KR20080005779U - 실리콘 콘덴서 마이크로 폰 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 일종의 실리콘 콘덴서 마이크로 폰에 관한 것이다.
본 고안의 실리콘 콘덴서 마이크로 폰에는 하나의 케이스, 상기 케이스에 있는 소리를 투과할 수 있는 사운드 홀, 하나의 회로기판을 포함하고, 상기 케이스와 상기 회로기판은 결합 되어 하나의 캐비티를 형성하며, 상기 회로기판에는 소리 신호를 전기 신호로 변환할 수 있는 MEMS 음향 칩과 집적회로가 장착되어 있고, 상기 회로기판에서 상기 MEMS 음향 칩의 측면에 독립적인 밀봉 음향 캐비티를 설정하며, 상기 밀봉 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩의 밑부분 사이의 회로기판 베이스(base)에는 양자를 연결시키는 수평 사운드 트랙을 설정하며, 측면에 밀봉 음향 캐비티를 형성함으로써, MEMS 음향 칩의 캐비티 백이 더 이상 회로기판의 제한을 받지 않고 커지게 되며, MEMS 음향 칩의 음향 성능을 크게 향상시킨다. 또한 이러한 설계는 회로기판의 두께를 증가시키지 않고 생산 원가를 낮춘다.
실리콘 콘덴서 마이크로 폰

Description

실리콘 콘덴서 마이크로 폰{Silicon condenser microphone}
본 발명은 일종의 마이크로 폰에 관한 것으로, 특히 일종의 신형 봉입 구조를 갖춘 실리콘 콘덴서 마이크로 폰에 관한 것이다.
최근 핸드폰, 노트북 등 전자 제품들의 부피가 점점 작아지고 성능요구가 점점 높아짐에 따라 그에 따른 부대 부품의 체적도 점점 작아지고 성능 및 일치성도 향상될 것을 요구하고 있다. 이런 배경하에서 중요 부품 중 하나인 마이크로 폰 제품 분야에서도 많은 신형 제품을 출시하였는 데 반도체 제조 가공 기술을 이용하여 대량 생산하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰이 그중의 대표적 제품으로 되고 있다. 실리콘 콘덴서 마이크로 폰에서 중요한 설계 내용은 봉입 기술이며 봉입이 원가에서 차지하는 비율은 비교적 높다.
그러므로 최근 실리콘 콘덴서 마이크로 폰 봉입기술에 대한 특허가 많이 나타나고 있는 데, 예들 들면, 미국특허 No.US 20020102004에서는 일종의 "소형 실리콘 콘덴서 마이크로 폰 및 그 제조 방법miniature silicon condenser microphone and method for producing same)" 이라는 제목의 마이크로 폰 봉입을 공개하고 있다. 도 7은 미국 특허 No.US 20020102004에서 공개한 실리콘 콘덴서 마이크로 폰의 봉입 구조 단면도이다.
도 7에 의하면, 실리콘 콘덴서 마이크로 폰에는 하나의 케이스(11), 케이스(11)에 있는 소리를 투과할 수 있는 사운드 홀(12), 하나의 회로기판(13)을 포함하고, 케이스(11)와 회로기판(13)은 결합 되어 하나의 캐비티를 형성하며, 회로기판(13)에는 MEMS(마이크로 전자 기계 시스템)음향 칩(14)과 집적회로(15)를 설치하고, MEMS 음향 칩(14)과 집적회로 (15)는 공동으로 소리 신호를 전기 신호로 변화시킨다. 이러한 설계에 있어서 중요한 것은, MEMS 음향 칩(14)의 아래 측 위치에서 회로기판에 부식 등 공정을 거쳐 움푹 들어간 홈(16)을 형성하는 것이다. 이러한 설계의 장점은 MEMS 음향 칩(14) 아래측의 공기공간(업계 내에서는 흔히 캐비티 백 'cavity back'이라고 부르며 음파와 MEMS 음향 칩이 마주친 후의 MEMS 음향 칩 뒤쪽의 공간을 말함)이 증가 됨에 따라 실리콘 콘덴서 마이크로 폰의 민감도가 더욱 높아지고 더욱 좋은 주파수 응답 곡선이 이루어진다.
