KR20080029597A - 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 전극에 형성된 반도체 산화물층의 노출 표면 및 전도성 기판의 노출 표면에 각각 절연층이 형성된 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 상호 대향하는 반도체 전극 및 대향 전극과, 이들 사이에 개재되어 있는 전해질 용액을 포함한다. 반도체 전극은 전도성 기판과, 전도성 기판 위에 형성된 반도체 산화물층과, 반도체 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료 분자층과, 염료 분자층을 통해 노출되는 반도체 산화물층의 표면과 전도성 기판의 표면에 각각 형성되어 있는 절연층을 포함한다. 절연층은 반도체 산화물층의 표면과 전도성 기판의 표면에 각각 화학 결합에 의해 자기조립되어 있는 자기조립 유기층으로 이루어질 수 있다.
염료감응, 태양전지, 자기조립, 반도체 산화물, 전해질
Description
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 반도체 전극의 구성을 보다 상세히 도시한 일부 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 염료감응 태양전지들의 전류밀도 및 전압 특성을 평가한 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 반도체 전극, 12: 전도성 기판, 13: 전자 전달층, 14: 반도체 산화물층, 16: 염료 분자층, 18: 절연층, 20: 대향 전극, 22: 전도성 기판, 24: 금속층, 26: 미세 구멍, 30: 전해질 용액, 40: 고분자층, 100: 염료감응 태양전지.
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 특히 염료분자가 코팅된 반도체 산화물층을 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
염료감응 태양전지는 기존의 p-n 접합에 의한 실리콘 태양전지와는 달리, 가시광선의 빛을 흡수하여 전자-홀 쌍(electron-hole pair)을 생성할 수 있는 감광성 염료 분자와, 생성된 전자를 전달하는 전이금속 산화물을 주된 구성 재료로 하는 광전기화학적 태양전지이다. 지금까지 알려진 염료감응 태양전지 중 대표적인 예로서 스위스의 그라첼(Gratzel) 등에 의하여 발표된 것이 있다 (미국 특허공보 제4,927,721호 및 동 제5,350,644호). 그라첼 등에 의해 제안된 염료감응 태양전지는 염료 분자가 입혀진 나노입자 이산화티탄(TiO2)으로 이루어지는 반도체 전극과, 백금 또는 탄소가 코팅된 대향 전극과, 이들 전극 사이에 채워진 전해질 용액으로 구성되어 있다. 이 광화학적 전지는 기존의 실리콘 태양전지에 비하여 전력당 제조 원가가 저렴하여 주목받아 왔다.
염료감응 태양전지의 작동원리를 설명하면 다음과 같다. 태양빛에 의해 들뜬 염료들이 전자를 나노입자 이산화티탄의 전도대에 주입된다. 그 주입된 전자들은 나노입자 이산화티탄을 통과하여 전도성 기판에 도달하고 외부회로로 전달된다. 외부 회로에서 전기적 일을 하고 돌아온 전자는 대향 전극을 통하여 산화/환원 전해질의 전자 전달 역할에 의하여 전자를 이산화티탄에 주입하여 전자가 부족한 염료를 환원시켜 염료감응 태양전지의 작동은 완성되게 된다. 여기서, 염료로부터 주입된 전자가 외부 회로에 전달되기 전에, 나노입자 이산화티탄층과 전도성 기판을 통과하는 과정에서, 주입된 전자는 나노입자 이산화티탄의 표면에 비어있는 표면 에너지 준위에 머물게 될 수 있다. 이 경우, 전자는 산화/환원 전해질과 반응하여 회로를 따라 돌지 않고 비효율적으로 사라지게 된다. 또한, 전도성 기판의 표면에서도 빛에 의하여 발생한 전자가 산화/환원 전해질과의 반응에 의해 소비되어 에너지 변환 효율이 떨어진다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술에서의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반도체 산화물층의 표면 또는 전도성 기판의 표면에서 염료로부터 주입된 전자와 산화/환원 전해질과의 상호 작용에 의한 전자 손실을 방지할 수 있는 구조를 가지는 염료감응 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 산화물층의 표면 또는 전도성 기판의 표면에서 염료로부터 주입된 전자와 산화/환원 전해질과의 상호 작용에 의한 전자 손실을 방지할 수 있는 구조를 가지는 염료감응 태양전지의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 상호 대향하는 반도체 전극 및 대향 전극과, 이들 사이에 개재되어 있는 전해질 용액을 포함한다. 상기 반도체 전극은 전도성 기판과, 상기 전도성 기판 위에 형성된 반도체 산화물층과, 상기 반도체 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료 분자층과, 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 형성되어 있는 절연층을 포함한다.
