KR20070105881A - 필터 및 분파기 - Google Patents
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Abstract
본원 발명은, 통과 대역에 발생하는 리플을 저감하는 것이 가능한 필터 및 분파기를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 기판(10)과, 기판 상에 형성된 하부 전극(12)과, 하부 전극 상에 형성된 압전막(14)과, 압전막 상에 형성된 상부 전극(16)을 갖는 복수의 압전 박막 공진자를 구비하고, 복수의 압전 박막 공진자 중 적어도 1개의 압전 박막 공진자는, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 대향하는 부위의 형상이, 다른 압전 박막 공진자에 대하여 스퓨리어스의 발생 주파수가 상이한 형상인 것을 특징으로 하는 필터 및 분파기이다.
압전막, 상부 전극, 하부 전극, 압전 박막 공진자, 스퓨리어스, 공극
Description
도 1의 (a)는 압전 박막 공진자의 평면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 A-A 단면도.
도 2의 (a) 및 도 2의 (b)는 공진자1 내지 3의 통과 특성을 도시하는 도면.
도 3은 실시예1에 따른 필터의 회로도.
도 4는 실시예1에 따른 필터1의 평면도.
도 5은 실시예1에 따른 필터2의 평면도.
도 6은 실시예1에 따른 필터3의 평면도.
도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)는 각각 필터1 내지 필터3의 통과 특성을 도시하는 도면.
도 8은 실시예2에 따른 필터의 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판
12 : 하부 전극
14 : 압전막
16 : 상부 전극
18 : 공극
22 : 부위
S1, S2, S3, S4 : 직렬 아암 공진자
P1, P2, P3, P4 : 병렬 아암 공진자
[특허 문헌1] 일본 특개 2005-124107호 공보
본 발명은, 필터 및 분파기에 관한 것으로, 특히 압전막을 사이에 두고 하부 전극과 상부 전극이 대향하는 부위의 형상이 타원형인 필터 및 분파기에 관한 것이다.
휴대 전화로 대표되는 무선 기기의 급속한 보급에 의해, 소형이며 경량인 공진기 및 이것을 조합하여 구성한 필터의 수요가 증대되고 있다. 지금까지는 주로 유전체와 표면 탄성파(SAW) 필터가 사용되어 왔지만, 최근에는, 특히 고주파에서의 특성이 양호하고, 또한 소형화와 모노리식화가 가능한 소자인 압전 박막 공진기 및 이것을 이용하여 구성된 필터가 주목받고 있다.
압전 박막 공진자 중에는, FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) 타입과 SMR(Solidly Mounted Resonator) 타입이 있다. FBAR은, 기판 상에, 주요 구성 요소로서, 상부 전극/압전막/하부 전극의 구조를 갖고, 상부 전극과 하부 전극이 대향하는 부위(공진부)의 하부 전극 아래에 공극이 형성되어 있다. 여기서, 공극은, Si 기판 표면에 형성한 희생층의 웨트 에칭에 의해, 하부 전극과 기판 사이에 형성된다. 또는, 공극은, 기판 이면으로부터의 웨트 또는 드라이 에칭 등에 의해 기판에 형성된다. 또한，SMR은 상기의 공극 대신에, 음향 임피던스가 높은 막과 낮은 막을 교대로 λ/4(λ : 탄성파의 파장)의 막 두께로 적층하여 음향 반사막으로서 이용하는 구조의 것이다.
여기서, 전극으로서는, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 이리듐(Ir) 등을 이용할 수 있다. 압전막으로서는, 질화알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 티탄산지르콘산납(PZT), 티탄산납(PbTiO3) 등을 이용할 수 있다. 또한, 기판으로서는, 실리콘, 글래스 등을 이용할 수 있다.
