KR20070104283A - 발광 장치 - Google Patents

발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070104283A
KR20070104283A KR1020070038778A KR20070038778A KR20070104283A KR 20070104283 A KR20070104283 A KR 20070104283A KR 1020070038778 A KR1020070038778 A KR 1020070038778A KR 20070038778 A KR20070038778 A KR 20070038778A KR 20070104283 A KR20070104283 A KR 20070104283A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wall
light emitting
package
emitting device
emitting element
Prior art date
Application number
KR1020070038778A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101316495B1 (ko
Inventor
히로시 고노
마사시 이시다
사이끼 야마모또
Original Assignee
니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 filed Critical 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20070104283A publication Critical patent/KR20070104283A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101316495B1 publication Critical patent/KR101316495B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Abstract

패키지의 강도를 확보하여, 취급 및 수율의 향상을 도모하고, 한층 더한 박막화 및 소형화를 실현하고, 또한 실장 점유 공간을 최소한으로 억제하는 것을 목적으로 한다. 발광 소자와, 복수의 리드 프레임과, 상기 리드 프레임의 적어도 일부를 그 내부에 포함하고, 일단을 그 외부로 돌출시키고, 또한 상기 발광 소자로부터의 광을 취출하기 위한 개구를 구비하고, 길이 방향으로 연장하여 형성된 패키지를 포함하고, 상기 패키지의 벽의 적어도 일부의 외표면에 오목부가 형성되고, 상기 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임이 상기 오목부 내에 수용되고, 또한 상기 개구를 구성하는 패키지의 폭 방향으로 대향하는 벽이, 적어도, 상기 발광 소자에 대향하는 제1벽, 그 제1벽에 대하여 단차를 갖는 제2벽 및 상기 제1벽과 제2벽 사이에서 연결된 제3벽을 갖고, 상기 제2벽 및 제3벽이 상기 제1벽보다도 두껍게 형성되어 있는 발광 장치.
리드 프레임, 패키지, 벽, 오목부, 발광 소자, 강도, 박막화, 소형화

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}
도 1은 본 발명의 발광 장치를 설명하기 위한 주요부의 개략 평면도.
도 2는 본 발명의 다른 발광 장치를 설명하기 위한 주요부의 개략 평면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 발광 장치를 설명하기 위한 주요부의 개략 평면도.
도 4는 본 발명의 또 다른 발광 장치를 설명하기 위한 주요부의 개략 평면도.
도 5는 본 발명의 또 다른 발광 장치를 설명하기 위한 주요부의 개략 평면도.
도 6은 본 발명의 또 다른 발광 장치를 설명하기 위한 주요부의 개략 정면도(도 6a), 개략 배면도(도 6b), 개략 평면도(도 6c) 및 사시도(도 6d).
도 7은 본 발명의 발광 장치의 상세 내용을 설명하기 위한 주요부의 개략 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11a, 11b, 11c : 발광 소자
12a∼12f : 리드 프레임
13 : 패키지
13a, 13c : 박막부
13b, 13d : 두께부
14 : 개구
[특허 문헌1] 일본 특개 2006-24345호 공보
[특허 문헌2] 일본 특개 평09-298263호 공보
본 발명은, 발광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 표면 실장형으로 소형화 및 경량화를 실현한 발광 장치에 관한 것이다.
최근에, 고휘도, 고출력의 발광 소자 및 소형이면서 호감도의 발광 장치가 개발되어 여러가지의 분야에 이용되고 있다. 이와 같은 발광 장치는, 소형, 저소비 전력이나 경량 등의 특징을 살려서, 예를 들면, 휴대 전화 및 액정 백라이트의 광원, 각종 미터의 광원 및 각종 판독 센서 등에 이용되고 있다.
예를 들면, 백라이트에 이용되는 광원은, 그것을 사용하는 기기의 소형화 및 경량화를 위하여, 박형화가 요구되고 있다. 따라서, 광원으로서 이용되는 발광 장치 자체도 소형화하는 것이 필요하고, 그 때문에, 사이드뷰 타입이라 불리는 형태의 발광 장치가 여러가지 개발되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1).
사이드뷰 타입의 발광 장치는, 일반적으로, 패키지의 측면에 광방출용의 개 구가 형성되고, 그 저면에 발광 다이오드 칩이 마운트되고, 리드 프레임의 일부가 외부 단자로서 패키지 내부로부터 외부로 인출되어서 구성되어 있다.
이와 같은, 사이드뷰형 발광 장치를 소형화하기 위해, 주로 높이 방향의 소사이즈화가 진행되고 있고, 그 때문에, 패키지 자체의 박막화가 진행되고 있음과 함께, 박막화에 수반하는 패키지의 강화 방법이 검토되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 2).
그러나, 패키지 자체를 박막화하면, 패키지의 강도 부족에 의한 패키지의 이지러짐 및 만곡이 발생하여, 수율이 저하한다는 문제가 있다.
또한, 패키지를 형성할 때, 사출 성형 또는 압축 성형 등을 행하는데, 성형 재료가 금형 캐비티의 구석구석까지 미치지 않아서, 캐비티를 완전하게 전부 충전할 수 없는 현상(쇼트 샷)이 발생한다는 문제도 있다.
본 발명은 이와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 패키지의 강도를 충분히 확보하고, 취급 및 수율의 향상을 도모함과 함께, 종래부터 요망되고 있는 한층 더한 박막화 및 소형화를, 발광 장치 내의 스페이스를 효율적으로 이용함으로써 실현하고, 또한 실장 점유 공간을 최소한으로 억제할 수 있는 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 발광 장치는, 발광 소자와, 상기 발광 소자가 전기적으로 접속된 복수의 리드 프레임과, 상기 리드 프레임의 적어도 일부를 그 내부에 포함하고, 일 단을 그 외부로 돌출시키고, 또한 상기 발광 소자로부터의 광을 취출하기 위한 개구를 구비하고, 길이 방향으로 연장하여 형성된 패키지를 포함해서 이루어지고, 상기 패키지의 벽의 적어도 일부의 외표면에 오목부가 형성되고, 상기 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임이 상기 오목부 내에 수용되고, 또한 상기 개구를 구성하는 패키지의 폭 방향으로 대향하는 벽이, 적어도, 상기 발광 소자에 대향하는 제1벽, 그 제1벽에 대하여 단차를 갖는 제2벽 및 상기 제1벽과 제2벽 사이에서 연결된 제3벽을 갖고, 상기 제2벽 및 제3벽이 상기 제1벽보다도 두껍게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 발광 장치는, 발광 소자와, 상기 발광 소자가 전기적으로 접속된 복수의 리드 프레임과, 상기 리드 프레임의 적어도 일부를 그 내부에 포함하고, 일단을 그 외부로 돌출시키고, 또한 상기 발광 소자로부터의 광을 취출하기 위한 개구를 구비하고, 길이 방향으로 연장하여 형성된 패키지를 포함해서 이루어지고, 상기 패키지의 벽의 적어도 일부의 외표면에 오목부가 형성되고, 상기 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임이 상기 오목부 내에 수용되고, 또한 상기 개구를 구성하는 패키지의 폭 방향으로 대향하는 벽이, 적어도, 상기 발광 소자에 대향하는 제1벽, 그 제1벽에 대하여 단차를 갖는 제2벽 및 상기 제1벽과 제2벽 사이에서 연결된 제3벽을 갖고, 상기 제2벽 및 제3벽이 상기 제1벽보다도 두껍게 형성되어 있고, 상기 제1벽, 제2벽 및 제3벽이 각각 서로 다른 테이퍼 각을 갖는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 발광 장치는, 제3벽이, 기울기 0.2 이상으로 형성되어 이루어지거 나, 제1벽 또는 제2벽에 대하여, 90°∼170°의 각도로 연결되어 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 제1벽, 제2벽 및 제3벽이, 0∼45°의 테이퍼 각으로 설정되어 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임이, 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임의 표면의 일부와 상기 벽의 외표면이 동일 평면으로 되도록 수용되어 있는 것이 바람직하다.
