KR20070109618A - 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 수직형 발광 소자에 관한 것으로 특히, 높은 전도성을 갖는 고품위 반도체 박막을 갖는 수직형 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 제1전극과; 상기 제1전극 위에 위치하는 제1전도성층과; 상기 제1전도성층 위에 위치하는 활성층과; 상기 활성층 위에 위치하며, 적어도 하나 이상의 반도체층과, 적어도 하나 이상의 전도성 반도체층을 포함하는 제2전도성층과; 상기 제2전도성층 위에 위치하는 제2전극을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

전도성, LED, 도펀트, GaN, 반도체.

Description

수직형 발광 소자 및 그 제조방법{LED having vertical structure and method of making the same}

도 1은 본 발명의 제1전도성층의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.

도 2는 도 1의 확대도이다.

도 3은 본 발명의 혼합층 형성시 소스 가스 주입을 나타내는 그래프이다.

도 4는 본 발명의 전도성 반도체층 형성시 소스 가스 주입을 나타내는 그래프이다.

도 5는 본 발명의 발광 소자 제조단계의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.

도 6은 본 발명의 발광 소자의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>

100 : 기판 200 : 제1전도성층

210 : 핵생성층 220 : 혼합층

230 : 전도성 반도체층 300 : 활성층

400 : 제2전도성층 500 : p-형 전극

510 : 오믹 전극 520 : 반사전극

600 : 지지층 710 : n-형 전극

720 : 전극 패드

본 발명은 수직형 발광 소자에 관한 것으로 특히, 전도성과 품질을 향상된 반도체 박막을 갖는 수직형 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.

이러한 LED에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.

질화 갈륨 화합물 반도체(Gallium Nitride: GaN)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2eV)을 가지고 있어, LED를 포함한 고출력 전자부품 소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다.

이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.

이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재 료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.

이러한 GaN 계열 물질의 이점들로 인해, GaN 계열의 LED 시장이 급속히 성장하고 있다. 따라서, 1994년에 상업적으로 도입한 이래로 GaN 계열의 광전자장치 기술도 급격히 발달하였다.

상술한 질화물 반도체 LED 박막층의 기본 구성은 이종 기판 위에 질화갈륨층, n-형 질화갈륨층, 발광층, p-형 질화갈륨층으로 순서대로 구성된다.

상기 n-형 질화갈륨층과 p-형 질화갈륨층은 전기전도성을 가지는 박막이며, 이러한 전기전도성을 갖는 질화물 반도체 박막을 제조하는 종래의 보편적인 방법은 박막 성장시 박막을 구성하는 원소들의 소스(source) 가스들과 도펀트(dopant) 가스들을 함께 성장 장비 내로 주입하는 것이다.

이 경우, 상기 도펀트는 박막 성장 중에 박막 내로 혼입되고, 도펀트의 특성에 따라서 전자 혹은 정공을 박막 내에 공급하여 p-형 또는 n-형 박막의 전기전도성을 갖게 된다.

이때, 박막 내에 전자 또는 정공을 공급하는 도펀트들은 박막 내에서 박막을 구성하고 있는 주원소들의 격자 자리에 치환형으로 자리를 잡고 전체적으로 균일하게 분포하게 된다.

상술한 바와 같이, 전도성 박막 제작시에 도펀트들은 박막 성장 중에 박막 내에서 주원소들의 격자자리에 치환형으로 자리를 점유하게 되므로 성장하는 박막의 표면특성 및 성장모드를 변화시킬 수 있다.

특히, 높은 전기전도성을 요구하는 경우에는 주입되는 도펀트의 양이 많아지게 되는데, 이 경우 성장하는 박막의 표면특성 및 성장모드에는 상당한 변화가 발생하게 된다.

