여 일체의 전극 부재(46)를 형성하는 구성에 있어서, 제1의 환상 접합면(45e), 제2의 환상 접합면(45f)에 추가하여, 중앙 공간(45b), 외주 공간(45c)의 범위에 성모양 접합면(45g)을 최대한 균일하게 게다가 밀접히 배치함으로써 강고한 접착 강도를 확보하는 것과 함께 플라즈마 처리시의 열을 흡착 부재(45)로부터 냉각 플레이트(44)에 효율적으로 전달할 수 있게 된다. 또한 흡착 부재(45)의 하면에 접착면을 형성하는 경우에 있어서, 제1의 환상 접합면(45e)과, 제2의 환상 접합면(45f)을 연결하는 접합면을, 외주 공간(45c)을 지름 방향으로 횡단하는 형태로 추가해도 좋다.

다음에 상부 전극(4) 및 상부 전극(4)을 승강시킨 승강 기구에 대해서 설명한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 상부 전극(4)은 알루미늄 등의 도전체를 상방에 축부(50a)가 연장한 형상으로 가공한 지지 부재(50)를 갖고 있다. 지지 부재(50)의 하면에는 동일하게 도전체로 이루어지는 대략 원판 형상의 중간 플레이트(51)가 고정되어 있고, 더욱이 중간 플레이트(51)의 하면에는 유지링(53)에 의해 외주를 지지한 샤워 플레이트(52)가 장착되어 있다.

중간 플레이트(51)에는 밀봉면(40d)에 접촉하는 외연부(51a)가 외경방향으로 연장하여 형성되어 있다. 외연부(51a)의 내측에 위치하는 샤워 플레이트(52), 유지링(53)은 외연부(51a)의 하면보다도 돌출 치수(D2)만큼 하방으로 돌출한 형상이 되고 있고, 샤워 플레이트(52), 유지링(53)의 하면은 외연부(51a)의 하면 보다도 하방으로 돌출한 돌출면으로 되어 있다.

축부(50a)는 상부 플레이트(6)에 설치된 베어링부(54)에 의해 상하 동작이 가능하게 유지되고, 더욱이 상부 플레이트(6)에 배치된 승강 구동부(7)에 결합 부재(55)를 통하여 결합되어 있다. 상부 플레이트(6) 및 베어링부(54)는 상부 전극(4)을 승강 가능하게 유지하는 지지 기구로 되어 있다. 승강 구동부(7)를 구동함으로써 상부 전극(4)은 승강하고, 하강 위치에 있어서 중간 플레이트(51)에 마련된 외연부(51a)가 챔버 용기(40)에 마련된 밀봉면(40d)에 접촉한다. 이에 의해 하부 전극(3)의 전극 부재(46)과 상부 전극(4)의 샤워 플레이트(52)의 사이에는 높이 치수(H2)의 처리 공간(2a)이 형성된다.

이때, 진공 챔버(2) 내에서 상부 전극(4)의 상방은 항상 외기압과 같은 상압 공간(2b)이 된다. 따라서 처리 공간(2a) 내에서 플라즈마를 발생시키기 위해 상부 전극(4)과 하부 전극(3)의 사이에 고주파 전압을 인가한 경우에 있어서도, 상부 전극(4)의 상방에서 이상 방전이 발생하지 않는다. 이에 의해, 상부 전극(4)을 승강 가능하게 구성하기 때문에 필요한 승강 영역을 확보하면서, 이상 방전에 기인하는 소비 전력 손실이나 플라즈마 방전의 불규칙함을 방지할 수 있고, 안정된 플라즈마 처리를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.

상부 전극(4)에 있어서, 외연부(51a)의 하면으로부터 유지링(53)의 하면까지 의 높이 치수, 즉 돌출면이 외연부(51a)의 하면으로부터 하방에 돌출하는 돌출 치수(D2)는, 반송구(40f)의 상단부로부터 반송구(40f)의 바로 위에 위치하는 밀봉면(40d)까지의 높이 치수(D1)보다도 커지도록 설정되어 있다. 따라서, 상부 전극(4)이 하강한 상태에서는, 유지링(53)의 하면은 반송구(40f)의 상단부보다도 하방에 위치한다. 이에 의해 처리 공간(2a)에 있어서의 샤워 플레이트(52)와 흡착 부재(45)와의 사이의 높이 치수(H2), 즉 전극 간격 사이를, 반도체 웨이퍼(5)를 대상으로 한 불소계 가스에 의한 플라즈마 처리를 효율적으로 행하는데에 적합한 좁은 간격으로 설정하는 것이 가능해진다.