벽의 두께 부분이, 오목부를 구성하는 벽의 적어도 일부이거나, 테이퍼 형상이거나, 다른 부분과는 다른 테이퍼 각에 의해 두껍게 형성되어 있는 것이 바람직하다.
복수의 발광 소자가 탑재되어 이루어지거나, 복수의 발광 소자가 발광색이 서로 다른 소자인 것이 바람직하다.
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
본 발명의 발광 장치는, 예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이, 주로, 발광 소자(11a, 11b, 11c)와, 그 일단을 리드 단자로서 기능시키는 리드 프레임(12a∼12f)과, 패키지(13)로 구성된다.
(발광 소자)
발광 소자는, 통상적으로, 반도체 발광 소자이며, 특히, 소위 발광 다이오드라 불리는 소자이면 어떤 것이어도 된다. 예를 들면, 기판 상에, InN, AlN, GaN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체, III-V족 화합물 반도체, II-VI족 화합 물 반도체 등, 여러가지의 반도체에 의해, 활성층을 포함하는 적층 구조가 형성된 것을 들 수 있다. 반도체의 구조로서는, MIS 접합, PIN 접합, PN 접합 등의 호모 구조, 헤테로 결합 또는 더블 헤테로 결합의 것을 들 수 있다. 또한, 반도체 활성층을 양자 효과가 생기는 박막에 형성시킨 단일 양자웰 구조, 다중 양자웰 구조로하여도 된다. 활성층에는, Si, Ge 등의 도너 불순물 및/또는 Zn, Mg 등의 억셉터 불순물이 도프되는 경우도 있다. 얻어지는 발광 소자의 발광 파장은, 반도체의 재료, 혼정비, 활성층의 InGaN의 In 함유량, 활성층에 도프하는 불순물의 종류를 변화시키는 등에 의해, 자외 영역부터 적색까지 변화시킬 수 있다.
또한, 발광 소자는, 후술하는 리드 프레임에 탑재되고, 그를 위해, 접합 부재가 이용된다. 예를 들면, 청 및 녹 발광을 갖고, 사파이어 기판 상에 질화물 반도체를 성장시켜서 형성된 발광 소자의 경우에는, 에폭시 수지, 실리콘 등을 이용할 수 있다. 또한, 발광 소자로부터의 광이나 열에 의한 열화를 고려하여, 발광 소자 이면에 Al 도금을 해도 되고, 수지를 사용하지 않고, Au-Sn 공정 등의 땜납, 저융점 금속 등의 용가재를 이용해도 된다. 또한, GaAs 등으로 이루어지고, 적색 발광을 갖는 발광 소자와 같이, 양면에 전극이 형성된 발광 소자의 경우에는, 은, 금, 팔라듐 등의 도전성 페이스트 등에 의해 다이본딩하여도 된다.
본 발명의 발광 장치에서는, 발광 소자는, 1개뿐만이 아니라, 복수개 탑재되어 있어도 된다. 이 경우에는, 같은 발광색의 광을 발하는 발광 소자를 복수개 조합해도 된다. 예를 들면, RBG에 대응하도록, 발광색이 서로 다른 발광 소자를 복수개 조합하는 것에 의해, 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 발광색이 동일한 발광 소자를 복수개 조합하는 것에 의해, 광도를 향상시킬 수 있다.
(리드 프레임)
리드 프레임은, 발광 소자와 전기적으로 접속하기 위한 전극이며, 실질적으로 판 형상이면 되고, 파형판 형상, 요철을 갖는 판 형상이어도 된다. 재료는 특별히 한정되지 않고, 열전도율이 비교적 큰 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같은 재료로 형성함으로써, 발광 소자에서 발생하는 열을 효율적으로 배출할 수 있다. 예를 들면, 200W/(m·K) 정도 이상의 열전도율을 갖고 있는 것, 비교적 큰 기계적 강도를 갖는 것, 또는 펀칭 프레스 가공 또는 에칭 가공 등이 용이한 재료가 바람직하다. 구체적으로는, 구리, 알루미늄, 금, 은, 텅스텐, 철, 니켈 등의 금속 또는 철-니켈 합금, 인청동 등의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 리드 프레임의 표면에는, 탑재되는 발광 소자로부터의 광을 효율적으로 취출하기 위해서 반사 도금이 실시되어 있는 것이 바람직하다. 리드 프레임의 크기, 두께, 형상 등은, 얻고자 하는 발광 장치의 크기, 형상 등을 고려해서 적절히 조정할 수 있다. 또한, 통상적으로, 리드 프레임은, 패키지의 외부에서, 굴곡 가공되기 때문에, 특히, 패키지의 벽면에 맞닿는 또는 패키지의 근방에 배치되는 부분에서는, 버어 등이 제거되고, 그 엣지 부분에서 라운딩 가공이 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 패키지의 형상을 손상시키지 않고, 리드 단자를 자유자재로 가공할 수 있다.
리드 프레임은, 후술하는 패키지 내부에 배치되는 발광 소자를 탑재하는 영역 및/또는 패키지 내부에 배치되어서 발광 소자와 전기적으로 접속되는 영역과, 패키지의 일면 또는 한 쪽으로부터 외부로 돌출해서 리드 단자로서 기능시키는 영 역을 갖고 있다.
리드 프레임은, 통상적으로, 1개의 발광 장치에서 2개 이상 구비되어 있고, 또한 발광 소자의 수 + 1개 이상, 또는, 발광 소자수의 2배 이상인 것이 적당하다. 예를 들면, 발광 소자가 1개만 탑재되는 경우에는, 리드 프레임의 한 쪽에 발광 소자를 재치하고, 또한 발광 소자의 한 쪽의 전극과 전기적인 접속을 취하고, 다른 쪽의 리드 프레임이 발광 소자의 다른 전극과의 전기적 접속을 취한다.
발광 소자가 2개 이상 탑재되는 경우에는, 발광 소자의 모두 또는 몇 개를 1개의 리드 프레임에 재치하고, 전기적인 접속을 취하고, 또 다른 리드 프레임이 각 발광 소자에 대응해서 각각 별도의 전기적인 접속을 취해도 된다. 예를 들면, 발광 소자 각각을 별개의 리드 프레임에 재치함과 함께 전기적인 접속을 취하고, 또 다른 리드 프레임이 각 발광 소자에 대응해서 각각 별도의 전기적인 접속을 취하도록 구성하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 발광 소자가 RGB에 대응해서 3개 탑재되고, RGB을 독립 구동으로 하는 경우에는, 커먼 단자 1개 및 독립 단자 3개를 구비할 수 있다. 이와 같이, 발광 소자가 복수 탑재되고, 각각에 대하여, 독립해서 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 독립 배선을 함으로써, 발광 장치의 실장면에서, 직렬 또는 병렬 등, 여러가지의 배선 패턴을 선택하는 것이 가능해져서, 자유로운 회로 설계를 할 수 있다. 또한, 독립 배선의 경우, 재치되는 발광 소자의 발광 강도를 조정하는 것이 용이하게 되기 때문에, 특히, 풀 컬러 LED 등이 서로 다른 발광색을 갖는 복수의 발광 소자를 사용할 때에 유리하다. 덧붙여, 각 발광 소자의 방열 경로를 중복시키지 않고 형성할 수 있기 때문에, 각 발광 소자로부터 발생한 열을 균등하게 방열할 수 있어, 보다 방열성이 양호하게 된다.