질화물 반도체 박막의 경우, 다량의 도펀트를 주입하게 되면, 성장하는 박막 표면에서 증착하는 원자들의 표면이동도를 크게 떨어뜨리고, 결국 질화물 반도체 박막의 결정성을 크게 저하시키는 문제점이 있었다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 박막 결정성의 퇴화없이 높은 전도성을 갖는 고품위 질화물 반도체 박막을 갖는 수직형 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제1관점으로서, 본 발명은, 제1전극과; 상기 제1전극 위에 위치하는 제1전도성층과; 상기 제1전도성층 위에 위치하는 활성층과; 상기 활성층 위에 위치하며, 적어도 하나 이상의 반도체층과, 적어도 하나 이상의 전도성 반도체층을 포함하는 제2전도성층과; 상기 제2전도성층 위에 위치하는 제2전극을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

상기 제2전도성층의 적어도 일부분은, 상기 반도체층과 전도성 반도체층이 번갈아 위치할 수 있다.

상기 제1전도성층은 p-형 반도체층이고, 상기 제2전도성층은 n-형 반도체층인 것이 바람직하고, 이때, 상기 제2전도성층의 전도성 반도체층은, 실리콘 도펀트 를 포함한 반도체층인 것이 바람직하다.

또한, 상기 제2전도성층은, 적어도 하나 이상의 반도체층과, 적어도 하나 이상의 제1전도성 반도체층이 번갈아 위치하는 혼합층과; 상기 혼합층에 접촉하는 제2전도성 반도체층을 포함하여 구성될 수 있으며, 경우에 따라, 핵생성층을 더 포함할 수 있다.

한편, 상기 제1전극은, 오믹 전극과; 반사전극을 포함하여 구성될 수 있으며, 이러한 제1전극의 하측에는, 금속 또는 반도체로 이루어지는 지지층을 더 포함할 수 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제2관점으로서, 본 발명은, 기판 위에, 적어도 하나 이상의 반도체층과, 적어도 하나 이상의 전도성 반도체층을 포함하는 제1전도성층을 형성하는 단계와; 상기 제1전도성층 위에 활성층을 형성하는 단계와; 상기 활성층 위에 제2전도성층을 형성하는 단계와; 상기 제2전도성층 위에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 기판을 분리하는 단계와; 상기 기판이 분리된 제1전도성층 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

상기 제1전도성층을 형성하는 단계는, 상기 기판 위에, 적어도 일부분에서 반도체 소스에 도펀트를 반복적으로 주입 또는 차단하여 형성하는 것이 바람직하다.

보다 구체적으로, 상기 제1전도성층을 형성하는 단계는, 반도체 소스를 이용하여 핵생성층을 형성하는 단계와; 반도체 소스에 상기 핵생성층 위에 도펀트를 반복적으로 주입 또는 차단하여 혼합층을 형성하는 단계와; 상기 혼합층 위에 반도체 소스와 도펀트를 포함하는 전도성 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1에서 도시하는 바와 같이, 먼저, 기판(100) 위에 제1전도성층(200)이 형성된다. 이러한 제1전도성층(200)은 도펀트를 포함한 반도체 박막이며, 전기적으로 n-형 반도체층일 수 있고, 경우에 따라 p-형 반도체층일 수도 있다.

이하, 상기 제1전도성층(200)은 n-형 반도체층인 것으로 예를 들어 설명한다.

도 2는 도 1의 기판(100) 위에 제1전도성층(200)이 형성된 상태를 나타내는 확대도로서, 도시하는 바와 같이, 먼저, 기판(100) 위에 질화갈륨 반도체 박막을 성장시키는데, 이러한 반도체 박막은 이종의 기판(100) 위에 질화갈륨 반도체가 성장할 수 있도록 하는 핵생성층(210)으로 작용한다.

질화물 반도체(GaN) 박막의 경우 아직 동종 기판이 상업적으로 시판되고 있지 않으므로, 질화물 반도체 박막은 사파이어나 실리콘 카바이드(SiC) 같은 이종 기판(100) 위에 성장된다.

이와 같이 이종 기판(100) 위에 질화물 반도체 박막을 성장할 경우 필연적으로 이종 기판(100)과 질화물 반도체 박막 사이의 결정격자 불일치에 의한 결정결함들이 계면 근처에 형성된다.

