KR20070105887A - 마스크 패턴의 형성 방법 및 ｔｆｔ의 제조 방법 - Google Patents

마스크 패턴의 형성 방법 및 ｔｆｔ의 제조 방법 Download PDF

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KR20070105887A
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마사또시 시라이시
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도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤
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Abstract

피처리 부재에 있어서의 패턴 정밀도의 균일성을 확보하면서, 레지스트 생략화 및 공정수 및 총 공정 시간의 삭감을 도모하는 것이 가능한 마스크 패턴의 형성 방법 및 TFT의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
피에칭막(101) 위에 노출된 1차 마스크 패턴(110)의 노출 영역(103b)에 대하여, 정밀 토출 노즐(82)에 의해 국소적으로 레지스트를 토출하고, 레지스트층(102)의 오목부에 피복부(105)을 형성함으로써, 기판(G) 표면의 레지스트 패턴 형상을 변화시켜, 2차 마스크 패턴(111)을 형성한다.
피에칭막, 정밀 토출 노즐, 노출 영역, 레지스트층, 피복부, 마스크 패턴

Description

마스크 패턴의 형성 방법 및 ＴＦＴ의 제조 방법 {MASK PATTERN FORMING METHOD AND PRODUCTION METHOD OF TFT}
도1은 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략적인 구성을 도시하는 평면도.
도2는 1차 도포 처리 유닛의 내부의 구성예를 도시하는 사시도.
도3은 2차 도포 처리 유닛의 내부의 구성예를 도시하는 사시도.
도4는 패턴 형성 방법의 원리도이며, (a)는 1차 마스크 패턴이 형성된 상태,의 (b)는 정밀 토출 노즐을 이용해서 국소적으로 레지스트를 토출하고 있는 상태, (c)는 2차 마스크 패턴이 형성된 상태를 나타낸 도면.
도5는 TFT 기판의 제조 공정을 나타내는 흐름도.
도6은 절연 기판 위에 게이트 전극 및 적층막이 형성된 상태의 기판의 종단면도.
도7은 레지스트막을 형성한 상태의 기판의 종단면도.
도8은 노광 처리를 행하고 있는 상태의 기판의 종단면도.
도9는 노광 처리 후의 기판의 종단면도.
도10은 현상 처리 후의 기판의 종단면도.
도11은 전극용 금속막을 에칭한 후의 기판의 종단면도.
도12는 국소적으로 정밀 레지스트 토출 처리를 행한 후의 기판의 종단면도.
도13은 n + Si막 및 a - Si막을 에칭한 후의 기판의 종단면도.
도14는 레지스트를 제거한 후의 기판의 종단면도.
도15는 TFT 소자의 채널 영역이 형성된 상태의 기판의 종단면도.
도16은 도11에 대응하는 평면 형상을 설명하는 개략도.
도17은 도12에 대응하는 평면 형상을 설명하는 개략도.
도18은 제2 실시 형태에 관한 TFT 기판의 제조 공정을 나타내는 흐름도.
도19는 전극용 금속막 및 n + Si막을 에칭한 후의 기판의 종단면도.
도20은 국소적으로 정밀 레지스트 토출 처리를 행한 후의 기판의 종단면도.
도21은 a - Si막을 에칭한 후의 기판의 종단면도.
도22는 레지스트를 제거하고, TFT 소자의 채널 영역이 형성된 상태의 기판의 종단면도.
도23은 스크린 인쇄 장치를 배치한 2차 레지스트 도포 처리 유닛의 내부의 구성예를 도시하는 사시도.
도24는 패턴 형성 방법의 원리도이며,(a) 1차 마스크 패턴이 형성된 상태, (b) 및 (c)는 스크린 인쇄 장치를 이용해서 국소적으로 레지스트를 도포하고 있는 상태, (d)는 2차 마스크 패턴이 형성된 상태를 나타낸 도면.
도25는 레지스트 도포 처리 장치의 다른 예를 도시하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 레지스트 도포·현상 처리 시스템
2 : 카세트 스테이션(C/S)
3 : 프로세스 스테이션(P/S)
4 : 인터페이스부(I/F)
11 : 카세트 스테이지
20 : 반송 기구
21 : 세정 처리부
22 : 도포 처리부
23 : 현상 처리부
32 : 1차 도포 처리 유닛(CT1)
33 : 감압 건조 유닛(VD)
34 : 2차 도포 처리 유닛(CT2)
35 : 접합/냉각 유닛(AD/COL)
36 : 가열/냉각 유닛(HL/COL)
37 : 가열 유닛(HP)
44, 45, 46 : 반송 장치
60 : 프로세스 컨트롤러
61 : 사용자 인터페이스
62 : 기억부
[문헌 1] 일본 특허 공개 제2004-200613호 공보
[문헌 2] 일본 특허 공개 제2004-281791호 공보
본 발명은, 마스크 패턴의 형성 방법 및 그것을 이용한 박막 트랜지스터(TFT)의 제조 방법에 관한 것이다.
액티브·매트릭스형 액정 표시 장치는, 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한 TFT 기판과, 컬러 필터를 형성한 대향 기판 사이에 액정을 끼워서 담지하고, 화소마다 선택적으로 전압을 인가할 수 있도록 구성되어 있다. 여기에서 이용되는 TFT 기판의 제작은, 이하에 나타내는 바와 같은 순서로 행해지고 있다.
우선, 글래스 기판에 도전성 금속막을 성막하고, 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성된 레지스트를 마스크로 하여 도전성 금속막을 에칭해서 게이트 전극 및 게이트 선을 형성한다. 다음에, 게이트 전극을 덮도록 질화 규소(Si3N4) 등의 절연막, 아몰퍼스 실리콘막, 옴접촉(ohmic contact)막을 적층해서 성막하고, 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성된 레지스트를 마스크로 하여 옴접촉막과 아몰퍼스 실리콘막을 에칭해서 소정 형상으로 가공한다.
다음에, 옴접촉막보다 상층에 금속막을 성막하고, 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성된 레지스트를 마스크로 하여 해당 금속막을 에칭함으로써 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 계속해서, 소스 전극과 드레인 전극과의 사이에 노출 된 옴접촉막을 에칭에 의해 제거해서 아몰퍼스 실리콘막을 노출시켜 채널 영역을 형성한다. 그리고 레지스트를 제거함으로써, TFT 소자가 형성된다.
레지스트를 제거한 후, TFT 소자 위에 감광성 재료로 이루어지는 유기막을 퇴적시켜, 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성하고, 콘택트 홀을 형성한다. 또한 유기막 위에 인듐·주석 산화물(ITO) 등의 도전성 막을 형성하고, 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성된 레지스트를 마스크로 하여 상기 도전성막을 에칭해서 투명 전극을 형성함으로써, TFT 기판이 형성된다.
이상과 같이, TFT 기판을 제조하는 면에서는, 합계 5회의 포토리소그래피 공정이 필요하며, 각 포토리소그래피 공정에서 레지스트 등의 감광성 재료로 이루어지는 마스크를 필요로 해 왔다. 그러나 최근에는 반도체 장치의 고 집적화와 미세화의 진전에 수반하여, 반도체 장치의 제조 공정이 복잡화되어, 제조 비용이 증가하는 경향이 있으므로, 제조 비용을 줄이기 위해 포토리소그래피를 위한 마스크 패턴의 형성 공정을 통합시켜서 전체의 공정수를 단축하는 것이 검토되고 있다.
예를 들면, 노광 마스크로서, 광의 투과율에 차를 마련한 하프톤 마스크를 이용하여, 소위 하프 노광 처리를 행함으로써, 1회의 노광 공정에서 다른 막 두께를 갖는 레지스트 마스크를 패턴 형성하는 기술이 제안되어 있다(예를 들면 문헌 1, 2).
이러한 하프 노광 기술을 이용한 TFT 기판의 제조 순서의 일례를 나타내면 이하와 같다. 예를 들어 글래스 기판 위에 형성한 게이트 전극을 덮도록 절연막, 아몰퍼스 실리콘막, 옴접촉막, 금속막을 적층해서 성막한다. 그 후에 하프 노광 처리에 의해 채널 영역에 대응하는 부분의 레지스트막 두께가 얇아지도록 패턴 형성해 두고, 금속막의 에칭, 실리콘의 에칭(옴접촉막 및 아몰퍼스 실리콘막의 에칭)을 행한다.
그 후에 애싱을 실시하고, 레지스트의 막 두께를 전체적으로 감소시킴으로써, 레지스트의 박막부가 제거되어 채널 영역에 대응하는 부분의 금속막을 노출시킨다. 그리고 노출된 금속막을 에칭해서 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 동시에, 또한 옴접촉막을 에칭하고, 채널 영역에 반도체막을 노출시켜서 TFT 소자를 형성한다. 이상의 과정에서는, 하프 노광 처리에 의해, 실리콘 에칭의 마스크와, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성할 때의 에칭 마스크를 1회의 포토리소그래피 공정에서 형성할 수 있다. 따라서, 레지스트막의 형성 횟수가 줄어, 포토리소그래피 관련 장치의 대수나 레지스트 사용량을 줄이는 것이 가능해진다.