리드 프레임의 재료, 형상, 크기, 두께 등은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 발광 소자에 적당한 전력을 공급할 수 있는 재료 등인 것이 필요하다.
또한, 리드 프레임의 일부가 돌출된 면 또는 측과는 다른 패키지 부분(예를 들면, 반대측)로부터, 리드 프레임의 다른 일단을 돌출시키고 있어도 된다. 이 리드 프레임은, 발광 소자와 전기적으로 접속되지 않고 발광 소자를 재치하기만 한 것, 발광 소자가 재치되지 않는 것, 발광 소자와 전기적으로 접속되지 않는 것이어도 된다. 이와 같은 리드 프레임의 다른 일단은, 리드 단자로서 기능하는 부분보다도 표면적이 큰 것이 바람직하다. 이에 의해, 패키지 내에서 발광 소자로부터 발생한 열을 외부에 유도하는 방열 경로로서, 또한, 과전압 대책으로서 기능시킬 수 있다.
이들 리드 프레임에서의 리드 단자 및 다른 일단의 크기 및 형상은, 각각 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 후술하는 패키지 외부에 미치는 한, 발광 장치에 탑재되는 발광 소자의 방열성 및 발광 장치의 사용 양태(배치 공간, 배치 위치 등)을 고려해서 적절히 조정할 수 있다. 또한, 리드 단자 및 다른 일단은, 다른 전자 기기와의 위치 관계 등의 사용 양태에 따라서, 적절히 굴곡, 변형시킬 수 있다. 단, 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임은, 후술하는 패키지의 벽의 해당 표면에 형성된 오목부에 수용되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 후술하는 바와 같이, 리드 프레임의 일부 또는 전부가 오목부 내에 수용되어 있는 것이 바람직하다.
(패키지)
패키지는, 발광 소자를 보호함과 함께 리드 프레임을 일체적으로 성형하고, 발광 소자 및 리드 프레임에 대하여, 절연성을 확보할 수 있는 것이면, 어떤 재료에 의해 형성되어 있어도 된다. 예를 들면, 열가소성 수지, 열경화성 수지 등, 구체적으로는, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지, 세라믹 등을 들 수 있다. 또한, 이들 재료에는, 착색제 또는 광확산제로서, 여러가지의 염료 또는 안료 등을 혼합해서 이용해도 된다. 이에 의해, 패키지에 흡수되는 발광광을 최소한으로 억제하거나 또는 반사율이 높은 백색 패키지를 구성할 수 있다. 착색제로서는, Cr2O3, MnO2, Fe2O3, 카본 블랙 등을 들 수 있고, 광확산제로서는, 탄산 칼슘, 산화 알루미늄, 산화 티탄 등을 들 수 있다. 또한, 패키지에는, 통상적으로, 후술하는 개구에 투광성 피복재가 매립되기 때문에, 발광 소자 등으로부터 발생한 열의 영향을 받은 경우의 패키지와 투광성 피복재의 밀착성 등을 고려하여, 이들의 열팽창 계수의 차가 작은 것을 선택하는 것이 바람직하다.
패키지의 크기 및 형상은 특별히 한정되는 것은 아니고, 평면에서 보아 외형 형상(평면외 형상)으로서는, 예를 들면, 원, 타원, 삼각형, 사각형, 다각형 또는 이들에 근사하는 형상 등 어떠한 형상이어도 된다. 그중에서도, 길이 방향으로 연장하여 형성된 형상인 것이 바람직하다.
단, 패키지의 표면에는, 발광 소자를 탑재하기 위한 개구가 형성되어 있다. 이 개구의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니고, 개구 내, 바람직하게는 개구의 저면에, 발광 소자를 재치하고, 전기적인 접속을 취하는 리드 프레임의 일부 표면을 노출시키는 것이면, 원, 타원, 삼각형, 사각형 또는 다각형 기둥, 돔 형상, 주발 형상 등 또는 이들에 근사하는 형상 등 어느 것이어도 된다. 이에 의해, 발광 소자로부터의 광을 패키지 내벽에서 반사시켜, 효율적으로 정면 방향으로 취출할 수 있다. 또한, 개구의 크기 및 깊이 등은, 탑재하는 발광 소자의 수, 본딩 방법 등에 의해 적절하게 조정할 수 있다. 또한, 이 개구의 저면 및/또는 측면은, 엠보스 가공 또는 플라즈마 처리 등에 의해, 접착 면적을 증가시켜, 후술하는 투광성 피복 부재와의 밀착성을 향상시키는 것이 바람직하다.
개구를 구성하는 패키지의 벽의 적어도 일부는, 그 외표면에서, 오목부가 형성되어 있다. 여기에서의 오목부는, 패키지의 벽의 내표면에까지 미치고, 내표면에 볼록부가 형성되도록, 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 오목부에 의해, 발광 장치 내에 존재하는 스페이스(예를 들면, 데드 스페이스)를 보다 유효하게 이용할 수가 있어, 한층 더한 발광 장치의 소형화를 도모할 수 있다.
오목부의 크기 및 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임의 일부가 이 오목부 내에 수용될 정도의 공간이 확보되어 있으면 된다. 또한, 리드 프레임의 일부가 오목부 내에 수용되고, 그 표면의 일부가, 패키지의 벽의 외표면과 동일 평면으로 되는 정도의 공간이 확보되어 있는 것이 바람직하다. 여기에서, 동일 평면이란, 회로 기판 등의 실장 기판 상에 재치하는 것 만으로 리드 단자와 회로 기판이 전기적으로 접촉하여, 안정적으로 고정할 수 있도록 평탄한 것을 의미하고, 또는 리드 프레임의 표면의 일부와, 패키지의 벽의 외표면 사이에, 고저차가 실질적으로 발생하지 않은 부분이 존재하는 것을 의미한다. 단, 고저차가 엄밀하게 제로뿐만 아니라, ±2mm 정도는 허용된다. 또한, 리드 프레임의 일부가 오목부 내에 수용된다는 것은, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이 완전한 오목부(15b) 내에 리드 프레임이 배치될 뿐만 아니라, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이 패키지의 코너부에서 절결된 것 같은 오목부(45a, 55a)가 형성되고, 그 코너부의 오목부(45a, 55a)에 리드 프레임의 일부가 배치되는 형태이어도 된다.
또한, 패키지는, 도 7에 도시한 바와 같이 개구를 구성하는 패키지의 벽(폭 방향에 대향하는 벽(도 7의 화살표 참조))이, 적어도, 발광 소자에 대향하는 제1벽 A, 이 제1벽 A에 대하여 단차를 갖는 제2벽 C 및 이들 제1벽 A와 제2벽 C 사이에서 연결된 제3벽 B을 구비하는 것이 바람직하다. 제1벽 A는, 발광 소자의 주변부에서, 가장 얇게 형성되어 있는 벽이며, 제2벽 C 및 제3벽 B는, 제1벽 A보다도 두껍게 형성되어 있다.
