KR20080028571A - 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따르면, 알루미늄 계열 금속의 게이트 패드 또는 게이트층 신호 전달선을 데이터선과 동일한 물질로 만들어지는 접촉 매개 부재로 덮어 보호하거나, 데이터층 신호 전달선과 직접 연결함으로써, 별개의 접촉 보조 부재와 알루미늄 계열 금속이 직접 접촉하는 것을 방지하여, 직접 접촉에 의한 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 반도체와 접촉 보조 부재 및 데이터선 등을 하나의 마스크를 사용하여 패터닝함과 동시에, 유지 전극을 보강 부재로 덮어 보호하며 유지 전극의 두 도전체 사이에 반도체층을 제거함으로써, 박막 트랜지스터 표시판의 제조 비용을 감소함과 동시에 유지 전극의 성능 저하를 방지할 수 있다.
Figure P1020060093994
게이트선, 알루미늄, ITO, 부식, 접촉 매개 부재, 게이트층 신호 전달선, 데이터층 신호 전달선, 유지 전극, 보강 부재

Description

박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법{THIN FILM TRANSISTOR PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,
도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 표시판을 II-II'-II''-II''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 3, 도 5, 그리고 도 8는 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판을 차례로 도시한 배치도이고,
도 4는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV'-IV''-IV''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 6은 도 5의 박막 트랜지스터 표시판을 VI-VI'-VI''-VI''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 7a 내지 도 7f는 도 5 및 도 6에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 과정을 단계별로 나타낸 단면도이고,
도 9은 도 8의 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX'-IX''-IX''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이고,
도 11은 도 10에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 표시 영역의 일부를 도시한 배치도의 한 예이고,
도 12는 도 10에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 구동 영역의 일부를 도시한 배치도의 한 예이고,
도 13은 도 11 및 도 12의 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII'-XIII''-XIII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
60...노광 마스크 61: 기판
62: 불투명 부재 81, 82...접촉 보조 부재
110...기판
121...게이트선 124...게이트 전극
125, 126, 127, 128...게이트층 신호 전달선
129...게이트 패드
131...유지 전극선 137...유지 전극
140...게이트 절연막
141, 142, 142a-142c, 181, 182, 185...접촉 구멍
150...진성 비정질 규소층 151, 154,...반도체
160...불순물 비정질 규소층
161, 163, 165,...저항성 접촉 부재
164: 불순물 반도체
171...데이터선 172a-172c...데이터층 신호 전달선
173...소스 전극 174: 데이터 도전체
175...드레인 전극 177...보강 부재
178... 접촉 매개 부재 179...데이터 패드
180...보호막
191...화소 전극 400, 410...감광막
본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극과 편광판이 구비된 한 쌍의 표시판 사이에 위치한 액정층을 포함한다. 전기장 생성 전극은 액정층에 전기장을 생성하고 이러한 전기장의 세기가 변화함에 따라 액정 분자들의 배열이 변화한다. 예를 들면, 전기장이 인가된 상태에서 액정층의 액정 분자들은 그 배열을 변화시켜 액정층을 지나는 빛의 편광을 변화시킨다. 편광판은 편광된 빛을 적절하게 차단 또는 투과시켜 밝고 어두운 영역을 만들어냄으로써 원하는 영상을 표시한다.
이러한 액정 표시 장치는 스위칭 소자를 포함하는 화소와 표시 신호선이 구비된 표시판, 그리고 표시 신호선 중 게이트선에 게이트 신호를 내보내어 화소의 스위칭 소자를 턴온/턴오프하는 복수의 스테이지를 가지는 게이트 구동부를 포함한 다.
게이트 구동부의 스테이지에는 게이트 온/오프 전압, 클록 신호 등이 입력되어 이들 신호는 각 스테이지 한쪽 편에 연결되어 있는 신호선으로 공급된다.
게이트 구동부는 기판 위에 직접 집적되어 있을 수 있는데, 이 경우 게이트선이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다. 이 때, 게이트 구동 회로 내에서 게이트 배선과 데이터 배선을 서로 연결하기 위하여, 게이트 배선을 드러내는 접촉 구멍을 형성하고, ITO 등으로 이루어진 연결 부재를 이용하여 접촉 구멍을 통하여 게이트 배선과 데이터 배선을 연결하게 된다.
