KR20070116297A - 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그제어 방법 - Google Patents

능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그제어 방법 Download PDF

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Abstract

여기에 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법이 게시된다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법은 정전척에 유도되는 전압 레벨을 직접적으로 검출하고 이와 더불어 여러 가지 플라즈마의 특성을 검출하여 검출된 전압 레벨과 플라즈마 특성의 변화에 따라 바이어스 전력을 공급하는 RF 발생기와 플라즈마 소스로 메인 전력을 공급하는 RF 발생기를 더불어 제어하고 가스 공급 유량을 제어한다. 그럼으로 능동적인 바이어스 제어, 메인 전력의 제어 가스 공급 제어에 의해 플라즈마 내의 이온 에너지를 재현성 있게 제어하여 피처리 기판에 대한 균일한 플라즈마 처리를 가능하게 한다.
바이어스, 쉬쓰 전압, 플라즈마 처리 장치

Description

능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING ACTIVE BIAS CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD OF THE SAME}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 설명하기 위한 예시도이다.
도 2는 도 1의 바이어스 전원 회로의 회로 구성을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 블록도이다.
도 4는 도 3의 바이어스 전원 회로의 회로 구성을 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 제어 과정을 보여주는 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 블록도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 제어 과정을 보여주는 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 블록도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 제어 과정을 보여주는 흐름도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100, 200: 플라즈마 처리 장치 110, 210: 플라즈마 소스
120, 220: 정전척 130, 230: 플라즈마
140, 240: 전원 공급원 142, 242: 임피던스 정합기
150, 250: 가스 공급 시스템 160, 260: 전원 공급원
162, 262: 임피던스 정합기 170, 270: 정전척 전원
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 정전척(electrostatic chuck)의 바이어스 전력을 능동적으로 제어하여 플라즈마 재현성을 향상시켜 기판 처리 효율을 향상 시킬 수 있는 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 기판이나 LCD 유리 기판의 제조를 위한 플라즈마 처리 장치는 기판 지지를 위한 정전척(electrostatic chuck)을 구비한다. 정전척은 플라즈마 처리 장치에서 기판이 처리되는 동안 기판을 클램핑하기 위해 사용된다. 유도 결합 플라즈마 소스와 같은 플라즈마 소스에 의해 발생된 플라즈마의 이온들은 에너지가 거의 없음으로 이온들을 피처리 기판으로 가속시켜 피처리 기판에 대한 원하는 플라즈마 처리가 수행되기 위해서 정전척에 고주파 바이어스가 인가된다. 정전척에 인가되는 고주파 바이어스는 정전척에 직류 바이어스가 발생하도록 하여 쉬쓰 전압을 유도한다. 이러한 쉬쓰 전압의 유도에 의해 피처리 기판으로 이온이 가속된다.
도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 설명하기 위한 예시도이다. 도 1을 참조하여, 플라즈마 처리 장치(100)는 플라즈마 챔버(124)와 플라즈마 소스(110)를 구비한다. 플라즈마 챔버(124)에는 피처리 기판(122)을 클램핑하기 위한 정전척(120)이 구비된다. 정전척(120)은 정전척 전원(170)으로부터 정전력을 발생하기 위한 직류 전원을 공급받아 피처리 기판(122)을 클램핑한다.
플라즈마 소스(110)는 예를 들어, 유도 안테나 또는 변압기를 이용한 유도 결합 플라즈마 소스로 구성된다. 플라즈마 소스(110)는 플라즈마를 발생하기 위한 고주파 전력을 공급하는 제1 전원 공급원(140)을 포함하며, 가스 공급 시스템(150)으로부터 공급되는 공정 가스를 이온화한다. 제1 전원 공급원(140)은 임피던스 정합기(142)를 통하여 고주파를 플라즈마 소스(110)로 공급한다. 플라즈마 소스(110)에서 플라즈마(130)가 발생되면 발생된 플라즈마(130)는 플라즈마 챔버(124)에 수용된다.