이러한 결정결함들 중에서, 특히 스레딩 전위(threading dislocation)는 박 막속으로 침투하여 소자의 발광층을 지나 표면까지 전파된다. 따라서, 고성능 소자를 제조하기 위해서는 결정결함 밀도가 낮은 고품위 질화물 박막을 성장하는 것이 요구된다.

상기와 같은 기판(100) 위에 형성되는 핵생성층(210)은 저온에서 질화갈륨 반도체를 이용하여 대략 100nm 정도의 얇은 두께로 형성한다.

그 다음, 성장 온도를 1000℃ 이상의 고온으로 상승시켜 아일랜드 모양의 핵생성층(210)위에 고온 질화물 박막층을 성장시킨다.

이때, 저 결정결함의 고품위 박막을 성장시키기 위해서는 아일랜드 모양의 초기 핵들 위에서 박막 성장이 시작되어 수직 방향 성장과 동시에 횡적 성장의 정도가 중요하다.

박막 성장이 계속됨에 따라서 초기의 아일랜드들은 횡적 성장에 의해서 서로 마주치게 되고 서로 혼합하게 된다.

이때, 아일랜드들이 횡적으로 마주치는 부위에 핀홀들이 깊게 형성되게 된다. 이러한 핀홀들은 박막 성장이 수직방향 성장과 동시에 횡적 성장이 계속됨에 따라서 차츰 채워지고 박막 표면은 결국 평탄해지게 된다.

이와 같이 이종 기판(100) 위에 성장되는 질화물 반도체는 아일랜드 형태의 초기 씨앗(핵)에서 성장을 시작해서 서로 횡적으로 혼합 후 평탄화되는 진화과정을 거친다.

이때, 아일랜드에서 평탄한 박막으로의 진화는 박막의 횡적 성장속도에 크게 의존한다.

그런데, 질화물 박막 성장시 n-형 도펀트로 실리콘(Si)을 주입할 경우, 이러한 실리콘 도펀트는 박막 성장 표면에서 표면특성을 변화시키어 표면에서의 주원소들의 이동도를 저하시켜 박막의 횡적 성장속도를 저하시킨다.

일반적인 종래의 발광 소자들은 이러한 n-형 질화물 박막위에 활성층과 p-형 박막층을 연속적으로 성장함으로써 고품위 결정성을 갖는 고성능의 소자를 구현한다.

그러나, 수직형 발광 소자의 경우는 이종 기판을 제거후 노출된 표면에 n-형 전극 금속층을 형성해야 하므로 노출되는 박막이 전기전도성이 우수한 n-형 질화물 박막이어야 한다.

본 발명은 주기적으로 도펀트의 주입과 차단을 반복함으로써 고품위 전도성 n-형 질화물 반도체층을 형성할 수 있다.

즉, 상기 혼합층(220)은 적어도 하나 이상의 질화물 반도체층(221)과, n-형 전도성 반도체층(222)으로 이루어지며, 도 2에서 도시하는 바와 같이, 상기 반도체층(221)과 n-형 반도체층(222)은 교대로 반복하여 형성될 수 있다.

도 3에서와 같이, 상기 혼합층(220)은 박막 성장시 n-형 질화갈륨 반도체의 도펀트 소스 가스인 사일렌(SiH₄) 가스를 주기적으로 주입과 차단을 반복함으로써 고품위 전도성 n-형 질화물 반도체층의 형성이 가능하다.

상기 도펀트가 주입되는 전도성 반도체층(222)의 두께는 0.5 내지 500 나노미터(nm) 정도가 바람직하고, 도펀트 주입이 차단되는 반도체층(221)의 두께는 0.5 내지 700 나노미터(nm) 정도가 바람직하다.

상술한 바와 같이, 도펀트가 주기적으로 주입되어 성장된 박막은 고온에서 일정시간 유지될 때, 혹은 그 후의 공정단계에서 도펀트가 열적 확산과정에 의해서 분산되게 되며 결국 혼합층(220) 박막 전체적으로 전도성을 갖게 된다.