그러나 MEMS 음향 칩(14) 아래 측의 회로기판에 움푹한 홈(16)을 형성함으로써 캐비티 백을 증가시키는 이런 간단한 설계에서 캐비티 백의 증가 폭은 매우 제한되어 있고, 성능 향상 방면에서도 효과가 매우 작으며, 또한 이러한 설계는 회로기판의 두께를 크게 증가시키고 제품의 높이를 과대하게 증가시키며 원가를 증가시키는 문제가 있다.
본 고안에서 이루고자 하는 기술적 과제는 회로기판의 치수를 더 추가하지 않고도 MEMS 음향 칩의 캐비티 백 체적을 대폭 증가시킬 수 있는 일종의 실리콘 콘덴서 마이크로 폰을 제공하는 것이다.
본 고안에서 상기 기술적 과제를 해결하기 위한 기술 방안은 다음과 같다：
실리콘 콘덴서 마이크로 폰에는 하나의 케이스, 상기 케이스에 있는 소리를 투과할 수 있는 사운드 홀, 하나의 회로기판을 포함하며, 상기 케이스와 상기 회로기판은 결합 되어 하나의 캐비티를 형성하며, 상기 회로기판에는 소리 신호를 전기 신호로 변환할 수 있는 MEMS 음향 칩과 집적회로가 설치되어 있다.
그 중에서, 상기 회로기판에서 상기 MEMS 음향 칩의 측면에 독립적인 밀봉 음향 캐비티를 설정하고, 상기 밀봉 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩의 밑부분 사이의 회로기판 베이스(base)에는 양자를 연결시키는 수평 사운드 트랙을 설정한다.
일종의 최적 기술방안에 있어서, 상기 밀봉 음향 캐비티는 상기 회로기판의 상부표면에 장착한 하나의 음향 캐비티 캡과 상기 회로기판이 결합되어 형성된 것이며, 상기 수평 사운드 트랙은 상기 회로기판의 내부에 설정하고 상기 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩을 연결시킨다.
일종의 최적 기술방안에 있어서, 상기 밀봉 음향 캐비티는 상기 회로기판 상 부 표면에 설치한 하나의 음향 캐비티 캡과 상기 회로기판이 결합 되어 형성된 것이고, 상기 수평 사운드 트랙은 상기 회로기판 상부 표면에 형성된 움푹 들어간 홈이며, 상기 음향 캐비티 캡과 MEMS 음향 칩 측면은 상기 회로기판 상부 표면의 움푹 들어간 홈에 틈새 없이 장착되며, 상기 움푹 들어간 홈은 상기 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩을 연결시킨다.
일종의 개선에 있어서, 상기 음향 캐비티 캡은 동, 알루미늄 등 금속 재료 또는 플라스틱, 세라믹 등 기타 재료로 제작된 그루브형 음향 캐비티 캡이다.
일종의 개선에 있어서, 상기 음향 캐비티 캡은 상기 케이스 내부에 장착한다.
일종의 최적 기술방안에 있어서, 상기 음향 캐비티 캡과 상기 케이스는 일체로 된 것이다.
한층 더 개선함에 있어서, 상기 케이스의 사운드 홀은 상기 음향 캐비티 캡의 위치에 설정한다.
한층 더 더욱 개선함에 있어서, 상기 음향 캐비티 캡의 아래 측 가장자리는 상기 MEMS 음향 칩의 위 측 가장자리에 접착하거나 또는 상기 회로기판의 상부 표면에 접착한다.
일종의 최적 기술방안에 있어서, 상기 밀봉 음향 캐비티는 상기 회로기판내의 캐비티에 설정한다.