그리고 도 9에 도시한 바와 같이, 승강 구동부(7)를 이동(異動)하고 상부 전극(4)을 상승시킨 상태에서는, 유지링(53)은 반송구(40f) 보다도 상방에 위치한다. 그리고 이 상태에서 문 부재(9)를 개방함으로써, 반송구(40f)는 열린 상태가 되지만, 이때 반송구(40f)의 개구 높이 치수(H1)의 범위에는 상부 전극(4)이 존재하지 않는다. 따라서, 기판 반송 기구(64)에 의해 반도체 웨이퍼(5)를 처리 공간(2a)내에 반입·반출하는 워크 반송 동작에 있어서, 기판 반송 기구(64)와 상부 전극(4)과의 간섭이 발생하지 않는다.

즉, 본 실시예에 나타내는 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 상부 전극(4)에 있어서의 돌출 치수(D2)가, 챔버 용기(40)에 있어서의 높이 치수(D1)보다도 커지도록 치수 설정을 행함으로써 반도체 웨이퍼(5)를 대상으로 한 플라즈마 처리를 높은 효율로 행하는 것에 바람직한 전극 간의 좁은 간격을 실현하면서, 반송 동작을 지장없이 행하는데 필요한 개구 높이 치수(H1)를 확보하는 것이 가능해진다.

상기 구성에 있어서, 상부 전극(4)은 밀봉면(40d)에 접촉 가능한 환상의 외연부(51a)를 가지는 것과 함께 외연부(51a)보다도 내측의 하면 측에 외연부(51a)의 하면 보다도 하방에 돌출한 돌출면을 구비한 형태로 되어있다. 그리고 승강 구동부(7)는 외연부(51a)를 밀봉면(40d)에 접촉시킴으로써 하부 전극(3)과 상부 전극(4)의 사이에 밀폐된 처리 공간(2a)을 형성하는 승강 기구로 되어 있다. 그리고 이 승강 기구는 상부 전극(4)을 승강 가능하게 유지하는 지지 기구에 장착된 구성으로 되어 있고, 이와 같은 구성을 채용함으로써 진공 챔버(2)의 구조의 간이화·컴팩트화가 실현되어 있다.

도 2에 있어서, 샤워 플레이트(52)의 상면 측에 대응하는 중간 플레이트(51)의 하면에는 가스 공간(51c)이 형성되어 있다. 가스 공간(51c)은 축부(50a)의 내부를 관통하는 통기관(49c)을 통하여, 조인트 부재(16)에 연통하고 있다. 조인트 부재(16)는 도 1에 도시한 개폐 밸브(15)와 접속되어 있고, 공정 가스 공급부(13)로부터 보내지는 공정 가스는 가스 공간(51c)까지 도달한 후, 샤워 플레이트(52)의 미세홀로부터 처리 공간(2a) 내에 분출된다.

지지 부재(50)의 하면 측에는 냉매 순환용의 냉각 재킷(50d)이 형성되어 있고, 냉각 재킷(50d)은 축부(50a)의 내부에 마련된 냉매 유로(50b, 50c)를 통하여, 조인트 부재(32), 조인트 부재(33)와 연통하고 있다. 조인트 부재(32), 조인트 부재(33)는 도 1에 도시한 냉각 유닛(29)에 접속되어 있고, 냉각 유닛(29)을 구동하여 냉각 재킷(50d)에 냉매를 순환시킴으로써, 플라즈마 처리에 의해 승온한 중간 플레이트(51)를 냉각하여 과열을 방지한다.

다음에 상부 플레이트(6)를 상부 전극(4)과 함께 개폐하는 개폐기구에 대하여 설명한다. 도 2, 도 3에 있어서, 측벽 상부(40b)의 상단면(E)에 접촉한 상태의 상부 플레이트(6)의 상면에는 2개의 개폐 부재(57)가 결합 블록(57a)에 의해 고착되어 있고, 2개의 개폐 부재(57)의 일방 측(도 3에 있어서 우측)의 단부에는, 이것들을 연결하는 형태로 파지 로드(56)가 결합되어 있다. 챔버 용기(40)의 좌측면에는 힌지 블록(58)이 고착되어 있고, 힌지 블록(58)에는 수평의 힌지 축(59)이 축지되어 있다.