반면에, 게이트 구동부가 기판 외부에 형성되어 있는 경우, 게이트 온/오프 전압을 게이트 구동부의 스테이지에 공급하기 위해서는 온/오프 신호선과 게이트 구동부의 각 스테이지를 연결하는 패드부가 필요하다. 이 때, 이러한 패드부와 신호선을 연결하기 위하여, 신호선을 드러내는 접촉 구멍을 형성하고, ITO 등으로 이루어진 연결 부재를 이용하여 접촉 구멍을 통하여 신호선과 게이트 구동부의 각 스테이지를 연결하게 된다.
액정 표시 장치는 신호선과 동일한 물질로 이루어지는 유지 전극을 포함한다. 액정 표시 장치의 유지 전극은 화소 전극 및 화소 전극과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 중첩하여 유지 축전기를 이룸으로써, 액정의 전압 유지 능력을 강화한다.
한편, 표시 장치의 면적이 커짐에 따라, 신호선 또한 길어지고 그에 따라 저항이 커진다. 이와 같이 저항이 커지면 신호 지연 또는 전압 강하 따위의 문제가 생길 수 있고 이를 해결하기 위해서는 비저항이 낮은 재료로 신호선을 형성할 필요가 있다. 비저항이 낮은 재료 중 하나가 알루미늄(Al)을 포함하는 합금이며, 일반적으로 다른 금속과 함께 다중막의 형태로 신호선을 이룬다.
액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판은 게이트 층, 데이터 층 및 반도체 층을 포함한 복수의 박막으로 이루어진다. 이들 박막은 별도의 마스크를 사용하여 포토리소그라피 공정에 의하여 개별적으로 패터닝된다. 그런데, 하나의 마스크 수가 증가할 때마다 노광, 현상, 식각 등의 공정이 추가되어 제조 비용 및 시간이 현저하게 증가한다. 이에 따라, 슬릿 패턴을 가지는 하나의 포토 마스크를 사용하여 반도체 층 패턴과 데이터 층 패턴을 형성하는 방법이 제안되었다.
그러나 알루미늄을 포함하는 신호선이 표시 장치의 화소 전극이나 연결 부재로 사용되는 ITO 등과 접촉하게 되면, 알루미늄이 산화 및 부식될 수 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이러한 문제점을 해결하는 것으로서, 알루미늄을 포함하는 신호선 또는 게이트 패드부와 ITO 등과의 접촉에 의한 산화 및 부식을 방지할 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 액정 표시 장치의 제조 비용 및 시간을 절약하기 위하여 하나의 포토 마스크를 사용하여 반도체 층 패턴과 데이터 층을 패터닝하는 경우, 게이트 층과 동시에 형성되는 유지 전극과 데이터 층과 동시에 형성되어 유지 전극과 중첩하여 유지 축전기를 이루는 두 도전체 사이에도 반도체층이 존재하게 된다. 이처럼 유 지 축전기의 두 도전체 사이에 반도체층이 존재하는 경우 반도체가 유지 전압 등의 전압에 약하게 반응하면서 유지 축전기의 정전 용량을 변화시킬 수 있고, 이에 의하여 액정 표시 장치에 얼룩이 생길 수 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 액정 표시 장치의 제조 비용 및 시간을 절약하면서도 유지 축전기의 두 도전체 사이에 반도체층이 존재하지 않는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 게이트 전극 및 외부 구동 회로와의 연결을 위한 끝부분을 포함하는 게이트선, 상기 기판 위에 형성되어 있고, 상기 게이트선과 동일한 층으로 이루어지며, 유지 전극을 포함하는 유지 전극선, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선의 끝부분을 노출하는 제1 접촉 구멍과 상기 유지 전극을 노출하는 제2 접촉 구멍을 가지는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위의 소정 영역에 형성되어 있는 제1 반도체층, 상기 게이트 절연막 및 상기 제1 반도체층 위에 형성되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선, 상기 소스 전극과 소정 간격을 두고 마주하고 있는 드레인 전극, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트선의 끝부분과 연결되어 있는 제1 도전체, 상기 제2 접촉 구멍을 통해 노출되어 있는 상기 유지 전극을 덮고 있는 제2 도전체, 상기 데이터선, 상기 드레인 전극, 상기 제1 및 제2 도전체 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극을 드러내는 제3 접촉 구멍을 가지는 보호막, 그리고 상기 제3 접촉 구 멍을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함한다.
