KR20080008274A - 양극 접합 장치 - Google Patents

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KR20080008274A
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다카요시 미즈노
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신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 도전성 기판과 유리 기판을 포함하는 적층물을 접합하는 양극 접합 장치를 제공하며, 상기 양극 접합 장치는, 감압 가능한 컨테이너; 상기 적층물과 접촉 및 분리하도록, 상기 컨테이너에 배치되고 수직 방향으로 이동 가능한 방식으로 구성된 상부 전극; 및 하부 전극을 포함하고, 상기 상부 전극은, 본체부; 상기 적층물과 접촉하는 도전성 금속 박판; 및 상기 본체부와 상기 도전성 금속 박판 사이에 형성되고, 유체가 공급되고 배출되는 공간부를 포함하고, 상기 도전성 금속 박판은, 상기 공간부와 상기 컨테이너의 내부 사이의 압력차에 기초하여 변형할 수 있는 격막 구조를 가지며, 상기 도전성 금속 박판은, 상기 공간부가 상기 컨테이너의 내부보다 더 높은 압력인 경우, 상기 적층물의 방향으로 볼록 형태로 팽창하도록 상기 본체부에 위치하고, 상기 도전성 기판과 유리 기판은, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 상기 적층물을 개재하고; 상기 적층물을 가열하고; 상기 도전성 기판이 양극이고 상기 유리 기판이 음극이 되도록 상기 적층물에 직류 전압을 인가함으로써 접합된다.
도전성 기판, 유리 기판, 컨테이너, 도전성 금속 박판, 상부·하부 전극

Description

양극 접합 장치{ANODIC BONDING APPARATUS}
본 발명은 양극 접합 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 수직 방향으로 적층되어, 감압 가능한 컨테이너에서 가열되는 도전성 기판과 유리 기판의 적층물이 상부 전극과 하부 전극 사이에 개재되고, 도전성 기판이 양극이 되고 유리 기판이 음극이 되도록 직류 전압을 인가함으로써 도전성 기판과 유리 기판을 접합하는 양극 접합 장치에 관한 것이다.
양극 접합은 접착제, 땜납 등을 사용하지 않고도 대상물을 서로 직접 접촉시켜 접합함으로써 대상물을 접합하는 기술이다. 실리콘 웨이퍼와 같은 도전성 기판과 유리 기판을 접합하는데 광범위하게 적용된다. 특히, 기계적 특성, 처리 능력 등에 있어서 우수한 실리콘, 및 실리콘의 열팽창률과 거의 동일한 붕규산 유리의 조합에 매우 자주 적용된다. 이렇게, 양극 접합은 반도체 센서나 반도체 액츄에이터와 같은 반도체 장치의 중요한 제조 기술이 된다. 반도체와 붕규산 유리의 조합에 대해서는, 다음의 방법이 일반적이다. 접합될 기판을 서로 적층하고, 약 300~400℃로 가열하여 이 온도를 유지한다. 그 후, 유리 기판이 음전위로 설정되고, 실리콘 웨이퍼가 양전위로 설정되며, 약 500~600V의 직류 전압을 인가함으로써 양 기판을 접합한다.
이렇게 양극 접합에 의해 제조된 반도체 장치는 주로 정밀 장비에 사용된다. 이 때문에, 상기 반도체 장치는 제품으로서의 신뢰성이 특별히 요구된다. 그러나, 양극 접합에 의하면, 통상적으로 접합되지 않은 부분(공극)이 원하지 않게 발생할 수 있다. 공극을 포함하는 제품은 결함이 있는 제품으로서 장비의 신뢰성을 저하한다. 따라서, 공극의 발생을 어떻게 방지하느냐 하는 것은 큰 문제가 된다.
실리콘 웨이퍼와 유리 기판과 같은 도전성 기판을 양극 접합함에 있어서, 공극의 발생을 방지할 수 있는 종래의 양극 접합 장치로는, 참고문헌1에서 설명되고 도 4A에 나타낸 양극 접합 장치(101)가 제안된다.
종래의 예는 다음과 같이 구성된다. 도 4B는 원통형 전극의 주면의 상면도이다. 원통형 전극(111)은 도 4B에 나타낸 암(116,116')에 회전 가능하게 탑재되고, 나사 반동 스프링(screw recoil spring)(122)에 의해 유리 기판(109)에 대향하여 계속적으로 가압된다. 따라서, 원통형 전극(111)은 실리콘 웨이퍼(108)와 유리 기판(109)이 모터(110)의 구동에 의해 차례로 적층되는 가장자리로부터 이동함으로써, 접합 면적이 연속적으로 확대된다.
그러나, 이 종래의 예에서, 양극 접합은 대기 중에서 행해진다. 그러므로, 원하지 않게, 공극의 발생을 야기하는 요인들 중 하나인 공기가 접합 표면으로 유입될 수도 있다.
한편, 본 출원의 출원인에 의해 통상적으로 수행되는 실시예로서는, 도 5에 나타낸 양극 접합 장치(51)가 있다.
양극 접합 장치(51)는 다음과 같이 구성된다. 컨테이너(52)의 안쪽을 진공으로 만든다. 따라서, 컨테이너(52)에 설치된 상부 전극(61)과 하부 전극(60)에 의해, 도전성 기판(53)과 유리 기판(54) 사이에 전위가 야기되고, 양극 접합이 진공 상태에서 수행된다. 그러므로, 양극 접합 장치(51)는 공극을 야기하는 공기를 배제할 수 있다는 점에서 매우 효과적이다.