개폐 부재(57)의 타방 측은 상부 플레이트(6)의 외측까지 연장하고, 힌지 축(59)에 의해 축지되어 있다. 더욱이 개폐 부재(57)의 단부에는 댐퍼(60)가 핀(60a)을 이용하여 결합되어 있다. 개폐 부재(57), 힌지 블록(58), 힌지 축(59), 상부 플레이트(6)를 회동시켜 개폐하는 힌지 기구를 구성하고 있다. 상부 플레이트(6)를 개방하는 때에는 파지 로드(56)를 파지하여, 상방으로 들어올리고, 도 10에 도시한 바와 같이 상부 플레이트(6)를 상부 전극(4)과 함께 힌지 축(59) 주위에 회동시킨다.

이에 의해 챔버 용기(40)는 상면의 개구 부분이 전면적으로 개방된 상태로 되고, 하부 전극(3)에 있어서의, 전극 부재(46)의 교환이나 내부의 클리닝 등의 보수(maintenance)작업을 작업성 좋게 행할 수 있다. 즉, 본 실시예에서는 상부 전극(4)을 유지하는 지지 기구는 상술의 힌지 기구에 의해 수평축 주위에 회동 가능하게 장착된 구성으로 되어 있다. 댐퍼(60)는 개방된 상부 플레이트(6)를 닫는 때에 상부 전극(4)이나 상부 플레이트(6)의 자중을 지지하기 위해 필요로 되는 유지 력을 경감하고, 개폐 작업 동작을 용이하게 하는 기능을 갖고 있다.

다음에 하부 전극(3)에 사용되는 전극 부재(46)의 제조 방법에 대해서, 도 11, 도 12, 도 13을 참조하여 설명한다. 여기에서는 전극 부재(46)를 구성하는 흡착 부재(45), 냉각 플레이트(44)를 일체화하여, 하부 전극(3)에 장착되는 전극 부재(46)를 제조하는 과정을 도시하고 있다. 우선 개별 부품으로서의 냉각 플레이트(44), 흡착 부재(45)를 각각 기계 가공에 의해 제작한다(ST1A, ST1B), 즉 도 12a에 도시한 바와 같이, 원판상 부재에 관통홀(45a), 중앙 공간(45b), 외주 공간(45c), 제1의 환상 접합면(45e), 제2의 환상 접합면(45f)을 형성하여 흡착 부재(45)를 제작하고, 마찬가지로 냉각 재킷(44a), 중앙 관통홀(44b), 측방 관통홀(44c), 납땜면(44d)을 기계 가공에 의해 형성하여 냉각 재킷(44)을 제작한다. 여기에서 흡착 부재(45)의 하면의 평면 형상과 냉각 플레이트(44)의 납땜면(44d)의 평면 형상이 동일하게 되도록, 기계 가공이 행해진다.

이어서 납땜이 행해진다(ST2). 즉 도 12a, 도 12b에 도시한 바와 같이, 납땜면(44d)에 제1의 환상 접합면(45e), 제2의 환상 접합면(45f)을 납땜에 의해 접합함으로써 냉각 플레이트(44), 흡착 부재(45)를 일체화한다. 뒤이어 알루미나 용사가 행해진다(ST3). 즉, 냉각 플레이트(44)와 일체화된 흡착 부재(45)의 상면을 대상으로 하여, 유전체인 알루미나를 용사하고 유전막을 형성한다. 즉 도 13a에 도시한 상태의 흡착 부재(45)의 상면에, 도 13b에 도시한 바와 같이, 알루미나의 용사막(65)을 형성한다.

