KR20080041460A - 저온 증착용 금속 전구체, 그를 사용한 금속 박막 형성방법 및 상변화 메모리 소자 제조 방법 - Google Patents
저온 증착용 금속 전구체, 그를 사용한 금속 박막 형성방법 및 상변화 메모리 소자 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (24)
- 고리를 구성하는 원소들 중 적어도 하나가 금속인 금속 고리화합물인 것을 특징으로 하는 저온 증착용 금속 전구체.
- 제1 항에 있어서,상기 금속은 상변화 물질을 형성할 수 있는 금속인 것을 특징으로 하는 저온 증착용 금속 전구체.
- 제2 항에 있어서,상기 금속은 Ge(Germanium), Sb(Antimony) 또는 Te(Tellurium)인 것을 특징으로 하는 저온 증착용 금속 전구체.
- 제1 항에 있어서,상기 고리화합물은 3각 내지 8각 고리화합물인 것을 특징으로 하는 저온 증착용 금속 전구체.
- 제4 항에 있어서,상기 고리화합물은 5각 고리화합물인 것을 특징으로 하는 저온 증착용 금속 전구체.
- 제1 항에 있어서,상기 금속 고리화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 Ge 고리화합물인 것을 특징으로 하는 저온 증착용 금속 전구체:<화학식 1>상기 화학식 1에서, X 고리 및 Y 고리는 서로에 관계없이 3각 내지 8각 고리이고, 상기 X 고리 및 상기 Y 고리를 구성하는 각각의 원소는 서로에 관계없이 C, O, N, S, P, Si, Te, Sb, Ge, Se, Sn, Bi 및 In으로 이루어진 군에서 선택되고, R1 및 R2는 서로에 관계없이 수소, 알킬기(alkyl group), 알릴기(allyl group), 비닐기(vinyl group), 아민기(amine group), 할로겐기(halide), 시안기(cyanide) 및 방향족기(aromatic group)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 그 이상의 작용기이다.
- 제1 항에 있어서,상기 금속 고리화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 Sb 고리화합물인 것을 특징으로 하는 저온 증착용 금속 전구체.<화학식 4>상기 화학식 4에서, X 고리는 3각 내지 8각 고리이고, 상기 X 고리를 구성하는 각각의 원소는 서로에 관계없이 C, O, N, S, P, Si, Te, Sb, Ge, Se, Sn, Bi 및 In으로 이루어진 군에서 선택되고, R1 및 R2는 서로에 관계없이 수소, 알킬기, 알릴기, 비닐기, 아민기, 할로겐기, 시안기 및 방향족기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 그 이상의 작용기이다.
- 기판 상에 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 금속 전구체를 공급하여, 상기 기판 상에 금속 박막을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 박막 형성방법.
- 제11항에 있어서,상기 기판은 실리콘 산화물, 티타늄 산화물, 알루미늄 산화물(Al2O3), 지르코늄 산화물 및 하프늄 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질막인 것을 특징으로 하는 금속 박막 형성방법.
- 제11항에 있어서,상기 기판은 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiN), 실리콘, 알루미늄, 실리콘 카바이드(SiC), 탈륨(Ta), 탈륨 질화물(TaN) 및 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN)로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질막인 것을 특징으로 하는 금속 박막 형성방법.
- 제11항에 있어서,상기 금속 박막을 형성하는 것은 화학기상증착법 또는 원자층 증착법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 박막 형성방법.
- 제11항에 있어서,상기 금속 전구체는 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항의 Ge 고리화합물이고, 상기 기판 상에 다른 금속 전구체로서 Si 전구체, Te 전구체, Sb 전구체, Se 전구체, Sn 전구체, Bi 전구체 및 In 전구체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 전구체를 더 공급하는 것을 특징으로 하는 금속 박막 형성방법.
- 제11항에 있어서,상기 금속 전구체는 제9항의 Sb 고리화합물이고, 상기 기판 상에 다른 금속 전구체로서 Si 전구체, Te 전구체, Ge 전구체, Se 전구체, Sn 전구체, Bi 전구체 및 In 전구체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 전구체를 더 공급하는 것을 특징으로 하는 금속 박막 형성방법.