그런데, 전술한 압전 박막 공진자에서는 두께 세로 진동파 외에, 전극면에 평행하게 전파되어, 전극 또는 공극의 단부에서 반사되는 가로 모드의 불필요한 파가 여기된다. 이 결과, 공진자의 임피던스 특성에 불필요 스퓨리어스가 발생하거나, 필터의 통과 대역에 리플이 발생하거나 하기 때문에, 응용상 문제로 된다. 이러한 가로 모드의 파에 의한 악영향을 억제하기 위해, 특허 문헌1에는, 하부 전극과 상부 전극의 대향하는 부위의 형상이 타원형이며, 그 타원형의 주축의 길이를 a, 부축의 길이를 b로 하였을 때, 1.0<a/<1.9인 압전 박막 공진자 및 이것을 이용한 필터가 개시되어 있다.
특허 문헌1에 따르면, 하부 전극과 상부 전극의 대향하는 부위의 형상을 타원형으로 함으로써, 부위의 형상이 원형인 경우에 비해 공진자의 공진 특성에 발생하는 스퓨리어스를 저감할 수 있다. 그러나, 공진자의 스퓨리어스를 없앨 수는 없다. 그 때문에, 복수의 공진자를 이용한 필터에서는, 필터의 통과 대역에 큰 리플이 발생하게 된다. 통과 대역에 리플이 발생하면 필터의 삽입 손실이나 군 지연 특성이 열화되게 된다.
본 발명은, 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 통과 대역에 발생하는 리플을 억제하는 것이 가능한 필터 및 분파기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기판과, 그 기판 상에 형성된 하부 전극과, 그 하부 전극 상에 형성된 압전막과, 그 압전막 상에 형성된 상부 전극을 갖는 복수의 압전 박막 공진자를 구비하고, 상기 복수의 압전 박막 공진자 중 적어도 1개의 압전 박막 공진자는, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 대향하는 부위의 형상이, 다른 압전 박막 공진자에 대하여 스퓨리어스의 발생 주파수가 상이한 형상인 것을 특징으로 하는 필터이다. 본 발명에 따르면, 압전 박막 공진자의 스퓨리어스가 서로 겹치는 것을 억제하여, 통과 대역에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
본 발명은, 기판과, 그 기판 상에 형성된 하부 전극과, 그 하부 전극 상에 형성된 압전막과, 그 압전막 상에 형성된 상부 전극을 갖는 직렬 아암 공진자 및 병렬 아암 공진자를 구비하고, 상기 직렬 아암 공진자 및 병렬 아암 공진자 중 복 수의 공진자는, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 대향하는 부위의 형상이 타원형이며, 상기 복수의 공진자 중 1개의 공진자의 상기 타원형의 축비는, 상기 복수의 공진자 중 다른 공진자의 상기 타원형의 축비와는 상이한 것을 특징으로 하는 필터이다. 본 발명은, 타원형의 부위를 갖는 복수의 공진자의 스퓨리어스가 서로 겹치는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 복수의 공진자는 상기 직렬 아암 공진자인 구성으로 할 수 있다. 직렬형 공진자끼리는, 스퓨리어스의 발생 주파수가 일치하기 쉽다. 따라서, 이 구성에 의해, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 복수의 공진자는, 상기 부위의 면적이 대략 동일한 구성으로 할 수 있다. 부위의 면적이 대략 동일한 경우에는, 공진자의 스퓨리어스의 발생 주파수가 일치하기 쉽다. 따라서, 이 구성에 의해, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 복수의 공진자는 상기 병렬 아암 공진자인 구성으로 할 수 있다. 병렬형 공진자끼리는, 스퓨리어스의 발생 주파수가 일치하기 쉽다. 따라서, 이 구성에 의해, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
상기 복수의 공진자는, 상기 부위의 면적이 대략 동일한 구성으로 할 수 있다. 부위의 면적이 대략 동일한 경우에는, 공진자의 스퓨리어스의 발생 주파수가 일치하기 쉽다. 따라서, 이 구성에 의해, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 복수의 공진자의 상기 타원형의 주축의 길이를 a, 부축의 길이를 b로 하였을 때, 1<a/b<1.9인 구성으로 할 수 있다. 이 구성에 따르면, 공진자의 스퓨리어스를 억제할 수 있다. 따라서, 필터의 통과 특성의 리플의 발생을 보다 억제할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 복수의 공진자의 상기 부위는, 상기 기판에 형성된 공극 상에 형성되어 있거나, 또는 상기 기판 상에 공극을 통해 형성되어 있는 구성으로 할 수 있다.