일종의 개선에 있어서, 상기 회로기판에는 제1회로기판층, 중간 회로기판층 및 제2회로기판층이 포함되며, 상기 제2회로기판층의 상부표면에는 MEMS 음향 칩이 장착되고, 상기 MEMS 음향 칩 측면의 상기 제2회로기판층에는 중공의 음향 캐비티가 형성되며, 상기 음향 캐비티에 대응되는 상기 제2회로기판층의 상부 표면에는 상기 음향 캐비티 개구부를 밀봉하는 최상층 회로기판이 형성되고, 상기 중간회로기판층에는 상기 밀봉 음향 캐비티와 MEMS 음향 칩을 연결시키는 중공의 수평 사운드 트랙이 형성되어 있다.
일종의 개선에 있어서, 상기 회로기판에는 제1회로기판층, 중간회로기판층, 제2회로기판층이 포함되고, 상기 제2회로기판층의 외측 가장자리는 상기 케이스의 내측 캐비티 가장자리보다 약간 작으며, 상기 제1회로기판층과 상기 중간회로기판층의 외측 가장자리는 상기 케이스의 외측 가장자리보다 크거나 같고, 상기 제2회로기판층에는 MEMS 음향 칩이 통과하는 설치 홀이 있으며, 상기 MEMS 음향 칩은 상기 설치 홀 내에서 주변에 밀봉을 형성하고, 상기 중간회로기판층에 장착되며, 상기 중간회로기판층에는 중공의 밀봉 음향 캐비티가 있고, 상기 밀봉 음향 캐비티 부분은 상기 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩을 연결하는 수평 사운드 트랙으로 한다.
상기 회로기판은 수지 재료 또는 세라믹 재료로 제작될 수 있고 상기 집적회로와 상기 MEMS 음향 칩은 하나의 반도체 칩에 집적될 수 있으며 본 고안의 설계 취지에 영향 주지 않는다.
상기 기술방안에 따른 실리콘 콘덴서 마이크로 폰에는 하나의 케이스, 상기 케이스에 있는 소리를 투과할 수 있는 사운드 홀, 하나의 회로기판을 포함하고, 상기 케이스와 상기 회로기판은 결합되어 하나의 캐비티를 형성하며, 상기 회로기판 에는 소리 신호를 전기 신호로 변환할 수 있는 MEMS 음향 칩과 집적회로가 장착되어 있고, 상기 회로기판에서 상기 MEMS 음향 칩의 측면에 독립적인 밀봉 음향 캐비티를 설정하며, 상기 밀봉 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩의 밑부분 사이의 회로기판 베이스(base)에는 양자를 연결시키는 수평 사운드 트랙을 설정하며, 측면에 밀봉 음향 캐비티를 형성한다
이와 같은 본 고안에 따르면 MEMS 음향 칩의 캐비티 백이 더 이상 회로기판의 제한을 받지 않고 커지게 되며, MEMS 음향 칩의 음향 성능을 크게 향상시킨다.
또한 이러한 설계는 회로기판의 두께를 증가시키지 않고 생산 원가를 낮출 수 있다.
실시예 1:
도 1에 도시된 바와 같이, 실리콘 마이크로 폰(100)은 하나의 금속 그루브형 케이스(101)를 포함하고, 케이스(101)의 상부 평면부에는 소리를 투과할 수 있는 사운드 홀(102)이 있으며, 케이스(101)의 아래 측 가장자리에는 회로기판(103)이 접착되어 있고, 케이스(101)와 회로기판(103)은 결합되어 하나의 입방형 캐비티를 형성하며, 캐비티 내부의 회로기판(103)에는 소리 신호를 전기 신호로 변환할 수 있는 MEMS(마이크로 전자 기계 시스템)음향 칩(104)과 시뮬레이션 증폭회로(105)가 있다.