정전척(120)은 임피던스 정함기(160)를 통해서 고주파를 공급하는 전원 공급원(162)에 전기적으로 연결되어 바이어스 된다. 정전척(170)에 인가되는 고주파 바이어스는 정전척(170)에 직류 바이어스가 발생하도록 하여 쉬쓰 전압(sheath voltage)을 유도하게 된다. 이러한 쉬쓰 전압의 유도에 의해 피처리 기판(170)으로 이온이 가속된다.
도 2는 도 1의 바이어스 전원 회로의 회로 구성을 보여주는 도면이다. 도 2 를 참조하여, 정전척(170)으로 바이어스 전원을 공급하기 위한 바이어스 전원 회로는 전원 공급원(160)과 임피던스 정합기(162)를 포함한다. 임피던스 정합기(162)는 예를 들어, 가변 커패시터(C161, C162)와 인덕터(L161)로 구성될 수 있다.
전원 공급원(160)은 발진기(OSC)와 프리 엠프(amp1)와 메인 엠프(amp2)를 포함하는 RF 발생기(168), 다수의 인덕터(L162, L163)와 커패시터(C163, C164, C165)로 구성되는 필터(166), 그리고 양방향 결합기(164)를 포함한다. 양방향 결합기(164)와 RF 발생기(168)는 궤환 제어 회로(165)로 연결되어 양방향 결합기(164)로부터 검출되는 정재파비(SVWR)에 따라 RF발생기(168)의 제어가 이루어진다.
플라즈마 처리에서 중요한 요소는 여러 가지가 있지만 플라즈마 처리의 균일성은 매우 중요한 요소이다. 플라즈마 처리의 균일성을 얻기 위해서는 플라즈마를 균일하게 발생 유지하는 것과 더불어 기판으로 가속되는 이온 에너지를 균일하게 제어하는 것이 필요하다. 피처리 기판 사이즈가 더욱더 대형화 되어가고 있는 추세에서 효과적인 플라즈마 처리를 위해서는 대면적의 플라즈마를 균일하게 발생하는 것과 더불어 재현성 있게 이온 에너지를 제어할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
그러나 지금까지의 바이어스 전력의 제어 있어서, 정전척으로 제공되는 바이어스 전력에 대한 제어는 단순히 정재파비의 검출에 의한 바이어스 제어가 일반적이다. 하지만 정재파비에만 의존한 RF 발생기의 제어는 기판의 전압과 쉬쓰 전압의 변화에 따른 이온 에너지의 제어가 정밀하기 어렵다. 그럼으로 대면적화 되고 초고집적화 되어가는 피처리 기판의 플라즈마 처리에 있어서 플라즈마 내의 이온 에너지를 재현성 있게 제어하기 어렵다.