본 발명은, 공통 단자에 접속된 송신 필터와, 상기 공통 단자에 접속된 수신 필터를 구비하고, 상기 송신 필터 및 상기 수신 필터 중 적어도 한쪽은 상기의 필터인 것을 특징으로 하는 분파기이다. 본 발명에 따르면, 본 발명은, 타원형의 부위를 갖는 복수의 공진자의 스퓨리어스가 서로 겹치는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 분파기의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
<실시예>
우선 본 발명의 원리에 대하여, 압전 박막 공진자의 실험 결과를 이용하여 설명한다. 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 실험에 이용한 압전 박막 공진자를 도시하는 도면이다. 도 1의 (a)는 평면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 단면도이다. 또한, 도 1의 (b)에서, 압전막(14) 아래의 하부 전극(12)은 외주를 파선으로 나타내고 있다. 실리콘 기판(10) 상에 하부 전극(12)으로서 Ru막과 Cr막의 2층막이 형성되어 있다. 하부 전극(12) 상에 압전막(14)으로서 AlN막이 형성되어 있다. 압전막(14) 상에 상부 전극(16)으로서 Ru막이 형성되어 있다. 하부 전극(12) 상의 압 전막(14)에는, 하부 전극(12)에 전기적으로 접속하기 위한 개구부(20)가 형성되어 있다. 압전막(14)을 사이에 두고 상부 전극(16)과 하부 전극(12)이 대향하는 부위(22) 아래의 기판(10)에는 공극(18)이 형성되어 있다. 하부 전극(12), 압전막(14), 상부 전극(16)은, 예를 들면 스퍼터링법 및 에칭에 의해 형성된다. 공극(18)은, 실리콘 기판(10)을 Deep-RIE를 이용하여 드라이 에칭함으로써 대략 수직의 측벽을 갖도록 형성할 수 있다.
실험에서는 2㎓ 근방에 공진 주파수를 갖는 3개의 압전 박막 공진자(공진자1 내지 3)를 제작하고, 상부 전극(16)과 하부 전극(12)이 대향하는 부위(22)의 타원형의 축비와 공진 특성에 발생하는 스퓨리어스의 관계를 조사하였다. 제작한 공진자1 내지 3의 부위(22)의 타원형의 주축의 치수 a, 부축의 치수 b, 축비 a/b를 표 1에 나타낸다. 공진자1 내지 3의 타원형의 면적은 거의 동일한 면적으로 하였다.
도 2의 (a)는 공진자1 내지 3의 통과 특성이며, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 사각부의 확대도이다. 도 2의 (b)로부터, 부위(22)의 타원형의 축비를 서로 다르게 함으로써 스퓨리어스가 발생하는 주파수가 서로 다른 것을 알 수 있다. 공진자를 복수 조합하여 필터를 형성하는 경우, 동일한 주파수에 스퓨리어스가 발생하는 공진자를 조합하면, 이들 스퓨리어스가 서로 겹쳐져, 필터의 통과 특성에 리플이 발생한다. 따라서，이하에 설명하는 실시예1에서는, 스퓨리어스가 발생하는 주파수가 서로 다른 공진자로 필터를 구성함으로써, 통과 특성에 발생하는 리플을 저감시킬 수 있다.