상기 절연층은 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 화학 결합에 의해 자기조립되어 있는 절연 성 유기물로 구성되는 자기조립 유기층으로 이루어질 수 있다.
예를 들면, 상기 자기조립 유기층은 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 및 카르복실산 (carboxylic acid) 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이 자기조립된 분자층으로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 자기조립 유기층은 R1SiHR2R3, R1SiXR2R3 (X는 Cl, Br 또는 I), 및 R1SiRR2R3 (R은 메톡시, 에톡시 또는 t-부톡시)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 구조(R1, R2 및 R3는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨)를 가지는 실란 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 자기조립 유기층은 PR1R2R3R4 (R1, R2, R3 및 R4는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨이고, R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나는 -OH 또는 -O)의 구조를 가지는 인산 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 자기조립 유기층은 SR1R2R3R4 (R1, R2, R3 및 R4는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨이고, R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나는 -OH 또는 -O)의 구조를 가지는 황산 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 자기조립 유기층은 R1COOH 또는 R2COO- (R1 및 R2는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨)의 구조를 가지는 카르복실산 화합물이 자기조립된 분자층으로 이루어질 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법에서는 반도체 전극 및 대향 전극을 형성하고, 상기 반도체 전극과 대향 전극을 상호 대향하도록 정렬한다. 그 후, 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 전해질 용액을 주입한다. 여기서, 상기 반도체 전극을 형성하기 위하여, 전도성 기판 위에 반도체 산화물층을 형성한다. 상기 반도체 산화물층의 표면에 염료 분자층을 흡착시킨다. 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 절연층을 형성한다.
상기 절연층을 형성하기 위하여 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 화학 결합에 의해 자기조립된 자기조립 유기층을 형성할 수 있다.
상기 자기조립 유기층을 형성하기 위하여 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 및 카르복실산 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이 용해된 소수성 유기 용매 내에 상기 염료 분자층이 형성된 결과물을 딥핑(dipping)하는 공정을 이용할 수 있다. 또는, 상기 자기조립 유기층을 형성하기 위하여 상기 염료 분자층이 형성된 결과물의 표면에 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 및 카르복실산 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 기체 상태로 공급하는 공정을 이용할 수 있다. 상기 자기조립 유기층을 형성하는 단계는 대기 보다 건조한 분위기 하에서 행해질 수 있다.
본 발명에 의하면, 염료감응 태양전지에서 산화/환원 전해질과 접촉이 가능한 반도체 산화물의 표면, 그리고 전도성 기판의 표면에 절연층이 형성되어 있으므 로 빛에 의하여 생성된 전자가 외부 회로까지 전달되는 과정에서 발생 가능한 전자 손실 경로가 차단됨으로써 에너지 변환 효율이 현저히 향상될 수 있다. 또한, 비교적 간단하고 용이한 유기물 자기조립 공정을 이용하여 반도체 전극중 필요한 부분에만 자기조립 유기층을 형성할 수 있으므로 염료감응 태양전지의 상품 경쟁력을 현저히 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
다음에 예시하는 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 첨부 도면에서 막 또는 영역들의 크기 또는 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지(100)의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 반도체 전극(10)과, 대향 전극(20)과, 이들 사이에 채워져 있는 전해질 용액(30)을 포함한다.
도 2는 상기 반도체 전극(10)의 구성을 보다 상세히 도시한 일부 확대 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 반도체 전극(10)은 투명한 전도성 기판(12)과, 상기 전도성 기판(12)으로의 전자 전달을 위하여 상기 전도성 기판(10) 위에 형성된 전자 전달층(13)으로 이루어진다. 상기 전자 전달층(13)은 상기 전도성 기판(12) 위에 형성된 반도체 산화물층(14)과, 상기 반도체 산화물층(14)이 표면에 흡착되어 있는 염료 분자층(16)을 포함한다. 상기 전해질 용액(30)과의 반응에 의한 전자의 비효율적인 손실을 방지하기 위하여, 상기 반도체 전극(10)의 전자 전달층(13)에서 상기 염료 분자층(16)을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층(14)의 표면과 상기 전도성 기판(10)의 표면에는 절연층(18)이 형성되어 있다. 바람직하게는, 상기 절연층(18)은 자기조립 유기층으로 이루어진다.