본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선 및 게이트 구동 회로부의 게이트 신호선, 상기 기판 위에 형성되어 있고, 상기 게이트선과 동일한 층으로 이루어지며, 유지 전극을 포함하는 유지 전극선, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트 구동 회로부의 게이트 신호선을 노출하는 제1 접촉 구멍과 상기 유지 전극을 노출하는 제2 접촉 구멍을 가지는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위의 소정 영역에 형성되어 있는 제1 반도체층, 상기 게이트 절연막 및 상기 제1 반도체층 위에 형성되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선, 상기 소스 전극과 소정 간격을 두고 마주하고 있는 드레인 전극, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트선의 끝부분과 연결되어 있는 제1 도전체, 상기 제2 접촉 구멍으로 노출되어 있는 상기 유지 전극을 덮고 있는 제2 도전체, 상기 데이터선, 상기 드레인 전극, 상기 제1 및 제2 도전체 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극을 드러내는 제3 접촉 구멍을 가지는 보호막, 상기 제3 접촉 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함한다.
상기 제1 도전체는 상기 게이트 구동 회로부의 데이터 신호선을 포함할 수 있다.
상기 보호막은 상기 제1 도전체의 일부를 드러내는 제4 접촉 구멍을 더 가지 고, 상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 보호막 위에 형성되어 있고 상기 제4 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 도전체와 연결되어 있는 접촉 보조 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 게이트선의 끝부분과 상기 제1 도전체 사이에 형성되어 있는 제2 반도체를 더 포함하고, 상기 제2 반도체는 상기 제1 접촉 구멍과 정렬된 제5 접촉 구멍을 가지며, 상기 제1도전체는 상기 제1 및 제5 접촉 구멍을 통하여 노출된 상기 게이트선과 연결될 수 있다.
상기 제2 반도체의 평면 모양은 상기 제5 접촉 구멍을 제외하면 상기 제1 도전체의 평면 모양과 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 제1 반도체는 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극을 따라 연장되며, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극의 평면 모양은 그 아래 놓인 상기 제1 반도체 부분의 평면 모양과 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 게이트선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 제1 도전막을 포함할 수 있다.
상기 게이트선은 상기 제1 도전막 아래에 위치하며 크롬, 몰리브덴, 크롬 합금, 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 제2 도전막을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 접촉 구멍은 상기 유지 전극의 경계를 노출할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 제1 신호선 및 유지 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 신호선 및 상기 유지 전극 위에 게이트 절연막을 적층하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 진성 비정질 규소 층을 적층하는 단계, 상기 비정질 규소층 위에 불순물 비정질 규소층을 적층하는 단계,
상기 불순물 비정질 규소층, 상기 진성 비정질 규소층 및 상기 게이트 절연막을 식각하여 상기 제1 신호선의 일부를 드러내는 제1 접촉 구멍 및 상기 유지 전극을 드러내는 제2 접촉 구멍을 형성하는 단계, 상기 불순물 규소층 위에 도전층을 적층하는 단계, 상기 도전층 위에 위치에 따라 두께가 다른 감광막을 적층하는 단계, 상기 감광막을 마스크로 삼아 상기 도전층, 상기 불순물 비정질 규소층 및 상기 진성 비정질 규소층을 패터닝하여 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 신호선과 연결되는 제1 도전체, 상기 제2 접촉 구멍에 의하여 드러난 유지 전극을 덮는 제2 도전체, 제2 신호선 및 드레인 전극과 그 아래의 접촉 보조 부재 및 반도체를 형성하는 단계, 상기 데이터선, 상기 드레인 전극 및 상기 도전체 위에 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 제3 접촉 구멍을 가지는 보호막을 형성하는 단계, 그리고 상기 보호막 위에 상기 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 감광막 형성 단계는, 상기 감광막을 도포하는 단계, 그리고 투광 영역, 반투광 영역 및 차광 영역을 가지는 마스크를 통하여 상기 감광막을 노광하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 신호선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 제1 도전막을 포함할 수 있다.
상기 제1 신호선은 크롬, 몰리브덴, 크롬 합금, 또는 몰리브덴 합금으로 이 루어지며 상기 제1 도전막의 아래에 위치한 제2 도전막을 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 표시판을 II-II'-II''-II''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 아래로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 게이트 패드(129)를 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며, 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 두 게이트선(121) 중 아래쪽에 가깝다. 유지 전극선을 아래위로 확장된 유지 전극(storage electode)(137)을 포함한다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막, 하부막과 그 위의 상부막을 포함한다. 상부막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항이 낮은 알루미늄(Al)이나 알루미늄-네오디뮴 합금(AlNd)과 같은 알루미늄 합금 따위의 알루미늄 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 하부막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다.
그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금 으로 이루어진 단일막 구조를 가질 수 있다.