이때, 관통홀(45a)이 판상 부재인 흡착 부재(45)의 상면에 개구한 홀부(45d) 에 있어서는 용사막(65)이 관통홀(45a) 내로 부분적으로 수하(垂下)하여 부착함으로써 용융한 알루미나는 홀부(45d)의 에지에 부착하여 덮는 형상의 홀부 부착 유전막(65a)이 된다. 또한 알루미나의 용사 범위는 흡착 부재(45)의 상면뿐만 아니라, 흡착 부재(45)의 하면과 동일 평면 형상의 납땜면(44d)이 접합된 상태에서, 도 13c에 도시한 바와 같이 흡착 부재(45)의 측 단면의 전 범위와 냉각 플레이트(44)의 측 단면의 일부(납땜면(44d)으로부터 소정 폭만큼 하방의 범위)를 포함한 범위로, 용사막(65)이 형성된다.

이 후. 알루미나 용사면을 대상으로 표면 연마가 행해진다(ST4). 즉 도 13c에 도시한 바와 같이, 흡착 부재(45) 상면에 용사된 용사막(65)을 기계 연마하고, 평활한 피복면(65b)을 형성한다. 이 기계 연마에 의하여 관통홀(45a)의 홀부(45d)를 덮는 홀부 부착 유전막(65a)의 상면이 부분적으로 제거되고, 당초 홀 지름(d1)으로 가공된 관통홀(45a)의 개구부의 유효 홀 지름(d1)보다도 작은 d2가 된다. 따라서, 진공 흡인이나 공기 배출을 적절히 행한 뒤 필요로 되는 홀 지름(d2)보다도 큰 홀지름(d1)으로, 관통홀(45a)을 펀칭 가공할 수 있다. 이에 의해 가공 난이도가 높은 미세홀의 펀칭 가공을 필요로 하지 않고, 미세 지름의 관통홀을 마련하는 것이 가능해진다.

즉, 상술의 전극 부재(46)를 제조하는 전극 부재(46)의 제조 방법은, 흡착 부재(45)에 복수의 관통홀(45a)을 형성하는 관통홀(45a) 형성 공정과 관통홀(45a)이 형성된 흡착 부재(45)의 상면에 알루미나를 용사함으로써 관통홀(45a)이 흡착 부재(45)의 상면에 개구한 홀부(45d)의 에지를 덮는 형상의 용사막(65)을 형성하는 용사 공정과, 용사막(65)이 형성된 흡착 부재(45)의 표면을 기계 연마하는 표면 연마 공정을 포함하는 형태로 되어 있다.

이처럼, 하부 전극(3)에 있어서 상면에 드러나서 플라즈마에 노출되는 부분을 상술한 형태의 유전막으로 덮음으로써, 다음과 같은 우수한 효과를 얻는다. 종래 장치에 있어서는, 전극 부재(46)의 표면은 대부분이 금속 면이 노출된 구성으로 되어 있었기 때문에 플라즈마 애싱에 의해 진공 챔버 내에 부착한 퇴적물을 제거하기 위한 클리닝 실행의 때마다 전극 부재(46)의 금속 부분은 플라즈마에 노출되어 있었다. 이 때문에 전극 부재(46)의 표면은 플라즈마의 스퍼터링 효과에 의해 제거되어, 전극 부재(46)의 부품 수명이 짧아지고 부품 소모 비용이 상승하는 것과 함께 스퍼터링에 의한 비산물이 장치 내면에 부착하여 오염되는 결과가 되었다.

이에 대해, 본 실시예에 있어서는, 전극 부재(46)의 상면을 유전막에 의해 덮는 구성으로 하고, 금속 표면이 직접 플라즈마에 노출되지 않는다. 따라서, 금속이 스퍼터링에 의해 제거되는 것에 의한 비산물의 발생이 억제되고, 비산물 부착에 의한 장치 내부의 오염을 방지하는 것과 함께, 하부 전극을 전극 부재(46)의 부품 수명을 연장시키는 것이 가능해진다.

또한 본 실시예에 있어서는, 홀부(45d)의 에지를 덮는 형상의 홀부 부착 유전막(65a)을 형성함으로써, 관통홀(45a)의 개구부의 에지 부분의 내에칭성을 향상시키고, 국부적인 부품 수명을 연장시킴과 함께 에지부에 발생하기 쉬운 이상 방전을 방지할 수 있다. 또한 전극 부재(46)의 외주면에 있어서, 흡착 부재(45)의 측단면과 냉각 플레이트(44)의 측 단면의 일부를 용사막(65)으로 덮음으로써, 하부 전 극(3)의 외주 부근에서의 이상 방전의 발생을 방지할 수 있다.