상기 전도성 기판(12)은 예를 들면 ITO(indium tin oxide), FTO (fluorine-doped tin oxide), 또는 표면에 SnO2가 코팅되어 있는 유리 기판으로 이루어질 수 있다.
상기 반도체 산화물층(14)은 예를 들면 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 상기 반도체 산화물층(14)은 약 5 ∼ 15 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 염료 분자층(16)은 루테늄 착체(錯體)로 이루어질 수 있다.
상기 절연층(18)은 상기 전도성 기판(12)의 표면중 상기 반도체 산화물층(14) 또는 염료 분자층(16)에 의해 덮여 있지 않고 노출된 부분과, 상기 반도체 산화물층(14)의 표면중 상기 염료 분자층(16)에 의해 덮여 있지 않고 노출된 부분에만 선택적으로 형성되어 있다. 상기 절연층(18)을 자기조립 유기층으로 형성하는 경우, 상기 자기조립 유기층은 상기 전도성 기판(12) 및 반도체 산화물층(14)을 구 성하는 금속 원자와의 사이에 화학 결합에 의해 상기 전도성 기판(12) 및 반도체 산화물층(14)의 표면에 자기조립된다. 상기 절연층(18)을 구성하는 자기조립 유기층은 1 개의 분자층으로 이루어질 수 있으며, 상기 자기조립 유기층의 두께는 상기 분자층을 구성하는 물질의 분자 길이에 따라 조절할 수 있다. 상기 절연층(18)을 구성하는 자기조립 유기층은 전자 또는 정공 수송 능력이 없는 절연성 유기물로 이루어진다. 상기 자기조립 유기층의 소스 화합물은 예를 들면 실란(silane) 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 카르복실산 (carboxylic acid) 화합물 등과 같이 전도성 표면에만 선택적으로 화학 결합에 의해 자기조립될 수 있는 작용기를 포함하는 유기 분자들 중에서 선택될 수 있다. 상기 자기조립 유기층을 구성할 수 있는 유기 분자 재료들에 관한 보다 상세한 사항은 후술한다.
상기 대향 전극(20)은 전도성 기판(22)과 상기 전도성 기판(22) 위에 코팅되어 있는 금속층(24)을 포함한다. 상기 금속층(24)은 예를 들면 백금층으로 이루어질 수 있다. 상기 전도성 기판(22)은 예를 들면 ITO, FTO 또는 SnO2가 코팅되어 있는 유리 기판으로 이루어질 수 있다.
상기 대향 전극(20)의 금속층(24)은 상기 반도체 전극(10)의 전자 전달층(13)과 대향하도록 배치되어 있다.
상기 반도체 전극(10)과 상기 대향 전극(20) 사이의 공간에 채워져 있는 상기 전해질 용액(30)은 이미다졸계 화합물 및 요오드로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 전해질 용액(30)은 0.70 M의 1-비닐-3-메틸-이미다졸륨 아이오다이드 (1- vinyl-3-methyl-immidazolium iodide)와, 0.10 M의 LiI와, 40 mM의 I2 (iodine)와, 0.125 M의 4-터트-부틸피리딘 (4-tert-butylpyridine)을 3-메톡시프로피오니트릴 (methoxypropionitrile)에 용해시킨 I3 -/I-의 전해질 용액으로 이루어질 수 있다.
상기 전해질 용액(30)은 상기 대향 전극(20)의 전도성 기판(22)에 형성된 미세 구멍(26)을 통하여 상기 반도체 전극(10)과 상기 대향 전극(20) 사이의 공간에서 고분자층(40)에 의해 한정되는 영역 내에 채워진다.
도 1 및 도 2에 예시된 구성을 가지는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지(100)의 작동은 다음과 같다.
상기 반도체 전극(10)의 전도성 기판(12)을 투과한 태양 빛이 반도체 산화물층(14)에 흡착된 염료 분자층(16)에 흡수되면, 상기 염료 분자층(16)의 구성 물질이 여기(excitation)되어 전자를 반도체 산화물층(14)의 전도대로 주입하게 된다. 상기 반도체 산화물층(14)으로 주입된 전자는 상기 반도체 산화물층(14)을 구성하는 나노급의 미세 입자간 계면을 통해 상기 반도체 산화물층(14)에 접해 있는 상기 전도성 기판(12)에 전달되고, 외부 전선(도시 생략)을 통하여 대향 전극(20)으로 이동된다.