여기에서의 단차란, 패키지의 내벽면에서, 계단 형상으로 고저차가 발생하고 있는 것을 의미한다. 예를 들면, 이 고저차는, 발광 장치 및 발광 소자의 사이즈 등에 의해 적절하게 조정할 수가 있고, 예를 들면, 0.03∼0.2mm 정도를 들 수 있다. 이 고저차는, 제1벽과 제2벽으로 구성되고, 제1벽은, 발광 소자에 가장 가까운 벽부분을 가리킨다. 이 고저차(단차)의 사이에는, 제3벽이 연결되어 있다.
또는, 다른 관점으로부터, 제3벽이, 기울기 0.2 이상, 0.25 이상, 0.3 이상, 0.35 이상, 0.4 이상, 0.5 이상으로 형성되어 있거나, 제1벽 또는 제2벽에 대하여, 90°∼170°, 90°∼160°, 90°∼150°, 90°∼148°의 각도로 연결되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 이 범위의 각도에서의 두께 변화는, 직선적으로 변화되고 있는 것이 바람직하다. 즉, 제2벽은, 평면에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 발광 소자의 주변부의 가장 얇은 제1벽은, 평면인 것이 바람직하고, 발광 소자의 폭의 5배 정도까지의 범위, 4배 정도까지의 범위, 3배 정도까지의 범위로 하는 것이, 발광 장치의 소형화를 확보하는 관점으로부터 바람직하다. 제3벽은, 반드시 평면으로 구성되지 않아도 되지만, 평면 부분을 포함하고 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 벽의 박막 부분을 최소한으로 하고, 즉, 발광 소자의 주변 부분에만 최대한의 공간을 확보하면서, 패키지 전체의 강도를 향상시킬 수 있다.
두께 부분, 즉, 패키지의 제2벽 및 제3벽은, 리드 프레임이 배치되어 있는 부분 또는 그 근방인 것이 바람직하지만, 리드 프레임의 위치에 반드시 의존하지 않아도 된다. 예를 들면, 도 5의 참조부호 53a으로 나타낸 바와 같이 발광 소자의 주변부의 근방에 배치하여도 된다. 이에 의해, 패키지의 벽이 전체로서 박막 형상으로 형성되어 있었다고 해도, 발광 장치 자체의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.
특히, 두께 부분은, 오목부를 구성하는 벽의 적어도 일부인 것이 바람직하다. 통상적으로, 패키지의 제조 시에는, 리드 프레임(바람직하게는, 복수)이 인서트되고 닫힌 금형 내에, 패키지의 하면측에 대응하는 개소에 형성된 게이트로부터, 용융한 패키지 재료를 사출 성형 또는 압축 성형 등의 공지의 방법에 의해 유입시 키고, 경화시킴으로써, 그들을 일체적으로 성형할 수 있다. 오목부를 구성하는 벽은, 금형의 벽면이 굴곡하기 때문에, 성형 재료가 금형 캐비티의 구석구석까지 미치지 않아서, 캐비티를 완전하게 전부 충전할 수 없는 쇼트 샷이 발생하기 쉬워진다. 그러나, 본 발명과 같이, 특히 굴곡하는 부분에서 후막으로 함으로써, 이 쇼트 샷을 유효하게 방지할 수 있다. 또한, 통상적으로, 개구 내의 발광 소자 주변에 주입되어, 발광 소자를 밀봉하기 위해, 투광성 피복재가 이용되지만, 리드 프레임과 패키지 재료의 밀착성이 좋지 않기 때문에, 투광성 피복재가 리드 프레임과 패키지 재료의 계면으로부터 누출되어, 패키지 재료를 타고 이웃의 단자까지 누출되는 경우가 있다. 이와 같은 경우에 누출된 수지에 도전성의 먼지가 부착되면, 사용시에 리크 등의 문제가 발생할 가능성이 있다. 오목부를 구성하는 벽에 대응하는 부분에서 리드 프레임이 끼워질 경우에는, 패키지 재료 상의 전극간 거리가 요철 형상에 의해 연장된다. 따라서, 이웃의 전극에까지 수지가 누출하는 것을 방지할 수 있다.
두께의 정도는, 특별히 한정되지 않지만, 두껍지 않은 다른 부분(패키지의 가장 얇은 부분, 제1벽)의 벽의 150∼200% 정도가 적당하다. 두께 부분(제2벽, 제3벽)은, 개구의 깊이 방향(개구 상부로부터 저면에 이르는 방향)에 걸쳐 두께가 일정하여도 되고, 변화되어도 된다. 그중에서도, 테이퍼 형상(저부보다 개구 상부가 폭이 넓음)인 것이 바람직하다. 테이퍼 각도로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 0∼45°정도, 10∼30°정도를 들 수 있다. 이에 의해, 광의 취득 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 테이퍼 형상인 경우에는, 두께 부분의 테이퍼 각이, 패 키지의 벽의 다른 부분보다도 작은 (완만한) 것에 의해, 패키지의 벽의 다른 부분보다도, 상대적으로 두껍게 할 수 있다. 그 결과, 발광 장치 자체의 크기를 최소한으로 억제하면서, 패키지 자체의 강도, 광의 취득 효율, 발광 장치 내의 스페이스의 이용을 동시에 개선하는 것이 가능하게 된다. 또한, 벽의 두께 부분(제2벽 또는 제3벽)이, 다른 부분(제1벽 포함)과는 상이한 테이퍼 각에 의해 두껍게 형성되어 있는 경우에는, 두께 부분과 박막 부분의 경계는, 개구의 높이 방향의 일점에서 막 두께가 동일해지지만, 전체로서 단차를 갖게 된다. 두께 부분은, 반드시 동일한 테이퍼각을 갖는 테이퍼 형상이 아니어도 되고, 패키지 전체에서, 복수의 막 두께가 서로 다른 부분이 존재하고 있어도 된다. 예를 들면, 제1벽, 제2벽 및 제3벽은, 0∼45°의 테이퍼각으로 설정되어 있는 것이 적당하다. 또한, 두께 부분은, 엠보스 가공, 요철 가공 등, 표면에 요철을 형성하고, 부분적으로 후막으로 하는 것이어도 되고, 오목부를 구성하는 벽의 부분에, 복수의 후막 영역을 형성하여도 된다.
본 발명의 발광 장치에는, 발광 소자 외, 보호 소자가 탑재되어 있어도 된다. 보호 소자는, 1개이어도 되고, 2개 이상의 복수개이어도 된다. 여기에서, 보호 소자는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 발광 장치에 탑재되는 공지의 것 중에 어느 것이어도 된다. 구체적으로는, 과열, 과전압, 과전류, 보호 회로, 정전 보호 소자 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 발광 장치에서는, 발광 소자가 재치된 개구 내에, 투광성 피복재가 매립되어 있는 것이 바람직하다. 투광성 피복재는, 외력, 수분 등으로부 터 발광 소자를 보호할 수 있음과 함께, 와이어를 보호할 수도 있다. 투광성 피복재로서는, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레아 수지 등의 내후성이 우수한 투명 수지 또는 유리 등을 들 수 있다. 특히, 투명 수지는, 공정 중 또는 보관 중에 투광성 피복재 내에 수분이 포함되어버린 경우에도, 100℃에서 14시간 이상의 베이킹을 행함으로써, 수지 내에 함유된 수분을 외기로 배출시킬 수 있다. 따라서, 수증기 폭발, 발광 소자와 몰드 부재의 박리를 방지할 수 있다.
