KR20070108145A

KR20070108145A - 리소그래피로 제조되는 프로브 요소를 성형하는 방법

Info

Publication number: KR20070108145A
Application number: KR1020077015176A
Authority: KR
Inventors: 바하디르 투나보이루; 에드워드 엘 말란토니오
Original assignee: 에스브이 프로브 피티이 엘티디
Priority date: 2004-12-03
Filing date: 2005-11-18
Publication date: 2007-11-08
Also published as: US7462800B2; JP2008522190A; EP1817592A1; US20060119376A1; WO2006060215A1

Abstract

본 발명에 따르면, 시험 대상 반도체 소자의 접점과 전기적 연결을 확립하기 위해, 프로브 카드에 사용되도록 구성되는 리소그래피로 제조된 프로브 요소의 팁을 성형하는 방법이 제공된다. 이 방법은 (a) 복수 개의 프로브 요소를 리소그래피로 제조하는 단계와, (b) 복수 개의 프로브 요소의 각 팁을 산화 오염물층을 잘 관통하도록 되어 있는 형상으로 형성하기 위해, 복수 개의 프로브 요소의 각 팁으로부터 재료를 제거하는 차감 공정을 이용하는 단계를 포함한다.

Description

리소그래피로 제조되는 프로브 요소를 성형하는 방법{METHOD OF SHAPING LITHOGRAPHICALLY-PRODUCED PROBE ELEMENTS}

본 출원은 2004년 12월 3일자로 출원된 미국 가출원 제60/633,017호를 우선권으로 주장하며, 이 가출원의 내용은 본원에 참조로 인용되어 있다.

본 발명은 집적 회로의 테스트용 장비에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 반도체 집적 회로의 테스트에 사용되는 프로브 카드에 결합되어 있는 리소그래피로 제조되는 프로브 요소를 성형하는 방법에 관한 것이다.

반도체 집적 회로의 제조에 있어서는, 통상적으로 제조 동안에 그리고 선적 이전에 집적 회로("IC's")를 테스트하여 정상 작동을 보증한다. 웨이퍼 테스트로는 대개 생산품 테스트에 사용되는 잘 알려진 테스트 기술로서 웨이퍼에 장착된 반도체 IC's를 테스트하는 기술이 있는데, 이 기술에서는 자동 테스트 장비(ATE)와 웨이퍼 상에 장착된 각각의 IC와의 사이에 임시적으로 전류를 걸어서 IC's가 정상적으로 잘 작동한다는 것을 증명한다. 웨이퍼 테스트에 사용되는 예시적인 구성 요소로는 ATE 테스트 기판이 있는데, 이 ATE 테스트 기판은 ATE에 접속된 다층 인쇄 회로 기판이며 테스트 신호를 ATE와 프로브 카드 사이의 여기저기로 전송하는 것이다. 예시적인 프로브 카드로는 인쇄 회로 기판이 있는데, 이 인쇄 회로 기판 은 대개 IC 웨이퍼 상에서 일련의 접속 단자[또는 "다이 접점(die contact)"]와 전기적으로 접속하도록 위치 설정되어 있는 수백 개의 프로브 니들(probe needle)[또는 플렉시블 프로브(flexible probe)]를 포함한다.

공지의 프로브 카드는 펜실배니아주 윌로우 그로브에 소재하는 쿨리케 앤드 소파 인더스트리 인크(Kulicke and Soffa Industries, Inc.)로부터 입수할 수 있다. 특정 프로브 카드는 인쇄 회로 기판, 복수 개의 플렉시블 프로브를 구비한 프로브 헤드, 및 프로브를 인쇄 회로 기판에 전기적으로 접속시키는 스페이스 트랜스포머(space transformer)를 포함한다. 스페이스 트랜스포머는 다층 세라믹 기판 또는 별법으로서 다층 유기 기판을 포함한다.

리소그래피 기술을 사용하여 복수 개의 플렉시블 프로브를 제조하는 것은 공지되어 있다. 예컨대, 미국 특허 제6,616,966호(Mathier 등)와 미국 특허 제6,677,245호(Zhou 등)는 각각 플렉시블 프로브를 리소그래피로 제조하는 방법을 개시하고 있다.