상기 하프 노광 처리를 이용한 TFT 기판의 제조에서는, 레지스트 생략화와, 공정수 및 총 공정 시간의 삭감, 또한 포토리소그래피 관련 장치의 대수 삭감을 도모하는 것이 가능하다. 그러나 한편, 하프 노광 처리 후에 레지스트의 막 두께를 전체적으로 감소시켜, 레지스트의 후막부를 남겨 박막부만을 제거해서 패턴을 변화시키는 애싱 공정에서, 기판면 내의 패턴 정밀도의 균일성을 확보하는 것이 어렵다고 하는 측면을 갖고 있었다.
따라서 본 발명은, 피처리체에 있어서의 패턴 정밀도의 균일성을 확보하면서, 레지스트 생략화 및 공정수, 총 공정 시간 및 포토리소그래피 관련 장치의 대 수의 삭감을 도모하는 것이 가능한 마스크 패턴의 형성 방법 및 TFT의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 관점은, 피에칭막에 노출 영역과 피복 영역이 형성되도록 1차 마스크 패턴이 마련된 피처리체의 상기 노출 영역에 대하여, 레지스트액을 국소적으로 공급함으로써 상기 노출 영역을 부분적으로 피복하고, 2차 마스크 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 마스크 패턴의 형성 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 제2 관점은, 피처리체 위에 성막된 피에칭막보다 상층에 레지스트막을 형성하는 공정과,
상기 레지스트막을 패턴 형성하여 1차 마스크 패턴을 형성하는 공정과,
상기 1차 마스크 패턴에 의해 피복되어 있지 않은 노출 영역을 향해 레지스트액을 국소적으로 공급함으로써 상기 노출 영역을 부분적으로 피복해서 2차 마스크 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 마스크 패턴의 형성 방법을 제공한다.
상기 제1 관점 또는 제2 관점에 있어서, 상기 2차 마스크 패턴을 형성하는 공정에서는, 레지스트액을 미소한 액적으로서 토출하는 레지스트 토출 노즐을 사용하거나, 혹은 스크린 인쇄 장치를 이용해서 레지스트액을 도포하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 2차 마스크 패턴을 마스크로 하여 피에칭막을 에칭하는 공정과, 에칭 후에, 레지스트를 제거하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 피처리체는 기판 위에, 밑에서부터 차례대로 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막, 반도체막, 옴접촉막, 소스·드레인용 금속막 및 상기 1차 마스크 패턴이 형성된 적층 구조체이며, 상기 피에칭막이, 상기 옴접촉막 및 상기 반도체막이라도 좋고, 혹은 상기 피에칭막이, 상기 반도체막이라도 좋다. 이들의 경우, 상기 레지스트액을 국소적으로 공급함으로써 피복되는 영역에, TFT의 채널 영역을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제3 관점은, 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 공정과,
상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 공정과,
상기 게이트 절연막 위에, 밑에서부터 차례대로 반도체막, 옴접촉막 및 소스·드레인용 금속막을 퇴적시키는 공정과,
상기 소스·드레인용 금속막 위에 레지스트막을 형성하는 공정과,
상기 레지스트막을 패턴 형성하여, 소스 전극용 레지스트 마스크 및 드레인 전극용 레지스트 마스크를 형성하는 마스크 패터닝 공정과,
상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 마스크로 하여 상기 소스·드레인용 금속막을 에칭하고, 소스 전극용 금속막과 드레인 전극용 금속막을 형성하는 동시에, 상기 소스 전극용 금속막과 상기 드레인 전극용 금속막 사이의 채널 영역용 오목부에 하층의 옴접촉막을 노출시키는 공정과,
상기 채널 영역용 오목부에 레지스트 마스크를 형성하는 국소적 레지스트 마스크 형성 공정과,
상기 채널 영역용 오목부에 형성된 레지스트 마스크, 상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 마스크로 하여, 하층의 상기 옴접촉막 및 상기 반도체막을 에칭하는 공정과,
상기 채널 영역용 오목부에 형성된 레지스트 마스크, 상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 제거하는 레지스트 제거 공정과,
상기 소스 전극용 금속막과 상기 드레인 전극용 금속막을 마스크로 하여, 이들 사이의 상기 채널 영역용 오목부 내에 노출된 상기 옴접촉막을 에칭하는 공정을 포함하는 TFT의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제4 관점은, 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 공정과,
상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 공정과,
상기 게이트 절연막 위에, 밑에서부터 차례대로 반도체막, 옴접촉막 및 소스·드레인용 금속막을 퇴적시키는 공정과,
상기 소스·드레인용 금속막 위에 레지스트막을 형성하는 공정과,
상기 레지스트막을 패턴 형성하여, 소스 전극용 레지스트 마스크 및 드레인 전극용 레지스트 마스크를 형성하는 마스크 패터닝 공정과,
상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 마스크로 하여 상기 소스·드레인용 금속막 및 상기 옴접촉막을 에칭하고, 소스 전극용 금속막과 드레인 전극용 금속막을 형성하는 동시에, 상기 소스 전극용 금속막과 상기 드레인 전극용 금속막 사이의 채널 영역용 오목부에 하층의 반도체막을 노출시키는 공정과,
상기 채널 영역용 오목부에 레지스트 마스크를 형성하는 국소적 레지스트 마스크 형성 공정과,
상기 채널 영역용 오목부에 형성된 레지스트 마스크, 상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 마스크로 하여, 하층의 상기 반도체막을 에칭하는 공정과,
상기 채널 영역용 오목부에 형성된 레지스트 마스크, 상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 제거하는 레지스트 제거 공정을 포함하는 TFT의 제조 방법을 제공한다.
상기 제3 관점 또는 제4 관점에 있어서, 상기 국소적 레지스트 마스크 형성 공정은, 레지스트액을 미소한 액적으로서 토출하는 레지스트 토출 노즐을 이용하고, 상기 채널 영역용 오목부를 향해 레지스트를 국소적으로 토출함으로써 행해지거나, 혹은 스크린 인쇄 장치를 이용해서 상기 채널 영역용 오목부에 레지스트를 국소적으로 도포함으로써 행해지는 것이 바람직하다.
본 발명의 제5 관점은, 컴퓨터 상에서 동작하고, 실행 시에, 상기 제1 관점의 마스크 패턴의 형성 방법이 행해지도록 레지스트 도포 처리 장치를 제어하는 제어 프로그램을 제공한다.
본 발명의 제6 관점은, 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이며, 상기 제어 프로그램은, 실행 시에, 상기 제1 관점의 마스크 패턴의 형성 방법이 행해지도록 레지스트 도포 처리 장치를 제어하는 것인 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공한다.
본 발명의 제7 관점은, 피처리체를 적재하는 지지대와, 상기 피처리체를 향해서 레지스트액을 미소한 액적으로서 토출하는 레지스트 토출 노즐을 갖는 레지스트 토출 기구와, 상기 제1 관점의 마스크 패턴의 형성 방법이 행해지도록 상기 레지스트 토출 노즐에 의한 레지스트의 토출을 제어하는 제어부를 구비한 레지스트 도포 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제8 관점은, 피처리체를 적재하는 지지대와, 상기 피처리체를 향해서 레지스트액을 국소적으로 도포하는 스크린 인쇄 기구와, 상기 제1 관점의 마스크 패턴의 형성 방법이 행해지도록 상기 스크린 인쇄 기구에 의한 레지스트의 도포를 제어하는 제어부를 구비한 레지스트 도포 처리 장치를 제공한다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명한다. 도1은 본 발명 방법의 실시에 적합하게 이용 가능한 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 일례를 도시하는 평면도이다. 이 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)은, 클린룸 내에 설치되어, 예를 들어 LCD용의 글래스 기판을 피처리 기판으로 하는 LCD 제조 프로세스에 있어서, 포토리소그래피 공정 중의 세정, 레지스트 도포, 프리베이크, 현상 및 포스트 베이크의 각 처리를 행하는 것이다. 노광 처리는, 이 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에 인접 설치된 외부의 노광 장치(도시하지 않음)에서 행해진다.
이 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)은, 크게 나누어 카세트 스테이션(C/S)(2)과, 프로세스 스테이션(P/S)(3)과, 인터페이스부(I/F)(4)와, 제어부(5) 에 의해 구성되어 있다.
