JP4298611B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
ここで、Pは高周波電圧発生手段8の出力である。
2 真空排気手段
3 半導体ウエハ
4 搬送システム
5 ガス導入口
6 ステージ
7 プラズマ発生手段
8 高周波電圧発生手段
9 固定インピーダンス回路
10 電圧センサ
11 半固定整合回路
12 冷却手段
13 インピーダンス自動整合器
14 プラズマ
Claims (4)
- 処理ガスの導入口、真空排気手段および試料を載置するステージを備え、導入した処理ガスをプラズマ化して試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
ステージに高周波電力を供給して試料に入射するイオンを加速する高周波電圧発生手段と、
ステージに供給される高周波電圧を検出して、該電圧が設定値になるように高周波電圧発生手段を制御する電圧センサと、
前記ステージに並列に接続され、前記高周波発生手段の負荷として作用する固定インピーダンス回路を備え、
固定インピーダンス回路のインピーダンスは、固定インピーダンス回路側に供給される電力が前記高周波電圧発生手段の出力の50%以上になるように設定したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
高周波電圧発生手段はインピーダンスを微調整することのできる半固定整合器を介して発生した高周波電圧をステージに供給することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
固定インピーダンス回路の固定インピーダンスは冷却手段を備えた抵抗器であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において
高周波電圧発生手段は、高周波のパルス電圧を発生することを特徴とするプラズマ処理装置。
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