투광성 피복재에는, 확산제 또는 형광 물질을 함유시켜도 된다. 확산제는, 광을 확산시키는 것이며, 발광 소자로부터의 지향성을 완화시켜, 시야각을 증대시킬 수 있다. 형광 물질은, 발광 소자로부터의 광을 변환시키는 것이며, 발광 소자로부터 패키지의 외부로 출사되는 광의 파장을 변환할 수 있다. 발광 소자로부터의 광의 에너지가 높은 단파장의 가시광의 경우, 유기 형광체인 페릴렌계 유도체, ZnCdS:Cu, YAG:Ce, Eu 및/또는 Cr로 부활된 질소 함유 CaO-Al2O3-SiO2 등의 무기 형광체 등, 여러 가지가 적합하게 이용된다. 본 발명에서, 백색광을 얻은 경우, 특히 YAG:Ce 형광체를 이용하면, 그 함유량에 의해 청색 발광 소자로부터의 광과, 그 광을 일부 흡수해서 보색으로 되는 황색계가 발광 가능하게 되어 백색계를 비교적 간단히 신뢰성 좋게 형성할 수 있다. 마찬가지로, Eu 및/또는 Cr로 부활된 질소 함유 CaO-Al2O3-SiO2 형광체를 이용한 경우에는, 그 함유량에 의해 청색 발광 소자로부터의 광과, 그 광을 일부 흡수해서 보색으로 되는 적색계가 발광 가능하여 백색계를 비교적 간단히 신뢰성 좋게 형성할 수 있다. 또한, 형광체를 완전하게 침 강시켜, 기포를 제거함으로써 색얼룩을 저감시킬 수 있다.
이하에, 본 발명의 발광 장치의 실시예를 도면에 기초해서 상세하게 설명한다.
실시예 1
도 1에 도시한 바와 같이 이 실시예의 발광 장치(10)는, RGB에 대응하는 3개의 발광 소자(11a, 11b, 11c)와, 이들 발광 소자가 재치되고, 발광 소자의 한 쪽의 전극과 와이어로 전기적으로 접속되는 리드 프레임(12b, 12c, 12e)과, 이들 발광 소자의 다른 쪽의 전극과 와이어로 전기적으로 접속되는 3개의 리드 프레임(12a, 12d, 12f)와, 리드 프레임(12a∼12f)을 일체적으로 고정하는 패키지(13)를 구비해서 구성된다.
리드 프레임(12a∼12f)은, 철 함유 구리의 합금으로 이루어지는 판 형상체로 형성되어 있다. 리드 프레임(12a∼12f)은, 발광 소자를 탑재하거나, 발광 소자와 전기적으로 접속되는 영역과, 그 영역으로부터 패키지의 외부로 돌출해서 리드 단자로서 기능하는 부분를 구비하고 있다. 리드 단자로서 기능하는 리드 프레임(12a∼12f)은, 패키지 외부에서, 적당한 형상으로 되도록 가공되어 있고, 특히, 굴곡 가공되는 부분이고, 패키지의 벽면에 맞닿는 또는 패키지의 근방에 배치되는 부분에서는, 버어가 제거되어 있고, 그 엣지 부분에서 라운딩 가공이 실시되어 있다. 리드 프레임(12a∼12f)의 표면에는, 탑재되는 발광 소자로부터의 광을 효율적으로 취출하기 위해서, 은 도금이 실시되어 있다.
패키지(13)는, 각 리드 프레임(12a∼12f)을 그 저면에 배치함과 함께, 각 리 드 프레임(12a∼12f)의 일부가 돌출하도록 일체적으로 고정하고, 외형이 직방체에 가까운 형상으로 성형되어 있다. 패키지(13)는, 그 중앙 부근에, 대략 직사각형의 개구(14)가 형성되어 있다.
개구(14) 내에서는, 그 저면에서, 리드 프레임(12a∼12f)의 일부가 일렬로 노출되어 있고, 리드 프레임(12a, 12c, 12e) 상에, RGB에 대응하는 3개의 발광 소자(11a, 11b, 11c)가 각각 일렬로 재치되고, 리드 프레임(12a, 12c, 12e)이, 캐소드 전극으로서 발광 소자의 한 쪽의 전극에 와이어에 의해 접속되어 있다. 또한, 리드 프레임(12b, 12d, 12f)은, 애노드 전극으로서, 발광 소자의 다른 쪽의 전극에 와이어에 의해 접속되어 있다.
패키지(13)의 벽의 측면은, 부분적으로 그 두께가 변화되어 있다. 도 1에서는, 발광 소자(11a, 11b, 11c)가 재치되어 있는 영역의 근방 및 와이어에 의해 전기적인 접속이 이루어져 있는 영역의 근방에서, 보다 개구를 넓게 하기 위해서, 패키지(13)의 벽에, 박막부(13a, 13c)가 형성되어 있고, 그 이외의 영역은, 두께부(13b, 13d)가 형성되어 있다. 박막부(13a)는, 저면에서, 예를 들면, 0.1mm 정도, 박막부(13c)는 0.12mm 정도, 두께부(13b)는 0.2mm 정도, 두께부(13d)는 0.22mm 정도로 하여 형성되어 있다. 또한, 박막부(13a)의 테이퍼량은, 예를 들면, 0.02mm 정도, 박막부(13c)는 0.04mm 정도, 두께부(13b)는 0.13mm 정도, 두께부(13d)는 0.1mm 정도로 하여 형성되어 있다. 이에 의해, 패키지(13)의 강도를 충분히 확보하면서, 내부의 데드 스페이스를 유효하게 활용함으로써 그 외형을 최소한의 크기로 억제할 수 있다. 특히, 패키지(13)의 외부로 돌출하고 있는 리드 프레임(12a∼ 12f)의 근방, 즉, 오목부(15a, 15b)가 형성된 벽이 두께부(13b)로서 형성되어 있기 때문에, 패키지의 제조 시에서의 패키지 재료의 리드 프레임 근방으로부터의 누설을 유효하게 방지할 수 있다. 또한, 두께부(13b)과 박막부(13a)는, 135°의 각도로 변화되어 있다. 또한, 도시하지 않았지만, 두께부(13d)가 형성되어 있는 부분에는, 리드 프레임(12b∼12e)의 측면이, 패키지(13)의 외표면에 노출되어 있다.
패키지(13)의 측면에는, 오목부(15a, 15b)가 형성되어 있다. 코너부로부터 측면에서는, 이 오목부(15a)는 절결된 형상을 갖고 있고, 측면에서는, 이 오목부(15b)는, 대략 홈을 구성하는 형상을 갖고 있다. 특히, 측면에서의 오목부(15b)는, 패키지(13)의 개구(14) 내를 향해서 볼록부를 형성하도록, 내표면에까지 미쳐 있다. 오목부의 크기는, 예를 들면, 패키지(13)의 길이 방향이 7.0mm 정도인 경우에는, 0.3∼0.5mm 정도의 폭인 것이 바람직하다. 이에 의해, 패키지(13)로부터 돌출된 리드 프레임(12a∼12f)을 이 오목부(15a, 15b) 내에, 리드 프레임(12a∼12f)의 외표면과, 패키지(13)의 일부의 표면이 동일 평면으로 되도록, 수용할 수 있다.