레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 일단부에 설치되는 카세트 스테이션(C/S)(2)은, 복수의 기판(G)을 수용하는 카세트(c)를 소정 수 예를 들면 4개까지 적재 가능한 카세트 스테이지(11)와, 이 카세트 스테이지(11) 상의 측방에서, 또한 카세트(c)의 배열 방향과 평행하게 마련된 반송로(12)와, 이 반송로(12) 상을 이동가능하며, 또한 스테이지(11) 상의 카세트(C)에 대하여 기판(G)의 출입을 행하는 반송 기구(20)를 구비하고 있다. 이 반송 기구(20)는, 기판(G)을 보유 지지하는 보유 지지 수단으로서, 도시하지 않은 반송 암을 갖고, X, Y, Z 및 θ의 4축으로 동작 가능하며, 후술하는 프로세스 스테이션(P/S) 3측의 반송 장치(44) 사이에서 기판(G)을 교환할 수 있도록 구성되어 있다.
프로세스 스테이션(P/S)(3)에는, 상기 카세트 스테이션(C/S)(2) 측으로부터 차례대로 세정 처리부(21), 도포 처리부(22) 및 현상 처리부(23)가 가로 일렬로 설치되어 있고, 각 처리부 사이에는, 기판 중계부(24), 약액 공급 유닛(25) 및 스페이스(26)가 개재 배치되어 있다.
세정 처리부(21)는 2개의 스크러버 세정 유닛(SCR)(27, 27)과, 상하 2단형의 자외선 조사/냉각 유닛(UV/COL)(29)과, 가열 유닛(HP)(30)과, 냉각 유닛(COL)(31)을 갖고 있다.
도포 처리부(22)는, 스핀리스 방식의 1차 도포 처리 유닛(CT1)(32)과, 감압 건조 유닛(VD)(33)과, 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)과, 상하 2단형의 접합/냉각 유닛(AD/COL)(35)과, 상하 2단형의 가열/냉각 유닛(HP/COL)(36)과, 가열 유 닛(HP)(37)을 갖고 있다.
현상 처리부(23)는 3개의 현상 유닛(DEV)(38, 38, 38)과, 2개의 상하 2단형의 가열/냉각 유닛(HP/COL)(39, 39)과, 가열 유닛(HP)(40)을 갖고 있다.
각 처리부(21, 22, 23)의 중앙부에는, 길이 방향으로 반송로(41, 42, 43)가 마련되고, 각 반송로에는 각각 반송 장치(44, 45, 46)가 배치되어 있다. 반송 장치(44, 45, 46)는, 각각 반송로(41, 42, 43)를 따라 이동해서 각 처리부 내의 각 유닛에 액세스하고, 기판(G)의 반입/반출 또는 반송을 행할 수 있도록 구성되어 있다.
레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에 있어서, 카세트 스테이션(C/S)(2)과는 반대측에 설치되는 인터페이스(I/F)(4)에 있어서, 프로세스 스테이션(P/S)(3)과 인접하는 측에는 익스텐션부(기판 주고 받음부)(51) 및 2개의 버퍼 스테이지(52, 52)가 설치되고, 도시하지 않은 노광 장치와 인접하는 측에는 반송 기구(53)가 설치되어 있다. 이 반송 기구(53)는, Y 방향으로 연장하는 반송로(54) 상을 자유롭게 이동 가능하며, 버퍼 스테이지(52)에 대하여 기판(G)의 출납을 행하는 외에, 익스텐션부(기판 주고 받음부)(51)나 인접 배치된 도시하지 않은 노광 장치 사이에서 기판(G)의 주고 받기를 행한다.
도1에 도시한 바와 같이, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 각 구성부는, 제어부(5)의 CPU를 구비한 프로세스 컨트롤러(60)에 접속되어서 제어되는 구성으로 되어 있다. 프로세스 컨트롤러(60)에는, 공정 관리자가 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)을 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 레지 스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 사용자 인터페이스(61)가 접속되어 있다.
또한, 프로세스 컨트롤러(60)에는, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(60)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 저장된 기억부(62)가 접속되어 있다.
그리고 필요에 따라서, 사용자 인터페이스(61)로부터의 지시 등에 의해 임의의 레시피를 기억부(62)로부터 호출해서 프로세스 컨트롤러(60)에 실행시킴으로써 프로세스 컨트롤러(60)의 제어 하에서, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에서의 원하는 처리가 행해진다. 또한, 상기 레시피는 예를 들면 CD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블 디스크, 플래시 메모리 등의 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 저장된 상태의 것을 이용하거나, 혹은 다른 장치로부터, 예를 들어 전용 회선을 거쳐서 수시로 전송시켜서 이용하거나 하는 것도 가능하다.
도2는 1차 도포 처리 유닛(CT1)(32) 내에 있어서의 레지스트 도포 처리 장치의 구성예를 나타내는 주요부 사시도이다. 이 1차 도포 처리 유닛(CT1)(32)은, 기판(G)을 수평하게 적재해서 보유 지지하기 위한 스테이지(70)와, 이 스테이지(70)에 적재되는 기판(G)의 상면(정확하게는 도포 영역 RE)에 긴형의 레지스트 노즐(이하,「긴 노즐」이라고 칭함)(71)을 이용해서 스핀리스법으로 레지스트액을 면 형상으로 도포하기 위한 도포 처리부(72)를 구비하고 있다.
도포 처리부(72)는, 긴 노즐(71)을 포함하는 레지스트 액체 공급 기구(73) 와, 도포 처리 시에 긴 노즐(71)을 스테이지(70) 상방에서 X 방향으로 수평 이동시키는 노즐 이동 기구(74)를 구비하고 있다. 레지스트 액체 공급 기구(73)에 있어서, 긴 노즐(71)은 스테이지(70) 상의 기판(G)을 폭 방향(Y 방향)으로 일단부로부터 타단부까지 커버할 수 있는 길이로 형성된 슬릿형의 토출구(도시하지 않음)를 갖고 있다.
또한, 긴 노즐(71)은 레지스트 액체 공급관(75)에 접속되고, 이 레지스트 액체 공급관(75)의 타단부는 레지스트액 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 노즐 이동 기구(74)는 긴 노즐(71)을 수평하게 지지하는 노즐 지지 부재(76)와, 이 노즐 지지 부재(76)를 X 방향으로 직진 이동시키는 직진 구동부(77)를 구비하고 있다. 이 직진 구동부(77)는, 예를 들면 가이드가 달린 리니어 모터 기구나, 볼 나사 기구 등으로 구성할 수 있다.
또한, 노즐 지지 부재(76)와 긴 노즐(71)을 접속하고 있는 조인트 부분에는, 긴 노즐(71)의 높이 위치를 변경 또는 조절하기 위한 가이드가 달린 승강 기구(78)가 설치되어 있다. 승강 기구(78)에 의해 긴 노즐(71)의 높이 위치를 조절함으로써, 긴 노즐(71)의 하단부 또는 토출구와 스테이지(70) 상의 기판(G)의 상면과의 사이의 거리 간격(갭)의 크기를 임의로 조정할 수 있다.
긴 노즐(71)은, 예를 들면 스테인레스강 등의 대녹성과 가공성이 우수한 금속으로 형성되어 있고, 그 하단부에 슬릿형으로 마련된 토출구(도시하지 않음)를 향해 단면 형상이 테이퍼 형상으로 형성되어 있다. 그리고 노즐 이동 기구(74)에 의해 긴 노즐(71)을 스테이지(70) 상에서 X 방향으로 수평 이동시키면서, 긴 노 즐(71)의 토출구(도시하지 않음)로부터, 스테이지(70)에 적재된 기판(G)의 표면을 향해 레지스트를 토출함으로써, 레지스트를 면 형상으로 도포할 수 있도록 구성되어 있다.
도3은 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)에 있어서의 레지스트 도포 처리 장치의 구성예를 나타내는 주요부 사시도이다. 이 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)은, 기판(G)을 수평하게 적재해서 보유 지지하기 위한 스테이지(81)와, 이 스테이지(81) 상의 기판(G)에 대하여 레지스트액을 미소한 액적으로서 토출하는 정밀 토출 노즐(82)을 XY 방향으로 이동시키는 노즐 주사 기구(83)를 갖고 있다.
노즐 주사 기구(83)에 있어서는, Y 방향으로 연장되는 한 쌍의 평행한 가이드 레일(84, 84)이 스테이지(81)의 좌우 양측에 배치되어 있다. 또한, 스테이지(81) 상방을 횡단하도록 X 방향으로 연장되는 1개의 가이드 레일(85)이 설치되어 있다. 이 가이드 레일(85)은, 예를 들면 전기 모터를 갖는 구동부(86)에 의해 가이드 레일(84, 84) 상을 Y 방향으로 이동 가능하게 되어 있다.
가이드 레일(85)에는, X 방향으로 이동 가능한 캐리지(반송체)(87)가 탑재되어 있으며, 이 캐리지(87)에 정밀 토출 노즐(82)이 부착되어 있다. 구동부(86)에 의한 가이드 레일(85)의 Y 방향의 이동과, 캐리지(87)의 X 방향의 이동과의 조합에 의해, 스테이지(81) 상방에 있어서 정밀 토출 노즐(82)을 XY면 상에 임의의 궤도로 이동시킬 수 있다.