또한, 전극 부재(46)를 하부 전극(3)에 장착하고 반도체 웨이퍼(5)를 대상으로한 플라즈마 처리를 반복 실행하는 과정에 있어서, 흡착 부재(45)의 표면은 플라즈마 에칭의 작용에 의해 손상을 받고, 피복면(65b)이 거칠어진 상태가 된다. 그리고 이 표면 손상이 진행하는 것과 전극 부재(46)는 사용할 수 없는 상태가 되고, 새로운 전극 부재(46)와 교환된다. 종래는 표면 손상이 생긴 전극 부재(46)는 내용 수명을 지나는 소모 부품으로서 폐각 처분되었지만, 본 실시예에 나타내는 전극 부재(46)는 이하의 재사용(리사이클) 방법에 의해 재생 처리를 행함으로써 재사용이 가능해진다.

이 재사용 방법에 있어서는, 우선 사용이 끝난 전극 부재(46)에 있어서 흡착 부재(45) 상면의 용사막(65)을 블라스트 등의 방법에 의해 제거한다(막 제거 공정). 뒤이어 용사막(65)이 제거된 후의 흡착 부재(45)의 상면에, 도 13(b)와 마찬가지로, 다시 용사막(65)을 용사에 의해 형성한다(재용사 공정). 그리고 용사 후의 흡착 부재(45)의 표면을 다시 기계 연마함으로써, 도 12(c)에 도시한 바와 같이 흡착 부재(45) 상면의 용사막(65)에는 평활한 피복면(65b)이 형성되고, 다시 사용 가능한 상태가 된다. 이에 의해 복잡한 기계 가공이나 접합 공정을 거치고 제작되는 고비용의 전극 부재(46)를 반복하여 사용하는 것이 가능해지고, 플라즈마 처리 장치의 운용 비용을 감소하는 것이 가능해진다.

본 출원은 2005년 09월 12일자로 출원된 일본 특허 출원 번호 제2005-263409호를 기초로 우선권 주장을 하였고, 그 내용은 전체적으로 본 출원에 기재되었다.

본 발명의 플라즈마 처리 장치는 안정된 플라즈마 처리를 효과적으로 행할 수 있는 효과를 가지고, 반도체 웨이퍼 등의 판상의 워크를 대상으로 플라즈마 처리를 행하는 용도에 유용하다.

Claims

판상의 워크를 대상으로 하여 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,

환상으로 연결된 측벽부가 마련된 통상 용기를 주체로 하고, 상기 측벽부에 개구된 워크 출입용의 반송구와, 상기 측벽부에서 상기 반송구 보다도 높은 위치에 형성된 환상의 밀봉면을 갖는 진공 챔버;

상기 반송구를 밀폐하는 개폐 가능한 문;

상기 진공 챔버의 상기 측벽부에 포위된 바닥부에 배치되고, 상면에 상기 워크가 재치되는 하부 전극;

상기 밀봉면에 접촉 가능한 환상의 외연부를 가짐과 함께 상기 외연부보다도 내측의 하면측으로 상기 외연부의 하면보다도 하방으로 돌출한 돌출면을 구비한 상부 전극;

상기 외연부를 상기 밀봉면에 접촉시킴으로써 상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 사이에 밀폐된 처리 공간을 형성하는 승강 기구; 및

상기 처리 공간 내에서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제1항에 있어서,

상기 반송구의 상단부로부터 상기 반송구의 바로 위에 위치하는 상기 밀봉면 까지의 치수보다도, 상기 돌출면이 상기 외연부의 하면으로부터 하방으로 돌출하는 돌출 치수가 크게 되어 있고, 상기 외연부를 상기 밀봉면에 접촉시킨 상태에서 상기 돌출면이 상기 반송구의 상단보다도 하방에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제2항에 있어서,

상기 밀봉면은 상기 측벽부의 상단면보다도 하방에 위치하는 중간 높이에 형성되고, 더욱이 상기 상부 전극을 승강 가능하게 유지한 지지 기구를 상기 측벽부의 상단면에 배치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제3항에 있어서,

상기 승강 기구는 상기 지지 기구에 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제4항에 있어서,

상기 지지 기구는 힌지 기구에 의해 수평축 주위로 회동 가능하게 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.