- 제11항에 있어서,상기 금속 전구체는 제10항의 Te 고리화합물이고, 상기 기판 상에 다른 금속 전구체로서 Si 전구체, Ge 전구체, Sb 전구체, Se 전구체, Sn 전구체, Bi 전구체 및 In 전구체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 전구체를 더 공급하는 것을 특징으로 하는 금속 박막 형성방법.
- 기판 상에 하부 전극을 형성하고,상기 하부 전극 상에 몰드 절연막을 형성하고,상기 몰드 절연막 내에 상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 비아홀을 형성하고,상기 비아홀이 형성된 기판 상에 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 금속 전구체를 공급하여, 상기 비아홀 내에 상변화 물질막을 채우고,상기 상변화 물질막 상에 상부 전극을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 하부 전극은 티타늄(Ti), 티타늄 질화막(TiN), 티타늄 알루미늄 질화막(TiAlN), 탄탈륨 질화막(TaN), 텅스텐 질화막(WN), 몰리브데늄 질화막(MoN), 니오비윰 질화막(NbN), 티타늄 실리콘 질화막(TiSiN), 티타늄 붕소 질화막(TiBN), 지르코늄 실리콘 질화막(ZrSiN), 텅스텐 실리콘 질화막(WSiN), 텅스텐 붕소 질화막(WBN), 지르코늄 알루미늄 질화막(ZrAlN), 몰리브데늄 알루미늄 질화막(MoAlN), 탄탈륨 실리콘 질화막(TaSiN), 탄탈륨 알루미늄 질화막(TaAlN), 티타늄 텅스텐막(TiW), 티타늄 알루미늄막(TiAl), 티타늄 산질화막(TiON), 티타늄 알루미늄 산질화막(TiAlON), 텅스텐 산질화막(WON) 및 탄탈륨 산질화막(TaON)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질막인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 상변화 물질막을 형성하는 것은 화학기상증착법 또는 원자층 증착법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 금속 전구체는 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항의 Ge 고리화합물이고, 상기 기판 상에 다른 금속 전구체로서 Te 전구체, 또는 Sb 전구체 및 Te 전구체를 더 공급하여 상기 상변화 물질막으로서 Ge-Te막 또는 Ge-Sb-Te막을 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 금속 전구체는 제9항의 Sb 고리화합물이고, 상기 기판 상에 다른 금속 전구체로서 Te 전구체, 또는 Ge 전구체 및 Te 전구체를 더 공급하여 상기 상변화 물질막으로서 Sb-Te막 또는 Ge-Sb-Te막을 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 금속 전구체는 제10항의 Te 고리화합물이고, 상기 기판 상에 다른 금속 전구체로서 Ge 전구체 및/또는 Sb 전구체를 더 공급하여 상기 상변화 물질막으로서 Ge-Te막, Sb-Te막 또는 Ge-Sb-Te막을 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 상변화 물질막을 형성하기 전에, 상기 비아홀의 측벽 상에 절연막 스페이서를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101024260B1 (ko) * | 2008-11-17 | 2011-03-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 장치 제조방법 |
US8187914B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a phase change memory device |
US8441877B2 (en) | 2009-03-25 | 2013-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices including burn-in test circuits |
US8476130B2 (en) | 2010-09-17 | 2013-07-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device |
KR101304753B1 (ko) * | 2009-04-15 | 2013-09-05 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 상변화 물질 형성 방법 및 상변화 메모리 회로 형성 방법 |
US8558032B2 (en) | 2009-04-15 | 2013-10-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a tellurium alkoxide and methods of forming a mixed halide-alkoxide of tellurium |
KR101337810B1 (ko) * | 2009-04-15 | 2013-12-06 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 안티몬-포함 상변화 물질 증착 방법 및 상변화 메모리 회로 형성 방법 |
KR101489327B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-02-03 | 삼성전자주식회사 | 물질막의 형성 방법 및 메모리 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (15)
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US8802194B2 (en) | 2008-05-29 | 2014-08-12 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Tellurium precursors for film deposition |
US8636845B2 (en) | 2008-06-25 | 2014-01-28 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Metal heterocyclic compounds for deposition of thin films |
JP5411512B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Ge−Sb−Te系膜の成膜方法および記憶媒体 |
KR101805211B1 (ko) | 2009-09-02 | 2017-12-05 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 게르마늄 함유 막 침착을 위한 디할라이드 게르마늄(ⅱ) 전구체 |
KR20120123126A (ko) | 2010-02-03 | 2012-11-07 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 박막 증착용 칼코게나이드-함유 전구체, 그의 제조 방법 및 사용 방법 |