정밀 토출 노즐(82)은, 예를 들어 잉크젯 프린터 기술의 분야에 있어서 주지의 잉크젯 노즐과 같은 액적 토출 기구를 구비하고 있다. 정밀 토출 노즐(82)에 있어서의 액적 토출 기구는, 도시는 생략하지만, 예를 들어 다수의 미세한 노즐 구멍과, 해당 노즐 구멍에 연통하여, 피에조 소자의 수축·신장에 의해 내부 용적을 증감 가능하게 구성된 레지스트실을 갖는 액적 분사 헤드를 구비하고 있다. 그리고 제어부(5)로부터의 전기적인 구동 신호로 피에조 소자를 구동시켜서 레지스트실의 용적을 변화시켜, 그때에 발생하는 내부 압력의 상승에 의해 노즐 구멍으로부터 레지스트액을 수 피코리터 내지 수 마이크로 리터 정도의 미소한 액적으로서 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 정밀 토출 노즐(82) 내의 레지스트실은, 레지스트 액체 공급원에 접속되고 있어, 거기에서 레지스트액이 공급되는 구성으로 되어 있다. 또한, 정밀 토출 노즐(82)의 구성은, 레지스트를 미소한 액적으로서 토출할 수 있는 것이면 상기 구성에 한정되는 것은 아니다.
2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)에서는, 상기한 바와 같은 구성에 의해, 기판(G) 위에 미리 설정된 임의의 영역에 대하여 레지스트액을 토출해서 레지스트 도포막을 형성할 수 있다.
이상과 같이 구성되는 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에 있어서는, 우선 카세트 스테이션(C/S)(2)에 있어서 반송 기구(20)가 카세트 스테이지(11) 상의 소정의 카세트(c) 중에서 1매의 기판(G)을 취출하고, 프로세스 스테이션(P/S)(3)의 세정 처리부(21)의 반송 장치(44)로 전달한다.
세정 처리부(21)에 있어서 기판(G)은, 우선 자외선 조사/냉각 유닛(UV/COL)(29)에 반입되어, 최초의 자외선 조사 유닛(UV)에서는 자외선 조사에 의한 건식 세정이 실시되고, 다음에 냉각 유닛(COL)에 의해 소정 온도까지 냉각된다. 이 자외선 세정에서는 주로 기판(G) 표면의 유기물이 제거된다.
다음에, 기판(G)은 스크러버 세정 유닛(SCR)(27) 중 하나로 스크럽 세정 처리를 받아, 기판(G) 표면으로부터 입자형의 오물이 제거된다. 스크럽 세정 후, 기판(G)은 가열 유닛(HP)(30) 내에서 가열에 의한 탈수 베이크 처리를 받아, 계속해서 냉각 유닛(COL)(31)에 의해 일정한 기판 온도가 될 때까지 냉각된다. 이것으로 세정 처리부(21)에 있어서의 전처리가 종료되고, 기판(G)은 반송 장치(44)에 의해 기판 주고 받음부(24)를 거쳐서 도포 처리부(22)로 반송된다.
도포 처리부(22)에 있어서, 기판(G)은 접합/냉각 유닛(AD/COL)(35)에 반입되어, 최초의 접합 유닛(AD)에서는 소수화 처리(HMDS)를 받고, 다음의 냉각 유닛(COL)에서는 일정한 기준 온도까지 냉각된다. 다음에, 기판(G)은 1차 도포 처리 유닛(CT1)(32)에 반입되어, 그 표면에 레지스트액이 면 형상으로 도포된다. 레지스트 도포막이 형성된 기판(G)은, 즉시 감압 건조 유닛(VD)(33)에 반입되어, 거기에서 감압 건조 처리된다. 그 후에 기판(G)은 가열/냉각 유닛(HP/COL)(36)에 반입되어, 최초의 가열 유닛(HP)에서는 프리베이킹이 행해지고, 다음에 냉각 유닛(COL)에 의해 일정한 기판 온도까지 냉각된다. 또한, 프리베이킹은 가열 유닛(HP)(37)에 있어서 행해도 좋다.
그 후에 기판(G)은 반송 장치(45, 46), 인터페이스부(I/F)(4)를 거쳐서 도시하지 않은 노광 장치로 반송된다. 노광 장치에서는, 기판(G)의 레지스트에 대하여, 소정의 회로 패턴을 기초로 하여 노광 처리가 실시된다. 그리고 패턴 노광을 끝낸 기판(G)은, 노광 장치로부터 인터페이스(I/F)(4)로 복귀된다. 인터페이스 부(I/F)(4)의 반송 기구(53)는 노광 장치로부터 수취한 기판(G)을, 익스텐션부(51)를 거쳐서 프로세스 스테이션(P/S)(3)의 현상 처리부(23)에서 교환한다.
현상 처리부(23)에 있어서, 기판(G)은 현상 유닛(DEV)(38) 중 어느 하나에 반입되어서 현상 처리를 받고, 계속해서 가열/냉각 유닛(HP/COL)(39) 중 어느 하나에 반입되어, 최초의 가열 유닛(HP)에서는 포스트 베이킹이 행해지고, 다음에 냉각 유닛(COL)에 의해 일정한 기판 온도까지 냉각된다. 또한, 포스트 베이킹은 가열 유닛(HP)(40)에 있어서 행할 수도 있다.
현상 처리부(23)에서 일련의 처리가 완료된 기판(G)은, 프로세스 스테이션(P/S)(3) 내의 반송 장치(44, 45, 46)에 의해 카세트 스테이션(C/S)(2)까지 복귀되고, 거기에서 반송 기구(20)에 의해 어느 하나의 카세트(c)에 수용된다.
레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)으로부터 반출된 기판(G)은, 예를 들어 도시하지 않은 에칭 처리 장치에 있어서 에칭 등의 처리가 실시된 후, 에칭 마스크로서 사용된 1차 마스크 패턴을 남긴 채, 다시 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에 반입된다. 즉, 카세트 스테이션(C/S)(2)에 있어서 반송 기구(20)가 카세트 스테이지(11) 상의 소정의 카세트(c) 중에서 1매의 기판(G)을 취출하고, 프로세스 스테이션(P/S)(3)의 세정 처리부(21)의 반송 장치(44)에 전달한다. 기판(G)은 반송 장치(44)에 의해 기판 주고 받음부(24)를 거쳐서 도포 처리부(22)로 반송된다.
도포 처리부(22)에 있어서, 기판(G)은 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)에 반입된다. 그래서, 기판(G)의 표면에 잔존한 1차 마스크 패턴에 의해 피복되어 있지 않은 영역(즉, 기초층이 노출된 노출 영역)에 대하여, 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)의 정밀 토출 노즐(82)로부터 국소적으로 레지스트액의 토출이 행해진다. 이 정밀 토출에 의해, 기판(G) 표면의 마스크 패턴이 변화되어, 2차 마스크 패턴이 형성된다. 그 후에 기판(G)은, 가열 유닛(HP)(37)에 있어서 가열 처리되어, 건조된다.
2차 마스크 패턴은, 정밀 토출 노즐로부터의 레지스트액의 토출에 의해 형성되므로, 도시하지 않은 노광 장치에 의한 노광 처리 및 현상 처리부(23)의 현상 유닛(DEV)(38)에 있어서의 현상 처리는 불필요하다. 이와 같이 하여 2차 마스크 패턴이 형성된 기판(G)은, 외부의 에칭 장치로 에칭 처리를 행하기 위해, 프로세스 스테이션(P/S)(3) 내의 반송 장치(45, 44)에 의해 카세트 스테이션(C/S)(2)까지 복귀되고, 거기에서 반송 기구(20)에 의해 어느 하나의 카세트(c)에 수용된다.
다음에, 본 발명의 패턴 형성 방법의 원리를, 도4의 (a) 내지 (c)를 참조하면서 설명한다. 도4의 (a)는, 도시하지 않은 기판 상의 피에칭막(101) 위에, 미리 노광 처리 및 현상 처리를 행함으로써 패턴 형성된 레지스트층(102)이 마련되고, 1차 마스크 패턴(110)이 형성된 상태를 나타내고 있다. 도시한 바와 같이, 1차 마스크 패턴(110)에 의해, 피에칭층(101)의 표면이 노출된 노출 영역(103a, 103b, 103c)이 형성되어 있다.
다음에, 도4의 (b)에 도시한 바와 같이 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)의 정밀 토출 노즐(82)로부터 피에칭층(101)의 노출 영역(103b)을 향해서 선택적으로 레지스트액을 토출한다. 도4의 (b) 중, 부호 104는 미소한 레지스트 액적을 나타내고 있다.