본 발명의 목적은 정전척에 유도되는 전압 레벨을 직접적으로 검출하고 검출된 전압 레벨의 변화에 따라 RF 발생기를 제어하여 능동적인 바이어스 제어를 하도록 함으로서 플라즈마 내의 이온 에너지를 재현성 있게 제어하여 피처리 기판에 대한 균일한 플라즈마 처리를 가능하게 하는 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 다른 목적은 정전척에 유도되는 전압 레벨을 직접적으로 검출하고 이와 더불어 여러 가지 플라즈마의 특성을 검출하여 검출된 전압 레벨과 플라즈마 특성의 변화에 따라 RF 발생기를 제어하여 능동적인 바이어스 제어 그리고 가스 공급 유량을 제어 하도록 함으로서 플라즈마 내의 이온 에너지를 재현성 있게 제어하여 피처리 기판에 대한 균일한 플라즈마 처리를 가능하게 하는 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 또 다른 목적은 정전척에 유도되는 전압 레벨을 직접적으로 검출하고 이와 더불어 여러 가지 플라즈마의 특성을 검출하여 검출된 전압 레벨과 플라즈마 특성의 변화에 따라 바이어스 전력을 공급하는 RF 발생기와 플라즈마 소스로 메인 전력을 공급하는 RF 발생기를 더불어 제어하여 능동적인 바이어스 제어와 메인 전력을 더불어 제어하고 가스 공급 유량을 제어하도록 함으로서 플라즈마 내의 이온 에너지를 재현성 있게 제어하여 피처리 기판에 대한 균일한 플라즈마 처리를 가능하게 하는 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법을 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치는: 내부에 피처리 기판을 클램핑하기 위한 정전척을 갖는 플라즈마 챔버; 정전력 발생을 위한 직류 전원을 공급하는 정전척 전원; 정전척으로 고주파 바이어스 전력을 공급하는 바이어스 전원 회로; 정전척에 유도되는 전압을 검출하기 위한 전압 검출부; 및 검출된 정전척의 유도 전압에 기초하여 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력을 제어하는 제어부를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 플라즈마 특성을 검출하는 하나 이상의 플라즈마 특성 검출기를 포함하고, 제어부는 검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 실행되는 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력 제어를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 제어부는 검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 플라즈마 특성을 제어하기 위해 실행되는 메인 전원 회로의 RF 발생기 출력 제어를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 제어부는 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력 제어와 더불어 플라즈마 특성을 제어하기 위해 실행되는 가스 공급 시스템의 가스 공급 유량 제어를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 전압 검출부는: 정전척과 접지 사이에 직렬로 연결되는 제1 및 제2 커패시터; 및 제1 및 제2 커패시터의 양단에 각각 접속되는 제1 및 제2 전압 분할 저항을 포함하고, 제1 및 제2 전압 분할 저항에 의해 분할된 전압 값에 의해 정전척의 유도 전압을 검출한다.
본 발명의 다른 일면은 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치의 제어 방법에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치의 제어 방법은: 정전척의 유도 전압을 검출하는 단계; 및 검출된 유도 전압에 기초하여 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력을 제어하는 단계를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 플라즈마 챔버에 수용된 플라즈마 특성을 검출하는 단계; 및 검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 실행되는 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력을 제어하는 단계를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 플라즈마 특성을 제어하기 위해 실행되는 메인 전원 회로의 RF 발생기 출력을 제어하는 단계를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력 제어와 더불어 플라즈마 특성을 제어하기 위해 실행되는 가스 공급 시스템의 가스 공급 유량 제어 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리 고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법을 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 블록도이다. 도 3을 참조하여, 본 발명의 플라즈마 처리 장치(200)는 플라즈마 챔버(224)와 플라즈마 소스(210)를 구비한다. 플라즈마 챔버(224)에는 피처리 기판(222)을 클램핑하기 위한 정전척(220)이 구비된다. 정전척(220)은 정전척 전원(270)으로부터 정전력을 발생하기 위한 직류 전원을 공급받아 피처리 기판(222)을 클램핑한다.
플라즈마 소스(210)는 예를 들어, 유도 안테나 또는 변압기를 이용한 유도 결합 플라즈마 소스로 구성된다. 플라즈마 소스(210)는 플라즈마를 발생하기 위한 고주파 전력을 공급하는 제1 전원 공급원(240)을 포함하며, 가스 공급 시스템(250)으로부터 공급되는 공정 가스를 이온화한다. 제1 전원 공급원(240)은 임피던스 정합기(242)를 통하여 고주파를 플라즈마 소스(210)로 공급한다. 플라즈마 소스(210)에서 플라즈마(230)가 발생되면 발생된 플라즈마(230)는 플라즈마 챔버(224)에 수용된다.