전자 전이의 결과로서 산화된 염료 분자층(16)은 전해질 용액(30) 내의 요오드 이온의 산화 환원 작용(3I- → I3 - + 2e-)에 의하여 제공되는 전자를 받아 다시 환원되며 산화된 요오드 이온(I3 -)은 대향 전극(20)에 도달한 전자에 의해 다시 환 원되어 염료감응 태양전지(100)의 작동 과정이 완성된다.
상기 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 염료감응 태양전지(100)의 작동 과정에 있어서, 상기 반도체 전극(10)을 구성하는 전도성 기판(12) 및 반도체 산화물층(14)중 염료 분자층(16)에 의해 덮이지 않는 부분의 표면이 절연층(18)에 의해 덮여 있으므로, 전자 손실 경로가 되기 쉬운 영역이 상기 자기조립 유기층(16)에 의해 차단됨으로써 에너지 변환 효율이 현저히 향상될 수 있다.
다음에, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지(100)의 제조 방법을 설명한다.
음극인 상기 반도체 전극(10)을 제조하기 위하여, 먼저 상면에 반도체 산화물층(14)이 형성된 전도성 기판(12)을 준비한다. 상기 반도체 산화물층(14)은 약 5 ∼ 15 ㎛의 두께로 형성될 수 있다. 그 후, 상기 반도체 산화물층(14)이 형성된 전도성 기판(12)을 루테늄 착체로 이루어지는 염료 용액 내에 24 시간 이상 담그어둠으로써 상기 반도체 산화물층(14)의 표면에 염료 분자층(16)을 코팅한다.
상기 염료 분자층(16)이 형성된 결과물을 N2 분위기하에서 건조시켜 알콜계 유기 용매 등을 상기 결과물 표면으로부터 제거한다.
그 후, 상기 염료 분자층(16)을 통해 노출되는 상기 전도성 기판(12)의 표면 및 상기 반도체 산화물층(14)의 표면에 절연층(18)을 형성한다. 상기 절연층(18)을 자기조립 유기층으로 형성하기 위하여, 예를 들면 대기(大氣)보다 건조한 분위기 내에서 상기 염료 분자층(16)을 통해 노출되는 상기 전도성 기판(12)의 표면 및 상기 반도체 산화물층(14)의 표면에 자기조립 유기층을 형성한다. 상기 건조한 분위 기를 조성하기 위하여 예를 들면 약 -60 ∼ -10 ℃의 이슬점 온도를 유지하는 드라이룸(dry room) 내에서 상기 자기조립 유기층을 형성할 수 있다.
상기 자기조립 유기층을 형성하기 위한 예시적인 한 방법에서는, 드라이룸 내에서 소정의 유기 화합물이 용해된 소수성(疏水性) 유기 용매 내에 상기 반도체 산화물층(14) 및 염료 분자층(16)이 형성된 결과물을 약 30 분 ∼ 1 일 동안 딥핑(dipping)하는 공정을 이용할 수 있다. 상기 유기 용매는 예를 들면 알콜류, 아세톤 등과 같은 극성 용매, 또는 벤젠, 톨루엔, 헥산, 부탄, 이소옥탄 등과 같은 무극성 용매로 이루어질 수 있다.
상기 자기조립 유기층을 형성하기 위한 예시적인 다른 방법에서는, 진공 분위기 하에서 상기 전도성 기판(12)의 표면 및 상기 반도체 산화물층(14)의 표면에 소정의 유기 화합물을 기체 상태로 공급하여 코팅하는 공정을 이용할 수 있다.
상기 자기조립 유기층을 형성하기 위한 소스 화합물은 전자 또는 정공 수송 능력이 없는 절연성 유기물 중에서 선택될 수 있다. 특히, 상기 자기조립 유기층의 소스 물질은 예를 들면 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 카르복실산 화합물 등과 같이 전도성 표면에만 선택적으로 화학 결합에 의해 자기조립될 수 있는 작용기를 포함하는 유기 분자들 중에서 선택될 수 있다.
상기 자기조립 유기층을 형성하기 위한 소스 화합물로서 실란 화합물을 사용하는 경우, 상기 실란 화합물은 R1SiHR2R3, R1SiXR2R3 (X는 Cl, Br 또는 I), 및 R1SiRR2R3 (R은 메톡시, 에톡시 또는 t-부톡시)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 구조(R1, R2 및 R3는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨)를 가질 수 있다.
예를 들면, C1 ∼ C24의 알킬기 또는 알콕시기를 포함하는 알킬 실란, 알킬트리클로로실란, 알콕시알킬실란, 트리알콕시알킬 실란, 디알콕시디알킬실란 등을 사용할 수 있다.