프로브 카드 사용에 있어서 한 가지 난점은, 플렉시블 프로브가 접촉하는 집적 회로 다이 접점 또는 패드의 표면이, 대개 산화하여 전기 절연성 산화물층을 형성하는 경향이 있는 알루미늄 또는 구리 등과 같은 금속으로 형성된다는 점이다. 이러한 산화물층은 각 다이 접점과 각 플렉스블 프로브 사이에 적절한 전기적 연결을 확립하도록 플렉시블 프로브에 의해 틈이 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 각 플레시블 프로브의 팁은 플렉시블 프로브가 산화물층을 관통할 수 있는 능력을 증진시키는 방식으로 그 윤곽이 형성되는 것이 바람직하다. 그러나, 통상의 리소 그래피 기술을 이용하면, 다이 접점의 산화물층을 가장 잘 관통하도록 되어 있는 바람직한 날카로운 에지를 플렉시블 프로브에 마련하기가 곤란하다.

따라서, 다이 접점과의 전기적 연결을 확립할 수 있는 프로브 요소의 능력을 강화하도록, 리소그래피로 제조되는 프로브 요소의 팁을 성형할 수 있는 방법을 제공하는 것이 바람직하다.

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 프로브 카드에 사용하도록 구성된 프로브 요소를 처리하는 방법이 제공된다. 이 방법은 각각 팁 부분을 갖는 복수 개의 프로브 요소를 리소그래피로 제조하는 단계를 포함한다. 또한, 이 방법은 복수 개의 프로브 요소의 각 팁 부분을 프로브 요소에 의해 검지되는 표면의 오염물층을 잘 관통하도록 되어 있는 형상으로 형성하기 위해, 복수 개의 프로브 요소의 팁 부분으로부터 재료를 제거하는 단계를 포함한다.

본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따르면, 프로브 카드에 사용하도록 구성된 프로브 요소를 처리하는 방법이 제공된다. 이 방법은 각각 팁 부분을 갖는 복수 개의 프로브 요소를 제조하는 단계를 포함한다. 또한, 이 방법은 복수 개의 프로브 요소의 각 팁 부분을 프로브 요소에 의해 검지되는 표면의 오염물층을 잘 관통하도록 되어 있는 형상으로 형성하기 위해, 복수 개의 프로브 요소의 팁 부분으로부터 재료를 제거하는 단계를 포함한다. 이 제거 단계는 팁 부분으로부터 재료를 레이저 제거하는 것을 포함한다.

본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따르면, 프로브 카드에 사용하도록 구성된 프로브 요소를 처리하는 방법이 제공된다. 이 방법은 각각 팁 부분을 갖는 복수 개의 프로브 요소를 리소그래피로 제조하는 단계를 포함한다. 또한, 이 방법은 복수 개의 프로브 요소의 각 팁 부분을 프로브 요소에 의해 검지되는 표면의 오염물층을 잘 관통하도록 되어 있는 형상으로 형성하기 위해, 복수 개의 프로브 요소의 팁 부분으로부터 재료를 제거하는 단계를 포함한다. 이 제거 단계는 팁 부분으로부터 재료를 레이저 제거하는 것을 포함한다.

본 발명의 전술한 특징 및 그 밖의 특징과 본 발명의 장점은 첨부 도면에 예시된 바와 같은 바람직한 실시예에 대한 이하의 상세한 설명을 비추어 보면 더 명백해질 것이다. 본 발명을 벗어나지 않는 변형례가 다양하게 실시 가능함은 물론이다. 따라서, 이하의 도면 및 설명은 사실상 제한적인 것이 아닌 예시적인 것으로 감안되어야 한다.

본 발명의 예시를 목적으로, 현재 바람직한 본 발명의 형태를 도면에 예시하였으나, 본 발명은 도시된 정확한 구성 및 수단에 국한되지는 않음은 물론이다. 도면에서,

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 프로브 요소를 마련하는 방법을 예시하는 블록 다이어그램이고,

도 2a는 도 1에 예시된 예시적인 방법에 따라 처리된 예시적인 프로브 팁 형상을 보여주며,

도 2b는 도 1에 예시된 방법에 의해 제조될 수 있는 소정의 예시적인 프로브 팁 형상을 예시하고,

도 3a는 리소그래피로 제조되는 프로브 팁으로부터 재료를 제거하는데 레이저가 사용되는 예시적인 재료 제거 시스템을 예시하고,

도 3b는 리소그래피로 제조되는 프로브 팁으로부터 재료를 제거하는데 레이저가 사용되는 다른 예시적인 재료 제거 시스템을 예시한다.