이와 같이, 박막 성장시 도펀트가 주입되는 동안에는 박막의 표면 특성이 변하고 성장 거동이 변하여 결국 결정성의 퇴화를 초래한다.

그러나, 도펀트 주입이 차단되는 동안에는 성장하는 박막의 표면 특성이 회복되고 결국 박막의 결정성이 회복된다. 따라서, 도펀트의 주입과 차단의 반복은 도펀트에 의한 박막 결정성의 퇴화를 최소화하게 된다.

특히, 이종 기판 위에 n-형 질화물 박막을 성장시 초기 성장단계에서 박막의 성장거동에 미치는 도펀트의 영향은 매우 크다.

이와 같이, 핵생성층(210)이 형성된 기판(100) 위에 제1전도성층(200) 성장시, 초기단계에서는 도펀트가 주기적으로 주입되어 혼합층(220)이 형성되고, 이러한 혼합층(220)이 일정 두께까지 성장되고 표면이 평탄화 된 이후에는, 도 4에서와 같이, 도펀트가 연속적으로 주입되어 n-형 전도성 반도체층(230)이 형성된다.

이러한 연속적으로 도펀트가 주입되어 전도성 반도체층(230)이 형성되는 단계에서, 이전에 형성된 도펀트가 주기적으로 주입된 혼합층(220) 내의 도펀트들은 효과적으로 열적 확산을 할 수 있게 된다.

이와 같은 과정에서, 상기 제1전도성층(200)은 도펀트 주입에 따른 결정성 퇴화를 최소화하고 동시에 전도성이 높은 고품위 질화물 박막을 제공할 수 있는 것 이다.

이와 같이, 기판(100) 위에 형성된 제1전도성층(200) 위에는, 도 5에서 도시하는 바와 같이, 활성층(300)이 형성된다.

상기 활성층(300)은 InGaN/GaN 양자우물(quantum well: QW) 구조를 이룰 수 있다. 그 외에 AlGaN, AlInGaN 등의 물질도 활성층(300)으로 이용될 수 있음은 물론이다.

이러한 활성층(300)에서는 추후 이루어지는 구조에서 전계를 인가하였을 때, 전자-정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다.

또한, 이러한 활성층(300)은 휘도 향상을 위하여 상술한 양자우물 구조(QW)가 복수로 형성되어 다중 양자우물(multi quantum well: MQW) 구조를 이룰 수 있다.

이러한 활성층(300) 위에는 제2전도성층(400)이 형성된다. 이때, 제2전도성층(400)은 p-형 질화갈륨 반도체층일 수 있으며, 이때 도펀트는 마그네슘(Mg)이 이용될 수 있다.

상기 제2전도성층(400) 위에는 얇은 두께의 n-형 반도체층(240)이 형성되어, 이후에 이루어질 오믹 전극의 특성을 향상시킬 수 있다.

이후에, p-형 전극(500)이 형성된다. 이러한 p-형 전극(500)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명한 오믹 전극(510)과, 상기 활성층(300)에서 발생한 빛을 반사하여 외부로 방출시키기 위한 반사전극(520)이 포함될 수 있다.

이러한 p-형 전극(500) 위에는 추후에 기판(100) 분리과정에서 기판(100) 위 에 형성된 구조를 지지하기 위한 지지층(600)이 형성될 수 있다.

이와 같은 지지층(600)은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 게르마늄(Ge) 등의 반도체 기판이나 CuW 등의 금속 기판을 반사전극(40) 위에 본딩하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 반사전극(520) 위에 니켈(Ni) 또는 구리(Cu)와 같은 금속을 도금하여 형성할 수도 있다.

이러한 지지층(600)이 금속인 경우에는 반사전극(520)과의 부착성을 향상시키기 위하여 결합금속(seed metal)을 이용하여 형성할 수도 있다.

이후에는, 상기 기판(100)을 제거하는 과정을 수행한다.