회로기판(103)은 3개 층의 양면 회로기판(제2회로기판층 103a, 중간회로기판층 103b 및 제1회로기판층 103c)으로 구성되고, MEMS(마이크로 전자 기계 시스템)음향 칩(104)과 시뮬레이션 증폭 집적회로(105)는 모두 캐비티 내측의 제2회로기판층(103a)에 용접되어 있으며, 제2회로기판층(103a)에는 하나의 사각형 금속 음향 캐비티 캡(107)이 접착되어 있고, 금속 음향 캐비티 캡(107)과 제2회로기판층(103a)은 하나의 밀봉된 음향 캐비티(108)를 형성한다. 제2회로기판층(103a)에는 a1과 a2 두개의 홀이 형성되어 있고 각기 금속 음향 캐비티 캡(107)과 MEMS(마이크로 전자 기계 시스템)음향 칩(104)의 아래측에 위치해 있으며, 중간회로기판층(103b)에는 하나의 중공 수평 사운드 트랙(b1)이 형성되어 있고, 제2회로기판층(103a)과 중간회로기판층(103b)이 한 곳에 결합된 후, 중공의 수평 사운드 트랙 (b1)은 하나의 수평 소리 통로로 되며, 홀 a1과 a2를 통해 음향 캐비티(108)와 MEMS 음향 칩(104) 아래측의 공간을 연결시키며, 따라서 음향 캐비티(108)는 MEMS 음향 칩 뒤측의 캐비티 백으로 된다.
본 실시예에서 금속 음향 캐비티 캡, 금속 케이스, 집적회로, MEMS 음향 칩은 모두 전기 전도성 고무를 통해 제2회로기판층(103a)에 연결될 수 있고 제2회로기판층(103a), 중간회로기판층(103b) 및 제1회로기판층(103c)은 한 곳에 압입되어 하나의 소리 통로를 형성하며, 금속 음향 캐비티 캡 및 제2회로기판층(103a)으로 형성된 음향 캐비티는 실리콘 마이크로 폰의 캐비티 백이 되고, 따라서 실리콘 마이크로 폰의 캐비티 백은 크게 증가되며 금속 음향 캐비티 캡의 치수에 근거하여 마음대로 조정할 수 있다.
실시예2:
도 2에 도시된 바와 같이, 실시예1과 구별되는 점은 제2회로기판층(103a)을 없애고 MEMS 음향 칩(104)과 금속 음향 캐비티 캡(107)을 한 곳에 긴밀하게 접착하고, 중간회로기판층(103b)에 설치하며, 중간회로기판층(103b)의 중공 수평 사운드 트랙(b1)은 수평 소리 통로가 되어 MEMS 음향 칩(104) 아래측 공간과 음향 캐비티(108)를 연결시키고, MEMS 음향 칩(104), 금속 음향 캐비티 캡(107) 및 중간회로기판층(103b)은 긴밀하게 접착되어 사운드 트랙의 기밀성을 보증하는 것이다.
본 실시예는 실시예 1에 비해 회로기판의 설계가 더욱 간단하고 높이가 더욱 낮다.
실시예3：
도 3과 같이, 실시예 1과 구별되는 점은 금속 음향 캐비티 캡(107)을 없애고，제2회로기판층(103a)의 홀(a2)과 중간회로기판층(103b)의 중공의 수평 사운드 트랙(b1)을 크게 하며，하나의 최상층 회로기판(103d)을 사용하여 제2회로기판층(103a)의 홀(a2) 위쪽을 덮어 접착하고, 또한 집적회로(105)를 최상층 회로기판(103d)에 용접하며, 최상층 회로기판(103d)의 일부 가장자리를 금속 케이스(101)의 내벽에 바짝 붙이는 것이다. 이런 구조에서 제2회로기판층(103a), 중간회로기판층(103b), 제1회로기판층(103c) 및 최상층 회로기판(103d)은 공동으로 하나의 공간 을 둘러싸고 실리콘 마이크로 폰의 캐비티 백을 형성한다.
또한 이러한 구조에서 실리콘 마이크로 폰 케이스와 회로 기판 사이의 기계적 연결력은 더욱 강해지고 케이스와 회로 기판 사이의 접선 방향의 이동이 쉽게 발생 되지 않으며； 실리콘 마이크로 폰 회로 기판의 면적은 일정하게 감소 된다.
또한 MEMS 음향 칩에 관련 정보(전기 신호)를 회로 기판에 전송하는 금속선(도면에 표시되지 않음)이 필요하므로，보통 설계시 실리콘 마이크로 폰 높이에 영향을 주는 중요한 치수는 MEMS 음향 칩의 높이라고 인정한다.