상기 자기조립 유기층을 형성하기 위한 소스 화합물로서 인산 화합물을 사용하는 경우, 상기 인산 화합물은 -PO4, -PO3, -PO2 및 -PO 중에서 선택되는 작용기를 가진다. 상기 인산 화합물은 PR1R2R3R4 (R1, R2, R3 및 R4는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨이고, R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나는 -OH 또는 -O)의 구조를 가질 수 있다. 상기 R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나가 -O인 경우, 상기 인산 화합물은 금속 이온과 착물 형태로 존재할 수 있다. 예를 들면, 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알킬기를 가지는 알킬인산, 알킬하이포아인산 (alkyl hyposphorous acid), 아인산 (phosphorous acid) 등을 사용할 수 있다.
상기 자기조립 유기층을 형성하기 위한 소스 화합물로서 황산 화합물을 사용하는 경우, 상기 황산 화합물은 -SO4, -SO3, -SO2 및 -SO 중에서 선택되는 작용기를 가진다. 상기 황산 화합물은 SR1R2R3R4 (R1, R2, R3 및 R4는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨이고, R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나는 -OH 또는 -O)의 구조를 가질 수 있다. 상기 R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나가 -O인 경우, 상기 황산 화합물은 금속 이온과 착물 형태로 존재할 수 있다. 예를 들면, 황산 및 아황산과, 이들의 금속 이온 착물인 황산나트륨, 아황산칼륨 등을 사용할 수 있다.
상기 자기조립 유기층을 형성하기 위한 소스 화합물로서 카르복실산 화합물을 사용하는 경우, 상기 카르복실산 화합물은 -COOH 또는 -COO-의 작용기를 가진다. 상기 카르복실산 화합물은 R1COOH 또는 R2COO- (R1 및 R2는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨)의 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 메탄산 (methanoic acid), 에탄산 (ethanoic acid), 프로판산 (propanoic acid), 부탄산 (butanoic acid), 멜로닉산 (malonic acid), 옥살산 (oxalic acid), 숙신산 (succinic acid), 프탈산 (phthalic acid), 글루타르산 (glutaric acid), 아디핀산 (adipic acid), 벤조산 (benzoic acid) 등을 사용할 수 있다.
상기 설명한 바와 같이 상기 염료 분자층(16)을 통해 노출되는 상기 전도성 기판(12)의 표면 및 상기 반도체 산화물층(14)의 표면에 절연층(18)을 형성함으로써 음극인 반도체 전극(10)을 완성한다.
양극인 상기 대향 전극(20)을 형성하기 위하여, ITO, FTO 또는 SnO2가 코팅되어 있는 투명한 전도성 기판(22) 위에 금속층(24), 예를 들면 백금층을 코팅한다.
그 후, 양극과 음극을 조립할 때에는 양극 및 음극에서 전도성 표면이 안쪽으로 오도록 하기 위하여 상기 금속층(24)과 상기 염료 분자층(16)이 흡착된 반도체 산화물층(14)이 상호 대향하도록 한다. 이 때, 양극과 음극 사이에 예를 들면 SURLYN (Du Pont사제의 상품명)으로 이루어지는 약 30 ∼50㎛ 두께의 고분자층(40)을 놓고 약 100 ∼ 140℃의 가열판상에서 약 1 ∼ 3기압으로 상기 두 전극을 밀착시킨다. 열 및 압력에 의하여 상기 고분자층(40)이 상기 두 전극의 표면에 강하게 부착된다. 그 후, 상기 전도성 기판(22)에 형성된 미세 구멍(26)을 통하여 상기 두 전극 사이의 공간에 전해질 용액(30)을 채워 넣는다. 상기 전해질 용액(30)이 다 채워진 후, SURLYN과 얇은 유리를 순간적으로 가열함으로써 상기 미세 구멍(26)을 막는다.
다음에, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 구체적인 제조예에 대하여 설명한다.
예 1
염료감응 태양전지의 제조
합성한 TiO2 페이스트를 사용해서 스크린 인쇄법으로 FTO 기판 위에 제1 TiO2 나노입자층을 형성하였다. 건조 및 500 ℃에서의 소결 과정을 거친 후, 그 위에 다시 200 ∼ 400 nm 입경을 가지는 광산란 입자를 함유하는 제2 TiO2 나노입자층을 스크린 인쇄법으로 형성하고, 건조 소결시켜 약 20 ㎛ 두께의 이중층 구조의 TiO2 박막을 완성하였다.