또한, 돌출 소(小)전극(72)은 상부 전극(61)의 접촉판(62)의 중앙부에 배치된다. 먼저, 이 돌출 소전극(72)을 도전성 기판(53)과 유리 기판(54)의 적층물의 중앙부와 접촉하게 하여 상기 영역의 접합을 수행한다. 그 후, 상부 전극(61)이 더 하향 이동하여 기판의 전체 표면의 접합을 수행한다. 따라서, 기판의 중앙부로부터 외주로 공극을 야기할 수 있는 공기를 제거하면서 상기 영역의 접합을 행할 수 있게 된다.
[참고문헌1] JP-A-8-330200
그러나, 도 5에 나타낸 종래의 양극 접합 장치(51)를 사용한 양극 접합에 의해 접촉판(62)과 기판(54)이 고정밀도로 상호 병렬로 설치되지 않는다면, 원하지 않게, 접촉판(62)이 기판(54)과 부분적으로 접촉하게 된다. 상기 부분적 접촉은 기판(54)의 파손을 야기하고, 또한 공극의 발생을 야기할 수 있다. 이 때문에, 이러한 부분적 접촉의 방지가 문제된다.
본 발명은 양극 접합에 있어서, 수직 방향으로 적층되고 감압 가능한 컨테이너에서 가열된 도전성 기판과 유리 기판의 적층물이 상부 전극과 하부 전극 사이에 개재되고, 도전성 기판이 양극이 되고 유리 기판이 음극이 되도록 직류 전압이 이들 전극에 인가되어, 도전성 기판과 유리 기판이 접합됨으로써, 공기의 유입에 기인하는 공극의 발생을 방지하고, 접합될 기판의 파손 및 상부 전극의 부분적 접촉에 기인하는 공극의 발생을 방지하는 양극 접합 장치를 제공한다.
본 발명은 주로 다음의 항목에 관한 것이다.
1. 도전성 기판과 유리 기판을 포함하는 적층물을 접합하는 양극 접합 장치로서, 상기 양극 접합 장치는, 감압 가능한 컨테이너; 상기 적층물과 접촉 및 분리하도록, 상기 컨테이너에 배치되고 수직 방향으로 이동 가능한 방식으로 구성된 상부 전극; 및 하부 전극을 포함하고, 상기 상부 전극은, 본체부; 상기 적층물과 접촉하는 도전성 금속 박판; 및 상기 본체부와 상기 도전성 금속 박판 사이에 형성되고, 유체가 공급되고 배출되는 공간부를 포함하고, 상기 도전성 금속 박판은, 상기 공간부와 상기 컨테이너의 내부 사이의 압력차에 기초하여 변형할 수 있는 격막 구조를 가지며, 상기 도전성 금속 박판은, 상기 공간부가 상기 컨테이너의 내부보다 더 높은 압력인 경우, 상기 적층물의 방향으로 볼록 형태로 팽창하도록 상기 본체부에 위치하고, 상기 도전성 기판과 유리 기판은, 상기 상부 전극과 상기 하부 전 극 사이에 상기 적층물을 개재하고; 상기 적층물을 가열하고; 상기 도전성 기판이 양극이고 상기 유리 기판이 음극이 되도록 상기 적층물에 직류 전압을 인가함으로써 접합되는 양극 접합 장치.
2. 제 1 항목에 있어서, 상기 도전성 금속 박판은, 상기 도전성 금속 박판이 상기 적층물의 방향으로 볼록 형태로 팽창하는 경우, 팽창부의 정점이 상기 적층물의 중앙부 부근에 정합하도록, 상기 본체부에 위치하는 양극 접합 장치.
3. 제 1 또는 2 항목에 있어서, 상기 공간부로부터 유체가 공급 및 배출되는 통로 내의 한 지점에 공기압 조절기가 배치된 양극 접합 장치.
4. 제 1 내지 3 항목 중 어느 하나에 있어서, 상기 도전성 금속 박판은 스테인리스강 합금 박판인 양극 접합 장치.
5. 도전성 기판과 유리 기판을 포함하는 적층물을 접합하는 양극 접합 장치로서, 상기 양극 접합 장치는, 감압 가능한 컨테이너; 상기 적층물과 접촉 및 분리하도록, 상기 컨테이너에 배치되고 수직 방향으로 이동 가능한 방식으로 구성된 상부 전극; 및 하부 전극을 포함하고, 상기 상부 전극은, 상기 적층물의 방향으로 형성된 개구부를 포함하는 본체부; 상기 본체부에 수용되고, 상기 적층물의 방향으로 바이어스 부재에 의해 바이어스된 접촉판; 및 상기 접촉판의 적층물측 상의 중앙부에 배치된 소(小)전극을 포함하고, 상기 소전극은 상기 적층물 방향으로 돌출하고, 상기 소전극이 상기 적층물과 접촉하는 경우, 상기 본체부의 내측 방향으로 수축 가능하게 배치되고, 상기 도전성 기판과 유리 기판은, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 상기 적층물을 개재하고; 상기 적층물을 가열하고; 상기 도전성 기판 이 양극이고 상기 유리 기판이 음극이 되도록 상기 적층물에 직류 전압을 인가함으로써 접합되는 양극 접합 장치.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따르면, 공극을 야기할 수 있는 공기를 도전성 기판과 유리 기판의 적층물의 중앙부로부터 외주를 향하여 제거하면서 연속적으로 양극 접합을 행할 수 있게 된다.