정전척(220)은 임피던스 정함기(260)를 통해서 고주파를 공급하는 전원 공급 원(262)에 전기적으로 연결되어 바이어스 된다. 정전척(270)에 인가되는 고주파 바이어스는 정전척(270)에 직류 바이어스가 발생하도록 하여 쉬쓰 전압(sheath voltage)을 유도하게 된다. 이러한 쉬쓰 전압의 유도에 의해 피처리 기판(270)으로 이온이 가속된다.
전압 검출부(280)는 정전척(220)에 유도되는 전압을 검출하고, 검출된 전압은 제어부(290)로 입력된다. 제어부(290)는 검출된 유도 전압에 기초하여 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력을 제어한다.
도 4는 도 3의 바이어스 전원 회로의 회로 구성을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하여, 정전척(170)으로 바이어스 전원을 공급하기 위한 바이어스 전원 회로는 전원 공급원(260)과 임피던스 정합기(262)를 포함한다. 임피던스 정합기(262)는 예를 들어, 가변 커패시터(C161, C162)와 인덕터(L161)로 구성될 수 있다.
전원 공급원(260)은 발진기(OSC)와 프리 엠프(amp1)와 메인 엠프(amp2)를 포함하는 RF 발생기(268), 다수의 인덕터(L262, L263)와 커패시터(C263, C264, C265)로 구성되는 필터(266), 그리고 양방향 결합기(264)를 포함한다. 양방향 결합기(164)와 RF 발생기(268)는 제어부(290)를 통하여 궤환 제어 회로를 구성한다. 제어부(290)는 양방향 결합기(164)로부터 검출되는 정재파비(SVWR)에 따라 RF발생기(268)의 제어가 이루어진다. 특히 본 발명에서는 이와 더불어 또는 독립적으로 전압 검출부(280)에서 검출되는 정전척의 유도 전압에 기초하여 RF 발생기(268)의 출력 제어가 이루어진다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 제어 과정을 보여주는 흐름도이다. 단계 S200에서 전압 검출부(280)에 의해서 정전척의 유도 전압이 검출된다. 단계 S210에서는 검출된 정전척의 유도 전압에 기초하여 RF 발생기(268)의 출력 제어가 이루어진다. 이러한 RF 발생기(268)의 출력 제어 의해 단계 S220에서 기판 방향의 쉬쓰 전압의 제어가 이루어져 단계 S230에서 기판으로 가속되는 이온 특성이 재현성 있게 제어된다. 그럼으로 피처리 기판에 대한 균일한 플라즈마 처리가 이루어지게 된다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 블록도이다. 도 6을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(200)는 상술한 제1 실시예에와 기본적으로 동일한 구성을 갖는다. 그리고 추가적으로 플라즈마 특성을 검출하는 하나 이상의 플라즈마 특성 검출기(282, 284)를 포함한다.
플라즈마 특성 검출기(282, 284)는 플라즈마 밀도, 전자 온도, 플라즈마 전위, 플로팅 전위와 같은 플라즈마 특성을 측정할 수 있는 랭뮤어 탐침 및 이들의 특정 성분을 좀 더 정확히 측정할 수 있는 이중 탐침, 방사 탐침 등이 사용될 수 있다. 또한 광파장을 검출하는 광학적 검출 장치를 사용할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 제어 과정을 보여주는 흐름도이다. 도 7을 참조하여, 제2 실시예의 플라즈마 처리 장치의 제어 과정은 단계 S200에서 전압 검출부(280)에 의해서 정전척의 유도 전압이 검출된다. 그리고 단계 S240에서 플라즈마 특성 검출부(282, 284)에 의해서 플라즈마 특성이 검출된다.