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 본 발명은 외부에 산화물층이 있는 다이 접점과 전기적 연결을 확립하기 위해, 프로브 카드에 사용되는 리소그래피로 제조된 프로브 요소의 팁을 성형하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 복수 개의 프로브 요소를 리소그래피로 제조하는 단계와, 복수 개의 프로브 요소의 각 팁을 산화물층을 잘 관통하도록 되어 있는 형상으로 형성하기 위해, 복수 개의 프로브 요소의 각 팁으로부터 재료를 제거하는 차감 공정을 이용하는 단계를 포함한다. 예컨대, 상기 차감 공정은 레이저 제거일 수 있다. 또한, 상기 방법은 각 프로브 요소의 팁을 화학 연마하는 단계를 포함할 수 있다.

예컨대, 복수 개의 프로브 요소는 프로브 요소가 타이 바(tie bar) 등에 의해 접속되도록 시트에서 리소그래피로 제조될 수 있으며, 여기서는 타이 바도 또한 리소그래피 공정 동안에 제조된다. 본 발명에 따라 프로브 요소를 처리(예컨대, 프로브 요소의 팁 부분을 성형)한 이후에, 프로브는 (예컨대, 프로브 요소를 시트에 유지시키고 있는 타이 바 등을 절단함으로써) 시트로부터 단품화될 수 있고, 그 후에 이렇게 단품화된 프로브 요소는 기판의 접촉 위치(예컨대, MLO 또는 MLC 스페 이스 트랜스포머 등과 같은 스페이스 트랜스포머, PCB 등)에 본딩[예컨대, 웨지 본딩(wedge bond)]될 수 있으며, 여기서 상기 기판은 프로브 카드의 부품이 되도록 구성되어 있다.

도면을 참조하면, 오염물층[예컨대, 외측 산화물층(도시 생략)]을 가질 수 있는 반도체 소자[예컨대, 웨이퍼 형태의 (도시 생략)]의 접점과 전기적 연결을 확립하기 위해, 프로브 카드에 접속되어 사용되는 리소그래피로 제조되는 프로브 요소(30)의 팁을 성형하는 방법(10)이 예시되어 있다. 특히, 도 1을 참조하면, 상기 프로브 요소의 팁 성형 방법(10)은 복수 개의 프로브 요소(30)를 리소그래피로 (예컨대, 포토리소그래피, 스테레오리소그래피 등을 이용하여) 제조하는 단계(12)를 포함한다. 단계(12)는 반도체 제조 분야에 있어서 통상적이고 알려진 것이다. 통상의 리소그래피 공정은 소정의 재료를 라미네이팅하는 단계와, 미세한 생산품 형상을 한정하기 위해 상기 라미네이팅된 재료를 마스킹하는 단계와, 상기 마스킹된 재료를 UV 이미징하는 단계와, 마스크를 제거하는 단계, 그리고 이 후에 상기 이미징된 재료를 현상하는 단계를 대개 포함한다. 프로브 요소를 제조하기 위한 그 밖의 리소그래피 공정도 고려된다.

도 2a를 참조해 보면, 프로브 요소(30)는 각각 팁(32)을 구비한다. 예컨대, 팁(32)은 리소그래피 공정(12)에 의해 제1 방향으로 제조/성형된다. 도 2a의 좌측 부분에 예시된 바와 같이, 팁(32)에 릿지(ridge)가 존재하도록 팁(32)은 리소그래피로 형성되며, 여기서 릿지는 팁(32)에 X 방향으로 인접한 곳에서 재료를 차감함으로써 형성된다. (예컨대, 도 2a에 예시된 Y 방향 화살표로 나타나 있는 바와 같 이) 재료를 프로브 팁(32)으로부터 레이저 제거 등과 같은 차감 공정에 의해 추가적으로 제거하여, 산화물층(도시 생략)과 같은 오염물층을 잘 관통하도록 되어 있는 형상으로 성형된 프로브 팁(34)(도 2a의 우측 부분 참조)을 형성한다.