본 실시예에서는 MEMS 음향 칩을 비교적 낮은 층의 회로기판에 배치하고 집적 회로를 비교적 높은 층의 회로기판에 배치하여 간접적으로 제품의 높이를 감소시킨다.
실시예4：
도 4에 도시된 바와 같이，실시예 3과 구별되는 점은 제2회로기판층(103a)을 없애는 동시에 최상층 회로기판(103d)의 외부둘레 치수를 케이스(101)의 내벽 치수와 일치하게 설계하여 최상층 회로기판(103d)을 케이스(101)의 내벽에 설치하는 것이다. 동시에 최상층 회로기판(103d)에는 하나의 홀이 형성되어 있는데, 해당 홀 치수는 MEMS 음향 칩의 평면 외부둘레 치수와 일치하며, 따라서 MEMS 음향 칩은 최상층 회로기판(103d)의 홀에 끼울 수 있고 중간회로기판층(103b)에 장착할 수 있다.
본 실시예는 실시예 3과 대비하여 제품의 높이가 더욱 낮고, 기계적인 구조 가 더욱 튼튼하다. 마찬가지로 최상층 회로기판(103d)의 치수를 중간 회로 기판층(103b)과 일치하게 하고，금속 케이스(101)를 최상층 회로기판(103d)에 설치할 수 있는데，도 5는 이러한 제품 구조를 나타낸다.
실시예5：
실시예1과 구별되는 점은 도 6과 같이，금속 음향 캐비티 캡(107)을 케이스(101)에 설치하고，사운드 홀(102)을 금속 음향 캐비티 캡(107)이 있는 위치에 설정하며，금속 음향 캐비티 캡(107)과 제2회로기판층(103a)이 하나의 밀봉된 음향 캐비티(108)를 형성하는 것이다. 응용 과정에서 실시예1과의 중요한 구별점은，밀봉된 음향 캐비티(108)가 이곳에서는 음향 칩(104)의 캐비티 백이 아니고，음향 칩(104)의 앞측 음향 통로 부분이 되며，하나의 소리 통로로만 사용된다는 것이다. 케이스(101)와 회로기판(103)으로 형성된 캐비티에서 밀봉한 음향 캐비티(108)를 제외한 부분은 음향 칩(104)의 캐비티 백으로 된다.
본 실시예에서，금속 음향 캐비티 캡(107)과 케이스(101)는 일체로 된 것인데, 사실상, 금속 음향 캐비티 캡(107)과 케이스(101)는 분리되어도 되며，양자가 각기 설정한 사운드 홀에서 기밀성에 도달할 수 있기만 하면 동등한 효과를 이룰 수 있다.
본 실시예중에서，사운드 홀(102)은 금속 음향 캐비티 캡(107)이 있는 위치에 설정되고，금속 음향 캐비티 캡(107)의 아래측 가장자리는 회로기판에 접착되며，금속 음향 캐비티 캡(107)은 음향 칩(104)의 앞측 음향 통로 부분으로 되고 케이 스(101) 내부 음향 칩(104) 상부 측과 주변의 공간은 음향 칩(104)의 캐비티 백으로 된다. 사실상，금속 음향 캐비티 캡(107)의 아래 측 가장자리를 MEMS 음향 칩에 접착하거나 또는 사운드 홀(102)을 금속 음향 캐비티 캡(107) 이외의 위치에 설정하여 모두 본 고안의 목적을 이룰 수 있다.
도 1은 본 고안에서 실시예 1의 구조 설명도.
도 2는 본 고안에서 실시예 2의 구조 설명도.
도 3은 본 고안에서 실시예 3의 구조 설명도.
도 4는 본 고안에서 실시예 4의 일종의 구조 설명도.
도 5는 본 고안에서 실시예 4의 다른 한 종류의 구조 설명도.
도 6은 본 고안에서 실시예 5의 구조 설명도.
도 7은 배경기술의 구조 설명도.