[실시예1]
실시예1로서, 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)의 공진자를 직렬 아암 공진자, 병렬 아암 공진자로 이용한 1950㎒를 중심 주파수로 하는 래더형 필터인 필터1 내지 3을 제작하였다. 도 3은 제작한 필터1 내지 3의 회로도이다. 실시예1에 따른 래더형 필터는 직렬 아암 공진자 S1 내지 S4와 병렬 아암 공진자 P1 내지 P4로 구성된다. 표 2는 제작한 래더형 필터(필터1 내지 3)를 구성하는 각 공진자의 부위(22)의 타원형의 축비 a/b, 타원 사이즈 a, b를 나타내는 표이다. 각 필터에서는，S1 내지 S3의 타원형의 면적은 거의 동일하고, P2 내지 P4의 타원형의 면적은 거의 동일하다. 도 4는 필터1의 평면도, 도 5는 필터2의 평면도, 도 6은 필터3의 평면도이다. 도 4 내지 도 6에서, 도 1의 (a)와 동일한 부재는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 4 및 표 2를 참조로, 필터1에서는, 직렬 아암 공진자 S1 내지 S4의 부위(22)의 타원형의 축비는 모두 1.4로 동일하다. 병렬 아암 공진자 P1의 축비는 1.2이며, 병렬 아암 공진자 P2 내지 P4의 축비는 1.4이다.
도 5 및 표 2를 참조로, 필터2에서는, 직렬 아암 공진자 S1, S2, S3의 부위(22)의 타원형의 축비는 각각 1.8, 1.2, 1.4로 상이하다. 직렬 아암 공진자 S4 및 병렬 아암 공진자 P1 내지 P4는 필터1과 동일하다. 이와 같이, 직렬 아암 공진자 중 부위(22)의 타원형이 거의 동일한 면적의 직렬 아암 공진자 S1 내지 S3의 타원형의 축비가 각각 상이하다.
도 6 및 표 2를 참조로, 필터3에서는, 직렬 아암 공진자 S1 내지 S4 및 병렬 아암 공진자 P1은 필터2와 동일하다. 병렬 아암 공진자 P2 내지 P4의 타원형의 축비는 각각 1.2, 1.4, 1.6으로 상이하다. 이와 같이, 직렬 아암 공진자 외에, 병렬 아암 공진자 중 부위(22)의 타원형이 거의 동일한 면적의 병렬 아암 공진자 P2 내지 P4의 타원형의 축비가 각각 상이하다.
도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)는 각각 필터1 내지 3의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 필터1, 필터2, 필터3에 따라서, 리플이 감소하고 있다. 이것은, 복수의 공진자의 부위(22)의 타원형의 축비를 서로 다르게 함으로써, 스퓨리어스의 발생 주파수를 서로 다르게 할 수 있어, 필터의 통과 특성의 리플을 억제할 수 있는 것을 나타내고 있다.
즉, 필터를 구성하는 직렬 아암 공진자 및 병렬 아암 공진자는 실시예1의 구성에 한정되지 않고, 직렬 아암 공진자 및 병렬 아암 공진자 중 적어도 1개의 압전 박막 공진자의 부위(22)의 형상이 다른 압전 박막 공진자에 대하여 스퓨리어스의 발생 주파수가 상이한 형상으로 한다. 이에 의해, 압전 박막 공진자의 스퓨리어스가 서로 겹치는 것을 억제하여, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
또한, 직렬 아암 공진자 및 병렬 아암 공진자 중 복수의 공진자의 부위(22)의 형상을 타원형으로 한다. 타원형의 부위(22)를 갖는 공진자 중 적어도 1개의 공진자의 타원형의 축비 a/b를, 타원형의 부위(22)를 갖는 복수의 공진자 중 다른 공진자의 타원형의 축비와는 상이하게 한다. 이에 의해, 도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)와 같이, 타원형의 부위(22)를 갖는 복수의 공진자의 스퓨리어스가 서로 겹치는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
또한, 필터2와 같이, 부위(22)의 타원형의 축비 a/b가 서로 다른 복수의 공진자를 직렬 아암 공진자 S1 내지 S4로 한다. 직렬형 공진자 S1 내지 S4끼리는, 스퓨리어스의 발생 주파수가 일치하기 쉽다. 따라서, 직렬 아암 공진자 S1 내지 S4의 타원형의 축비를 서로 다르게 함으로써, 필터1의 통과 특성(도 7의 (a))과 필터2의 통과 특성(도 7의 (b))의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
또한, 필터2와 같이, 부위(22)의 타원형의 축비 a/b가 서로 다른 복수의 공진자는, 부위(22)의 면적이 대략 동일한 직렬 아암 공진자 S2 내지 S4로 한다. 부위(22)의 면적이 대략 동일한 경우에는, 공진자의 스퓨리어스의 발생 주파수가 일치하기 쉽다. 따라서, 부위(22)가 대략 동일한 공진자의 부위(22)의 타원형의 축비 a/b를 서로 다르게 함으로써, 특히 스퓨리어스가 서로 겹치는 것을 억제하여, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다. 부위(22)의 면적이 대략 동일한 직렬 아암 공진자는 모두 타원형의 축비 a/b를 서로 다르게 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 부위(22)의 면적이 대략 동일한 직렬 아암 공진자의 스퓨리어스가 발생하는 주파수를 모두 다르게 할 수 있어, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 한층 더 억제할 수 있다.