또한, 도시하지 않았지만, 이 발광 장치(10)에는, 패키지(13)의 내부에서의 리드 프레임(12a, 12b)에 전기적으로 접속된 보호 소자를 갖고 있다.
이 발광 장치는, 최소한의 점유 공간에서, 적당한 기계적 강도를 구비할 수 있어, 용이하게 회로 기판에 재치함으로써, 회로 기판에 탑재할 수 있다. 또한, 회로 기판에의 탑재에 요하는 공간을 최소한으로 억제할 수 있어, 다른 전자 기기와의 조합의 자유도를 향상시킬 수 있다. 덧붙여, 다른 전자 기기를, 발광 장치에 근접시켜서 배치할 수가 있어, 보다 장치의 소형화·경량화 및 고출력화를 도모하 는 것이 가능하게 된다.
더구나, 3개의 발광 소자를 탑재하고 있는 것으로부터, 색의 재현성을 확보할 수 있음과 함께, 각 리드 프레임에 의해, 3개의 발광 소자를 독립적으로 제어할 수 있기 때문에, 발광 강도를 조정할 수 있다.
실시예 2
본 실시예의 발광 장치(20)는, 도 2에 도시한 바와 같이 리드 프레임(12a∼12f)이 돌출하는 부분에 대응하는 오목부(15b)의 근방에서는, 패키지(23)의 벽(23a)은 일정한 두께이고, 테이퍼 각도 거의 동일하게 형성되어 있고, 리드 프레임(12a∼12f)이 돌출되어 있지 않은 측에서만, 두께부(23d)와, 박막부(23c)가 형성되어 있는 것 이외에, 실시예 1의 발광 장치와 실질적으로 마찬가지의 구성이다.
이 발광 장치에서는, 최소한의 점유 공간에서, 적당한 기계적 강도를 구비할 수 있어, 용이하게 회로 기판에 재치함으로써, 회로 기판에 탑재할 수 있다. 또한, 회로 기판에의 탑재에 요하는 공간을 최소한으로 억제할 수 있어, 다른 전자 기기와의 조합의 자유도를 향상시킬 수 있다. 덧붙여, 다른 전자 기기를, 발광 장치에 근접시켜서 배치할 수가 있어, 보다 장치의 소형화·경량화 및 고출력화를 도모하는 것이 가능하게 된다.
실시예 3
본 실시예의 발광 장치(30)는, 도 3에 도시한 바와 같이 리드 프레임(12a∼12f)이 돌출되지 않는 측의 패키지(33)의 벽(33c)은, 일정한 두께로 형성되어 있고, 리드 프레임(12a∼12f)이 돌출하는 부분에 대응하는 오목부(15b)의 근방에서 는, 두께부(33b)가 형성되고, 그 이외의 부분에는 박막부(33a)가 형성되어 있는 것 이외에, 실시예 1의 발광 장치와 실질적으로 마찬가지의 구성이다.
이 발광 장치에서는, 실시예 1과 마찬가지의 효과가 얻어진다.
실시예 4
본 실시예의 발광 장치(40)는, 도 4에 도시한 바와 같이 1개의 발광 소자를 탑재하기 위한 발광 장치이며, 2개의 리드 프레임(42a, 42b)이, 패키지(43)와 일체적으로 고정되어 있다.
또한, 패키지(43)의 외표면에는 절결 형상의 오목부(45a)가 2개 형성되어 있고, 각 오목부(45a)에 대하여, 각 리드 프레임(42a, 42b)이 수용되어 있다.
발광 소자가 탑재되는 영역 및 그 근방에서는, 패키지(43)의 벽이 박막부(43a)로서 형성되어 있고, 그 이외의 부분은, 두께부(43b)가 형성되어 있다.
두께부(43b)와 박막부(43a)는, 146°의 각도(기울기 0.7)로 변화되어 있다.
이 발광 장치에서는, 최소한의 점유 공간에서, 적당한 기계적 강도를 구비할 수 있어, 용이하게 회로 기판에 재치함으로써, 회로 기판에 탑재할 수 있다. 또한, 회로 기판에의 탑재에 요하는 공간을 최소한으로 억제할 수 있어, 다른 전자 기기와의 조합의 자유도를 향상시킬 수 있다. 덧붙여, 다른 전자 기기를, 발광 장치에 근접시켜서 배치할 수가 있어, 보다 장치의 소형화·경량화 및 고출력화를 도모하는 것이 가능하게 된다.
실시예 5
본 실시예의 발광 장치(50)는, 도 5에 도시한 바와 같이 1개의 발광 소자를 탑재하기 위한 발광 장치이며, 2개의 리드 프레임(52a, 52b)이, 패키지(53)와 일체적으로 고정되어 있다.
또한, 패키지(53)의 외표면에는 절결 형상의 오목부(55a)가 2개 형성되어 있어, 각 오목부(55a)에 대하여, 각 리드 프레임(52a, 52b)이 수용되어 있다.
발광 소자가 탑재되는 영역의 외주 영역의 일부에서, 패키지(53)의 벽에 후막부(53a)가 형성되어 있고, 그 이외의 부분에는 박막부(53b)가 형성되어 있다.
두께부(53b)과 박막부(53a)는, 135°의 각도(기울기:1)로 변화되어 있다.
이 발광 장치에서는, 최소한의 점유 공간에서, 적당한 기계적 강도를 구비할 수 있어, 용이하게 회로 기판에 재치함으로써, 회로 기판에 탑재할 수 있다. 또한, 발광 소자의 외주 영역에서 후막부가 배치되어 있기 때문에, 개구를 투광성 피복재로 밀봉하는 경우에, 이 후막부가, 투광성 피복재를 발광 소자의 근방에만 저지하는 역할을 하여, 원하는 영역에만, 원하는 투광성을 배치하는 것이 가능하게 된다.
실시예 6
본 실시예의 발광 장치(60)는, 도 6a∼도 6d에 도시한 바와 같이 리드 프레임(62a∼62d)이 돌출되지 않는 측의 패키지(63)의 벽(63c)은, 일정한 두께로 형성되어 있고, 리드 프레임(62a∼62d)이 돌출하는 부분에 대응하는 오목부(15b)의 근방에서는, 두께부(63b)가 형성되고, 그 이외의 부분에는 박막부(63a)가 형성되어 있는 것 이외에, 실시예 1의 발광 장치와 실질적으로 마찬가지의 구성이다.
또한, 이 실시예의 발광 장치(60)는, 청색의 발광 소자를 3개, 리드 프레 임(62a, 62b, 62d)에 재치하고 있고, 개구(14) 내에, 형광체 함유의 수지가 밀봉된, 백색 발광의 발광 장치이다.