도 2에서 게이트 전극(124), 유지 전극선(131) 및 유지 전극(133a, 133b)에 대하여 하부막은 영문자 p를, 상부막은 영문자 q를 도면 부호에 덧붙여 표기하였다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 게이트 패드(129)의 일부와 유지 전극(137) 전체를 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(141, 142)을 가진다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(poly silicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함한다.
반도체(151) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부 재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.
반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30° 내지 80° 정도이다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175) 및 복수의 접촉 매개 부재(interconnection)(178)가 형성되어 있고, 유지 전극(137) 위에는 보강 부재(177)가 형성되어 유지 전극(137)을 덮고 있다. 한편, 유지 전극(137)과 보강 부재(177) 사이에는 반도체층이 존재하지 않는다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 데이터 패드(179)를 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
각 드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주한다. 각 드레인 전극(175)은 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 넓은 끝 부분은 화소 전극(191)와 전기적으로 연결되어 있으며, 막대형 끝 부분은 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있 다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.
접촉 매개 부재(178)는 게이트 절연막(140)의 접촉 구멍(141)을 통하여 드러난 게이트 패드(129)를 덮으며 게이트 패드(129)와 접촉한다.
데이터선(171), 드레인 전극(175), 접촉 매개 부재(178) 및 보강 부재(177)는 크롬, 몰리브덴, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175), 접촉 매개 부재(178) 및 보강 부재(177) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 아래의 반도체(151)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(151)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175), 접촉 매개 부재(178), 보강 부재(177) 및 노출된 반도체(151) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어지며, 표면이 평탄할 수 있다. 무기 절연물의 예로는 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 유기 절연물은 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있으며 그 유전 상수(dielectric constant)는 약 4.0 이하인 것이 바람직하다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(151) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수도 있고, 상부막을 이루는 유기 절연물은 평탄면을 제공할 수 있어서, 보호막(180)의 표면은 평탄할 수 있다.
보호막(180)에는 데이터선(171)의 패드(179)와 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있고, 접촉 매개 부재(178)를 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 다른 표시판(도시하지 않음)의 공통 전극(common electrode)(도시하지 않음)과 함 께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자(도시하지 않음)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(191)과 공통 전극은 축전기[이하 "액정 축전기(liquid crystal capacitor)"라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다.
화소 전극(191)은 유지 전극(137)을 비롯한 유지 전극선(131)과 유지 전극을 덮고 있는 보강 부재(177)와 중첩한다. 화소 전극(191)이 유지 전극(137)을 포함하는 유지 전극선(131)과 중첩하여 이루는 축전기를 유지 축전기(storage capacitor)라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 접촉 매개 부재(178) 및 데이터 패드(179)와 접촉하며 이들을 덮는다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 매개 부재(178) 및 데이터 패드(179)와 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
보강 부재(177)는 알루미늄 계열 금속으로 만들어진 유지 전극(137)을 덮어 보호막(180)과 함께 유지 전극(137)의 노출을 막아 부식을 방지할 수 있다.
접촉 매개 부재(178)는 알루미늄 계열 금속으로 만들어진 게이트 패드(129)와 ITO 또는 IZO와 같은 물질로 만들어진 접촉 보조 부재(181)의 사이에 끼어서 알루미늄 계열 금속과 ITO 등 사이의 접촉 불량, 예를 들면 ITO에 의한 알루미늄의 부식 등이 일어나는 것을 방지한다.
그러면, 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실 시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 3 내지 도 9를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 3, 도 5, 그리고 도 8는 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판을 차례로 도시한 배치도이고, 도 4는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV'-IV''-IV''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 6은 도 5의 박막 트랜지스터 표시판을 VI-VI'-VI''-VI''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 7a 내지 도 7f는 도 5 및 도 6에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 과정을 단계별로 나타낸 단면도이고, 도 9은 도 8의 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX'-IX''-IX''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 절연 기판(110) 위에 크롬, 크롬-질소 합금, 또는 몰리브덴 등으로 이루어진 하부 도전막을 스퍼터링 등으로 적층하고, 그 위에 알루미늄 합금 등으로 이루어진 상부 도전막을 적층한다. 상부 도전막과 하부 도전막을 사진 식각하여 이중막 구조를 가지는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)을 형성한다. 각 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(124) 및 게이트 패드(129)를 포함하고 각 유지 전극선(131)은 복수의 유지 전극(133a, 133b)을 포함한다. 도면에서 하부막은 도면 부호 p를, 상부막은 도면 부호 q를 덧붙여 표기하였다.