또한, 필터3과 같이, 부위(22)의 타원형의 축비 a/b가 서로 다른 복수의 공진자를 병렬 아암 공진자 P1 내지 P4로 한다. 병렬형 공진자 P1 내지 P4끼리는, 스퓨리어스의 발생 주파수가 일치하기 쉽다. 따라서, 병렬 아암 공진자 P1 내지 P4의 타원형의 축비를 서로 다르게 함으로써, 필터1의 통과 특성(도 7의 (b))과 필터3의 통과 특성(도 7의 (c))의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 억제할 수 있다.
또한, 필터3과 같이, 부위(22)의 타원형의 축비 a/b가 서로 다른 복수의 공진자는, 부위(22)의 면적이 대략 동일한 병렬 아암 공진자 P2 내지 P4로 한다. 이에 의해, 필터2에서 설명한 직렬 아암 공진자와 마찬가지로, 특히 스퓨리어스가 서로 겹치는 것을 억제하여, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 삭감할 수 있다. 따라서, 부위(22)의 면적이 대략 동일한 병렬 아암 공진자는 모두 타원형의 축비 a/b를 서로 다르게 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 부위(22)의 면적이 대략 동일한 병렬 아암 공진자의 스퓨리어스가 발생하는 주파수를 모두 다르게 할 수 있어, 필터의 통과 특성에 발생하는 리플을 한층 더 억제할 수 있다.
또한, 필터3과 같이, 직렬 아암 공진자 및 병렬 아암 공진자의 부위(22)의 타원형의 축비 a/b를 각각 서로 다르게 하는 것이 바람직하다.
부위(22)의 면적이 대략 동일한 공진자는 필터의 설계 목적에 따라 임의로 설정된다. 복수의 공진자의 부위(22)의 타원형의 면적이 대략 동일하다는 것은, 부위(22)를 동일한 축비의 타원형으로 하면, 스퓨리어스의 발생 주파수가 겹치게 될 정도로 동일한 것을 말한다. 스퓨리어스의 발생 주파수가 겹치게 될 정도로 동일하다는 것은, 필터의 통과 특성의 리플의 발생 요인으로 될 정도로 동일한 것을 말한다. 예를 들면, 복수의 공진자의 부위(22)의 타원형의 면적의 차가 ±20% 이하이면 스퓨리어스의 발생 주파수는 서로 겹치고, 면적의 차가 ±10% 이하이면 스퓨리어스의 발생 주파수는 더 서로 겹친다.
부위(22)의 타원형 복수의 공진자의 부위(22)의 타원형의 축비 a/b는 1<a/b<1.9인 것이 바람직하다. 이에 의해, 특허 문헌1에 기재된 바와 같이 공진자의 스퓨리어스를 억제할 수 있다. 따라서, 필터의 통과 특성의 리플의 발생을 보다 억제할 수 있다.