또한, 도 6a에 도시한 바와 같이 복수의 리드 프레임 중, 패키지(63)의 양단에 끼워져 있지 않은 리드 프레임(62b, 62c)은, 패키지(63)에 의해 끼워서 유지되는 부분을, 두께부(63b)보다 넓게 취함으로써, 리드 프레임(62b, 62c)과 패키지(63)를 강고하게 고정하여, 리드 프레임(62b, 62c)이 패키지(63)로부터 떨어지기 어렵게 할 수 있다. 즉, 패키지(63)에 의해 끼워서 유지되는 부분이 얇은 (다시 말해서, 벽두께가 얇은) 경우에는, 패키지(63)로 리드 프레임(62b, 62c)을 다 누를 수 없어서, 리드 프레임(62b, 62c)이 빠질 가능성이 있지만, 이 발광 장치에서는, 그것을 회피할 수 있다.
또한, 도 6b에 도시한 바와 같이 패키지(63)로부터 외부로 돌출하고, 패키지(63) 외부에서 굴곡 가공되고, 외부 단자로 되어 있는 리드 프레임(62b, 62c)은, 패키지(63)의 벽면으로부터 돌출된 굴곡 부분보다도, 단부의 쪽이 큰(예를 들면, 단부가 홈 베이스 형상 또는 인두 형상) 것이 바람직하다. 이에 의해, 외부 단자의 표면적을 증대시켜서, 방열성을 향상시킬 수 있다. 덧붙여, 단부의 굵은 부분에 힘을 가하기 쉬워, 굽힘 가공하기 쉽다고 하는 이점도 있다.
또한, 도 6c에 도시한 바와 같이 리드 프레임(62b, 62c)을 굴곡시킬 때, 패키지(63) 배면의 오목부(게이트 자국이 있는 부분, 도 6c 및 도 6d의, E)와, 리드 프레임(62b, 62c)의 단부 사이에 간극을 두는 것이 바람직하다. 이에 의해, 방열 경로를 보다 많이 확보할 수가 있어, 공냉을 효율적으로 행할 수 있다. 더구나, 패키지(63)로부터 돌출하고, 굴곡하고 있는 부분까지의 사이에, 방열 부재를 접속할 경우에는, 거기로부터 열을 빼낼 수도 있다.
또한, 도 6d에 도시한 바와 같이 패키지 배면 측에서, XYZ 방향으로 패키지(63)의 일부를 절개해서 형성된 오목부(도 6d중, F) 또는 그 가로의 볼록부에 의해, XYZ의 3방향에서의 위치 결정이 가능해져서, 예를 들면, 이 발광 장치를 실장 기판 등에 실장할 때에, 도광판 또는 실장 기판 등의 고정밀도의 위치 정렬이 용이해지고, 또한 도광판과 강고하게 고정시킬 수 있다.
이 발광 장치에서는, 실시예 1과 마찬가지의 효과가 얻어진다.
<산업상의 이용 가능성>
본 발명의 발광 장치는, 발광 소자로서, 예를 들면, 발광 다이오드 칩을 탑재함으로써, 패키지의 측면으로부터 측면 방향으로 광을 방출하는 타입의 표면 실장형 발광 장치로서, 팩시밀리, 카피기, 핸드 스캐너 등에서의 화상 판독 장치에 이용되는 조명 장치뿐만 아니라, 조명용 광원, LED 디스플레이, 휴대 전화기 등의 백라이트 광원, 신호기, 조명식 스위치, 차재용 스톱 램프, 각종 센서 및 각종 인디케이터 등의 여러가지의 조명 장치에 이용할 수 있다.
본 발명의 발광 장치에 따르면, 패키지의 강도 부족에 의한 패키지의 이지러짐 및 만곡을 방지하고, 또한 열팽창에 의한 패키지의 변형을 방지함으로써, 기계적 강도를 확보하여, 취급 및 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 종래부터 요망되고 있는 박막화 및 소형화를, 발광 장치 내의 스페이스를 효율적으로 이용함으 로써 실현하고, 또한 실장 점유 공간을 최소한으로 억제할 수 있다.
더구나, 패키지를, 예를 들면, 사출 성형 또는 압축 성형 등의 공지의 방법을 이용하는 경우에도, 쇼트 샷의 발생을 방지함과 함께, 리드 프레임 부분으로부터의 패키지 재료의 누설을 방지하고, 제조를 용이하게 할 수가 있어, 품질이 높은 발광 장치를 얻을 수 있다.

Claims (11)

  1. 발광 소자와,
    상기 발광 소자가 전기적으로 접속된 복수의 리드 프레임과,
    상기 리드 프레임의 적어도 일부를 그 내부에 포함하고, 일단을 그 외부로 돌출시키고, 또한 상기 발광 소자로부터의 광을 취출하기 위한 개구를 구비하고, 길이 방향으로 연장하여 형성된 패키지
    를 포함해서 이루어지고,
    상기 패키지의 벽의 적어도 일부의 외표면에 오목부가 형성되고,
    상기 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임이 상기 오목부 내에 수용되고, 또한
    상기 개구를 구성하는 패키지의 폭 방향으로 대향하는 벽이, 적어도, 상기 발광 소자에 대향하는 제1벽, 그 제1벽에 대하여 단차를 갖는 제2벽 및 상기 제1벽과 제2벽 사이에서 연결된 제3벽을 갖고, 상기 제2벽 및 제3벽이 상기 제1벽보다도 두껍게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 발광 소자와,
    상기 발광 소자가 전기적으로 접속된 복수의 리드 프레임과,
    상기 리드 프레임의 적어도 일부를 그 내부에 포함하고, 일단을 그 외부로 돌출시키고, 또한 상기 발광 소자로부터의 광을 취출하기 위한 개구를 구비하고, 길이 방향으로 연장하여 형성된 패키지
    를 포함해서 이루어지고,
    상기 패키지의 벽의 적어도 일부의 외표면에 오목부가 형성되고,
    상기 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임이 상기 오목부 내에 수용되고, 또한
    상기 개구를 구성하는 패키지의 폭 방향으로 대향하는 벽이, 적어도, 상기 발광 소자에 대향하는 제1벽, 그 제1벽에 대하여 단차를 갖는 제2벽 및 상기 제1벽과 제2벽 사이에서 연결된 제3벽을 갖고, 상기 제2벽 및 제3벽이 상기 제1벽보다도 두껍게 형성되어 있고,
    상기 제1벽, 제2벽 및 제3벽이 각각 서로 다른 테이퍼 각을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1벽, 제2벽 및 제3벽이, 0∼45°의 테이퍼 각으로 설정되어 이루어지는 발광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3벽이, 기울기 0.2 이상으로 형성되어 이루어지는 발광 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3벽이, 상기 제1벽 또는 상기 제2벽에 대하여, 90°∼170°의 각도로 연결되어 이루어지는 발광 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임이, 패키지의 외부로 돌출된 리드 프레임의 표면의 일부와 상기 벽의 외표면이 동일 평면으로 되도록 수용되어 이루어지는 발광 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    벽의 두께 부분이, 오목부를 구성하는 벽의 적어도 일부인 발광 장치.
  8. 제1항, 제4항, 제5항, 제6항, 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    벽의 두께 부분이 테이퍼 형상인 발광 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    벽의 두께 부분이, 다른 부분과는 다른 테이퍼 각에 의해 두껍게 형성되어 있는 발광 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 발광 소자가 탑재되어 이루어지는 발광 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자가 발광색이 서로 다른 소자인 발광 장치.