또한, 상부 전극의 부분적 접촉을 막을 수 있다. 결과적으로, 기판의 파손과 공극의 발생과 같은 문제를 해결할 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 다른 실시예에 따르면, 도전성 금속 박판의 볼록 형태로 팽창된 정점이 도전성 기판과 유리 기판의 적층물의 중앙부와 정합된다. 결과적으로, 동심원 모양으로 공극을 야기할 수 있는 공기를 중앙부로부터 외주를 향하여 제거하면서 양극 접합을 행할 수 있게 된다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따르면, 공기 조절기의 감압 조절은 상부 전극의 공간부의 압력을 감소시킬 수 있다.
반면, 도전성 금속 박판이 일반 구(球)형상으로 변형되지 않는 경우에는 상부 전극의 공간부에 단지 공기압만을 가함으로써, 또는 그 외의 경우에는 상부 전극의 공간부의 압력을 공기압 이상으로 증가시킴으로써, 도전성 금속 박판을 원하는 형태로 변형할 수 있다.
또한, 컨테이너 내의 압력과 상부 전극의 공간부의 압력 간의 압력차를 제어함으로써 적층물에 대한 압력을 제어할 수 있게 된다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따르면, 도전성 금속 박판은 탄성 변형 가능한 격막 구조로 상부 전극을 형성하고, 도전성을 갖는 것이 바람직하다. 이 때문에, 스테인리스강 합금의 박판을 채용하는 것이 효과적이다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따르면, 공극을 야기시킬 수 있는 공기를 도전성 기판과 유리 기판의 적층물 중앙부로부터 외주를 향하여 제거하면서, 단계적으로 양극 접합을 행할 수 있게 된다.
또한, 상부 전극의 부분적 접촉을 막는 것이 가능하다. 결과적으로, 기판의 파손과 공극의 발생과 같은 문제를 해결할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 몇몇 측면의 다른 이점과 효과는 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시예에 의해 본 발명을 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양극 접합 장치(1)의 예를 나타내는 개략도이다. 도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양극 접합 장치의 예를 나타내는 개략도이다. 도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 양극 접합 장치의 예를 나타내는 개략도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 양극 접합 장치(1)는 컨테이너(2) 내에 설치된 상부 전극(11)과 하부 전극(10)을 포함한다. 상부 전극(11)과 하부 전극(10)은 컨테이너(2) 내에 설치된다. 상부 전극(11)과 하부 전극(10)은 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)에 전위를 야기하게 된다.
도전성 기판(3)과 유리 기판(4)은 수직 방향으로 차례로 적층되어, 하부 전극(10) 상에 설치된다. 예를 들면, 하부 전극(10)측 상에 도전성 기판(3)이 설치되고, 상부 전극(11)측 상에 유리 기판이 설치된다. 이 경우, 하부 전극(10)은 양전위로 설정되고, 상부 전극(11)은 음전위로 설정된다. 따라서, 다른 전위가 각 기판에 생성된다.
또한, 다음과 같은 방식이 채용될 수도 있음을 쉽게 이해할 수 있다. 하부 전극(10)측 상에 유리 기판(4)이 설치되고, 상부 전극(11)측 상에 도전성 기판(3)이 설치된다. 따라서, 하부 전극(10)은 음전위로 설정되고, 상부 전극(11)은 양전위로 설정된다.
상부 전극(11)은 구동 장치(23)에 접속되어, 컨테이너(2) 내에서 수직 방향으로 이동 가능하게 배치된다. 구동 장치(23)는 상부 전극(11)을 이동시키는 구동력을 생성한다. 구동 장치(23)로는, 예를 들면, 볼 나사(ball screw)가 이용된다.
구동 장치(23)를 동작할 때, 상부 전극(11)이 수직 하향으로 이동하여 유리 기판(4)과 접촉할 수 있다. 또한, 이동량은 연속적으로 조절가능하다.
또한, 상부 전극(11) 대신에, 또는 상부 전극(11)과 함께, 하부 전극(10)이 컨테이너(2) 내에서 수직 방향으로 이동 가능하게 배치될 수 있다.
상부 전극(11)의 하면에는 유리 기판(4)과 접촉하게 되는 도전성 금속 박판(12)이 설치된다. 일반적으로, 기판은 원형이다. 그러므로, 예를 들면, 도전성 금속 박판(12)도 또한 원형과 유사하게 구성된다. 일반적으로, 도전성 금속 박판(12)의 외부 직경은 양극 접합되는 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)의 외부 직경 보다 더 크다. 그러나, 접촉 면적보다 더 넓은 면적의 접합이 가능하다. 그러므로, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)의 외부 직경보다 더 작은 외부 직경이 접합 상태에 따라 채용될 수 있다.
도전성 금속 박판(12)의 외주는 지지부(14)에 전체적으로 용접된다. 지지부(14)는 본체부(13)에 접합된다. 결과적으로, 상부 전극(11)은 도 1에 나타낸 바와 같은 격막 구조(diaphragm structure)로 형성된다.
여기서, 도전성 금속 박판(12)은 탄성 변형이 가능하고 도전성이 있는 재료일 것이 요구된다. 예를 들면, 약 0.5㎜ 이상의 두께를 갖는 스테인리스강 합금의 박판이 채용된다. 두께는 특별히 제한되지 않는다. 그러나, 두께가 너무 작은 경우, 컨테이너(2)의 내측이 진공일 때의 압력차에 의해 파열이 야기될 가능성이 있다. 반면, 두께가 너무 두꺼운 경우, 컨테이너(2)의 내측이 진공으로 되더라도, 도전성 금속 박판(12)은 구와 유사한 형상으로 변형될 수 없다. 그러므로, 두께는 본 발명의 효과를 거두기에 적합한 두께로 설정된다.