예컨대, 이렇게 성형된 프로브 팁(34)은 도 2a에 예시된 피라미드 형상 이외의 형상을 가질 수 있다. 도 2b는 사다리꼴 형상(40), 포물선 형상(42) 및 곡선 형상(44) 등과 같은 다른 예시적인 형상을 갖는 프로브 팁의 측면 사시도 및 평면도를 제공한다.

팁의 접촉 표면의 크기를 더 한정하는 완성 공정은 일련의 특정 형상을 형성할 수 있다. 프로브(30)의 작동시, 팁(34)이 다이의 접촉면(또는 시험 대상 소자의 다른 접촉면)에 인가하는 스크러빙 양은, 예컨대 다이 접점의 재료와, 팁(34)의 크기 및 형상과, 오버드라이브 거리, 그리고 프로브(30)의 스프링 특성을 비롯한 여러 파라미터에 좌우된다. 최저 저항 및 최대 수명을 목적으로 하여, 팁(34)의 배향은, 프로브와 다이 표면이 접촉할 때 의도된 프로브의 스크러빙 힘과 조화를 이루면서 작용하도록 되어 있어, 오염물(예컨대, 산화물층)은 부스러기를 최소화하면서 다이의 접촉면으로부터 최적으로 밀어내어진다.

도 1 및 도 3a를 모두 참조하면, 상기 프로브 요소의 팁 성형 방법(10)은 프로브 요소(30)를 지지판(50)에 장착하는 단계(14)를 더 포함한다. 지지판(50)은 제거용 레이저(60)에 대해 이동 가능하다. 팁(32)으로부터 재료를 제거하여 바람직한 팁 형상을 형성하기에 적당한 각도로 레이저의 빔(62)이 프로브 팁(32)에 조준되도록, 지지판(50)은 레이저(60)에 대해 배향된다(단계 16). 프로브(30)를 지 탱하는 지지판(50)은 바람직한 최종 팁 형상을 확보하기 위해 레이저(60)에 대해 소정 각도로 경사질 수 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 지지판(50)은 또한 지지판(50)을 지지하고 있는 표면(50A)에 대해 소정 각도로 배치되어 있다. 가동(즉, 소정 각도를 제공하도록 움직일 수 있는) 지지판(50)이 채용되지 않도록, 표면(50A)이 레이저(60)에 대해 소정 각도를 이루면서 구성[예컨대, 표면(50A)이 경사진 작업 테이블의 표면 등일 수 있음]될 수 있는 것으로 고려된다.

적당량의 재료가 각 프로브 팁(32)으로부터 제거될 것인가를 정확히 결정하기 위해, 복수 개의 프로브 팁(32)에 대한 레이저(60)의 위치, 에너지 레벨 및 [예컨대, 캐리지(64)를 이용하여 갠트리(66)를 따르는] 이동 속도를 조정한다. 예컨대, 각 프로브 팁(32)으로부터 재료를 제거하기 위해, 레이저(60)는 프로브 팁(32)에 대한 제1 통과시에 주사된다(단계 18). 본 발명의 특정의 예시적인 실시예에서는, 재료를 추가적으로 제거하여 바람직한 팁 형상을 형성하기 위해, 그 후 레이저(60)가 프로브 팁(32)에 대해 재배향되고, 제2 통과시에 주사된다(단계 20). 예컨대, 프로브(30)는 각 팁(32)의 반대측이 성형될 수 있도록 뒤집어질 수 있다.

예컨대, 차감 공정은 제거용 레이저를 사용하여 수행된다. 이러한 공정에 적합한 예시적인 레이저의 타입으로는 다이오드 펌핑 Nd:YAG 레이저가 있다. 그러나, 엑시머 레이저, CO₂ 레이저, 또는 그 밖의 타입의 레이저를 사용할 수 있다. 별법으로서, 마이크로-전극 방전 가공(μEDM) 등과 같은 다른 방법도 적용될 수 있다. μEDM에 관해서는, 2004년 6월 7일에 열린 2004 Southwest Test Workshop의 진행 중에 J. Yorita 등이 발표한 "Non-Damage Probing and Analysis of ILD Damage at Scrub Marks"를 참조하라.