상기 기판(10)의 제거는 이른바, 레이저 리프트 오프(laser lift off)법을 이용하여 레이저를 이용하여 제거할 수 있고, 또한 식각법을 이용하여 화학적인 방법으로 제거할 수도 있다.

이러한 기판(100)의 제거하는 과정에서 상기 지지층(600)은 기판(100) 위에 형성된 구조를 지지할 수 있도록 한다.

이와 같이, 기판(100)이 제거된 면에는, 도 6에서와 같이, 상기 제1전도성층(200)이 드러나게 된다.

이때, 상기 제1전도성층(200)의 외측면은 세척되거나, 식각과 같은 표면 처리 과정을 거칠 수 있다. 이러한 과정에서 상기 핵생성층(210)은 제거될 수도 있다.

상술한 바와 같이, n-형 질화갈륨 반도체로 이루어지는 제1전도성층(200)에는 n-형 전극(710)이 형성되고, 지지층(600)에는 전극 패드(720)가 형성되어 LED 구조가 이루어진다.

<실시예>

이하, 상기 도 1 내지 도 6을 참고하여 본 발명의 구체적인 실시예를 설명한다.

본 실시예에서는 질화물 반도체 박막 성장을 위하여 유기금속 화학 기상 증착 시스템(MOCVD: metal-organic chemical vapor deposition)이 사용된다.

기판(100)으로는 사파이어가 이용되고, 질소원으로는 암모니아(NH₃)가 사용하되었으며, 운반가스(carrier gas)로 수소(H₂)와 질소(N₂)가 사용된다.

유기금속 갈륨(TMGa)과 유기금속 인듐, 유기금속 알류미늄이 각각 갈륨, 인듐 및 알류미늄 소스로 사용되었다. n-형 도펀트는 실리콘(Si)을 사용하였고, p-형 도펀트는 마그네슘(Mg)을 사용하였다. 실리콘 소스 가스로는 사일렌(SiH₄)이 사용된다.

상기 사파이어 기판(100) 위에 7㎛ 두께의 n-형 질화물 반도체로 이루어지는 제1전도성층(200)이 1030℃에서 성장되었고, 이때, 성장 압력은 250 토르(Torr)가 적용되었다. 이러한 제1전도성층(200)의 성장에 적용된 구체적인 방법은 다음과 같다.

먼저, 사파이어 기판(100)을 박막 성장장비 속에 삽입하고 550℃에서 70nm 두께의 얇은 질화물 반도체의 핵생성층(210)을 성장한다.

다음, 성장 온도를 1030℃로 증가시킨 후 다량의 실리콘 소스 가스를 갈륨소 스 가스와 암모니아와 함께 주입한다.

이때, 실리콘 소스 가스의 주입은 박막 성장 중에 일정한 주기를 갖고 주입과 차단을 반복하여 혼합층(220)을 성장한다.

실리콘 소스 가스의 주입과 차단은 도펀트를 갖는 박막의 두께가 50nm, 도펀트를 갖지 않는 박막의 두께가 50nm가 되도록 조절한다. 이때, 반복주기는 20번을 반복 수행한다.

그 다음, 5㎛ 두께의 n-형 질화물 반도체의 전도성 반도체층(230)의 성장을 도펀트의 차단없이 계속적으로 주입하여 성장한다.

이러한 제1전도성층(200)을 성장 후, 그 위에 7쌍의 질화인듐갈륨/질화갈륨 (InGaN/GaN) 다중 양자우물구조의 발광층(활성층: 300)을 형성한다.

이러한 활성층(300) 위에 0.1㎛의 p-형 질화갈륨 반도체를 이용하여 제2전도성층(400)을 성장시키고, 그 상단에 오믹 특성 향상을 위해 n-형 반도체층(240)을 얇게 형성시킨다.

그리고, 정공의 주입을 용이하게 하기 위해 인듐 주석 산화물(ITO)을 이용하여 오믹 전극(510)을 0.2㎛ 증착 후, 반사전극(520)과 지지층(600)으로서 구리를 접합시킨다.