한편, 도전성 금속 박판(12)용 재료는 스테인리스강 합금이었다. 그러나, 알루미늄 합금과 같은 다른 금속이 채용될 수 있다. 그러나, 강철 재료의 사용은 진공 상태하에서 분리되어 침전되는 탄소를 야기한다. 이 때문에, 접합을 행하기 위해 컨테이너(2)의 내측이 진공으로 되는 경우, 강철 재료는 도전성 금속 박판(12)용 재료로서 적합하지 않다.
본체부(13)에, 유체 공급 및 배출 통로(21)가 접속된다. 유체 공급 및 배출 통로(21)는 컨테이너(2) 내측의 별도의 폐쇄 조건의 손실 없이 컨테이너의 외측과 연통하는 상부 전극(11)의 공간부(15)를 야기한다. 유체 공급 및 배출 통로(21)의 통로 전부 또는 일부는 벨로우즈 구조(bellows structure)(22)가 채용된다. 이는 상부 전극(11)이 수직 방향으로 이동하더라도 유체가 공급되고 배출되는 통로를 확보해준다. 그런데, 통로 확보용 장치는 벨로우즈 구조(22)에 제한되는 것은 아니다. 유연한 파이프 등을 사용한 구성도 또한 채용될 수 있다.
유체 공급 및 배출 통로(21)를 포함하고 격막 구조가 되도록 구성된 상부 전극(11)은 다음의 동작 원리를 갖는다. 컨테이너(2) 내의 압력과 컨테이너 외측의 공기와 연통하는 상부 전극(11)의 공간부(15)의 공기압 간의 압력차는, 컨테이너(2) 내의 공기압이 감소하면서, 증가한다. 공간부(15) 내부의 압력에 의해, 도전성 금속 박판(12)은 도 1에 나타낸 바와 같이 유리 기판(4)에 매우 근접하는 중앙부를 갖는 통상적인 구형으로 변형된다.
본 발명의 실시예에 따른 양극 접합 장치(1)는 상기한 바와 같이 구성된다. 또한, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)이 상호 양극 접합된다. 먼저, 컨테이너(2)의 내측은 압력이 감소하여 진공으로 된다. 여기서 언급되는 "진공"이라는 용어는 완전한 진공 상태에 제한되는 것은 아니다. 컨테이너(2)의 내측의 감압에 의해 유리 기판(4)에 가장 근접하는 도전성 금속 박판(12)의 하면의 중앙부를 갖는 통상적인 구형으로 변형된 상부 전극(11)이 하향 이동하는 경우, 유리 기판(4)의 중앙부와의 접촉은 점 접촉에 의해 개시된다. 이러한 접촉에 의해, 상부 전극(11)은 유리 기판(4) 상에 음전위를 생성하고, 하부 전극(10)은 도전성 기판(3) 상에 양전위를 생성한다. 따라서, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4) 간의 접합이 개시된다. 인 가 전압은, 예를 들면 600V의 직류 전압이다.
이 단계에서, 도전성 금속 박판(12)은 본체부에 위치하므로, 도전성 금속 박판(12)이 적층물의 방향으로 볼록 형태로 팽창하는 경우, 팽창부의 정점은 적층물의 중앙부 부근에 정합하게 된다. 결과적으로, 기판 중앙으로부터 기판의 외주 방향으로 동심으로 공기를 제거하면서 도전성 기판(3)과 유리 기판(4) 간의 접합을 행할 수 있게 된다.
양극 접합에 의하면, 일반적으로 접촉 면적보다 약간 큰 면적이 접합하게 된다. 접합의 종료시, 인가 전류는 감소한다. 그러므로, 인가 전류를 감소하면서 접촉 면적을 서서히 증가시킴으로써, 공극의 발생이 방지되고, 전체 표면의 균일한 접합이 가능하게 된다. 상기 장치가 연속적으로 접촉 면적 조절을 수행할 수 있다는 점도 또한 본 발명의 실시예에 따른 장치의 이점이다.
따라서, 컨테이너(2) 내측의 진공으로의 감압은 컨테이너(2) 외측에 공극의 발생을 야기하는 공기를 제거할 수 있는 효과를 가져온다. 또한, 격막 구조로 형성된 상부 전극(11)의 공간부(15) 내측의 압력을 상대적으로 증가시키는 효과가 발생함으로써, 도전성 금속 박판(12)을 통상적인 구형으로 변형할 수 있게 된다.
상기 기판들 간의 접합부에 공극이 발생하는 것을 방지하기 위해, 상기 기판들의 중앙부를 접합하고 기판의 외주를 향하여 서서히 접합을 행하는 것이 이상적이다. 왜냐하면, 상기 처리가 공극을 야기하는 공기를 제거할 수 있기 때문이다.
이에 의하여, 도전성 금속 박판(12)은 중앙부가 돌출되어 통상적인 구형으로 형성되고 중앙부에서 적층물과 접촉한다. 상기 영역에서 접합이 행해진다. 또한, 상부 전극(11)이 하향 이동하는 경우, 접촉 면적은 증대한다. 이렇게, 상기 영역 내에서 접촉이 수행된다. 또한, 상부 전극(11)은 하향 이동한다. 이를 반복하여, 공극을 야기할 수 있는 공기를 각각의 기판의 중앙부로부터 외주를 향하여 제거하면서 접합을 서서히 행할 수 있게 된다. 따라서, 최종적으로 전체 표면의 접합을 완료할 수 있다.
이 단계에서, 격막 구조로 형성된 상부 전극(11)의 공간부(15)에서의 공기는 도전성 금속 박판(12)과 적층물 간의 접촉에 의해 압축된다. 결과적으로, 공기의 일부가 유체 공급 및 배출 통로(21)를 통하여 컨테이너의 외측으로 자동적으로 제거된다.