프로브 팁은 화학 연마될 수 있다(단계 22). 프로브 재료에 따라 사용하기에 바람직한 화학 연마액이 결정된다. 소정의 BeCu 프로브의 경우, 0.5%의 질산, 45.5%의 인산 및 50%의 아세트산으로 이루어진 용액이 탁월한 결과를 내었다. 프로브를 실온 또는 약간 높은 온도(35℃)의 용액에 1 내지 5분 동안 침지한 후, 탈이온수로 부드럽게 세정한다. 소정의 니켈 합금의 경우, 묽은(10:1) 질산 또는 황산으로 이루어진 40℃의 연마액이 탁월한 결과를 내었다. 예시적인 기술로는, 소정 형상의 시트 부품을 짧은 시간(예컨대, 1 내지 2분) 동안 에칭액에 침지한 후에 탈이온수로 세정하는 것이 있다. 에지에 슬래그가 남아있으면, 산의 농도 및/또는 에칭 시간이 증가될 수 있다. 이러한 단계는 이후의 도금 공정의 표면 준비 단계와 연합될 수 있다.

도 3a에 있어서, 레이저(60)는 캐리지(64)를 통해 갠트리(66)를 따라 이동한다. 이와는 달리, 도 3b에 예시된 대안적인 구성에서는, 레이저(60)가 갠트리(66)에 대해 고정 배치되어 있다. [레이저(60A)로부터 출사된] 빔(62A)이 미러(68)에서 프로브 팁(32)으로 반사되도록, 미러(60A)는 캐리지(64A)를 통해 갠트리(66)를 따라 이동하도록 구성되어 있다. 도 3b는 도 3a에 대한 대안적인 구성이지만, 본 발명의 범위 내에서는 물론 다른 구성도 고려된다.

도 1에서는 소정 단계가 특정 순서로 주어져 있지만, 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 예컨대, 상기 단계 중 일부는 삭제되거나 다른 단계로 대체될 수 있 다. 마찬가지로, 상기 단계의 순서는 본 발명의 특정 구성에서 재배열될 수 있다.

도 3a 및 도 3b는 특정 형상을 갖는 프로브 요소(30)(예컨대, 곡선형 프로브 요소)를 예시하지만, 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 본 발명은 리소그래피로 제조(예컨대, 포토리소그래피 공정, 스테레오리소그래피 공정 등을 이용)되는 임의의 타입의 프로브 요소에 관한 것이다.

본 발명은 특정 성형 기술(예컨대, 레이저 제거, 마이크로-전극 방전 가공 등)에 대하여 기술하였지만, 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 다른 기술도 고려된다.

도 3a 및 도 3b는 (리소그래피 공정 동안에 형성된 타이 바 등에 의해 접속되어 있는) 프로브 요소(30)의 그룹을 차감 공정 동안에 위치 설정하기 위한 예시적인 지지 구조를 예시하지만, 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 예컨대, 본 발명은 도 3a 및 도 3b에 예시된 지지판(50)의 경우와 같이 소정 각도로 배향될 수 있는 지지판을 사용하는 것에 국한되지 않는다. 예시된 구조는 사실상 예로 든 것이다.

본 발명의 특정의 예시적인 실시예에 있어서, 프로브 요소는 리소그래피 공정 이외의 기술, 예컨대 스탬핑, 에칭, 도금 등에 의해 형성될 수 있다.

본 발명의 정신 또는 본질적 특성을 벗어나지 않고도 본 발명은 다른 특정 형태로 실시될 수 있다. 본 발명을 그 예시적인 실시예와 관련하여 기술하고 예시하였지만, 당업자라면 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않고도 상기 실시예에 대하여 다양하게 변형, 삭제 및 추가를 실시할 수 있다는 것을 이해할 것이다.