정밀 토출 노즐(82)에 의한 국소적인 레지스트 도포에 의해, 도4의 (c)에 도시한 바와 같이 노출 영역(103b)을 형성하고 있었던 레지스트층(102)의 오목부는, 레지스트에 의해 매립되어, 피복부(105)가 형성되어 있다. 한편, 노출 영역(103a, 103c)은 그대로 남겨진다. 또한, 피복부(105)의 레지스트를 경화시킬 목적으로, 정밀 토출 노즐(82)에 의한 레지스트액의 토출 후에는 필요에 따라서 기판(G)에 대하여 가열 처리·냉각 처리 등이 실시된다. 이와 같이 1차 마스크 패턴(110)에다가 새롭게 피복부(105)가 마련됨으로써, 기판(G) 표면의 레지스트 패턴 형상은 변화되고, 2차 마스크 패턴(111)이 형성되게 된다. 그리고 이 2차 마스크 패턴(111)을 마스크로 하여 에칭을 행함으로써, 도4의 (c)에 나타내는 노출 영역(103a, 103c)에 있어서 피에칭막(101)이 에칭된다.
이와 같이, 1차 마스크 패턴(110)으로부터 2차 마스크 패턴(111)에의 마스크 패턴의 전환은, 노광 및 현상이라고 하는 포토리소그래피 기술을 이용하지 않고 행할 수 있다. 따라서 포토리소그래피 공정이 불필요해짐에 따른 공정수의 삭감과 총 공정 시간의 삭감이 실현된다. 또한, 피복부(105)의 형성은 국소적인 레지스트 토출에 의해 행해지므로, 기판(G)의 전체면에 레지스트막을 형성해서 포토리소그래피를 행할 경우에 비교해서 레지스트 사용량을 대폭 줄일 수 있다.
다음에, 도5 내지 도14를 참조하면서, 본 발명의 패턴 형성 방법을 액정 표시 장치용 TFT 기판의 제조에 적용한 제1 실시 형태에 대해 설명한다. 도5는 액정 표시 장치용 TFT 기판의 주요한 제조 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다. 또한, 도5 및 이하의 설명에서는, 주요한 공정만을 나타내고, 각 공정에 부수되는 세정, 가열, 냉각 등의 처리에 대해서는 설명을 생략한다.
우선, 도6에 도시한 바와 같이 글래스 등의 투명 기판으로 이루어지는 절연 기판(201) 위에, 도전성 금속막을 퇴적하고, 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성된 레지스트를 마스크로 하여 사용하고, 게이트 전극(202) 및 도시하지 않은 게이트 선을 형성한다(스텝 S1). 또한, 게이트 전극(202) 및 게이트 선의 재질로서는, 예를 들어 알루미늄, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 텅스텐, 및 이들 합금 등을 사용할 수 있다.
다음에, 게이트 전극(202)을 덮도록, 예를 들어 질화 규소(Si3N4) 등의 게이트 절연막(203), 반도체막으로서의 a - Si(아몰퍼스 실리콘)막(204), 옴접촉막으로서의 n + 아몰퍼스 실리콘막(n + Si막)(205), Al 합금이나 Mo 합금 등의 전극용 금속막(206)을 이 순서로 적층해서 퇴적시킨다(스텝 S2).
다음에, 도7에 도시한 바와 같이 전극용 금속막(206) 위에 레지스트막(207)을 형성한다(스텝 S3). 이 레지스트막(207)의 형성은, 도1의 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 1차 도포 처리 유닛(CT1)(32)에 있어서 행해진다. 다음에, 도8에 도시한 바와 같이 노광 마스크(300)을 이용하여, 노광 처리를 행한다(스텝 S4). 이 노광 처리는, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에 인접해서 배치된 노광 장치에 있어서 행해진다. 노광 처리에 의해, 도9에 도시한 바와 같이 노광 레지스트부(208)와, 미노광 레지스트부(209)가 형성된다.
노광 후, 기판(G)은 다시 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)으로 반송된다. 그리고 기판(G)에 대하여 현상 처리를 행함으로써, 노광 레지스트부(208)를 제거하고, 도10에 도시한 바와 같이 미노광 레지스트부(209)를 전극용 금속막(206) 위에 잔존시킨다(스텝 S5). 미노광 레지스트부(209)는, 소스 전극용 레지스트 마스크(210) 및 드레인 전극용 레지스트 마스크(211)로 분리되어, 1차 마스크 패턴이 형성되어 있다.
그 후에 기판(G)은 다시 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(2)으로부터 반출되어, 도시하지 않은 에칭 장치로 반송된다. 그래서, 잔존한 미노광 레지스트부(209)[소스 전극용 레지스트 마스크(210) 및 드레인 전극용 레지스트 마스크(211)]에 의한 1차 마스크 패턴을 에칭 마스크로서 이용하고, 전극용 금속막(206)을 에칭함으로써, 도11에 도시한 바와 같이 후에 채널 영역이 되는 오목부(220)를 형성한다(스텝 S6). 이 에칭에 의해, 소스 전극(206a)과 드레인 전극(206b)이 분리 형성되어, 이들 사이의 오목부(220) 내에 n + Si막(205)의 표면을 노출시킬 수 있다. 또한, 도11의 상태에 대응하는 평면 형상을 개략적으로 도16에 도시한다.
스텝 S6의 에칭 후의 기판(G)은, 다시 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)으로 반송되어, 도포 처리부(22)의 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)에 반입된다. 그리고 스텝 S7에서는, 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)의 정밀 토출 노즐(82)을 이용하고, 오목부(220) 내에 레지스트액을 토출하고, 오목부(220) 내에 노출되고 있었던 n + Si막(205) 표면을 국소적으로 피복한다(레지스트 정밀 토출 공정). 이 레지스 트 정밀 토출에 의해, 도12에 도시한 바와 같이 오목부(220) 내에 레지스트막(212)이 형성되고, 기판(G) 표면의 레지스트 패턴이 변화되어서 2차 마스크 패턴이 형성된다. 이 레지스트 정밀 토출 공정(스텝 S7)에서는, 정밀 토출 노즐(82)에 의해 레지스트 토출을 행함으로써, 피복이 필요한 영역에만 레지스트막(212)을 형성할 수 있으므로, 기판(G)의 전체면에 레지스트막을 형성해서 포토리소그래피를 행하는 경우에 비해서 레지스트 사용량을 현격하게 절감할 수 있다.
또한, 도12의 상태에 대응하는 평면 형상을 개략적으로 도17에 도시한다.
스텝 S7의 레지스트 정밀 토출 공정에서 오목부(220) 내에 형성되는 레지스트막(212)의 막 두께는, 다음의 Si 에칭 공정(스텝 S8)의 종료 시에 오목부(220) 내에 레지스트막(212)을 잔존시킬 수 있는 막 두께이면 된다. Si 에칭 공정(스텝 S8)의 도중에서 오목부(220) 내의 레지스트막(212)이 소모되어 완전히 제거되어 버리면, 오목부(220) 내의 n + Si막(205)이 깎여 버리고, 그 결과 이후의 채널 영역 형성 공정(스텝 S10)에 있어서의 n + Si막(205)의 에칭 정밀도의 제어성이 저하되어, 경우에 따라 반도체 활성층인 a - Si막(204)까지 에칭해 버릴 우려가 있다.
또한, 도12에서는 소스 전극용 레지스트 마스크(210) 및 드레인 전극용 레지스트 마스크(211)의 막 두께에 비해, 오목부(220) 내의 레지스트막(212)의 막 두께를 얇게 형성하고 있다. 그러나 소스 전극용 레지스트 마스크(210) 및 드레인 전극용 레지스트 마스크(211)의 막 두께에 대하여, 레지스트막(212)의 막 두께를 동일하게 해도 좋고, 혹은 레지스트막(212)의 막 두께 쪽이 두꺼워지도록 해도 좋다.
다음에, 2차 마스크 패턴이 형성된 기판(G)은 다시 레지스트 도포·현상 처 리 시스템(1)으로부터 반출되어, 도시하지 않은 에칭 처리 장치에 반입된다. 그리고 소스 전극용 레지스트 마스크(210), 드레인 전극용 레지스트 마스크(211) 및 레지스트막(212)을 에칭 마스크로서 사용하고, 도13에 도시한 바와 같이 n + Si막(205) 및 a - Si막(204)을 에칭 처리한다(스텝 S8). 그 후에 예를 들어 습윤 처리 등의 방법에 의해, 도14에 도시한 바와 같이 잔존한 레지스트 마스크를 제거한다(스텝 S9).
다음에, 소스 전극(206a) 및 드레인 전극(206b)을 에칭 마스크로서 사용하고, 오목부(220) 내에 다시 노출된 n + Si막(205)을 에칭 처리한다(스텝 S10). 이에 의해, 도15에 도시한 바와 같이 채널 영역(221)이 형성되어 TFT 소자가 형성된다.