상기 동작의 효과로서, 상기 압력차에 의해 전체 표면에 균일한 압력을 가할 수 있다. 또한, 컨테이너(2) 내의 감압량 만큼의 압력차를 제어함으로써 압력을 제어할 수 있다. 결과적으로, 기판의 파손과 전극과의 부분적 접촉에 기인하는 공극의 발생과 같은 문제를 해결할 수 있게 된다.
반면, 양극 접합이 수행될 때, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)은 가열될 것이 요구된다. 이를 위해, 열원(도시 생략)은 상부 전극(11)의 본체부(11) 내에 탑재된다. 따라서, 도전성 금속 박판(12)은 지지부(14)를 통하여 가열된다. 가열된 도전성 금속 박판(12)은 유리 기판(4)과 접촉하므로, 유리 기판(4)이 가열된다. 가열 방법은 특별히 제한되는 바가 없다. 그러나, 예를 들면 탑재되는 열원이 저항선 히터(resistance wire heater)인 방법이 있다. 또한, 다음의 방법을 채용할 수도 있다. 램프 히터는 도전성 금속 박판(12)의 최상면에서 복사에 의해 가열하 기 위해 본체부(13)의 하면에 설치된다.
반면에, 열원(도시 생략)은 또한 하부 전극(10) 내에 탑재된다. 열원은, 예를 들면 저항선 히터이다. 하부 전극(10)을 가열함으로써, 도전성 기판(3)이 가열된다.
상기 방식으로, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)을 가열할 수 있다. 예를 들면, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)은 300℃로 가열되도록 구성된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 양극 접합 장치(1)에 의하면, 공극의 발생을 야기하는 공기가 감소하는 감압 컨테이너 내에서 양극 접합을 연속적으로 행할 수 있게 되고, 또한 동시에 공극을 야기할 수 있는 공기를 각각의 기판의 중앙부로부터 외주를 향하여 제거할 수 있게 된다.
또한, 상부 전극(11)의 부분적 접촉을 막을 수 있다. 결과적으로 기판의 파손 및 공극의 발생과 같은 문제를 해결할 수 있게 된다.
반면, 접합되는 기판의 전체 표면에 균일한 압력을 가할 수 있다. 또한, 컨테이너(2) 내에서의 감압량의 설정, 도전성 금속 박판(12) 등의 두께의 설정 등을 변경함으로써, 가하는 압력을 제어할 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예로서, 유체 공급 및 배출 통로(21) 내의 한 지점에 공기압 조절기(25)를 포함하는 양극 접합 장치(1b)를 도 2에 나타낸다.
공기압 조절기(25)가 감압 기능을 수행하도록 함으로써, 다음의 효과가 발생할 수 있다. 예를 들면, 얇은 판 재료가 도전성 금속 박판(12)으로 사용되고 컨테이너(2)의 내측이 진공으로 되고 상부 전극(11)에 대기압을 가하는 경우, 압력차에 의해 도전성 금속 박판(12)이 파손될 수 있다. 이 경우 또는 다른 경우에, 상부 전극(11)의 공간부(15)가 감압되어 파손을 방지한다.
반대로, 공기압 조절기(25)가 증압 기능을 수행하도록 함으로써, 다음의 효과가 발생할 수 있다. 예를 들면, 두꺼운 판 재료가 도전성 금속 박판(12)으로 사용되고 컨테이너(2)의 내측이 진공으로 되는 경우, 상부 전극(11)의 내측에 대기압을 가하는 것만으로는 도전성 금속 박판(12)이 통상적인 구형으로 변형되지 않을 수 있다. 이 경우에는, 도전성 금속 박판(12)을 원하는 형상으로 변형하기 위해 상부 전극(11)에서의 압력이 대기압 이상으로 증가한다.
또한, 격막 구조의 상부 전극(11)의 공간부(15) 내측의 압력을 증가시킴으로써, 도전성 금속 박판(12)은 통상적인 구형으로 변형될 수 있다. 이에 의하여 컨테이너(2)를 진공으로 할 필요가 없어진다. 이 경우, 컨테이너(2)를 포함하지 않는 간단한 장치 구성이 채용되는 것을 생각해 볼 수 있다. 대신, 컨테이너(2)가 생략되지 않더라도, 진공으로 해야 할 필요가 없어지는 경우, 순수한 클린룸 상태에 컨테이너를 두어야만 공극의 발생이 방지된다.
공기압 조절기(25)는 접합할 기판의 전체 표면에 균일한 압력을 가할 수 있다. 또한, 압력차를 제어함으로써 압력을 제어할 수 있다.
그런데, 이 실시예에서, 공기압 조절기(25)에 의해 조절되는 대상은 공기이다. 그러나, 예를 들면 수압 장치에 의해 액체를 이용함으로써 압력 조절이 달성될 수도 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 양극 접합 장치(1a)를 도 3에 나타낸다.
양극 접합 장치(1a)는 컨테이너(2)에 설치된 상부 전극(11a) 및 하부 전극(10)을 포함한다. 상부 전극(11a)과 하부 전극(10)은 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)에 전위를 야기한다.
도전성 기판(3)과 유리 기판(4)은 서로 접촉하여 하부 전극(10) 상에 설치된다. 예를 들면, 하부 전극(10)측 상에 도전성 기판(3)이 설치되고, 상부 전극(11a)측 상에 유리 기판(4)이 설치된다. 이 경우, 상부 전극(11a)은 음전위로 설정되고, 하부 전극(10)은 양전위로 설정된다.