다음으로, 도 5 및 도 6을 참조하면, 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 진성 반도체(151), 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항 성 접촉 부재(161)와 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)을 형성함과 동시에 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175), 복수의 보강 부재(177) 및 복수의 접촉 매개 부재(178)를 형성한다. 게이트 절연막(140)에는 게이트 패드(129)를 드러내는 접촉 구멍(141) 및 유지 전극(137)을 드러내는 접촉 구멍(142)이 형성된다.
그러면, 도 7a 내지 도 7f를 참고로 하여, 도 5 및 도 6에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 7a에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(150) 및 불순물 비정질 규소층(160)을 화학 기상 증착 등으로 연속하여 적층한다. 그 후, 도 7b에서와 같이, 불순물 비정질 규소층(160), 진성 비정질 규소층(150) 및 게이트 절연막(140)을 식각하여 게이트 패드(129)를 노출하는 복수의 접촉 구멍(141) 및 유지 전극(137) 전체를 노출하는 복수의 접촉 구멍(142)을 형성한다.
다음으로, 도 7c에 도시한 바와 같이, 스퍼터링 등의 방법으로 데이터 도전층(170)을 적층한 후, 도 7d에 도시한 바와 같이, 데이터 도전층(170) 위에 감광막(400)을 도포하고, 노광 마스크(60)를 통하여 감광막(400)에 빛을 조사한 후 현상하여 도 7e에 도시한 바와 같이 감광막 패턴(410)을 형성한다.
도 7d의 위쪽에 이러한 사진 공정에 사용되는 노광 마스크(60)의 한 예가 도시되어 있다.
노광 마스크(60)는 기판(61)과 그 위에 형성되어 있는 불투명 부재(62)를 포함한다. 노광 마스크(60)와 기판(110)은 노광 마스크(60) 상의 불투명 부재(62)의 분포 정도에 따라 투광 영역(A), 반투광 영역(B) 및 차광 영역(C)으로 나눌 수 있다.
반투광 영역(B)에는 소정 값, 예를 들면 노광기의 분해능 이하의 너비를 가진 불투명 부재(62)가 소정 값 이하의 간격으로 배치되어 있으며 이를 슬릿(slit) 패턴이라 한다. 투광 영역(A)은 불투명 부재(62)가 전혀 없는 영역으로서 소정 값 이상의 너비를 가지며, 차광 영역(C)은 전체에 걸쳐 불투명 부재(62)로 덮여 있는 영역으로서 역시 소정 값 이상의 너비를 가진다.
반투광 영역(B)에 슬릿(slit) 패턴을 두는 대신 격자(lattice) 패턴 또는 투과율이 중간이거나 두께가 중간인 박막이 구비될 수도 있다.
도 7e에 도시한 바와 같이, 노광 마스크(60)를 통하여 감광막(400)에 빛을 조사한 후 현상하면, 현상된 감광막(400)의 두께는 위치에 따라 다른데, 투광 영역(A)에 위치한 감광막(400) 부분은 모두 제거되고, 반투광 영역(B)에 위치한 감광막(400) 부분의 두께는 감소하고, 차광 영역(C)에서는 현상된 후에도 감광막(400) 부분의 두께가 거의 줄지 않는다.
이 때, 반투광 영역(B)와 차광 영역(C)에서의 감광막(400)의 두께의 비는 후속 공정에서의 공정 조건에 따라 다를 수 있는데, 반투광 영역(B)에서의 두께를 차광 영역(C)에서의 두께의 1/2 이하로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이 감광막의 두께를 달리하는 방법의 다른 예로는 리플로우(reflow)가 가능한 감광막을 사용하는 것이다. 즉, 투광 영역과 차광 영역만을 지닌 통상의 마스크로 리플로우 가능한 감광막을 형성한 다음 리플로우시켜 감광막이 잔류하 지 않은 영역으로 흘러내리도록 함으로써 얇은 부분을 형성한다.
도 7f를 참조하면, 감광막(410)을 식각 마스크로 하여, 투광 영역(A)에서 노출되어 있는 데이터 금속층(170) 부분을 식각하여 제거함으로써, 복수의 데이터 도전체(174), 복수의 보강 부재(177) 및 복수의 접촉 매개 부재(178)를 형성한다. 이어, 투광 영역(A)에 노출되어 있는 불순물 비정질 규소층(160) 부분 및 진성 비정질 규소층(150) 부분을 식각하여 제거하여 돌출부(164)를 포함하는 선형 불순물 반도체(161) 및 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 (진성) 반도체(151)를 형성한다.
이어서, 도 7g에 도시한 바와 같이, 감광막(410)을 애싱(ashing)하여, 반투광 영역(B)에 남아 있는 감광막(410) 부분을 제거하고, 차광 영역(C)에 배치되어 있는 감광막(410) 부분의 높이를 감소시킨다.