[실시예2]
실시예2는 실시예1에 따른 필터를 송신 필터 및 수신 필터로 이용한 분파기의 예이다. 도 8을 참조로, 실시예2에 따른 분파기는, 공통 단자(36)와 송신 단자(38) 사이에 접속된 송신 필터(32)와, 공통 단자(36)와 수신 단자(40) 사이에 접속된 수신 필터(34)와, 공통 단자(36)와 송신 필터(32) 및 수신 필터(34) 사이에 형성된 정합 회로(31)를 갖고 있다. 이에 의해, 통과 특성에의 리플의 발생을 억제한 분파기를 제공할 수 있다. 또한, 실시예1에 따른 필터는 송신 필터(32) 및 수신 필터(34) 중 적어도 한쪽에 이용할 수 있다.
실시예1 및 실시예2에서는, 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 도시한 압전 박막 공진자를 이용하였지만, 이 구성에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(10), 하부 전극(12), 압전막(14) 및 상부 전극(16)은, 배경 기술에서 예시한 재료를 이용할 수 있다. 공극(18)의 형상은, 기판(10)과 하부 전극(12) 사이에 공극을 갖는 형상이어도 된다. 즉, 부위(22)의 하부 전극(12)은 기판 상에 공극을 통해 형성되어도 되며, 또한, 공진자는 FBAR에는 한정되지 않고 SMR이어도 된다. 또한, 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 공진자의 주요 부분만 기재하고 있으며, 다른 부재가 형성되어 있어도 된다. 예를 들면, 하부 전극(12) 아래에 보강 또는 공극(18)의 에칭 스톱층으로서 유전체막을 형성하거나, 상부 전극(16) 상에 패시베이션막 또는 주파수 조정용의 유전체막을 형성하여도 된다. 또한, 부위(22)의 타원형은, 수학적인 타원형을 포함하지만, 주축 및 부축에 대하여 대칭인 원형을 찌부러뜨린 형상도 포함한다.
이상, 본 발명의 실시예에 대해서 상술하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 다양한 변형·변경이 가능하다.
본 발명에 따르면, 통과 대역에 발생하는 리플을 억제하는 것이 가능한 필터 및 분파기를 제공할 수 있다.
Claims (9)
- 기판과, 상기 기판 상에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과, 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극을 갖는 복수의 압전 박막 공진자를 구비하고,상기 복수의 압전 박막 공진자 중 적어도 1개의 압전 박막 공진자는, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 대향하는 부위의 형상이, 다른 압전 박막 공진자에 대하여 스퓨리어스의 발생 주파수가 상이한 형상인 것을 특징으로 하는 필터.
- 기판과, 상기 기판 상에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과, 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극을 갖는 직렬 아암 공진자 및 병렬 아암 공진자를 구비하고,상기 직렬 아암 공진자 및 병렬 아암 공진자 중 복수의 공진자는, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 대향하는 부위의 형상이 타원형이며,상기 복수의 공진자 중 1개의 공진자의 상기 타원형의 축비는, 상기 복수의 공진자 중 다른 공진자의 상기 타원형의 축비와는 상이한 것을 특징으로 하는 필터.
- 제2항에 있어서,상기 복수의 공진자는 상기 직렬 아암 공진자인 것을 특징으로 하는 필터.
- 제3항에 있어서,상기 복수의 공진자는, 상기 부위의 면적이 대략 동일한 것을 특징으로 하는 필터.
- 제2항에 있어서,상기 복수의 공진자는 상기 병렬 아암 공진자인 것을 특징으로 하는 필터.
- 제5항에 있어서,상기 복수의 공진자는, 상기 부위의 면적이 대략 동일한 것을 특징으로 하는 필터.
- 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 공진자의 상기 타원형의 주축의 길이를 a, 부축의 길이를 b로 하였을 때,1<a/b<1.9인 것을 특징으로 하는 필터.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 공진자의 상기 부위는, 상기 기판에 형성된 공극 상에 형성되어 있거나, 또는 상기 기판 상에 공극을 통해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 필터.
- 공통 단자에 접속된 송신 필터와,상기 공통 단자에 접속된 수신 필터를 구비하고,상기 송신 필터 및 상기 수신 필터 중 적어도 한 쪽은 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 필터인 것을 특징으로 하는 분파기.
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