KR101163046B1 (ko) * | 2010-07-08 | 2012-07-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
US8124445B2 (en) | 2010-07-26 | 2012-02-28 | Micron Technology, Inc. | Confined resistance variable memory cell structures and methods |
TWI662711B (zh) * | 2011-07-19 | 2019-06-11 | 聯華電子股份有限公司 | 半導體元件及其製作方法 |
US8932901B2 (en) * | 2011-10-31 | 2015-01-13 | Macronix International Co., Ltd. | Stressed phase change materials |
KR20150061885A (ko) * | 2013-11-28 | 2015-06-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102442621B1 (ko) | 2015-11-30 | 2022-09-13 | 삼성전자주식회사 | 니오븀 화합물을 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6420725B1 (en) * | 1995-06-07 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area |
US6791102B2 (en) * | 2002-12-13 | 2004-09-14 | Intel Corporation | Phase change memory |
KR100541939B1 (ko) * | 2003-04-14 | 2006-01-10 | 애경화학 주식회사 | 칼코겐화물 박막을 위한 화학증착용 전구체 및 그의 제조방법 |
CN100490205C (zh) * | 2003-07-10 | 2009-05-20 | 国际商业机器公司 | 淀积金属硫族化物膜的方法和制备场效应晶体管的方法 |
JP4766441B2 (ja) | 2003-09-17 | 2011-09-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
KR100548583B1 (ko) | 2004-07-23 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환기억 소자의 형성방법 |
KR20060074460A (ko) * | 2004-12-27 | 2006-07-03 | 중앙대학교 산학협력단 | 12족 칼코겐화물 박막을 위한 화학증기증착용 전구체 및그의 제조방법 |
KR100618879B1 (ko) | 2004-12-27 | 2006-09-01 | 삼성전자주식회사 | 게르마늄 전구체, 이를 이용하여 형성된 gst 박막,상기 박막의 제조 방법 및 상변화 메모리 소자 |
KR100688532B1 (ko) * | 2005-02-14 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 텔루르 전구체, 이를 이용하여 제조된 Te-함유 칼코게나이드(chalcogenide) 박막, 상기 박막의 제조방법 및 상변화 메모리 소자 |
EP2302094A1 (en) * | 2006-05-12 | 2011-03-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature deposition of phase change memory materials |
KR20120118060A (ko) * | 2006-11-02 | 2012-10-25 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 금속 박막의 cvd/ald용으로 유용한 안티몬 및 게르마늄 착체 |
-
2006
- 2006-11-07 KR KR1020060109580A patent/KR100871692B1/ko active IP Right Grant
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101489327B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-02-03 | 삼성전자주식회사 | 물질막의 형성 방법 및 메모리 장치의 제조 방법 |
KR101024260B1 (ko) * | 2008-11-17 | 2011-03-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 장치 제조방법 |
US8441877B2 (en) | 2009-03-25 | 2013-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices including burn-in test circuits |
US8187914B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a phase change memory device |
KR101304753B1 (ko) * | 2009-04-15 | 2013-09-05 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 상변화 물질 형성 방법 및 상변화 메모리 회로 형성 방법 |
US8558032B2 (en) | 2009-04-15 | 2013-10-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a tellurium alkoxide and methods of forming a mixed halide-alkoxide of tellurium |
KR101337810B1 (ko) * | 2009-04-15 | 2013-12-06 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 안티몬-포함 상변화 물질 증착 방법 및 상변화 메모리 회로 형성 방법 |
US8697486B2 (en) | 2009-04-15 | 2014-04-15 | Micro Technology, Inc. | Methods of forming phase change materials and methods of forming phase change memory circuitry |
US8765519B2 (en) | 2009-04-15 | 2014-07-01 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming phase change materials and methods of forming phase change memory circuitry |
US9269900B2 (en) | 2009-04-15 | 2016-02-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of depositing phase change materials and methods of forming memory |
US8476130B2 (en) | 2010-09-17 | 2013-07-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device |
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