또한, 다음과 같은 방식이 채용될 수도 있음을 쉽게 이해할 수 있다. 하부 전극(10)측 상에 유리 기판(4)이 설치되고, 상부 전극(11a)측 상에 도전성 기판(3)이 설치된다. 따라서, 하부 전극(10)은 음전위로 설정되고, 상부 전극(11a)은 양전위로 설정된다.
상부 전극(11a)은 구동 장치(23)에 접속되고 컨테이너(2) 내에서 수직 방향으로 이동 가능하게 배치된다. 구동 장치(23)는 상부 전극(11a)을 이동하는 구동력을 생성한다. 구동 장치(23)로는, 예를 들면 볼 나사가 이용된다.
그 동작 원리로서, 상부 전극(11a)이 유리 기판(4)과 접촉하도록 수직 하향으로 이동할 수 있다. 또한, 이동량은 연속적으로 조절 가능하다.
또한, 상부 전극(11a) 대신에, 또는 상부 전극(11a)과 함께, 하부 전극(10)이 컨테이너(2) 내에서 수직 방향으로 이동 가능하게 배치될 수 있다.
상부 전극(11a)의 구성에 의해, 유리 기판(4)과 접촉하는 접촉판(31)은 하부에 설치된다. 일반적으로, 기판은 원형이다. 그러므로, 일례로서, 접촉판(31)은 또한 원형과 유사하게 구성된다. 일반적으로, 접촉판(31)의 외형 크기는 양극 접합되는 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)의 외형 크기와 거의 동일하다. 접촉판(31)이 너무 큰 경우, 접촉판(10)과 하부 전극(10) 사이에서 방전이 생길 수 있다. 또한, 접촉 면적보다 더 넓은 면적의 접합이 가능하다. 그러므로, 접촉판(31)의 외부 직경은 접합 상태에 따라 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)의 외부 직경보다 더 작을 수 있다.
접촉판(31)과 본체부(13a) 사이에 바이어스 부재(33)가 설치된다. 접촉판 외주(35)는 바이어스 부재(33)의 동작에 의해 가압 상태에서 접촉판 맞물림부(34)와 맞물린다. 접촉판 맞물림부(34)는 본체부(13a)에 접합된다.
접촉판(31)의 하면의 중앙부에 소전극(32)이 배치된다. 소전극(32)은 접합의 개시 전의 상태에서 접촉판(31)의 하면으로부터 돌출한 상태로 유지된다. 소전극(32)은 기판과의 접촉에 의해 상향으로 가압되어 접촉판(31) 안으로 들어가도록 구성된다.
여기서, 사용되는 접촉판(31) 및 소전극(32)용 재료의 예로는 탄소와 스테인리스강 합금을 포함한다. 그러나, 알루미늄 합금과 같은 다른 금속도 또한 채용될 수 있다. 그러나, 강철 재료가 사용되는 경우, 탄소는 진공 상태하에서 분리되어 침전된다. 그러므로, 컨테이너(2)의 내측이 접합을 행하기 위해 진공으로 되는 경우, 접촉판(31) 및 소전극(32)용 재료로서 강철 재료는 적합하지 않다.
양극 접합 장치(1a)는 상기한 바와 같이 구성된다. 또한, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)은 서로 양극 접합된다. 먼저, 컨테이너(2)의 내측은 진공으로 되도 록 감압된다. 여기서, "진공"이라는 용어는 완전한 진공 상태에 제한되는 것은 아니다. 이어서, 상부 전극(11a)이 하향 이동한다. 이 단계에서, 상부 전극(11a)의 접촉판(31)의 하면의 중앙부에 돌출하는 방식으로 배치된 소전극(32)은 먼저 유리 기판(4)과 접촉한다. 이 접촉에 의해, 상부 전극(11a)은 유리 기판(4)에 음전위를 생성하고, 하부 전극(10)은 도전성 기판(3)에 양전위를 생성한다. 따라서, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4) 간의 접합이 개시된다. 인가 전압은, 예를 들면 600V의 직류 전압이다.
컨테이너(2)의 내측은 진공이 되도록 감압된다. 이에 의해, 공극의 발생을 야기하는 공기를 컨테이너의 외측으로 제거할 수 있는 효과가 발생한다. 양극 접합에 의하면, 일반적으로 접촉 면적보다 약간 더 큰 면적이 접합하게 된다. 접합이 종료되면, 인가 전류가 감소한다. 그러므로, 인가 전류의 감소에 의해, 소전극(2)과의 접촉에 의한 접합은 완료되었다고 판단되게 된다. 그 후, 접촉판(31)은 전체 표면의 접합을 행하기 위해 유리 기판(4)과 접촉한다. 이 절차는 공극이 생기는 것을 방지하여, 전체 표면의 균일한 접합을 가능하게 한다.
기판 간의 접합부에서의 공극의 발생을 방지하기 위해, 기판의 중앙부를 접합하고 기판의 외주를 향해 접합을 서서히 행하는 것이 이상적이다. 이는 상기 공정이 공극을 야기할 수 있는 공기가 제거할 수 있기 때문이다.
이에 따라, 접촉판(31)에는 중앙부에 돌출한 소전극(32)이 설치된다. 그러므로, 중앙부에서 유리 기판(4)과 접촉한다. 따라서, 상기 영역의 접합이 행해진다. 또한, 상부 전극(11a)이 하향 이동하는 경우, 접촉판(31)의 전체가 유리 기 판(4)과 접촉하므로, 접합은 기판 표면의 잔부 상에서 행해진다. 그러므로, 공극을 야기할 수 있는 공기를 제거하면서, 각 기판의 중앙부로부터 외주를 향하여 서서히 접합을 행할 수 있게 된다. 따라서, 최종적으로 전체 표면의 접합을 완료할 수 있다.