TiO2 박막이 형성된 결과물을 루테늄 염료(4,4'-dicarboxy-2,2-bupyridine)bis(thiocyanato)ruthenium(II): N3)가 용해된 알콜 용액에 넣어 TiO2 박막 표면에 염료를 흡착시켰다. 상기 염료가 흡착된 결과물을 에탄올로 깨끗이 씻어 말렸다. 이와 같은 과정을 거쳐 준비된 샘플들을 3 개 그룹으로 분류하였다.
트리에톡시실란 (triethoxyoctylsilane), 옥타데실트리클로로실란 (octadecyltricholorosilane), 및 메틸포스폰산 (methylphosphonic acid)을 각각 톨루엔 용액에 5 mM의 농도로 용해시켜 서로 다른 유기물 자기조립을 위한 용액들을 준비하였다. 그리고, 상기 준비된 3 개 그룹의 샘플들을 각각 트리에톡시실란, 옥타데실트리클로로실란, 및 메틸포스폰산이 용해된 톨루엔 용액 내에 약 6 시간 동안 딥핑하여, 각 샘플들 표면에서 상기 TiO2 박막의 표면중 염료가 흡착되지 않은 부분과, 상기 FTO 기판의 노출된 표면 위에 자기조립 유기층으로 이루어지는 절연층을 형성하여 반도체 전극을 완성하였다.
H2PtCl6 용액을 코팅한 전도성 유리 기판을 450 ℃에서 30 분 동안 소성하여 상대 전극들을 준비하였다.
상기와 같이 준비된 반도체 전극들과 상대 전극들을 각각 전도성 표면이 상호 대향하도록 정렬한 후, 이들 사이에 SURLYN (Du Pont사제의 상품명)으로 이루어지는 고분자층을 놓고 상기 반도체 전극과 상대 전극을 밀착시켰다. 그 후, 상기 두 전극 사이의 공간에 0.70 M의 1-비닐-3-메틸-이미다졸륨 아이오다이드 (1- vinyl-3-methyl-immidazolium iodide)와, 0.10 M의 LiI와, 40 mM의 I2 (iodine)와, 0.125 M의 4-터트-부틸피리딘 (4-tert-butylpyridine)을 3-메톡시프로피오니트릴 (methoxypropionitrile)에 용해시킨 I3 -/I-의 전해질 용액을 채워 염료감응 태양 전지를 완성하였다.
예 2
대조예
자기조립 유기층을 형성하는 것을 생략한 것을 제외하고 예 1에서와 동일한 방법으로 대조용 염료감응 태양전지를 제조하였다.
예 3
광전압 및 광전류 측정
예 1에서 제조된 각각의 염료감응 태양전지들의 광전환 효율을 평가하기 위하여 다음과 같은 방법으로 광전압 및 광전류를 측정하였다. 이를 위하여, 소스미터 (Keithley 2400 SourceMeter®)로 이루어지는 인공 태양광 조사장치 (solar simulator)를 이용하였다. 이 때, 광원으로는 제논 램프 (Xenon lamp, Oriel, 91193)를 사용하였다.
도 3은 예 1에서 제조한 본 발명에 따른 염료감응 태양전지들의 전류밀도 및 전압 특성을 평가한 그래프이다. 도 3에서, "A"는 트리에톡시실란을 사용하여 자기조립 유기층을 형성한 태양전지, "B"는 옥타데실트리클로로실란을 사용하여 자기조 립 유기층을 형성한 태양전지, 그리고 "C"는 메틸포스폰산을 사용하여 자기조립 유기층을 형성한 태양전지에 대한 전류밀도 및 전압 특성 곡선을 나타낸다. 도 3에서, "D"는 예 2에서 제조한 대조용 태양전지에 대한 전류밀도 및 전압 특성 곡선을 나타낸다.
도 3의 결과에서, 자기 조립 유기층을 형성한 "A", "B", 및 "C"의 염료감응 태양전지는 각각 "D"의 대조용 태야전지에 비해 개방 전압들이 모두 증가되었으며 전류 밀도도 향상 되었다. 또한, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지들 ("A", "B", 및 "C") 중에서, 실란 화합물을 사용하여 자기조립 유기층을 형성한 경우 ("A") 보다 인산 화합물을 사용하여 자기조립 유기층을 형성한 경우 ("C")가 더 좋은 효과를 보여주었다.