이후의 공정은 도시를 생략하지만, 예를 들면 채널 영역(221)과 소스 전극(206a) 및 드레인 전극(206b)을 덮도록 감광성 재료로 이루어지는 유기막을 성막 한 후(스텝 S11), 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성하여 소스 전극(206a)[드레인 전극(206b)]에 접속하는 콘택트 홀을 형성한다(스텝 S12).
다음에, 상기 콘택트 홀을 매립하도록 유기막 위에 인듐·주석 산화물(ITO) 막을 퇴적하여(스텝 S13), 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성된 레지스트를 마스크로 하여 에칭을 행함으로써 투명 전극을 형성한다(스텝 S14). 이와 같이 하여, 액정 표시 장치용의 TFT 기판이 제조된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)의 정밀 토출 노즐(82)을 이용하여, 오목부(220) 내에 레지스트액을 토출하는 스텝 S7의 레지스트 정밀 토출 공정에서 오목부(220) 내에 레지스트막(212)을 형성할 수 있다. 그 결과, 스텝 S4의 노광 처리 및 스텝 S5의 현상 처리에 의해 형성된 기판(G) 표면의 1차 마스크 패턴을 변화시켜, 2차 마스크 패턴을 형성할 수 있다. 그리고 1차 마스크 패턴으로부터 2차 마스크 패턴에의 전환은, 포토리소그래피 기술을 이용하지 않고 행할 수 있다. 즉, 게이트 전극 형성(스텝 S1)으로부터 투명 전극 형성(스텝 S14)까지의 TFT 기판의 제조 공정을, 합계 4매의 마스크(합계 4회의 포토리소그래피 공정)로 실시할 수 있다. 따라서 레지스트 생략화와 처리량의 향상이 가능해진다. 또한, 하프 노광 기술을 이용하는 마스크 생략화 프로세스에 비해, 기판(G) 면 내의 패턴 정밀도의 균일성을 향상시키는 것이 가능하다.
다음에, 도18 내지 도22를 참조하면서, 본 발명의 패턴 형성 방법을 액정 표시 장치용 TFT 기판의 제조에 적용한 제2 실시 형태에 대해 설명한다. 도18은 액정 표시 장치용 TFT 기판의 주요한 제조 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다. 또한, 도18 및 이하의 설명에서는, 주요한 공정만을 나타내고, 각 공정에 부수되는 세정, 가열, 냉각 등의 처리에 대해서는 설명을 생략한다.
우선, 도18에 있어서의 스텝 S21 내지 스텝 S25는, 도5의 스텝 S1 내지 스텝 S5와 마찬가지이므로, 설명을 생략한다. 이들 스텝 S21 내지 스텝 S25의 처리에 의해, 글래스 등의 투명 기판으로 이루어지는 절연 기판(201) 위에는, 게이트 전극(202)을 덮도록, 게이트 절연막(203), a - Si막(204), n + Si막(205), 전극용 금속막(206)이 퇴적되고, 또한 그 위에, 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성된 소스 전극용 레지스트 마스크(210) 및 드레인 전극용 레지스트 마스크(211)가 마련되 어, 1차 마스크 패턴이 형성되어 있다(도10 참조).
다음에, 기판(G)은 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(2)으로부터 반출되어, 도시하지 않은 에칭 장치로 반송된다. 그래서, 잔존한 미노광 레지스트부(209)[소스 전극용 레지스트 마스크(210) 및 드레인 전극용 레지스트 마스크(211)]에 의한 1차 마스크 패턴을 에칭 마스크로서 이용하여, 전극용 금속막(206) 및 n + Si막(205)을 계속해서 에칭함으로써, 도19에 도시한 바와 같이 채널 영역용의 오목부(220)를 형성한다(스텝 S26). 이 에칭에 의해, 소스 전극(206a)과 드레인 전극(206b)이 분리 형성되어, 이들 사이의 오목부(220) 내에 a - Si막(204)의 표면을 노출시킬 수 있다. 또한, n + Si막(205)을 에칭할 때의 엔드 포인트는, 예를 들어 에칭률과 에칭 시간에 의해 제어할 수 있다.
스텝 S26의 에칭 후의 기판(G)은, 다시 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)으로 반송되어, 도포 처리부(22)의 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)에 반입된다. 그리고 스텝 S27에서는 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)의 정밀 토출 노즐(82)을 이용하여, 채널 영역용의 오목부(220) 내에 레지스트액을 토출하고, 오목부(220) 내에 노출되고 있었던 a - Si막(204)의 표면을 국소적으로 피복한다(레지스트 정밀 토출 공정). 이 레지스트 정밀 토출에 의해, 도20에 도시한 바와 같이 오목부(220) 내에 레지스트막(212)이 형성되고, 기판(G) 표면의 레지스트 패턴이 변화되어서 2차 마스크 패턴이 형성된다. 이 레지스트 정밀 토출 공정(스텝 S27)에서는, 정밀 토출 노즐(82)에 의해 레지스트 토출을 행함으로써, 피복이 필요한 영역에만 레지스트막(212)을 형성할 수 있으므로, 기판(G)의 전체면에 레지스트막을 형성해서 포토 리소그래피를 행하는 경우에 비해 레지스트 사용량을 현격하게 절감할 수 있다.
스텝 S27의 레지스트 정밀 토출 공정에서 오목부(220) 내에 형성되는 레지스트막(212)의 막 두께는, 다음의 a - Si 에칭 공정(스텝 S28)의 종료 시에 오목부(220) 내에 레지스트막(212)을 잔존시킬 수 있는 막 두께이면 된다. a - Si 에칭 공정(스텝 S28)의 도중에 오목부(220) 내의 레지스트막(212)이 소모되어 완전히 제거되어 버리면, 반도체 활성층인 a - Si막(204)까지 에칭해 버릴 우려가 있다.
또한, 오목부(220) 내의 레지스트막(212)의 막 두께는, 도20에 도시한 바와 같이 소스 전극용 레지스트 마스크(210) 및 드레인 전극용 레지스트 마스크(211)의 막 두께에 대하여 얇게 형성해도 좋지만, 이들과 동등, 혹은 소스 전극용 레지스트 마스크(210) 및 드레인 전극용 레지스트 마스크(211)보다도 두껍게 형성해도 된다.
다음에, 2차 마스크 패턴이 형성된 기판(G)은, 다시 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)으로부터 반출되어, 도시하지 않은 에칭 처리 장치에 반입된다. 그리고 소스 전극용 레지스트 마스크(210), 드레인 전극용 레지스트 마스크(211) 및 레지스트막(212)을 에칭 마스크로서 사용하고, 도21에 도시한 바와 같이 주위의 a - Si막(204)을 에칭 처리해서 제거한다(스텝 S28). 그 후에 예를 들어 습윤 처리 등의 방법에 의해, 잔존한 레지스트 마스크를 제거한다(스텝 S29). 이에 의해, 도22에 도시한 바와 같이 채널 영역(221)이 형성되어 TFT 소자가 형성된다.
이후의 공정은, 도5의 스텝 S11 내지 스텝 S14와 마찬가지이며, 도시는 생략한다. 예를 들면 채널 영역(221)과 소스 전극(206a) 및 드레인 전극(206b)을 덮도록 감광성 재료로 이루어지는 유기막을 성막한 후(스텝 S30), 포토리소그래피 기술 에 의해 패턴 형성하여 소스 전극(206a)[드레인 전극(206b)]에 접속하는 콘택트 홀을 형성한다(스텝 S31). 상기 콘택트 홀을 매립하도록 유기막 위에 인듐·주석 산화물(ITO) 막을 퇴적하고(스텝 S32), 포토리소그래피 기술에 의해 패턴 형성된 레지스트를 마스크로 하여 에칭을 행함으로써 투명 전극을 형성한다(스텝 S33). 이와 같이 하여, 액정 표시 장치용의 TFT 기판이 제조된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서도, 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)의 정밀 토출 노즐(82)을 이용하여, 스텝 S27의 레지스트 정밀 토출 공정에서 오목부(220) 내에 레지스트막(212)을 형성할 수 있다. 그 결과, 기판(G) 표면의 1차 마스크 패턴을 변화시켜, 2차 마스크 패턴을 형성할 수 있다. 그리고 1차 마스크 패턴으로부터 2차 마스크 패턴에의 전환은, 포토리소그래피 기술을 이용하지 않으므로, TFT 기판의 제조 공정을 합계 4매의 마스크(합계 4회의 포토리소그래피 공정)로 실시할 수 있다. 또한, 스텝 S26에 있어서 전극용 금속막(206) 및n + Si막(205)을 일괄해서 에칭하므로, 상기 제1 실시 형태에 비해 에칭 공정수도 삭감된다. 따라서 한층 더 레지스트 생략화와 처리량 향상이 실현된다. 또한, 하프 노광 기술을 이용하는 마스크 생략화 프로세스에 비해, 기판(G) 면 내의 패턴 정밀도의 균일성도 향상시키는 것이 가능하다.