KR1020070038778A 2006-04-21 2007-04-20 발광 장치 KR101316495B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006118360 2006-04-21
JPJP-P-2006-00118360 2006-04-21
JP2006205499A JP5119621B2 (ja) 2006-04-21 2006-07-28 発光装置
JPJP-P-2006-00205499 2006-07-28

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130055360A Division KR101356262B1 (ko) 2006-04-21 2013-05-15 발광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070104283A true KR20070104283A (ko) 2007-10-25
KR101316495B1 KR101316495B1 (ko) 2013-10-10

Family

ID=38290013

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070038778A KR101316495B1 (ko) 2006-04-21 2007-04-20 발광 장치
KR1020130055360A KR101356262B1 (ko) 2006-04-21 2013-05-15 발광 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130055360A KR101356262B1 (ko) 2006-04-21 2013-05-15 발광 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7422338B2 (ko)
EP (1) EP1848037B1 (ko)
JP (1) JP5119621B2 (ko)
KR (2) KR101316495B1 (ko)
CN (1) CN101071839B (ko)
TW (1) TWI408943B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120002850A (ko) * 2010-07-01 2012-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20140063140A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 장치

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200830576A (en) * 2007-01-05 2008-07-16 Uni Light Touchtek Corp Method for forming light emitting diode array
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
US8704265B2 (en) * 2007-08-27 2014-04-22 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and lighting apparatus using the same
KR101488448B1 (ko) * 2007-12-06 2015-02-02 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP5230192B2 (ja) * 2007-12-27 2013-07-10 豊田合成株式会社 発光装置
KR100956888B1 (ko) 2008-01-24 2010-05-11 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP5349811B2 (ja) 2008-02-06 2013-11-20 シャープ株式会社 半導体発光装置
US8314442B2 (en) 2008-02-08 2012-11-20 Nichia Corporation Light emitting device
KR20100003320A (ko) * 2008-06-24 2010-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100986202B1 (ko) * 2008-07-01 2010-10-07 알티전자 주식회사 사이드 뷰 발광 다이오드 패키지
CN101364585B (zh) * 2008-09-25 2010-10-13 旭丽电子(广州)有限公司 一种芯片封装结构及其制造方法
KR101491485B1 (ko) * 2008-11-18 2015-02-11 삼성전자주식회사 측면 방출형 발광장치 및 선광원형 발광장치
JP5365252B2 (ja) * 2009-02-25 2013-12-11 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
GB2472998A (en) 2009-08-26 2011-03-02 Univ Southampton Cleaning using acoustic energy and gas bubbles
JP5506313B2 (ja) * 2009-09-30 2014-05-28 スタンレー電気株式会社 車両ヘッドライト用発光ダイオード光源
JP5849702B2 (ja) * 2009-10-29 2016-02-03 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージ及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法
US20110140591A1 (en) * 2009-12-14 2011-06-16 Han-Ming Lee Single multi-facet light source LED bracket
JP2012079723A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR101644110B1 (ko) * 2010-12-17 2016-08-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR101852388B1 (ko) * 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP5527286B2 (ja) * 2011-06-29 2014-06-18 豊田合成株式会社 発光装置
KR101823506B1 (ko) 2011-06-29 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP5978572B2 (ja) * 2011-09-02 2016-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101944409B1 (ko) 2012-06-08 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102075561B1 (ko) * 2013-05-08 2020-02-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 모듈 및 조명 시스템
WO2014183801A1 (de) * 2013-05-17 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
CN104241262B (zh) * 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
JP2015041685A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 豊田合成株式会社 発光装置
US9142745B2 (en) * 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
US9257616B2 (en) 2013-08-27 2016-02-09 Glo Ab Molded LED package and method of making same
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
JP6575065B2 (ja) 2014-12-26 2019-09-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016140722A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 株式会社三共 遊技機および遊技用装置
JP6374339B2 (ja) 2015-03-26 2018-08-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN111129241A (zh) * 2015-09-24 2020-05-08 首尔伟傲世有限公司 发光元件及包括此的发光装置
US10386058B1 (en) 2016-03-17 2019-08-20 Shat-R-Shield, Inc. LED luminaire
US10767849B2 (en) 2016-04-25 2020-09-08 Shat-R-Shield, Inc. LED luminaire
JP6521017B2 (ja) * 2017-09-29 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7436828B2 (ja) 2019-12-17 2024-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11417808B2 (en) 2019-09-12 2022-08-16 Nichia Corporation Light emitting device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2981370B2 (ja) * 1993-07-16 1999-11-22 シャープ株式会社 Ｍｉｄチップ型発光素子
JP3625498B2 (ja) * 1994-09-21 2005-03-02 三洋電機株式会社 表示装置
JP3466817B2 (ja) * 1996-05-02 2003-11-17 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびその製造方法
JP2003077317A (ja) * 2001-09-03 2003-03-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄランプ
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
JP4222017B2 (ja) * 2001-12-18 2009-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4239509B2 (ja) * 2002-08-02 2009-03-18 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP3991961B2 (ja) * 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
JP3972889B2 (ja) * 2002-12-09 2007-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置およびそれを用いた面状光源
CN2612075Y (zh) * 2003-02-08 2004-04-14 光鼎电子股份有限公司 Led封装结构
KR100609783B1 (ko) * 2003-10-15 2006-08-10 럭스피아 주식회사 측면발광 다이오드 패키지
JP4471356B2 (ja) * 2004-04-23 2010-06-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2006024345A (ja) 2004-04-28 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd フラッシュメモリとフラッシュメモリのプログラムベリファイ方法
US7313649B2 (en) * 2004-04-28 2007-12-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flash memory and program verify method for flash memory
US20070295975A1 (en) * 2004-06-25 2007-12-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-Emitting Device
KR100674827B1 (ko) * 2004-07-28 2007-01-25 삼성전기주식회사 백라이트 유니트용 ｌｅｄ 패키지
CN101278416B (zh) * 2005-09-30 2011-01-12 日亚化学工业株式会社 发光装置以及使用该发光装置的背光光源单元
JP4952233B2 (ja) * 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120002850A (ko) * 2010-07-01 2012-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20140063140A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TWI408943B (zh) 2013-09-11
US7422338B2 (en) 2008-09-09
US20070247841A1 (en) 2007-10-25
EP1848037A3 (en) 2009-04-15
JP2007311736A (ja) 2007-11-29
CN101071839B (zh) 2010-08-11
TW200806008A (en) 2008-01-16
EP1848037A2 (en) 2007-10-24
CN101071839A (zh) 2007-11-14
KR101316495B1 (ko) 2013-10-10
EP1848037B1 (en) 2014-10-08
JP5119621B2 (ja) 2013-01-16
KR101356262B1 (ko) 2014-01-28
KR20130071448A (ko) 2013-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101356262B1 (ko) 발광 장치
KR101602977B1 (ko) 발광 장치
US7527400B2 (en) Light emitting device
KR101635650B1 (ko) 발광 장치
TWI427833B (zh) 發光裝置
KR20070081864A (ko) 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법
US9000465B2 (en) Light emitting device
JP2009065002A (ja) 発光装置
KR101669281B1 (ko) 발광 장치
JP2004071675A (ja) 発光ダイオード
KR101455431B1 (ko) 발광 장치
TWI422212B (zh) 發光單元及照明裝置
JP2008160091A (ja) 発光装置
JP5701843B2 (ja) 発光装置
JP5722759B2 (ja) 発光装置
US20070181899A1 (en) Light emitting diode package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160920

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170919

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180903

Year of fee payment: 6