그 후, 차광 영역(C)에 남아 있는 감광막(410) 부분을 식각 마스크로 하여, 데이터 도전체(174)를 식각하여, 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171)과 복수의 드레인 전극(175)을 형성함과 동시에, 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 선형 불순물 반도체(164)를 노출한다.
마지막으로, 노출된 선형 불순물 반도체(164) 부분을 제거함으로써, 도 6에 도시한 바와 같이, 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 불순물 반도체(161)와 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)를 완성한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 보호막(180)을 증착한 후, 사진 식각하여, 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)을 형성한다.
마지막으로, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 복수의 화소 전극(191), 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)를 형성한다.
이제, 도 10을 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이다.
도 10에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 표시판 조립체(300), 조립체(300)와 연결된 데이터 구동부(500), 데이터 구동부(500)에 연결된 계조 전압 생성부(도시하지 않음), 그리고 조립체(300) 및 데이터 구동부(500)를 제어하는 신호 제어부(도시하지 않음) 등을 포함한다.
액정 표시판 조립체(300)는 서로 마주 보는 박막 트랜지스터 표시판(도시하지 않음)과 공통 전극 표시판(도시하지 않음) 및 두 표시판 사이의 액정층을 포함한다. 박막 트랜지스터 표시판은 영상 표시와 직접 관련된 표시 영역(DA)과 게이트 구동부와 관련된 구동 영역(CA)을 포함한다.
표시 영역(DA)에는 복수의 게이트선(G1-Gn), 복수의 데이터선(D1-Dm), 복수의 유지 전극선(도시하지 않음), 복수의 화소 전극(도시하지 않음) 및 복수의 박막 트랜지스터 등이 형성되어 있다.
구동 영역(CA)에는 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동부 및 외부로부터의 각종 신호를 게이트 구동부에 전달하는 복수의 신호 전달선(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 게이트 구동부는 차례로 연결된 복수의 스테이지(도시하지 않음)를 포함하는 시프트 레지스터일 수 있다.
그러면 도 11 내지 도 13을 참고로 하여 도 10에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판의 한 예에 대하여 상세하게 설명한다.
도 11는 도 10에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 표시 영역의 일부를 도시한 배치도의 한 예이고, 도 12은 도 10에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 구동 영역의 일부를 도시한 배치도의 한 예이고, 도 13은 도 11 및 도 12의 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII'-XIII''-XIII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
표시부(DA)는 도 1 및 도 2에 도시한 것과 유사한 적층 구조를 가지므로, 구동 영역(CA)를 중심으로 하여 상세하게 설명한다.
도 12를 참고하면, 구동 영역(CA)에는 게이트 신호를 생성하는 복수의 회로부(610)(시프트 레지스터의 한 스테이지에 대응)와 회로부(610)에 각종 신호를 전달하는 복수의 신호 전달선(signal transmission line)이 형성되어 있다. 회로부(610)는 복수의 박막 트랜지스터(도시하지 않음)와 이들을 서로 연결하거나 신호 전달선과 연결하는 복수의 연결선(도시하지 않음)을 포함한다.
그러면, 이러한 박막 트랜지스터 표시판의 구체적인 층상 구조에 대하여 상세하게 설명한다.
절연 기판(110) 위에 표시 영역(DA)의 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)과 구동 영역(CA)의 복수의 게이트층 신호 전달선(gate-layer signal transmission line)(125, 126, 127, 128)이 형성되어 있다.
각 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(124)을 포함하며, 구동 영역(CA)으 로 연장되어 회로부(610)와 직접 연결되므로 게이트 패드가 따로 없다.
게이트층 신호 전달선(125-128)은 회로부(610)를 구동하는 데 필요하며 외부에서 들어 오는 전압 등의 각종 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 있다.
게이트선(121), 유지 전극선(131) 및 게이트층 신호 전달선(125-128)은 도 1 및 도 2에서와 같이 하부막과 그 위의 상부막을 포함하는 이중막 구조를 가진다. 도 13에서 각 부분의 하부막과 상부막에 대하여 각각 도면 부호 p, q를 덧붙여 표기하였다.
게이트선(121), 유지 전극선(131) 및 게이트층 신호 전달선(125-128) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)에는 게이트층 신호 전달선(125, 127, 128)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(142a, 142b, 142c)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위, 표시 영역(DA)에는 돌출부(projection)(154)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151)와 형성되어 있고, 그 위에는 돌출부(163)을 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 형성되어 있다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 표시 영역(DA)의 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175) 및 보강 부재(177)와 구동 영역(CA)의 복수의 데이터층 신호 전달선(data-layer signal transmission line)(172a, 172b, 172c)이 형성되어 있다.