단계 S210 및 단계 S250에서는 검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 RF 발생기(268)의 출력 제어와 가스 공급 제어가 이루어진다. 이러한 RF 발생기(268)의 출력 제어와 가스 공급 제어에 의해 단계 S220과 단계 S260에서는 기판 방향의 쉬쓰 전압의 제어와 플라즈마 특성의 제어가 이루어지고, 단계 S230에서 기판으로 가속되는 이온 특성이 재현성 있게 제어된다. 그럼으로 피처리 기판에 대한 균일한 플라즈마 처리가 이루어지게 된다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 블록도이다. 도 8을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(200)는 제2 실시예와 기본적으로 동일하다. 그리고 추가적으로 제어부(290)는 RF 발생기의 출력 제어와 가스 공급의 제어를 포함하고, 여기에 메인 전원 회로를 구성하는 제1 전원 공급원(240)의 RF 발생기 출력의 제어를 포함한다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 제어 과정을 보여주는 흐름도이다. 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 제어는 상술한 제2 실시예와 기본적으로 동일하며, 여기에 단계 S270 및 단계 S280에서 메인 전원 제어와 이에 따른 플라즈마 특성 제어가 포함된다.
단계 S270에서는 단계 S200 및 단계 S240에서 검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 메인 전원 회로를 구성하는 제1 전원 공급원(242)의 RF 발생기 출력을 제어한다. 단계 S280에서는 메인 전원 제어에 따른 플라즈마 특성의 제어가 이루어진다.
본 발명에 따른 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법은 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법에 의하면, 정전척에 유도되는 전압 레벨을 직접적으로 검출하고 이와 더불어 여러 가지 플라즈마의 특성을 검출하여 검출된 전압 레벨과 플라즈마 특성의 변화에 따라 바이어스 전력을 공급하는 RF 발생기와 플라즈마 소스로 메인 전력을 공급하는 RF 발생기를 더불어 제어하고 가스 공급 유량을 제어한다. 그럼으로 능동적인 바이어스 제어, 메인 전력의 제어 가스 공급 제어에 의해 플라즈마 내의 이온 에너지를 재현성 있게 제어하여 피처리 기판에 대한 균일한 플라즈마 처리를 가능하게 한다.

Claims (9)

  1. 내부에 피처리 기판을 클램핑하기 위한 정전척을 갖는 플라즈마 챔버;
    정전력 발생을 위한 직류 전원을 공급하는 정전척 전원;
    정전척으로 고주파 바이어스 전력을 공급하는 바이어스 전원 회로;
    정전척에 유도되는 전압을 검출하기 위한 전압 검출부; 및
    검출된 정전척의 유도 전압에 기초하여 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력을 제어하는 제어부를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 플라즈마 특성을 검출하는 하나 이상의 플라즈마 특성 검출기를 포함하고,
    제어부는 검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 실행되는 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력 제어를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 제어부는 검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 플라즈마 특성을 제어하기 위해 실행되는 메인 전원 회로의 RF 발생기 출력 제어를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제어부는 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력 제어와 더불어 플라즈마 특성을 제어하기 위해 실행되는 가스 공급 시스템의 가스 공급 유량 제어를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 전압 검출부는: 정전척과 접지 사이에 직렬로 연결되는 제1 및 제2 커패시터; 및 제1 및 제2 커패시터의 양단에 각각 접속되는 제1 및 제2 전압 분할 저항을 포함하고, 제1 및 제2 전압 분할 저항에 의해 분할된 전압 값에 의해 정전척의 유도 전압을 검출하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 정전척의 유도 전압을 검출하는 단계; 및
    검출된 유도 전압에 기초하여 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력을 제어하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
  7. 제6항에 있어서, 플라즈마 챔버에 수용된 플라즈마 특성을 검출하는 단계; 및
    검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 실행되는 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력을 제어하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
  8. 제7항에 있어서, 검출된 정전척의 유도 전압과 플라즈마 특성 값에 기초하여 플라즈마 특성을 제어하기 위해 실행되는 메인 전원 회로의 RF 발생기 출력을 제어하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
  9. 제7항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 바이어스 전원 회로의 RF 발생기 출력 제어와 더불어 플라즈마 특성을 제어하기 위해 실행되는 가스 공급 시스템의 가스 공급 유량 제어 단계를 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제어 방법.
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