예 1에서 제조한 본 발명에 따른 염료감응 태양전지 ("A", "B", 및 "C")와, 예 2에서 제조한 대조용 염료감응 태양전지 ("D") 각각의 전기적 특성을 표 1에 나타내었다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 반도체 전극에서 염료 분자층을 통해 노출되는 반도체 산화물층의 표면과 전도성 기판의 표면이 절연층으로 덮여 있다. 상기 절연층을 형성하기 위하여 절연성 유기물을 이용하여 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 반도체 산화물층의 표면과 전도성 기판의 표면에 화학 결합에 의해 자기조립되는 자기조립 유기층을 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 산화/환원 전해질과 접촉이 가능한 반도체 산화물의 표면, 그리고 전도성 기판의 표면에 절연층으로 이루어지는 보호막이 형성됨으로써, 빛에 의하여 염료로부터 나노입자 반도체 산화물층에 주입된 전자의 손실 경로가 차단된다. 또한, 반도체 산화물층으로 덮이지 않는 전도성 기판의 표면에도 절연층이 형성됨으로써 전도성 기판의 표면을 통한 전자들의 산화/환원 전해질과의 반응이 방지되어 전자들의 손실을 효과적으로 막을 수 있다. 따라서, 염료감응 태양전지의 작동과정에서 빛에 의하여 생성된 전자가 외부 회로까지 전달되는 과정에서 발생 가능한 전자 손실 경로가 차단됨으로써 에너지 변환 효율이 현저히 향상될 수 있다. 또한, 전도성 표면에만 선택적으로 자기조립될 수 있는 작용기를 포함하는 절연성 유기 분자들을 이용하여 비교적 간단하고 용이한 공정에 의해 반도체 전극의 원하는 부분에만 절연층을 형성할 수 있으므로 염료감응 태양전지의 상품 경쟁력을 현저히 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
Claims (16)
- 상호 대향하는 반도체 전극 및 대향 전극과, 이들 사이에 개재되어 있는 전해질 용액을 포함하고,상기 반도체 전극은전도성 기판과,상기 전도성 기판 위에 형성된 반도체 산화물층과,상기 반도체 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료 분자층과,상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 형성되어 있는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 절연층은 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 화학 결합에 의해 자기조립되어 있는 절연성 유기물로 구성되는 자기조립 유기층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양 전지.
- 제2항에 있어서,상기 자기조립 유기층은 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 및 카르복 실산 (carboxylic acid) 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제2항에 있어서,상기 자기조립 유기층은 R1SiHR2R3, R1SiXR2R3 (X는 Cl, Br 또는 I), 및 R1SiRR2R3 (R은 메톡시, 에톡시 또는 t-부톡시)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 구조(R1, R2 및 R3는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨)를 가지는 실란 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제2항에 있어서,상기 자기조립 유기층은 PR1R2R3R4 (R1, R2, R3 및 R4는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨이고, R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나는 -OH 또는 -O)의 구조를 가지는 인산 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제2항에 있어서,상기 자기조립 유기층은 SR1R2R3R4 (R1, R2, R3 및 R4는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨이고, R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나는 -OH 또는 -O)의 구조를 가지는 황산 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태앙전지.
- 제2항에 있어서,상기 자기조립 유기층은 R1COOH 또는 R2COO- (R1 및 R2는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨)의 구조를 가지는 카르복실산 화합물이 자기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태앙전지.