Claims

프로브 카드에 사용하도록 구성된 프로브 요소를 처리하는 방법으로서,

각각 팁 부분을 갖는 복수 개의 프로브 요소를 리소그래피로 제조하는 제조 단계와,

복수 개의 프로브 요소의 각 팁 부분을 프로브 요소에 의해 검지되는 표면의 오염물층을 잘 관통하도록 되어 있는 형상으로 형성하기 위해, 복수 개의 프로브 요소의 팁 부분으로부터 재료를 제거하는 제거 단계

를 포함하는 프로브 요소 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 제거 단계는 재료를 제거하기 위한 레이저 제거를 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 제거 단계는 재료를 제거하기 위한 마이크로-전극 방전 가공을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 제거 단계 이후에, 각 프로브 요소의 팁 부분을 연마하는 연마 단계를 더 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제4항에 있어서, 상기 연마 단계는 프로브 요소의 팁 부분을 화학 연마하는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 제거 단계는 팁 부분을 사다리꼴 형상, 포물선 형상, 곡선 형상, 또는 피라미드 형상으로 형성하기 위해 재료를 제거하는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 제거 단계는 팁 부분의 제1 측부에서 재료를 제거하는 제1 제거 단계와, 그 후에 팁 부분의 제2 측부에서 재료를 제거하는 제2 제거 단계를 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제1항에 있어서, 재료를 제거하는데 사용되는 구조에 대하여 소정 각도로 배향되도록 구성되어 있는 지지판 상에 복수 개의 프로브 요소의 측부를 지지시키는 지지 단계를 더 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제8항에 있어서, 상기 지지 단계는, 재료를 제거하는데 사용되는 레이저 제거 장치에 대하여 소정 각도로 배향되도록 구성되어 있는 지지판 상에 복수 개의 프로브 요소의 측부를 지지시키는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
프로브 카드에 사용하도록 구성된 프로브 요소를 처리하는 방법으로서,

각각 팁 부분을 갖는 복수 개의 프로브 요소를 제조하는 제조 단계와,

복수 개의 프로브 요소의 각 팁 부분을 프로브 요소에 의해 검지되는 표면의 오염물층을 잘 관통하도록 되어 있는 형상으로 형성하기 위해, 복수 개의 프로브 요소의 팁 부분으로부터 재료를 제거하는 제거 단계

를 포함하고, 상기 제거 단계는 재료를 팁 부분으로부터 레이저 제거하는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제10항에 있어서, 상기 제조 단계는 복수 개의 프로브 요소를 리소그래피로 제조하는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제10항에 있어서, 상기 제거 단계 이후에, 각 프로브 요소의 팁 부분을 연마하는 연마 단계를 더 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제12항에 있어서, 상기 연마 단계는 프로브 요소의 팁 부분을 화학 연마하는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제10항에 있어서, 상기 제거 단계는 팁 부분을 사다리꼴 형상, 포물선 형상, 곡선 형상, 또는 피라미드 형상으로 형성하기 위해 재료를 제거하는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제10항에 있어서, 상기 제거 단계는 팁 부분의 제1 측부에서 재료를 제거하 는 제1 제거 단계와, 그 후에 팁 부분의 제2 측부에서 재료를 제거하는 제2 제거 단계를 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제10항에 있어서, 재료를 제거하는데 사용되는 구조에 대하여 소정 각도로 배향되도록 구성되어 있는 지지판 상에 복수 개의 프로브 요소의 측부를 지지시키는 지지 단계를 더 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제16항에 있어서, 상기 지지 단계는, 재료를 제거하는데 사용되는 레이저 제거 장치에 대하여 소정 각도로 배향되도록 구성되어 있는 지지판 상에 복수 개의 프로브 요소의 측부를 지지시키는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
프로브 카드에 사용하도록 구성된 프로브 요소를 처리하는 방법으로서,

각각 팁 부분을 갖는 복수 개의 프로브 요소를 리소그래피로 제조하는 제조 단계와,

복수 개의 프로브 요소의 각 팁 부분을 프로브 요소에 의해 검지되는 표면의 오염물층을 잘 관통하도록 되어 있는 형상으로 형성하기 위해, 복수 개의 프로브 요소의 팁 부분으로부터 재료를 제거하는 제거 단계

를 포함하고, 상기 제거 단계는 재료를 팁 부분으로부터 레이저 제거하는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제18항에 있어서, 상기 제거 단계는 팁 부분을 사다리꼴 형상, 포물선 형상, 곡선 형상, 또는 피라미드 형상으로 형성하기 위해 재료를 제거하는 것을 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.
제18항에 있어서, 상기 제거 단계는 팁 부분의 제1 측부에서 재료를 제거하는 제1 제거 단계와, 그 후에 팁 부분의 제2 측부에서 재료를 제거하는 제2 제거 단계를 포함하는 것인 프로브 요소 처리 방법.