다음에, 도23 및 도24를 참조하면서, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)에 있어서의 레지스트 도포 처리 장치의 다른 구성예에 대하여 설명을 행한다. 도3에서는, 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)에, 정밀 토출 노즐(82)을 구비한 레지스트 도포 처리 장치를 배치하고, 1차 마스크 패턴의 노출 영역에 대하여 정밀 토출을 행함으로써 2차 마스크 패턴을 형성했다. 그러나, 1차 마스크 패턴으로부터 2차 마스크 패턴에의 전환에, 예를 들어 스크린 인쇄 기술을 이용하는 것도 가능하다.
도23은 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)에 있어서의 레지스트 도포 처리 장치로서 이용 가능한 스크린 인쇄 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다.
이 스크린 인쇄 장치는, 기판(G)을 수평하게 적재해서 보유 지지하기 위한 스테이지(150)와, 이 스테이지(150)에 적재되는 기판(G)의 상면을 덮는 면적을 갖는 스크린(151)과, 이 스크린(151)의 상면에 스핀리스법으로 레지스트액을 면 형상으로 도포하기 위한 긴 노즐(152)을 구비한 도포 처리부(153)를 갖고 있다. 스크린(151)은, 예를 들어 나일론 등의 합성 수지나 스테인레스 등의 금속 재료에 의해 형성되어 있다. 이 스크린(151)은, 미리 패턴 형성되어 있고, 미세한 관통 개구부(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 또한, 긴 노즐(152)은 1차 도포 처리 유닛(CT1)의 긴 노즐(71)과 거의 동일한 구성이다.
도포 처리부(153)는, 긴 노즐(152)을 포함하는 레지스트 액체 공급 기구(154)와, 도포 처리 시에 긴 노즐(152)을 스크린(151) 상방에서 수평 이동시키는 노즐 이동 기구(155)를 구비하고 있다. 레지스트 액체 공급 기구(154)의 긴 노즐(152)의 하면에는, 기판(G)을 폭 방향(Y 방향)으로 일단부로부터 타단부까지 커버할 수 있는 길이로 형성된 슬릿형의 토출구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 긴 노즐(152)은 레지스트 액체 공급관(156)에 접속되고, 이 레지스트 액체 공급 관(156)의 타단부는 레지스트 액체 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
노즐 이동 기구(155)는 긴 노즐(152)을 수평하게 지지하는 노즐 지지 부재(157)와, 이 노즐 지지 부재(157)를 X 방향으로 직진 이동시키는 직진 구동부(158)를 구비하고 있다. 이 직진 구동부(158)는, 예를 들면 가이드가 달린 리니어 모터 기구나, 볼 나사 기구 등으로 구성할 수 있다. 또한, 노즐 지지 부재(157)와 긴 노즐(152)를 접속하고 있는 조인트 부분에는, 긴 노즐(152)의 높이 위치를 변경 또는 조절하기 위한 가이드가 달린 승강 기구(159)가 설치되어 있다. 승강 기구(159)에 의해 긴 노즐(152)의 높이 위치를 조절함으로써 긴 노즐(152)의 하단부의 토출구(도시하지 않음)와 스크린(151)의 상면과의 사이의 거리 간격(갭)을 임의로 조정할 수 있다.
또한, 노즐 지지 부재(157)에는 승강 기구(160)를 거쳐서, 스크린(151)의 폭 방향(Y 방향)으로 일단부로부터 타단부까지 커버할 수 있는 길이의 미끄럼 접촉판인 스퀴지(161)가 부착되어 있다. 이 스퀴지(161)는 노즐 지지 부재(157)와 연동해서 스테이지(150) 상을 X 방향으로 수평 이동하면서 스크린(151)에 미끄럼 접촉함으로써, 스크린(151) 위로 토출된 레지스트를 스크린(151)의 관통 개구부로부터 기판(G)을 향해 압출하기 위한 「헤라」의 역할을 갖는다.
그리고 노즐 이동 기구(155)에 의해 긴 노즐(152)을 스크린(151) 상에서 X 방향으로 수평 이동시키면서, 긴 노즐(152)의 토출구(도시하지 않음)로부터, 스크린(151)의 표면을 향해서 레지스트를 토출한다. 스크린(151) 위로 토출된 레지스트는, 스퀴지(161)의 미끄럼 이동에 의해 스크린(151)의 관통 개구부로부터 압출되 어, 스크린(151)의 하방에 있어서 스테이지(150)에 적재된 기판(G)의 표면에 소정 패턴으로 도포된다.
상기한 바와 같은 구성에 의해, 스크린 인쇄 장치를 구비한 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)에서는, 기판(G) 위에 미리 설정된 임의의 영역에 대하여 레지스트액을 토출해서 레지스트 도포막을 형성할 수 있다.
또한, 도23에 도시한 스크린 인쇄 장치는 어디까지나 예시이며, 레지스트를 국소적으로 도포할 수 있는 것이면 다른 구성의 스크린 인쇄 장치라도 제한 없이 사용 가능하다.
다음에, 스크린 인쇄 기술을 이용한 실시 형태에 있어서의 본 발명의 패턴 형성 방법의 원리를, 도24의 (a) 내지 (d)를 참조하면서 설명한다. 도24의 (a)는, 도시하지 않은 기판 상의 피에칭막(101) 위에, 미리 노광 처리 및 현상 처리를 행함으로써 패턴 형성된 레지스트층(102)이 마련되어, 1차 마스크 패턴(110)이 형성된 상태를 나타내고 있다. 도시한 바와 같이, 1차 마스크 패턴(110)에 의해, 피에칭층(101)의 표면이 노출된 노출 영역(103a, 103b, 103c)이 형성되어 있다.
다음에, 도24의 (b)에 도시한 바와 같이 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)의 긴 노즐(152)로부터, 스크린(151) 위에 레지스트(R)를 토출하는 동시에, 스퀴지(161)를 스크린(151)의 표면에 미끄럼 접촉시킨다. 이때, 스크린(151)으로서는, 미리 노출 영역(103b)에만 대응한 관통 개구부(151a)가 패턴 형성된 것을 사용한다. 도24의 (c)에 도시한 바와 같이 스크린(151) 표면으로 토출된 레지스트(R)는, 스퀴지(161)에 의해 스크린(151)의 관통 개구부(151a)로부터 압출되어, 피에칭층(101) 의 노출 영역(103b)에만 선택적으로 도포된다.
그리고 국소적인 레지스트 도포에 의해, 노출 영역(103b)을 형성하고 있었던 레지스트층(102)의 오목부는, 도24의 (d)에 도시한 바와 같이 레지스트에 의해 매립되어, 피복부(105)가 형성된다. 한편, 노출 영역(103a, 103c)은 그대로 남겨진다. 또한, 스크린 인쇄 후에는, 피복부(105)의 레지스트를 경화시킬 목적으로, 필요에 따라서 기판(G)에 대하여 가열 처리·냉각 처리 등이 실시된다. 이와 같이, 1차 마스크 패턴(110)에다가 새롭게 피복부(105)가 마련됨으로써, 기판(G) 표면의 레지스트 패턴 형상은 변화되어, 2차 마스크 패턴(111)이 형성되게 된다. 그리고 이 2차 마스크 패턴(111)을 마스크로 하여 에칭을 행함으로써, 도24의 (d)에 도시하는 노출 영역(103a, 103c)에 있어서 피에칭막(101)을 에칭하는 것이 가능해진다.
이러한 스크린 인쇄 기술을 이용한 레지스트의 국소적 도포 공정은, 예를 들어 도5의 스텝 S7이나 도18의 스텝 S27의 레지스트 정밀 토출 공정 대신에 실시할 수 있다. 그리고, 본 실시 형태에 있어서도, 정밀 토출 기술을 이용할 경우와 마찬가지로, 노광 및 현상이라고 하는 포토리소그래피 기술을 이용하지 않고 1차 마스크 패턴(110)으로부터 2차 마스크 패턴(111)으로 마스크 패턴을 전환할 수 있다. 따라서, 포토리소그래피 공정이 불필요해짐에 따른 공정수의 삭감과 총 공정 시간의 삭감이 실현된다. 또한, 피복부(105)의 형성은 스크린 인쇄 기술에 의해 국소적인 레지스트 도포에 의해 행해지므로, 기판(G)의 전체면에 레지스트막을 형성해서 포토리소그래피를 행하는 경우에 비교해서 레지스트 사용량을 대폭 삭감할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 이러한 형태에 한정되는 것은 아니며, 여러 가지의 변형이 가능하다. 예를 들면 상기 설명에 있어서는, LCD용 글래스 기판을 이용하는 TFT 소자의 제조를 예로 들었지만, 예를 들어 일렉트로루미네센스 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 다른 종류의 플랫 패널 디스플레이(FPD)용 기판이나, 반도체 기판 등에 있어서의 마스크 패턴 형성의 과정에서도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 정밀 토출 노즐(82)에 의한 레지스트 정밀 토출 공정(스텝 S7)을 전용 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34)으로 행하는 구성으로 하고 있다. 그러나, 2차 도포 처리를 행하는 장치를 1차 도포 처리 유닛(CT1)(32) 내에 병설 또는 조립하는 구성으로 하는 것도 가능하다. 예를 들어, 도25에 도시한 바와 같이 1차 도포 처리 유닛(CT1)(32)에 있어서, 한 쌍의 평행한 가이드 레일(184, 184)을 설치하고, 노즐 이동 기구(74)의 노즐 지지 부재(76)에, 2차 도포 처리 유닛(CT2)(34) 내의 2차 도포 처리 장치와 동일한 구성의 가이드 레일(185), 캐리지(187)를 거쳐서 정밀 토출 노즐(182)을 탑재하는 것도 가능하다. 또한, 도25에 있어서 상기 이외의 구성은 도2와 마찬가지이므로 동일한 구성에는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
본 발명은, 예를 들어 TFT 소자 등의 반도체 장치의 제조에 있어서 적합하게 이용 가능하다.