각 데이터선(171)은 복수의 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함한 다.
데이터층 신호 전달선(172a-172c)은 게이트층 신호 전달선(125-128)과 마찬가지로 회로부(610)를 구동하는 데 필요하며 외부에서 들어 오는 전압 등의 각종 신호를 전달하며, 주로 세로 방향으로 뻗어 있다. 데이터층 신호 전달선(172a-172c)은 접촉 구멍(142a-142c)을 향해 뻗어 접촉 구멍(142a-142c)을 통하여 게이트층 신호 전달선(125, 127, 128)과 연결되어 있는 복수의 돌출부(172a1, 172b1, 172c1)를 포함한다. 일부 데이터층 신호 전달선(172a, 172b)은 회로부(610)를 향하여 뻗어 회로부(610)와 연결되는 복수의 연장부(172a2, 172b2)를 포함한다.
데이터선(171), 드레인 전극(175), 데이터층 신호 전달선(172a-172c) 및 노출된 반도체(151) 부분 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)에는 데이터 패드(179)와 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(182, 185)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191), 복수의 연결 다리(84) 및 복수의 접촉 보조 부재(82)가 형성되어 있다.
앞서 설명하였듯이, 회로부(610) 내에는 박막 트랜지스터와 연결선 등이 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터는 표시 영역(DA)의 박막 트랜지스터와 실질적으로 동일한 층상 구조를 가질 수 있고, 연결선은 게이트선(121) 또는 데이터선(171)과 동일한 층으로 만들어질 수 있다. 게이트층 연결선과 데이터층 연결선은 게이트 절연막(140)에 뚫린 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통하여 서로 연결될 수 있다.
이와 같이 게이트층 신호 전달선(125, 127, 128)과 데이터층 신호 전달 선(172a-177c)이 화소 전극(191)과 같은 물질로 만들어진 별개의 연결 부재를 통하지 않고 접촉 구멍(181a, 181b, 181c)을 통하여 직접 연결되기 때문에, ITO 또는 IZO와 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 직접 접촉으로 인한 불량이 생기지 않는다.
본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터의 제조 방법과 유사하다. 따라서 도 3 내지 도 9에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법의 여러 가지 특징들이 도 11 내지 도 13에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 데에도 적용될 수 있다.
또한, 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 여러 가지 특징들이 도 11 내지 도 13에 도시한 박막 트랜지스터 표시판에도 적용될 수 있다.
이와 같이, 접촉 구멍을 통하여 드러난 알루미늄 계열 금속의 게이트 패드 또는 게이트층 신호 전달선을 데이터선과 동일한 물질로 만들어지는 접촉 매개 부재로 덮어 보호하거나, 데이터층 신호 전달선과 직접 연결함으로써, ITO 또는 IZO와 알루미늄 계열 금속이 직접 접촉하는 것을 방지하여, 직접 접촉에 의한 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 반도체와 접촉 보조 부재 및 데이터선 등을 하나의 마스크를 사용하여 패터닝함과 동시에, 유지 전극을 보강 부재로 덮어 보호하며 유지 전극의 두 도전체 사이에 반도체층을 제거함으로써, 박막 트랜지스터 표시판의 제조 비용을 감소함과 동시에 유지 전극의 성능 저하를 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발 명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (14)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며, 게이트 전극 및 외부 구동 회로와의 연결을 위한 끝부분을 포함하는 게이트선,
    상기 기판 위에 형성되어 있고, 상기 게이트선과 동일한 층으로 이루어지며, 유지 전극을 포함하는 유지 전극선,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선의 끝부분을 노출하는 제1 접촉 구멍과 상기 유지 전극을 노출하는 제2 접촉 구멍을 가지는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위의 소정 영역에 형성되어 있는 제1 반도체층,
    상기 게이트 절연막 및 상기 제1 반도체층 위에 형성되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선,
    상기 소스 전극과 소정 간격을 두고 마주하고 있는 드레인 전극,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트선의 끝부분과 연결되어 있는 제1 도전체,
    상기 제2 접촉 구멍을 통해 노출되어 있는 상기 유지 전극을 덮고 있는 제2 도전체,
    상기 데이터선, 상기 드레인 전극, 상기 제1 및 제2 도전체 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극을 드러내는 제3 접촉 구멍을 가지는 보호막,
    상기 제3 접촉 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  2. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선 및 게이트 구동 회로부의 게이트 신호선,
    상기 기판 위에 형성되어 있고, 상기 게이트선과 동일한 층으로 이루어지며, 유지 전극을 포함하는 유지 전극선,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트 구동 회로부의 게이트 신호선을 노출하는 제1 접촉 구멍과 상기 유지 전극을 노출하는 제2 접촉 구멍을 가지는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위의 소정 영역에 형성되어 있는 제1 반도체층,
