KR20080042924A - 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (39)
- 기판 위에 적어도 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층, 금속막층, 도금 금속판이 적층되어 이루어지는 질화물계 반도체 발광 소자이며,상기 금속막층, 및 상기 도금 금속판이 상기 p형 반도체층 위에 부분적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 기판 위에 적어도 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층, 금속막층, 도금 금속판이 적층되어 이루어지는 질화물계 반도체 발광 소자에 있어서,상기 금속막층, 및 상기 도금 금속판이 상기 p형 반도체층 위에 평면에서 보아 교차 상태로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 p형 반도체층 위에 형성되는 상기 금속막층 및 도금 금속판의 면적이, 상기 p형 반도체층 상면에 대한 면적비로 10 내지 90 %의 범위 내인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 기판 위에 형성되는 상기 n형 반도체층, 발광층 및 p형 반도체층이, 미리 소자 단위로 분할되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 p형 반도체층 위에 투명 전극이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막층이 오믹 접촉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제6항에 있어서, 상기 오믹 접촉층이, Pt, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Ag의 단체 금속, 및/또는 그들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제6항에 있어서, 상기 오믹 접촉층의 막 두께가 0.1 ㎚ 내지 30 ㎚의 범위 내인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 도금 금속판의 막 두께가 10 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위 내인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 도금 금속판이, NiP 합금, Cu, 또는 Cu 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막층과 상기 도금 금속판 사이에 도금 밀착층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제11항에 있어서, 상기 도금 밀착층이, 상기 도금 금속판을 이루는 도금의 50 중량 % 이상을 차지하는 주성분과 동일한 조성을 50 중량 % 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 도금 밀착층이, NiP 합금, 또는 Cu 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 p형 반도체층 위에 있어서, 상기 금속막층 및 상기 도금 금속판이 형성되어 있지 않은 부분에 투광성 물질층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 p형 반도체층 위에 형성되는 상기 금속막층 및 상기 도금 금속판이, 평면에서 보아 교차 상태로 설치되어 있고,상기 p형 반도체층 위에 있어서, 상기 금속막층 및 상기 도금 금속판이 형성되어 있지 않은 부분에 상기 투광성 물질층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 투광성 물질층이 상기 p형 반도체층 위에 적층되고, 상기 투광성 물질층이 적어도 상기 금속막층과 도금 금속판에 의해 부분적으로 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 투광성 물질층이, 투명 전극을 개재하여 p형 반도체층 위에 적층되고, 상기 투광성 물질층이 적어도 상기 금속막층과 도금 금속판에 의해 부분적으로 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 투광성 물질층이, 투광성 수지, 실리카계 물질 또는 티타니아계 물질 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 투광성 물질층의 굴절률이 1.4 내지 2.6의 범위 내인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 투광성 물질층의 막 두께가 10 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위 내인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 기판 위에 형성되는 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층이 미리 소자 단위로 분할되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 금속막층이 오믹 접촉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제22항에 있어서, 상기 오믹 접촉층이, Pt, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Ag의 단체 금속, 및/또는, 그들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제22항에 있어서, 상기 오믹 접촉층의 막 두께가 0.1 ㎚ 내지 30 ㎚의 범위 내인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 도금 금속판의 막 두께가 10 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위 내인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 도금 금속판이, NiP 합금, Cu, 또는 Cu 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 금속막층과 상기 도금 금속판 사이에 도금 밀착층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제27항에 있어서, 상기 도금 밀착층이, 상기 도금 금속판을 이루는 도금의 50 중량 % 이상을 차지하는 주성분과 동일한 조성을 50 중량 % 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 제27항 또는 제28항에 있어서, 상기 도금 밀착층이, NiP 합금 또는 Cu 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자.
- 기판 위에 적어도 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층, 금속막층, 도금 금속판을 적층하는 적층 공정을 갖는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법이며,상기 적층 공정에 있어서, 상기 금속막층 및 상기 도금 금속판을, 상기 p형 반도체층 위에 부분적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제30항에 있어서, 상기 적층 공정에 있어서, 상기 금속막층 및 상기 금속판을, 개별적으로 평면에서 보아 라인 형상으로 교차 상태로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제30항에 있어서, 상기 적층 공정은, 상기 n형 반도체층을, 버퍼층을 개재하여 기판 위에 부착하여 행해지고,상기 적층 공정 종료 후에, 상기 기판 및 버퍼층을 제거함으로써, 상기 n형 반도체층을 노출시키는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제32항에 있어서, 상기 기판을 레이저에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금 금속판을 형성한 후, 100 ℃ 내지 300 ℃의 온도로 열처리하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제30항에 있어서, 상기 p형 반도체층 위에 있어서, 상기 금속막층 및 상기 도금 금속판이 형성되어 있지 않은 부분에 투광성 물질층을 형성하는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제35항에 있어서, 상기 적층 공정에 있어서, 상기 금속막층 및 상기 금속판을, 개별적으로 평면에서 보아 라인 형상으로 교차 상태로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제35항에 있어서, 상기 적층 공정은, 상기 n형 반도체층을, 버퍼층을 개재하여 기판 위에 부착하여 행해지고,상기 적층 공정 종료 후에, 상기 기판 및 버퍼층을 제거함으로써, 상기 n형 반도체층을 노출시키는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제37항에 있어서, 상기 기판을 레이저에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제35항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금 금속판을 형성한 후, 100 ℃ 내지 300 ℃의 온도로 열처리하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법.
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