- 제1항에 있어서,상기 전도성 기판은 ITO(indium tin oxide), FTO (fluorine-doped tin oxide), 또는 표면에 SnO2가 코팅되어 있는 유리 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 염료 분자층은 루테늄 착체(錯體)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 반도체 산화물층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 대향 전극은 전도성 기판과, 상기 전도성 기판 위에 코팅되어 있는 금속층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 반도체 전극을 형성하는 단계와,대향 전극을 형성하는 단계와,상기 반도체 전극과 대향 전극을 상호 대향하도록 정렬하는 단계와,상기 반도체 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 전해질 용액을 주입하는 단계를 포함하고,상기 반도체 전극을 형성하는 단계는전도성 기판 위에 반도체 산화물층을 형성하는 단계와,상기 반도체 산화물층의 표면에 염료 분자층을 흡착시키는 단계와,상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 절연층을 형성하기 위하여 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 화학 결합에 의해 자기조립된 자기조립 유기층을 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 자기조립 유기층을 형성하기 위하여 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 및 카르복실산 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이 용해된 소수성 유기 용매 내에 상기 염료 분자층이 형성된 결과물을 딥핑(dipping)하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 자기조립 유기층을 형성하기 위하여 상기 염료 분자층이 형성된 결과물의 표면에 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 및 카르복실산 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 기체 상태로 공급하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 자기조립 유기층을 형성하는 단계는 대기 보다 건조한 분위기 하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| KR101054250B1 (ko) * | 2009-04-20 | 2011-08-08 | 포항공과대학교 산학협력단 | 극소수성 화합물이 도입된 금속산화물 반도체 전극. 이를 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법 |
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Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5273709B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-08-28 | シャープ株式会社 | 色素増感太陽電池、その製造方法および色素増感太陽電池モジュール |
| KR100997843B1 (ko) | 2008-08-29 | 2010-12-01 | 주식회사 솔켐 | 전기방사법에 의해 제조된 고분자 전해질을 포함한 염료감응형 태양전지 소자 및 이의 제조방법 |
| CN102456481A (zh) * | 2010-10-20 | 2012-05-16 | 奇菱科技股份有限公司 | 太阳能电池及其电极层结构 |
| CN102155078B (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-04 | 德州学院 | 纳米太阳能织物光伏表皮 |
| CN102115643A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-06 | 广州鹿山新材料股份有限公司 | 一种新型的太阳能电池封装胶膜 |
| US8952372B2 (en) | 2011-12-28 | 2015-02-10 | Panasonic Corporation | Photoelectric element and method for producing the same |
| CN102543467B (zh) * | 2011-12-31 | 2014-12-10 | 中南大学 | 一种染料敏化太阳能电池及其制备方法 |
| TW201338178A (zh) * | 2012-03-15 | 2013-09-16 | Nanmat Technology Co Ltd | 透明電極及其製作方法 |
| KR101321645B1 (ko) | 2012-03-27 | 2013-11-07 | 한국에너지기술연구원 | 실란커플링 공흡착제를 구비한 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 |
| CN105161306B (zh) * | 2015-08-17 | 2018-01-16 | 商丘师范学院 | 一种提高染料敏化太阳能电池稳定性的光阳极修饰方法 |
| CN107153430B (zh) * | 2017-07-08 | 2023-07-14 | 平遥县韦施克新能源有限公司 | 一种太阳位置传感器 |
| CN108611625B (zh) * | 2018-04-28 | 2020-06-02 | 北京航空航天大学 | 一种ZnO复合超润滑界面及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH674596A5 (ko) * | 1988-02-12 | 1990-06-15 | Sulzer Ag | |
| WO1991016719A2 (en) * | 1990-04-17 | 1991-10-31 | Michael Graetzel | Photovoltaic cells |
| DE69819712T2 (de) * | 1997-05-07 | 2004-09-23 | Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL) | Fotoempfindlicher metallkomplex und fotovoltaische zelle |
| US6265026B1 (en) * | 1998-01-16 | 2001-07-24 | The Regents Of The University Of California | Vapor phase deposition |
| JPH11312541A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-09 | Minolta Co Ltd | 太陽電池 |
| US6291763B1 (en) * | 1999-04-06 | 2001-09-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and photo cell |
| JP4967211B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2012-07-04 | 日本電気株式会社 | 光電気化学デバイス |
| JP4119267B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2008-07-16 | 株式会社東芝 | 光増感型太陽電池 |
| KR20040093515A (ko) * | 2003-04-30 | 2004-11-06 | 기산비티시(주) | 코팅된 부가적인 산화물 층을 갖는 염료감응형 태양전지 |
| WO2005055286A2 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Konarka Technologies, Inc. | Zwitterionic compounds and photovoltaic cells containing same |
| US20060005877A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | General Electric Company | Passivated, dye-sensitized oxide semiconductor electrode, solar cell using same, and method |
| JP4507834B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 色素増感光電変換素子およびその製造方法 |
| WO2006051644A1 (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-18 | Nippon Oil Corporation | 色素増感型太陽電池 |
-
2006
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-
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101054250B1 (ko) * | 2009-04-20 | 2011-08-08 | 포항공과대학교 산학협력단 | 극소수성 화합물이 도입된 금속산화물 반도체 전극. 이를 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법 |
| WO2012138037A1 (ko) | 2011-04-04 | 2012-10-11 | 포항공과대학교 산학협력단 | 이온층을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법 |
| WO2012138036A1 (ko) | 2011-04-04 | 2012-10-11 | 포항공과대학교 산학협력단 | 다공성 박막이 형성된 금속 산화물 반도체 전극 및 이를 이용한 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법 |
Also Published As
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