본 발명에 따르면, 1차 마스크 패턴이 마련된 피처리체에 대하여, 레지스트 액을 국소적으로 공급함으로써 피처리체에의 레지스트 도포, 노광, 현상이라고 하는 포토리소그래피 공정을 실시하지 않고 새로운 마스크 패턴(2차 마스크 패턴)을 창출할 수 있다. 따라서, 레지스트 생략화 외에 공정수, 총 공정 시간 및 포토리소그래피 관련 장치의 대수의 삭감이 가능해서, 대폭적인 비용 절감이 실현된다. 또한, 애싱을 행하지 않고 1차 마스크 패턴으로부터 2차 마스크 패턴에의 전환이 가능하므로, 피처리체에 있어서의 패턴 정밀도의 균일성을 확보할 수 있어, 액정 표시 장치용 TFT 소자 등의 반도체 장치의 수율을 개선할 수 있는 동시에, 그 신뢰성을 향상시키는 것이 가능해진다.

Claims (16)

  1. 피에칭막에 노출 영역과 피복 영역이 형성되도록 1차 마스크 패턴이 마련된 피처리체의 상기 노출 영역에 대하여, 레지스트액을 국소적으로 공급함으로써 상기 노출 영역을 부분적으로 피복하여, 2차 마스크 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 마스크 패턴의 형성 방법.
  2. 피처리체 위에 성막된 피에칭막보다 상층에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막을 패턴 형성하여 1차 마스크 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 1차 마스크 패턴에 의해 피복되어 있지 않은 노출 영역을 향해서 레지스트액을 국소적으로 공급함으로써 상기 노출 영역을 부분적으로 피복해서 2차 마스크 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 마스크 패턴의 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2차 마스크 패턴을 형성하는 공정에서는, 레지스트액을 미소한 액적으로서 토출하는 레지스트 토출 노즐을 이용하는 마스크 패턴의 형성 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2차 마스크 패턴을 형성하는 공정에서는, 스크린 인쇄 장치를 이용해서 레지스트액을 도포하는 마스크 패턴의 형성 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2차 마스크 패턴을 마스크로 하여 피에칭막을 에칭하는 공정과,
    에칭 후에, 레지스트를 제거하는 공정을 더 포함하는 마스크 패턴의 형성 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 피처리체는 기판 위에, 밑에서부터 차례대로 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막, 반도체막, 옴접촉막, 소스·드레인용 금속막 및 상기 1차 마스크 패턴이 형성된 적층 구조체이며,
    상기 피에칭막이, 상기 옴접촉막 및 상기 반도체막인 마스크 패턴의 형성 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 피처리체는 기판 위에, 밑에서부터 차례대로 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막, 반도체막, 옴접촉막, 소스·드레인용 금속막 및 상기 1차 마스크 패턴이 형성된 적층 구조체이며,
    상기 피에칭막이, 상기 반도체막인 마스크 패턴의 형성 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 레지스트액을 국소적으로 공급함으로써 피복되는 영역에, TFT의 채널 영역을 형성하는 마스크 패턴의 형성 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 레지스트액을 국소적으로 공급함으로써 피복되는 영역 에, TFT의 채널 영역을 형성하는 마스크 패턴의 형성 방법.
  10. 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 공정과,
    상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 공정과,
    상기 게이트 절연막 위에, 밑에서부터 차례대로 반도체막, 옴접촉막 및 소스·드레인용 금속막을 퇴적시키는 공정과,
    상기 소스·드레인용 금속막 위에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막을 패턴 형성하여, 소스 전극용 레지스트 마스크 및 드레인 전극용 레지스트 마스크를 형성하는 마스크 패터닝 공정과,
    상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 마스크로 하여 상기 소스·드레인용 금속막을 에칭하고, 소스 전극용 금속막과 드레인 전극용 금속막을 형성하는 동시에, 상기 소스 전극용 금속막과 상기 드레인 전극용 금속막 사이의 채널 영역용 오목부에 하층의 옴접촉막을 노출시키는 공정과,
    상기 채널 영역용 오목부에 레지스트 마스크를 형성하는 국소적 레지스트 마스크 형성 공정과,
    상기 채널 영역용 오목부에 형성된 레지스트 마스크, 상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 마스크로 하여, 하층의 상기 옴접촉막 및 상기 반도체막을 에칭하는 공정과,
    상기 채널 영역용 오목부에 형성된 레지스트 마스크, 상기 소스 전극용 레지 스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 제거하는 레지스트 제거 공정과,
    상기 소스 전극용 금속막과 상기 드레인 전극용 금속막을 마스크로 하여, 이들 사이의 상기 채널 영역용 오목부 내에 노출된 상기 옴접촉막을 에칭하는 공정을 포함하는 TFT의 제조 방법.
  11. 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 공정과,
    상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 공정과,
    상기 게이트 절연막 위에, 밑에서부터 차례대로 반도체막, 옴접촉막 및 소스·드레인용 금속막을 퇴적시키는 공정과,
    상기 소스·드레인용 금속막 위에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막을 패턴 형성하여, 소스 전극용 레지스트 마스크 및 드레인 전극용 레지스트 마스크를 형성하는 마스크 패터닝 공정과,
    상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 마스크로 하여 상기 소스·드레인용 금속막 및 상기 옴접촉막을 에칭하고, 소스 전극용 금속막과 드레인 전극용 금속막을 형성하는 동시에, 상기 소스 전극용 금속막과 상기 드레인 전극용 금속막 사이의 채널 영역용 오목부에 하층의 반도체막을 노출시키는 공정과,
    상기 채널 영역용 오목부에 레지스트 마스크를 형성하는 국소적 레지스트 마스크 형성 공정과,
    상기 채널 영역용 오목부에 형성된 레지스트 마스크, 상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 마스크로 하여, 하층의 상기 반도체막을 에칭하는 공정과,
    상기 채널 영역용 오목부에 형성된 레지스트 마스크, 상기 소스 전극용 레지스트 마스크 및 상기 드레인 전극용 레지스트 마스크를 제거하는 레지스트 제거 공정을 포함하는 TFT의 제조 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 국소적 레지스트 마스크 형성 공정은, 레지스트액을 미소한 액적으로서 토출하는 레지스트 토출 노즐을 이용하여, 상기 채널 영역용 오목부를 향해 레지스트를 국소적으로 토출함으로써 행해지는 TFT의 제조 방법.
  13. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 국소적 레지스트 마스크 형성 공정은, 스크린 인쇄 장치를 이용해서 상기 채널 영역용 오목부에 레지스트를 국소적으로 도포함으로써 행해지는 TFT의 제조 방법.
  14. 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이며,
    상기 제어 프로그램은, 실행 시에, 제1항에 기재된 마스크 패턴의 형성 방법이 행해지도록 레지스트 도포 처리 장치를 제어하는 것인 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
  15. 피처리체를 적재하는 지지대와,
    상기 피처리체를 향해 레지스트액을 미소한 액적으로서 토출하는 레지스트 토출 노즐을 갖는 레지스트 토출 기구와,
    제1항에 기재된 마스크 패턴의 형성 방법이 행해지도록 상기 레지스트 토출 노즐에 의한 레지스트의 토출을 제어하는 제어부를 구비한 레지스트 도포 처리 장치.
  16. 피처리체를 적재하는 지지대와,
    상기 피처리체를 향해 레지스트액을 국소적으로 도포하는 스크린 인쇄 기구와,
    제1항에 기재된 마스크 패턴의 형성 방법이 행해지도록 상기 스크린 인쇄 기구에 의한 레지스트의 도포를 제어하는 제어부를 구비한 레지스트 도포 처리 장치.
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