Claims (12)

  1. 하나의 케이스, 상기 케이스에 있는 소리를 투과할 수 있는 사운드 홀, 하나의 회로기판을 포함하고, 상기 케이스와 상기 회로기판은 결합 되어 하나의 캐비티를 형성하며, 상기 회로기판에는 소리 신호를 전기 신호로 변환할 수 있는 MEMS 음향 칩과 집적 회로가 설치되어 있으며,
    상기 회로기판에서 상기 MEMS 음향 칩의 측면에 독립적인 밀봉 음향 캐비티를 설정하고, 상기 밀봉 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩의 밑부분 사이의 회로기판 베이스(base)에는 양자를 연결시키는 수평 사운드 트랙을 설정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  2. 제 1 항에 있어서
    상기 밀봉 음향 캐비티는 상기 회로기판의 상부 표면에 장착한 하나의 음향 캐비티 캡과 상기 회로기판이 결합 되어 형성된 것이며, 상기 수평 사운드 트랙은 상기 회로기판의 내부에 설정하고 상기 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩을 연결 시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 밀봉 음향 캐비티는 상기 회로기판 상부 표면에 장착한 하나의 음향 캐비티 캡과 상기 회로 기판이 결합 되어 형성된 것이고, 상기 수평 사운드 트랙은 상기 회로기판 상부 표면에 형성된 움푹 들어간 홈이며, 상기 음향 캐비티 캡과 MEMS 음향 칩 측면은 상기 회로 기판 상부 표면의 움푹 들어간 홈에 틈새 없이 장착되며, 상기 움푹 들어간 홈은 상기 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩을 연결시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  4. 제 2 항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 음향 캐비티 캡은 금속 재료 또는 플라스틱 재료 또는 세라믹 재료로 제작된 그루브형 음향 캐비티 캡인 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 음향 캐비티 캡은 상기 케이스 내부에 장착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  6. 제 2 항 또는 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 음향 캐비티 캡과 상기 케이스는 일체로 된 것임을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 케이스의 사운드 홀은 상기 음향 캐비티 캡의 위치에 설정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 음향 캐비티 캡의 아래 측 가장자리는 상기 MEMS 음향 칩의 위측 가장자리에 접착하거나 또는 상기 회로기판의 상부 표면에 접착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 밀봉 음향 캐비티는 상기 회로기판 내의 캐비티에 설정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 회로기판에는 제1회로기판층, 중간 회로기판층 및 제2회로기판층이 포함되며, 상기 제2회로기판층의 상부 표면에는 MEMS 음향 칩이 장착되고, 상기 MEMS 음향 칩 측면의 상기 제2회로기판층에는 중공의 음향 캐비티가 형성되며, 상기 음향 캐비티에 대응되는 상기 제2회로기판층의 상부 표면에는 상기 음향 캐비티 개구부를 밀봉하는 최상층 회로기판이 형성되고, 상기 중간회로기판층에는 상기 밀봉 음향 캐비티와 MEMS 음향 칩을 연결시키는 중공의 수평 사운드 트랙이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 회로기판에는 제1회로기판층, 중간회로기판층, 제2회로기판층이 포함되고, 상기 제2회로기판층의 외측 가장자리는 상기 케이스의 내측 캐비티 가장자리보다 약간 작으며, 상기 제1회로기판층과 상기 중간회로기판층의 외측 가장자리는 상기 케이스의 외측 가장자리보다 크거나 같고, 상기 제2회로기판층에는 MEMS 음향 칩이 통과하는 설치홀이 있으며, 상기 MEMS 음향 칩은 상기 설치홀 내에서 주변에 밀봉을 형성하고 상기 중간회로기판층에 장착되며, 상기 중간회로기판층에는 중공의 밀봉 음향 캐비티가 있고, 상기 밀봉 음향 캐비티 부분은 상기 음향 캐비티와 상기 MEMS 음향 칩을 연결하는 수평 사운드 트랙으로 하는 것을 특징으로 하는 실 리콘 콘덴서 마이크로 폰.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 회로기판은 수지 재료 또는 세라믹 재료를 기본 재료로 하는 회로기판인 것을 특징으로 하는 실리콘 콘덴서 마이크로 폰.
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