KR101123584B1 - 플라즈마 처리장치 및 처리방법 - Google Patents
플라즈마 처리장치 및 처리방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101123584B1 KR101123584B1 KR1020090087972A KR20090087972A KR101123584B1 KR 101123584 B1 KR101123584 B1 KR 101123584B1 KR 1020090087972 A KR1020090087972 A KR 1020090087972A KR 20090087972 A KR20090087972 A KR 20090087972A KR 101123584 B1 KR101123584 B1 KR 101123584B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- high frequency
- voltage
- induced
- support member
- substrate support
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 삭제
- 공정챔버의 반응공간에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재;상기 반응공간에 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전압을 상기 기판 지지부재에 공급하는 고주파 발생기; 및상기 고주파 발생기로부터 상기 기판 지지부재에 공급되는 고주파 전압의 임피던스를 정합시키기 위한 정합기를 포함하며, 상기 정합기는,상기 고주파 전압의 임피던스를 정합시키기 위한 정합부; 및상기 정합부와 상기 기판 지지부재간의 노드에 접속되어 상기 기판 지지부재에 유도되는 유도 고주파 전압 파형에서 상기 고주파 전압의 파형을 제외한 노이즈 주파수 성분을 제거하기 위한 제 1 필터부와, 상기 제 1 필터부의 출력노드에 접속되어 상기 제 1 필터부에 의해 노이즈 주파수 성분이 제거된 유도 고주파 전압 파형으로부터 상기 유도 고주파 검출 전압을 검출하고 검출된 유도 고주파 검출 전압을 상기 고주파 발생기에 제공하여 상기 고주파 전압이 제어되도록 하는 유도 고주파 검출 회로를 포함하는 유도 고주파 검출부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 필터부는,일단이 상기 기판 지지부재에 접속되고 타단이 상기 유도 고주파 검출 회로에 접속된 제 1 인덕터; 및일단이 상기 제 1 인덕터의 타단에 접속되고, 타단이 접지된 제 1 커패시터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 유도 고주파 검출 회로는,상기 제 1 인덕터의 타단과 상기 유도 고주파 검출 전압의 출력단 사이에 접속된 제 2 커패시터;상기 유도 고주파 검출 전압의 출력단과 접지 사이에 접속된 제 3 커패시터; 및상기 유도 고주파 검출 전압의 출력단과 접지 사이에 접속된 제 1 저항을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 공정챔버의 반응공간에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재;상기 반응공간에 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전압을 상기 기판 지지부재에 공급하는 고주파 발생기; 및상기 고주파 발생기로부터 상기 기판 지지부재에 공급되는 고주파 전압의 임피던스를 정합시키기 위한 정합기를 포함하며, 상기 정합기는,상기 고주파 전압의 임피던스를 정합시키기 위한 정합부;상기 기판 지지부재에 유도되는 유도 고주파 전압 파형에서 상기 고주파 전압의 파형을 제외한 노이즈 주파수 성분을 제거하여 유도 고주파 검출 전압을 검출하고, 검출된 유도 고주파 검출 전압을 상기 고주파 발생기에 제공하여 상기 고주파 전압이 제어되도록 하는 유도 고주파 검출부; 및상기 기판 지지부재에 유도되는 유도 고주파 전압 파형에서 교류 성분을 제거하여 유도 직류 검출 전압을 검출하고, 검출된 유도 직류 검출 전압을 상기 고주파 발생기에 제공하는 유도 직류 전압 검출부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 유도 직류 전압 검출부는,상기 기판 지지부재에 유도되는 유도 고주파 전압 파형에서 교류 성분을 제거하기 위한 제 2 필터부;상기 제 2 필터부에 접속된 제 2 저항; 및상기 제 2 저항과 상기 유도 고주파 검출전압의 출력단 사이에 접속된 제 4 커패시터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 2 필터부는,일단이 상기 기판 지지부재에 접속되고, 타단이 상기 제 2 저항에 접속된 제 2 인덕터; 및상기 제 2 인덕터의 타단과 접지 사이에 접속된 제 5 커패시터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 고주파 발생기는 상기 유도 고주파 검출 전압 및 상기 유도 직류 검출 전압 중 적어도 하나의 전압을 이용하여 상기 고주파 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 고주파 발생기에서 고주파 전압을 발생하는 단계;공정챔버의 반응공간에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재에 상기 고주파 전압을 공급하여 상기 반응공간에 플라즈마를 형성하는 단계;상기 기판 지지부재에 유도되는 유도 고주파 전압 파형에서 상기 고주파 전압의 파형을 제외한 노이즈 주파수 성분을 제거하는 단계;상기 노이즈 주파수 성분이 제거된 유도 고주파 전압 파형으로부터 유도 고주파 검출 전압을 검출하는 단계; 및상기 검출된 유도 고주파 검출 전압에 따라 상기 고주파 발생기에서 상기 고주파 전압을 제어하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 노이즈 주파수 성분을 제거하는 단계는 인덕터와 커패시터를 이용하여 상기 유도 고주파 전압 파형에서 노이즈 주파수 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 기판 지지부재에 유도되는 유도 직류 전압 파형에서 교류 성분을 제거하는 단계;상기 교류 성분이 제거된 유도 직류 전압 파형으로부터 유도 직류 검출 전압을 검출하는 단계; 및상기 검출된 유도 직류 검출 전압에 따라 상기 고주파 발생기에서 상기 고주파 전압을 제어하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 교류 성분을 제거하는 단계는 인덕터와 커패시터를 이용하여 상기 유도 직류 전압 파형에서 교류 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 고주파 발생기에서 상기 고주파 전압을 제어하는 단계는 상기 유도 고주파 검출 전압 및 상기 유도 직류 검출 전압 중 적어도 하나의 전압을 이용하여 상기 고주파 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전압을 기판 지지부재에 공급하는 고주파 발생기;상기 고주파 전압의 임피던스를 정합시키는 정합부;상기 정합부와 상기 기판 지지부재간의 노드에 접속되고, 상기 기판 지지부재에 유도되는 유도 고주파 전압 파형을 필터링하는 제1 필터부; 및상기 제1 필터부의 출력노드에 접속되고, 필터링된 유도 고주파 전압 파형으로부터 유도 고주파 검출 전압을 검출하여 상기 고주파 발생기에 제공하는 유도 고주파 검출 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제14항에 있어서, 상기 유도 고주파 검출 회로는,상기 제1 필터부의 출력노드에 접속된 제1 커패시터;상기 제1 커패시터에 직렬로 연결되어 접지된 제2 커패시터; 및상기 제2 커패시터에 병렬로 연결된 제1 저항을 포함하고,상기 유도 고주파 검출 전압은, 상기 제1 커패시터와 제2 커패시터 사이의 노드에서 검출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090087972A KR101123584B1 (ko) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | 플라즈마 처리장치 및 처리방법 |