이외에도, 상부 전극(11a)에 대해, 본체부(13a)와 접촉판(31) 사이에 바이어스 부재(33)가 설치된다. 그러므로, 접촉판(31)이 유리 기판(4)과 평행이 아닌 경우, 바이어스 부재의 동작에 의해 상부 전극(11a)(접촉판(31))의 부분적 접촉을 막을 수 있다. 결과적으로, 기판의 파손 및 공극의 발생과 같은 문제를 해결할 수 있게 된다.
양극 접합이 행해질 때에, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)이 가열될 것이 요구된다. 이를 위해, 열원(도시 생략)은 상부 전극(11a)의 본체부(13a)에 탑재된다. 따라서, 접촉판(31)은 바이어스 부재(33)나 접촉판 맞물림부, 또는 양 바이어스 부재(33)와 접촉판 맞물림부(34)를 통해 가열된다. 가열된 접촉판(31)은 유리 기판(4)과 접촉하므로, 유리 기판(4)이 가열된다. 가열 방법에는 특별한 제한이 없다. 그러나, 가열 방법으로서, 예를 들면 탑재되는 열원으로는 저항선 히터를 들 수 있다. 또한, 다음의 방법도 채용될 수 있다. 램프 히터는 접촉판(31)의 최상면에서 복사에 의해 가열하기 위해 본체부(13a)의 하면에 설치된다. 이와 달리, 저항선 히터와 같은 열원이 접촉판(31)에 탑재되도록 구성될 수도 있다.
한편, 열원(도시 생략)은 또한 하부 전극(10)에 탑재된다. 열원은, 예를 들면 저항선 히터이다. 하부 전극(10)을 가열함으로써, 도전성 기판(3)이 가열된다.
결과적으로, 도전성 기판(3)과 유리 기판(4)을 가열할 수 있다. 일례로서,도전성 기판(3)과 유리 기판(4)은 300℃로 가열되도록 구성된다.
본 발명의 실시예에 따른 양극 접합 장치(1a)에 의하면, 공극의 발생을 야기하는 공기가 감소된 감압 컨테이너에서 서서히 접합을 행할 수 있게 되고, 동시에 각각의 기판의 중앙부로부터 외주를 향하여 공극을 야기할 수 있는 공기를 제거할 수 있다.
또한, 상부 전극(11a)(접촉판(31))의 부분적 접촉을 막을 수 있다. 결과적으로, 기판의 파손과 공극의 발생과 같은 문제를 해결할 수 있게 된다.
본 발명은 구체적인 실시예를 참조하여 상세히 설명되었지만, 발명의 요지 및 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변경 및 변형이 가능하다는 점은 당해 기술 분야에 속하는 자에게 명확하다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양극 접합 장치의 예를 나타내는 개략도.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양극 접합 장치의 예를 나타내는 개략도.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 양극 접합 장치의 예를 나타내는 개략도.
도 4a및 도 4b는 종래의 실시예에 따른 양극 접합 장치의 예를 각각 나타내는 개략도.
도 5는 종래의 실시예에 따른 양극 접합 장치의 다른 예를 각각 나타내는 개략도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 ‥‥ 양극 접합 장치 2 ‥‥ 컨테이너
3 ‥‥ 도전성 기판 4 ‥‥ 유리 기판
10 ‥‥ 하부 전극 11 ‥‥ 상부 전극
12 ‥‥ 도전성 금속 박판 13 ‥‥ 본체부
14 ‥‥ 지지부 15 ‥‥ 공간부
21 ‥‥ 유체 공급 및 배출 통로 33 ‥‥ 바이어스 부재

Claims (5)

  1. 도전성 기판과 유리 기판을 포함하는 적층물을 접합하는 양극 접합 장치로서, 상기 양극 접합 장치는,
    감압 가능한 컨테이너;
    상기 적층물과 접촉 및 분리하도록, 상기 컨테이너에 배치되고 수직 방향으로 이동 가능한 방식으로 구성된 상부 전극; 및
    하부 전극;을 포함하고,
    상기 상부 전극은,
    본체부;
    상기 적층물과 접촉하는 도전성 금속 박판; 및
    상기 본체부와 상기 도전성 금속 박판 사이에 형성되고, 유체가 공급되고 배출되는 공간부;를 포함하고,
    상기 도전성 금속 박판은, 상기 공간부와 상기 컨테이너의 내부 사이의 압력차에 기초하여 변형할 수 있는 격막 구조를 가지며,
    상기 도전성 금속 박판은, 상기 공간부가 상기 컨테이너의 내부보다 더 높은 압력인 경우, 상기 적층물의 방향으로 볼록 형태로 팽창하도록 상기 본체부에 위치하고,
    상기 도전성 기판과 유리 기판은, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 상기 적층물을 개재하고; 상기 적층물을 가열하고; 상기 도전성 기판이 양극이고 상기 유리 기판이 음극이 되도록 상기 적층물에 직류 전압을 인가함으로써, 접합되는 양극 접합 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 금속 박판은, 상기 도전성 금속 박판이 상기 적층물의 방향으로 볼록 형태로 팽창하는 경우, 팽창부의 정점이 상기 적층물의 중앙부 부근에 정합하도록, 상기 본체부에 위치하는 양극 접합 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 공간부로부터 유체가 공급 및 배출되는 통로 내의 한 지점에 공기압 조절기가 배치된 양극 접합 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 금속 박판은 스테인리스강 합금 박판인 양극 접합 장치.