    상기 게이트 절연막 및 상기 제1 반도체층 위에 형성되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선,
    상기 소스 전극과 소정 간격을 두고 마주하고 있는 드레인 전극,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트선의 끝부분과 연결되어 있는 제1 도전체,
    상기 제2 접촉 구멍으로 노출되어 있는 상기 유지 전극을 덮고 있는 제2 도전체,
    상기 데이터선, 상기 드레인 전극, 상기 제1 및 제2 도전체 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극을 드러내는 제3 접촉 구멍을 가지는 보호막,
    상기 제3 접촉 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 도전체는 상기 게이트 구동 회로부의 데이터 신호선을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  4. 제1항에서,
    상기 보호막은 상기 제1 도전체의 일부를 드러내는 제4 접촉 구멍을 더 가지고,
    상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 보호막 위에 형성되어 있고 상기 제4 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 도전체와 연결되어 있는 접촉 보조 부재를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  5. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 게이트선의 끝부분과 상기 제1 도전체 사이에 형성되어 있는 제2 반도체를 더 포함하고,
    상기 제2 반도체는 상기 제1 접촉 구멍과 정렬된 제5 접촉 구멍을 가지며,
    상기 제1도전체는 상기 제1 및 제5 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트선의 끝부분 또는 상기 게이트 신호선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.
  6. 제5항에서,
    상기 제2 반도체의 평면 모양은 상기 제5 접촉 구멍을 제외하면 상기 제1 도전체의 평면 모양과 실질적으로 동일한 박막 트랜지스터 표시판.
  7. 제6항에서,
    상기 제1 반도체는 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극을 따라 연장되며, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극의 평면 모양은 그 아래 놓인 상기 제1 반도체 부분의 평면 모양과 실질적으로 동일한 박막 트랜지스터 표시판.
  8. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 게이트선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 제1 도전막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  9. 제8항에서,
    상기 게이트선은 상기 제1 도전막 아래에 위치하며 크롬, 몰리브덴, 크롬 합금, 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 제2 도전막을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  10. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 제2 접촉 구멍은 상기 유지 전극의 경계를 노출하는 박막 트랜지스터 표시판.
  11. 기판 위에 제1 신호선 및 유지 전극을 형성하는 단계,
    상기 제1 신호선 및 상기 유지 전극 위에 게이트 절연막을 적층하는 단계,
    상기 게이트 절연막 위에 진성 비정질 규소층을 적층하는 단계,
    상기 비정질 규소층 위에 불순물 비정질 규소층을 적층하는 단계,
    상기 불순물 비정질 규소층, 상기 진성 비정질 규소층 및 상기 게이트 절연막을 식각하여 상기 제1 신호선의 일부를 드러내는 제1 접촉 구멍 및 상기 유지 전극을 드러내는 제2 접촉 구멍을 형성하는 단계,
    상기 불순물 규소층 위에 도전층을 적층하는 단계,
    상기 도전층 위에 위치에 따라 두께가 다른 감광막을 적층하는 단계,
    상기 감광막을 마스크로 삼아 상기 도전층, 상기 불순물 비정질 규소층 및 상기 진성 비정질 규소층을 패터닝하여 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 신호선과 연결되는 제1 도전체, 상기 제2 접촉 구멍에 의하여 드러난 유지 전극을 덮는 제2 도전체, 제2 신호선 및 드레인 전극과 그 아래의 접촉 보조 부재 및 반도체를 형성하는 단계,
    상기 데이터선, 상기 드레인 전극 및 상기 도전체 위에 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 제3 접촉 구멍을 가지는 보호막을 형성하는 단계, 그리고
    상기 보호막 위에 상기 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되 는 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 감광막 형성 단계는,
    상기 감광막을 도포하는 단계, 그리고
    투광 영역, 반투광 영역 및 차광 영역을 가지는 마스크를 통하여 상기 감광막을 노광하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 제1 신호선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 제1 도전막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 제1 신호선은 크롬, 몰리브덴, 크롬 합금, 또는 몰리브덴 합금으로 이루어지며 상기 제1 도전막의 아래에 위치한 제2 도전막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
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