US12/885,032 US8445988B2 (en) | 2009-09-17 | 2010-09-17 | Apparatus and method for plasma processing |
TW099131724A TWI517762B (zh) | 2009-09-17 | 2010-09-17 | 電漿處理設備 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090087972A KR101123584B1 (ko) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | 플라즈마 처리장치 및 처리방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110030042A KR20110030042A (ko) | 2011-03-23 |
KR101123584B1 true KR101123584B1 (ko) | 2012-03-22 |
Family
ID=43935854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090087972A KR101123584B1 (ko) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | 플라즈마 처리장치 및 처리방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8445988B2 (ko) |
KR (1) | KR101123584B1 (ko) |
TW (1) | TWI517762B (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9984911B2 (en) * | 2014-12-11 | 2018-05-29 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck design for high temperature RF applications |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970028874A (ko) * | 1995-11-01 | 1997-06-24 | 이종학 | 유도결합형 플라즈마 화학증착 및 그 제어방법 |
KR20070116297A (ko) * | 2006-06-05 | 2007-12-10 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그제어 방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4121269B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2008-07-23 | 日本エー・エス・エム株式会社 | セルフクリーニングを実行するプラズマcvd装置及び方法 |
JP5026916B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2012-09-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
-
2009
- 2009-09-17 KR KR1020090087972A patent/KR101123584B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-09-17 US US12/885,032 patent/US8445988B2/en active Active
- 2010-09-17 TW TW099131724A patent/TWI517762B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970028874A (ko) * | 1995-11-01 | 1997-06-24 | 이종학 | 유도결합형 플라즈마 화학증착 및 그 제어방법 |
KR20070116297A (ko) * | 2006-06-05 | 2007-12-10 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그제어 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201130392A (en) | 2011-09-01 |
KR20110030042A (ko) | 2011-03-23 |
US8445988B2 (en) | 2013-05-21 |
US20110117682A1 (en) | 2011-05-19 |
TWI517762B (zh) | 2016-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7432781B2 (ja) | プラズマ処理源および基板バイアスの同期パルス化 | |
JP7455174B2 (ja) | Rf発生器及び方法 | |
KR102545994B1 (ko) | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
US10763081B2 (en) | Apparatus and methods for manipulating radio frequency power at an edge ring in plasma process device | |
TWI403219B (zh) | 複合射頻波形用之匹配電路 | |
KR101700981B1 (ko) | 멀티주파수 용량적으로 커플링된 플라즈마 에칭 챔버 | |
CN107978506B (zh) | 控制开关模式离子能量分布系统的方法 | |
JP5492070B2 (ja) | ウエハに面する電極に直流電圧を誘導するための方法およびプラズマ処理装置 | |
JP2014502027A (ja) | Rf電圧に基づくプラズマ処理システム制御 | |
US10032608B2 (en) | Apparatus and method for tuning electrode impedance for high frequency radio frequency and terminating low frequency radio frequency to ground | |
US11170981B2 (en) | Broadband plasma processing systems and methods | |
TW201342508A (zh) | 用於靜電吸盤的射頻濾波器 | |
KR100613195B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법 | |
KR101123584B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 처리방법 | |
JP2023531370A (ja) | プラズマ生成装置及びその制御方法 | |
KR20110022952A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102467966B1 (ko) | 하이브리드 플라즈마 발생 장치 및 하이브리드 플라즈마 발생 장치의 제어방법 | |
US20240194446A1 (en) | Chamber impedance management in a processing chamber | |
WO2023223866A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20230130829A1 (en) | Plasma processing chambers configured for tunable substrate and edge sheath control | |
US20230178338A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR100819020B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
TW202230593A (zh) | 用於靜電夾盤的功率供應訊號調節 | |
KR20150037621A (ko) | 고 주파수 무선 주파수에 대한 전극 임피던스를 튜닝하고 저 주파수 무선 주파수를 접지로 종단하기 위한 장치 및 방법 | |
TW202425046A (zh) | 處理腔室中的腔室阻抗管理 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150105 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160105 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180807 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190213 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200102 Year of fee payment: 9 |