  5. 도전성 기판과 유리 기판을 포함하는 적층물을 접합하는 양극 접합 장치로서, 상기 양극 접합 장치는,
    감압 가능한 컨테이너;
    상기 적층물과 접촉 및 분리하도록, 상기 컨테이너에 배치되고 수직 방향으로 이동 가능한 방식으로 구성된 상부 전극; 및
    하부 전극을 포함하고,
    상기 상부 전극은,
    상기 적층물의 방향으로 형성된 개구부를 포함하는 본체부;
    상기 본체부에 수용되고, 상기 적층물의 방향으로 바이어스 부재에 의해 바이어스된 접촉판; 및
    상기 접촉판의 적층물측 상의 중앙부에 배치된 소(小)전극을 포함하고,
    상기 소전극은 상기 적층물 방향으로 돌출하고, 상기 소전극이 상기 적층물과 접촉하는 경우, 상기 본체부의 내측 방향으로 수축 가능하게 배치되고,
    상기 도전성 기판과 유리 기판은, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 상기 적층물을 개재하고; 상기 적층물을 가열하고; 상기 도전성 기판이 양극이고 상기 유리 기판이 음극이 되도록 상기 적층물에 직류 전압을 인가함으로써 접합되는 양극 접합 장치.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5062897B2 (ja) * 2008-06-06 2012-10-31 クライムプロダクツ株式会社 ワーク貼合装置
CN101439843B (zh) * 2008-10-10 2011-08-31 北京大学 一种微型原子气室封装工艺方法
WO2010055730A1 (ja) * 2008-11-14 2010-05-20 東京エレクトロン株式会社 貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法
KR101017361B1 (ko) * 2010-02-08 2011-02-28 주식회사 엘트린 기판 접합 시스템 및 이에 사용되는 이동형 챔버
US20120145308A1 (en) * 2010-12-08 2012-06-14 Jiangwei Feng Methods for anodic bonding material layers to one another and resultant apparatus
JP2012169376A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Seiko Instruments Inc 陽極接合装置、パッケージ製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計
JP2012175043A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Tokyo Electron Ltd 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
SG2014009369A (en) * 2011-08-12 2014-09-26 Ev Group E Thallner Gmbh Apparatus and method for bonding substrates
JP5891848B2 (ja) * 2012-02-27 2016-03-23 ウシオ電機株式会社 ガラス基板もしくは水晶基板からなるワークの貼り合わせ方法および装置
KR101334816B1 (ko) 2012-07-13 2013-11-29 에이피시스템 주식회사 기판 접합 장치 및 그 동작 방법
DE102012111246A1 (de) * 2012-11-21 2014-05-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Bonden
JP5981358B2 (ja) 2013-01-23 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 伝熱シート貼付方法
JP5521066B1 (ja) * 2013-01-25 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム
CN103232024A (zh) * 2013-04-08 2013-08-07 苏州大学 一种用于长玻璃柱体阳极键合的自动化键合设备
CN103626122B (zh) * 2013-04-28 2016-05-11 苏州迪纳精密设备有限公司 一种阳极键合批量化生产设备
US9315375B2 (en) * 2013-12-27 2016-04-19 Innovative Micro Technology Method using glass substrate anodic bonding
CN103755161B (zh) * 2013-12-31 2016-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 贴合机用板材固定件的安装结构和顶板、贴合机
JP6727048B2 (ja) * 2016-07-12 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および接合システム
CN110168711B (zh) 2017-09-21 2024-02-13 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 接合基板的装置和方法
WO2023032166A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 部材間接合装置及び接合部材製造方法
CN114953643A (zh) * 2022-06-15 2022-08-30 Oppo广东移动通信有限公司 终端及其壳体组件以及壳体组件的键合方法
WO2024086748A2 (en) * 2022-10-19 2024-04-25 Alloy Enterprises Inc. Manufacturing large scale metal laminated object parts

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2935116A (en) * 1958-03-24 1960-05-03 Gen Dynamics Corp Bonding apparatus
NL8003696A (nl) * 1980-06-26 1982-01-18 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische ontladingsinrichting, welke een van een elektroden- patroon voorzien glazen substraat bevat en aldus ver- kregen elektrische ontladingsinrichting.
JP2642154B2 (ja) * 1988-08-02 1997-08-20 株式会社豊田中央研究所 静電接合治具
JPH05326352A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Japan Aviation Electron Ind Ltd 陽極接合装置
JP2674572B2 (ja) * 1995-05-31 1997-11-12 日本電気株式会社 陽極接合装置
JP3824681B2 (ja) * 1995-06-21 2006-09-20 株式会社日立製作所 陽極接合装置
SE523600C2 (sv) * 2001-07-09 2004-05-04 Imego Ab Metod för anodisk bodning
JP2005016965A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Sumitomo Precision Prod Co Ltd パッケージおよびその製造方法、ならびに振動ジャイロおよびその製造方法
JP3820409B2 (ja) * 2003-12-02 2006-09-13 有限会社ボンドテック 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置
JP4654458B2 (ja) * 2004-12-24 2011-03-23 リコープリンティングシステムズ株式会社 シリコン部材の陽極接合法及びこれを用いたインクジェットヘッド製造方法並びにインクジェットヘッド及びこれを用いたインクジェット記録装置
JP4777681B2 (ja) * 2005-04-08 2011-09-21 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 陽極接合装置、陽極接合方法及び加速度センサの製造方法
US7470971B2 (en) * 2005-05-13 2008-12-30 Sarnoff Corporation Anodically bonded ultra-high-vacuum cell

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