그 다음, 레이저를 이용하여 사파이어 기판(100)을 제거한 후, 노출된 n-형 질화물 반도체 박막 표면을 물리 화학적으로 표면 처리한 후 n-형 전극(710)을 형성한다.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로 서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.

이상과 같은 본 발명은 다음과 같은 효과가 있는 것이다.

첫째, 전도성층의 성장에 있어서, 일정한 주기로 도펀트의 주입과 차단 과정을 반복함으로써 박막 결정성의 퇴화없이 높은 전도성을 갖는 고품위 질화물 반도체 박막을 제조할 수 있다.

둘째, 본 발명에 의한 전도성층은 높은 전도성을 가지며, 동시에 고품질의 결정성을 갖는 질화물 반도체 박막은 질화물반도체 광소자 및 광전소자의 소자성능을 크게 향상시킬 것이다.

더욱이, 이종기판위에 성장되는 수직형 광소자의 경우 그 생산성을 크게 향상 시킬 것이다.

Claims (14)

1. 제1전극과;

   상기 제1전극 위에 위치하는 제1전도성층과;

   상기 제1전도성층 위에 위치하는 활성층과;

   상기 활성층 위에 위치하며, 적어도 하나 이상의 반도체층과, 적어도 하나 이상의 전도성 반도체층을 포함하는 제2전도성층과;

   상기 제2전도성층 위에 위치하는 제2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 제2전도성층의 적어도 일부분은, 상기 반도체층과 전도성 반도체층이 번갈아 위치하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
3. 제 1항에 있어서, 상기 제1전도성층은 p-형 반도체층이고, 상기 제2전도성층은 n-형 반도체층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
4. 제 1항에 있어서, 상기 제2전도성층의 전도성 반도체층은, 실리콘 도펀트를 포함한 반도체층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
5. 제 1항에 있어서, 상기 제2전도성층은,

   적어도 하나 이상의 반도체층과, 적어도 하나 이상의 제1전도성 반도체층이 번갈아 위치하는 혼합층과;

   상기 혼합층에 접촉하는 제2전도성 반도체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
6. 제 5항에 있어서, 상기 혼합층의 반도체층의 두께는 0.5 내지 700nm인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
7. 제 5항에 있어서, 상기 혼합층의 제1전도성 반도체층의 두께는 0.5 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
8. 제 5항에 있어서, 상기 제2전도성층은, 핵생성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
9. 제 1항에 있어서, 상기 제1전극은,

   오믹 전극과;

   반사전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
10. 제 1항에 있어서, 상기 제1전극의 하측에는, 금속 또는 반도체로 이루어지는 지지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
11. 기판 위에, 적어도 하나 이상의 반도체층과, 적어도 하나 이상의 전도성 반도체층을 포함하는 제1전도성층을 형성하는 단계와;

    상기 제1전도성층 위에 활성층을 형성하는 단계와;

    상기 활성층 위에 제2전도성층을 형성하는 단계와;

    상기 제2전도성층 위에 제1전극을 형성하는 단계와;

    상기 기판을 분리하는 단계와;

    상기 기판이 분리된 제1전도성층 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
12. 제 11항에 있어서, 상기 제2전도성층 위에 제1전극을 형성하는 단계 이후에는, 금속 또는 반도체로 이루어지는 지지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
13. 제 11항에 있어서, 상기 제1전도성층을 형성하는 단계는,

    상기 기판 위에, 적어도 일부분에서 반도체 소스에 도펀트를 반복적으로 주입 또는 차단하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
14. 제 11항에 있어서, 상기 제1전도성층을 형성하는 단계는,

    반도체 소스를 이용하여 핵생성층을 형성하는 단계와;

    반도체 소스에 상기 핵생성층 위에 도펀트를 반복적으로 주입 또는 차단하여 혼합층을 형성하는 단계와;

    상기 혼합층 위에 반도체 소스와 도펀트를 포함하는 전도성 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.

Images